TWI405226B - Equivalent series resistance adjustment method for laminated capacitors and laminated capacitors - Google Patents

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Description

層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法
本發明係有關於一種層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法。
作為此種層積電容，已知有具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、和形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容(例如參照日本特開2001－185441號公報和日本特開2004－47983號公報)。
就用以供給至搭載於數位電子機器上的中央處理裝置(CPU)的電源而言，一面朝向低電壓化進展，一面負載電流增大。因此，由於相對於負載電流的急劇變化，非常難將電源電壓的變動抑制在允許值內，故如日本特開2001－185441號公報中所記載地，將稱為去耦合電容的層積電容連接於電源上。然後，在負載電流的過渡變動時，從該層積電容提供電流至CPU，抑制電源電壓的變動。
近年來，隨著CPU的動作頻率的進一步高頻化，負載電流於高速下變得更大。因此，用於去耦合電容的層積電容，於大容量化的同時，亦要求增大等效串聯電阻(ESR)。在日本特開2004－47983號公報中記載的層積電容中，藉由使端子電極成為包含內部電阻層的多層構造，增大ESR。
但是，在日本特開2004－47983號公報記載的層積電容中，將等效串聯電阻控制成期望值時，存在如下的問題。即，在日本特開2004－47983號公報記載的層積電容中，為了將等效串聯電阻控制成期望值，必須調整包含於端子電極中的內部電阻層的厚度或該內部電阻層的材料組成，控制等效串聯電阻變得極為困難。
本發明的目的在於提供一種可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制之層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法。
再者，在一般的層積電容中，全部的內部電極皆經由引出導體連接於相對應的端子電極上。因此，僅存在內部電極數量的引出導體，等效串聯電阻變小。若為了實現層積電容的大容量化而增多介電體層和內部電極的層積數時，則引出導體的數量亦變多。由於引出導體的電阻成分相對於端子電極並聯連接，所以隨著引出導體的數量變多，層積電容的等效串聯電阻會進一步變小。如此，則與層積電容的大容量化與增大等效串聯電阻之需求相反。
因此，本發明者等，針對能滿足大容量化與增大等效串聯電阻的要求之層積電容進行銳意研究。結果，本發明者等發現如下新的事實，即：即使介電體層和內部電極的層積數相同，若能將內部電極以通孔導體連接且改變引出導體的數量，則可將等效串聯電阻調節成期望值。另外，本發明者等亦發現如下新的事實，即：若能將內部電極以通孔導體連接且改變層積體的層積方向上的引出導體的位置，則可將等效串聯電阻調節成期望值。尤其是若使引出導體的數量比內部電極的數量少，則可在增大等效串聯電阻的方向上進行調整。
依此研究結果，本發明的層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、和形成於該層積體的複數的端子電極者，且複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極，複數的端子電極至少包含3個端子電極，複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，複數的第1內部電極中的至少2個第1內部電極經由引出導體電性連接於至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下之各不相同的端子電極，複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極，且藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極上的第1內部電極和第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
另一方面，本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且令複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極，令複數的端子電極至少包含3個端子電極，且，將複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，將複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，將複數的第1內部電極中的至少2個第1內部電極經由引出導體電性連接於至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極總數至少少1個的數量以下之各不相同的端子電極，將複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極上的端子電極以外的剩餘的端子電極，且藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極和第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望值。
分別依該等本發明的層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法，藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極和第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，可將等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
本發明的層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極，複數的端子電極至少包含3個端子電極，複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，複數的第1內部電極中的至少2個第1內部電極經由引出導體電性連接於至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極總數至少少1個的數量以下之各不相同的端子電極，複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極，且藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極和第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
另一方面，本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極的層積電容之等效串聯電阻調整方法，且令複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極，令複數的端子電極至少包含3個端子電極，且，將複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，將複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，將複數的第1內部電極中的至少2個第1內部電極經由引出導體電性連接於至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極總數至少少1個的數量以下之各不相同的端子電極，將複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極和第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
分別依該等本發明的層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法，藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，可將等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
本發明的層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極，複數的端子電極至少包含3個端子電極，複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，複數的第1內部電極中的至少1個第1內部電極分別經由引出導體電性連接於至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極總數至少少1個的數量以下之端子電極，複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
另一方面，本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極的層積電容之等效串聯電阻調整方法，且令複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極，令複數的端子電極至少包含3個端子電極，且，將複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，將複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，將複數的第1內部電極中的至少1個第1內部電極分別經由引出導體電性連接於至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極總數至少少1個的數量以下之端子電極，將複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
分別依該等本發明的層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法，藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，可將等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
本發明的層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極，複數的端子電極至少包含3個端子電極，複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，複數的第1內部電極中的至少1個第1內部電極分別經由引出導體電性連接於至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極總數至少少1個的數量以下之端子電極，複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
另一方面，本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極的層積電容之等效串聯電阻調整方法，且令複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極，令複數的端子電極至少包含3個端子電極，且，將複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，將複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，將複數的第1內部電極中的至少1個第1內部電極分別經由引出導體電性連接於至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極總數至少少1個的數量以下之端子電極，將複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
分別依該等本發明的層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法，藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極上的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，可將等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
較佳的是，複數的端子電極包含2個以上的第1端子電極和2個以上的第2端子電極，複數的第1內部電極經由引出導體和通孔導體，電性連接於2個以上的第1端子電極，複數的第2內部電極經由引出導體和通孔導體，電性連接於2個以上的第2端子電極。
較佳的是，藉由分別進一步調整電性連接複數的第1內部電極彼此之間的通孔導體的數量、和電性連接複數的第2內部電極彼此之間的通孔導體的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。此時，可更進一步高精度地進行等效串聯電阻的控制。
較佳的是，複數的第1內部電極彼此之間並聯連接，複數的第2內部電極彼此之間並聯連接。此時，即使在各第1內部電極或各第2內部電極的電阻值上產生差異，對層積電容整體的等效串聯電阻的影響很小，可抑制等效串聯電阻的控制精度下降。
本發明的層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且具有電容部，該電容部包含作為複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極，第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，第1數量的第1內部電極中的1個以上、比第1數量少1個數量以下之第1內部電極經由引出導體電性連接於複數的端子電極中的各不相同的端子電極，第2數量的第2內部電極中的1個以上、比第2數量少1個數量以下之第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極中的各不相同的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
另一方面，本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極的層積電容之等效串聯電阻調整方法，且，具有電容部，該電容部包含作為複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極，且，將第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，將第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，將第1數量的第1內部電極中的1個以上、比第1數量少1個的數量以下之第1內部電極經由引出導體電性連接於複數的端子電極中的各不相同的端子電極，將第2數量的第2內部電極中的1個以上、比第2數量少1個的數量以下之第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極中的各不相同的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
分別依該等本發明的層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法，藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，可將等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
本發明的層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且具有電容部，該電容部包含作為複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極，第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，第1數量的第1內部電極中的1個以上、比第1數量少1個的數量以下之第1內部電極經由引出導體電性連接於複數的端子電極中的各不相同的端子電極上，第2數量的第2內部電極中的1個以上、比第2數量少1個的數量以下之第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極中的各不相同的端子電極上，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
另一方面，本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極的層積電容之等效串聯電阻調整方法，且具有電容部，該電容部包含作為複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極，且，將第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，將第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，將第1數量的第1內部電極中的1個以上、比第1數量少1個的數量以下之第1內部電極經由引出導體電性連接於複數的端子電極中的各不相同的端子電極，將第2數量的第2內部電極中的1個以上、比第2數量少1個的數量以下之第2內部電極經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極中的各不相同的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
分別依該等本發明的層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法，藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，可將等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
本發明的層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且具有電容部，該電容部包含作為複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極，第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，第1數量的第1內部電極中的1個以上、比第1數量少1個的數量以下之第1內部電極分別經由引出導體電性連接於複數的端子電極中的至少1個的端子電極，第2數量的第2內部電極中的1個以上、比第2數量少1個的數量以下之第2內部電極分別經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極中的至少1個的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
另一方面，本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極的層積電容之等效串聯電阻調整方法，且具有電容部，該電容部包含作為複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極，且，將第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，將第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，將第1數量的第1內部電極中的1個以上、比第1數量少1個的數量以下之第1內部電極分別經由引出導體電性連接於複數的端子電極中的至少1個的端子電極，將第2數量的第2內部電極中的1個以上、比第2數量少1個的數量以下之第2內部電極分別經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極中的至少1個的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
分別依該等本發明的層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法，藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，可將等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
本發明的層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且具有電容部，該電容部包含作為複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極，第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，第1數量的第1內部電極中的1個以上、比第1數量少1個的數量以下之第1內部電極分別經由引出導體電性連接於複數的端子電極中的至少1個的端子電極，第2數量的第2內部電極中的1個以上、比第2數量少1個的數量以下之第2內部電極分別經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極中的至少1個的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
另一方面，本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極的層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極的層積電容之等效串聯電阻調整方法，且具有電容部，該電容部包含作為複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極，且，將第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接，將第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接，將第1數量的第1內部電極中的1個以上、比第1數量少1個的數量以下之第1內部電極分別經由引出導體電性連接於複數的端子電極中的至少1個的端子電極，將第2數量的第2內部電極中的1個以上、比第2數量少1個的數量以下之第2內部電極分別經由引出導體電性連接於經由引出導體電性連接於第1內部電極的端子電極以外的剩餘的端子電極中的至少1個的端子電極，並藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
分別依該等本發明的層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法，藉由調整經由引出導體電性連接於端子電極上的第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於層積體的層積方向上的位置，可將等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
較佳的是，藉由分別進一步調整電性連接複數的第1內部電極彼此之間的通孔導體的數量、和電性連接複數的第2內部電極彼此之間的通孔導體的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。此時，可更進一步高精度地進行等效串聯電阻的控制。
較佳的是，複數的第1內部電極彼此之間並聯連接，複數的第2內部電極彼此之間並聯連接。此時，即使在各第1內部電極或各第2內部電極的電阻值上產生差異，對層積電容整體的等效串聯電阻的影響很小，可抑制等效串聯電阻的控制精度下降。
依本發明，可提供一種可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制之層積電容及層積電容之等效串聯電阻調整方法。
根據以下所述的詳細說明和僅用於說明的附圖，將進一步全面理解本發明，且本發明並不限定於此。
根據以下所述的詳細說明，將更明白本發明之應用範圍。然而，應當理解，說明本發明較佳實施形態的詳細說明和特定實施例僅用於說明，熟悉此技藝者可於本發明的精神和範圍下，根據該詳細說明進行各種變化和修正。
以下，參照附圖，詳細說明本發明的較佳實施形態。另外，於說明中，對於相同要素或具有相同功能的要素使用相同符號，省略重複說明。且，於說明中有使用「上」及「下」等詞句之情形，其係對應於各圖的上下方向。本實施形態的層積電容之記載包含本發明的層積電容之等效串聯電阻調整方法。
(第1實施形態)
參照圖1及圖2，說明第1實施形態的層積電容C1的構造。圖1係顯示第1實施形態的層積電容的立體圖。圖2係第1實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
層積電容C1如圖1所示，具備有：層積體1、形成於該層積體1的複數的(在本實施形態中為4個)第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的複數的(在本實施形態中為4個)第2端子電極5a~5d。
各第1端子電極3a、3b與各第2端子電極5a、5b位於層積體1的側面1a側。各第1端子電極3c、3d與各第2端子電極5c、5d位於層積體1的側面1b側。第1端子電極3a~3d與第2端子電極5a~5d相互電性絕緣。
層積體1亦如圖2所示，藉由交互層積複數的(在本實施形態中為25層)介電體層11~35、和複數的(在本實施形態中為各12層)第1及第2內部電極51~62、71~82而構成。在實際的層積電容C1中，係一體化至無法目視辨認介電體層11~35之間的交界的程度。
各第1內部電極51~62呈矩形形狀。第1內部電極51~62分別形成於距平行於層積體1中的介電體層11~35的層積方向(下面簡稱為「層積方向」)的側面具有預定間隔的位置。在各第1內部電極51~62中，形成有開口51a~62a，使介電體層11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33露出。於各介電體層11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33上的對應於形成於第1內部電極51~62的開口51a~62a的區域中，具有盤狀(land)的內部導體91~102。
各第2內部電極71~82呈矩形形狀。第2內部電極71~82分別形成於距平行於層積體1中的層積方向的側面具有預定間隔的位置。在各第2內部電極71~82中，形成有開口71a~82a，使介電體層12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34露出。於各介電體層12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34上的對應於形成於第2內部電極71~82的開口71a~82a的區域中，具有盤狀的內部導體111~122。
在介電體層11中的與內部導體111和內部導體91相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層11的通孔導體131a、131b。通孔導體131a電性連接於第1內部電極51。通孔導體131b電性連接於內部導體91。通孔導體131a在層積介電體層11、12的狀態下，與內部導體111電性連接。通孔導體131b在層積介電體層11、12的狀態下，與第2內部電極71電性連接。
在介電體層12中的與內部導體111和內部導體92相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層12的通孔導體132a、132b。通孔導體132a電性連接於內部導體111。通孔導體132b電性連接於第2內部電極71。通孔導體132a在層積介電體層12、13的狀態下，與第1內部電極52電性連接。通孔導體132b在層積介電體層12、13的狀態下，與內部導體92電性連接。
在介電體層13中的與內部導體112和內部導體92相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層13的通孔導體133a、133b。通孔導體133a電性連接於第1內部電極52。通孔導體133b電性連接於內部導體92。通孔導體133a在層積介電體層13、14的狀態下，與內部導體112電性連接。通孔導體133b在層積介電體層13、14的狀態下，與第2內部電極72電性連接。
在介電體層14中的與內部導體112和內部導體93相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層14的通孔導體134a、134b。通孔導體134a電性連接於內部導體112。通孔導體134b電性連接於第2內部電極72。通孔導體134a在層積介電體層14、15的狀態下，與第1內部電極53電性連接。通孔導體134b在層積介電體層14、15的狀態下，與內部導體93電性連接。
在介電體層15中的與內部導體113和內部導體93相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層15的通孔導體135a、135b。通孔導體135a電性連接於第1內部電極53。通孔導體135b電性連接於內部導體93。通孔導體135a在層積介電體層15、16的狀態下，與內部導體113電性連接。通孔導體135b在層積介電體層15、16的狀態下，與第2內部電極73電性連接。
在介電體層16中的與內部導體113和內部導體94相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層16的通孔導體136a、136b。通孔導體136a電性連接於內部導體113。通孔導體136b電性連接於第2內部電極73。通孔導體136a在層積介電體層16、17的狀態下，與第1內部電極54電性連接。通孔導體136b在層積介電體層16、17的狀態下，與內部導體94電性連接。
在介電體層17中的與內部導體114和內部導體94相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層17的通孔導體137a、137b。通孔導體137a電性連接於第1內部電極54。通孔導體137b電性連接於內部導體94。通孔導體137a在層積介電體層17、18的狀態下，與內部導體114電性連接。通孔導體137b在層積介電體層17、18的狀態下，與第2內部電極74電性連接。
在介電體層18中的與內部導體114和內部導體95相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層18的通孔導體138a、138b。通孔導體138a電性連接於內部導體114。通孔導體138b電性連接於第2內部電極74。通孔導體138a在層積介電體層18、19的狀態下，與第1內部電極55電性連接。通孔導體138b在層積介電體層18、19的狀態下，與內部導體95電性連接。
在介電體層19中的與內部導體115和內部導體95相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層19的通孔導體139a、139b。通孔導體139a電性連接於第1內部電極55。通孔導體139b電性連接於內部導體95。通孔導體139a在層積介電體層19、20的狀態下，與內部導體115電性連接。通孔導體139b在層積介電體層19、20的狀態下，與第2內部電極75電性連接。
在介電體層20中的與內部導體115和內部導體96相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層20的通孔導體140a、140b。通孔導體140a電性連接於內部導體115。通孔導體140b電性連接於第2內部電極75。通孔導體140a在層積介電體層20、21的狀態下，與第1內部電極56電性連接。通孔導體140b在層積介電體層20、21的狀態下，與內部導體96電性連接。
在介電體層21中的與內部導體116和內部導體96相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層21的通孔導體141a、141b。通孔導體141a電性連接於第1內部電極56。通孔導體141b電性連接於內部導體96。通孔導體141a在層積介電體層21、22的狀態下，與內部導體116電性連接。通孔導體141b在層積介電體層21、22的狀態下，與第2內部電極76電性連接。
在介電體層22中的與內部導體116和內部導體97相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層22的通孔導體142a、142b。通孔導體142a電性連接於內部導體116。通孔導體142b電性連接於第2內部電極76。通孔導體142a在層積介電體層22、23的狀態下，與第1內部電極57電性連接。通孔導體142b在層積介電體層22、23的狀態下，與內部導體97電性連接。
在介電體層23中的與內部導體117和內部導體97相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層23的通孔導體143a、143b。通孔導體143a電性連接於第1內部電極57。通孔導體143b電性連接於內部導體97。通孔導體143a在層積介電體層23、24的狀態下，與內部導體117電性連接。通孔導體143b在層積介電體層23、24的狀態下，與第2內部電極77電性連接。
在介電體層24中的與內部導體117和內部導體98相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層24的通孔導體144a、144b。通孔導體144a電性連接於內部導體117。通孔導體144b電性連接於第2內部電極77。通孔導體144a在層積介電體層24、25的狀態下，與第1內部電極58電性連接。通孔導體144b在層積介電體層24、25的狀態下，與內部導體98電性連接。
在介電體層25中的與內部導體118和內部導體98相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層25的通孔導體145a、145b。通孔導體145a電性連接於第1內部電極58。通孔導體145b電性連接於內部導體98。通孔導體145a在層積介電體層25、26的狀態下，與內部導體118電性連接。通孔導體145b在層積介電體層25、26的狀態下，與第2內部電極78電性連接。
在介電體層26中的與內部導體118和內部導體99相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層26的通孔導體146a、146b。通孔導體146a電性連接於內部導體118。通孔導體146b電性連接於第2內部電極78。通孔導體146a在層積介電體層26、27的狀態下，與第1內部電極59電性連接。通孔導體146b在層積介電體層26、27的狀態下，與內部導體99電性連接。
在介電體層27中的與內部導體119和內部導體99相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層27的通孔導體147a、147b。通孔導體147a電性連接於第1內部電極59。通孔導體147b電性連接於內部導體99。通孔導體147a在層積介電體層27、28的狀態下，與內部導體119電性連接。通孔導體147b在層積介電體層27、28的狀態下，與第2內部電極79電性連接。
在介電體層28中的與內部導體119和內部導體100相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層28的通孔導體148a、148b。通孔導體148a電性連接於內部導體118。通孔導體148b電性連接於第2內部電極79。通孔導體148a在層積介電體層28、29的狀態下，與第1內部電極60電性連接。通孔導體148b在層積介電體層28、29的狀態下，與內部導體100電性連接。
在介電體層29中的與內部導體120和內部導體100相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層29的通孔導體149a、149b。通孔導體149a電性連接於第1內部電極60。通孔導體149b電性連接於內部導體100。通孔導體149a在層積介電體層29、30的狀態下，與內部導體120電性連接。通孔導體149b在層積介電體層29、30的狀態下，與第2內部電極80電性連接。
在介電體層30中的與內部導體120和內部導體101相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層30的通孔導體150a、150b。通孔導體150a電性連接於內部導體119。通孔導體150b電性連接於第2內部電極80。通孔導體150a在層積介電體層30、31的狀態下，與第1內部電極61電性連接。通孔導體150b在層積介電體層30、31的狀態下，與內部導體101電性連接。
在介電體層31中的與內部導體121和內部導體101相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層31的通孔導體151a、151b。通孔導體151a電性連接於第1內部電極61。通孔導體151b電性連接於內部導體101。通孔導體151a在層積介電體層31、32的狀態下，與內部導體121電性連接。通孔導體151b在層積介電體層31、32的狀態下，與第2內部電極81電性連接。
在介電體層32中的與內部導體121和內部導體102相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層32的通孔導體152a、152b。通孔導體152a電性連接於內部導體120。通孔導體152b電性連接於第2內部電極81。通孔導體152a在層積介電體層32、33的狀態下，與第1內部電極62電性連接。通孔導體152b在層積介電體層32、33的狀態下，與內部導體102電性連接。
在介電體層33中的與內部導體122和內部導體102相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層33的通孔導體153a、153b。通孔導體153a電性連接於第1內部電極62。通孔導體153b電性連接於內部導體102。通孔導體153a在層積介電體層33、34的狀態下，與內部導體122電性連接。通孔導體153b在層積介電體層33、34的狀態下，與第2內部電極82電性連接。
通孔導體131a~153a藉由層積介電體層11~33，沿層積方向併設成大致直線狀，並藉由相互電性連接，構成通電路徑。第1內部電極51~62經由通孔導體131a~153a及內部導體111~122相互電性連接。
第1內部電極51經由引出導體171電性連接於第1端子電極3a。第1內部電極52經由引出導體172電性連接於第1端子電極3b。第1內部電極53經由引出導體173電性連接於第1端子電極3c。第1內部電極54經由引出導體174電性連接於第1端子電極3d。藉此，第1內部電極55~62亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~62並聯連接。
各引出導體171、172與對應的第1內部電極51、52一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極51、52延伸。各引出導體173、174與對應的第1內部電極53、54一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極53、54延伸。
通孔導體131b~153b亦與通孔導體131a~153a相同，藉由層積介電體層11~33，沿層積方向併設成大致直線狀，且藉由相互電性連接，構成通電路徑。第2內部電極71~82經由通孔導體131b~153b及內部導體91~102相互電性連接。
第2內部電極71經由引出導體181電性連接於第2端子電極5a。第2內部電極72經由引出導體182電性連接於第2端子電極5b。第2內部電極73經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。第2內部電極74經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。藉此，第2內部電極75~82亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~82並聯連接。各引出導體181、182與對應的第2內部電極71、72一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極71、72延伸。各引出導體183、184與對應的第2內部電極73、74一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極73、74延伸。
在層積電容C1中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~54的數量為4，比第1內部電極51~62的總數(在本實施形態中為12)少。在層積電容C1中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~74的數量為4，比第2內部電極71~82的總數(在本實施形態中為12)少。
著眼於第1端子電極3a時，通孔導體131a~153a的組合電阻(combined resistance，總電阻)成份相對於第1端子電極3a串聯連接。
著眼於第1端子電極3b時，通孔導體131a~153a的電阻成份以第1內部電極52為分界，分成比該第1內部電極52更位於層積方向的一側的通孔導體131a、132a之組合電阻成份、和比該第1內部電極52更位於層積方向的另一側的通孔導體133a~153a之組合電阻成份。通孔導體131a、132a之組合電阻成份和通孔導體133a~153a之組合電阻成份相對於第1端子電極3b並聯連接。
著眼於第1端子電極3c時，通孔導體131a~153a的電阻成份以第1內部電極53為分界，分成比該第1內部電極53更位於層積方向的一側的通孔導體131a~134a之組合電阻成份、和比該第1內部電極53更位於層積方向的另一側的通孔導體135a~153a之組合電阻成份。通孔導體131a~134a之組合電阻成份和通孔導體135a~153a之組合電阻成份相對於第1端子電極3c並聯連接。
著眼於第1端子電極3d時，通孔導體131a~153a的組合電阻成份以第1內部電極54為分界，分成比該第1內部電極54更位於層積方向的一側的通孔導體131a~136a之組合電阻成份、和比該第1內部電極54更位於層積方向的另一側的通孔導體137a~153a之組合電阻成份。通孔導體131a~136a之組合電阻成份和通孔導體137a~153a之組合電阻成份相對於第1端子電極3d並聯連接。
另一方面，著眼於第2端子電極5a時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極71為分界，分成比該第2內部電極71更位於層積方向的一側的通孔導體131b之電阻成份、和比第2內部電極71更位於層積方向的另一側的通孔導體132b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b之電阻成份和通孔導體132b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5a並聯連接。
著眼於第2端子電極5b時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極72為分界，分成比該第2內部電極71更位於層積方向的一側的通孔導體131b~133b之組合電阻成份、和比第2內部電極72更位於層積方向的另一側的通孔導體134b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~133b之組合電阻成份和通孔導體134b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5b並聯連接。
著眼於第2端子電極5c時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極73為分界，分成比該第2內部電極73更位於層積方向的一側的通孔導體131b~135b之組合電阻成份、和比第2內部電極73更位於層積方向的另一側的通孔導體136b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~135b之組合電阻成份和通孔導體136b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5c並聯連接。
著眼於第2端子電極5d時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極74為分界，分成比該第2內部電極74更位於層積方向的一側的通孔導體131b~137b之組合電阻成份、和比第2內部電極74更位於層積方向的另一側的通孔導體138b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~137b之組合電阻成份和通孔導體138b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5d並聯連接。
藉此，層積電容C1與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~54的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~74的數量，可將層積電容C1的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
另外，在本實施形態中，第1內部電極51~62彼此之間並聯連接，第2內部電極71~82彼此之間並聯連接。藉此，即使在各第1內部電極51~62或各第2內部電極71~82的電阻值上產生差異，對層積電容C1整體的等效串聯電阻的影響很小，可抑制等效串聯電阻的控制精度的下降。
(第2實施形態)
參照圖3，說明第2實施形態的層積電容的構造。第2實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖3係第2實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第2實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第2實施形態的層積電容中，如圖3所示，第1內部電極61經由引出導體173電性連接於第1端子電極3c。第1內部電極62經由引出導體174電性連接於第1端子電極3d。藉此，第1內部電極53~60亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~62並聯連接。各引出導體173、174與對應的第1內部電極61、62一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極61、62延伸。
第2內部電極81經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。第2內部電極82經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。藉此，第2內部電極73~80亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~82並聯連接。各引出導體183、184與對應的第2內部電極81、82一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極81、82延伸。
在第2實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、52、61、62的數量為4，比第1內部電極51~62的總數(在本實施形態中為12)少。在第2實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、72、81、82的數量為4，比第2內部電極71~82的總數(在本實施形態中為12)少。藉此，第2實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
再者，著眼於第1端子電極3a時，通孔導體131a~153a的組合電阻成份相對於第1端子電極3a串聯連接。
著眼於第1端子電極3b時，通孔導體131a~153a的電阻成份以第1內部電極52為分界，分成比該第1內部電極52更位於層積方向的一側的通孔導體131a、132a之組合電阻成份、和比該第1內部電極52更位於層積方向的另一側的通孔導體133a~153a之組合電阻成份。通孔導體131a、132a之電阻成份和通孔導體133a~153a之組合電阻成份相對於第1端子電極3b並聯連接。
著眼於第1端子電極3c時，通孔導體131a~153a的電阻成份以第1內部電極61為分界，分成比該第1內部電極61更位於層積方向的一側的通孔導體131a~150a之組合電阻成份、和比該第1內部電極61更位於層積方向的另一側的通孔導體151a~153a之組合電阻成份。通孔導體131a~150a之組合電阻成份和通孔導體151a~153a之組合電阻成份相對於第1端子電極3c並聯連接。
著眼於第1端子電極3d時，通孔導體131a~153a的組合電阻成份以第1內部電極62為分界，分成比該第1內部電極62更位於層積方向的一側的通孔導體131a~152a之組合電阻成份、和比該第1內部電極62更位於層積方向的另一側的通孔導體153a之電阻成份。通孔導體131a~152a之組合電阻成份和通孔導體153a之電阻成份相對於第1端子電極3d並聯連接。
另一方面，著眼於第2端子電極5a時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極71為分界，分成比該第2內部電極71更位於層積方向的一側的通孔導體131b之電阻成份、和比第2內部電極71更位於層積方向的另一側的通孔導體132b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b之電阻成份和通孔導體132b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5a並聯連接。
著眼於第2端子電極5b時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極72為分界，分成比該第2內部電極72更位於層積方向的一側的通孔導體131b~133b之組合電阻成份、和比第2內部電極72更位於層積方向的另一側的通孔導體134b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~133b之組合電阻成份和通孔導體132b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5b並聯連接。
著眼於第2端子電極5c時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極81為分界，分成比該第2內部電極81更位於層積方向的一側的通孔導體131b~151b之組合電阻成份、和比第2內部電極81更位於層積方向的另一側的通孔導體152b、153b之組合電阻成份。通孔導體131b~151b之組合電阻成份和通孔導體152b、153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5c並聯連接。
著眼於第2端子電極5d時，通孔導體131b~153b的組合電阻成份相對於第2端子電極5d串聯連接。
由於上述通孔導體131a~153a、131b~153b的電阻成份的差異，第2實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1相比，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、52、61、62在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、72、81、82在層積方向上的位置，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第3實施形態)
參照圖4，說明第3實施形態的層積電容的構造。第3實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖4係第3實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第3實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第3實施形態的層積電容中，如圖4所示，第1內部電極54經由引出導體172電性連接於第1端子電極3b。第1內部電極57經由引出導體173電性連接於第1端子電極3c。第1內部電極60經由引出導體174電性連接於第1端子電極3d。藉此，第1內部電極52、53、55、56、58、59、61、62亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~62並聯連接。引出導體172與第1內部電極54一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由第1內部電極54延伸。各引出導體173、174與對應的第1內部電極57、60一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極57、60延伸。
第2內部電極74經由引出導體182電性連接於第2端子電極5b。第2內部電極77經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。第2內部電極80經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。藉此，第2內部電極72、73、75、76、78、79、81、82亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~82並聯連接。引出導體182與第2內部電極74一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由第2內部電極74延伸。各引出導體183、184與對應的第2內部電極77、80一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極77、80延伸。
在第3實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、54、57、60的數量為4，比第1內部電極51~62的總數(在本實施形態中為12)少。在第3實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、74、77、80的數量為4，比第2內部電極71~82的總數(在本實施形態中為12)少。藉此，第3實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
再者，著眼於第1端子電極3b時，通孔導體131a~153a的電阻成份以第1內部電極54為分界，分成比該第1內部電極54更位於層積方向的一側的通孔導體131a~136a之組合電阻成份、和比該第1內部電極54更位於層積方向的另一側的通孔導體137a~153a之組合電阻成份。通孔導體131a~136a之電阻成份和通孔導體137a~153a之組合電阻成份相對於第1端子電極3b並聯連接。
著眼於第1端子電極3c時，通孔導體131a~153a的電阻成份以第1內部電極57為分界，分成比該第1內部電極57更位於層積方向的一側的通孔導體131a~142a之組合電阻成份、和比該第1內部電極57更位於層積方向的另一側的通孔導體143a~153a之組合電阻成份。通孔導體131a~142a之組合電阻成份和通孔導體143a~153a之組合電阻成份相對於第1端子電極3c並聯連接。
著眼於第1端子電極3d時，通孔導體131a~153a的電阻成份以第1內部電極60為分界，分成比該第1內部電極60更位於層積方向的一側的通孔導體131a~148a之組合電阻成份、和比該第1內部電極60更位於層積方向的另一側的通孔導體149a~153a之組合電阻成份。通孔導體131a~148a之組合電阻成份和通孔導體149a~153a之組合電阻成份相對於第1端子電極3d並聯連接。
另一方面，著眼於第2端子電極5b時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極74為分界，分成比該第2內部電極74更位於層積方向的一側的通孔導體131b~137b之組合電阻成份、和比第2內部電極74更位於層積方向的另一側的通孔導體138b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~137b之組合電阻成份和通孔導體138b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5b並聯連接。
著眼於第2端子電極5c時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極77為分界，分為比該第2內部電極77更位於層積方向的一側的通孔導體131b~143b之組合電阻成份、和比第2內部電極77更位於層積方向的另一側的通孔導體144b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~143b之組合電阻成份和通孔導體144b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5c並聯連接。
著眼於第2端子電極5d時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極80為分界，分成比該第2內部電極80更位於層積方向的一側的通孔導體131b~149b之組合電阻成份、和比第2內部電極80更位於層積方向的另一側的通孔導體150b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~149b之組合電阻成份和通孔導體150b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5d並聯連接。
由於上述通孔導體131a~153a、131b~153b的電阻成份的差異，第3實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1相比，等效串聯電阻變小。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、54、57、60在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、74、77、80在層積方向上的位置，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第4實施形態)
參照圖5，說明第4實施形態的層積電容的構造。第4實施形態的層積電容與第3實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖5係第4實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第4實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第4實施形態的層積電容中，如圖5所示，第2內部電極72經由引出導體181電性連接於第2端子電極5a。第2內部電極75經由引出導體182電性連接於第2端子電極5b。第2內部電極78經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。第2內部電極81經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。藉此，第2內部電極71、73、74、76、77、79、80、82亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~82並聯連接。各引出導體181、182與對應的第2內部電極72、75一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極72、75延伸。各引出導體183、184與對應的第2內部電極78、81一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極78、81延伸。
在第4實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、54、57、60的數量為4，比第1內部電極51~62的總數(在本實施形態中為12)少。在第4實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極72、75、78、81的數量為4，比第2內部電極71~82的總數(在本實施形態中為12)少。藉此，第4實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
再者，著眼於第2端子電極5a時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極72為分界，分成比該第2內部電極72更位於層積方向的一側的通孔導體131b~133b之組合電阻成份、和比第2內部電極72更位於層積方向的另一側的通孔導體134b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~133b之組合電阻成份和通孔導體134b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5a並聯連接。
著眼於第2端子電極5b時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極75為分界，分成比該第2內部電極75更位於層積方向的一側的通孔導體131b~139b之組合電阻成份、和比第2內部電極75更位於層積方向的另一側的通孔導體140b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~139b之組合電阻成份和通孔導體140b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5b並聯連接。
著眼於第2端子電極5c時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極78為分界，分為比該第2內部電極78更位於層積方向的一側的通孔導體131b~145b之組合電阻成份、和比第2內部電極78更位於層積方向的另一側的通孔導體146b~153b之組合電阻成份。通孔導體131b~145b之組合電阻成份和通孔導體146b~153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5c並聯連接。
著眼於第2端子電極5d時，通孔導體131b~153b的電阻成份以第2內部電極81為分界，分成比該第2內部電極81更位於層積方向的一側的通孔導體131b~151b之組合電阻成份、和比第2內部電極81更位於層積方向的另一側的通孔導體152b、153b之組合電阻成份。通孔導體131b~151b之組合電阻成份和通孔導體152b、153b之組合電阻成份相對於第2端子電極5d並聯連接。
由於上述通孔導體131a~153a、131b~153b的電阻成份的差異，第4實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1相比較，等效串聯電阻變小。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、54、57、60在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極72、75、78、81在層積方向上的位置，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第5實施形態)
參照圖6，說明第5實施形態的層積電容的構造。第5實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極的數量。圖6係第5實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第5實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第5實施形態的層積電容中，如圖6所示，第1內部電極59經由引出導體171電性連接於第1端子電極3a。第1內部電極60經由引出導體172電性連接於第1端子電極3b。第1內部電極61經由引出導體173電性連接於第1端子電極3c。第1內部電極62經由引出導體174電性連接於第1端子電極3d。藉此，第1內部電極55~58亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~62並聯連接。各引出導體171、172與對應的第1內部電極59、60一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極59、60延伸。各引出導體173、174與對應的第1內部電極61、62一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極61、62延伸。
第2內部電極79經由引出導體181電性連接於第2端子電極5a。第2內部電極80經由引出導體182電性連接於第2端子電極5b。第2內部電極81經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。第2內部電極82經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。藉此，第2內部電極75~78亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~82並聯連接。各引出導體181、182與對應的第2內部電極79、80一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極79、80延伸。各引出導體183、184與對應的第2內部電極81、82一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極81、82延伸。
在第5實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~54、59~62的數量為8，比第1內部電極51~62的總數少。在第5實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~74、79~82的數量為8，比第2內部電極71~82的總數少。藉此，第5實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
第5實施形態的層積電容與層積電容C1相比，經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~54、59~62的數量較多，該等引出導體171~174相對於對應的第1端子電極3a~3d並聯連接。又，經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~74、79~82的數量較多，該等引出導體181~184相對於對應的第2端子電極5a~5d並聯連接。因此，第5實施形態的層積電容之等效串聯電阻比層積電容C1的等效串聯電阻小。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~54、59~62的數量、和經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~74、79~82的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第6實施形態)
參照圖7，說明第6實施形態的層積電容的構造。第6實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極的數量。另外，第6實施形態的層積電容與第5實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖7係第6實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第6實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第5實施形態的層積電容中，如圖7所示，各第1內部電極53、57經由引出導體171電性連接於第1端子電極3a。各第1內部電極54、58經由引出導體172電性連接於第1端子電極3b。各第1內部電極55、59經由引出導體173電性連接於第1端子電極3c。各第1內部電極56、60經由引出導體174電性連接於第1端子電極3d。藉此，第1內部電極51、52、61、62亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~62並聯連接。各引出導體171、172與對應的第1內部電極53、54、57、58一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極53、54、57、58延伸。各引出導體173、174與對應的第1內部電極55、56、59、60一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極55、56、59、60延伸。
各第2內部電極73、77經由引出導體181電性連接於第2端子電極5a。各第2內部電極74、78經由引出導體182電性連接於第2端子電極5b。各第2內部電極75、79經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。各第2內部電極76、80經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。藉此，第2內部電極71、72、81、82亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~82並聯連接。各引出導體181、182與對應的第2內部電極73、74、77、78一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極73、74、77、78延伸。各引出導體183、184與對應的第2內部電極75、76、79、80一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極75、76、79、80延伸。
在第6實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極53~60的數量為8，比第1內部電極51~62的總數少。在第6實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極73~80的數量為8，比第2內部電極71~82的總數少。因此，第6實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比，等效串聯電阻變大。
第6實施形態的層積電容與層積電容C1相比，經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極53~60的數量較多，該等引出導體171~174相對於對應的第1端子電極3a~3d並聯連接。又，經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極73~80的數量較多，該等引出導體181~184相對於對應的第2端子電極5a~5d並聯連接。因此，第6實施形態的層積電容之等效串聯電阻比層積電容C1的等效串聯電阻小。
另外，第6實施形態的層積電容與第2~第4實施形態相同，由於通孔導體131a~153a、131b~153b的電阻成份的差異，與第5實施形態的層積電容相比較，等效串聯電阻變小。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極53~60的數量及在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極73~80的數量及在層積方向上的位置，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第7實施形態)
參照圖8，說明第7實施形態的層積電容的構造。第7實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極的數量。另外，第7實施形態的層積電容與第5實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖8係第7實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第7實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第7實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~54、57~60的數量為8，比第1內部電極51~62的總數少。在第7實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~74、77~80的數量為8，比第2內部電極71~82的總數少。因此，第7實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
第7實施形態的層積電容與層積電容C1相比，經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~54、57~60的數量較多，該等引出導體171~174相對於對應的第1端子電極3a~3d並聯連接。另外，經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~74、77~80的數量較多，該等引出導體181~184相對於對應的第2端子電極5a~5d並聯連接。因此，第7實施形態的層積電容之等效串聯電阻比層積電容C1的等效串聯電阻小。
另外，第7實施形態的層積電容與第2~第4實施形態相同，由於通孔導體131a~153a、131b~153b的電阻成份的差異，與第5實施形態的層積電容相比較，等效串聯電阻變小。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~54、57~60的數量及在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~74、77~80的數量及在層積方向上的位置，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第8實施形態)
參照圖9，說明第8實施形態的層積電容的構造。第8實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極的數量。另外，第8實施形態的層積電容與第5實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖9係第8實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第8實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第8實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、52、54、55、57、58、60、61的數量為8，比第1內部電極51~62的總數少。在第8實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、72、74、75、77、78、80、81的數量為8，比第2內部電極71~82的總數少。因此，第8實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
第8實施形態的層積電容與層積電容C1相比，經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、52、54、55、57、58、60、61的數量較多，且該等引出導體171~174相對於對應的第1端子電極3a~3d並聯連接。另外，經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、72、74、75、77、78、80、81的數量較多，且該等引出導體181~184相對於對應的第2端子電極5a~5d並聯連接。因此，第8實施形態的層積電容之等效串聯電阻比層積電容C1的等效串聯電阻小。
另外，第8實施形態的層積電容與第2~第4實施形態相同，由於通孔導體131a~153a、131b~153b的電阻成份的差異，與第5實施形態的層積電容相比較，等效串聯電阻變小。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、52、54、55、57、58、60、61的數量及在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、72、74、75、77、78、80、81的數量及在層積方向上的位置，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第9實施形態)
參照圖10，說明第9實施形態的層積電容的構造。圖10係第9實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第9實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
層積體1亦如圖10所示，藉由交互層積複數的(在本實施形態中為39層)介電體層11~49、複數的(在本實施形態中為各19層)第1和第2內部電極51~69、71~89而構成。在實際的層積電容中、係一體化至無法目視辨認介電體層11~49之間的交界的程度。
各第1內部電極51~69呈矩形形狀。第1內部電極51~69分別形成於距平行於層積體1中的介電體層11~49的層積方向(以下簡稱「層積方向」)的側面具有預定間隔的位置。在各第1內部電極51~69中、形成有開口，使介電體層11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47露出。於各介電體層11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47上的與形成於第1內部電極51~69的開口相對應的區域中，具有盤狀的內部導體91~109。
各第2內部電極71~89呈矩形形狀。第2內部電極71~89分別形成於距平行於層積體1中的層積方向的側面具有預定間隔的位置。在各第2內部電極71~89中，形成有開口，使介電體層12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46、48露出。於各介電體層12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46、48上的與形成於第2內部電極71~89的開口相對應的區域，具有盤狀的內部導體111~129。
在介電體層11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47中的與內部導體111~129相對應的位置上，形成沿厚度方向貫穿介電體層11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47的通孔導體131a、133a、135a、137a、139a、141a、143a、145a、147a、149a、151a、153a、155a、157a、159a、161a、163a、165a、167a。在介電體層11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47中的與內部導體91~109相對應的位置上，形成沿厚度方向貫穿介電體層11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47的通孔導體131b、133b、135b、137b、139b、141b、143b、145b、147b、149b、151b、153b、155b、157b、159b、161b、163b、165b、167b。通孔導體131a、133a、135a、137a、139a、141a、143a、145a、147a、149a、151a、153a、155a、157a、159a、161a、163a、165a、167a電性連接於相對應的第1內部電極51~69。通孔導體131b、133b、135b、137b、139b、141b、143b、145b、147b、149b、151b、153b、155b、157b、159b、161b、163b、165b、167b電性連接於相對應的內部導體91~109。通孔導體131a、133a、135a、137a、139a、141a、143a、145a、147a、149a、151a、153a、155a、157a、159a、161a、163a、165a、167a在層積介電體層11~48的狀態下，與對應的內部導體111~129電性連接。通孔導體131b、133b、135b、137b、139b、141b、143b、145b、147b、149b、151b、153b、155b、157b、159b、161b、163b、165b、167b在層積介電體層11~48的狀態下，與對應的第2內部電極71~89電性連接。
在介電體層12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46中的與內部導體111~129相對應的位置上，分別形成沿厚度方向貫穿介電體層12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46的通孔導體132a、134a、136a、138a、140a、142a、144a、146a、148a、150a、152a、154a、156a、158a、160a、162a、164a、166a。在介電體層12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46中的與內部導體91~109相對應的位置上，形成沿厚度方向貫穿介電體層12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46的通孔導體132b、134b、136b、138b、140b、142b、144b、146b、148b、150b、152b、154b、156b、158b、160b、162b、164b、166b。通孔導體132a、134a、136a、138a、140a、142a、144a、146a、148a、150a、152a、154a、156a、158a、160a、162a、164a、166a電性連接於對應的內部導體111~129。通孔導體132b、134b、136b、138b、140b、142b、144b、146b、148b、150b、152b、154b、156b、158b、160b、162b、164b、166b電性連接於對應的第2內部電極71~88。通孔導體132a、134a、136a、138a、140a、142a、144a、146a 、148a、150a、152a、154a、156a、158a、160a、162a、164a、166a在層積介電體層11~48的狀態下，與第1內部電極51~69電性連接。通孔導體132b、134b、136b、138b、140b、142b、144b、146b、148b、150b、152b、154b、156b、158b、160b、162b、164b、166b在層積介電體層11~48的狀態下，與內部導體92~109電性連接。
通孔導體131a~167a藉由層積介電體層11~48，沿層積方向併設成大致直線狀，且藉由相互電性連接，構成通電路徑。第1內部電極51~69經由通孔導體131a~167a和內部導體111~129相互電性連接。
第1內部電極51、55、65經由引出導體171電性連接於第1端子電極3a。第1內部電極52、56、66經由引出導體172電性連接於第1端子電極3b。第1內部電極53、59、67經由引出導體173電性連接於第1端子電極3c。第1內部電極54、61經由引出導體174電性連接於第1端子電極3d。藉此，第1內部電極57、58、60、62~64、68、69亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~69並聯連接。
各引出導體171、172與對應的第1內部電極51、55、65、52、56、66一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極51、55、65、52、56、66延伸。各引出導體173、174與對應的第1內部電極53、59、67、54、61一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極53、59、67、54、61延伸。
通孔導體131b~167b亦與通孔導體131a~167a相同地，藉由層積介電體層11~48，沿層積方向併設成大致直線狀，且藉由相互電性連接，構成通電路徑。第2內部電極71~89經由通孔導體131b~167b和內部導體91~109相互電性連接。
第2內部電極71、75、85經由引出導體181電性連接於第2端子電極5a。第2內部電極72、76、86經由引出導體182電性連接於第2端子電極5b。第2內部電極73、79、87經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。第2內部電極74、81經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。藉此，第2內部電極77、78、80、82~84、88、89亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~89並聯連接。
各引出導體181、182與對應的第2內部電極71、75、85、72、76、86一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極71、75、85、72、76、86延伸。各引出導體183、184與對應的第2內部電極73、79、87、74、81一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極73、79、87、74、81延伸。
在第9實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~56、59、61、65~67的數量為11，比第1內部電極51~69的總數(在本實施形態中為19)少。在第9實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~76、79、81、85~87的數量為11，比第2內部電極71~89的總數(在本實施形態中為19)少。藉此，第9實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比，等效串聯電阻變大。
第9實施形態的層積電容與第2~第4實施形態相同，由於通孔導體131a~167a、131b~167b的電阻成份的差異，與沿層積方向相鄰地配置經由引出導體171~174、181~184直接連接於端子電極3a~3d、5a~5d上的內部電極51~56、59、61、65~67、71~76、79、81、85~87之層積電容相比較，等效串聯電阻變小。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51~56、59、61、65~67的數量及在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71~76、79、81、85~87的數量及在層積方向上的位置，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第10實施形態)
參照圖11和圖12，說明第10實施形態的層積電容C2的構造。圖11係顯示第10實施形態的層積電容的立體圖。圖12係第10實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。第10實施形態的層積電容C2與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於第1及第2端子電極的數量。
層積電容C2如圖11所示，具備層積體1、形成於該層積體1的複數的(在本實施形態中為5個)第1端子電極3a~3e及形成於同一層積體1的複數的(在本實施形態中為5個)第2端子電極5a~5e。
第1端子電極3a位於層積體1的側面1c側。各第1端子電極3b、3c與各第2端子電極5a、5b位於層積體1的側面1a側。第2端子電極5c位於層積體1的側面1d側。各第1端子電極3d、3e與各第2端子電極5d、5e位於層積體1的側面1b側。第1端子電極3a~3e與第2端子電極5a~5e相互電性絕緣。
在層積電容C2中，如圖12所示，各第1內部電極51、58經由引出導體171電性連接於第1端子電極3a。各第1內部電極52、59經由引出導體172電性連接於第1端子電極3b。各第1內部電極53、60經由引出導體173電性連接於第1端子電極3c。各第1內部電極54、61經由引出導體174電性連接於第1端子電極3d。各第1內部電極55、62經由引出導體175電性連接於第1端子電極3e。藉此，第1內部電極56、57亦電性連接於第1端子電極3a~3e，第1內部電極51~62並聯連接。
引出導體171與第1內部電極51、58一體形成，且面臨層積體1的側面1c地由第1內部電極51、58延伸。各引出導體172、173與對應的第1內部電極52、53、59、60一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極52、53、59、60延伸。各引出導體174、175與對應的第1內部電極54、55、61、62一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極54、55、61、62延伸。
各第2內部電極71、78經由引出導體181電性連接於第2端子電極5a。各第2內部電極72、79經由引出導體182電性連接於第2端子電極5b。各第2內部電極73、80經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。各第2內部電極74、81經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。各第2內部電極75、82經由引出導體185電性連接於第2端子電極5e。藉此，第2內部電極75、76亦電性連接於第2端子電極5a~5e，第2內部電極71~82並聯連接。
各引出導體181、182與對應的第2內部電極71、72、78、79一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極71、72、78、79延伸。引出導體183與第2內部電極73、80一體形成，且面臨層積體1的側面1d地由第2內部電極73、80延伸。各引出導體184、185與對應的第2內部電極74、75、81、82一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極74、75、81、82延伸。
在第10實施形態的層積電容C2中，令經由引出導體171~175直接連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極51~55、58~62的數量為10，比第1內部電極51~62的總數(在本實施形態中為12)少。在層積電容C2中，令經由引出導體181~185直接連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極71~75、78~82的數量為10，比第2內部電極71~82的總數(在本實施形態中為12)少。藉此，層積電容C2，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~175直接連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極51~55、58~62的數量、和經由引出導體181~185直接連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極71~75、78~82的數量，可將層積電容C2的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第11實施形態)
參照圖13和圖14，說明第11實施形態的層積電容C3的構造。圖13係顯示第11實施形態的層積電容的立體圖。圖14係第11實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。第11實施形態的層積電容C3與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於第1和第2端子電極的數量。
層積電容C3如圖13所示，具備層積體1、形成於該層積體1的複數的(在本實施形態中為6個)第1端子電極3a~3f及形成於同一層積體1的複數的(在本實施形態中為6個)第2端子電極5a~5f。
第1端子電極3a與第2端子電極5a位於層積體1的側面1c側。各第1端子電極3b、3c與各第2端子電極5b、5c位於層積體1的側面1a側。第1端子電極3d與第2端子電極5d位於層積體1的側面1d側。各第1端子電極3e、3f與各第2端子電極5e、5f位於層積體1的側面1b側。第1端子電極3a~3f與第2端子電極5a~5f相互電性絕緣。
在層積電容C3中，如圖14所示，各第1內部電極51經由引出導體171電性連接於第1端子電極3a。第1內部電極52經由引出導體172電性連接於第1端子電極3b。第1內部電極53經由引出導體173電性連接於第1端子電極3c。第1內部電極60經由引出導體174電性連接於第1端子電極3d。第1內部電極61經由引出導體175電性連接於第1端子電極3e。第1內部電極62經由引出導體176電性連接於第1端子電極3f。藉此，第1內部電極54~59亦電性連接於第1端子電極3a~3f，第1內部電極51~62並聯連接。
引出導體171與第1內部電極51一體形成，且面臨層積體1的側面1c地由第1內部電極51延伸。各引出導體172、173與對應的第1內部電極52、53一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極52、53延伸。引出導體174與第1內部電極60一體形成，且面臨層積體1的側面1d地由第1內部電極60延伸。各引出導體175、176與對應的第1內部電極61、62一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極61、62延伸。
第2內部電極71經由引出導體181電性連接於第2端子電極5a。第2內部電極72經由引出導體182電性連接於第2端子電極5b。第2內部電極73經由引出導體183電性連接於第2端子電極5c。第2內部電極80經由引出導體184電性連接於第2端子電極5d。第2內部電極81經由引出導體85電性連接於第2端子電極5e。第2內部電極82經由引出導體186電性連接於第2端子電極5f。藉此，第2內部電極74~79亦電性連接於第2端子電極5a~5f，第2內部電極71~82並聯連接。
引出導體181與第2內部電極71一體形成，且面臨層積體1的側面1c地由第2內部電極71延伸。各引出導體182、183與對應的第2內部電極72、73一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極72、73延伸。引出導體184與第2內部電極80一體形成，且面臨層積體1的側面1d地由第2內部電極80延伸。各引出導體185、186與對應的第2內部電極81、82一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極81、82延伸。
在第11實施形態的層積電容C3中，令經由引出導體171~176直接連接於第1端子電極3a~3f的第1內部電極51~53、60~62的數量為6，比第1內部電極51~62的總數(在本實施形態中為12)少。在層積電容C3中，令經由引出導體181~186直接連接於第2端子電極5a~5f的第2內部電極71~73、80~82的數量為6，比第2內部電極71~82的總數(在本實施形態中為12)少。藉此，層積電容C3與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~176直接連接於第1端子電極3a~3f的第1內部電極51~53、60~62的數量、和經由引出導體181~186直接連接於第2端子電極5a~5f的第2內部電極71~73、80~82的數量，可將層積電容C3的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第12實施形態)
參照圖15和圖16，說明第12實施形態的層積電容C4的構造。圖15係顯示第12實施形態的層積電容的立體圖。圖16係第12實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第12實施形態的層積電容C4如圖15所示，具備層積體201、形成於該層積體201的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體201的第2端子電極5a~5d。各第1端子電極3a、3b和各第2端子電極5a、5b位於層積體201的側面201a側。各第1端子電極3c、3d與各第2端子電極5c、5d位於層積體201的側面201b側。
層積體201如圖16所示，包含第1~第3電容部211、221、231。第1電容部211位於第2電容部221與第3電容部231之間。
首先，說明第1電容部211的構造。第1電容部211，除了介電體層35外，具有與第1實施形態的層積電容C1的層積體1相同的構造。即，第1電容部211藉由交互層積複數的(在本實施形態中為25層)介電體層11~35、及複數的(在本實施形態中為各12層)第1和第2內部電極51~62、71~82而構成。在第1電容部211中，12個第1內部電極51~62中的4個第1內部電極51~54經由引出導體171~174電性連接於對應的第1端子電極3a~3d。又，12個第2內部電極71~82中的4個第2內部電極71~74經由引出導體181~184電性連接於對應的第2端子電極5a~5d。
以下，說明第2電容部221的構造。第2電容部221藉由交互層積複數的(在本實施形態中為5層)介電體層223、及複數的(在本實施形態中為各2層)第1和第2內部電極225、227而構成。各第1內部電極225經由引出導體226電性連接於第1端子電極3a、3b。引出導體226與各第1內部電極225一體形成，且面臨層積體201的側面201a地分別從第1內部電極225延伸。各第2內部電極227經由引出導體228電性連接於第2端子電極5a、5b。引出導體228與各第2內部電極227一體形成，且面臨層積體201的側面201a地分別從第2內部電極227延伸。
以下，說明第3電容部231的構造。第3電容部231藉由交互層積複數的(在本實施形態中為4層)介電體層233、及複數的(在本實施形態中為各2層)第1和第2內部電極235、237而構成。各第1內部電極235經由引出導體236電性連接於第1端子電極3c、3d。引出導體236與各第1內部電極235一體形成，且面臨層積體201的側面201b地分別從第1內部電極235延伸。各第2內部電極237經由引出導體238電性連接於第2端子電極5c、5d。引出導體238與各第2內部電極237一體形成，且面臨層積體201的側面201b地分別從第2內部電極237延伸。
在實際的層積電容C4中，係一體化至無法目視辨認介電體層11~35、223、233之間的交界的程度。第1電容部211的內部電極51經由端子電極3a與第2電容部221的第1內部電極225電性連接。第1電容部211的第1內部電極52經由端子電極3b與第2電容部221的第1內部電極225電性連接。第1電容部211的第1內部電極53經由端子電極3c與第3電容部231的第1內部電極235電性連接。第1電容部211的第1內部電極54經由端子電極3d與第3電容部231的第1內部電極235電性連接。第1電容部211的第2內部電極71經由端子電極5a與第2電容部221的第2內部電極227電性連接。第1電容部211的第2內部電極72經由端子電極5b與第2電容部221的第2內部電極227電性連接。第1電容部211的第2內部電極73經由端子電極5c與第3電容部231的第2內部電極237電性連接。第1電容部211的第2內部電極74經由端子電極5d與第3電容部231的第2內部電極237電性連接。
如上所述，在本實施形態中，藉由具有第1電容部211，可如第1實施形態中記載般地，將層積電容C4的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第13實施形態)
參照圖17，說明第13實施形態的層積電容的構造。第13實施形態的層積電容與第12實施形態的層積電容C4的不同之處在於第1電容部211的構造。圖17係第13實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第13實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第12實施形態的層積電容C4相同，具備層積體201、形成於該層積體201的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體201的第2端子電極5a~5d。
第1電容部211，除了介電體層35以外，具有與第2實施形態的層積電容的層積體1相同的構造。即，第1電容部211藉由交互層積複數的(在本實施形態中為25層)介電體層11~35、複數的(在本實施形態中為各12層)第1和第2內部電極51~62、71~82而構成。在第1電容部211中，12個第1內部電極51~62中的4個第1內部電極51、52、61、62經由引出導體171~174電性連接於對應的第1端子電極3a~3d。又，12個第2內部電極71~82中的4個第2內部電極71、72、81、82經由引出導體181~184電性連接於對應的第2端子電極5a~5d。
如上所述，在本實施形態中，藉由具有第1電容部211，可如第2實施形態中記載般地，將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第14實施形態)
參照圖18，說明第14實施形態的層積電容的構造。第14實施形態的層積電容與第12實施形態的層積電容C4的不同之處在於第1電容部211的構造。圖18係第14實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第14實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第12實施形態的層積電容C4相同，具備層積體201、形成於該層積體201的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體201的第2端子電極5a~5d。
第1電容部211，除了介電體層35以外，具有與第5實施形態的層積電容的層積體1相同的構造。即，第1電容部211藉由交互層積複數的(在本實施形態中為25層)介電體層11~35、及複數的(在本實施形態中為各12層)第1和第2內部電極51~62、71~82而構成。在第1電容部211中，12個第1內部電極51~62中的8個第1內部電極51~54、59~62經由引出導體171~174電性連接於對應的第1端子電極3a~3d。又，12個第2內部電極71~82中的8個第2內部電極71~74、79~82經由引出導體181~184電性連接於對應的第2端子電極5a~5d。
如上所述，在本實施形態中，藉由具有第1電容部211，可如第5實施形態中記載般地，將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第15實施形態)
參照圖19，說明第15實施形態的層積電容的構造。第15實施形態的層積電容與第12實施形態的層積電容C4的不同之處在於第1電容部211的構造。圖19係第15實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第15實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第12實施形態的層積電容C4相同，具備層積體201、形成於該層積體201的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體201的第2端子電極5a~5d。
第1電容部211，除了介電體層35以外，具有與第6實施形態的層積電容的層積體1相同的構造。即，第1電容部211藉由交互層積複數的(在本實施形態中為25層)介電體層11~35、及複數的(在本實施形態中為各12層)第1和第2內部電極51~62、71~82而構成。在第1電容部211中，12個第1內部電極51~62中的8個第1內部電極53~60經由引出導體171~174電性連接於對應的第1端子電極3a~3d。又，12個第2內部電極71~82中的8個第2內部電極73~80經由引出導體181~184電性連接於對應的第2端子電極5a~5d。
如上所述，在本實施形態中，藉由具有第1電容部211，可如第6實施形態中記載般地，將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
亦可採用與第3、第4及第7~第11實施形態的層積電容之層積體1相同的構造(但，除了介電體層35、49以外)作為第1電容部211的構造。
(第16實施形態)
參照圖20，說明第16實施形態的層積電容的構造。第16實施形態的層積電容與第1實施形態的層積電容C1的不同之處在於層積體1的構造。圖20係第16實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第16實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
層積體1，亦如圖20所示，藉由交互層積複數的(在本實施形態中為11層)介電體層11~20、35、及複數的(在本實施形態中為各5層)第1和第2內部電極51~55、71~75而構成。在實際的層積電容中，係一體化至無法目視辨認介電體層11~20、35之間的交界的程度。
第1內部電極51、55經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d。藉此，第1內部電極52~54亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~55並聯連接。各引出導體171、172與第1內部電極51、55一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極51、55延伸。各引出導體173、174亦與第1內部電極51、55一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極51、55延伸。
第2內部電極71、75經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d。藉此，第2內部電極72~74亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~75並聯連接。各引出導體181、182與第2內部電極71、75一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極71、75延伸。各引出導體183、184亦與第2內部電極71、75一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極71、75延伸。
在第16實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、55的數量為2，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第16實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、75的數量為2個，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第16實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、55的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、75的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
另外，在本實施形態中，第1內部電極51~55彼此之間並聯連接，第2內部電極71~75彼此之間並聯連接。藉此，即使在各第1內部電極51~55或各第2內部電極71~75的電阻值上產生差異，對層積電容整體的等效串聯電阻的影響很小，可抑制等效串聯電阻的控制精度的下降。
(第17實施形態)
參照圖21，說明第17實施形態的層積電容的構造。第17實施形態的層積電容與第16實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖21係第17實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第17實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
第1內部電極52經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d。藉此，第1內部電極53~55亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~55並聯連接。各引出導體171、172與第1內部電極52一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由第1內部電極52延伸。各引出導體173、174亦與第1內部電極52一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由第1內部電極52延伸。
第2內部電極72經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d。藉此，第2內部電極73~75亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~75並聯連接。各引出導體181、182與第2內部電極72一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由第2內部電極72延伸。各引出導體183、184亦與第2內部電極72一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由第2內部電極72延伸。
在第17實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、52的數量為2，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第17實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、72的數量為2個，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第17實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、52的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極71、72的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第18實施形態)
參照圖22，說明第18實施形態的層積電容的構造。第18實施形態的層積電容與第16實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖22係第18實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第18實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
第1內部電極53、54經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d。藉此，第1內部電極51、52、55亦電性連接於第1端子電極3a~3d，第1內部電極51~55並聯連接。各引出導體171、172與第1內部電極53、54一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極53、54延伸。各引出導體173、174亦與第1內部電極53、54一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由第1內部電極53、54延伸。
第2內部電極73、74經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d。藉此，第2內部電極71、72、75亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~75並聯連接。各引出導體181、182與第2內部電極73、74一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極73、74延伸。各引出導體183、184亦與第2內部電極73、74一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極73、74延伸。
在第18實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極53、54的數量為2，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第18實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極73、74的數量為2個，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第18實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極53、54的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極73、74的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第19實施形態)
參照圖23，說明第19實施形態的層積電容的構造。第19實施形態的層積電容與第16實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極在層積方向上的位置。圖23係第19實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第19實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
第2內部電極72經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d。藉此，第2內部電極71、73、74亦電性連接於第2端子電極5a~5d，第2內部電極71~75並聯連接。各引出導體181、182與第2內部電極72一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由第2內部電極72延伸。各引出導體183、184亦與第2內部電極72一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由第2內部電極72延伸。
在第19實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、55的數量為2，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第19實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極72、75的數量為2個，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第19實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51、55的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極72、75的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第20實施形態)
參照圖24，說明第20實施形態的層積電容的構造。第20實施形態的層積電容與第16實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極的數量。圖24係第20實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第20實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第20實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51的數量為1，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第20實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極75的數量為1，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第20實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極51的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極75的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第21實施形態)
參照圖25，說明第2實施形態的層積電容的構造。第21實施形態的層積電容與第16實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極的數量及在層積方向上的位置、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極的數量及在層積方向上的位置。圖25係第21實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第21實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第1實施形態的層積電容C1相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5d。
在第21實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~174直接連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極54的數量為1，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第21實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~184直接連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極72的數量為1，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第21實施形態的層積電容與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~174電性連接於第1端子電極3a~3d的第1內部電極54的數量、和經由引出導體181~184電性連接於第2端子電極5a~5d的第2內部電極72的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第22實施形態)
參照圖26，說明第22實施形態的層積電容的構造。第22實施形態的層積電容與第10實施形態的層積電容C2的不同之處在於層積體1的構造。圖26係第22實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第22實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第10實施形態的層積電容C2相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3e及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5e。
層積體1亦如圖26所示，藉由交互層積複數的(在本實施形態中為11層)介電體層11~20、35、及複數的(在本實施形態中為各5層)第1和第2內部電極51~55、71~75而構成。在實際的層積電容中，係一體化至無法目視辨認介電體層11~20、35之間的交界的程度。
第1內部電極51、55經由引出導體171~175電性連接於第1端子電極3a~3e。藉此，第1內部電極52~54亦電性連接於第1端子電極3a~3e，第1內部電極51~55並聯連接。引出導體171與第1內部電極51、55一體形成，且面臨層積體1的側面1c地由各第1內部電極51、55延伸。各引出導體172、173亦與第1內部電極51、55一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第1內部電極51、55延伸。各引出導體174、175亦與第1內部電極51、55一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第1內部電極51、55延伸。
第2內部電極71、75經由引出導體181~185電性連接於第2端子電極5a~5e。藉此，第2內部電極72~74亦電性連接於第2端子電極5a~5e，第2內部電極71~75並聯連接。各引出導體181、182與第2內部電極71、75一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由各第2內部電極71、75延伸。引出導體183亦與第2內部電極71、75一體形成，且面臨層積體1的側面1d地由各第2內部電極71、75延伸。各引出導體184、185亦與第2內部電極71、75一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由各第2內部電極71、75延伸。
在第22實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~175直接連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極51、55的數量為2，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第22實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~185直接連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極71、75的數量為2，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第22實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~175電性連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極51、55的數量、和經由引出導體181~185電性連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極71、75的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第23實施形態)
參照圖27，說明第23實施形態的層積電容的構造。第23實施形態的層積電容與第22實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~175電性連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極在層積方向上的位置、和經由引出導體181~185電性連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極在層積方向上的位置。圖27係第23實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第23實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第10實施形態的層積電容C2相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3e及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5e。
第1內部電極52經由引出導體171~175電性連接於第1端子電極3a~3e。藉此，第1內部電極53~55亦電性連接於第1端子電極3a~3e，第1內部電極51~55並聯連接。引出導體171與第1內部電極52一體形成，且面臨層積體1的側面1c地由第1內部電極52延伸。各引出導體172、173亦與第1內部電極52一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由第1內部電極52延伸。各引出導體174、175亦與第1內部電極52一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由第1內部電極52延伸。
第2內部電極72經由引出導體181~185電性連接於第2端子電極5a~5e。藉此，第2內部電極73~75亦電性連接於第2端子電極5a~5e，第2內部電極71~75並聯連接。各引出導體181、182與第2內部電極72一體形成，且面臨層積體1的側面1a地由第2內部電極72延伸。引出導體183亦與第2內部電極72一體形成，且面臨層積體1的側面1d地由第2內部電極72延伸。各引出導體184、185亦與第2內部電極72一體形成，且面臨層積體1的側面1b地由第2內部電極72延伸。
在第23實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~175直接連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極51、52的數量為2，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第23實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~185直接連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極71、72的數量為2個，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第23實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~175電性連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極51、52的數量、和經由引出導體181~185電性連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極71、72的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第24實施形態)
參照圖28，說明第24實施形態的層積電容的構造。第24實施形態的層積電容與第22實施形態的層積電容的不同之處在於：經由引出導體171~175電性連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極的數量及在層積方向上的位置、和經由引出導體181~185電性連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極的數量及在層積方向上的位置。圖28係第24實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第24實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第10實施形態的層積電容C2相同，具備層積體1、形成於該層積體1的第1端子電極3a~3e及形成於同一層積體1的第2端子電極5a~5e。
在第24實施形態的層積電容中，令經由引出導體171~175直接連接於第1端子電極3a~3e上的第1內部電極54的數量為1，比第1內部電極51~55的總數(在本實施形態中為5個)少。在第24實施形態的層積電容中，令經由引出導體181~185直接連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極72的數量為1個，比第2內部電極71~75的總數(在本實施形態中為5個)少。藉此，第24實施形態的層積電容，與全部的內部電極皆經由引出導體連接於對應的端子電極之過去的層積電容相比較，等效串聯電阻變大。
如上所述，依本實施形態，藉由分別調整經由引出導體171~175電性連接於第1端子電極3a~3e的第1內部電極54的數量、和經由引出導體181~185電性連接於第2端子電極5a~5e的第2內部電極72的數量，可將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第25實施形態)
參照圖29，說明第25實施形態的層積電容的構造。第25實施形態的層積電容與第12實施形態的層積電容C4的不同之處在於層積體201的構造。圖29係第25實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第25實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第12實施形態的層積電容C4相同，具備包含第1~第3電容部211、221、231的層積體201、形成於該層積體201的第1端子電極3a~3d和形成於同一層積體201的第2端子電極5a~5d。
首先，說明第1電容部211的構造。第1電容部211，除了介電體層35外，具有與第16實施形態的層積電容中的層積體1相同的構造。即，第1電容部221藉由交互層積複數的(在本實施形態中為11層)介電體層11~20、35、及複數的(在本實施形態中為各5層)第1和第2內部電極51~55、71~75而構成。在第1電容部211中，5個第1內部電極51~55中的2個第1內部電極51、55經由引出導體171~174電性連接於對應的第1端子電極3a~3d。另外，5個第2內部電極71~75中的2個第2內部電極71、75經由引出導體181~184電性連接於對應的第2端子電極5a~5d。
以下，說明第2電容部221的構造。第2電容部221藉由交互層積複數的(在本實施形態中為5層)介電體層223、及複數的(在本實施形態中為各2層)第1和第2內部電極225、227而構成。各第1內部電極225經由引出導體226電性連接於第1端子電極3a~3d。引出導體226與各第1內部電極225一體形成，且面臨層積體201的側面201a、201b地分別從第1內部電極225延伸。各第2內部電極227經由引出導體228電性連接於第2端子電極5a~5d。引出導體228與各第2內部電極227一體形成，且面臨層積體201的側面201a、201b地分別從第2內部電極227延伸。
以下，說明第3電容部231的構造。第3電容部231藉由交互層積複數的(在本實施形態中為4層)介電體層233、及複數的(在本實施形態中為各2層)第1和第2內部電極235、237而構成。各第1內部電極235經由引出導體236電性連接於第1端子電極3a~3d。引出導體236與各第1內部電極235一體形成，且面臨層積體201的側面201a、201b地分別從第1內部電極235延伸。各第2內部電極237經由引出導體238電性連接於第2端子電極5a~5d。引出導體238與各第2內部電極237一體形成，且面臨層積體201的側面201a、201b地分別從第2內部電極237延伸。
第1電容部211的內部電極51、55經由端子電極3a~3d與第2電容部221的第1內部電極225及第3電容部231的第1內部電極235電性連接。第1電容部211的第2內部電極71經由端子電極5a~5d與第2電容部221的第2內部電極227及第3電容部231的第2內部電極237電性連接。
如上所述，在本實施形態中，藉由具有第1電容部211，可如第16實施形態中記載般地，將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第26實施形態)
參照圖30，說明第26實施形態的層積電容的構造。第26實施形態的層積電容與第25實施形態的層積電容的不同之處在於第1電容部211的構造。圖30係第26實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第26實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第12實施形態的層積電容C4相同，具備層積體201、形成於該層積體201的第1端子電極3a~3d和形成於同一層積體201的第2端子電極5a~5d。
第1電容部211，除了介電體層35外，具有與第17實施形態的層積電容中的層積體1相同的構造。即，第1電容部211藉由交互層積複數的(在本實施形態中為11層)介電體層11~20、35、及複數的(在本實施形態中為各5層)第1和第2內部電極51~55、71~75而構成。在第1電容部211中，5個第1內部電極51~55中的2個第1內部電極51、52經由引出導體171~174電性連接於對應的第1端子電極3a~3d。另外，5個第2內部電極71~75中的2個第2內部電極71、72經由引出導體181~184電性連接於對應的第2端子電極5a~5d。
如上所述，在本實施形態中，藉由具有第1電容部211，可如第17實施形態中記載般地，將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值，所以可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
(第27實施形態)
參照圖31，說明第27實施形態的層積電容的構造。第27實施形態的層積電容與第25實施形態的層積電容的不同之處在於第1電容部211的構造。圖31係第27實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
第27實施形態的層積電容，省略其圖示，但與第12實施形態的層積電容C4相同，具備層積體201、形成於該層積體201的第1端子電極3a~3d及形成於同一層積體201的第2端子電極5a~5d。
第1電容部211，除了介電體層35外，具有與第20實施形態的層積電容中的層積體1相同的構造。即，第1電容部211藉由交互層積複數的(在本實施形態中為11層)介電體層11~20、35、及複數的(在本實施形態中為各5層)第1和第2內部電極51~55、71~75而構成。在第1電容部211中，5個第1內部電極51~55中的1個第1內部電極51經由引出導體171~174電性連接於對應的第1端子電極3a~3d。另外，5個第2內部電極71~75中的1個第2內部電極75經由引出導體181~184電性連接於對應的第2端子電極5a~5d。
如上所述，在本實施形態中，藉由具有第1電容部211，可如第20實施形態中記載般地，將層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
亦可採用與第18、第19和第21實施形態的層積電容之層積體1相同的構造(但，除介電體層35外)作為第1電容部211的構造。另外，亦可增加端子電極的數量，採用與第22~第24實施形態的層積電容之層積體1相同的構造(但，除介電體層35外)作為第1電容部211的構造。
在第1~第27實施形態中，藉由調整經由引出導體171~176、181~186直接連接於端子電極3a~3f、5a~5f的內部電極的數量及在層積方向上的位置中的至少一者，將各層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。結果，可輕易且高精度地進行等效串聯電阻的控制。
上述第1內部電極51~69的數量的調整可在1個以上、比第1內部電極51~69的總數少1個的數量以下之範圍內進行。上述第2內部電極71~89的數量的調整可在1個以上、比第2內部電極71~89的總數少1個的數量以下之範圍內進行。經由引出導體171~176直接連接於端子電極3a~3f的第1內部電極的數量、與經由引出導體181~186直接連接於端子電極5a~5f的第2內部電極的數量亦可不同。
另外，亦可調整通孔導體131a~167a、131b~167b的數量，將各層積電容的等效串聯電阻設定成期望的值。此時，可更高精度地進行各層積電容的等效串聯電阻的控制。
圖32係顯示調整通孔導體的數量的一例。在圖32所示的層積電容的層積體中，藉由將第2實施形態的層積電容中的通孔導體131a~153a、131b~153b的數量分別設定成2，將等效串聯電阻設定成期望的值。因此，第1內部電極51~62彼此之間經由2個通電路徑電性連接，第2內部電極71~82彼此之間亦經由2個通電路徑電性連接。亦可將第2實施形態的層積電容以外的第1及第3~第27實施形態的層積電容中的通孔導體131a~167a、131b~167b分別設定成複數個。
以上，詳細說明本發明之較佳實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態及變形例。例如，介電體層11~49、223、233的層積數量及第1和第2內部電極51~69、225、235、71~89、227、237的層積數量並不限於上述實施形態中記載的數量。端子電極3a~3f、5a~5f的數量亦不限於上述實施形態中記載的數量。經由引出導體171~176、181~186直接連接於端子電極3a~3f、5a~5f的內部電極的數量和在層積方向上的位置不限於上述實施形態中記載的數量和位置。另外，第1電容部211的數量和在層積方向上的位置亦不限於上述實施形態中記載的數量和位置。
依本發明的描述，可明白可對本發明進行各種變更。該等變更並不脫離本發明的精神和範圍，並可明白熟悉此技藝者所做的各種變更係包含於以下申請專利範圍之範圍內。
C1~C4．．．層積電容
1．．．層積體
1a~1d．．．側面
3a~3f．．．第1端子電極
5a~5f．．．第2端子電極
11~49．．．介電體層
51~69．．．第1內部電極
51a~62a．．．開口
71~89．．．第2內部電極
71a~82a．．．開口
91~109．．．內部導體
111~129．．．內部導體
131a~167a．．．通孔導體
131b~167b．．．通孔導體
171~176．．．引出導體
181~186．．．引出導體
201．．．層積體
201a．．．側面
201b．．．側面
211．．．第1電容部
221．．．第2電容部
223．．．介電體層
225．．．第1內部電極
226．．．引出導體
227．．．第2內部電極
228．．．引出導體
231．．．第3電容部
233．．．介電體層
235．．．第1內部電極
236．．．引出導體
237．．．第2內部電極
238．．．引出導體
圖1係顯示第1實施形態的層積電容的立體圖。
圖2係第1實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖3係第2實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖4係第3實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖5係第4實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖6係第5實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖7係第6實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖8係第7實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖9係第8實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖10係第9實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖11係顯示第10實施形態的層積電容的立體圖。
圖12係第10實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖13係顯示第11實施形態的層積電容的立體圖。
圖14係第11實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖15係顯示第12實施形態的層積電容的立體圖。
圖16係第12實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖17係第13實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖18係第14實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖19係第15實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖20係第16實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖21係第17實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖22係第18實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖23係第19實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖24係第20實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖25係第21實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖26係第22實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖27係第23實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖28係第24實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖29係第25實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖30係第26實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖31係第27實施形態的層積電容中的層積體的分解立體圖。
圖32係第2實施形態的層積電容中的層積體的變形例的分解立體圖。
1．．．層積體
11~35．．．介電體層
51~62．．．第1內部電極
51a~62a．．．開口
71~82．．．第2內部電極
71a~82a．．．開口
91~102．．．內部導體
111~122．．．內部導體
131a~153a．．．通孔導體
131b~153b．．．通孔導體
171~174．．．引出導體
181~184．．．引出導體

Claims (25)

  1. 一種層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且前述複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極；前述複數的端子電極至少包含3個端子電極；前述複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述複數的第1內部電極中的至少2個第1內部電極經由引出導體電性連接於前述至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下的各不相同的端子電極；前述複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極；由將前述複數的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體所構成之通電路徑僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極； 由將前述複數的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體所構成之通電路徑僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  2. 一種層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且前述複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極；前述複數的端子電極至少包含3個端子電極；前述複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述複數的第1內部電極中的至少2個第1內部電極經由引出導體電性連接於前述至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下的各不相同的端子電極；前述複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前 述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極；由將前述複數的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體所構成之通電路徑僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；由將前述複數的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體所構成之通電路徑僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極於前述層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  3. 一種層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且前述複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極；前述複數的端子電極至少包含3個端子電極；前述複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接； 前述複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述複數的第1內部電極中的至少1個第1內部電極分別經由引出導體電性連接於前述至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下的端子電極；前述複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極；由將前述複數的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體所構成之通電路徑僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；由將前述複數的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體所構成之通電路徑僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  4. 一種層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數 的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且前述複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極；前述複數的端子電極至少包含3個端子電極；前述複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述複數的第1內部電極中的至少1個第1內部電極分別經由引出導體電性連接於前述至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下的端子電極；前述複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極；由將前述複數的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體所構成之通電路徑僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；由將前述複數的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體所構成的通電路徑僅經由前述第2內部電極及前 述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極於前述層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  5. 如請求項1~4中任一項之層積電容，其中前述複數的端子電極包含2個以上的第1端子電極與2個以上的第2端子電極；前述複數的第1內部電極經由前述引出導體及前述通孔導體電性連接於前述2個以上的第1端子電極；前述複數的第2內部電極經由前述引出導體及前述通孔導體電性連接於前述2個以上的第2端子電極。
  6. 如請求項1~4中任一項之層積電容，其中藉由分別進一步調整將前述複數的第1內部電極彼此之間電性連接的前述通孔導體的數量、及將前述複數的第2內部電極彼此之間電性連接的前述通孔導體的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  7. 如請求項1~4中任一項之層積電容，其中前述複數的第1內部電極彼此之間並聯連接，且前述複數的第2內部電極彼此之間並聯連接。
  8. 如請求項1~4中任一項之層積電容，其中前述複數的第1內部電極包含經由前述引出導體直接連接於前述端子電 極之複數的第1內部電極、及經由前述通孔導體連接於前述端子電極之複數的第1內部電極；前述複數的第2內部電極包含經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之複數的第2內部電極、及經由前述通孔導體連接於前述端子電極之複數的第2內部電極；於前述層積體之層積方向觀察，經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之前述複數的第1及第2內部電極係配置於經由前述通孔導體連接於前述端子電極之前述複數的第1及第2內部電極的兩側。
  9. 一種層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且具有電容部，該電容部包含作為前述複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極；前述第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述第1數量的第1內部電極中的1個以上、比前述第1數量少1個的數量以下的第1內部電極，經由引出導體電性連接於前述複數的端子電極中的各不相同的端子電極； 前述第2數量的第2內部電極中的1個以上、比前述第2數量少1個的數量以下的第2內部電極，經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極中的各不相同的端子電極；將前述第1數量的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述第2數量的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  10. 一種層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且具有電容部，該電容部包含作為前述複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極； 前述第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述第1數量的第1內部電極中的1個以上、比前述第1數量少1個的數量以下的第1內部電極，經由引出導體電性連接於前述複數的端子電極中的各不相同的端子電極；前述第2數量的第2內部電極中的1個以上、比前述第2數量少1個的數量以下的第2內部電極，經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極中的各不相同的端子電極；將前述第1數量的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述第2數量的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極 的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極於前述層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  11. 一種層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且具有電容部，該電容部包含作為前述複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極；前述第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述第1數量的第1內部電極中的1個以上、比前述第1數量少1個的數量以下的第1內部電極，分別經由引出導體電性連接於前述複數的端子電極中的至少1個端子電極；前述第2數量的第2內部電極中的1個以上、比前述第2數量少1個的數量以下的第2內部電極，分別經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極中的至少1個端子電極；將前述第1數量的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連 接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述第2數量的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  12. 一種層積電容，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極者，且具有電容部，該電容部包含作為前述複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極；前述第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；前述第1數量的第1內部電極中的1個以上、比前述第1數量少1個的數量以下的第1內部電極，分別經由引出導體電性連接於前述複數的端子電極中的至少1個端子電 極；前述第2數量的第2內部電極中的1個以上、比前述第2數量少1個的數量以下的第2內部電極，分別經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極中的至少1個端子電極；將前述第1數量的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述第2數量的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極於前述層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  13. 如請求項9~12中任一項之層積電容，其中藉由分別進一步調整將前述第1數量的第1內部電極彼此之間電性連接之前述通孔導體的數量、及將前述第2數量的第2內部電極彼此之間電性連接之前述通孔導體的數量，將等效串 聯電阻設定成期望的值。
  14. 如請求項9~12中任一項之層積電容，其中前述第1數量的第1內部電極彼此之間並聯連接，且前述第2數量的第2內部電極彼此之間並聯連接。
  15. 如請求項9~12中任一項之層積電容，其中前述第1數量的第1內部電極包含經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之複數的第1內部電極、及經由前述通孔導體連接於前述端子電極之複數的第1內部電極；前述第2數量的第2內部電極包含經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之複數的第2內部電極、及經由前述通孔導體連接於前述端子電極之複數的第2內部電極；於前述層積體之層積方向觀察，經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之前述複數的第1及第2內部電極係配置於經由前述通孔導體連接於前述端子電極之前述複數的第1及第2內部電極之兩側。
  16. 一種層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且令前述複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極；令前述複數的端子電極至少包含3個端子電極；將前述複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連 接；將前述複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述複數的第1內部電極中的至少2個第1內部電極經由引出導體電性連接於前述至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下的各不相同的端子電極；將前述複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極；將前述複數的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述複數的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  17. 一種層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且令前述複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極；令前述複數的端子電極至少包含3個端子電極；將前述複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述複數的第1內部電極中的至少2個第1內部電極經由引出導體電性連接於前述至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下的各不相同的端子電極；將前述複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極；將前述複數的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極； 將前述複數的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極於前述層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  18. 一種層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且令前述複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極；令前述複數的端子電極至少包含3個端子電極；將前述複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述複數的第1內部電極中的至少1個第1內部電極分別經由引出導體電性連接於前述至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下的端子電極； 將前述複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極；將前述複數的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述複數的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  19. 一種層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且令前述複數的內部電極包含交互配置的複數的第1內部電極與複數的第2內部電極；令前述複數的端子電極至少包含3個端子電極； 將前述複數的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述複數的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述複數的第1內部電極中的至少1個第1內部電極分別經由引出導體電性連接於前述至少3個端子電極中的2個以上、比該端子電極的總數至少少1個的數量以下的端子電極；將前述複數的第2內部電極中的至少1個第2內部電極經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極；將前述複數的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述複數的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部 電極於前述層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  20. 如請求項16~19中任一項之層積電容之等效串聯電阻調整方法，其中前述複數的第1內部電極包含經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之複數的第1內部電極、及經由前述通孔導體連接於前述端子電極之複數的第1內部電極；前述複數的第2內部電極包含經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之複數的第2內部電極、及經由前述通孔導體連接於前述端子電極之複數的第2內部電極；於前述層積體的層積方向觀察，經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之前述複數的第1及第2內部電極係配置於經由前述通孔導體連接於前述端子電極之前述複數的第1及第2內部電極的兩側。
  21. 一種層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且具有電容部，該電容部包含作為前述複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極；將前述第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接； 將前述第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述第1數量的第1內部電極中的1個以上、比前述第1數量少1個的數量以下的第1內部電極，經由引出導體電性連接於前述複數的端子電極中的各不相同的端子電極；將前述第2數量的第2內部電極中的1個以上、比前述第2數量少1個的數量以下的第2內部電極，經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極中的各不相同的端子電極；將前述第1數量的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述第2數量的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  22. 一種層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且具有電容部，該電容部包含作為前述複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極；將前述第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述第1數量的第1內部電極中的1個以上、比前述第1數量少1個的數量以下的第1內部電極，經由引出導體電性連接於前述複數的端子電極中的各不相同的端子電極；將前述第2數量的第2內部電極中的1個以上、比前述第2數量少1個的數量以下的第2內部電極，經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極中的各不相同的端子電極；將前述第1數量的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電 極電性連接於前述端子電極；將前述第2數量的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極於前述層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  23. 一種層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且具有電容部，該電容部包含作為前述複數的內部電極的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極；將前述第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述第1數量的第1內部電極中的1個以上、比前述第1數量少1個的數量以下的第1內部電極，分別經由引出導體電性連接於前述複數的端子電極中的至少1個端 子電極；將前述第2數量的第2內部電極中的1個以上、比前述第2數量少1個的數量以下的第2內部電極，分別經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極中的至少1個端子電極；將前述第1數量的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述第2數量的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及第2內部電極中的至少一者的內部電極的數量，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  24. 一種層積電容之等效串聯電阻調整方法，係具備交互層積複數的介電體層與複數的內部電極之層積體、及形成於該層積體的複數的端子電極之層積電容之等效串聯電阻調整方法，且具有電容部，該電容部包含作為前述複數的內部電極 的交互配置的第1數量的第1內部電極與第2數量的第2內部電極；將前述第1數量的第1內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述第2數量的第2內部電極經由通孔導體相互電性連接；將前述第1數量的第1內部電極中的1個以上、比前述第1數量少1個的數量以下的第1內部電極，分別經由引出導體電性連接於前述複數的端子電極中的至少1個端子電極；將前述第2數量的第2內部電極中的1個以上、比前述第2數量少1個的數量以下的第2內部電極，分別經由引出導體電性連接於經由前述引出導體電性連接於前述第1內部電極的前述端子電極以外的剩餘的端子電極中的至少1個端子電極；將前述第1數量的第1內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第1內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第1內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第1內部電極電性連接於前述端子電極；將前述第2數量的第2內部電極相互電性連接之前述通孔導體僅經由前述第2內部電極及前述引出導體電性連接於前述端子電極，該第2內部電極經由前述引出導體電性連接於前述端子電極，該引出導體將該第2內部電 極電性連接於前述端子電極；藉由調整經由前述引出導體電性連接於前述端子電極的前述第1內部電極及前述第2內部電極中的至少一者的內部電極於前述層積體的層積方向上的位置，將等效串聯電阻設定成期望的值。
  25. 如請求項21~24中任一項之層積電容之等效串聯電阻調整方法，其中前述第1數量的第1內部電極包含經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之複數的第1內部電極、及經由前述通孔導體連接於前述端子電極之複數的第1內部電極；前述第2數量的第2內部電極包含經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之複數的第2內部電極、及經由前述通孔導體連接於前述端子電極之複數的第2內部電極；於前述層積體的層積方向觀察，經由前述引出導體直接連接於前述端子電極之前述複數的第1及第2內部電極係配置於經由前述通孔導體連接於前述端子電極之前述複數的第1及第2內部電極的兩側。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4167231B2 (ja) * 2005-01-13 2008-10-15 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサ、及び、積層コンデンサの等価直列抵抗調整方法
US7414857B2 (en) 2005-10-31 2008-08-19 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
US7697262B2 (en) 2005-10-31 2010-04-13 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
JP5268276B2 (ja) * 2006-05-22 2013-08-21 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよびその実装構造
JP4335237B2 (ja) * 2006-07-21 2009-09-30 Ｔｄｋ株式会社 貫通型積層コンデンサ
US20080165468A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Avx Corporation Very low profile multilayer components
US8238116B2 (en) 2007-04-13 2012-08-07 Avx Corporation Land grid feedthrough low ESL technology
KR100905879B1 (ko) * 2007-09-28 2009-07-03 삼성전기주식회사 적층형 캐패시터
KR100925603B1 (ko) * 2007-09-28 2009-11-06 삼성전기주식회사 적층형 캐패시터
US8446705B2 (en) * 2008-08-18 2013-05-21 Avx Corporation Ultra broadband capacitor
US20100188799A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Avx Corporation Controlled esr low inductance capacitor
KR101141328B1 (ko) * 2009-03-17 2012-05-03 삼성전기주식회사 적층형 칩 캐패시터, 적층형 칩 캐패시터 어셈블리 및 그 제조방법
EP3206581B1 (en) 2014-10-14 2018-09-19 Becton, Dickinson and Company Blood sample management using open cell foam
KR102319596B1 (ko) * 2017-04-11 2021-11-02 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR102126414B1 (ko) * 2018-10-05 2020-06-24 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164256A (ja) * 2000-11-22 2002-06-07 Tdk Corp 積層型電子部品
JP2004031926A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ、その製造方法、並びに、該積層コンデンサを内蔵した配線基板、デカップリング回路及び高周波回路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3180681B2 (ja) * 1996-07-19 2001-06-25 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
US5880925A (en) * 1997-06-27 1999-03-09 Avx Corporation Surface mount multilayer capacitor
JP2991175B2 (ja) * 1997-11-10 1999-12-20 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JP3514195B2 (ja) 1999-12-27 2004-03-31 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
EP1365426A4 (en) * 2001-01-15 2009-02-18 Panasonic Corp NOISE FILTER AND ELECTRONIC DEVICE WITH THIS NOISE FILTER
US6765781B2 (en) * 2001-12-03 2004-07-20 Tdk Corporation Multilayer capacitor
US7054136B2 (en) 2002-06-06 2006-05-30 Avx Corporation Controlled ESR low inductance multilayer ceramic capacitor
TWI229878B (en) * 2003-03-12 2005-03-21 Tdk Corp Multilayer capacitor
KR100568310B1 (ko) * 2004-09-08 2006-04-05 삼성전기주식회사 적층형 칩 캐패시터

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164256A (ja) * 2000-11-22 2002-06-07 Tdk Corp 積層型電子部品
JP2004031926A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ、その製造方法、並びに、該積層コンデンサを内蔵した配線基板、デカップリング回路及び高周波回路

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CN1812025A (zh) 2006-08-02
JP2006210421A (ja) 2006-08-10
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