TWI397351B - 反覆彎曲用雙面可撓性電路基板 - Google Patents

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TWI397351B
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Yosuke Takahashi
Katsufumi Hiraishi
Yoshihiro Goto
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Nippon Steel & Sumikin Chem Co
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Description

反覆彎曲用雙面可撓性電路基板
本發明係關於一種適合在頻繁進行行動電話之鉸鏈部等之反覆彎曲之用途的雙面可撓性電路基板。
行動電話係作為電子機器之關鍵構成元件而擔負重要之角色，但伴隨電子零件之小型化及高集積化，而更要求高性能化。對於該等要求，即使在具有配線電路之電路基板中，不僅高密度化、輕薄化、可撓性，為了處理大量資訊，近年來信號之高頻化亦受到囑目。
為了傳送高頻信號，必須使用低介電係數、低介質損耗角正切(dielectric loss tangent)之材料。在此，液晶聚合物薄膜係作為高耐熱性、吸濕尺寸穩定性、高頻電氣特性等佳之材料而為人所知。例如，在習知之電路基板中，為了實現尺寸之穩定性，係採用預浸(prepreg)層作為絕緣體，該預浸層係使用玻璃纖維及作為接著劑之樹脂，且在具有細微配線之電路基板中，為了確保對於細微配線間之充填性，亦採用塗布有接著劑之薄膜作為覆蓋材。然而，上述材料並不適用在傳送高頻信號時。在此，藉由將絕緣層與覆蓋材作成同一材料，或僅使用液晶聚合物薄膜作為覆蓋材，則無須考慮絕緣層及覆蓋材之材料特性，即可構成不會損及液晶聚合物薄膜之特性的可撓性電路基板。
可撓性電路基板係作為可撓性佳且可使之彎曲使用的材料而為人所知。其中，單面可撓性電路基板係在絕緣層之單側形成導體層，而使用在反覆彎曲之用途上。而且，在雙面可撓性電路基板中，在絕緣層兩側形成有以導體構成之電路，而使用在安裝時僅彎曲一次的用途上。
在需要反覆彎曲用途之電子電路基板中，係利用單面可撓性電路基板。然而，在單面可撓性電路基板中，會有電路基板之安裝密度成為雙面可撓性電路基板之一半等成本昂貴等問題。例如，專利文獻1係揭示有在包含雙面可撓性電路基板與單面可撓性電路基板之單一可撓性電路基板中，使單面可撓性電路基板部彎曲，使重疊於另一單面可撓性電路基板之部分構成為彎曲部，而提升其彎曲性。專利文獻2係揭示有在可撓性電路基板之彎曲部位的內側配置具有圓筒面之支持材的配置構造，藉此可防止彎曲部壓碎及折斷，並抑制導體斷線或破斷，此外亦可應用在折疊式行動電話。
[專利文獻1]日本特開平11－195850號公報[專利文獻2]日本特開平15－258388號公報
然而，組合單面可撓性電路基板而適用在彎曲部時，構成之可撓性電路基板之層本身的厚度會增加，因此輕薄性及可撓性將比單一之單面可撓性電路基板差。而且，在可撓性電路基板作成補強構造時，因存在有補強構造，而會妨礙電子電路或電子零件之在電路基板的高密度化。
本發明之目的在於提供一種適用在高頻信號之傳送、輕薄化、且可抑制導體斷線或破斷及實現電路基板之高密度化的雙面可撓性電路基板。
本發明人為了解決前述課題而經精心研究之結果發現，僅使用液晶聚合物薄膜作為行動電話等之反覆彎曲用雙面可撓性電路基板之覆蓋材，藉此可獲得與單面可撓性電路基板同等之可撓性，而完成本發明。
亦即，本發明係一種具有迴繞部之彎曲用雙面可撓性電路基板，在絕緣層兩側設置導體電路與覆蓋材之雙面可撓性電路基板，絕緣層係由厚度10至100 μ m之液晶聚合物薄膜或聚醯亞胺薄膜所構成，覆蓋材係僅由熱變形溫度與絕緣層不同之液晶聚合物薄膜所構成者，使用在由下述計算式(1)所算出之銅箔變形值Y為0.5至3%之範圍內。
Y(%)＝(tCu＋1/2tLI)/(r＋tCL.＋tCu＋1/2 tLI)×100 (1)
其中，tLI係絕緣層薄膜厚度(μ m)，tCL.係覆蓋材之液晶聚合物薄膜厚度(μ m)，tCu係銅箔厚度(μ m)，r係表示迴繞部之彎曲半徑(但彎曲半徑r為2.0至5.0mm)。
在此，滿足以下任一個以上之要件，上述雙面可撓性電路基板係賦予具有更佳性能的雙面可撓性電路基板。
(1)絕緣層係由液晶聚合物薄膜所構成，其熱變形溫度係在270至330℃之範圍，作為覆蓋材之液晶聚合物薄膜熱變形溫度係比上述溫度低；(2)導體電路係由銅箔所形成者，其厚度係在5至30 μ m之範圍；(3)覆蓋材厚度係在10至100 μ m之範圍；(4)迴繞具有彎曲部與非彎曲部之雙面可撓性電路基板的彎曲部而使用；(5)迴繞部之彎曲半徑r係在2.0至5.0mm之範圍。
上述雙面可撓性電路基板係有效地使用在折疊式行動電話之折疊部。而且，本發明之折疊式行動電話的特徵係將上述雙面可撓性電路基板使用在折疊式行動電話之折疊部。且本發明係在將折疊式行動電話之閉合狀態設為0°時，打開狀態之角度為在10至180°之範圍的上述折疊式行動電話。
以下，進一步說明本發明之雙面可撓性電路基板。
本發明之雙面可撓性電路基板係適用在行動電話之鉸鏈部等之彎曲部位，使用在例如行動電話之鉸鏈部時，其反覆彎曲壽命可達30萬次以上。
本發明之雙面可撓性電路基板係利用電路加工等習知之方法獲得，但係成為在由液晶聚合物薄膜或聚醯亞胺薄膜所構成之絕緣層之雙面設置導體電路，且在其外側設置僅由液晶聚合物薄膜所構成之覆蓋材。
以絕緣層或覆蓋材所使用之液晶聚合物薄膜係可形成光學異向性之熔融相的任意液晶聚合物薄膜，亦稱之為熱致性(Thermotropic)液晶高分子。可形成光學異向性之熔融相的高分子係如相關業者所知，在具備加熱裝置之偏光顯微鏡正交偏光鏡(crossed Nicol)下觀察熔融狀態之試料時，具有穿透偏光之性質的高分子。
由耐熱性、加工性之觀點來看，液晶聚合物薄膜係最好為在200至400℃，特別是在250至350℃之範圍內具有轉移至光學異向性之熔融相的轉換溫度者。再者，在不損及薄膜特性之範圍，亦可配合滑劑、氧化防止劑、填充劑等。本發明所使用之液晶聚合物薄膜係可使用薄膜狀或塗布溶液者，而薄膜狀可有利於接著於銅箔。
液晶聚合物薄膜係由擠壓出成形等習知方法所獲得。在擠壓成形時，可適用任意之擠壓成形法，但習知之T模具法、疊層體延伸法、膨脹法等在工業上較為有利。特別是，膨脹法、疊層體延伸法中，不僅在薄膜之機械軸方向(以下稱MD方向)，在與該MD方向正交之方向(以下稱TD方向)亦施加有應力，因此可獲得MD方向與TD方向之機械性質均衡的薄膜。
使用在絕緣層之薄膜亦可為液晶聚合物薄膜，亦可為聚醯亞胺薄膜。聚醯亞胺薄膜係可使用習知廣泛作為FPC(可撓性電路基板)用者，聚醯亞胺薄膜層亦可由2層以上之聚醯亞胺薄膜層所構成。
覆蓋材係採用絕緣層所使用之液晶聚合物薄膜、或聚醯亞胺薄膜之熱變形溫度不同之液晶聚合物薄膜。熱變形溫度最好係在10至100℃之範圍中為不同溫度者。使用液晶聚合物薄膜作為絕緣層時，其熱變形溫度係在270至330℃之範圍，覆蓋材之液晶聚合物薄膜係比上述溫度低，最好低10至100℃。
在製造本發明之雙面可撓性電路基板之方法中，具有：在絕緣層之雙面積層導體層之步驟；將導體層作為電路之步驟；在位於雙面之各導體電路層上積層覆蓋材的步驟。形成導體層之材料係以銅箔(包含銅合金箔)為佳。以下，係以銅箔為代表說明導體層，但並不限定於銅箔。
例如，絕緣層為液晶聚合物薄膜時，對銅箔之雙面進行粗化處理，並與液晶聚合物薄膜予以積層，在加熱、加壓下進行積層。接著，利用習知之方法，進行銅箔之電路加工。然後，在雙面配置作為覆蓋材之液晶聚合物薄膜後，在加熱、加壓下進行積層。以覆蓋材而言，在將液晶聚合物薄膜配置在導體電路上時，如上所述有：(1)僅配置液晶聚合物薄膜並進行加熱、加壓之方法；或(2)在導體電路上配置液晶聚合物薄膜與銅箔之積層物的液晶聚合物薄膜面，進行加熱、加壓，然後利用蝕刻去除銅箔的方法。依本發明亦可使用任一方法。
絕緣層為聚醯亞胺薄膜時，並不一定需要進行與聚醯亞胺薄膜接蝕之銅箔面的粗化處理，聚醯亞胺薄膜可藉由以聚醯亞胺溶液或其前驅體溶液之形態使之塗布、乾燥或硬化而形成。
銅箔粗化處理係有噴砂(blast)處理、研磨等乾式之粗化方法、以藥液進行之濕式粗化方法，但特別是以利用黑化處理為佳。
絕緣層之較佳厚度範圍為200 μ m以下，更佳為10至100 μ m。薄膜厚度未滿10 μ m時，因容易破裂，故處理較為困難，超過100 μ m時，薄膜變得僵直而難以捲繞為筒狀，故難以處理。
疊合熱變形溫度不同之液晶聚合物薄膜，以製造雙面可撓性電路基板時，在絕緣層與覆蓋材之間，其熱變形溫度最好有10℃以上之不同。該熱變形溫度之差未滿10℃時，使用由液晶聚合物薄膜構成之絕緣層與覆蓋材來作成雙面可撓性電路基板的情況下，由於積層時之加壓，會有液晶聚合物薄膜同時熱變形，所有導體電路變得容易移動，且難以進行導體電路之定位控制之虞。在此，絕緣層為液晶聚合物薄膜時，係將其熱變形溫度設為260℃以上，特別是最好設定在270至330℃之範圍。熱變形溫度未滿270℃時，會有使用在絕緣層之液晶聚合物薄膜與作為覆蓋材之僅用液晶聚合物薄膜之熱變形無法區別之虞。另一方面，熱變形溫度在330℃以上時，則會超過液晶聚合物薄膜之融點，而難以維持電路基板之形狀。即使在絕緣層為聚醯亞胺時，絕緣層與覆蓋材之熱變形溫度必須不同，覆蓋材之熱變形溫度最好比絕緣層之熱變形溫度低10℃以上。
由本發明之雙面可撓性電路基板之式(1)所計算之銅箔變形值Y為0.5至3%之範圍。銅箔變形值Y未滿0.5%時，絕緣層厚度、與絕緣層接蝕之銅箔厚度及覆蓋材厚度會變薄，因此會有產生導體電路斷線之虞。另一方面，銅箔變形值Y超過3%時，形成雙面可撓性電路基板之各層厚度會增加，而使彎曲半徑變大，因此難以實際上適用在以輕薄化、可撓性為特徵之行動電話的反覆彎曲用途上。
導體層之較佳厚度範圍係在100 μ m以下。導體層為銅箔時，其厚度最好在5至30 μ m。從可形成精細圖案之觀點來看，最好使銅箔厚度變薄，然而其厚度變得過薄時，於製程上在銅箔會產生皺紋，此外在形成電路作為配線基板時，會有產生配線斷裂而降低電路基板之可靠性之虞。另一方面，銅箔厚度增加時，蝕刻銅箔時會在電路側面產生傾斜，在精細圖案形成上並不理想。
本發明所使用之銅箔係可使用藉由輥軋法或電氣分解法所製造之任一者。為了確保與作為絕緣層之液晶聚合物薄膜的接著力等目的，亦可在不損及本發明之效果的範圍，對銅箔施加粗化處理等物理性表面處理或酸洗等化學性表面處理。
僅由液晶聚合物薄膜所構成之覆蓋材的較佳厚度範圍係在300 μ m以下，特別是最好在10至100 μ m。覆蓋材厚度未滿10 μ m時，銅箔變形值會明顯變大，而有難以進行作為覆蓋材之作用的保護導體電路之虞。另一方面，覆蓋材厚度超過100 μ m時，總厚度會變厚，而難以實際上適用在以輕薄化、可撓性為特徵之反覆彎曲的用途上。
由於可將本發明之雙面可撓性電路基板適用在行動電話等的反覆彎曲之用途，因此有助於高頻信號之傳送、輕薄化、導體斷線或斷裂之抑制及電路基板之高密度化。
以下，以圖式說明本發明之雙面可撓性電路基板及其使用例。第1圖係用以說明雙面可撓性電路基板之層構造之一例的剖視圖，在由液晶聚合物薄膜構成之絕緣層3之雙面具有導體電路層2，且在導體電路層2之上設置有液晶聚合物薄膜1之覆蓋材。第2圖係用以說明雙面可撓性電路基板之其他層構造之一例的剖視圖，在由聚醯亞胺薄膜構成之絕緣層4之雙面具有導體電路層2，且在導體電路層2上設置有液晶聚合物薄膜1之覆蓋材。
第3圖係用以說明雙面可撓性電路基板之層構造之其他一例的剖視圖，在由液晶聚合物薄膜構成之絕緣層3之雙面具有導體電路層2，且在導體電路層2之上將附有環氧系接著層6之聚醯亞胺薄膜5作為覆蓋材。第4圖係將第3圖之絕緣層3作為由聚醯亞胺薄膜構成之絕緣層4的例子。第5圖係在由聚醯亞胺薄膜構成之絕緣層4，將液晶聚合物薄膜1及聚醯亞胺系接著薄膜6所構成之複合薄膜作為覆蓋材之一例。且第3圖至第5圖係顯示本發明之範圍外的雙面可撓性電路基板。
第6圖係用以說明將本發明之雙面可撓性電路基板使用在鉸鏈部時之一例的模式圖，具有彎曲成第6圖(A)所示之S字型的彎曲部8之雙面可撓性電路基板7，係如第6圖(B)所示在彎曲部附近以剖面為圓形狀之方式捲繞、迴繞。而且，藉由使之迴繞，而從上面觀看時，迴繞部兩側的非彎曲部9之表面係成為同一面。在使之迴繞時，亦可在作為其迴繞軸10之部分使用圓筒形體。
第6圖(B)係用在行動電話反覆彎曲用之使用形態之一例，彎曲部之雙面可撓性電路基板係在迴繞部旋轉一周，在迴繞部之彎曲半徑係2.0至5.0mm之範圍。在將該雙面可撓性電路基板使用在折疊式行動電話時，開閉角度係在10°至180°之範圍。第6圖(B)係顯示具有彎曲部與非彎曲部之雙面可撓性電路基板的彎曲部8旋轉並迴繞一周者，將該部分稱之為α卷。
在迴繞部之彎曲半徑(與迴繞軸10之半徑大致相等)之理想半徑範圍係2.0至5.0mm之範圍。彎曲半徑未滿2.0mm時，會有難以維持彎曲形狀之虞。另一方面，彎曲半徑超過5.0mm時，難以實際上適用在以輕薄化、可撓性為特徵之行動電話的反覆彎曲用。
第7圖係用以說明折疊式行動電話的模式圖，於鉸鏈部11迴繞雙面可撓性電路基板，並連接本體(按鍵部)12與蓋部(顯示部)13之間。本體12與蓋部13所形成之開閉角度的理想角度範圍係10至180°之範圍。開閉角度未滿10°時，會有無法開閉之實用上的阻障產生。另一方面，開閉角度超過180°時，則並非作為行動電話反覆彎曲用，而是作為折曲用。
[實施例]
以下，以實施例具體說明本發明，但本發明並非由該等實施例所限定者。
(銅箔電路加工)
在液晶聚合物薄膜所構成之雙面貼銅積層板疊層乾薄膜，並使用光阻寬度100 μ m、電路寬度100 μ m之圖案薄膜，利用UV(紫外線)曝光形成電路圖案。接著，利用氯化銅蝕刻液進行銅箔蝕刻。利用光學顯微鏡確認所得之雙面導體電路基板之電路是否有剝離或電路間是否有殘銅。
(厚度測定)
依據JISC5016，使用膜厚測試器(三豊公司製，度盤式指示表215－153)，來測定絕緣層、覆蓋材及銅箔厚度。
(初始電阻值測定)
依據JISC5016，使用電阻測試器(CUSTOM公司製，CX－180N)，來測試沖壓覆蓋材前之雙面導體電路基板的電阻值。
(銅箔變形值之計算)
利用公式(1)，由使用在雙面可撓性電路基板之銅箔厚度、絕緣層厚度、覆蓋材厚度、及彎曲半徑，來計算銅箔變形值。
(行動電話反覆彎曲試驗)
使用耐鉸鏈彎曲試驗機(PROS公司製，PIS－FPJ310)進行雙面可撓性電路基板之行動電話反覆彎曲試驗。雙面可撓性電路基板之破裂條件係從初始電阻值上昇5%之電阻值。
(第1實施例)
將厚度25 μ m之液晶聚合物薄膜280(KURARAY公司製Beckstar(音譯)、熱變形溫度280°)作為絕緣層，在其雙面具有厚度18 μ m之輥軋銅箔(日鑛MATERIALS公司製BHY－22B－T)的雙面貼銅積層板，疊層乾薄膜，並使用光阻寬度100 μ m、電路寬度100 μ m之圖案薄膜，利用UV(紫外線)曝光形成電路圖案。接著，利用氯化銅蝕刻液進行銅箔蝕刻，以作成雙面導體電路基板W。然後，將厚度25 μ m之液晶聚合物薄膜260(KURARAY公司製Beckstar、熱變形溫度260°)作為雙面導體電路基板W之覆蓋材，在其單面準備具有厚度18 μ m之上述輥軋銅箔的單面貼銅積層板S。
在此，利用鹼性水溶液對雙面導體電路基板W與單面貼銅積層板S之液晶聚合物薄膜面進行藥液處理，以純水洗淨後，在90℃之熱風烤箱使之乾燥。而且，為了使銅箔與作為覆蓋材之液晶聚合物薄膜接著，對雙面導體電路基板之銅表面進行黑化處理。然後，以包夾雙面導體電路基板W之形態，積層以流動溫度不同之液晶聚合物薄膜為樹脂層的單面貼銅積層板S，並利用精密沖壓在260℃、9MPa之壓力下進行沖壓，以作成電路基板。沖壓後，蝕刻去除所得之電路基板之最外層銅箔，將絕緣層及覆蓋材作成為由液晶聚合物薄膜構成之雙面可撓性電路基板(第1圖)。
將由上述所得之雙面可撓性電路基板切割成第6圖(A)所示之形狀，而作成試驗片。使該試驗片迴繞彎曲部而成為α卷，使線/空間＝100/100(μ m)之電路面作為內側，以進行耐鉸鏈彎曲試驗(參照第6圖(B))。然後，算出耐鉸鏈彎曲試驗結束後之各試驗片之銅箔變形值。
(第2實施例)
除了使用50 μ m厚度之液晶聚合物薄膜260作為覆蓋材以外，與第1實施例同樣地製作雙面可撓性電路基板，並進行評價。
(第3實施例)
在厚度25 μ m之聚醯亞胺薄膜雙面具有厚度18 μ m之輥軋銅箔的雙面貼銅積層板M(新日鐵化學公司製，expanex(音譯)M級)疊層乾薄膜，並使用光阻寬度100 μ m、電路寬度100 μ m之圖案薄膜，利用UV(紫外線)曝光形成電路圖案。接著，利用氯化銅蝕刻液進行銅箔蝕刻，以作成雙面導體電路基板。然後，為了將厚度25 μ m之液晶聚合物薄膜260作為上述雙面導體電路基板之覆蓋材，在其單面準備具有厚度18 μ m之輥軋銅箔的單面貼銅積層板。以包夾雙面導體電路基板之形態，積層以液晶聚合物薄膜為樹脂層的單面貼銅積層板，並利用精密沖壓在260℃、9MPa之壓力下進行沖壓，以作成電路基板。沖壓後，蝕刻去除所得之電路基板之最外層銅箔，在絕緣層使用聚醯亞胺薄膜及覆蓋材僅用液晶聚合物薄膜，以作成積層不同種類之樹脂層的雙面可撓性電路基板(第2圖)。
(第1比較例)
將絕緣層作為厚度25 μ m之液晶聚合物薄膜280，在其雙面具有厚度18 μ m之輥軋銅箔的雙面貼銅積層板疊層乾薄膜，並使用光阻寬度100 μ m、電路寬度100 μ m之圖案薄膜，利用UV(紫外線)曝光形成電路圖案。接著，利用氯化銅蝕刻液進行銅箔蝕刻，以作成雙面導體電路基板。然後，使用在聚醯亞胺薄膜K(CAPTON，註冊商標)設有環氧系接著層的聚醯亞胺薄膜覆蓋材，以包夾雙面導體電路基板之形態，利用精密沖壓在160℃至170℃、2至7MPa之壓力下進行沖壓，以作成雙面可撓性電路基板(第3圖)。
(第2比較例)
除了使用在聚醯亞胺薄膜K設有環氧系接著層之表1所示厚度構成的聚醯亞胺薄膜覆蓋材(3種)作為覆蓋材以外，與第1比較例同樣地進行處理，並進行評價。
(第3比較例)
在厚度25 μ m之聚醯亞胺薄膜雙面具有厚度18 μ m之輥軋銅箔的雙面貼銅積層板M疊層乾薄膜，並使用光阻寬度100 μ m、電路寬度100 μ m之圖案薄膜，利用UV(紫外線)曝光形成電路圖案。接著，利用氯化銅蝕刻液進行銅箔蝕刻，以作成雙面導體電路基板。然後，使用在聚醯亞胺薄膜K設有環氧系接著層的聚醯亞胺薄膜覆蓋材，以包夾上述雙面導體電路基板之形態，利用精密沖壓在160℃至170℃、2至7MPa之壓力下進行沖壓，以作成雙面可撓性電路基板(第4圖)。
(第4比較例)
除了使用在聚醯亞胺薄膜K設有環氧系接著層之表1所示厚度構成的聚醯亞胺薄膜覆蓋材(3種)作為覆蓋材以外，與第1比較例同樣地進行處理，並進行評價。
(第5比較例)
在厚度25 μ m之聚醯亞胺薄膜雙面具有厚度18 μ m之輥軋銅箔的雙面貼銅積層板M疊層乾薄膜，並使用光阻寬度100 μ m、電路寬度100 μ m之圖案薄膜，利用UV(紫外線)曝光形成電路圖案。接著，利用氯化銅蝕刻液進行銅箔蝕刻，以作成雙面導體電路基板。然後，在厚度25 μ m之液晶聚合物薄膜260之單面，準備具有厚度18 μ m之輥軋銅箔的單面貼銅積層板。接著，將雙面導體電路基板隔著聚醯亞胺系接著薄膜(新日鐵化學公司製，接合片SPB)，積層以液晶聚合物薄膜為樹脂層的單面貼銅積層板，並利用精密沖壓在260℃、9MPa之壓力下進行沖壓，以作成電路基板。沖壓後，蝕刻去除所得之電路基板之最外層銅箔，以作成雙面可撓性電路基板(第5圖)。
將評價結果顯示在表1。而比較例中之覆蓋材厚度欄的( )內之值係表示：PF：聚醯亞胺薄膜，LCPF：液晶聚合物薄膜，Ad：環氧系或聚醯亞胺系接著層之厚度(μ m)。
1．．．液晶聚合物薄膜覆蓋材
2．．．導體電路層
3．．．液晶聚合物薄膜絕緣層
4．．．聚醯亞胺薄膜絕緣層
5．．．聚醯亞胺薄膜覆蓋材
6．．．接著層
7．．．試驗片
8．．．彎曲部
9．．．非彎曲部
10．．．彎曲部之迴繞軸
11．．．鉸鏈部
12．．．本體
13．．．蓋部
第1圖係用以說明雙面可撓性電路基板之一例的剖視圖。
第2圖係用以說明雙面可撓性電路基板之其他一例的剖視圖。
第3圖係用以說明雙面可撓性電路基板之比較例的剖視圖。
第4圖係用以說明雙面可撓性電路基板之比較例的剖視圖。
第5圖係用以說明雙面可撓性電路基板之比較例的剖視圖。
第6圖(A)及(B)係用以說明雙面可撓性電路基板之使用例的模式圖。
第7圖係用以說明折疊式行動電話之一例的模式圖。
1．．．液晶聚合物薄膜覆蓋材
2．．．導體電路層
3．．．液晶聚合物薄膜絕緣層

Claims (8)

  1. 一種反覆彎曲用雙面可撓性電路基板，係具有迴繞部，且在絕緣層之兩側設置導體電路與覆蓋材之雙面可撓性電路基板，其特徵在於：絕緣層係由厚度10至100μm之液晶聚合物薄膜或聚醯亞胺薄膜所構成，覆蓋材係僅由熱變形溫度與絕緣層不同之液晶聚合物薄膜所構成者，且使用在由下述計算式(1)所算出之銅箔變形值Y為0.5至3%之範圍內，Y(%)=(tCu+1/2tLI)/(r+tCL.+tCu+1/2 tLI)×100 (1)其中，tLI係絕緣層薄膜厚度(μm)，tCL.係覆蓋材之液晶聚合物薄膜厚度(μm)，tCu係銅箔厚度(μm)，r係表示迴繞部之彎曲半徑(但彎曲半徑r為2.0至5.0mm)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雙面可撓性電路基板，其中，絕緣層係由液晶聚合物薄膜所構成，其熱變形溫度係在270至330℃之範圍，作為覆蓋材之液晶聚合物薄膜的熱變形溫度係比上述溫度低。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之雙面可撓性電路基板，其中，導體電路係由銅箔所形成者，其厚度係在5至30μm之範圍。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之雙面可撓性電路基板，其中，覆蓋材厚度係在10至100μm之範圍。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之雙面可撓性電路基板，其中，雙面可撓性電路基板係具有彎曲部與非彎 曲部，彎曲部係被迴繞而使用者。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之雙面可撓性電路基板，其中，雙面可撓性電路基板係使用在折疊式行動電話之折疊部。
  7. 一種折疊式行動電話，係將申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之雙面可撓性電路基板使用在折疊式行動電話之折疊部。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之折疊式行動電話，其中，在將折疊式行動電話之閉合狀態設為0°時，打開狀態之角度為在10至180°之範圍。
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