TWI391203B - Method of processing of laser marking - Google Patents

Method of processing of laser marking Download PDF

Info

Publication number
TWI391203B
TWI391203B TW99119367A TW99119367A TWI391203B TW I391203 B TWI391203 B TW I391203B TW 99119367 A TW99119367 A TW 99119367A TW 99119367 A TW99119367 A TW 99119367A TW I391203 B TWI391203 B TW I391203B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light component
laser
optical system
beam spots
processed
Prior art date
Application number
TW99119367A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201103685A (en
Inventor
Toshikazu Kajikawa
Original Assignee
Seishin Trading Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seishin Trading Co Ltd filed Critical Seishin Trading Co Ltd
Publication of TW201103685A publication Critical patent/TW201103685A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI391203B publication Critical patent/TWI391203B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • C03B33/093—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam using two or more focussed radiation beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0652—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B23K26/0676—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
    • Y10T225/10—Methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

雷射劃線加工方法
本發明係關於使用於硬脆性材料等之加工之雷射劃線加工方法。
雷射加工被廣泛地使用作為割斷裝載電子零件之電路基板等之手段。雷射加工使用透鏡等照射光學系統將光源射出之雷射光線聚光的同時，將成為高功率密度之雷射聚光點(光束點)照射於基板，以割斷基板。
作為上述基板之材料，使用硬脆性材料。硬脆性材料分類有以玻璃材料為代表之非結晶性的硬脆性材料、與以藍寶石等為代表之結晶性的硬脆性材料。例如，對由非結晶性之硬脆性材料所形成之基板照射雷射光線時，在基板局部形成熱加工結果之熔融加工痕或熱變質處的同時，形成起因於與熱加工同時產生之變形應力的不定形狀裂痕。此種裂痕形成於基板表面之各方向，且已知該形成方向受雷射光線或照射光學系統之非對稱性或波面像差等影響。又，結晶性材料具有容易劈開之方位(劈開面)。對該結晶性材料構成之基板施加雷射加工時，一般沿構成基板之結晶性材料的劈開面方向形成裂痕。如此，因雷射加工而於基板表面及/或內部之各方向形成之裂痕，可能使基板之割斷不均一(非對稱)，且不易往所欲之割斷方向割斷。
對於此種裂痕之產生，(A)作為防止裂痕產生之手段，日本特開2008-93706號公報揭示有一邊使雷射光束相對於被加工物移動、一邊進行加工之雷射加工方法，其特徵在於，該雷射光束於被加工物之照射面，具有在相對移動方向具有長軸之橢圓形狀的光束形狀，且沿長軸方向之光強度分布為非對稱。又，(B)作為利用裂痕之產生來進行基板割斷之手段，日本特開2007-260749號公報揭示有使第1雷射光聚光於被加工物表面附近以形成初始裂痕，並以該初始裂痕為起點使割斷裂痕於被加工物延展，將被加工物割斷之雷射加工方法。
然而，在上述(A)雷射加工方法，為防止裂痕產生，需要特殊之聚光光學系統等。又，在上述(B)雷射加工方法，雖利用對基板之硬脆性材料照射雷射光線所產生之熱應力來進行割斷，但該熱應力大時，有時會產生基板變形或不均一割斷面的問題。進而，由於需要設置對雷射照射區域噴吹冷卻介質之冷卻步驟，因此有調整、製作上的問題。
(專利文獻1)日本特開2007-260749號公報
(專利文獻2)日本特開2008-93706號公報
本發明係有鑒於此等缺陷而構成，其目的在於提供雷射劃線加工方法，其於玻璃或藍寶石等硬脆性材料等所形成之基板之雷射劃線加工，藉由照射雷射光線於基板表面同時形成複數對光束點，並控制由該複數對光束點所形成之裂痕的延伸方向，可調整成使基板之割斷方向與所欲方向一致。
為解決上述課題而發明之雷射劃線加工方法，係使用射出雷射光線之光源、及將該雷射光線導至加工對象物之照射光學系統形成沿加工對象物之劃線方向之裂痕，其特徵在於，具有：射出步驟，自光源射出雷射光線；分離步驟，將該雷射光線分離成行進方向不同之正常光成分及異常光成分；聚光步驟，一邊將該正常光成分及異常光成分聚光、一邊形成複數對光束點；以及照射步驟，將具有該複數對光束點之雷射光線間歇性地照射於加工對象物之劃線方向。
該雷射加工方法係雷射劃線加工方法，使用射出雷射光線之光源、及將該雷射光線導至加工對象物之照射光學系統形成沿加工對象物之劃線方向之裂痕。具體而言，一邊將射出之雷射光線分成正常光成分及異常光成分、一邊使之往不同方向行進，將再聚光所形成之複數對光束點同時照射加工對象物，利用該複數對光束點間形成之裂痕來割斷加工對象物的方法。如此，藉由於加工對象物上同時形成相互分離之複數對光束點，可有效地形成熱影響層少且具有方向性之裂痕並使之延伸，其結果，可實現加工對象物之均一且對稱的割斷。又，藉由將具有該複數對光束點之雷射光線間歇性地照射加工對象物之劃線方向，往連結複數對光束點之直線上延伸之裂痕彼此連結，可將熱應力之影響抑制在最小限度，同時均一且對稱地割斷加工對象物。
在該分離步驟中正常光成分及異常光成分之分離，使用配置於照射光學系統之複折射性稜鏡即可。由於使用此種複折射性稜鏡，可同時實現將雷射光線分離成正常光成分及異常光成分、以及使該分離後之正常光成分及異常光成分往不同方向行進，其結果，可使裝置構成單純化或提升操作容易性。
調整正常光成分及異常光成分之分離方向，以使該照射步驟中一對光束點之分離方向沿加工對象物之劃線方向。如此，調整正常光成分及異常光成分之分離方向，對應該調整，由於可使分離之一對光束點的分離方向沿加工對象物的劃線方向，因此，可有效地使裂痕往劃線方向延伸的同時，能控制裂痕之延伸方向並使之形成於所欲方向。其結果，可使加工對象物之斷裂為均一且對稱。
調整正常光成分及異常光成分之分離方向，以使該照射步驟中一對光束點之分離方向沿加工對象物之劈開面。例如，加工對象物由藍寶石等硬脆性材料形成時，調整正常光成分及異常光成分之分離方向，藉由調整成分離之一對光束點的分離方向沿加工對象物具有之劈開面，可使裂痕往劈開面延伸，利用該裂痕之延伸可實現對所欲方向之均一且對稱的割斷。
在該照射步驟中一對光束點之分離方向之調整，使用配置於照射光學系統、能以照射光學系統之光軸為中心旋轉之複折射性稜鏡。藉由採用此種可以照射光學系統之光軸為中心旋轉之複折射性稜鏡，可同時實現(1)將雷射光線分離成正常光成分及異常光成分，(2)使該正常光成分及異常光成分往不同方向行進，進一步，(3)亦可容易調整與照射光學系統之光軸垂直面內之該正常光成分及異常光成分的分離方向。
調整正常光成分及異常光成分之分離方向，以調整該照射步驟中一對光束點之中心間距離。調整已分離之雷射光線之正常光成分及異常光成分的分離方向時，對應該調整，可調整一對光束點之中心間距離。如此，藉由將一對光束點之中心間距離調整為與加工對象物之種類、性質或加工特性等對應之最佳值，可有效地實現連結該一對光束點之直線上之裂痕的形成及延伸，同時，可容易控制該裂痕之形成及延伸。
較佳為，將該照射步驟中一對光束點之中心間距離調整成光點直徑之0.2倍以上50倍以下。藉由將該一對光束點之中心間距離調整為上述範圍，可最有效地實現連結該一對光束點之直線上之裂痕的形成、延伸，其結果，可使直線且穩定之裂痕於加工對象物之劃線方向形成、延伸，使加工對象物之割斷更均一且對稱。
在該分離步驟，使用配置於照射光學系統、能以照射光學系統之光軸為中心旋轉之1/2波長板調整正常光成分及異常光成分之強度比。藉由使用如該1/2波長板之偏振旋轉元件來調整正常光成分及異常光成分的強度比，可控制複數對光束點之功率密度，調整複數對光束點形成之裂痕的延伸方向。其結果，可容易調整最適合加工對象物之種類、性質或加工特性之熱影響層的產生或加工對象物的割斷方向。
較佳為，在該照射步驟形成之複數對光束點之光點直徑為0.3μm以上300μm以下。藉由將該光點直徑設於上述範圍，可使於連結複數對光束點之直線上形成之裂痕更加大幅延伸，同時，可將熱應力之影響抑制在最小限度，容易實現加工對象物之均一且對稱之割斷。
該照射光學系統進一步具備1/4波長板。藉由具備該1/4波長板，可將雷射光線之直線偏振轉換成圓偏振並除去偏振的影響，容易謀求加工特性之穩定化。
此處，「劃線方向」係指對加工對象物間歇性地照射雷射光線的方向。「割斷方向」係指於加工對象物產生斷裂的方向。「一對光束點之分離方向」係指由正常光成分及異常光成分形成之一對光束點的分離方向，且與照射光學系統之光軸垂直之面內的分離方向。「一對光束點之中心間距離」係指由正常光成分及異常光成分形成之一對光束點，於與照射光學系統之光軸垂直之面內分別形成之大致圓形之中心點彼此的距離。「照射光學系統之光軸」係指成為該光軸之對比對象之照射對象物部分的光軸。
如以上說明，本發明之雷射劃線加工方法，藉由雷射光線之照射，於加工對象物同時形成複數對光束點，同時，控制由該複數對光束點形成之裂痕往加工對象物容易裂開之方向延伸，藉此，可有效且容易地實現加工對象物之均一且對稱的割斷。又，本發明之雷射劃線加工方法由簡便且單純之步驟構成，由於可容易進行裂痕之形成、延伸方向的控制，因此可謀求提升作業效率。
以下，參照適當圖式詳細說明本發明之實施形態。
圖1之雷射劃線加工方法，將雷射光線P照射至由硬脆性材料等形成之加工對象物Q(基板)，形成沿加工對象物Q之劃線方向的裂痕來進行加工。該雷射劃線加工方法，具有射出步驟STP1、分離步驟STP2、聚光步驟STP3及照射步驟STP4。
為實現該雷射劃線加工方法之系統構成例，如圖2所示，具備光源1、載台2及照射光學系統3。光源1，用以射出雷射光線P。載台2，用以設置加工對象物Q，並具備移動手段，使加工對象物Q相對於照射光學系統3之位置於與照射光學系統3之光軸R垂直之面內的正交2方向(X軸方向、Y軸方向)移動。
照射光學系統3，係將自光源1射出之雷射光線P導光及聚光於加工對象物Q，主要具備：光束擴大器4、1/2波長板5、複折射性稜鏡6、光路修正光學系統7、反射鏡8、1/4波長板9及聚光透鏡10。
光束擴大器4，於雷射光線P之行進方向依序具有凹透鏡11及凸透鏡12，將自光源1射出之雷射光線P擴大。1/2波長板5，以雷射光線P之行進方向為基準設置於光束擴大器4之後，使雷射光線P之電場向量旋轉，採用可以雷射光線P之光軸R為中心旋轉之構成。複折射性稜鏡6，將自光源1射出之雷射光線P分離成不同行進方向之正常光成分13及異常光成分14。光路修正光學系統7，用以修正透射過複折射性稜鏡6之正常光成分13及異常光成分14的行進方向。反射鏡8，將透射過光路修正光學系統7之雷射光線P導光至聚光透鏡10，使用該反射鏡8使雷射光線P之反射角度改變，可容易調整雷射光線P之行進方向。1/4波長板9，以雷射光線P之行進方向為基準設置於光路修正光學系統7之後，將自反射鏡8導光來之雷射光線P之直線偏振轉換成圓偏振。聚光透鏡10，將透射過1/4波長板9之雷射光線P之正常光成分13及異常光成分14聚光於加工對象物Q。
射出步驟STP1，自光源1射出雷射光線P。作為雷射光線P之振盪手段，採用脈衝振盪。藉由採用脈衝振盪作為該振盪手段，可於短時間幅度內集中能量且產生具有高峰值功率之雷射脈衝，其結果，可實現對加工對象物Q之熱影響層少的有效率加工。
作為上述脈衝振盪之振盪形態，並無特別限定，例如可舉出脈衝寬度為0.1ps～20ns左右之脈衝振盪、Q開關脈衝振盪等。又，於該Q開關脈衝振盪，亦可採用高速反覆用之A/O元件或短脈衝振盪用之E/O元件。此外，即使連續波振盪，藉由使用A/O-Q開關等，亦可得到約數十KHz反覆之脈衝狀振盪輸出。
作為在射出步驟STP1射出之雷射光線P的波長，加工對象物Q由藍寶石等之硬脆性材料形成時，較佳為調整在200nm以上11μm以下，特別是調整在240nm以上1600nm以下更佳。藉由將該雷射光線P之波長調整在上述範圍，可實現最適合割斷由結晶性之硬脆性材料形成之加工對象物Q的雷射輸出，可提升雷射劃線加工之效率性及準確性。
作為光源1之種類，並無特別限定，例如可舉出Nd:YAG雷射、Nd:YVO4雷射、Yb:YAG雷射、Ti：藍寶石雷射等固體雷射；光纖雷射及其諧波；準分子雷射、CO2 雷射等氣體雷射等。其中，較佳為採用熱影響少之短脈衝雷射或具有被硬脆性材料強力吸收之紫外區之振盪波長的雷射。
分離步驟STP2，將自光源1射出之雷射光線P分離成不同行進方向之正常光成分13及異常光成分14。依照該分離步驟STP2，將單一束之雷射光線P分成正常光成分13及異常光成分14的2個成分，將該正常光成分13及異常光成分14分離成與照射光學系統3之光軸R垂直之面內的方向，並使之往各個不同方向行進，其結果，可相對於加工對象物Q形成分離之一對光束點。依此分離之一對光束點形成之裂痕，熱影響層少，且於連結一對光束點之直線方向連續延伸。加工對象物Q沿該裂痕之延伸方向變得容易割斷，其結果，可均一且對稱地割斷。此外，若不將該光束點分離而為單一光點時，由於從光點之加工痕中央部形成之裂痕多數形成於加工對象物Q表面之周邊方向，均一且對稱之割斷變得困難，因此較不適當。
於分離步驟STP2之正常光成分13及異常光成分14之分離，可使用設置於照射光學系統3之複折射性稜鏡6。藉由使用此種複折射性稜鏡6，可同時實現(1)將雷射光線P分離成正常光成分13及異常光成分，(2)使已分離之正常光成分13及異常光成分14往不同方向行進。其結果，可謀求裝置構成之單純化或提升操作容易性。
上述複折射性稜鏡6，於結晶方位具有2個不同折射率，利用此等折射率差異，可將射入之雷射光線P分離成正常光成分13與異常光成分14。藉由使該複折射性稜鏡6之結晶軸S的方向與照射光學系統3之光軸R的方向正交，並調整結晶軸S之方向與自光源1射出之雷射光線P之電場方向的所成角度，可確實且有效率地將雷射光線P之成分分離成正常光成分13與異常光成分14。又，複折射性稜鏡6，由於具有楔形頂角θw(稜鏡之光射入面與光射出面的交叉角度)，因此使正常光成分13與異常光成分14往各個不同方向行進變得容易。
作為上述複折射性稜鏡6之材料，例如可舉出光學水晶、藍寶石、方解石等，其中，較佳為使用可發揮對雷射光線之高耐光強度、且對廣域波長範圍之高透射率的光學水晶。又，作為複折射性稜鏡6之種類，例如可舉出楔形稜鏡，杜夫稜鏡(Dove prism)，尼克耳稜鏡(Nicol prism)，渥拉斯頓稜鏡(Wollaston prism)，羅雄稜鏡(Rochon prism)等。其中，如上述，較佳為楔形稜鏡。
於分離步驟STP2，可調整正常光成分13及異常光成分14之分離方向，使在照射步驟STP4形成之一對光束點的分離方向沿著加工對象物Q之劃線方向。在照射步驟STP4形成之一對光束點的分離方向，由在分離步驟STP2分離後之正常光成分13及異常光成分14的分離方向來決定。藉由調整該正常光成分13及異常光成分14之分離方向，使一對光束點之分離方向沿加工對象物之劃線方向，可使裂痕有效地相對於劃線方向延伸，同時，可抑制裂痕往與劃線方向不同方向延伸形成。其結果，可使加工對象物Q之斷裂均一且對稱。進而，可容易控制該裂痕之延伸方向，使之往所欲之方向(劃線方向)延伸。
又，加工對象物Q為藍寶石等之結晶性硬脆性材料時，於分離步驟STP2，可調整正常光成分13及異常光成分14之分離方向，使照射步驟STP4之一對光束點的分離方向沿加工對象物Q之劈開面。結晶性之硬脆性材料，具有對應結晶構造種類之特有劈開面，且具有在該劈開面之方向容易斷裂的性質。利用此種性質，藉由調整正常光成分13及異常光成分14之分離方向，使一對光束點之分離方向沿加工對象物Q之劈開面，可實現裂痕相對於劈開面延伸，於該裂痕之延伸方向均一且對稱之割斷。此外，於該雷射劃線加工方法，作為可加工之結晶性硬脆性材料之結晶構造，例如可舉出三斜晶體，單斜晶體，斜方晶體，六角晶體，三角晶體，四角晶體，立方晶體等。
如此，於分離步驟STP2，調整正常光成分13及異常光成分14之分離方向時，可使用以照射光學系統3之光軸R為中心旋轉之複折射性稜鏡6。藉由使用以照射光學系統3之光軸R為中心旋轉之複折射性稜鏡6，可不使裝置構成複雜化而能將雷射光線P分離成正常光成分13及異常光成分14，並使之往各個不同方向行進，同時，以旋轉複折射性稜鏡6之簡單操作，可容易調整正常光成分13及異常光成分14之分離方向。詳細說明該分離方向之調整機構，當使複折射性稜鏡6以照射光學系統3之光軸R為中心旋轉45°時，正常光成分13及異常光成分14之分離方向與此旋轉對應，相同地旋轉45°，其結果，一對光束點之分離方向於與照射光學系統3之光軸R垂直之面內旋轉45°。此外，該複折射性稜鏡6之旋轉，由於可以照射光學系統3之光軸R為中心旋轉360°，因此，可於與照射光學系統3之光軸R垂直之面內360°調整一對光束點的分離方向。
又，使用可以上述照射光學系統3之光軸R為中心旋轉之複折射性稜鏡6時，可以雷射光線P之行進方向為基準，於複折射性稜鏡6之後，具備可以照射光學系統3之光軸R為中心旋轉之光路修正光學系統7。該光路修正光學系統7係不具有複折射性之稜鏡。又，其頂角，由相對於使用材料之雷射光線的折射率來決定，通常，與複折射性稜鏡6之頂角θw不同。藉由使用此種光路修正光學系統7，可修正因旋轉複折射性稜鏡6所產生之正常光成分13及異常光成分14之行進方向的位移，其結果，可使正常光成分13及異常光成分14往所欲之方向行進。此外，作為該光路修正光學系統7之材料，例如可舉出合成石英等。
於分離步驟STP2，可調整正常光成分13及異常光成分14之分離方向來調整照射步驟STP4之一對光束點的中心間距離。對加工對象物Q形成一對光束點，為使形成於連結該一對光束點之直線上的裂痕有效率地產生，並使該裂痕往所欲方向延伸，需將一對光束點之中心間距離調整為對應加工對象物Q之種類、性質或加工特性等之最佳值。因此，調整已分離之雷射光線P的正常光成分13及異常光成分14的分離方向，對應該調整一對光束點之中心間距離亦被調整，其結果，可有效地實現對應加工對象物Q之種類、性質或加工特性等之最佳裂痕的形成及延伸，同時，可容易控制該裂痕之形成及延伸。
作為上述一對光束點之中心間距離之調整手段，可舉出例如調整複折射性稜鏡6之楔形頂角θw的手段、使用透鏡光學系統(未圖示)擴大雷射光束徑的手段等。詳細說明調整複折射性稜鏡6之楔形頂角θw的手段，例如將雷射光線P之波長設定為1.064μm、聚光透鏡之焦點距離為100mm、楔形頂角θw為約2°時，一對光束點之中心間距離約60μm。如此，準備不同楔形頂角θw之複數個複折射性稜鏡，可調整最適合加工對象物Q之性質等之一對光束點的中心間距離。又，詳細說明使用透鏡光學系統來擴大雷射光束徑的手段，例如使用於雷射光線P之行進方向依序具有凹透鏡及凸透鏡的透鏡光學系統來擴大雷射光線P，可調整一對光束點之中心間距離。此外，藉由將該透鏡光學系統之雷射光束徑的擴大機構設為連續系統，可連續調整中心間距離。
上述一對光束點之中心間距離，較佳為調整為光點徑之0.2倍以上50倍以下，特別是調整為0.5倍以上40倍以下更佳。將該一對光束點之中心間距離設為上述範圍，可給予最佳之光束點條件，以使於加工對象物Q之割斷方向形成直線且穩定之裂痕並使之延伸。該中心間距離未滿光點徑之0.2倍時，由於與單一光點時相同，於加工對象物Q表面之周邊方向形成多數，實現均一且對稱之割斷變得困難，因此不適合。又，超出50倍時，由於於間歇形成之一對光束點群組，各光束點延伸之裂痕彼此不連結，其結果，加工對象物Q之割斷變得困難，因此不適合。
於分離步驟STP2，可使用設置於照射光學系統3且以照射光學系統3之光軸R為中心旋轉之1/2波長板5來調整正常光成分13及異常光成分14之強度比。依該正常光成分13及異常光成分14之強度比，可將一對光束點形成之裂痕的長度或方向最佳化。因此，藉由使用如1/2波長板5之偏振旋轉元件來調整正常光成分13及異常光成分14之強度比，可控制一對光束點之功率密度，容易調整最適合加工對象物Q之種類或性質之熱影響層的產生或裂痕的延伸方向。詳細說明此種機構，1/2波長板5具有使分離前之雷射光線P之電場向量旋轉的作用。例如設1/2波長板5之遲相軸及射入雷射光線之電場向量所夾角度為θ時，當雷射光線P透射過1/2波長板5時，透射過後之電場向量旋轉2θ。藉由使用此種1/2波長板5，可不使裝置構成複雜化而能容易調整已分離之正常光成分13及異常光成分14之強度比。進而，藉由使該1/2波長板5可以雷射光線P之光軸R為中心旋轉，對應其旋轉角度，可容易且連續地使與遲相軸垂直之正常光成分13及與此正交之異常光成分14的強度比變化。
聚光步驟STP3，將於分離步驟STP2分離且行進方向各個不同之正常光成分13及異常光成分14聚光，形成一對光束點。作為該聚光手段，雖無特別限定，但較佳為採用對使用之雷射光線P之波長進行光學像差修正之單透鏡或組合透鏡的聚光透鏡10。此外，作為構成聚光透鏡10之透鏡的種類，例如可舉出雙凸透鏡，平凸透鏡，凸彎月面透鏡，雙凹透鏡，平凹透鏡，凹彎月面透鏡等。
照射步驟STP4，將具有在聚光步驟STP3形成之一對光束點之雷射光線P，沿加工對象物Q之劃線方向間歇性照射。如此，藉由將一對光束點沿劃線方向間歇性照射，於連結一對光束點之直線上延伸之裂痕彼此連結，其結果，可將熱應力之影響抑制至最小限度，將加工對象物Q均一且對稱地割斷。此外，於該照射步驟STP4，藉由調整雷射光線P之間歇照射的脈衝幅度，亦可調整、控制第1次脈衝振盪形成之裂痕與第2次脈衝振盪形成之裂痕的連結。
於照射步驟STP4形成之一對光束點之光點徑，較佳為0.3μm以上300μm以下，特別是調整為0.5μm以上200μm以下更佳。藉由將該光點徑設為上述範圍，可使於連結一對光束點之直線上形成之裂痕更加大幅延伸。當該光點徑超出200μm時，由於於加工對象物Q表面之廣泛範圍產生熱應力，有使加工對象物Q產生變形之虞，因此不適合。
上述照射光學系統3，可進一步具備1/4波長板9。藉由使用該1/4波長板9，可將雷射光線P之直線偏振轉換為圓偏振以除去偏振影響，謀求加工特性之穩定化。此外，藉由將該1/4波長板9之遲相軸(未圖示)設定為相對於正常光成分13及異常光成分14之偏振方向皆夾45°角，可更確實地實現轉換成圓偏振。
此外，本發明之雷射加工方法並不限定於上述實施形態。例如，假設以加工對象物之性質來區別複數對光束點之偏振方向為有效時，亦可不於照射光學系統設置1/4波長板。又，自光源射出之雷射光線之光點徑比聚光透鏡之射入光瞳徑大時，亦可不於照射光學系統設置光束擴大器。
又，於照射光學系統，藉由將(1)1/2波長板、(2)複折射性稜鏡及(3)光路修正光學系統作為1單元之光束分離單元複數設置於照射光學系統的光軸上，亦可形成4個以上光束點。例如，設置2個該光束單元時(依雷射光線之行進方向順序設第1單元、第2單元)，若將第2單元之1/2波長板之旋轉角設為22.5°，在第1單元分離之異常光成分及正常光成分分別相對於第2單元之結晶軸傾斜45°，各個光束成分進一步被分離成異常光成分及正常光成分。其結果，透射過第2單元之雷射光線被分離成4個光束點。
(實施例)
以下，雖根據實施例詳細說明本發明，但本發明並不限定於該實施例之揭示來解釋。
(實驗1)
[實施例1～3]
(實驗系統之說明)
使用光源、載台、及至少具備1/2波長板、複折射性稜鏡、聚光透鏡之照射光學系統，對加工對象物之硼矽酸玻璃(非結晶性之硬脆性材料)照射一對光束點，形成裂痕。之後，拍攝形成裂痕之狀態的觀察影像。
在實驗1，採用Nd:YAG(THG)雷射作為光源，水晶楔形板作為複折射性稜鏡。又，選擇水晶楔形板之頂角與聚光透鏡焦點距離，以使一對光束點之中心間距離為3μm～4μm。雖然以雷射光線之光點照射形成之裂痕的長度與硬脆性材料之劈開面破壞強度及光束點特性(例如波長、功率、脈衝幅度、光點徑等)有密切關係，但為使裂痕於既定方向有效地產生，較佳為使一對光束點之中心間距離為雷射光線之聚光點徑之0.5倍～40倍左右。因此，在實驗1，選擇使硬脆性材料基板相對於光束點移動之XY載台(X軸方向與Y軸方向相對移動)的移動速度、與Q開關脈衝率，將加工痕間隔設定為15μm。此外，在聚光點之功率密度，選擇雷射功率、聚光透鏡等，以使各光束點之光束徑為2.2μmψ，單1照射之功率密度為2.3x1010 W/cm2 。
在實施例1，使水晶楔形板繞照射光學系統之光軸旋轉45°，將一對光束點設定成相對於加工對象物之XY平面上之劃線方向成45°角來進行加工。在實施例2，旋轉與實施例1之旋轉方向反方向旋轉45°進行加工。在實施例3，使一對光束點之分離方向與加工對象物之XY平面上之劃線方向平行進行加工。
(實驗2)
[比較例1～3]
(實驗系統之說明)
與周知之雷射加工方法相同，使用光源(THG雷射)、載台及照射光學系統，對加工對象物之硼矽酸玻璃照射1光束點，形成裂痕。之後，拍攝已形成裂痕之狀態的觀察影像。
在比較例1，與實驗1之情形相同，光束點徑設定為2.2μmψ。又，功率密度，考慮1光點，設定為實驗1時之值約2倍之3.9x1010 W/cm2 ，使一對光束點之中心間距離為15μm進行加工。在比較例2，於1光點加工之情形，使各照射光點之中心間距離縮小時，與2光點加工之情形相同，為確認裂痕之產生是否集中於劃線方向之結果。在此比較例2，將Q開關脈衝率設定為與實驗1之情形相同，載台之移動速度設定為實驗1時的約一半進行加工。在比較例3，將功率密度設定為與2光點加工時之1光點功率密度大致相等值之2.3x1010 W/cm2 進行加工。
(實驗1及2之特性的評價)
將實驗1及2之結果表示於圖3～圖8。
在實施例1及實施例2，可知藉由使水晶楔形板繞照射光學系統之光軸旋轉90°(45°+45°)，於一對光束點間產生之裂痕之形成方向會改變90°。在實施例3，可知於一對光束點間產生之裂痕之形成方向與劃線方向一致，而往與劃線方向不同方向延伸之裂痕之形成會被抑制。
在比較例1，可知自各光束點加工痕中央部形成之裂痕不僅於劃線方向，於加工痕之周邊方向亦有多數形成。在比較例2，可知加工痕間隔為7.5μm，自各光束點加工痕中央部形成之裂痕，不僅劃線方向，於加工痕之周邊方向亦有多數形成。在比較例3，雖往加工痕之周邊方向之裂痕被抑制形成，但確認到劃線速度為實施例之速度的一半，產能降低。
從此等結果，依據本發明之雷射加工方法，可控制形成於一對光束點間之裂痕之延伸方向，其結果，可不降低加工速度，實現抑制裂痕往劃線槽周邊產生之劃線加工。
(實驗3)
[比較例4]
(實驗系統說明)
與周知之雷射加工方法相同，使用光源(THG雷射)、載台及照射光學系統，對以C面為主面之藍寶石基板照射1個光束點，形成裂痕。之後，拍攝已形成裂痕之狀態的觀察影像。該實驗3之光點徑設定為1.1μmψ，功率密度設定為13x1010 W/cm2 。
(實驗4)
[實施例4～9]
(實驗系統說明)
實驗系統，除了加工對象物為以C面為主面之藍寶石基板以外，其他與實驗1之情形相同。選擇水晶楔形板之頂角與聚光透鏡焦點距離，使各光束點徑為1.1μmψ，各光束點之功率密度為4.6x1010 W/cm2 ，一對光束點之中心間距離為約3μm。此外，照射光點間隔，藉由調整Q開關脈衝率及載台之移動速度，設定為15μm。
在實施例4，使劃線方向與定向平面平行進行加工。在實施例5，使劃線方向與定向平面正交進行加工。在實施例6及實施例7，使水晶楔形板繞照射光學系統之光軸旋轉45°，使一對光束點之分離方向相對加工對象物之XY平面上之劃線方向成45°的角度後，在實施例6設劃線方向與定向平面平行，在實施例7設劃線方向為與定向平面正交方向進行加工。在實施例8及實施例9，與實施例6及實施例7之旋轉方向反方向旋轉45°，使一對光束點與加工對象物之XY平面上之劃線方向成45°角度後，在實施例8設劃線方向與定向平面平行，在實施例9設劃線方向為與定向平面正交方向進行加工。
(實驗3及4之特性評估)
在比較例4，雖自照射光點於3方向形成裂痕，但在各照射區域之裂痕產生狀況有偏差，裂痕之形成不均一。又，在各加工痕間亦會產生裂痕不連結的情形。
在實施例4，可確認到裂痕之規則性連結。在實施例5，與實施例4相同，可看到裂痕之規則性連結。在實施例6及實施例7，可確認到光束點排列之45°方向之裂痕大幅延伸。在實施例8及實施例9，可確認到相對於實施例6及實施例7，最大裂痕之方向旋轉90°。
從以上的結果，可知即使結晶性之硬脆性材料亦可容易調整、控制劈開方向。藉由進行此種調整、控制，可控制雷射照射所產生之劈開方向，並使靠近藍寶石等基板之劃線方向的劈開延伸，實現所欲之劃線槽的形成。
如上，本發明之雷射劃線加工方法，由於對加工對象物照射具有複數對光束點之雷射光線，使該複數對光束點形成之裂痕往加工對象物容易裂開之方向延伸進行割斷，因此可以低雷射功率進行加工，實現省能源化。又，由於將熱應力之影響抑制在最小限度，因此可有效地防止加工對象物的變形等，謀求提升產能。進而，本發明之雷射劃線加工方法，由單純且簡便之步驟構成，可謀求降低成本或提升作業效率。
1．．．光源
2．．．載台
3．．．照射光學系統
4．．．光束擴大器
5．．．1/2波長板
6．．．複折射性稜鏡
7．．．光路修正光學系統
8．．．反射鏡
9．．．1/4波長板
10．．．聚光透鏡
11．．．凹透鏡
12．．．凸透鏡
13．．．正常光成分
14．．．異常光成分
P．．．雷射光線
Q．．．加工對象物
R．．．照射光學系統之光軸
S．．．結晶軸
STP1．．．射出步驟
STP2．．．分離步驟
STP3．．．聚光步驟
STP4．．．照射步驟
圖1係表示本發明之一實施形態之雷射加工方法的流程圖。
圖2係表示圖1之雷射加工方法之系統構成例的概略構成圖。
圖3係表示於實施例1形成之裂痕的觀察影像。
圖4係表示於實施例2形成之裂痕的觀察影像。
圖5係表示於實施例3形成之裂痕的觀察影像。
圖6係表示於比較例1形成之裂痕的觀察影像。
圖7係表示於比較例2形成之裂痕的觀察影像。
圖8係表示於比較例3形成之裂痕的觀察影像。
圖9係表示於比較例4形成之裂痕的觀察影像。
圖10係表示於實施例4形成之裂痕的觀察影像。
圖11係表示於實施例5形成之裂痕的觀察影像。
圖12係表示於實施例6形成之裂痕的觀察影像。
圖13係表示於實施例7形成之裂痕的觀察影像。
圖14係表示於實施例8形成之裂痕的觀察影像。
圖15係表示於實施例9形成之裂痕的觀察影像。
STP1．．．射出步驟
STP2．．．分離步驟
STP3．．．聚光步驟
STP4．．．照射步驟

Claims (10)

  1. 一種雷射劃線加工方法，係使用射出雷射光線之光源、及將該雷射光線導至加工對象物之照射光學系統形成沿加工對象物之劃線方向之裂痕，其特徵在於，具有：射出步驟，自光源射出雷射光線；分離步驟，將該雷射光線分離成行進方向不同之正常光成分及異常光成分；聚光步驟，一邊將該正常光成分及異常光成分聚光、一邊形成一或複數對光束點；以及照射步驟，將具有該一或複數對光束點之雷射光線間歇性地照射於加工對象物之劃線方向，於成對光束點間形成裂痕。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射劃線加工方法，其中，在該分離步驟中正常光成分及異常光成分之分離，使用配置於照射光學系統之複折射性稜鏡。
  3. 如申請專利範圍第1項之雷射劃線加工方法，其中，調整正常光成分及異常光成分之分離方向，以使該照射步驟中一或複數對光束點之分離方向沿加工對象物之劃線方向。
  4. 如申請專利範圍第1項之雷射劃線加工方法，其中，調整正常光成分及異常光成分之分離方向，以使該照射步驟中一或複數對光束點之分離方向沿加工對象物之劈開面。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之雷射劃線加工方法，其中，在該照射步驟中一或複數對光束點之分離方向之調 整，使用配置於照射光學系統、能以照射光學系統之光軸為中心旋轉之複折射性稜鏡。
  6. 如申請專利範圍第1項之雷射劃線加工方法，其中，調整正常光成分及異常光成分之分離方向，以調整該照射步驟中一或複數對光束點之中心間距離。
  7. 如申請專利範圍第6項之雷射劃線加工方法，其中，將該照射步驟中一或複數對光束點之中心間距離調整成光點直徑之0.2倍以上50倍以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之雷射劃線加工方法，其中，在該分離步驟，使用配置於照射光學系統、且能以照射光學系統之光軸為中心旋轉之1/2波長板調整正常光成分及異常光成分之強度比。
  9. 如申請專利範圍第1項之雷射劃線加工方法，其中，在該照射步驟形成之一或複數對光束點之光點直徑為0.3μm以上300μm以下。
  10. 如申請專利範圍第1項之雷射劃線加工方法，其中，該照射光學系統進一步具備1/4波長板。
TW99119367A 2009-07-29 2010-06-15 Method of processing of laser marking TWI391203B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009176462A JP4651731B2 (ja) 2009-07-29 2009-07-29 レーザースクライブ加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201103685A TW201103685A (en) 2011-02-01
TWI391203B true TWI391203B (zh) 2013-04-01

Family

ID=43529113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW99119367A TWI391203B (zh) 2009-07-29 2010-06-15 Method of processing of laser marking

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8779327B2 (zh)
EP (1) EP2460614B1 (zh)
JP (1) JP4651731B2 (zh)
KR (1) KR101167236B1 (zh)
CN (1) CN102470482B (zh)
TW (1) TWI391203B (zh)
WO (1) WO2011013449A1 (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012163851A (ja) 2011-02-08 2012-08-30 Sony Corp 立体画像撮像装置
JP5536713B2 (ja) * 2011-05-19 2014-07-02 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の加工方法
JP6035030B2 (ja) * 2012-02-27 2016-11-30 株式会社日本マイクロニクス 光制御装置と光制御方法及びレーザ加工システムとレーザ加工システムによる加工方法
EP2823929A4 (en) 2012-03-09 2015-12-02 Toyokoh Co Ltd LASER IRRADIATION DEVICE, LASER IRRADIATION SYSTEM, AND METHOD FOR REMOVING COATING OR ADHESION MATERIAL
US10179374B2 (en) * 2013-02-04 2019-01-15 Newport Corporation Method and apparatus for laser cutting transparent and semitransparent substrates
DE102013005137A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Abtragen von sprödhartem Material mittels Laserstrahlung
JP6148108B2 (ja) * 2013-08-05 2017-06-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN103586588B (zh) * 2013-11-26 2015-07-29 苏州光韵达光电科技有限公司 切割蓝宝石玻璃的光纤激光设备及切割方法
CN103846552A (zh) * 2013-12-26 2014-06-11 深圳英诺激光科技有限公司 一种能产生周期性切割深度的激光切割机
CN104785779B (zh) * 2015-03-20 2017-08-18 徐州奕创光电科技有限公司 一种激光扫描头、三维打印装置及打印方法
US20220347792A9 (en) * 2015-06-19 2022-11-03 Ipg Photonics Corporation Laser cutting head with controllable collimator having movable lenses for controlling beam diameter and/or focal point location
JP6695699B2 (ja) * 2016-01-28 2020-05-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
DE112017000576T5 (de) * 2016-01-28 2018-10-31 Hamamatsu Photonics K.K. Laserbearbeitungsvorrichtung und laserausgabevorrichtung
JP6689612B2 (ja) * 2016-01-28 2020-04-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP6661393B2 (ja) * 2016-01-28 2020-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP6925778B2 (ja) * 2016-01-28 2021-08-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ出力装置及びレーザ加工装置
JP6661392B2 (ja) * 2016-01-28 2020-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP6661394B2 (ja) * 2016-01-28 2020-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
WO2018020145A1 (fr) * 2016-07-25 2018-02-01 Amplitude Systemes Procédé et appareil pour la découpe de matériaux par multi-faisceaux laser femtoseconde
KR101902991B1 (ko) * 2017-02-20 2018-10-02 (주)큐엠씨 레이저 스크라이빙 장치
WO2018211691A1 (ja) * 2017-05-19 2018-11-22 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
DE102018205545A1 (de) * 2018-04-12 2019-10-17 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Vorrichtung, Laserbearbeitungsmaschine und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks
US10474004B1 (en) * 2018-07-31 2019-11-12 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Birefringent prism for wavelength separation
CA3134331A1 (en) * 2019-05-08 2020-11-12 Tuan-Shu Ho Optical system and detection method therof
CN110253155B (zh) * 2019-05-10 2021-10-15 武汉华工激光工程有限责任公司 一种微裂纹控制的激光加工装置
JP7479755B2 (ja) 2020-02-25 2024-05-09 株式会社ディスコ チップの製造方法
DE102020207715A1 (de) * 2020-06-22 2021-12-23 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Bearbeitungsoptik, Laserbearbeitungsvorrichtung und Verfahren zur Laserbearbeitung
CN112975113B (zh) * 2021-04-20 2021-08-10 苏州德龙激光股份有限公司 非对称分束激光加工透明材料的装置及其方法
CN114700628A (zh) * 2022-06-06 2022-07-05 一道新能源科技(衢州)有限公司 一种聚焦激光双折射perc电池片开槽装置
CN117239527B (zh) * 2023-11-14 2024-04-12 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种激光装置、激光加工系统及加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49126694U (zh) * 1973-02-26 1974-10-30
JPH09231601A (ja) * 1996-02-20 1997-09-05 Sony Corp 受発光素子及びこれを用いた光学ピックアップ
JP2007289980A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ半田付け装置、およびレーザ半田付け方法
JP2009131876A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sunx Ltd レーザ加工装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07294739A (ja) * 1994-04-28 1995-11-10 Olympus Optical Co Ltd 偏光分離素子
JP2000176669A (ja) * 1998-12-17 2000-06-27 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ切断装置
JP2001130921A (ja) 1999-10-29 2001-05-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性基板の加工方法及び装置
DE10319369A1 (de) * 2003-04-29 2004-12-02 Prüftechnik Dieter Busch AG Verfahren zur Bestimmung des Niveaus mehrerer Messpunkte sowie Anordnung dafür
EP1721695A4 (en) * 2004-03-05 2009-04-01 Olympus Corp LASER PROCESSING FACILITY
JP2006123228A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP4791248B2 (ja) 2005-05-24 2011-10-12 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2007118009A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Seiko Epson Corp 積層体の加工方法
JP2007118054A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Aisin Seiki Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2007260749A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Toshiba Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置及び脆性材料の加工品
CN200970855Y (zh) * 2006-07-05 2007-11-07 无锡浩波光电子有限公司 太阳能硅晶片双束激光双线划槽机
JP2008093706A (ja) 2006-10-12 2008-04-24 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP5010978B2 (ja) * 2007-05-22 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5162163B2 (ja) 2007-06-27 2013-03-13 株式会社ディスコ ウェーハのレーザ加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49126694U (zh) * 1973-02-26 1974-10-30
JPH09231601A (ja) * 1996-02-20 1997-09-05 Sony Corp 受発光素子及びこれを用いた光学ピックアップ
JP2007289980A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ半田付け装置、およびレーザ半田付け方法
JP2009131876A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sunx Ltd レーザ加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2460614A1 (en) 2012-06-06
CN102470482A (zh) 2012-05-23
US8779327B2 (en) 2014-07-15
JP4651731B2 (ja) 2011-03-16
WO2011013449A1 (ja) 2011-02-03
JP2011025304A (ja) 2011-02-10
US20120261453A1 (en) 2012-10-18
EP2460614A4 (en) 2013-01-23
EP2460614B1 (en) 2014-07-16
KR20120005507A (ko) 2012-01-16
CN102470482B (zh) 2015-02-18
TW201103685A (en) 2011-02-01
KR101167236B1 (ko) 2012-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI391203B (zh) Method of processing of laser marking
TWI392552B (zh) Laser irradiation device and laser processing method
TWI580507B (zh) Laser processing device and laser processing method
TWI639479B (zh) 用於片狀基板之雷射加工的方法與系統以及玻璃製品
JP5101073B2 (ja) レーザ加工装置
JP5193326B2 (ja) 基板加工装置および基板加工方法
JP5965239B2 (ja) 貼り合わせ基板の加工方法並びに加工装置
JP4791248B2 (ja) レーザー加工装置
JP4835927B2 (ja) 硬脆材料板体の分割加工方法
CN108472765B (zh) 半导体工件的激光图案化方法
KR20130012036A (ko) 레이저 가공 방법, 레이저 가공 장치 및 그 제조 방법
JP2007331983A (ja) ガラスのスクライブ方法
JP2010036196A (ja) レーザスクライブ方法および装置
JP2008012542A (ja) レーザ加工方法
JP2005314198A (ja) ガラス割断用レーザ装置
TWI716589B (zh) 脆性材料基板之分斷方法及分斷裝置
TWI409121B (zh) Method and device for mine clearance
KR100843411B1 (ko) 레이저가공 장치 및 기판 절단 방법
KR101098259B1 (ko) 레이저 스크라이브 방법 및 장치
JP5360277B2 (ja) 被加工物分割用のレーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法