TWI391481B - 電子零件清潔液 - Google Patents

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Description

電子零件清潔液
本發明係有關一種電子零件清潔液。
發明之背景 發明之範疇
【提及之發明1】已公開之日本專利No 2001-288496
【提及之發明2】已公開之日本專利No 2001-214199
相關工藝之說明
氫氧化物、過氧化氫與水的混合溶液廣為人知可作為清潔液，用來清潔電子零組件，比方說，液晶顯示器(以玻璃為基材)，或積體電路裝置(以矽為基材)。在這些清潔液中，氫氧化銨、過氧化氫與水的混合溶液早已廣泛地使用，因為它能絕佳地去除在基材上粉塵狀的污染物。但是，當使用了一種含有前述過氧化氫的水性鹼性溶液時，常遇到的問題是，在電子零件表面的矽以外的金屬會因為過氧化氫而腐蝕；或者，矽會在不含過氧化氫的水性鹼性氫氧化物溶液中腐蝕。
因此，作為一種清潔液，要克服上述的問題，也就是說，作為一種清潔液，既要抑制矽或矽以外的金屬腐蝕，而又要有絕佳的清潔效果，吾人已提出了一種清潔液，其含有氫氧化物、水、金屬腐蝕抑制劑、陰離子界面活性劑之類(提及之發明1)。另外，吾人已提出了一種清潔液，其另含有一可溶於水的有機化合物，以抑制前述清潔液 的白濁(提及的發明2)。
發明之概要說明
本發明之一目的乃在提供一種新的電子零件清潔液，其能抑制矽或矽以外的金屬腐蝕，且能有效地清除沾在電子零件表面上細小粉塵或有機物質，且不致輕易地產生白濁。
在此之後，經進一步的實驗結果，本發明人發現，藉著使用一陰離子界面活性劑而不用一可溶於水的有機化合物，可以達到該清潔液同等或更佳防止白濁的效果，因此，就有了本發明。
也就是說，本發明提供了一種電子零件清潔液，其含有一陰離子界面活性劑、氫氧化物、水、金屬腐蝕抑制劑和一種非離子表面活化劑(以下稱本發明的清潔液)以及一種使用本發明的清潔液用以清潔電子零件的方法。
較佳實施例之詳細說明
本發明的清潔液特徵為其含有一陰離子界面活性劑。
作為一陰離子界面活性劑，所有早為人知的陰離子界面活性劑均可使用。在這些已知的陰離子界面活性劑裡，最好是使用一帶有陰離子官能基的活性劑。
前述陰離子官能基乃為一在水中會顯現陰離子特性的基。更進一步言之，其最具代表性的是一構成硫酸的基(以下稱磺酸基)、一構成磺酸酯的基(以下稱磺酸酯基) 、一構成磷酸酯的基(以下稱磷酸酯基)、一構成羧酸的基(以下稱羧基)之類的。
帶有磺酸基的陰離子表面活化劑更進一步言之，最具代表性的是有一陰離子官能基的化合物，比方說，烷基苯磺酸、二烷基琥珀磺酸、烷基4-羥間-苯二磺酸之類的；或是這類酸化物的鹽類；有至少二負離子官能基的化合物，比方說，烷基二磺酸、丙烯二磺酸、萘磺酸的甲醛溶液聚合物、萘二磺酸之甲醛溶液聚合物、酚磺酸之甲醛溶液聚合物、4-羥間-苯二磺酸之甲醛溶液聚合物、苯基苯酚甲醛溶液聚合物、苯基苯酚二磺酸之甲醛溶液聚合物之類的；或是這類化合物的鹽類；以及帶有至少二個陰離子官能基的化合物，比方說，烷基二苯醚二磺酸之類的，且另帶有醚鍵；或是這類化合物的鹽類。
前述鹽類最具代表性的是：鈉、鈣、銨、三乙醇胺、雙鈉、雙鈣、雙銨、四羥乙基胺等之鹽類。
在這些酸類和鹽類中，最好是烷基4羥間二磺酸或該酸的鹽類，舉例說，最好是十二基二苯醚二磺酸鈉鹽、十二基二苯醚二磺酸二氨鹽、十二基二苯醚二磺酸二銨鹽、十二基二苯醚二磺酸四羥乙基胺鹽。
帶有磺酸酯基的陰離子界面活性劑更進一步言之，最具代表性的是N-甲基牛膽素，比方說，烷基N-甲基牛膽素、醯基N-甲基牛膽素、脂肪酸N-甲基牛膽素；以及帶有一個陰離子官能基的化合物，比方說，聚氧化乙烯苯基醚碳酸酯、聚氧化乙烯醚磺酸脂、聚氧化乙烯多環苯基醚磺酸 酯、聚氧化烷基乙烯醚磺脂之類的；或這些化合物的鹽類。
前述鹽類最具代表性的有鈉、鈣、銨、三乙醇胺等之鹽類。
帶有磷酸酯基的陰離子界面活性劑更進一步言之，最具代表性的是有至少一個陰離子官能基的化合物，比方說，聚氧化烷基醚磷酸、聚氧化乙烯苯基醚磷酸之類的，且另有醚鍵，或這類酸的鹽類；帶有至少二個陰離子官能基的化合物，比方說，烷化二苯醚二磺酸之類的，且另有醚鍵，或這些酸的鹽類。
前述鹽類最具代表性的有鈉、鈣、銨、三乙醇胺、雙鈉、雙鈣、雙銨、四羥乙基胺等之鹽類。
帶有羧基的陰離子界面活性劑更進一步言之，最具代表性的為肌胺類型式化合物，比方說，烴醯類肌胺酸、脂肪酸類之肌胺酸之類的，脂肪酸類型式化合物，比方說，棕櫚油、油酸或這些酸類的鹽類，以及有至少二個負離子官能基的化合物，且另有醚鍵，更進一步言之，最具代表性的為諸如烷基三苯醚二羧酸之類的化合物或這些化合物的鹽類。
前述鹽類最具代表性的有鈉、鈣、銨、三乙醇胺、雙鈉、雙鈣、雙銨、四羥乙基胺等之鹽類。
在分子結構裡帶有至少二個不同的陰離子官能基的陰離子界面活性劑，更進一步言之，最具代表性的有諸如烷基琥珀酸化物、聚氧化乙烯烷基琥珀磺酸化物、單烷基琥 珀磺酸化物之類的化合物，其為有磺酸基和羧基的陰離子界面活性劑，或這些化合物的鹽類。
本發明的清潔液可含有二類前述陰離子官能基。
就本發明的清潔液來說，最好是使用一帶有磺酸基及/或磺酸酯基的陰離子界面活性劑，更好的是使用一帶有至少二個陰離子官能基的陰離子界面活性劑。此外，從最終取得的清潔液保存穩定度觀點，尤其更好的是在分子結構裡帶有至少二個陰離子官能基且另有醚鍵的一種陰離子界面活性劑。
本發明的清潔液大致含有從重量的0.001%到10%(最好是從重量的0.001%到1%；更好的是從重量的0.001%到0.5%)的一陰離子界面活性劑。
當前述陰離子界面活性劑的量少於從重量的0.001%時，若該清潔液經加熱到超過60℃，往往很難取得防止白濁的效果。當前述陰離子活化劑的量超過從重量的10%時，形成泡泡的可能性會增加，使得在使用時很難發揮效果。
在本發明的清潔液裡含有的羥基最具代表性的是無機、有機氫氧化物之類的。無機羥基更進一步言之，最具代表性的是氫氧化銨、氫氧化鉮、氫氧化鈉之類的，而有機羥基更進一步言之，最具代表性的是四甲基氫氧化氨、膽汁鹼之類的。
本發明的清潔液可含有至少二類的前述羥基。
在這些化合物裡，從防止電子零件上金屬污染的觀點，最好是使用氫氧化銨或四甲基氫氧化銨。
本發明的清潔液大致含有從重量的0.01%到31%(最好的是從重量的0.05%到10%；更好的是從重量的0.1%到5.0%)的前述氫氧化物。在本發明的清潔液裡，當前述氫氧化物的量低於從重量的0.01%時，其清潔效果會減降，在此同時，當前述氫氧化物的量超過從重量的31%時，會使得本發明的清潔液更不易製備。
本發明的清潔液裡含有的金屬腐蝕抑制劑是一種有機化合物，在其分子裡帶有至少一個選自氮、氧、磷、硫組成的基，其最具代表的化合物在其分子裡帶有至少一個巰基；在其分子裡帶有至少一個雙氮基的化合物；在其分子裡帶有至少一個羥基的化合物；在其分子裡帶有至少一個羥基及羧基的化合物；帶有至少一個巰基的化合物，其為一脂肪醇化合物，在該化合物裡，至少包含二個碳，且該碳係鏈接到巰基係鄰接鏈接到羥基的碳。
更進一步言之，在其分子式裡帶有至少一個巰基的化合物，最具代表性的是乙硫醇酸、硫代苯酸、乙硫乙二醇、乙硫丙三醇、胱氨酸之類的；在其分子式裡帶有至少一個雙氮基的化合物，最具代表性的是苯並三唑、哆三唑、4-甲咪唑、1-對羥基苯甲酸、5-羥甲基-4-甲咪唑、3-胺三唑之類的；在其分子式裡帶有至少二個羥基的化合物，最具代表性的是鄰苯二酚、間苯二酚、對苯二酚、鄰苯三酚之類的；在其分子式裡帶有至少一個羥基及羧基的化合物，最具代表性的是沒食子酸、丹寧酸之類的；在其分子式裡帶有至少一個巰基的化合物，為一脂肪醇化合物，在 該化合物裡，包含至少二個碳，且鏈接到巰基的碳係鄰接鏈接到羥基的碳，最具代表性的是乙硫乙二醇、乙硫丙三醇之類的。
本發明的清潔液可含有至少二類的前述金屬腐蝕抑制劑。
在本發明的清潔液裡含有的金屬腐蝕抑制劑係依照曝露在即將被清潔的電子零件表面的金屬類型而適當地挑選的。
舉個例說，當要被清潔的金屬是鎢時，最好，本發明的清潔液含有選自在其分子式裡帶有至少一個巰基的化合物，在其分子式裡帶有至少二個羥基，以及在其分子式裡帶有至少一個羥基與羧基的化合物所組成族團的至少一種化合物。
另外，當要被清潔的金屬是銅時，最好，本發明的清潔液含有選自在其分子式裡帶有至少一個巰基的化合物，在其分子式裡帶有至少一個雙氮基的化合物所組成族團的至少一種化合物，其為一脂肪醇化合物，在該化合物裡，包含至少二個碳，而鏈接到巰基的碳係鄰接鏈接到羥基的碳。
依照要清潔的金屬類型，在本發明的清潔液裡可含有幾種類型的金屬腐蝕抑制劑。
本發明的清潔液大致含有從重量的0.0001%到5%(最好的是從重量的0.001%到1%)的金屬腐蝕抑制劑。在本發明的清潔液裡，當前述金屬腐蝕抑制劑的量低於從重量的 0.0001%時，很難顯現抑制金屬腐蝕的效果；當其含量超過從重量的5%時，會減降其在該清潔液裡的溶解度。
本發明的清潔液含有一非離子表面活化劑。作為前述非離子表面活化劑，該非離子表面活化劑的成份大致可由公式(I)及/或公式(II)表示：HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I)
R-[((EO)a-(PO)b)c-H]m (II)(EO為含氧乙烯基，PO為含氧丙烯基，x與y，以及a與b為正數，x/(x+y)和a/(a+b)各為0.05到0.5；z與c為正整數。
R為單價基的：R1-O- (1)
H2N-R1-NH- (2)
H2N-R1-O- (3)，雙價基的：-O-R1-O- (4)
-HN-R1-O- (6)
-HN-R1-NH- (7)
三價基的：
四價基的：
R1為一碳氫基帶有C1-20，其可由羥基及/或烷基代換，m為從1到4的一整數，對應R的原子價)。
在公式(I)和(II)裡，該含氧乙烯基係以-CH2-CH2-O-表示，而含氧丙烯基係以CH(CH3)-CH2-O-或CH2-CH(CH3)-O-表示。
在公式(I)和(II)裡，x與y，以及a與b為正數，x/(x+y)和a/(a+b)各為0.05到0.5，而z與c為正整數。
當x/(x+y)和a/(a+b)各小於0.05時，調整該清潔液的溶解度會變得不充份，在此同時，當其大於0.5時，清潔液去除泡泡的特性會變得不夠。本發明的清潔液可含有至少二種化合物，其x/(x+y)及/或a/(a+b)有不同的值。
在公式(I)裡以((EO)x-(PO)y)z以及在公式(II)裡以((EO)a-(PO)b)c表示的含氧乙烯基和含氧丙烯基的聚合物部份可以是嵌段共聚物、隨意共聚物，或是具有嵌段特性的隨意共聚物。在這些共聚物裡，最好是嵌段共聚物。
R是以單價、雙價、三價或四價基表示；R1為帶C1-20的碳氫基，其可以羥基及/或烷基代換。
碳氫基更進一步言之最具代表性的有烷基，比方說，甲烷基、乙烷基、丙烷基、丁烷基之類的；次烷基，比方 說，次甲基、乙烯基、丙烷基、丙烯基之類的；烯基，比方說，乙烯基、丙烯基之類的；以及苯基之類的。
以單價到四價基表示的R可更進一步言之，最具代表性的為殘留基，在殘留基裡，羥基原子經從乙醇或胺的氫氧化合物基除去。
就乙醇和胺來說，以單價基表示的化合物最具代表性的有2-乙基乙醇、十二醇、十六醇、十八油醇、十三烷基醇、動物脂肪酯、玉米油醇、單羥基乙胺之類的；以雙價基表示的化合物最具代表性的有乙醇、丙醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、1,4-丁三醇、2-甲基-1,2-丙二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、二羥基乙胺之類的；以三價基表示的化合物最具代表性的有甘油、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷之類的；以四價基表示的化合物最具代表性的有四硝酸鹽、己六醇、三乙醇胺、乙二胺、1,2-丙二胺之類的。
在公式(II)裡，m是對應R的價數的一從1到4的整數。
至於在公式(I)裡的非離子表面活化劑及/或在公式(II)裡的非離子表面活化劑，含氧丙烯的平均分子量大致在500到5000，最好的是在900到3500，更好的是在1500到3500。
若該平均分子量低於500，清潔能力會不足，如果其超過5000，調整的溶解度會減降。
以公式(I)表示的非離子表面活化劑更進一步言之 ，最具代表性的有聚氧化乙烯‧聚氧化丙烯之聚合物、聚氧化丙烯‧聚氧化乙烯之聚合物之類的。
以公式(II)表示的一非離子表面活化劑更進一步言之，最具代表性的有聚氧化乙烯‧聚氧化丙烯‧2-乙基乙酯、聚氧化乙烯‧聚氧化丙烯‧十二烷醚、聚氧化乙烯‧聚氧化丙烯‧十八醇醚、加入丙三醇‧聚氧化乙烯‧聚氧化丙烯之聚合體、加入乙二胺‧聚氧化乙烯‧聚氧化丙烯之聚合體之類的。
本發明的清潔液可含有至少二種非離子表面活化劑，以公式(I)表示的非離子表面活化劑和以公式(II)表示的非離子表面活化劑可個別使用，亦可一起使用。
本發明的清潔液大致含有從重量的0.0001%到10%(最好是從重量的0.001%到1.0%；更好的是從重量的0.001%到0.1%)的以公式(I)或(II)表示的非離子表面活化劑。
當該非離子表面活化劑的量低於從重量的0.0001%時，其對矽的腐蝕性會增加；在此同時，當超過從重量的10%時，其清潔效果會很差，因為清潔液的發泡特性會大增。
本發明的清潔液可含有一還原劑以改進因為加了金屬腐蝕抑制劑的清潔效果。
可加入到本發明的清潔液裡的該還原劑，最具代表性的有聯胺、羥胺、脂肪飽和單羧酸型態、乙醛類以及這些類型的衍生物，含有活性雙鍵或多鍵的化合物，以及氫化硼鹼性化合物的胺衍生物。
聯胺和其衍生物由下列公式(III)表示：
(R1、R2、R3和R4的每一個係獨立的氫原子，帶C1-6的烷基、帶C6-10的環烷基、帶C2-6的不飽和烴基、帶C2-6的不飽和羥基、帶C1-6的羧基、烷基胺，或羥基取代烷基。)
以公式(III)表示的聯胺和其衍生物更進一步言之，最具代表性的有聯胺、甲基聯苯、1,1-二甲基聯苯、酒精(乙醇)之類的，以及另包含該等化合物的鹽類，比方說，硫酸肼、碳酸肼、聯甲苯胺鹽酸類。
羥胺和其衍生物以公式(IV)表示：
(R1、R2和R3的每一個係獨立的氫原子，帶C1-6的烷基、帶C6-10的環烷基、帶C2-6的不飽和烴基、帶C2-6的不飽和羥基、帶C1-6的羧基、烷基胺，或羥基取代烷基。)
以公式(IV)表示的聯胺和其衍生物更進一步言之，最具代表性的聯胺、N-甲基羥胺酸、N,N-羥基二乙胺、N,N-乙基己基胺之類的；以及另含有這些化合物的鹽類，比方說，鹽酸羥胺之鹽類、硫酸羥胺之類的。
脂肪飽和烴單羧酸類和其衍生物更進一步言之，最具 之代表性的有甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸之類的；以及再次有此等酸類的鹽類，比方說，甲酸銨、甲酸鈉、甲酸鉀、乙酸銨、乙酸鈉、乙酸鉀之類的。
醛類和其衍生物更進一步言之，最具代表性的有甲醛、乙醛、苯甲醛、氫氧苯甲醛化合物之類的。
含有活性的雙鍵或多鍵的化合物更進一步言之，最具代表性的有2-丁炔-1,4醇、2-丁炔-lol、3-丁炔-lol、維他命C、異維他命C、膝酸之類的。
硼化氫鹼性化合物的胺類衍生物最具代表性的有二乙基胺化溴之類的。
當本發明的清潔液裡含有溴化氫鹼性化合物的胺類衍生物時，在本發明的清潔液裡的該還原劑含量大致在從重量的0.01%到20%，最好的是從重量的0.1%到10%。當該濃度低於從重量0.01%時，清潔液對金屬腐蝕抑制效果會容易降低；而當超過從重量的20%時，製造成本會增加。
本發明的清潔液是藉著將水與前述每一種成份的一小量混合而得。混合的順序或方法並無特別限制，昔見的各種方法均可使用。
本發明的清潔液即使在高達至少60℃的溫度下亦不易發生白濁現象，另外，可供長時間使用。
本發明清潔液的使用溫度大致在10℃到80℃，最好是在40℃到80℃，更好是在60℃到80℃。
至於藉著使用本發明的清潔液用以清潔電子零件的一種方法，具代表性的是一種方法，在該方法裡，本發明的 清潔液經在前述溫度範圍裡調製，將電子零件含浸清潔液裡，或是另一種方法，將本發明的清潔液以噴佈方式，藉著將電子零件轉動的同時將清潔液加溫到前述溫度範圍，噴佈到對應的電子零件表面上。另外，在實作此等實施例時，物理清潔方法，比方說，幅照超音波或使用一刷具以轉動或左右擺動方式，可配合前述化學方式作業。
本發明的清潔液具有絕佳的清潔效果，又可有效抑制金屬腐蝕，舉個例說，矽之類的，比方說，單結晶矽、非結晶矽、多結晶矽；或是矽以外的金屬，比方說，鎢或銅，且更適合用來清潔像液晶顯示器，使用矽基材的積體電路裝置之類的電子零件。
下面，吾人將藉由較佳的實施例，對本發明作更詳細的說明，然而，本發明之精神與範疇不應受限於該等實施例。
實施例1
依表1所述的成份混合清潔液(以下稱“本發明的清潔液1”)。本發明的清潔液1經加熱到40℃和65℃提供一良好的清潔效果，當該清潔液加熱期間以肉眼觀察清潔液之白濁現象。若清潔液呈透明，則畫記O，若其呈白濁，則劃記X。
其結果示於【表1】。
界面活性劑A：乙二胺‧聚氧化乙烯．聚氧化丙烯之聚合物。一種非離子界面活性劑，在該界面活性劑裡，含氧乙烯基的平均分子量為2500~3000，a/(a+b)=0.4，R以公式(II)表示，其為一殘留基，在該殘留基裡，氫原子從乙二胺去除。
界面活性劑B：十二基二苯醚二磺酸銨，其為一種陰離子界面活性劑。
實施例2
依表2所述的成份混合清潔液(以下各稱“本發明的清潔液1”與“本發明的比對清潔液1”)。一矽晶圓以一昔見旋轉被膜法將一平均分子量半徑為0.6 μm(微米)的聚苯乙烯乳化水性擴散溶液佈於其表面，當作一清潔的材料，本發明的清潔液1經調整到40℃或65℃，本發明的比對清潔液1經調整到65℃，以溫熱的溶液方式進行了 清潔作業。在清潔作業前/後材料上的粉塵數經計數，半計算去除的粉塵數，另外，該清潔液的白濁現象經以肉眼觀察。此外，在該矽晶圓上直徑至少0.1 μm(微米)的範圍裡經佈上聚苯乙烯乳化水性擴散溶液且未清潔前的粉塵量為3000~2800粒/張。
此外，作為一已清潔的材料，在矽基材上形成10000 Å厚度的熱氧化薄膜之後有著1000 Å厚度的形成一聚合矽薄膜的測試片(A)，以及在矽基材上形成一1000 Å厚度的聚合矽薄膜有著10000 Å厚度的鎢薄膜的測試片(B)經使用並經含浸在表2所述的清潔液裡，並觀察對聚合矽與鎢的腐蝕。
清潔狀況與清潔結果如【表2】中所示。
表面活化劑A：加入乙二胺‧聚氧化乙烯‧聚氧化丙烯之聚合體，其為一種非離子表面活化劑，在該表面活化劑裡，含氧乙烯基的平均分子量為2500~3000，a/(a+b)=0.4，R以公式(II)表示，其為一殘留基，在該殘留基裡，氫原子從乙二胺去除。
表面活化劑B：十二基二苯醚二磺酸銨，其為一種陰離子界面活性劑。
【本發明的效果】
本發明旨在提供一種新的電子零件清潔液，其能抑制矽或矽以外的金屬腐蝕，且能有效地清潔沾附到電子零件表面上的細微粉塵或有機物質，且不容易產生白濁現象。 另外，本發明的電子零件清潔液在長時間處於高溫下仍呈穩定，且由於不產生白濁現象，在工業使用上，亦是優點。

Claims (10)

  1. 一種電子零件清潔液，其特徵為含有一選自十二烷基二苯基醚二磺酸二鈉鹽、十二烷基二苯基醚二磺酸二銨鹽或十二烷基二苯基醚二磺酸二(三乙醇胺)鹽之陰離子界面活性劑、氫氧化物、金屬腐蝕抑制劑、水及式(I)及/或(II)所示之非離子界面活性劑：HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I) R-[((EO)a-(PO)b)c-H]m (II)(EO為氧伸乙基，PO為氧伸丙基，x與y及a與b為正數，且x/(x+y)和a/(a+b)各為0.05到0.5；z與c為正整數。R為下式單價基之一：R1-O- (1) H2N-R1-NH- (2) H2N-R1-O- (3),或下式雙價基之一：-O-R1-O- (4) -HN-R1-O- (6) -HN-R1-NH- (7) 或下式三價基之一： 或下式四價基之一： R1為C1-20烴，其可經羥基及/或烷基取代；m為1到4的整數，其對應R的價數基所表示結構之一)。
  2. 根據申請專利範圍第1項的清潔液，其另含有一還原劑。
  3. 根據申請專利範圍第1項或2項的清潔液，其中前述氫氧化物為有機氫氧化物或無機氫氧化物。
  4. 根據申請專利範圍第1或2項清潔液，其中前述氫氧化物的濃度為0.01%到31重量%。
  5. 根據申請專利範圍第1或2項的清潔液，其中前述金屬腐蝕抑制劑為一有機化合物，其分子中含有至少一個選自氮、氧、磷或硫之原子。
  6. 根據申請專利範圍第5項的清潔液，其中該分子中含有至少一個選自氮、氧、磷或硫之原子的有機化合物 為下列化合物中的一者：(1)分子中含有至少一個巰基的化合物；(2)分子中包含至少一個唑基的化合物；(3)分子中含有至少二個羥基的化合物；(4)分子中包含至少一個羥基和羧基的化合物，以及(5)分子中包含至少一個巰基的化合物，其為一脂肪醇化合物，其包含至少二個碳且鏈接巰基的碳係與鏈接羥基的碳相鄰。
  7. 根據申請專利範圍第1或2項的清潔液，其中前述金屬腐蝕抑制劑的含量為0.0001到5重量%。
  8. 一種清潔電子零件的方法，其特徵為使用根據申請專利範圍第1或2項的清潔液。
  9. 一種清潔電子零件的方法，該零件上有鎢曝露，該方法的特徵為使用根據申請專利範圍第1或2項的清潔液，其中金屬腐蝕抑制劑為選自分子中含有至少一個巰基的化合物、分子中包含至少二個羥基的化合物或分子中含有至少一個羥基和羧基的化合物中的至少一者。
  10. 一種清潔電子零件的方法，該零件上有銅曝露，該方法的特徵為使用根據申請專利範圍第1或2項的清潔液，其中金屬腐蝕抑制劑為選自分子中包含至少一個唑基的化合物或分子中包含至少一個巰基的化合物(其為一脂肪醇化合物，其包含至少二個碳且鏈接巰 基的碳係與鏈接羥基的碳相鄰)中的至少一者。
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