JP2781475B2 - 光学装置 - Google Patents

光学装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学装置に関し、特に発
光チップまたは受光チップを搭載するための凹部を有す
る樹脂ケースを備え、前記凹部を含む樹脂ケースに立体
的に金属メッキ配線を施し、前記凹部の金属メッキ配線
上に前記発光チップまたは受光チップが載置、樹脂封止
されてなる光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について、図７乃至図１０を
参照して説明する。
【０００３】ここでは、立体的なケースに金属メッキに
よる配線を施したフレームレス構造の受発光素子及び反
射型フォトインタラプタ（以下、それぞれ単に受発光素
子または反射型フォトインタラプタと記す）について説
明する。
【０００４】図７（ａ）は従来例による樹脂注入前の発
光素子の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ’線
断面図、図８（ａ）及び（ｂ）は図７（ａ）及び（ｂ）
に示す発光素子の樹脂注入過程図である。ここでは発光
素子について説明するが、受光素子についても同様の構
造である。
【０００５】従来の発光素子は、図７（ａ）及び（ｂ）
に示すように、金属メッキによる導体配線１を有する立
体的な樹脂ケース２の凹部２’の中に半導体チップ３を
導電性接着剤４によって接着し、次にワイヤー５による
ワイヤーボンディングにより半導体チップ３上の電極と
ケース２上の電極を接続し、更に図８（ａ）に示すよう
に樹脂６をケース２に注入し、その後図８（ｂ）に示す
ように樹脂６を硬化し封止を行っていた。
【０００６】ここで、ケース２の天面部の導体配線１が
施された箇所と施されていない箇所では、導体配線１の
金属メッキ厚分の段差が生じ、この段差部を伝って樹脂
流出が発生しやすいという問題点があった。これに対す
る対策を施した他の従来例による発光素子について、以
下説明する。
【０００７】図９は他の従来例による樹脂注入前の発光
素子の断面図、図１０（ａ）及び（ｂ）は図９の発光素
子の樹脂注入過程図である。
【０００８】図９に示す様にケース２天面の全面にコー
ティング材７を塗布し、ケース天面部の高さを揃えるこ
とにより導体配線１の端部の段差部からの樹脂６の流出
を防止できる構造とし、以下図７及び図８の従来例と同
様の工程を行なう。即ち、ケース２中に半導体チップ３
を接続し、次にワイヤー５のワイヤーボンディングによ
り半導体チップ３上の電極とケース２上の電極を接続
し、更に図１０（ａ）に示すように樹脂６をケース２に
注入し、その後図１０（ｂ）に示すように樹脂６を硬化
し封止を行っていた。
【０００９】ここで、コーティング材７には、注入する
樹脂６をはじく効果の無いものが使われていた。
【００１０】図１１（ａ）は従来例による反射型フォト
インタラプタの平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の
Ｂ−Ｂ’線断面図、図１２（ａ）及び（ｂ）は図１１
（ａ）及び（ｂ）の反射型フォトインタラプタの樹脂注
入過程図である。
【００１１】従来の反射型フォトインタラプタは、図１
１（ａ）及び（ｂ）に示すように金属メッキによる導体
配線１１を有する立体的な凹型ケース１２の発光チップ
搭載用凹部１７及び受光チップ搭載用凹部１８のそれぞ
れに、発光チップ１３及び受光チップ１９を導電性接着
剤１４によって接着し、次にワイヤー１５によるワイヤ
ーボンディングにより発光チップ１３及び受光チップ１
９上の電極とケース１２上の電極とを接続し、更に図１
２（ａ）に示すように樹脂６をケース１２に注入し、そ
の後図１２（ｂ）に示すように樹脂６を硬化し封止を行
っていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の図７
乃至図１０に示した従来の発光素子においては以下のよ
うな問題点があった。
【００１３】即ち、ケース２に注入された樹脂６は硬化
時に収縮を起こすため体積が減少し、図８（ｂ）及び図
１０（ｂ）に示すように樹脂６の表面が凹状にへこんだ
形状となる。この結果、発光チップ３からの放射光が樹
脂６表面の凹レンズ効果により分散され発光輝度が低下
してしまう。
【００１４】また、図１１及び図１２に示したフォトイ
ンタラプタについても同様の問題がある。即ち、図１２
（ｂ）に示すように樹脂６が硬化時に収縮し、表面が凹
状にへこむ。このため、発光チップ１３からの放射光が
樹脂６表面の凹レンズ効果で分散され発光輝度が低下し
てしまう。
【００１５】また外部より受光チップ１９に入射する光
も樹脂６表面の凹レンズ効果により分散されるため、受
光チップ１９にまで到達する光の強度が低下してしま
う。
【００１６】そこで、フレームレス構造の発光素子及び
反射型フォトインタラプタにおいて、樹脂６の表面が凹
状にへこまないようにするには、樹脂注入時に熱硬化時
の収縮分を見込んで樹脂６を多めに注入する必要があ
る。
【００１７】ところが、高粘度の樹脂を使用しても、樹
脂注入時は樹脂６の表面張力が大きいため、ある注入量
の範囲内ならばケース２または１２上に凸状に盛り上げ
ることができるが、熱硬化時には温度上昇により樹脂粘
度が大きく低下するので、結局樹脂６がケース外へ流出
してしまう。
【００１８】このように従来は、熱硬化後の樹脂表面形
状を平面または凸状にすることが不可能であった。
【００１９】さらに、前述のように樹脂６をケース２，
１２上に凸状に盛り上げた場合は、熱硬化時にケース外
部へ流出した樹脂６が半田付用端子に付着し、半田付性
を妨げるという問題がある。また、フォトインタラプタ
の場合、発光チップ搭載用凹部１７と受光チップ搭載用
凹部１８とが隣接しているため、注入した樹脂６が受発
光凹部間でつながり、発光チップ１３からの光が受光チ
ップ１９にリークするという問題がある。
【００２０】また、樹脂注入時において、発光素子の場
合、２ｍｍ3程度以下（フォトインタラプタの場合、受
発光チップのそれぞれの搭載用凹部がそれぞれ１．３〜
１．５ｍｍ3程度）の小さなケースに、ほぼケース体積
に等しい量の樹脂６を注入するので、注入装置の樹脂吐
出量がわずかにばらついても、そのばらついた量のケー
ス体積に対する割合が大きいため、樹脂表面形状が大き
く変化しやすい。このためケース体積が大きい場合に比
べ、樹脂６のケース外への流出が発生し易いという問題
があった。
【００２１】上記対策として、熱硬化時の高温でも粘度
が高く樹脂流出が発生しない樹脂を使用する方法もある
が、この場合は高粘度のためケース２，１２への注型時
間が非常に長くなり、製造効率が低下すると共に、注型
時気泡を巻き込み易く、信頼性が低下するという問題が
あった。
【００２２】そこで本発明の目的は、立体的なケースに
金属メッキによる配線を施したフレームレス構造の受発
光素子及び反射型フォトインタラプタ等の光学装置にお
いて、上述したような問題点を解消した光学装置を提供
することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、発光チップまたは受光チップを搭載するた
めの凹部を有する樹脂ケースを備え、前記凹部を含む樹
脂ケースに立体的に金属メッキ配線を施し、前記凹部の
金属メッキ配線上に前記発光チップまたは受光チップが
戴置、樹脂封止されてなる光学装置において、前記樹脂
ケースの天面に、前記封止用樹脂をはじくコーティング
材を施してなることを特徴とする。
【００２４】ここで、前記封止用樹脂及びコーティング
材の組み合わせとして、例えば前記封止用樹脂にエポキ
シ系樹脂を、また前記コーティング材にシリコン系樹脂
を使用してなることを特徴とする。
【００２５】また、前記光学装置において、前記封止用
樹脂の表面を前記樹脂ケースの天面に対して平坦か、若
しくはそれ以上に盛り上がるように形成することを特徴
とする。
【００２６】
【作用】発光チップまたは受光チップを搭載するための
凹部を有する樹脂ケースを備え、前記凹部を含む樹脂ケ
ースに立体的に金属メッキ配線を施し、前記凹部の金属
メッキ配線上に前記発光チップまたは受光チップが戴
置、樹脂封止されてなる光学装置において、前記樹脂ケ
ースの天面に、前記封止用樹脂をはじくコーティング材
を施してなるので、封止用樹脂を硬化時の収縮分を見込
んで、或いは注入装置の誤差によって凹部に凸状に盛り
上げるように注入しても、コーティング材によってはじ
かれるのでケース外部には流出しない。
【００２７】従って、硬化後の封止樹脂の表面を樹脂ケ
ースの天面と平坦か、それ以上に盛り上がるようにでき
るので、従来のように封止用樹脂の表面が硬化後に凹状
にへこみ、その表面の凹レンズ効果によって光が分散し
てしまうという現象を解消でき、発光輝度や受光量を向
上できる。
【００２８】さらに、ケース外部への封止用樹脂の流出
がないので樹脂が半田付用端子に付着し半田付性が妨げ
られることもなく歩留まりを向上できる。
【００２９】また、反射型フォトインタラプタにおいて
は、受発光チップ間が流出した封止用樹脂によって光学
的に接続されることがないので、光リークが無く信頼性
を向上できる。
【００３０】また、封止用樹脂にエポキシ系樹脂を、コ
ーティング材にシリコン系樹脂を使用すれば、材料の入
手も容易であり有用な組み合わせである。
【００３１】
【実施例】本発明の一実施例について、図１及び図２を
参照して説明する。図１は本実施例による発光素子の断
面図、図２（ａ）及び（ｂ）は図１の発光素子の樹脂注
入過程図である。
【００３２】なお、受光素子の場合も同様である。ま
た、図７乃至図１０に示す従来例と同一機能部分には同
一記号を付している。
【００３３】本実施例の発光素子は図１に示すように、
金属メッキにより配線導体１が形成された樹脂製のケー
ス２の凹部２’天面に例えばシリコン系樹脂より成るコ
ーティング材８を形成する。
【００３４】ここで、シリコン系樹脂のコーティング材
８は後述する注入用の熱硬化性エポキシ樹脂６をはじく
性質を有する材料である。
【００３５】次に、ケース２の底面に例えばＧａＡｌＡ
ｓのＬＥＤチップ３をＡｇを含有する導電性エポキシ系
接着剤４で接着硬化する。その後例えばＡｕ製のワイヤ
ー５によりＬＥＤチップ３上の電極とケースの電極を接
続する。
【００３６】次に、図２（ａ）に示すように熱硬化性エ
ポキシ樹脂６を硬化収縮を見込んでケース２の容積より
約１０％多く凸型の形状に注入する。
【００３７】次に１００〜１８０℃のオーブン中で２〜
１２時間加熱することにより、エポキシ樹脂の硬化を行
う。この時、硬化時の温度上昇により一旦樹脂粘度が低
下するため樹脂６がケース２の外へ流出し易くなるが、
ケース２の凹部２’天面がエポキシ樹脂をはじくコーテ
ィング材８で覆われているため、流出が起こらず凸型の
形状を保ったまま硬化反応が進む。硬化と同時に収縮が
起こるため最終的には図２（ｂ）に示すように注入樹脂
体積が約１０％減少し、樹脂６の表面の形状が平面とな
ったＬＥＤを得る。
【００３８】図３は本発明の他の実施例による発光素子
の樹脂硬化後の断面図である。
【００３９】図３に示すように、樹脂６の注入量をケー
ス容量の１０％以上で調整することによって硬化後の樹
脂６の表面形状を凸状に盛り上げることができる。この
形状によれば表面形状が平坦時に比べて、さらに発光輝
度を向上できる。
【００４０】図４及び図５は、本発明を反射型フォトイ
ンタラプタに適用した場合の実施例を示す。
【００４１】図４は本実施例による反射型フォトインタ
ラプタの断面図、図５（ａ）及び（ｂ）は図４の反射型
フォトインタラプタの樹脂注入過程図である。
【００４２】なお、図１１及び図１２に示す従来例と同
一機能部分には同一記号を付している。
【００４３】本実施例の反射型フォトインタラプタは、
図４に示すように金属メッキにより、配線導体１１が形
成された樹脂製のケース１２の天面に例えばシリコン系
樹脂より成るコーティング材８を形成する。
【００４４】ここで、シリコン系樹脂のコーティング材
８は注入用の熱硬化性エポキシ樹脂６をはじく性質を有
する材料である。
【００４５】次に、ケース１２の底面にＧａＡｓのＬＥ
Ｄチップ１３及びＳｉのフォトトランジスタチップ１９
をＡｇを含有する導電性エポキシ系接着剤１４で接着硬
化する。その後、例えばＡｕ製のワイヤー５により、Ｌ
ＥＤチップ１３及びフォトトランジスタチップ１９上の
電極とケース１２上の電極を接続する。
【００４６】次に、図５（ａ）に示すように熱硬化性エ
ポキシ樹脂６を硬化収縮を見込んで最終的に必要な樹脂
体積より１０％程度多く凸型の形状に注入する。
【００４７】次に１００〜１８０℃のオーブン中で２〜
１２時間加熱することにより樹脂６の硬化を行う。硬化
時の温度上昇により一旦樹脂粘度が低下するため、樹脂
６がケース１２の外へ流出し易くなるが、ケース天面が
樹脂６をはじくコーティング材８で覆われているため、
流出が起こらず凸型の形状を保ったまま硬化反応が進
む。硬化と同時に収縮が起こるため最終的には注入樹脂
体積が１０％程度減少し、図５（ｂ）に示すように樹脂
表面形状が平面となったフォトインタラプタが得られ
る。
【００４８】また、図５（ｂ）に示す反射型フォトイン
タラプタにおいて、コーティング材８に遮光性の添加剤
を混入することによって、両チップ間の光リークを確実
に解消でき有用である。
【００４９】図６は本発明の他の実施例による反射型フ
ォトインタラプタの樹脂硬化後の断面図である。
【００５０】図６に示すように、樹脂６の注入量を調整
することによって硬化後の樹脂６の表面形状を凸状に盛
り上げることができる。ここで、樹脂６の盛り上りによ
る受発光チップ間の光もれを防止するために、Ｃ部のよ
うに両チップ間のしきい壁を高く形成している。
【００５１】以上の構造によれば、樹脂６の表面形状が
平坦時に比べて、発光チップ１３側の発光輝度及び受光
チップ１９側の受光量をさらに向上でき、高感度の反射
型フォトインタラプタが得られる。
【００５２】以上のように本発明による受発光素子及び
反射型フォトインタラプタにおいては、ケース２，１２
への樹脂６の注入時にケース内容量を多少越える樹脂を
注入してもケース２，１２の天面に樹脂６をはじくコー
ティング材８を塗布しているので熱硬化時に樹脂６がケ
ース外へ流出することはない。本発明によればケース内
容量の１０〜３０％を余分に注入してもケース外へ樹脂
６が流出することはない。従って熱硬化後の樹脂６の表
面を平坦または凸状にでき凹状になることを避けられ
る。
【００５３】このため、従来、発光チップ３，１３から
の放射光または受光チップ１９への外部からの入射光が
樹脂６の表面の凹レンズ効果により分散するといった事
態を解消でき発光輝度や受光量を向上できる。
【００５４】さらに、樹脂６がケース２，１２の外へ流
出することがないので、半田付用の導体端子１，１１に
樹脂６が付着することは無く良好な半田性を確保でき歩
留りを向上できる。
【００５５】また、反射型フォトインタラプタの場合、
樹脂６の流出が無いことから、発光チップ搭載用凹部１
７及び受光チップ搭載用凹部１８内の樹脂６が互いにつ
ながって発光チップ１３からの光が受光チップ１９にリ
ークするのを防止できる。
【００５６】なお、図１乃至図６に示した実施例におい
ては、樹脂６として熱硬化性エポキシ樹脂を、またコー
ティング材８としてシリコン系樹脂を使用したが、コー
ティング材８が樹脂６をはじく組み合わせであればこれ
に限るものではない。例えば、樹脂６としてシリコン系
樹脂を、またコーティング材８としてエポキシ系樹脂を
使用する組み合わせであっても良い。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光チップまたは受光チップを搭載するための凹部を有す
る樹脂ケースを有し、前記凹部を含む樹脂ケースに立体
的に金属メッキ配線を施し、前記凹部金属メッキ配線上
に前記発光チップまたは受光チップが載置、樹脂封止さ
れてなる光学装置において、硬化後の封止樹脂表面を平
坦または凸状にでき、封止樹脂表面が凹状になって光が
分散されてしまうことを防止でき、発光輝度や受光量を
向上できる。
【００５８】また、ケース外部への封止樹脂の流出を防
止できるので歩留りの向上や光リークの解消を図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による樹脂封止前の発光素子
の断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例による発
光素子の樹脂封止過程図である。
【図３】本発明の他の実施例による発光素子の断面図で
ある。
【図４】本発明の一実施例による反射型フォトインタラ
プタの断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例による反
射型フォトインタラプタの樹脂封止過程図である。
【図６】本発明の他の実施例による反射型フォトインタ
ラプタの断面図である。
【図７】（ａ）は従来例による発光素子の樹脂封止前の
平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は従来例による発光素子の樹
脂封止過程図である。
【図９】他の従来例による発光素子の樹脂封止前の断面
図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は他の従来例による発光素
子の樹脂封止過程図である。
【図１１】（ａ）は従来例による樹脂封止前の反射型フ
ォトインタラプタの平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’
線断面図である。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は従来例による反射型フォ
トインタラプタの樹脂封止過程図である。
【符号の説明】
１，１１ 金属メッキ配線 ２，１２ 樹脂ケース ２’ 凹部 ３，１３ 発光チップ ６ 封止用樹脂 ８ コーティング材 １７ 発光チップ搭載用凹部 １８ 受光チップ搭載用凹部 １９ 受光チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−274188（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−305547（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−102563（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−100678（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−201396（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−156447（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−86954（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−51242（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/12 H01L 31/02 H01L 33/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光チップまたは受光チップを搭載する
    ための凹部を有する樹脂ケースを備え、前記凹部を含む
    樹脂ケースに立体的に金属メッキ配線を施し、前記凹部
    の金属メッキ配線上に前記発光チップまたは受光チップ
    が戴置、樹脂封止されてなる光学装置において、 前記樹脂ケースの天面に、前記封止用樹脂をはじくコー
    ティング材を施してなることを特徴とする光学装置。
  2. 【請求項２】 特許請求の範囲第１項に記載の光学装置
    において、 前記封止用樹脂の表面を前記樹脂ケースの天面に対して
    平坦か、若しくはそれ以上に盛り上がるよう形成してな
    ることを特徴とする光学装置
  3. 【請求項３】 特許請求の範囲第１項、又は第２項に記
    載の光学装置において、 前記封止用樹脂にエポキシ系樹脂を、また前記コーティ
    ング材にシリコン系樹脂を使用してなることを特徴とす
    る光学装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3344006B2 (ja) * 1993-06-30 2002-11-11 松下電工株式会社 チップ付きプリント基板及びその製造方法
JP3179992B2 (ja) * 1995-01-27 2001-06-25 シャープ株式会社 光結合素子
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
JP2001196644A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体装置及びその製造方法
WO2003001612A1 (en) * 2001-06-20 2003-01-03 Nichia Corporation Semiconductor device and its fabriction method
JP2006173536A (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Nec Lighting Ltd 表面実装型ｌｅｄ及びその製造方法
TWI384659B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構
US20120045619A1 (en) * 2010-08-20 2012-02-23 Citizen Holdings Co., Ltd. Substrate provided with optical structure and optical element using the same
JP2012142410A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
JP2019165031A (ja) * 2016-06-16 2019-09-26 株式会社村田製作所 光センサおよびその製造方法
JP6850661B2 (ja) * 2017-03-31 2021-03-31 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイス
DE102020200848A1 (de) * 2020-01-24 2021-07-29 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Sensorgehäuse und Verfahren zum Vergießen eines offenen Aufnahmeraums eines Sensorgehäuses

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54100678A (en) * 1978-01-25 1979-08-08 Omron Tateisi Electronics Co Photo coupler
JPS55156447U (ja) * 1979-04-24 1980-11-11
JPS63274188A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Sharp Corp 光結合素子
JPH01305547A (ja) * 1988-06-03 1989-12-08 New Japan Radio Co Ltd 光半導体装置の製造方法
JPH02102563A (ja) * 1988-10-12 1990-04-16 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置とその製法
FR2639749B1 (fr) * 1988-11-29 1992-11-27 Cibie Projecteurs Bande eclairante souple a diodes electroluminescentes

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