JP7479755B2 - チップの製造方法 - Google Patents
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Description
レーザー発振器 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :1342nm
出力 :1.2W
繰り返し周波数 :90kHz
スポット径 :3μm
加工送り速度 :340mm/s
レーザー発振器 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :1342nm
出力 :1.5W(分岐前)
繰り返し周波数 :60kHz
スポット径 :3μm
加工送り速度 :600mm/s
11a 表面(第1面)
11b 裏面(第2面)
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス
17 保護部材
19,19a,19b,19c,19d 改質領域(変質領域)
21,21a,21b 亀裂(クラック)
23 改質層(変質層)
25 エキスパンドテープ
27 フレーム
27a 開口
29 チップ(デバイスチップ)
31 チップ
33 改質層(変質層)
35 亀裂(クラック)
37 分割痕
41 チップ
43 改質層(変質層)
2 レーザー加工装置
4 チャックテーブル(保持テーブル)
4a 保持面
6 レーザー照射ユニット
8 レーザービーム
8a,8b 集光点(集光位置)
10 レーザー発振器
12 ミラー
14 レーザー分岐部
16 集光レンズ
22 拡張装置(分割装置)
24 ドラム
26 フレーム保持ユニット
28 支持台
30 クランプ
32 ロッド
34 エアシリンダ
36 ベース
40 レーザー照射ユニット
42 レーザービーム
42a,42b,42c,42d 集光点(集光位置)
Claims (2)
- ウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、
該ウェーハの第1面側をチャックテーブルで保持して該ウェーハの第2面側を露出させるウェーハ保持工程と、
該ウェーハに対して透過性を有し、且つ、第1集光点及び第2集光点で集光するレーザービームを、該第1集光点及び該第2集光点が該ウェーハの内部に位置付けられるように、該ウェーハの該第2面側から照射することにより、該第1集光点及び該第2集光点が位置付けられた領域にそれぞれ改質領域を形成し、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む改質層を形成する改質層形成工程と、
該ウェーハに外力を付与して、該ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該チップに分割する分割工程と、を有し、
該改質層形成工程は、
該レーザービームを該ウェーハの該第2面側から照射することにより、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第1改質層を形成する第1改質層形成工程と、
該レーザービームを該ウェーハの該第2面側から照射することにより、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第2改質層を、該第1改質層よりも該ウェーハの該第1面側に形成する第2改質層形成工程と、を有し、
該改質層形成工程では、該第1集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第2集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されることを特徴とするチップの製造方法。 - ウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、
該ウェーハの第1面側をチャックテーブルで保持して該ウェーハの第2面側を露出させるウェーハ保持工程と、
該ウェーハに対して透過性を有し、且つ、第1集光点乃至第4集光点で集光するレーザービームを、該第1集光点及び該第2集光点が該ウェーハの内部の第1領域に位置付けられ、且つ、該第3集光点及び該第4集光点が該ウェーハの内部の該第1領域よりも該ウェーハの該第1面側に位置する第2領域に位置付けられるように、該ウェーハの該第2面側から照射することにより、該第1集光点乃至該第4集光点が位置付けられた領域にそれぞれ改質領域を形成し、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第1改質層及び第2改質層を形成する改質層形成工程と、
該ウェーハに外力を付与して、該ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該チップに分割する分割工程と、を有し、
該改質層形成工程では、該第1集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第2集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されるとともに、該第3集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第4集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されることを特徴とするチップの製造方法。
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