JPH1065220A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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- JPH1065220A JPH1065220A JP8221945A JP22194596A JPH1065220A JP H1065220 A JPH1065220 A JP H1065220A JP 8221945 A JP8221945 A JP 8221945A JP 22194596 A JP22194596 A JP 22194596A JP H1065220 A JPH1065220 A JP H1065220A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の外部取り出し効率を改善するため、化
合物半導体発光素子と封止樹脂界面での反射率の低減及
び全反射の臨界角を広くする安価な構造とその製造方法
を得ること。 【解決手段】 透光性封止材料による封止構造が２重構
造であり、且つ、化合物半導体発光素子の屈折率Ｎ
1と、化合物半導体発光素子に接する第１の透光性封止
材料の屈折率Ｎ2と、更にその外側を封止する第２の透
光性封止材料の屈折率Ｎ3との間に、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１
の関係を有し、且つ、第１の封止樹脂の厚さが一様でな
いことを特徴とするものである。
合物半導体発光素子と封止樹脂界面での反射率の低減及
び全反射の臨界角を広くする安価な構造とその製造方法
を得ること。 【解決手段】 透光性封止材料による封止構造が２重構
造であり、且つ、化合物半導体発光素子の屈折率Ｎ
1と、化合物半導体発光素子に接する第１の透光性封止
材料の屈折率Ｎ2と、更にその外側を封止する第２の透
光性封止材料の屈折率Ｎ3との間に、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１
の関係を有し、且つ、第１の封止樹脂の厚さが一様でな
いことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体発光
素子からなる半導体発光装置及びその製造方法に係り、
特に、光の外部への取り出し効率の改善方法に関する。
素子からなる半導体発光装置及びその製造方法に係り、
特に、光の外部への取り出し効率の改善方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例の半導体発光装置の略断面図を図
６に示す。図６（ａ）はランプ型の発光装置、図６
（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装置である。図６
（ａ）において、化合物半導体発光素子４０はリードフ
レーム４１上に銀ペースト等でダイボントされ、金線４
２でリードフレームとワイヤーボンドされている。そし
て、化合物半導体発光素子４０は透光性樹脂４３で樹脂
封止されている。
６に示す。図６（ａ）はランプ型の発光装置、図６
（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装置である。図６
（ａ）において、化合物半導体発光素子４０はリードフ
レーム４１上に銀ペースト等でダイボントされ、金線４
２でリードフレームとワイヤーボンドされている。そし
て、化合物半導体発光素子４０は透光性樹脂４３で樹脂
封止されている。
【０００３】図６（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装
置であり、化合物半導体発光素子４０はセラミックス基
板４４の電気的導電層４５上に銀ペースト等でダイボン
トされ、金線４２で電気的導電層４５とワイヤーボンド
されている。そして、化合物半導体発光素子４０はその
外側を透光性樹脂４３で樹脂封止されている。
置であり、化合物半導体発光素子４０はセラミックス基
板４４の電気的導電層４５上に銀ペースト等でダイボン
トされ、金線４２で電気的導電層４５とワイヤーボンド
されている。そして、化合物半導体発光素子４０はその
外側を透光性樹脂４３で樹脂封止されている。
【０００４】しかし、化合物半導体発光素子の屈折率
は、例えば、ＧａＡｓやＧａＡｌＡｓ等の屈折率は３．
５程度あり、空気の屈折率１．０との屈折率差が大きい
ので、接合界面で発光した光を有効に外部に取り出すこ
とは困難で、光が内部に閉じ込められる割合が高い。こ
の内部に閉じ込められる要因は、界面での屈折率差によ
る反射である。屈折率ＮA＝３．５の媒質（化合物半導
体）から屈折率ＮB＝１．５の媒質（エポキシ樹脂）に
光が進むと、フレネルの式から、界面での反射率Ｒは、
Ｒ＝（（ＮA−ＮB）／（ＮA＋ＮB））2 ＝ ０．１６
となり、Ｒ（％）＝１６％となる。
は、例えば、ＧａＡｓやＧａＡｌＡｓ等の屈折率は３．
５程度あり、空気の屈折率１．０との屈折率差が大きい
ので、接合界面で発光した光を有効に外部に取り出すこ
とは困難で、光が内部に閉じ込められる割合が高い。こ
の内部に閉じ込められる要因は、界面での屈折率差によ
る反射である。屈折率ＮA＝３．５の媒質（化合物半導
体）から屈折率ＮB＝１．５の媒質（エポキシ樹脂）に
光が進むと、フレネルの式から、界面での反射率Ｒは、
Ｒ＝（（ＮA−ＮB）／（ＮA＋ＮB））2 ＝ ０．１６
となり、Ｒ（％）＝１６％となる。
【０００５】また、このときの全反射の臨界角θCは、
スネルの式から、Ｓｉｎ（θC）＝ＮA、θC≒２５°、
約２５度となる。つまり、界面で１６％の減衰を受ける
だけでなく、界面に対する法線より２５度以上の角度に
ある光は全反射して、外部に取り出せないことになる。
スネルの式から、Ｓｉｎ（θC）＝ＮA、θC≒２５°、
約２５度となる。つまり、界面で１６％の減衰を受ける
だけでなく、界面に対する法線より２５度以上の角度に
ある光は全反射して、外部に取り出せないことになる。
【０００６】この問題点を改善する方法として、特開平
５−１９０９０１号公報や特開平７―３８１４８号公報
がある。
５−１９０９０１号公報や特開平７―３８１４８号公報
がある。
【０００７】特開平５−１９０９０１号公報、半導体発
光素子及びその製造方法（出願人：シャープ株式会社）
では、図６に示されるように、発光素子（チップ）表面
を小さな多数のレンズ状とすることにより、外部効率の
向上を図っており、これを図７に示す。
光素子及びその製造方法（出願人：シャープ株式会社）
では、図６に示されるように、発光素子（チップ）表面
を小さな多数のレンズ状とすることにより、外部効率の
向上を図っており、これを図７に示す。
【０００８】図７は従来例の半導体発光素子であり、図
７（ａ）はその上面図を示し、図７（ｂ）はその断面図
を示す。図７（ｂ）において、半導体発光素子（発光ダ
イオードＬＥＤ）５０はｎ型ＧａＰ基板５１上に、ｎ型
ＧａＰ成長層５２、及びｐ型ＧａＰ成長層５３が形成さ
れている。ｐ型ＧａＰ成長層５３には上面に多数個のレ
ンズ状部５３ａを形成したレンズ集積層が形成されてい
る。５４は表面側のｐ型電極であり、５５は裏面側のｎ
型電極である。エキシマレーザ光の制御により、所望の
形状のレンズ状部５３ａを形成し、前記の全反射の問題
に対処している。また、図７（ａ）において、５０は半
導体発光素子、５３ａは多数個のレンズ状部、５４は表
面側のｐ型電極である。
７（ａ）はその上面図を示し、図７（ｂ）はその断面図
を示す。図７（ｂ）において、半導体発光素子（発光ダ
イオードＬＥＤ）５０はｎ型ＧａＰ基板５１上に、ｎ型
ＧａＰ成長層５２、及びｐ型ＧａＰ成長層５３が形成さ
れている。ｐ型ＧａＰ成長層５３には上面に多数個のレ
ンズ状部５３ａを形成したレンズ集積層が形成されてい
る。５４は表面側のｐ型電極であり、５５は裏面側のｎ
型電極である。エキシマレーザ光の制御により、所望の
形状のレンズ状部５３ａを形成し、前記の全反射の問題
に対処している。また、図７（ａ）において、５０は半
導体発光素子、５３ａは多数個のレンズ状部、５４は表
面側のｐ型電極である。
【０００９】また、特開平７―３８１４８号公報、化合
物半導体発光素子、発光ダイオード及び発光ダイオード
の製造方法（出願人：日立電線株式会社）では、化合物
半導体発光素子の表面に化合物半導体発光素子６３と封
止樹脂６５の間の屈折率を持つ物質で発光素子の上面に
反射防止膜６０を形成するもので、これを図８に示す。
図８（ａ）の断面図において、６３はＤＨ構造ＡｌＧ
ａＡｓ赤色発光ダイオードの構造を示し、ｐ型ＧａＡｓ
基板５６上に、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５７、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ活性層５８、ｎ型ＡｌＧａＡｓウインドウ
層５９の三層のエピタキシャル層と、その表面に形成さ
れた硫化亜鉛（屈折率２．２５〜２．４３）反射防止膜
６０と表面電極６１、及び裏面に形成された裏面電極６
２により構成されている。
物半導体発光素子、発光ダイオード及び発光ダイオード
の製造方法（出願人：日立電線株式会社）では、化合物
半導体発光素子の表面に化合物半導体発光素子６３と封
止樹脂６５の間の屈折率を持つ物質で発光素子の上面に
反射防止膜６０を形成するもので、これを図８に示す。
図８（ａ）の断面図において、６３はＤＨ構造ＡｌＧ
ａＡｓ赤色発光ダイオードの構造を示し、ｐ型ＧａＡｓ
基板５６上に、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５７、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ活性層５８、ｎ型ＡｌＧａＡｓウインドウ
層５９の三層のエピタキシャル層と、その表面に形成さ
れた硫化亜鉛（屈折率２．２５〜２．４３）反射防止膜
６０と表面電極６１、及び裏面に形成された裏面電極６
２により構成されている。
【００１０】図８（ｂ）はＡｌＧａＡｓ赤色発光ダイオ
ードの断面構造を示す図であり、リードフレーム６４上
に赤色発光ダイオード６３をマウントし、それを屈折率
１．５５のエポキシ樹脂６５でモールドしたもので、反
射防止膜６０の形成により、外部発光出力を１．４〜
２．２倍向上している。６６はリードフレーム６４のリ
ードである。
ードの断面構造を示す図であり、リードフレーム６４上
に赤色発光ダイオード６３をマウントし、それを屈折率
１．５５のエポキシ樹脂６５でモールドしたもので、反
射防止膜６０の形成により、外部発光出力を１．４〜
２．２倍向上している。６６はリードフレーム６４のリ
ードである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この先行例の
特開平５−１９０９０１号公報では、全反射の問題を解
決するため、エキシマレーザ光の光加工技術により、一
個一個のレンズ状部を形成するため、その加工時間とコ
ストはかなり大きなものとなっている。
特開平５−１９０９０１号公報では、全反射の問題を解
決するため、エキシマレーザ光の光加工技術により、一
個一個のレンズ状部を形成するため、その加工時間とコ
ストはかなり大きなものとなっている。
【００１２】また、先行例の特開平７―３８１４８号公
報では、反射防止膜の形成により、前面への光出射の反
射を約１６％低減するものであるが、発光素子の側面か
ら出射光に対する対応はなされていない。また、反射防
止膜では全反射の臨界角を広くすることはできない。
報では、反射防止膜の形成により、前面への光出射の反
射を約１６％低減するものであるが、発光素子の側面か
ら出射光に対する対応はなされていない。また、反射防
止膜では全反射の臨界角を広くすることはできない。
【００１３】本発明は、光の外部取り出し効率を改善す
るため、化合物半導体発光素子と封止樹脂界面での反射
率の低減及び全反射の臨界角を広くする安価な構造とそ
の製造方法を提供するものである。
るため、化合物半導体発光素子と封止樹脂界面での反射
率の低減及び全反射の臨界角を広くする安価な構造とそ
の製造方法を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体発光装置は、化合物半導体発光素子を透光性封止
材料により封止してなる半導体発光装置であり、該透光
性封止材料による封止構造が２重構造であり、且つ、該
化合物半導体発光素子の屈折率Ｎ1と、化合物半導体発
光素子に接する第１の透光性封止材料の屈折率Ｎ2と、
更にその外側を封止する第２の透光性封止材料の屈折率
Ｎ3との間に、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１の関係を有し、且つ、
第１の封止樹脂の厚さが一様でないことを特徴とするも
のである。
半導体発光装置は、化合物半導体発光素子を透光性封止
材料により封止してなる半導体発光装置であり、該透光
性封止材料による封止構造が２重構造であり、且つ、該
化合物半導体発光素子の屈折率Ｎ1と、化合物半導体発
光素子に接する第１の透光性封止材料の屈折率Ｎ2と、
更にその外側を封止する第２の透光性封止材料の屈折率
Ｎ3との間に、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１の関係を有し、且つ、
第１の封止樹脂の厚さが一様でないことを特徴とするも
のである。
【００１５】また、本発明の請求項２記載の半導体発光
装置は、前記化合物半導体発光素子の１辺の長さをａと
する時、該第１の透光性封止材料による封止構造の大き
さは、化合物半導体発光素子の発光点の中央を中心とす
る半径ｒが、ｒ＞ａである球状又はドーム状であること
を特徴とするものである。
装置は、前記化合物半導体発光素子の１辺の長さをａと
する時、該第１の透光性封止材料による封止構造の大き
さは、化合物半導体発光素子の発光点の中央を中心とす
る半径ｒが、ｒ＞ａである球状又はドーム状であること
を特徴とするものである。
【００１６】また、本発明の請求項３記載の半導体発光
装置は、第１の透光性封止材料は屈折率Ｎ2が１．６以
上である樹脂であり、第２の透光性封止材料がエポキシ
系樹脂であることを特徴とするものである。
装置は、第１の透光性封止材料は屈折率Ｎ2が１．６以
上である樹脂であり、第２の透光性封止材料がエポキシ
系樹脂であることを特徴とするものである。
【００１７】また、本発明の請求項４記載の半導体発光
装置の製造方法は、射出成形法により第１の透光性封止
材料を封止する第１の封止工程と、キャスティング法又
はトランファーモールド成形法で第２の透光性封止材料
を封止する第２の封止工程とを含むことを特徴とするも
のである。
装置の製造方法は、射出成形法により第１の透光性封止
材料を封止する第１の封止工程と、キャスティング法又
はトランファーモールド成形法で第２の透光性封止材料
を封止する第２の封止工程とを含むことを特徴とするも
のである。
【００１８】また、本発明の請求項５記載の半導体発光
装置の製造方法は、第１の透光性封止材料を加熱溶融
し、化合物半導体発光素子の周りに浸漬法又はポッティ
ング法により溶融状態の封止材料を付着させて封止する
第１の封止工程と、キャスティング法もしくはトランフ
ァーモールド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の
封止工程を含むことを特徴とするものである。
装置の製造方法は、第１の透光性封止材料を加熱溶融
し、化合物半導体発光素子の周りに浸漬法又はポッティ
ング法により溶融状態の封止材料を付着させて封止する
第１の封止工程と、キャスティング法もしくはトランフ
ァーモールド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の
封止工程を含むことを特徴とするものである。
【００１９】また、本発明の請求項６記載の半導体発光
装置の製造方法は、粉末状もしくは顆粒状の前記第１の
透光性封止材料で前記化合物半導体発光素子を覆い且つ
加熱溶融して化合物半導体発光素子を封止する第１の封
止工程と、キャスティング法もしくはトランファーモー
ルド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の封止工程
とを含むことを特徴とするものである。
装置の製造方法は、粉末状もしくは顆粒状の前記第１の
透光性封止材料で前記化合物半導体発光素子を覆い且つ
加熱溶融して化合物半導体発光素子を封止する第１の封
止工程と、キャスティング法もしくはトランファーモー
ルド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の封止工程
とを含むことを特徴とするものである。
【００２０】また、本発明の請求項７記載の半導体発光
装置の製造方法は、前記第１の透光性封止材料を有機溶
剤に溶解させ、その溶液を前記化合物半導体発光素子の
周りに浸漬法又はポッティング法により付着させ、該溶
媒の溶剤を蒸発させて樹脂封止する第１の封止工程と、
キャスティング法もしくはトランファーモールド成形法
でエポキシ系樹脂を封止する第２の封止工程とを含むこ
とを特徴とするものである。
装置の製造方法は、前記第１の透光性封止材料を有機溶
剤に溶解させ、その溶液を前記化合物半導体発光素子の
周りに浸漬法又はポッティング法により付着させ、該溶
媒の溶剤を蒸発させて樹脂封止する第１の封止工程と、
キャスティング法もしくはトランファーモールド成形法
でエポキシ系樹脂を封止する第２の封止工程とを含むこ
とを特徴とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１乃至図５は本発明の一実施の
形態よりなる図である。
形態よりなる図である。
【００２２】図１に本発明の一実施の形態よりなる半導
体発光装置の略断面図を示し、図１（ａ）はランプ型の
発光装置、図１（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装置
である。図１（ａ）において、化合物半導体発光素子１
０はリードフレーム１１上に銀ペースト等でダイボント
され、金線１２でリードフレームとワイヤーボンドされ
ている。そして、化合物半導体発光素子１０は透光性高
屈折率樹脂１３で封止（第１の樹脂封止）され、その外
側を透光性低屈折率樹脂１４で封止（第２の樹脂封止）
されている。
体発光装置の略断面図を示し、図１（ａ）はランプ型の
発光装置、図１（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装置
である。図１（ａ）において、化合物半導体発光素子１
０はリードフレーム１１上に銀ペースト等でダイボント
され、金線１２でリードフレームとワイヤーボンドされ
ている。そして、化合物半導体発光素子１０は透光性高
屈折率樹脂１３で封止（第１の樹脂封止）され、その外
側を透光性低屈折率樹脂１４で封止（第２の樹脂封止）
されている。
【００２３】高屈折率樹脂１３の一例として、ポリビニ
ールカルバゾール（屈折率１．６６）を有機溶剤（ジク
ロロエタン）に溶解して、化合物半導体発光素子１０の
周りにポッティングし、有機溶剤を乾燥して、透光性高
屈折率樹脂による第１の樹脂封止（ポッティング法）を
行った。次にその外側をキャスティング法によりエポキ
シ系樹脂（透光性低屈折率樹脂１４）で第２の樹脂封止
した。
ールカルバゾール（屈折率１．６６）を有機溶剤（ジク
ロロエタン）に溶解して、化合物半導体発光素子１０の
周りにポッティングし、有機溶剤を乾燥して、透光性高
屈折率樹脂による第１の樹脂封止（ポッティング法）を
行った。次にその外側をキャスティング法によりエポキ
シ系樹脂（透光性低屈折率樹脂１４）で第２の樹脂封止
した。
【００２４】図１（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装
置であり、化合物半導体発光素子１０は液晶ポリマー樹
脂基板またはセラミックス基板１５の電気的導電層１６
上に銀ペースト等でダイボントされ、金線１２で電気的
導電層１６とワイヤーボンドされている。そして、化合
物半導体発光素子１０は透光性高屈折率樹脂１３で封止
され、その外側を透光性低屈折率樹脂１４で封止され、
この透光性高屈折率樹脂１３の封止方法は図１（ａ）で
説明したと同じ方法が用いられる。また、透光性低屈折
率樹脂１４はトランスファーモールド成形法でエポキシ
系樹脂を封止した。また、トランスファーモールド成形
法に用いられるエポキシ系樹脂は熱硬化前でも固体状態
であり、一方キャスティング法に用いられるエポキシ系
樹脂は熱硬化前は液体状態であり、分子量の小さい材料
であるが、どちらもエポキシ系樹脂である。
置であり、化合物半導体発光素子１０は液晶ポリマー樹
脂基板またはセラミックス基板１５の電気的導電層１６
上に銀ペースト等でダイボントされ、金線１２で電気的
導電層１６とワイヤーボンドされている。そして、化合
物半導体発光素子１０は透光性高屈折率樹脂１３で封止
され、その外側を透光性低屈折率樹脂１４で封止され、
この透光性高屈折率樹脂１３の封止方法は図１（ａ）で
説明したと同じ方法が用いられる。また、透光性低屈折
率樹脂１４はトランスファーモールド成形法でエポキシ
系樹脂を封止した。また、トランスファーモールド成形
法に用いられるエポキシ系樹脂は熱硬化前でも固体状態
であり、一方キャスティング法に用いられるエポキシ系
樹脂は熱硬化前は液体状態であり、分子量の小さい材料
であるが、どちらもエポキシ系樹脂である。
【００２５】図２に本発明の一実施の形態よりなる他の
半導体発光装置の略断面図を示し、図２（ａ）はランプ
型の発光装置、図２（ｂ）は面実装チップ部品型の発光
装置である。図２（ａ）において、化合物半導体発光素
子１０はリードフレーム１１上に銀ペースト等でダイボ
ントされ、金線１２でリードフレームとワイヤーボンド
されている。そして、化合物半導体発光素子１０は透光
性高屈折率樹脂１３で封止され、その外側を透光性低屈
折率樹脂１４で封止されている。
半導体発光装置の略断面図を示し、図２（ａ）はランプ
型の発光装置、図２（ｂ）は面実装チップ部品型の発光
装置である。図２（ａ）において、化合物半導体発光素
子１０はリードフレーム１１上に銀ペースト等でダイボ
ントされ、金線１２でリードフレームとワイヤーボンド
されている。そして、化合物半導体発光素子１０は透光
性高屈折率樹脂１３で封止され、その外側を透光性低屈
折率樹脂１４で封止されている。
【００２６】高屈折率樹脂１３の一例として、顆粒状の
ポリエーテルサルフォン（屈折率１．６５）で化合物半
導体発光素子の周りを覆い、乾燥窒素ガスに置換した真
空オープン中で３００℃に加熱して樹脂を溶融させ、一
旦減圧して気泡を除いた後、大気圧に戻して冷却し、第
１の封止（工程）をした。次にその外側をキャスティン
グ法によりエポキシ系樹脂（透光性低屈折率樹脂１４）
で第２の封止（工程）をした。
ポリエーテルサルフォン（屈折率１．６５）で化合物半
導体発光素子の周りを覆い、乾燥窒素ガスに置換した真
空オープン中で３００℃に加熱して樹脂を溶融させ、一
旦減圧して気泡を除いた後、大気圧に戻して冷却し、第
１の封止（工程）をした。次にその外側をキャスティン
グ法によりエポキシ系樹脂（透光性低屈折率樹脂１４）
で第２の封止（工程）をした。
【００２７】また、第１の封止工程は、乾燥窒素ガス中
で高屈折率樹脂を予め溶融して、リードフレームに搭載
した化合物半導体発光素子をディッピング（浸漬）する
ことにより行うことができる。ディップ法の場合は、化
合物半導体発光素子及び搭載部分（リードフレームのマ
ウント部）を予め加熱しておくことにより、樹脂との密
着を高めることができる。
で高屈折率樹脂を予め溶融して、リードフレームに搭載
した化合物半導体発光素子をディッピング（浸漬）する
ことにより行うことができる。ディップ法の場合は、化
合物半導体発光素子及び搭載部分（リードフレームのマ
ウント部）を予め加熱しておくことにより、樹脂との密
着を高めることができる。
【００２８】図２（ａ）において、化合物半導体発光素
子は大きさは０．２〜０．５ｍｍ角程度であり、その１
辺の長さをａとする時、透光性高屈折率樹脂構造の大き
さは化合物半導体発光素子の発光点の中央を中心とする
半径ｒがｒ＞ａである球状又はドーム状を包含する大き
さに選ばれる。この半径ｒの球状またはドーム状の大き
さを破線１７で示す。
子は大きさは０．２〜０．５ｍｍ角程度であり、その１
辺の長さをａとする時、透光性高屈折率樹脂構造の大き
さは化合物半導体発光素子の発光点の中央を中心とする
半径ｒがｒ＞ａである球状又はドーム状を包含する大き
さに選ばれる。この半径ｒの球状またはドーム状の大き
さを破線１７で示す。
【００２９】図２（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装
置であり、化合物半導体発光素子１０は液晶ポリマー樹
脂基板またはセラミックス基板１５の電気的導電層１６
上に銀ペースト等でダイボントされ、金線１２で電気的
導電層１６とワイヤーボンドされている。そして、化合
物半導体発光素子１０は透光性高屈折率樹脂１３で封止
され、その外側を透光性低屈折率樹脂１４で封止されて
いる。また、透光性高屈折率樹脂構造の大きさは化合物
半導体発光素子の発光点の中央を中心とする半径ｒが、
ｒ＞ａである球状又はドーム状を包含する大きさに選ば
れる。この半径ｒの球状またはドーム状の大きさを破線
１７で示す。
置であり、化合物半導体発光素子１０は液晶ポリマー樹
脂基板またはセラミックス基板１５の電気的導電層１６
上に銀ペースト等でダイボントされ、金線１２で電気的
導電層１６とワイヤーボンドされている。そして、化合
物半導体発光素子１０は透光性高屈折率樹脂１３で封止
され、その外側を透光性低屈折率樹脂１４で封止されて
いる。また、透光性高屈折率樹脂構造の大きさは化合物
半導体発光素子の発光点の中央を中心とする半径ｒが、
ｒ＞ａである球状又はドーム状を包含する大きさに選ば
れる。この半径ｒの球状またはドーム状の大きさを破線
１７で示す。
【００３０】図３に本発明の一実施の形態よりなる他の
半導体発光装置の略断面図を示し、タイプはランプ型の
発光装置である。図３において、化合物半導体発光素子
１０はリードフレーム１１上に銀ペースト等でダイボン
トされ、金線１２でリードフレームとワイヤーボンドさ
れている。そして、化合物半導体発光素子１０は透光性
高屈折率樹脂１３で封止され、その外側を透光性低屈折
率樹脂１４で封止されている。
半導体発光装置の略断面図を示し、タイプはランプ型の
発光装置である。図３において、化合物半導体発光素子
１０はリードフレーム１１上に銀ペースト等でダイボン
トされ、金線１２でリードフレームとワイヤーボンドさ
れている。そして、化合物半導体発光素子１０は透光性
高屈折率樹脂１３で封止され、その外側を透光性低屈折
率樹脂１４で封止されている。
【００３１】この製造方法では、第１の樹脂封止を大き
くすることできる。リードフレームに化合物半導体発光
素子を搭載し、成形金型にリードフレームをインサート
して、射出成形法で第１の樹脂封止を行う。化合物半導
体発光素子の１辺の長さをａとし、第１の樹脂封止の半
径をｒ0とすると、ｒ0＞＞ａ、とし、十分大きいドーム
状に成形する第１の樹脂封止を行った。この場合、第１
の樹脂封止の大きさをリードフレームの幅よりも大きく
選ぶこともできる。第２の樹脂封止は、図１で説明した
ものと同様である。また、射出成形法では、外形形状を
規定できるため、第１の樹脂封止と第２の樹脂封止との
界面でレンズの機能を付与することが可能である。 こ
こで使用した第１の封止用高屈折率樹脂は、ポリエーテ
ルサルフォン（屈折率１．６５）であったが、この外
に、ポリサルフォン（屈折率１．６５）、ポリイミド
（屈折率１．７２）、芳香族ポリアミド（屈折率１．８
９）等、樹脂の屈折率が１．６以上であれば、外部取り
出し効率の改善がはかれる。
くすることできる。リードフレームに化合物半導体発光
素子を搭載し、成形金型にリードフレームをインサート
して、射出成形法で第１の樹脂封止を行う。化合物半導
体発光素子の１辺の長さをａとし、第１の樹脂封止の半
径をｒ0とすると、ｒ0＞＞ａ、とし、十分大きいドーム
状に成形する第１の樹脂封止を行った。この場合、第１
の樹脂封止の大きさをリードフレームの幅よりも大きく
選ぶこともできる。第２の樹脂封止は、図１で説明した
ものと同様である。また、射出成形法では、外形形状を
規定できるため、第１の樹脂封止と第２の樹脂封止との
界面でレンズの機能を付与することが可能である。 こ
こで使用した第１の封止用高屈折率樹脂は、ポリエーテ
ルサルフォン（屈折率１．６５）であったが、この外
に、ポリサルフォン（屈折率１．６５）、ポリイミド
（屈折率１．７２）、芳香族ポリアミド（屈折率１．８
９）等、樹脂の屈折率が１．６以上であれば、外部取り
出し効率の改善がはかれる。
【００３２】図２及び図３で説明した本発明の一実施の
形態よりなる例では、第１の封止樹脂の厚さが発光素子
の大きさに比べ十分大きいので、発光素子のどの部分か
ら放射した光も、第１と第２の封止界面ではほぼ垂直に
入射する状態となり、その結果全反射が無くなり、効率
よく光を外部に取り出すことができる。しかし、第１の
樹脂封止の厚さが光の波長の数倍程度以内であれば、第
１と第２の封止界面での反射率を小さくする効果しかな
い。
形態よりなる例では、第１の封止樹脂の厚さが発光素子
の大きさに比べ十分大きいので、発光素子のどの部分か
ら放射した光も、第１と第２の封止界面ではほぼ垂直に
入射する状態となり、その結果全反射が無くなり、効率
よく光を外部に取り出すことができる。しかし、第１の
樹脂封止の厚さが光の波長の数倍程度以内であれば、第
１と第２の封止界面での反射率を小さくする効果しかな
い。
【００３３】本発明では、化合物半導体発光素子の１辺
の長さをａとする時、前記第１の透光性封止材料による
封止構造の大きさが、化合物半導体発光素子の発光点の
中央を中心とする半径ｒがｒ＞ａである球状又はドーム
状を包含する大きさに選ばれているので、第１と第２の
封止界面ではほぼ垂直に入射する状態となり、その結果
全反射が無くなり、効率よく光を外部に取り出すことが
できる。
の長さをａとする時、前記第１の透光性封止材料による
封止構造の大きさが、化合物半導体発光素子の発光点の
中央を中心とする半径ｒがｒ＞ａである球状又はドーム
状を包含する大きさに選ばれているので、第１と第２の
封止界面ではほぼ垂直に入射する状態となり、その結果
全反射が無くなり、効率よく光を外部に取り出すことが
できる。
【００３４】図４に、本発明による光の外部取り出し効
率の計算結果を示す。計算は、化合物半導体発光素子の
屈折率Ｎ1＝３．５、第２の樹脂封止材料の屈折率Ｎ3＝
１．５、として行った。第１の樹脂封止材料の屈折率Ｎ
2が、Ｎ2＞１．６であれば効率は２３％以上となり、つ
まりエポキシ樹脂だけで封止した場合（屈折率が１．５
の計算値）の１９％と比較して、１．２倍以上の効率向
上が図れた。
率の計算結果を示す。計算は、化合物半導体発光素子の
屈折率Ｎ1＝３．５、第２の樹脂封止材料の屈折率Ｎ3＝
１．５、として行った。第１の樹脂封止材料の屈折率Ｎ
2が、Ｎ2＞１．６であれば効率は２３％以上となり、つ
まりエポキシ樹脂だけで封止した場合（屈折率が１．５
の計算値）の１９％と比較して、１．２倍以上の効率向
上が図れた。
【００３５】図５を用いて、本発明の２重構造の封止に
おける光の外部への取り出し作用について、リードフレ
ーム１１上マウントされた化合物半導体発光素子１０か
らの光Ｌ1、Ｌ2を例に取り説明する。
おける光の外部への取り出し作用について、リードフレ
ーム１１上マウントされた化合物半導体発光素子１０か
らの光Ｌ1、Ｌ2を例に取り説明する。
【００３６】図５において、化合物半導体発光素子１０
の屈折率Ｎ1と、化合物半導体発光素子に接する第１の
透光性封止材料１３の屈折率Ｎ2と、更にその外側を封
止する第２の透光性封止材料１４の屈折率Ｎ3との間
に、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１の関係がある。化合物半導体発
光素子の発光点の中央Ｏから出た光Ｌ1ａは第１の透光
性封止材料１３と第２の透光性封止材料１４との界面Ａ
において、光の反射・全反射の作用を受ける。そして、
Ｌ1ａはＬ1ｂとなり、界面Ｂで、光の反射・全反射の作
用を受け、Ｌ1ｃとなって空気中へ放射される。図示し
た別の光線、Ｌ2ａは界面Ｃで光の反射・全反射の作用
を受けてＬ2ｂとなり、界面Ｄで、光の反射・全反射の
作用を受けてＬ2ｃとなって空気中へ放射される。
の屈折率Ｎ1と、化合物半導体発光素子に接する第１の
透光性封止材料１３の屈折率Ｎ2と、更にその外側を封
止する第２の透光性封止材料１４の屈折率Ｎ3との間
に、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１の関係がある。化合物半導体発
光素子の発光点の中央Ｏから出た光Ｌ1ａは第１の透光
性封止材料１３と第２の透光性封止材料１４との界面Ａ
において、光の反射・全反射の作用を受ける。そして、
Ｌ1ａはＬ1ｂとなり、界面Ｂで、光の反射・全反射の作
用を受け、Ｌ1ｃとなって空気中へ放射される。図示し
た別の光線、Ｌ2ａは界面Ｃで光の反射・全反射の作用
を受けてＬ2ｂとなり、界面Ｄで、光の反射・全反射の
作用を受けてＬ2ｃとなって空気中へ放射される。
【００３７】第１の透光性封止材料１３が一様な厚さで
ないためその表面は屈曲面となり、仮に界面Ａにおいて
全反射となる場合も、２度目の入射光の角度が変化する
ため、外側の第２の透光性封止材料１４へ出ていく光が
増加する。屈折率が、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１の関係にある
ため、それぞれの入射角は、θ1＜θ2、θ3＜θ4の関係
になっている。
ないためその表面は屈曲面となり、仮に界面Ａにおいて
全反射となる場合も、２度目の入射光の角度が変化する
ため、外側の第２の透光性封止材料１４へ出ていく光が
増加する。屈折率が、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１の関係にある
ため、それぞれの入射角は、θ1＜θ2、θ3＜θ4の関係
になっている。
【００３８】図５において、化合物半導体発光素子１０
は大きさは０．２〜０．４ｍｍ角程度であり、その１辺
の長さをａとし、透光性高屈折率樹脂構造の大きさは化
合物半導体発光素子の発光点の中央を中心とする半径ｒ
が、ｒ＞ａである球状又はドーム状を包含する大きさに
選ばれる。この半径ｒの球状またはドーム状の大きさを
破線１７で示す。この構造とすることにより、第１の透
光性封止材料１３は化合物半導体発光素子１０の外周を
完全に覆うことができ、化合物半導体発光素子１０の接
合界面で発生した光を有効に取り出すことができる。
は大きさは０．２〜０．４ｍｍ角程度であり、その１辺
の長さをａとし、透光性高屈折率樹脂構造の大きさは化
合物半導体発光素子の発光点の中央を中心とする半径ｒ
が、ｒ＞ａである球状又はドーム状を包含する大きさに
選ばれる。この半径ｒの球状またはドーム状の大きさを
破線１７で示す。この構造とすることにより、第１の透
光性封止材料１３は化合物半導体発光素子１０の外周を
完全に覆うことができ、化合物半導体発光素子１０の接
合界面で発生した光を有効に取り出すことができる。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
半導体発光装置によれば、屈折率の高い第１の透光性封
止材料と屈折率の低い第２の透光性封止材料とによる２
重構造の封止を行うので、化合物半導体発光素子と封止
材料と空気との屈折率差が小さくなり、反射率の低減効
果がある。さらに第１の封止樹脂の厚さが一様でないの
で、第２の封止樹脂の界面で全反射しても、再度界面に
入射する時は、入射角度が変わり、全反射を起こさずに
外部へ出る光が増加するため、外部への光取り出し効率
が改善される。
半導体発光装置によれば、屈折率の高い第１の透光性封
止材料と屈折率の低い第２の透光性封止材料とによる２
重構造の封止を行うので、化合物半導体発光素子と封止
材料と空気との屈折率差が小さくなり、反射率の低減効
果がある。さらに第１の封止樹脂の厚さが一様でないの
で、第２の封止樹脂の界面で全反射しても、再度界面に
入射する時は、入射角度が変わり、全反射を起こさずに
外部へ出る光が増加するため、外部への光取り出し効率
が改善される。
【００４０】また、本発明の請求項２記載の半導体発光
装置によれば、前記化合物半導体発光素子の１辺の長さ
をａとする時、該第１の透光性封止材料による封止構造
の大きさは、化合物半導体発光素子の発光点の中央を中
心とする半径ｒが、ｒ＞ａである球状又はドーム状であ
ることを特徴とするものであり、化合物半導体発光素子
のどの発光位置からでた光も、第１の封止樹脂と第２の
封止樹脂との界面では全反射の臨界角内に入射し、効率
よく光を取り出すことが可能となる。更に、第１の封止
の形状を球状あるいはドーム状とすることで、化合物半
導体発光素子の界面での全反射を確実に防ぐことが可能
となる。
装置によれば、前記化合物半導体発光素子の１辺の長さ
をａとする時、該第１の透光性封止材料による封止構造
の大きさは、化合物半導体発光素子の発光点の中央を中
心とする半径ｒが、ｒ＞ａである球状又はドーム状であ
ることを特徴とするものであり、化合物半導体発光素子
のどの発光位置からでた光も、第１の封止樹脂と第２の
封止樹脂との界面では全反射の臨界角内に入射し、効率
よく光を取り出すことが可能となる。更に、第１の封止
の形状を球状あるいはドーム状とすることで、化合物半
導体発光素子の界面での全反射を確実に防ぐことが可能
となる。
【００４１】また、本発明の請求項３記載の半導体発光
装置によれば、第１の透光性封止材料は屈折率Ｎ2が
１．６以上である樹脂であり、第２の透光性封止材料が
エポキシ系樹脂であることを特徴とするものであり、光
の外部取り出し効率を高めることができる。
装置によれば、第１の透光性封止材料は屈折率Ｎ2が
１．６以上である樹脂であり、第２の透光性封止材料が
エポキシ系樹脂であることを特徴とするものであり、光
の外部取り出し効率を高めることができる。
【００４２】また、本発明の請求項４記載の半導体発光
装置の製造方法によれば、射出成形法により第１の透光
性封止材料を封止する第１の封止工程と、キャスティン
グ法又はトランファーモールド成形法で第２の透光性封
止材料を封止する第２の封止工程とを含むことを特徴と
するものである。従って、従来の半導体発光装置の製造
工程に第１の封止工程を追加するだけで、半導体発光装
置の外形形状を変更することなしに、半導体発光装置の
明るさを増加することができる。更に、第１の封止工程
を射出成形法により行うので、封止形状が一定となり、
安定した光学特性が得られる。
装置の製造方法によれば、射出成形法により第１の透光
性封止材料を封止する第１の封止工程と、キャスティン
グ法又はトランファーモールド成形法で第２の透光性封
止材料を封止する第２の封止工程とを含むことを特徴と
するものである。従って、従来の半導体発光装置の製造
工程に第１の封止工程を追加するだけで、半導体発光装
置の外形形状を変更することなしに、半導体発光装置の
明るさを増加することができる。更に、第１の封止工程
を射出成形法により行うので、封止形状が一定となり、
安定した光学特性が得られる。
【００４３】また、本発明の請求項５記載の半導体発光
装置の製造方法によれば、第１の透光性封止材料を加熱
溶融し、化合物半導体発光素子の周りに浸漬法又はポッ
ティング法により溶融状態の封止材料を付着させて封止
する第１の封止工程と、キャスティング法もしくはトラ
ンファーモールド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第
２の封止工程を含むことを特徴とするものである。従っ
て、従来の半導体発光装置の製造工程に第１の封止工程
を追加するだけで、半導体発光装置の外形形状を変更す
ることなしに、半導体発光装置の明るさを増加すること
ができる。更に、第１の封止工程を浸漬法又はポッティ
ング法により行うので、安価な封止工程を得ることがで
きる。
装置の製造方法によれば、第１の透光性封止材料を加熱
溶融し、化合物半導体発光素子の周りに浸漬法又はポッ
ティング法により溶融状態の封止材料を付着させて封止
する第１の封止工程と、キャスティング法もしくはトラ
ンファーモールド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第
２の封止工程を含むことを特徴とするものである。従っ
て、従来の半導体発光装置の製造工程に第１の封止工程
を追加するだけで、半導体発光装置の外形形状を変更す
ることなしに、半導体発光装置の明るさを増加すること
ができる。更に、第１の封止工程を浸漬法又はポッティ
ング法により行うので、安価な封止工程を得ることがで
きる。
【００４４】また、本発明の請求項６記載の半導体発光
装置の製造方法によれば、粉末状もしくは顆粒状の前記
第１の透光性封止材料で前記化合物半導体発光素子を覆
い且つ加熱溶融して化合物半導体発光素子を封止する第
１の封止工程と、キャスティング法もしくはトランファ
ーモールド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の封
止工程とを含むことを特徴とするものである。従って、
従来の半導体発光装置の製造工程に第１の封止工程を追
加するだけで、半導体発光装置の外形形状を変更するこ
となしに、半導体発光装置の明るさを増加することがで
きる。更に、第１の封止工程を粉末状もしくは顆粒状の
透光性封止材料を化合物半導体発光素子に配し、加熱溶
融して化合物半導体発光素子を封止するため、一度に多
数の半導体発光装置の第１の封止工程を行うことができ
る。
装置の製造方法によれば、粉末状もしくは顆粒状の前記
第１の透光性封止材料で前記化合物半導体発光素子を覆
い且つ加熱溶融して化合物半導体発光素子を封止する第
１の封止工程と、キャスティング法もしくはトランファ
ーモールド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の封
止工程とを含むことを特徴とするものである。従って、
従来の半導体発光装置の製造工程に第１の封止工程を追
加するだけで、半導体発光装置の外形形状を変更するこ
となしに、半導体発光装置の明るさを増加することがで
きる。更に、第１の封止工程を粉末状もしくは顆粒状の
透光性封止材料を化合物半導体発光素子に配し、加熱溶
融して化合物半導体発光素子を封止するため、一度に多
数の半導体発光装置の第１の封止工程を行うことができ
る。
【００４５】また、本発明の請求項７記載の半導体発光
装置の製造方法によれば、前記第１の透光性封止材料を
有機溶剤に溶解させ、その溶液を前記化合物半導体発光
素子の周りに浸漬法又はポッティング法により付着さ
せ、該溶媒の溶剤を蒸発させて樹脂封止する第１の封止
工程と、キャスティング法もしくはトランファーモール
ド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の封止工程と
を含むことを特徴とするものである。従って、従来の半
導体発光装置の製造工程に第１の封止工程を追加するだ
けで、半導体発光装置の外形形状を変更することなし
に、半導体発光装置の明るさを増加することができる。
更に、第１の封止工程を有機溶剤に溶解させた封止樹脂
を浸漬法又はポッティング法により行うため、特別な硬
化装置などの製造設備を必要としない。
装置の製造方法によれば、前記第１の透光性封止材料を
有機溶剤に溶解させ、その溶液を前記化合物半導体発光
素子の周りに浸漬法又はポッティング法により付着さ
せ、該溶媒の溶剤を蒸発させて樹脂封止する第１の封止
工程と、キャスティング法もしくはトランファーモール
ド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の封止工程と
を含むことを特徴とするものである。従って、従来の半
導体発光装置の製造工程に第１の封止工程を追加するだ
けで、半導体発光装置の外形形状を変更することなし
に、半導体発光装置の明るさを増加することができる。
更に、第１の封止工程を有機溶剤に溶解させた封止樹脂
を浸漬法又はポッティング法により行うため、特別な硬
化装置などの製造設備を必要としない。
【図１】本発明の一実施の形態よりなる半導体発光装置
の略断面図を示し、（ａ）はランプ型の発光装置を示す
図であり、（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装置を示
す図である。
の略断面図を示し、（ａ）はランプ型の発光装置を示す
図であり、（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装置を示
す図である。
【図２】本発明の一実施の形態よりなる他の半導体発光
装置の略断面図を示し、（ａ）はランプ型の発光装置を
示す図であり、（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装置
を示す図である。
装置の略断面図を示し、（ａ）はランプ型の発光装置を
示す図であり、（ｂ）は面実装チップ部品型の発光装置
を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態よりなる他の半導体発光
装置の略断面図を示し、ランプ型の発光装置を示す図で
ある。
装置の略断面図を示し、ランプ型の発光装置を示す図で
ある。
【図４】本発明の一実施の形態よりなる半導体発光装置
による光の外部取り出し効率の計算結果を示す図であ
る。
による光の外部取り出し効率の計算結果を示す図であ
る。
【図５】本発明の２重構造の封止における光の外部への
取り出し作用についての説明図である。
取り出し作用についての説明図である。
【図６】従来例の半導体発光装置の略断面図を示し、
（ａ）はランプ型の発光装置を示す図であり、（ｂ）は
面実装チップ部品型の発光装置を示す図である。
（ａ）はランプ型の発光装置を示す図であり、（ｂ）は
面実装チップ部品型の発光装置を示す図である。
【図７】従来例の半導体発光装置の略断面図を示し、
（ａ）はその上面図を示す図であり、（ｂ）はその断面
図を示す図である。
（ａ）はその上面図を示す図であり、（ｂ）はその断面
図を示す図である。
【図８】従来例の半導体発光素子を示す図であり、
（ａ）は断面図を示す図であり、（ｂ）はＡｌＧａＡｓ
赤色発光ダイオードの断面構造を示す図である。
（ａ）は断面図を示す図であり、（ｂ）はＡｌＧａＡｓ
赤色発光ダイオードの断面構造を示す図である。
１０ 化合物半導体発光素子 １１ リードフレーム １２ 金線 １３ 透光性高屈折率樹脂 １４ 透光性低屈折率樹脂 １５ 液晶ポリマー樹脂基板またはセラミックス基板 １６ 電気的導電層 １７ 半径ｒの球状またはドーム状の大きさを示す破線 ａ 化合物半導体発光素子の１辺の長さ ｒ 半径 ｒ0 第１の樹脂封止の半径 Ｏ 化合物半導体発光素子の発光点の中央 Ｌ1ａ、Ｌ1ｂ、Ｌ1ｃ 光線 Ｌ2ａ、Ｌ2ｂ、Ｌ2ｃ 光線 Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ 界面 θ1、θ3 光の入射角 θ2、θ4 光の出射角
Claims (7)
- 【請求項１】 化合物半導体発光素子を透光性封止材料
により封止してなる半導体発光装置において、該透光性
封止材料による封止構造が２重構造であり、且つ、該化
合物半導体発光素子の屈折率Ｎ1と、化合物半導体発光
素子に接する第１の透光性封止材料の屈折率Ｎ2と、更
にその外側を封止する第２の透光性封止材料の屈折率Ｎ
3との間に、Ｎ1＞Ｎ2＞Ｎ3＞１の関係を有し、且つ、第
１の封止樹脂の厚さが一様でないことを特徴とする半導
体発光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体発光装置におい
て、前記化合物半導体発光素子の１辺の長さをａとする
時、該第１の透光性封止材料による封止構造の大きさ
は、化合物半導体発光素子の発光点の中央を中心とする
半径ｒがｒ＞ａである球状又はドーム状を包含する大き
さであることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体発光装置におい
て、第１の透光性封止材料は屈折率Ｎ2が１．６以上で
ある樹脂であり、第２の透光性封止材料がエポキシ系樹
脂であることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体発光装置の製造方
法において、射出成形法により第１の透光性封止材料を
封止する第１の封止工程と、キャスティング法又はトラ
ンファーモールド成形法で第２の透光性封止材料を封止
する第２の封止工程とを含むことを特徴とする半導体発
光装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体発光装置の製造方
法において、第１の透光性封止材料を加熱溶融し、化合
物半導体発光素子の周りに浸漬法又はポッティング法に
より溶融状態の封止材料を付着させて封止する第１の封
止工程と、キャスティング法もしくはトランファーモー
ルド成形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の封止工程
を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体発光装置の製造方
法において、粉末状もしくは顆粒状の前記第１の透光性
封止材料で前記化合物半導体発光素子を覆い且つ加熱溶
融して化合物半導体発光素子を封止する第１の封止工程
と、キャスティング法もしくはトランファーモールド成
形法でエポキシ系樹脂を封止する第２の封止工程とを含
むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の半導体発光装置の製造方
法において、前記第１の透光性封止材料を有機溶剤に溶
解させ、その溶液を前記化合物半導体発光素子の周りに
浸漬法又はポッティング法により付着させ、該溶媒の溶
剤を蒸発させて樹脂封止する第１の封止工程と、キャス
ティング法もしくはトランファーモールド成形法でエポ
キシ系樹脂を封止する第２の封止工程とを含むことを特
徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22194596A JP3310551B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22194596A JP3310551B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065220A true JPH1065220A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3310551B2 JP3310551B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=16774625
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22194596A Expired - Fee Related JP3310551B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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-
1996
- 1996-08-23 JP JP22194596A patent/JP3310551B2/ja not_active Expired - Fee Related
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