TWI398706B - Transparent electrode film and electronic equipment - Google Patents

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Description

透明電極膜及電子機器
本發明係關於透明電極膜及使用其之液晶顯示器等電子機器。
眾所周知液晶顯示裝置之電極回路、畫素電極等使用銦錫氧化物(ITO)當作透明導電膜。特別是液晶顯示裝置中為了顯示動畫，液晶分子的高速應答是必要的，因此追求提升透明導電膜之介電率。此外，為了清楚顯示色彩鮮豔之影像，高效率使用背光是必要的。因此亦追求提升透明電極膜之穿透率。然而，並沒有滿足高介電率、高穿透率之透明電極膜。
以ITO為代表之先前的透明電極膜，因為折射率小，與折射率的平方成比例之介電率無法充分提高，因此無法提升液晶分子之驅動速度。
再者，已知有銦鋅氧化物(IZO)膜、銦錫鋅氧化物(ITZO)膜可取代銦錫氧化物膜而為透明導電膜(例如專利文獻1)。
專利文獻1：特開平07-235219號公報
本發明之目的，係提供一種高介電率且高穿透率之透明電極膜及使用此透明電極膜之電子機器。
本發明者們專心致力研究之結果，藉由將銦錫鋅氧化物膜或銦鋅氧化物膜極端薄膜化，驚異的發現可提高折射率而完成本發明。
依據本發明提供以下之透明電極膜等。
1. 由含有銦、鋅及錫之氧化物所構成，膜厚25 nm以下之透明電極膜。
2. 由含有銦及鋅之氧化物所構成，膜厚30 nm以下之透明電極膜。
3. 如1所記載之原子比為I n/(In+Zn+Sn)=0.4~0.95，Zn/(In+Zn+Sn)=0.01~0.59，Sn/(In+Zn+Sn)=0.01~0.59之透明電極膜。
4. 如2所記載之原子比為I n/(In+Zn)=0.5~0.95，Zn/(In+Zn)=0.05~0.5，之透明電極膜。
5. 如1~4任一項所記載之透明電極膜，其中前述氧化物為非晶質。
6. 如1~5任一項所記載之透明電極膜，其中折射率在波長300~800 nm的範圍為1.9以上。
7. 電子機器的至少一部分具有以如1~6任一項所記載之透明電極膜所構成之電器回路。
8. 如7所記載之電子機器，其中前述電子機器為液晶顯示器。
依據本發明，可以提供高介電率且高穿透率之透明電極膜及使用此透明電極膜之電子機器。
因為本發明之透明電極膜折射率大，可以提高與其平 方成比例之介電率，因此可以提高液晶分子之應答性。因此，顯示動畫時可以提供高應答性之液晶顯示器。
此外，因為本發明之透明電極膜的膜厚較薄，可提高穿透率，因此能夠提供一種可顯示鮮明且色彩鮮艷之液晶顯示器。
〔實施本發明之最佳狀態〕
本發明之透明電極膜係含有銦、鋅及錫之氧化物，或銦及鋅之氧化物所構成。氧化物最好為非晶質。若不為非晶質，則薄膜可能無法均一。
透明電極膜如果係由含有銦、鋅及錫之非晶質氧化物所構成時，其分別較佳之原子比為I n/(In+Zn+Sn)=0.4~0.95、Zn/(In+Zn+Sn)=0.01~0.59、Sn/(In+Zn+Sn)=0.01~0.59，更佳為I n/(In+Zn+Sn)=0.42~0.9、Zn/(In+Zn+Sn)=0.03~0.45，Sn/(In+Zn+Sn)=0.03~0.45。
如果銦之原子比過高，則以硝酸類蝕刻劑蝕刻時，有時蝕刻速度變慢或蝕刻後可能有殘跡，或taperbolt角的調整變困難，或與金屬或合金的密著性降低，或以含磷酸之蝕刻液蝕刻速度A與含草酸之蝕刻液蝕刻速度B相比B/A可能會降低，此外，如果過低時，比阻抗值會變大，當作電極使用時與TCP(Tape Carrier Package)連接部之持久性可能會變差。
如果鋅之原子比過高，則氧氣存在下以熱處理時比阻 抗值會大幅提高，與TCP連接部之持久性可能會變差，此外，如果過低時，有時蝕刻速度變慢或蝕刻後可能有殘跡，或與金屬或合金的密著性可能降低。
如果錫之原子比過高，則有時蝕刻速度變慢或蝕刻後可能有殘跡，或與金屬或合金的密著性可能降低，此外，如果過低時，蝕刻速度變太快難以控制，或氧氣存在下以熱處理時比阻抗值會大幅提高，與TCP連接部之持久性可能會變差。
透明電極膜如果係包含銦及鋅之非晶質氧化物所構成時，其分別之原子比較佳為I n/(In+Zn)=0.5~0.95、Zn/(In+Zn)=0.05~0.5，更佳為I n/(In+Zn)=0.6~0.95、Zn/(In+Zn)=0.05~0.4。
如果銦之原子比過高，則以硝酸類蝕刻劑蝕刻時，有時蝕刻速度變慢或蝕刻後可能有殘跡，或taperbolt角的調整變困難，或與金屬或合金的密著性降低，或以含磷酸之蝕刻液蝕刻速度A與含草酸之蝕刻液蝕刻速度B相比B/A可能會降低，此外，如果過低時，比阻抗值會變大，當作電極使用時與TCP(Tape Carrier Package)連接部之持久性可能會變差。
如果鋅之原子比過高，則氧氣存在下以熱處理時比阻抗值會大幅提高，與TCP連接部之持久性可能會變差，此外，如果過低時，有時蝕刻速度變慢或蝕刻後可能有殘跡，或與金屬或合金的密著性可能降低。
此外，本發明之透明電極膜在無損本發明之範圍，可 以包含數原子%程度之Ga與鑭系重金屬。
本發明之透明電極膜之膜厚，如係由含有銦、鋅及錫之氧化物所構成時，為25 nm以下。較佳為5~25 nm，更佳為10~20 nm。此外，如係由含有銦及鋅之氧化物所構成時，為30 nm以下。較佳為5~30 nm，更佳為10~25 nm。如果膜厚過厚，則折射率可能會變高。此外，如果過薄則比抵抗變大，與TCP連接部之持久性可能會變差。
本發明之透明電極膜之折射率，較佳為波長300~800 nm之範圍係1.9以上，更佳為2.0以上。如未達1.9則介電率可能無法充分提高。
測定折射率之方法如以下實施例所示。
本發明之透明電極膜，可使用於液晶顯示裝置、有機或無機EL顯示裝置、電漿顯示裝置、表面傳導電子發射顯示裝置(SED)等電器回路之至少一部分。特別適用於以高介電率高穿透下之液晶顯示。
本發明之透明電極膜，不但可在玻璃、無機絕緣膜等無機物上，亦可設置在有機基板上與有機膜上。本發明之透明電極膜與多結晶ITO等之結晶性膜一樣，在有機基板與有機膜上較不易產生結晶性之不均，適合使用為有機基板上與有機膜上之透明電極膜。
本發明之透明電極膜，於基板上以含有銦氧化物、錫氧化物、鋅氧化物之必要氧化物為靶材，使用濺鍍法，將該氧化物以水、有機溶劑中懸浮混濁之漿塗佈成膜。較佳為濺鍍成膜。
 〔實施例〕 (1)透明電極膜之製作
於玻璃基板上，使用In：Sn：Zn=54原子%：16原子%：30原子%組成之氧化物為靶材，於180℃成膜，O2 分壓3×10-3 Pa(5×10-5 Torr)之條件，膜厚10 nm(實施例1)、20 nm(實施例2)、30 nm(比較例1)、80 nm(比較例2)之In2 O3 -Sn2 O2 -ZnO膜(ITZO膜)以濺鍍裝置成形。成形之ITZO膜以ICP(誘導結合電漿發光)分析進行元素分析之結果，組成與製膜所使用之靶材幾乎相同。
ITZO膜以X射線繞射分析結果，於180℃成膜時，發現ITZO膜乃寬曲線之非晶質膜。
(2)透明電極膜之物性評量
有關所得之ITZO膜，依以下之測定方法計算折射率和穿透率。各膜厚中波長與折射率之關係如圖1所示，各膜厚中波長與穿透率之關係如圖2所示。此外，膜厚與比阻抗值之關係如圖3所示。
(i)折射率
以光學式薄膜測定系統(SCI公司Film Tek 4000)測定。
(ii)穿透率
以光學式薄膜測定系統(SCI公司Film Tek 4000)測定。
(iii)膜厚
以光學式薄膜測定系統(SCI公司Film Tek 4000)及膜厚測定計(ULVAC公司Dektak8)測定。
(iv)比阻抗值
成長膜狀態之ITZO膜的阻抗於大氣中室溫下，以阻抗率計(DIA Instruments公司LORESTA EP)測定。
實施例3~5及比較例3 〔由含有銦及鋅之非晶質氧化物(IZO)所構成之透明電極膜〕 (1)透明電極膜之製作
於玻璃基板上，使用In：Zn=84原子%：16原子%組成之氧化物為靶材，於180℃成膜，在O2 分壓3×10-3 Pa(5×10-5 Torr)之條件下，以濺鍍裝置形成膜厚10 nm(實施例3)、20 nm(實施例4)、30 nm(實施例5)、100 nm(比較例3)之In2 O3 -ZnO膜(IZO膜)。形成之IZO膜以ICP(誘導結合電漿發光)分析進行元素分析之結果，其組成與製膜所使用之靶材幾乎相同。
IZO膜以X射線繞射分析結果，於180℃成膜時，發現IZO膜乃寬曲線之非晶質膜。
(2)透明電極膜之物性評量
就所得之IZO膜，與實施例1同樣評量物性。各膜厚 中波長與折射率之關係如圖4所示，各膜厚中波長與穿透率之關係如圖5所示。
比較例4 〔由含有銦及錫之非晶質氧化物(ITO)所構成之透明電極膜〕 (1)透明電極膜之製作
於玻璃基板上，使用In：Sn=91原子%：9原子%組成之氧化物為靶材，於180℃成膜，在O2 分壓3×10-3 Pa(5×10-5 Torr)之條件下，以濺鍍裝置形成膜厚80 nm之In2 O3 -SnO2 膜(ITO膜)。形成之ITO膜以ICP(誘導結合電漿發光)分析進行元素分析之結果，其組成與製膜所使用之靶材幾乎相同。
(2)透明電極膜之物性評量
就所得之ITO膜，與實施例1同樣評量物性。波長與折射率之關係如圖1所示，波長與穿透率之關係如圖2所示。再者，於圖1與圖2中，ITO膜之數據以虛線表示。
產業上之可能利用性
本發明之透明電極膜，適合使用為液晶顯示裝置、有機或無機EL顯示裝置、PDP顯示裝置、SED顯示裝置等電子機器之透明電極。
〔圖1］ITZO膜及ITO膜之波長與折射率之關係圖。
〔圖2〕ITZO膜及ITO膜之波長與穿透率之關係圖。
〔圖3〕ITZO膜之膜厚與比阻抗值之關係圖。
〔圖4〕IZO膜之波長與折射率之關係圖。
〔圖5〕IZO膜之波長與穿透率之關係圖。

Claims (7)

  1. 一種透明電極膜，其係由含有銦、鋅及錫之氧化物所構成，膜厚為25nm以下之透明電極膜，其特徵係原子比為In/(In+Zn+Sn)=0.4~0.95、Zn/(In+Zn+Sn)=0.01~0.59、Sn/(In+Zn+Sn)=0.01~0.59，且折射率在波長300~800nm的範圍內為1.9以上。
  2. 一種透明電極膜，其係由含有銦及鋅之氧化物所構成，膜厚為30nm以下之透明電極膜，其特徵係原子比為In/(In+Zn)=0.5~0.95、Zn/(In+Zn)=0.05~0.5，且折射率在波長300~800nm的範圍內為1.9以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之透明電極膜，其中原子比為In/(In+Zn+Sn)=0.54~0.9、Zn/(In+Zn+Sn)=0.03~0.45、Sn/(In+Zn+Sn)=0.03~0.45。
  4. 如申請專利範圍第2項之透明電極膜，其中原子比為In/(In+Zn)=0.6~0.95、Zn/(In+Zn)=0.05~0.4。
  5. 如申請專利範圍第2項之透明電極膜，其中膜厚為10~25nm。
  6. 如申請專利範圍第1~5項中任一項之透明電極膜，其中該氧化物為非晶質。
  7. 一種液晶顯示裝置、有機或無機EL顯示裝置、電漿顯示平板(PDP)顯示裝置或表面傳導電子發射 (SED)顯示裝置，其特徵係具備申請專利範圍第1~6項中任一項之透明電極膜作為電路之至少一部份所成。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100030676A (ko) * 2007-08-20 2010-03-18 가부시키가이샤 알박 스퍼터링 방법
KR101669953B1 (ko) * 2010-03-26 2016-11-09 삼성전자 주식회사 산화물 박막, 산화물 박막의 형성 방법 및 산화물 박막을 포함하는 전자 소자
CN102426298B (zh) * 2011-06-17 2014-02-05 上海华力微电子有限公司 一种利用折射率来监测薄膜介电常数的方法
TW201418164A (zh) * 2012-11-09 2014-05-16 Solar Applied Mat Tech Corp 金屬氧化物薄膜

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318406A (ja) * 1992-12-16 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 導電性透明基材およびその製造方法
JPH08264022A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Gunze Ltd 透明導電膜
JPH1083719A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Minami Uchitsugu 透明導電膜
TW200535283A (en) * 2004-04-21 2005-11-01 Idemitsu Kosan Co Indium oxide-zinc oxide-magnesium oxide based sputtering target and transparent conductive film

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4834857A (en) * 1988-04-01 1989-05-30 Ppg Industries, Inc. Neutral sputtered films of metal alloy oxides
DE69328197T2 (de) * 1992-12-15 2000-08-17 Idemitsu Kosan Co Transparente, leitende schicht, transparentes, leitendes basismaterial und leitendes material
JP3179287B2 (ja) 1993-12-28 2001-06-25 出光興産株式会社 導電性透明基材およびその製造方法
JPH10190028A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 高屈折率透明導電膜および太陽電池
WO2000012445A1 (fr) * 1998-08-31 2000-03-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Cible pour film electroconducteur transparent, matiere electroconductrice transparente, verre electroconducteur transparent et film electroconducteur transparent
JP2000330134A (ja) * 1999-03-16 2000-11-30 Furontekku:Kk 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
JP2000357589A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機ｅｌ素子およびその製造方法
KR100727796B1 (ko) * 1999-08-31 2007-06-14 데이진 가부시키가이샤 투명 전기 전도성 적층체 및 이를 사용하는 터치 패널
KR100774778B1 (ko) * 1999-11-25 2007-11-07 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 투명한 도전성 산화물 및 스퍼터링 타겟의제조방법
JP3961172B2 (ja) * 1999-11-26 2007-08-22 アルプス電気株式会社 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置
JP2001306258A (ja) * 2000-02-18 2001-11-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd タッチパネル用透明導電膜付き基板
US6747405B2 (en) * 2000-11-28 2004-06-08 Demitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL display device having conductive color changing layers
KR101902048B1 (ko) * 2001-07-17 2018-09-27 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막
KR101002492B1 (ko) * 2002-08-02 2010-12-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 소결체, 이들을 사용하여 제조한 도전막,유기 ｅｌ 소자, 및 이것에 사용하는 기판
US7323530B2 (en) * 2003-01-27 2008-01-29 Konica Minolta Holdings, Inc. Transparent resin film, its manufacturing method, electronic display, liquid crystal display, organic EL display, and touch panel
US7635440B2 (en) * 2003-03-04 2009-12-22 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Sputtering target, thin film for optical information recording medium and process for producing the same
EP1626416A4 (en) * 2003-05-20 2007-11-07 Idemitsu Kosan Co AMORPHOUS TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SPRAY TARGET AS A RAW MATERIAL, AMORPHOUS TRANSPARENT ELECTRODE SUBSTRATE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND COLOR FILTER FOR A LIQUID CRYSTAL DISPLAY
JP4552950B2 (ja) * 2006-03-15 2010-09-29 住友金属鉱山株式会社 ターゲット用酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318406A (ja) * 1992-12-16 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 導電性透明基材およびその製造方法
JPH08264022A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Gunze Ltd 透明導電膜
JPH1083719A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Minami Uchitsugu 透明導電膜
TW200535283A (en) * 2004-04-21 2005-11-01 Idemitsu Kosan Co Indium oxide-zinc oxide-magnesium oxide based sputtering target and transparent conductive film

Also Published As

Publication number Publication date
JP5000131B2 (ja) 2012-08-15
CN101346661A (zh) 2009-01-14
EP1967898A4 (en) 2008-12-24
TW200739219A (en) 2007-10-16
WO2007074628A1 (ja) 2007-07-05
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