KR100878327B1 - 웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

내측으로 인입된 인입공간을 포함하는 광학벤치를 준비하는 단계, 상기 광학벤치의 인입공간 상에 광을 출사하는 발광 다이오드를 형성시키는 단계, 상기 광학벤치의 인입공간 외부에 투명전극을 증착시키되, 상기 투명전극의 일단이 상기 발광 다이오드 상부와 연결되도록 증착시키는 단계, 상기 투명전극을 통해 상기 발광 다이오드와 전기적으로 접속되는 리드 프레임을 상기 투명전극 상에 형성시키는 단계, 및 상기 발광 다이오드로부터 출사되는 광의 방사각을 제어하는 렌즈를 상기 발광 다이오드 상부에 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조의 제조 방법 및 이를 통해 제조되는 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조가 제공된다.

발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징에 있어서, 발광 다이오드와 리드 프레임 간의 전기적 접속을 위한 구성요소로서의 전극선을 투명전극으로 대체함으로써 웨이퍼레벨 패키징의 일괄 공정이 가능해지며, 이에 따라 제조공정비가 절감되고 광추출 효율 또한 향상된다.

발광 다이오드, 웨이퍼레벨, 패키징, 투명전극, 리드 프레임

Description

웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드 및 그의 제조 방법 {WAFER LEVEL PACKAGED LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATION METHOD THEREOF}

본 발명은 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 및 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 발광 다이오드와 리드 프레임 간의 전기적 접속을 위한 구성요소로서의 전극선을 투명전극으로 대체함으로써 일괄 제조 공정을 가능하게 하는 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드의 제조에 있어서, 외부와의 전기적 접속, 외부로부터 기계적, 전기적, 환경적 요인에 대한 보호, 열확산, 발광 효율의 증대화, 지향성의 적정화 등을 위하여 패키징이라는 공정이 행해지고 있다.

이러한 패키징 기술로서는 다이본딩, 전극선 본딩 (wire bonding) 등이 소개되었다.

통상적으로 발광 다이오드 칩에 있어서는 금 도금된 금속 스템이 은 도금된 리드 프레임 (Lead Frame) 에 증착되는 경우가 많은데 이렇게 금속 스템을 리드 프 레임 상에 증착하는 공정을 다이 본딩이라 한다. 금과 같은 납땜 재료를 사용하거나 은이나 금을 혼합시킨 도전성 수지를 사용하여 발광 다이오드 칩 또는 다이를 베이스에 연결하게 되는데, 이러한 공정을 통해 발광 다이오드 칩을 고정시키고 하부 전극의 접속이 이루어진다. 여기서, 상부 전극은 보통 금으로 된 가는 와이어를 열압착 또는 초음파를 사용하여 접속시키게 된다.

그러나, 최근 공정의 단순화 및 일괄공정을 실현하기 위해 웨이퍼레벨 패키징 기술이 도입되고 있다.

도 1 은 종래 발광 다이오드 패키징의 사시도이다. 도 1 에 도시되는 바와 같이, 종래의 발광 다이오드 패키징 구조는 발광 다이오드 (13) 로서의 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드 (13) 가 탑재되는 히트싱크 (12), 상기 발광 다이오드 (13) 및 히트싱크 (12) 사이에 개재되는 서브마운트 (14) 를 포함하며, 상기 히트싱크 (12) 를 둘러싸면서 패키지의 외관을 구성하는 패키지 몸체 (10) 를 구비하고, 상기 패키지 몸체 (10) 외부로는 발광 다이오드 (13) 와 금속 와이어 (15) 를 통하여 전기적으로 연결된 리드 (11) 가 돌출되게 형성된다. 상기 패키지 몸체 (10) 와 플라스틱 렌즈 (16) 는 서로 마주보도록 결합되어 그 사이에서 발광 다이오드 (13) 를 밀봉한다. 발광 다이오드 (20) 가 수납된 내부공간에는 몰딩수지 (미도시) 가 주입되며, 이로써, 발광 다이오드(20)가 외부환경으로부터 물리적 및 전기적으로 보호된다.

이러한 웨이퍼레벨 패키징 기술은 공정의 단순화 및 일괄공정을 실현하기 위해 수행되나, 이 공정 또한 전극선 공정이 여전히 포함되어 있어서 진정한 의미의 일괄공정이 실현되었다고 보기는 힘들다.

따라서, 발광 다이오드 제조 공정의 단순화 및 일괄공정을 실현하기 위해 전극선 공정을 포함하지 않는 발광 다이오드의 패키징 기술이 필요하다.

본 발명은, 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징에 있어서, 발광 다이오드와 리드 프레임 간의 전기적 접속을 위한 구성요소로서의 전극선을 투명전극으로 대체함으로써 일괄 제조 공정을 가능하게 하는 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 공정을 제공하는 데에 그 목적이 있다.

한편, 본 발명의 또 다른 목적은, 발광 다이오드와 리드 프레임 간의 전기적 접속을 위한 구성요소로서의 전극선을 투명전극으로 대체함으로써 단순화된 일괄 공정에 의하여 제조되는 웨이퍼레벨 패키징 구조를 제공하는 것이다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 내측으로 인입된 인입공간을 포함하는 광학벤치, 상기 광학벤치의 인입공간 상에 형성되는 발광 다이오드, 상기 광학벤치의 인입공간 외부에 증착되며, 일단이 상기 발광 다이오드 상부와 연결되는 투명전극, 상기 투명전극 상에 형성되어, 상기 투명전극을 통해 상기 발광 다이오드와 전기적으로 접속되는 리드 프레임, 및 상기 발광 다이오드 상부에 형성되는 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조가 제공된다.

한편, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 내 측으로 인입된 인입공간을 포함하는 광학벤치, 상기 광학벤치의 인입공간 상에 형성되는 발광 다이오드, 상기 광학벤치 상에 형성되는 리드 프레임, 및 상기 발광 다이오드 상부에 형성되는 렌즈를 포함하는, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조에 있어서, 상기 광학벤치의 인입공간 외부와 상기 리드 프레임 사이에 형성되는 투명전극으로서, 일단이 상기 발광 다이오드의 상부와 연결되어 상기 리드 프레임과 상기 발광 다이오드간의 전기적인 접속을 매개하는 투명전극을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조가 제공된다.

바람직하게는, 상기 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조는, 상기 광학벤치의 인입공간의 내측벽에 형성되는 반사막을 더 포함한다.

바람직하게는, 상기 반사막은 알루미늄 (Al) 막 또는 은 (Ag) 막이다.

바람직하게는, 상기 발광 다이오드는 전류가 소자의 상하로 흐르는, 질화물계 (InAlGaN) 소자 또는 갈륨비소계 (InGaAlP, AlGaAs) 소자 기반의 수직형 발광 다이오드이다.

바람직하게는, 상기 광학벤치의 인입공간에는 고분자 수지 재료로 이루어지는 봉지재가 주입된다.

바람직하게는, 상기 봉지재는, 에폭시, 폴리이미드 (polyimide) 또는 SOG (spin on glass) 로 이루어지는 물질이다.

한편, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 내측으로 인입된 인입공간을 포함하는 광학벤치를 준비하는 단계, 상기 광학벤치의 인입공간 상에 다이오드를 형성시키는 단계, 상기 광학벤치의 인입공간 외부에 일 단이 상기 발광 다이오드 상부와 연결되는 투명전극을 증착시키는 단계, 상기 투명전극을 통해 상기 발광 다이오드와 전기적으로 접속되는 리드 프레임을 상기 투명전극 상에 형성시키는 단계, 및 상기 발광 다이오드 상부에 렌즈를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조의 제조 방법이 제공된다.

바람직하게는, 상기 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조의 제조 방법은, 상기 광학벤치의 인입공간의 내측벽에 반사막을 형성시키는 단계를 더 포함한다.

바람직하게는, 상기 반사막은, 알루미늄 (Al) 막 또는 은 (Ag) 막이다.

바람직하게는, 상기 발광 다이오드는 전류가 소자의 상하로 흐르는, 질화물계 (InAlGaN) 소자 또는 갈륨비소계 (InGaAlP, AlGaAs) 소자 기반의 수직형 발광 다이오드이다.

바람직하게는, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조의 제조 방법은, 상기 광학벤치의 인입공간에, 고분자 수지 재료로 이루어지는 봉지재를 주입하는 단계를 더 포함한다.

바람직하게는, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조의 제조 방법은, 상기 봉지재를 주입한 후에, CMP (chemical mechanical polishing) 와 같은 화학적 또는 기계적, 물리적 평탄화 공정을 수행하는 단계를 더 포함한다.

바람직하게는, 상기 봉지재는, 에폭시, 폴리이미드 (polyimide) 또는 SOG (spin on glass) 로 이루어지는 물질이다.

본 발명에 따르면, 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징에 있어서, 발광 다이오드와 리드 프레임 간의 전기적 접속을 위한 구성요소로서의 전극선을 투명전극으로 대체함으로써 웨이퍼레벨 패키징의 일괄 공정이 가능해지며, 이에 따라 제조공정비가 절감되고 광추출 효율이 향상된다.

또한, 발광 다이오드와 리드 프레임 간의 전기적 접속을 위한 구성요소로서의 전극선을 투명전극으로 대체함으로써 단순화된 일괄 공정에 의하여 제조되는 웨이퍼레벨 패키징 구조를 얻을 수 있다.

이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시형태를 상세히 설명한다.

도 2a 및 도 2b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징 구조의 측면도와 평면도이다.

도 2a 에 도시되는 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징은 발광 다이오드 (21) 가 실장될 수 있는 인입공간을 내측으로 확보하는 광학벤치 (20), 상기 광학벤치 (20) 의 인입공간 상에 형성되며 구동전원을 인가받아 광을 생성하여 조사하는 발광 다이오드 (21), 광학벤치 (20) 의 인입공간의 바닥 및 벽에 증착되어 발광 다이오드 (21) 로부터의 광 반사율을 높이기 위한 반사막 (26), 상기 반사막 (26) 및 발광 다이오드 (21) 상에 형성되어 발광 다이오드 (21) 와 리드 프레임 (24) 을 전기적으로 접속시켜주는 투명전극 (23), 투명전극 (23) 과 광학벤치 (20) 사이의 인입공간 내에 충진되는 봉지재 (22), 및 상기 투명전극 (23) 상에 형성되어 발광 다이오드 (21) 로부터 발산되는 광의 방사광을 조절하는 렌즈 (25) 를 포함한다.

발광 다이오드 (21) 는 소정의 전극패턴 (미도시) 을 포함하고, 이들을 통하여 전원을 공급받아 발광 기능을 수행하며, 사방으로 광을 출사한다. 본 발명에서의 발광 다이오드 (21) 는 전류가 상하로 흐르는 수직형 발광 다이오드 (21) 에 해당하며 질화물계열 (InGaAlN) 발광 다이오드 또는 갈륨비소 계열 (InGaAlP, AlGaAs) 일 수 있다. 이러한 발광 다이오드 (21) 는 광학벤치 (20) 및 투명전극 (23) 사이에서 패키징되며, 구체적으로는 추출효율을 향상시키기 위해 광학벤치 (20) 위해 실장되고, 광학벤치 (20) 로부터 구동전원을 공급받아 발광을 한다.

광학벤치 (20) 는 실리콘 광학벤치 (Si optical bench; SiOB) 일 수 있으며, 내측으로 인입된 인입공간을 갖고 있고, 이 공간에는 광학소자 (21) 가 실장될 수 있다.

발광 다이오드 (21) 가 수용되는 실장 영역, 즉, 광학벤치 (20) 의 인입공간의 바닥 및 벽에는 반사막 (26) 이 형성될 수 있다. 이 반사막 (26) 은 발광 다이오드 (21) 의 출사광을 반사하여 광손실을 억제하여 광추출 효율에 기여한다. 즉, 발광 다이오드 (21) 로부터 측 방향으로 출사되는 광을 반사하여 유효 방향으로 반사될 수 있도록 하는 기능을 한다. 구체적으로, 발광 다이오드 (21) 로부터의 측 방향 광을 반사시켜 대략 중심축에 근접하면서 상측을 향해 출광될 수 있도록 하며, 이를 위해, 반사막이 형성되는 인입공간의 벽은 내측을 향해 소정의 각도로 경사진 빗면으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 반사막 (26) 은 알루미늄 (Al) 막 또는 은 (Ag) 막과 같은 고반사율의 금속막일 수 있다.

한편, 반사막 (26) 과 그 위에 형성되는 발광 다이오드 (21) 사이에는 전도성 솔더층이나 전도성 솔더볼 (미도시) 이 개재되어 이들 사이의 전기적 및 물리적인 결합을 매개할 수 있다. 이러한 전도성 솔더층이나 솔더볼은 Au/Sn, Sn/Ag 등의 Sn 계열의 솔더를 주소재로 하여 형성될 수 있다.

또한, 발광 다이오드 (21) 의 p-전극과 n-전극 사이에는, 서로 단락되는 것을 방지하기 위해, SiO₂ 또는 SiN 과 같은 유전체 물질을 증착시키거나 빈공간을 형성시킬 수도 있다.

발광 다이오드 (21) 가 실장되어 있는 광학벤치 (20) 의 인입공간에는 봉지재 (22) 가 주입된다. 이 봉지재 (22) 는 광학벤치 (20) 또는 반사막 (26) 과 투명전극 (23) 간의 결합을 매개하는 기능을 한다. 이러한 봉지재 (22) 는 고온에서 변형이 적고, 점착성을 갖으며, 광추출 효율을 높이기 위해 광투과율이 우수한 고분자 수지 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 물질로는, 에폭시, 폴리이미드 (polyimide), SOG (spin on glass) 등과 같은 소재가 있다. 상기 봉지재 (22) 는 발광 다이오드 (21) 와 광학벤치 (20) 사이의 결합부위를 외부환경으로부터 보호하는 기능도 수행할 수 있다.

발광 다이오드 (21) 및 반사막 (26) 이 형성된 광학벤치 (20) 상에는 투명전극 (23) 이 증착된다. 투명전극 (23) 은 그 위에 증착되는 리드 프레임 (24) 과 발광 다이오드 (21) 간의 전기적 접속을 매개한다. 이러한 투명전극 (23) 을 사용함으로써 리드 프레임 (24) 과 발광 다이오드 (21) 간의 전기 접속을 위한 전극선의 필요가 없어지게 되고, 이에 따라 전극선을 형성시키기 위한 공정이 생략되어 웨이퍼레벨 패키징 공정의 단순화가 실현될 수 있다.

한편, 봉지재 (22) 가 주입된 후에는 투명전극 (23) 이 안정되게 증착될 수 있도록 CMP (chemical mechanical polishing) 와 같은 평탄화 작업이 행해질 수 있다.

렌즈 (25) 는 투명전극 (23) 이 증착된 구조물 상에 형성되어 발광 다이오드 (21) 등을 봉지하면서 패키지 상부를 구성한다. 렌즈 (25) 는 발광 다이오드 (21) 로부터 발산되는 광을 외부로 출사시키며, 이의 외표면은 소정의 곡률을 가진 반구 형상일 수 있으나, 본 발명은 이러한 형상에 제한되지 아니한다. 렌즈 (25) 의 형상은 발광 다이오드 (21) 로부터 발산되는 광을 균일한 분포로 출광시킬 수 있도록 대칭적인 구조로 형성되는 것이 바람직하다.

이하, 도 3 을 참조하여, 본 발명의 웨이퍼레벨 패키징 제조방법을 설명한다.

먼저, 도 3a 에 도시되는 바와 같이, 소정의 배선패턴 (미도시) 이 형성된 광학벤치 (20) 를 준비한다. 이 광학벤치 (20) 는 실리콘 광학벤치 (SiOB) 일 수 있으며, 발광 다이오드 (21) 가 실장될 수 있도록 내측으로 인입된 인입공간을 포 함한다.

다음으로, 도 3b 에 도시되는 바와 같이, 내측으로 인입된 공간을 갖는 광학벤치 (20) 상에 전도성 솔더층 또는 전도성 솔더 범프 (미도시) 를 형성하고, 발광 다이오드 (21) 를 형성시킨다. 이 발광 다이오드 (21) 는 수직형 발광 다이오드이며 질화물계열 (InGaAlN) 또는 갈륨비소 계열 (InGaAlP, AlGaAs) 발광 다이오드일 수 있다. 한편, 발광 다이오드 (21) 가 실장되는 광학벤치 (20) 의 인입영역에 있어서, 그 내측벽 및 바닥에는 반사막 (26) 이 도포될 수 있다. 이 반사막 (26) 은 발광 다이오드 (21) 로부터 출사되는 측방향의 광을 유효영역으로 반사시켜 광추출 효율을 극대화시키는 기능을 하며, 고반사율을 갖는 알루미늄 (Al) 막 또는 은 (Ag) 막 일 수 있다.

한편, 발광 다이오드 (21) 의 p-전극과 n-전극 간에는, 서로 간의 단락을 방지하기 위해 SiO₂ 또는 SiN 과 같은 유전체 물질을 증착하거나 빈공간을 형성시키는 공정이 추가로 행해질 수 있다.

그 후, 광학벤치 (20) 의 인입공간에 봉지재 (22) 를 주입한다. 이 봉지재 (22) 는 투명전극 (23) 과 광학벤치 (20) 또는 발광 다이오드 (21) 간의 접촉을 매개하는 것으로, 고온에서 변형이 적고, 점착성을 갖으며, 광투과율이 우수한 고분자 수지 재료 (예를 들면, 에폭시, 폴리이미드 (polyimide), SOG (spin on glass)) 로 하는 것이 바람직하다.

광학벤치 (20) 의 인입공간 상에 발광 다이오드 (21) 및 반사막 (26) 을 형 성시키고 봉지재 (22) 를 주입시킨 후에는 CMP 등과 같은 공정을 통하여 상부를 평탄하게 해준다. 이는 투명전극 (23) 의 증착이 원활히 이루어질 수 있도록 하기 위함이다.

다음으로, 도 3c 에 도시되는 바와 같이, 투명전극 (23) 을 증착시킨다. 이 투명전극 (23) 은 발광 다이오드 (21) 와 리드 프레임 (24) 간의 전기적 접속을 매개하여, 종래 발광 다이오드의 웨이퍼레벨 패키징에 있어서 필수적이었던 전극선의 필요를 배재시킨다. 이렇게 형성되는 투명전극 (23) 상에는 리드 프레임 (24) 이 형성된다.

마지막으로, 도 4d 에 도시되는 바와 같이, 발광 다이오드 (21) 로부터 출사되는 방사광의 방사각을 제어하기 위한 렌즈 (25) 를 형성시킨다. 전술한 바와 같이 이 렌즈 (25) 는 광학벤치의 중앙부에 형성되고, 그 외표면은 소정의 곡률을 갖는 반구 형태일 수 있다.

이렇게 발광 다이오드와 리드 프레임 간의 전기적 접속을 위한 전극선을 배재시키고 대신에 투명전극을 사용함으로써, 종래 웨이퍼레벨 패키징에서 필수적이었던 전극선 공정의 필요를 없애 웨이퍼레벨 패키징의 일괄공정이 가능해진다.

한편, 웨이퍼레벨 패키징의 단순화 및 일괄공정이 가능해짐에 따라 제조공정비의 절감효과 및 광추출 효율의 향상효과 또한 얻을 수 있다.

이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변 형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소는 이와 실질적으로 동일한 다양한 구성으로 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.

도 1 은 종래 발광 다이오드 패키징의 사시도.

도 2a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드 웨이퍼레벨 패키징 구조의 측면도.

도 2b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드 웨이퍼레벨 패키징 구조의 평면도.

도 3a 내지 도 3d 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 다이오드 웨이퍼레벨 패키징 구조의 제조 과정을 설명하는 공정도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

20 : 광학 벤치 21 : 발광 다이오드

22 : 봉지재 23 : 투명전극

24 : 리드 프레임 25 : 렌즈

26 : 반사막

Claims (14)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 내측으로 인입된 인입공간을 포함하는 광학벤치의 상기 인입공간에 발광 다이오드를 형성하는 단계;

   상기 광학벤치의 인입공간 외부에 일단이 상기 발광 다이오드 상부와 연결된 투명전극을 증착하는 단계;

   상기 투명전극을 통해 상기 발광 다이오드와 전기적으로 접속되는 리드 프레임을 상기 투명전극 상에 형성하는 단계; 및

   상기 발광 다이오드 상부에 렌즈를 형성시키는 단계를 포함하는 웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드의 제조 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 광학벤치의 인입공간의 내측벽에 반사막을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드의 제조 방법.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 반사막은, 알루미늄 (Al) 막 또는 은 (Ag) 막인 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드의 제조 방법.
11. 제 8 항에 있어서,

    상기 발광 다이오드는 전류가 소자의 상하로 흐르는, 질화물계 (InAlGaN) 소자 또는 갈륨비소계 (InGaAlP, AlGaAs) 소자 기반의 수직형 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드의 제조 방법.
12. 제 8 항에 있어서,

    상기 광학벤치의 인입공간에, 고분자 수지 재료로 이루어지는 봉지재를 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드의 제조 방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 봉지재를 주입한 후에, 화학적 또는 물리적 평탄화 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드의 제조 방법.
14. 제 12 항에 있어서,

    상기 봉지재는, 에폭시, 폴리이미드 (polyimide) 또는 SOG (spin on glass) 로 이루어지는 물질인 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨 패키징된 발광다이오드의 제조 방법.

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