JP2000150965A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 封止用の樹脂ヘッドの表面に外部照射光が当
たってもその反射を抑えて高品質の画像表示が維持でき
る半導体発光装置の提供。 【解決手段】 リードフレーム１のマウント部１ｃに半
導体発光素子２を導通搭載し、半導体発光素子２自身の
発光層からの光に対する屈折率よりも小さい内皮層５ｂ
とその表面を被膜し且つ内皮層５ｂの光の屈折率より小
さい外皮層５ｃとを含む樹脂ヘッド５によって半導体発
光素子２を樹脂封止し、外部光を外皮層５ｃから内皮層
５ｂ側に向けて取り込み、樹脂ヘッド５の表面からの光
反射を抑える。
たってもその反射を抑えて高品質の画像表示が維持でき
る半導体発光装置の提供。 【解決手段】 リードフレーム１のマウント部１ｃに半
導体発光素子２を導通搭載し、半導体発光素子２自身の
発光層からの光に対する屈折率よりも小さい内皮層５ｂ
とその表面を被膜し且つ内皮層５ｂの光の屈折率より小
さい外皮層５ｃとを含む樹脂ヘッド５によって半導体発
光素子２を樹脂封止し、外部光を外皮層５ｃから内皮層
５ｂ側に向けて取り込み、樹脂ヘッド５の表面からの光
反射を抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子を
リードフレームに導通搭載するとともにレンズ機能を兼
ねる樹脂によって封止したたとえばＬＥＤランプ等の半
導体発光装置に係り、特に封止樹脂表面に当たる陽光等
の外光の反射を抑えるとともに光取出し効率も向上し得
る半導体発光装置に関する。
リードフレームに導通搭載するとともにレンズ機能を兼
ねる樹脂によって封止したたとえばＬＥＤランプ等の半
導体発光装置に係り、特に封止樹脂表面に当たる陽光等
の外光の反射を抑えるとともに光取出し効率も向上し得
る半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】結晶基板に各種の化合物半導体を積層す
るとともに電極を形成した半導体発光素子を利用し半導
体発光装置として、平板状の絶縁基板に形成した電極パ
ターンに導通搭載して樹脂封止する表面実装型のチップ
ＬＥＤやリードフレームにマウントされるとともにワイ
ヤによってボンディングして樹脂封止するＬＥＤランプ
が従来から広く利用されている。このようなチップＬＥ
ＤやＬＥＤランプにおいて、封止樹脂は発光素子やワイ
ヤ及びそのボンディング部分のための被膜保護を図るも
のであるが、特に弾頭状の外郭として封止樹脂が形成さ
れるＬＥＤランプではレンズ機能も兼ねている。
るとともに電極を形成した半導体発光素子を利用し半導
体発光装置として、平板状の絶縁基板に形成した電極パ
ターンに導通搭載して樹脂封止する表面実装型のチップ
ＬＥＤやリードフレームにマウントされるとともにワイ
ヤによってボンディングして樹脂封止するＬＥＤランプ
が従来から広く利用されている。このようなチップＬＥ
ＤやＬＥＤランプにおいて、封止樹脂は発光素子やワイ
ヤ及びそのボンディング部分のための被膜保護を図るも
のであるが、特に弾頭状の外郭として封止樹脂が形成さ
れるＬＥＤランプではレンズ機能も兼ねている。
【０００３】図２はＬＥＤランプの従来例であって、Ｇ
ａＮ系化合物半導体を利用した青色発光のものを示す。
ａＮ系化合物半導体を利用した青色発光のものを示す。
【０００４】図２において、プリント配線基板（図示せ
ず）に導通接続されるリードフレーム１を搭載導通部材
として備え、このリードフレーム１の一対のリード１
ａ，１ｂの一方に設けたすり鉢状のマウント部１ｃに半
導体発光素子２が搭載されている。
ず）に導通接続されるリードフレーム１を搭載導通部材
として備え、このリードフレーム１の一対のリード１
ａ，１ｂの一方に設けたすり鉢状のマウント部１ｃに半
導体発光素子２が搭載されている。
【０００５】半導体発光素子２は、サファイアを利用し
た絶縁性の基板２ａにＧａＮ系化合物半導体のｎ型層及
びｐ型層を積層し、ｐ型層の一部をエッチング除去して
露出したｎ型層の表面にｎ側電極２ｂを及びｐ型層の表
面にｐ側電極２ｃをそれぞれ金属蒸着法によって形成し
たものである。基板２ａは絶縁性の接着剤３によりマウ
ント部１ｃに固定されるとともに、ｎ側電極２ｂとリー
ド１ａ及びｐ側電極２ｃと他方のリード１ｂとの間をそ
れぞれワイヤ４ａ，４ｂによってボンディングすること
によってプリント配線基板側と導通接続される。そし
て、これらのワイヤ４ａ，４ｂを含めて、半導体発光素
子２及びその下方のリード１ａ，１ｂまでがたとえばエ
ポキシ樹脂を用いた樹脂ヘッド１０によって封止されて
いる。
た絶縁性の基板２ａにＧａＮ系化合物半導体のｎ型層及
びｐ型層を積層し、ｐ型層の一部をエッチング除去して
露出したｎ型層の表面にｎ側電極２ｂを及びｐ型層の表
面にｐ側電極２ｃをそれぞれ金属蒸着法によって形成し
たものである。基板２ａは絶縁性の接着剤３によりマウ
ント部１ｃに固定されるとともに、ｎ側電極２ｂとリー
ド１ａ及びｐ側電極２ｃと他方のリード１ｂとの間をそ
れぞれワイヤ４ａ，４ｂによってボンディングすること
によってプリント配線基板側と導通接続される。そし
て、これらのワイヤ４ａ，４ｂを含めて、半導体発光素
子２及びその下方のリード１ａ，１ｂまでがたとえばエ
ポキシ樹脂を用いた樹脂ヘッド１０によって封止されて
いる。
【０００６】このような半導体発光素子２を樹脂ヘッド
１０内に含むＬＥＤランプでは、ｐ型層とｎ型層との間
のｐ−ｎ接合域を発光層として、図において上面を主光
取出し面とした発光が得られる。
１０内に含むＬＥＤランプでは、ｐ型層とｎ型層との間
のｐ−ｎ接合域を発光層として、図において上面を主光
取出し面とした発光が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＬＥＤランプは正面形
状が正方形のプレートに所定数を配列してＬＥＤ表示器
としてユニット化され、このＬＥＤ表示器をたとえば屋
外用のディスプレイパネルのフレームに配列することに
よって発光画面が構築される。そして、配列したＬＥＤ
表示器のそれぞれについて画像データに基づいて各ＬＥ
Ｄランプを点滅制御することで、画像の表示が可能とな
る。
状が正方形のプレートに所定数を配列してＬＥＤ表示器
としてユニット化され、このＬＥＤ表示器をたとえば屋
外用のディスプレイパネルのフレームに配列することに
よって発光画面が構築される。そして、配列したＬＥＤ
表示器のそれぞれについて画像データに基づいて各ＬＥ
Ｄランプを点滅制御することで、画像の表示が可能とな
る。
【０００８】ところが、特に屋外配置のディスプレイパ
ネルの場合では、昼間では陽光の射し込みがあったり夜
間では照明設備からの照明光を浴びたりする。このた
め、図２に示したようにエポキシ樹脂を利用した樹脂ヘ
ッド１０ではその表面が樹脂光沢を持つので、陽光や照
明光が当たるとこれらが樹脂ヘッド１０の表面で反射さ
れてしまう。
ネルの場合では、昼間では陽光の射し込みがあったり夜
間では照明設備からの照明光を浴びたりする。このた
め、図２に示したようにエポキシ樹脂を利用した樹脂ヘ
ッド１０ではその表面が樹脂光沢を持つので、陽光や照
明光が当たるとこれらが樹脂ヘッド１０の表面で反射さ
れてしまう。
【０００９】このような樹脂ヘッド１０の表面からの光
の反射があると、実際には点灯していないのに明るく見
えたりする。すなわち、画面に配列されたＬＥＤランプ
の１個１個またはフルカラー発光の場合ではＲ，Ｇ，Ｂ
の３個のＬＥＤの組み合わせの画像のドットとなるの
で、点灯していないものが発光しているように見えるこ
とで画像が識別しにくくなる。また、発光しているもの
でも、反射光が加えられることで輝度が増幅されたり発
光色に微妙な変化が生じることになり、画像品質を低下
させてしまう。
の反射があると、実際には点灯していないのに明るく見
えたりする。すなわち、画面に配列されたＬＥＤランプ
の１個１個またはフルカラー発光の場合ではＲ，Ｇ，Ｂ
の３個のＬＥＤの組み合わせの画像のドットとなるの
で、点灯していないものが発光しているように見えるこ
とで画像が識別しにくくなる。また、発光しているもの
でも、反射光が加えられることで輝度が増幅されたり発
光色に微妙な変化が生じることになり、画像品質を低下
させてしまう。
【００１０】また、屋外配置のディスプレイパネルだけ
でなく、屋内用として設置されるものでも照明設備によ
る照明光が当たることで樹脂ヘッド１０の表面からの反
射光によって同様の問題を招く。
でなく、屋内用として設置されるものでも照明設備によ
る照明光が当たることで樹脂ヘッド１０の表面からの反
射光によって同様の問題を招く。
【００１１】このように従来のＬＥＤランプ型の半導体
発光装置では、樹脂封止用として備える樹脂ヘッドの表
面から外部照射光の反射が避けられないので、特に屋外
型のディスプレイパネルの場合には画像品質への影響が
大きい。
発光装置では、樹脂封止用として備える樹脂ヘッドの表
面から外部照射光の反射が避けられないので、特に屋外
型のディスプレイパネルの場合には画像品質への影響が
大きい。
【００１２】本発明において解決すべき課題は、封止用
の樹脂ヘッドの表面に外部照射光が当たってもその反射
を抑えて高品質の画像表示が維持できるたとえばＬＥＤ
ランプ型の半導体発光装置を提供することにある。
の樹脂ヘッドの表面に外部照射光が当たってもその反射
を抑えて高品質の画像表示が維持できるたとえばＬＥＤ
ランプ型の半導体発光装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体発光素
子と、前記半導体発光素子を搭載して電気的に導通させ
る搭載導通部材と、前記半導体発光素子及びその搭載導
通部材との導通部を少なくとも被覆する樹脂ヘッドとを
備える半導体発光装置であって、前記樹脂ヘッドは、前
記半導体発光素子自身の発光層からの光に対する屈折率
よりも小さい内皮層と、前記内皮層の表面を皮膜し且つ
前記内皮層の光の屈折率よりも小さい外皮層とを含み、
前記外皮層と前記内皮層との間の光の屈折率の差の大き
さを、外部光を前記外皮層から内皮層側に向けて取り込
み可能な関係としてなることを特徴とする。
子と、前記半導体発光素子を搭載して電気的に導通させ
る搭載導通部材と、前記半導体発光素子及びその搭載導
通部材との導通部を少なくとも被覆する樹脂ヘッドとを
備える半導体発光装置であって、前記樹脂ヘッドは、前
記半導体発光素子自身の発光層からの光に対する屈折率
よりも小さい内皮層と、前記内皮層の表面を皮膜し且つ
前記内皮層の光の屈折率よりも小さい外皮層とを含み、
前記外皮層と前記内皮層との間の光の屈折率の差の大き
さを、外部光を前記外皮層から内皮層側に向けて取り込
み可能な関係としてなることを特徴とする。
【００１４】このような構成では、外皮層と内皮層との
間の屈折率の大きさの関係によって、陽光や照明光を浴
びてもこれらの光を内皮層側へ取り込めるので、樹脂ヘ
ッド表面からの反射光が抑えられ、高品質の画像が維持
できる。
間の屈折率の大きさの関係によって、陽光や照明光を浴
びてもこれらの光を内皮層側へ取り込めるので、樹脂ヘ
ッド表面からの反射光が抑えられ、高品質の画像が維持
できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、半導体
発光素子と、前記半導体発光素子を搭載して電気的に導
通させる搭載導通部材と、前記半導体発光素子及びその
搭載導通部材との導通部を少なくとも被覆する樹脂ヘッ
ドとを備える半導体発光装置であって、前記樹脂ヘッド
は、前記半導体発光素子自身の発光層からの光に対する
屈折率よりも小さい内皮層と、前記内皮層の表面を皮膜
し且つ前記内皮層の光の屈折率よりも小さい外皮層とを
含み、前記外皮層と前記内皮層との間の光の屈折率の差
の大きさを、外部光を前記外皮層から内皮層側に向けて
取り込み可能な関係としてなる半導体発光装置であり、
外部光を浴びても樹脂ヘッドの表面からの反射光を抑え
て点滅の識別性を高めるとともに発光色に外部光が干渉
しない画質が得られるという作用を有する。
発光素子と、前記半導体発光素子を搭載して電気的に導
通させる搭載導通部材と、前記半導体発光素子及びその
搭載導通部材との導通部を少なくとも被覆する樹脂ヘッ
ドとを備える半導体発光装置であって、前記樹脂ヘッド
は、前記半導体発光素子自身の発光層からの光に対する
屈折率よりも小さい内皮層と、前記内皮層の表面を皮膜
し且つ前記内皮層の光の屈折率よりも小さい外皮層とを
含み、前記外皮層と前記内皮層との間の光の屈折率の差
の大きさを、外部光を前記外皮層から内皮層側に向けて
取り込み可能な関係としてなる半導体発光装置であり、
外部光を浴びても樹脂ヘッドの表面からの反射光を抑え
て点滅の識別性を高めるとともに発光色に外部光が干渉
しない画質が得られるという作用を有する。
【００１６】請求項２に記載の発明は、前記外皮層を５
〜１５μｍの厚さとしてなる請求項１記載の半導体発光
装置であり、外皮層の厚さを５〜１５μｍとすること
で、光透過性を最大にすることができ、外光の取り込み
を更に促して反射光が効果的に抑えられる。
〜１５μｍの厚さとしてなる請求項１記載の半導体発光
装置であり、外皮層の厚さを５〜１５μｍとすること
で、光透過性を最大にすることができ、外光の取り込み
を更に促して反射光が効果的に抑えられる。
【００１７】請求項３に記載の発明は、前記半導体発光
素子の少なくとも光取出し面を被覆するコア層を前記内
皮層の中に内在させてなる請求項１または２記載の半導
体発光装置であり、半導体発光素子から表面の外皮層ま
での全ての界面での全反射を抑えて発光輝度を高めると
いう作用を有する。
素子の少なくとも光取出し面を被覆するコア層を前記内
皮層の中に内在させてなる請求項１または２記載の半導
体発光装置であり、半導体発光素子から表面の外皮層ま
での全ての界面での全反射を抑えて発光輝度を高めると
いう作用を有する。
【００１８】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図
面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施の形
態におけるＬＥＤランプ型の半導体発光装置の概略縦断
面図である。なお、リードフレームや半導体発光素子の
構成は図２の従来例のものと同じであり、同一の構成部
材については共通の符号で指示しその詳細な説明は省略
する。
面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施の形
態におけるＬＥＤランプ型の半導体発光装置の概略縦断
面図である。なお、リードフレームや半導体発光素子の
構成は図２の従来例のものと同じであり、同一の構成部
材については共通の符号で指示しその詳細な説明は省略
する。
【００１９】図１において、半導体発光素子２及びワイ
ヤ４ａ，４ｂを含めて封止してほぼ弾頭状に形成された
樹脂ヘッド５は、マウント部１ｃのほぼ全体に充填され
たコア層５ａと、樹脂ヘッド５のほぼ全体の外郭を占め
る内皮層５ｂと、この内皮層５ｂの下端面を除く全周に
展開させた外皮層５ｃの３層から構成されたものであ
る。
ヤ４ａ，４ｂを含めて封止してほぼ弾頭状に形成された
樹脂ヘッド５は、マウント部１ｃのほぼ全体に充填され
たコア層５ａと、樹脂ヘッド５のほぼ全体の外郭を占め
る内皮層５ｂと、この内皮層５ｂの下端面を除く全周に
展開させた外皮層５ｃの３層から構成されたものであ
る。
【００２０】内皮層５ｂは従来例と同様にエポキシ樹脂
を素材としたものであって、その光の屈折率は約１．５
程度である。これに対して、その上端面すなわち発光面
が内皮層５ｂとの間に界面を形成して封止されているコ
ア層５ａは、たとえばアクリレート系モノマーを素材と
し、その光の屈折率は約１．６５程度であり、内皮層５
ｂよりも大きい。また、外皮層５ｃは、たとえばフッ素
系ポリマーを素材としたもので、その光の屈折率は１．
４１程度であって内皮層５ｂよりも小さく、厚さは５〜
１５μｍの範囲であり、好ましくは８〜１２μｍ程度で
ある。そして、図示の例におけるＧａＮ系化合物半導体
膜を用いた半導体発光素子２では、そのｐ−ｎ接合域の
発光層からの発光に対する屈折率は約２程度である。
を素材としたものであって、その光の屈折率は約１．５
程度である。これに対して、その上端面すなわち発光面
が内皮層５ｂとの間に界面を形成して封止されているコ
ア層５ａは、たとえばアクリレート系モノマーを素材と
し、その光の屈折率は約１．６５程度であり、内皮層５
ｂよりも大きい。また、外皮層５ｃは、たとえばフッ素
系ポリマーを素材としたもので、その光の屈折率は１．
４１程度であって内皮層５ｂよりも小さく、厚さは５〜
１５μｍの範囲であり、好ましくは８〜１２μｍ程度で
ある。そして、図示の例におけるＧａＮ系化合物半導体
膜を用いた半導体発光素子２では、そのｐ−ｎ接合域の
発光層からの発光に対する屈折率は約２程度である。
【００２１】なお、コア層５ａはマウント部１ｃに半導
体発光素子２を搭載して固定してワイヤ４ａ，４ｂをボ
ンディングした後にコーティングによって形成し、この
コア層５ａをコーティングしたものを予め製作してお
く。そして、内皮層５ｂによって全体を封止し、更に外
皮層５ｃをコーティングすることによって図示の製品が
得られる。
体発光素子２を搭載して固定してワイヤ４ａ，４ｂをボ
ンディングした後にコーティングによって形成し、この
コア層５ａをコーティングしたものを予め製作してお
く。そして、内皮層５ｂによって全体を封止し、更に外
皮層５ｃをコーティングすることによって図示の製品が
得られる。
【００２２】以上の構成において、半導体発光素子２か
らの発光は、コア層５ａから内皮層５ｂ及び外皮層５ｃ
の順に抜けて外部に放出される。
らの発光は、コア層５ａから内皮層５ｂ及び外皮層５ｃ
の順に抜けて外部に放出される。
【００２３】一方、図２に示した従来構造では、エポキ
シ樹脂の内皮層５ｂのみで半導体発光素子２を封止した
ものに相当するが、この構成では半導体発光素子２の屈
折率が約２程度であってエポキシ樹脂では約１．５程度
である。このように半導体発光素子２とこれを封止して
いる樹脂との間の屈折率の差が大きいと、半導体発光素
子２の発光面での全反射率が高くなる。
シ樹脂の内皮層５ｂのみで半導体発光素子２を封止した
ものに相当するが、この構成では半導体発光素子２の屈
折率が約２程度であってエポキシ樹脂では約１．５程度
である。このように半導体発光素子２とこれを封止して
いる樹脂との間の屈折率の差が大きいと、半導体発光素
子２の発光面での全反射率が高くなる。
【００２４】これに対し、本実施の形態においては、屈
折率が高いコア層５ａを設けることによって、このコア
層５ａと半導体発光素子２との間の屈折率の差を、半導
体発光素子２とエポキシ樹脂の内皮層５ｂとを積層した
ときの屈折率の差よりも小さくしているので、全反射率
を下げることができる。また、内皮層５ｂと外皮層５ｃ
との間の屈折率の関係も同様なので、これらの層５ｂ，
５ｃの界面での全反射率も下がる。したがって、従来か
ら用いられているエポキシ樹脂を素材とした内皮層５ｂ
を含むものであっても、コア層５ａと外皮層５ｃとの間
での屈折率の高低の関係によって、放出されるまでの光
路での全反射率が大幅に低減される。その結果、半導体
発光素子２からの光の取出し効率を上げることができ、
発光輝度の向上が可能となる。
折率が高いコア層５ａを設けることによって、このコア
層５ａと半導体発光素子２との間の屈折率の差を、半導
体発光素子２とエポキシ樹脂の内皮層５ｂとを積層した
ときの屈折率の差よりも小さくしているので、全反射率
を下げることができる。また、内皮層５ｂと外皮層５ｃ
との間の屈折率の関係も同様なので、これらの層５ｂ，
５ｃの界面での全反射率も下がる。したがって、従来か
ら用いられているエポキシ樹脂を素材とした内皮層５ｂ
を含むものであっても、コア層５ａと外皮層５ｃとの間
での屈折率の高低の関係によって、放出されるまでの光
路での全反射率が大幅に低減される。その結果、半導体
発光素子２からの光の取出し効率を上げることができ、
発光輝度の向上が可能となる。
【００２５】また、外皮層５ｃの屈折率はエポキシ樹脂
の内皮層５ｂの屈折率よりも小さく、樹脂ヘッド５が曝
されている空気の屈折率（＝１）との差を内皮層５ｂの
エポキシ樹脂が表面を形成している場合よりも小さくで
きる。したがって、昼間の陽光や夜間の照明光が射し込
まれても、これらの光の一部または殆どが外皮層５ｃか
ら内皮層５ｂ側に取り込まれる。このため、外皮層５ｃ
の表面からの反射光が抑えられ、点灯していないＬＥＤ
ランプが目立って画像のドットとして現れることがなく
なる。また、点灯しているＬＥＤランプについても、反
射光による影響がないので、輝度が不要に高くなったり
発光色が変わってしまうようなこともない。
の内皮層５ｂの屈折率よりも小さく、樹脂ヘッド５が曝
されている空気の屈折率（＝１）との差を内皮層５ｂの
エポキシ樹脂が表面を形成している場合よりも小さくで
きる。したがって、昼間の陽光や夜間の照明光が射し込
まれても、これらの光の一部または殆どが外皮層５ｃか
ら内皮層５ｂ側に取り込まれる。このため、外皮層５ｃ
の表面からの反射光が抑えられ、点灯していないＬＥＤ
ランプが目立って画像のドットとして現れることがなく
なる。また、点灯しているＬＥＤランプについても、反
射光による影響がないので、輝度が不要に高くなったり
発光色が変わってしまうようなこともない。
【００２６】更に、外皮層５ｃの厚さを５〜１５μｍの
範囲とすることで、光の透過率を最大に設定でき、外部
光の取り込みを更に促すことができる。すなわち、一般
的に半導体発光素子の発光波長は、図示のＧａＮ系化合
物半導体を利用するものも含めて３８０〜７８０ｎｍ程
度である。そして、外皮層５ｃの屈折率ｎは１．４１な
ので（λ／４ｎ）のＮ（＝自然数）倍で透過率が最大と
なる外皮層５ｃの厚さは、６．７〜１３．８μｍであ
る。したがって、５〜１５μｍ程度の範囲の外皮層５ｃ
の厚さとすれば、光の透過率を高くして外部光を取り込
みやすくでき、外部光の反射をより一層抑えることがで
きる。
範囲とすることで、光の透過率を最大に設定でき、外部
光の取り込みを更に促すことができる。すなわち、一般
的に半導体発光素子の発光波長は、図示のＧａＮ系化合
物半導体を利用するものも含めて３８０〜７８０ｎｍ程
度である。そして、外皮層５ｃの屈折率ｎは１．４１な
ので（λ／４ｎ）のＮ（＝自然数）倍で透過率が最大と
なる外皮層５ｃの厚さは、６．７〜１３．８μｍであ
る。したがって、５〜１５μｍ程度の範囲の外皮層５ｃ
の厚さとすれば、光の透過率を高くして外部光を取り込
みやすくでき、外部光の反射をより一層抑えることがで
きる。
【００２７】このように、本発明では、内皮層５ｂより
も光の屈折率が小さい外皮層５ｃとするとともにその厚
さが光透過性が高くなるように最適化することで、強烈
な陽光等が当たっても表示画質の劣化がなく、高品質の
画像表示が可能となる。また、半導体発光素子２とコア
層５ａとの間及び内皮層５ｂと外皮層５ｃとの間の屈折
率の差の関係によって、発光輝度が従来構造に比べて上
がるので、より一層鮮明な画像が得られる。
も光の屈折率が小さい外皮層５ｃとするとともにその厚
さが光透過性が高くなるように最適化することで、強烈
な陽光等が当たっても表示画質の劣化がなく、高品質の
画像表示が可能となる。また、半導体発光素子２とコア
層５ａとの間及び内皮層５ｂと外皮層５ｃとの間の屈折
率の差の関係によって、発光輝度が従来構造に比べて上
がるので、より一層鮮明な画像が得られる。
【００２８】
【発明の効果】請求項１の発明では、昼間の陽光や夜間
の照明光を浴びても樹脂ヘッドの表面からの反射光が抑
えられるので、高品質の画像が維持され、屋外用のディ
スプレイパネルへの最適化が図られる。
の照明光を浴びても樹脂ヘッドの表面からの反射光が抑
えられるので、高品質の画像が維持され、屋外用のディ
スプレイパネルへの最適化が図られる。
【００２９】請求項２の発明では、外皮層の厚さだけを
最適化することで、外部光の取り込みが効果的に促さ
れ、画像の高品質化がより一層向上する。
最適化することで、外部光の取り込みが効果的に促さ
れ、画像の高品質化がより一層向上する。
【００３０】請求項３の発明では、半導体発光素子から
コア層、コア層から内皮層及び内皮層から外皮層のそれ
ぞれで発光の全反射を抑えることができ、発光輝度の向
上が可能となる。
コア層、コア層から内皮層及び内皮層から外皮層のそれ
ぞれで発光の全反射を抑えることができ、発光輝度の向
上が可能となる。
【図１】本発明の一実施の形態によるＧａＮ系化合物半
導体発光素子を用いたＬＥＤランプ型の半導体発光装置
の要部を示す縦断面図
導体発光素子を用いたＬＥＤランプ型の半導体発光装置
の要部を示す縦断面図
【図２】従来のエポキシ樹脂封止構造を持つＬＥＤラン
プの縦断面図
プの縦断面図
１ リードフレーム（搭載導通部材） １ａ，１ｂ リード １ｃ マウント部 ２ 半導体発光素子 ２ａ 基板 ２ｂ ｎ側電極 ２ｃ ｐ側電極 ３ 接着剤 ４ａ，４ｂ ワイヤ ５ 樹脂ヘッド ５ａ コア層 ５ｂ 内皮層 ５ｃ 外皮層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体発光素子と、前記半導体発光素子
を搭載して電気的に導通させる搭載導通部材と、前記半
導体発光素子及びその搭載導通部材との導通部を少なく
とも被覆する樹脂ヘッドとを備える半導体発光装置であ
って、前記樹脂ヘッドは、前記半導体発光素子自身の発
光層からの光に対する屈折率よりも小さい内皮層と、前
記内皮層の表面を皮膜し且つ前記内皮層の光の屈折率よ
りも小さい外皮層とを含み、前記外皮層と前記内皮層と
の間の光の屈折率の差の大きさを、外部光を前記外皮層
から内皮層側に向けて取り込み可能な関係としてなる半
導体発光装置。 - 【請求項２】 前記外皮層を５〜１５μｍの厚さとして
なる請求項１記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 前記半導体発光素子の少なくとも光取出
し面を被覆するコア層を、前記内皮層の中に内在させて
なる請求項１または２記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10320539A JP2000150965A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10320539A JP2000150965A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150965A true JP2000150965A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18122574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10320539A Pending JP2000150965A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150965A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005026302A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光モジュール |
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| KR20050054468A (ko) * | 2003-12-04 | 2005-06-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광학 반도체 장치 |
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-
1998
- 1998-11-11 JP JP10320539A patent/JP2000150965A/ja active Pending
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