JP2021136253A - チップの製造方法 - Google Patents

チップの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021136253A
JP2021136253A JP2020028978A JP2020028978A JP2021136253A JP 2021136253 A JP2021136253 A JP 2021136253A JP 2020028978 A JP2020028978 A JP 2020028978A JP 2020028978 A JP2020028978 A JP 2020028978A JP 2021136253 A JP2021136253 A JP 2021136253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
modified
region
laser beam
modified layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020028978A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7479755B2 (ja
Inventor
星一 佐井
Seiichi Sai
星一 佐井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2020028978A priority Critical patent/JP7479755B2/ja
Priority to KR1020210013514A priority patent/KR20210108310A/ko
Priority to TW110105273A priority patent/TW202133255A/zh
Priority to CN202110196071.3A priority patent/CN113380608A/zh
Publication of JP2021136253A publication Critical patent/JP2021136253A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7479755B2 publication Critical patent/JP7479755B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

【課題】チップの品質低下を抑制することが可能なチップの製造方法を提供する。【解決手段】ウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、ウェーハの第１面側をチャックテーブルで保持してウェーハの第２面側を露出させるウェーハ保持工程と、ウェーハに対して透過性を有し、且つ、第１集光点及び第２集光点で集光するレーザービームを、第１集光点及び第２集光点がウェーハの内部に位置付けられるように、ウェーハの第２面側から照射することにより、第１集光点及び第２集光点が位置付けられた領域にそれぞれ改質領域を形成し、分割予定ラインに沿って配列された複数の改質領域を含む改質層を形成する改質層形成工程と、ウェーハに外力を付与して、ウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップに分割する分割工程と、を有する。【選択図】図２

Description

本発明は、ウェーハを複数のチップに分割するチップの製造方法に関する。
デバイスチップの製造工程では、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。
ウェーハの分割には主に、ウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハを切削する円環状の切削ブレードが装着されるスピンドル（回転軸）とを備えた切削装置が用いられる。切削ブレードを回転させ、チャックテーブルによって保持されたウェーハに切り込ませることにより、ウェーハが分割予定ラインに沿って切断され、分割される。
一方、近年では、レーザー加工によってウェーハを分割する技術も着目されている。例えば、ウェーハに対して透過性を有するレーザービームをウェーハの内部で集光させ、ウェーハの内部に改質された層（改質層（変質層））を分割予定ラインに沿って形成する手法が提案されている（特許文献１参照）。ウェーハの改質層が形成された領域は、他の領域よりも脆くなる。そのため、改質層が形成されたウェーハに外力を付与すると、改質層を起点としてウェーハが分割される。
ただし、ウェーハの厚さ、材質等によっては、ウェーハに改質層を１層だけ形成して外力を付与しても、ウェーハが改質層を起点として適切に分割されないことがある。この場合には、ウェーハの厚さ方向に複数の改質層が各分割予定ラインに沿って形成される（特許文献２参照）。例えば、レーザービームの集光点の高さを段階的に変えながら、各分割予定ラインに沿ってレーザービームを複数回ずつ照射することによって、ウェーハに複数の改質層が形成される。
特開２００４−１７９３０２号公報 特開２００９−１０１０５号公報
改質層の形成工程では、例えば、レーザービームの照射によって、ウェーハの内部に複数の改質された領域（改質領域）が分割予定ラインに沿って所定の間隔で形成される。この場合、改質層は、分割予定ラインに沿って配列された複数の改質領域を含む層に相当する。
改質領域が形成されると、その改質領域で亀裂（劈開面）が発生する。そして、改質領域から進展した亀裂が、次に改質領域が形成されるべき領域に達すると、その後に該領域にレーザービームが照射された際、亀裂によってレーザービームの乱反射が生じる。
ウェーハの内部でレーザービームの乱反射が生じると、レーザービームが照射された領域に改質領域が適切に形成されにくくなり、改質層がウェーハの分割の起点として十分に機能しなくなることがある。また、レーザービームの乱反射によって、改質領域で生じた亀裂が予期しない方向に放射状に進展したり、予想に反して長い亀裂が形成されたりしやすくなる。この不規則な亀裂によって、後の工程でウェーハを分割する際、ウェーハの破断が意図しない方向に誘導される恐れがある。
上記のように、改質領域の形成時にレーザービームの乱反射が生じると、ウェーハに外力を付与した際に、ウェーハが分割予定ラインに沿って適切に分割されにくくなる。その結果、ウェーハの分割時にチップが破損したり、チップの側面（分割面）に凹凸が形成されたりして、チップの品質が低下する恐れがある。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、チップの品質低下を抑制することが可能なチップの製造方法の提供を目的とする。
本発明の一態様によれば、ウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、該ウェーハの第１面側をチャックテーブルで保持して該ウェーハの第２面側を露出させるウェーハ保持工程と、該ウェーハに対して透過性を有し、且つ、第１集光点及び第２集光点で集光するレーザービームを、該第１集光点及び該第２集光点が該ウェーハの内部に位置付けられるように、該ウェーハの該第２面側から照射することにより、該第１集光点及び該第２集光点が位置付けられた領域にそれぞれ改質領域を形成し、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む改質層を形成する改質層形成工程と、該ウェーハに外力を付与して、該ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該チップに分割する分割工程と、を有し、改質層形成工程では、該第１集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第２集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されるチップの製造方法が提供される。
なお、好ましくは、該改質層形成工程は、該レーザービームを該ウェーハの該第２面側から照射することにより、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第１改質層を形成する第１改質層形成工程と、該レーザービームを該ウェーハの該第２面側から照射することにより、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第２改質層を、該第１改質層よりも該ウェーハの該第１面側に形成する第２改質層形成工程と、を有する。
また、本発明の他の一態様によれば、ウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、該ウェーハの第１面側をチャックテーブルで保持して該ウェーハの第２面側を露出させるウェーハ保持工程と、該ウェーハに対して透過性を有し、且つ、第１集光点乃至第４集光点で集光するレーザービームを、該第１集光点及び該第２集光点が該ウェーハの内部の第１領域に位置付けられ、且つ、該第３集光点及び該第４集光点が該ウェーハの内部の該第１領域よりも該ウェーハの該第１面側に位置する第２領域に位置付けられるように、該ウェーハの該第２面側から照射することにより、該第１集光点乃至該第４集光点が位置付けられた領域にそれぞれ改質領域を形成し、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第１改質層及び第２改質層を形成する改質層形成工程と、該ウェーハに外力を付与して、該ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該チップに分割する分割工程と、を有し、改質層形成工程では、該第１集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第２集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されるとともに、該第３集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第４集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されるチップの製造方法が提供される。
本発明の一態様に係るチップの製造方法では、複数の集光点で集光するレーザービームがウェーハに照射されることにより、集光点が位置付けられた領域にそれぞれ改質領域が形成され、一の改質領域で発生した亀裂と他の改質領域で発生した亀裂とが連結される。
上記のチップの製造方法によれば、レーザービームの集光点をウェーハ内部の亀裂が形成されていない領域に位置付けて改質領域を形成しつつ、隣接する改質領域を連結させる亀裂を形成できる。これにより、レーザービームの乱反射が抑制され、改質層が適切に形成される。その結果、ウェーハが分割予定ラインに沿って分割されやすくなり、チップの品質低下が抑制される。
図１（Ａ）はウェーハを示す斜視図であり、図１（Ｂ）は保護部材が貼付されたウェーハを示す斜視図である。 レーザー加工装置を示す一部断面正面図である。 レーザー照射ユニットの構成例を示す模式図である。 図４（Ａ）はレーザービームが照射されるウェーハの一部を示す断面図であり、図４（Ｂ）は改質領域を示す断面図である。 図５（Ａ）は２層目の改質層が形成されるウェーハの一部を示す断面図であり、図５（Ｂ）は複数の改質層が形成されたウェーハの一部を示す断面図である。 エキスパンドテープが貼付されたウェーハを示す斜視図である。 拡張装置を示す斜視図である。 図８（Ａ）はウェーハを保持する拡張装置を示す断面図であり、図８（Ｂ）はエキスパンドテープを拡張する拡張装置を示す断面図である。 ４つの集光点で集光するレーザービームを照射するレーザー照射ユニットを備えるレーザー加工装置を示す一部断面正面図である。 ４つの集光点で集光するレーザービームが照射されるウェーハの一部を示す断面図である。 図１１（Ａ）は比較例に係るチップの側面を示す画像図であり、図１１（Ｂ）は実施例に係るチップの側面を示す画像図である。
以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るチップの製造方法に用いることが可能なウェーハの構成例について説明する。図１（Ａ）は、ウェーハ１１を示す斜視図である。
ウェーハ１１は、例えばシリコン等の材料を用いて円盤状に形成され、互いに概ね平行な表面（第１面）１１ａと裏面（第２面）１１ｂとを備える。ウェーハ１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって、複数の矩形状の領域に区画されている。
分割予定ライン１３によって区画された複数の領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のデバイス１５が形成されている。ウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って分割すると、デバイス１５をそれぞれ備える複数のチップ（デバイスチップ）が得られる。
なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなる基板であってもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はなく、ウェーハ１１にはデバイス１５が形成されていなくてもよい。
ウェーハ１１には、後の工程でウェーハ１１を分割する際に分割の起点（分割のきっかけ）として機能する、分割起点が形成される。例えば、ウェーハ１１に対してレーザー加工を施し、ウェーハ１１の内部を分割予定ライン１３に沿って改質（変質）させることによって、分割起点が形成される。
ウェーハ１１内部の分割起点が形成された領域（改質された領域）は、ウェーハ１１の他の領域よりも脆くなる。そのため、分割起点が形成されたウェーハ１１に対して外力を付与すると、ウェーハ１１が分割起点を起点として分割予定ライン１３に沿って破断する。これにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。
レーザー加工によってウェーハ１１に分割起点を形成する際には、例えば、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側からレーザービームが照射される。この場合には、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材１７が貼付される。図１（Ｂ）は、保護部材１７が貼付されたウェーハ１１を示す斜視図である。
保護部材１７としては、円形に形成されたフィルム状の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを有するシート（テープ）を用いることができる。例えば、基材は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層は、エポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。また、粘着層には、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂を用いてもよい。
例えば保護部材１７は、ウェーハ１１と概ね同径の円形に形成され、複数のデバイス１５を覆うようにウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付される。この保護部材１７によって、複数のデバイス１５が保護される。
分割起点の形成には、レーザービームの照射によってウェーハ１１を加工するレーザー加工装置が用いられる。図２は、レーザー加工装置２を示す一部断面正面図である。レーザー加工装置２は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）４と、レーザービーム８を照射するレーザー照射ユニット６とを備える。
チャックテーブル４には、モータ等の回転駆動源（不図示）と、ボールねじ式の移動機構（不図示）とが接続されている。回転駆動源は、チャックテーブル４をＺ軸方向（鉛直方向、上下方向）に概ね平行な回転軸の周りで回転させる。また、移動機構は、チャックテーブル４をＸ軸方向（加工送り方向、第１水平方向）及びＹ軸方向（割り出し送り方向、第２水平方向）に沿って移動させる。
チャックテーブル４の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面４ａを構成する。保持面４ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と概ね平行な平坦面である。例えば保持面４ａは、ウェーハ１１の形状に対応して円形に形成される。ただし、保持面４ａの形状はウェーハ１１の形状等に応じて適宜変更できる。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）及びバルブ（不図示）を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。
チャックテーブル４の上方には、レーザー照射ユニット６が設けられている。レーザー照射ユニット６は、チャックテーブル４によって保持されたウェーハ１１に向かってレーザービーム８を照射する。レーザービーム８の照射条件は、ウェーハ１１のレーザービーム８が照射された領域に、多光子吸収によって改質されて変質した領域（改質領域（改質領域））が形成されるように設定される。
具体的には、レーザービーム８の波長は、レーザービーム８がウェーハ１１に対して透過性を示すように設定される。そのため、レーザー照射ユニット６からウェーハ１１には、少なくとも一部がウェーハ１１を透過する（ウェーハ１１に対して透過性を有する）レーザービーム８が照射される。また、レーザービーム８の他の照射条件（出力、パルス幅、スポット径、繰り返し周波数等）も、ウェーハ１１に改質領域が形成されるように適宜設定される。
また、レーザー照射ユニット６は、レーザービーム８が少なくとも２以上の集光点（集光位置）で集光するように構成される。図２には、レーザービーム８が２つの集光点（集光位置）８ａ，８ｂで集光する例を示している。
図３は、レーザー照射ユニット６の構成例を示す模式図である。レーザー照射ユニット６は、レーザービームをパルス発振するレーザー発振器１０を備える。レーザー発振器１０としては、例えばＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー等が用いられる。レーザー発振器１０からパルス発振されたレーザービーム８は、ミラー１２で反射してレーザー分岐部１４に入射し、レーザー分岐部１４によって複数（図３では２つ）のビームに分岐される。その後、分岐されたレーザービーム８は、集光レンズ１６によって所定の位置で集光される。
レーザー分岐部１４の構成は、レーザービーム８を分岐可能であれば制限はない。例えばレーザー分岐部１４は、LCOS-SLM（Liquid Crystal On Silicon - Spatial Light Modulator）、回折光学素子（DOE：Diffractive Optical Element）等によって構成される。
図２に示すレーザー加工装置２を構成する構成要素（チャックテーブル４に連結された回転駆動源及び移動機構、レーザー照射ユニット６等）はそれぞれ、レーザー加工装置２の各構成要素の動作を制御する制御部（不図示）に接続されている。この制御部によって、チャックテーブル４の位置、レーザービーム８の照射条件等が制御される。
制御部は、例えばコンピュータによって構成され、レーザー加工装置２の稼働に必要な各種の処理（演算等）を行う処理部と、処理部による処理に用いられる各種の情報（データ、プログラム等）が記憶される記憶部とを含む。処理部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサを含んで構成される。また、記憶部は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリによって構成される。
レーザー加工装置２でウェーハ１１を加工する際は、まず、ウェーハ１１をチャックテーブル４によって保持する（ウェーハ保持工程）。具体的には、ウェーハ１１を、表面１１ａ側（保護部材１７側）が保持面４ａに対向し裏面１１ｂ側が上方に露出するように、チャックテーブル４上に配置する。この状態で、保持面４ａに吸引源の負圧を作用させると、ウェーハ１１の表面１１ａ側がチャックテーブル４によって吸引保持される。
次に、レーザービーム８をウェーハ１１に照射し、ウェーハ１１に改質層を形成する（改質層形成工程）。改質層形成工程では、まず、チャックテーブル４を回転させ、一の分割予定ライン１３（図１（Ａ）及び図１（Ｂ）参照）の長さ方向をＸ軸方向に合わせる。また、レーザービーム８の集光点８ａ，８ｂが一の分割予定ライン１３の延長線上に配置されるように、チャックテーブル４のＹ軸方向における位置を調整する。
そして、レーザー照射ユニット６からレーザービーム８を照射しながら、チャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させる（加工送り）。これにより、ウェーハ１１を保持しているチャックテーブル４とレーザー照射ユニット６とがＸ軸方向に沿って相対的に移動し、レーザービーム８が一の分割予定ライン１３に沿って走査される。このとき、レーザービーム８の集光点８ａ，８ｂは、チャックテーブル４の移動方向（図２の矢印Ａで示す方向）と平行な方向に沿って隣接するように位置付けられる。
図４（Ａ）は、レーザービーム８が照射されるウェーハ１１の一部を示す断面図である。改質層形成工程では、レーザービーム８の集光点８ａ，８ｂが、分割予定ライン１３（図１（Ａ）及び図１（Ｂ）参照）に沿って隣接するように、ウェーハ１１の内部に位置付けられる。そして、レーザービーム８をウェーハ１１の裏面１１ｂ側から照射すると、ウェーハ１１のレーザービーム８が照射された領域に改質領域（変質領域）１９が形成される。この改質領域１９は、多光子吸収によって改質されて変質した領域に相当する。
また、改質領域１９が形成されると、改質領域１９で亀裂（クラック）２１（図４（Ｂ）参照）が発生し、改質領域１９から放射状に進展する。この改質領域１９及び亀裂２１が、後の工程でウェーハ１１を分割する際に分割起点として機能する。
ここで、ウェーハ１１の集光点８ａ，８ｂが位置付けられた領域には、それぞれレーザービーム８が同時に照射され、改質領域１９ａ，１９ｂが同時に形成される。この改質領域１９ａ，１９ｂは、集光点８ａ，８ｂ間の距離に応じた間隔で、分割予定ライン１３（図１（Ａ）及び図１（Ｂ）参照）に沿って形成される。
図４（Ｂ）は、改質領域１９ａ，１９ｂを示す断面図である。図４（Ｂ）には、ウェーハ１１の集光点８ａ，８ｂが位置付けられた領域に形成された改質領域１９ａ，１９ｂと、改質領域１９ａ，１９ｂからそれぞれウェーハ１１の厚さ方向（図４（Ｂ）の上下方向）及びウェーハ１１の径方向（図４（Ｂ）の左右方向）に進展した亀裂（クラック）２１ａ，２１ｂとを示している。
集光点８ａ，８ｂ間の距離は、改質領域１９ａから進展する亀裂２１ａと、改質領域１９ｂから進展する亀裂２１ｂとが連結されるように設定される。そのため、レーザービーム８の照射によって改質領域１９ａ，１９ｂを同時に形成すると、亀裂２１ａと亀裂２１ｂとが連結され、改質領域１９ａ，１９ｂが亀裂２１ａ，２１ｂを介して連結される。その結果、ウェーハ１１の内部に分割起点が分割予定ライン１３に沿って連続的に形成される。例えば、集光点８ａ，８ｂ間の距離は、３μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは４μｍ以上８μｍ以下に設定される。
そして、集光点８ａ，８ｂで集光するレーザービーム８を分割予定ライン１３に沿って走査させると、一対の改質領域１９ａ，１９ｂが１組ずつ、分割予定ライン１３に沿って順次形成される。その結果、ウェーハ１１の内部には、分割予定ライン１３に沿って配列された複数の改質領域１９を含む改質層（変質層）２３が形成される。
なお、各改質領域１９ａ，１９ｂは、直前に形成された改質領域１９ａ，１９ｂよりも、レーザービーム８の走査方向の前方側（チャックテーブル４の移動方向（図２の矢印Ａ）の後方側）に形成される。そのため、新たな改質領域１９ａ又は改質領域１９ｂが、既にウェーハ１１に形成されている他の改質領域１９と同一の場所に重複して形成されることはない。
ここで、レーザービーム８が集光点８ａ，８ｂで同時に集光する際、集光点８ｂは集光点８ａよりも、既にウェーハ１１に形成されている他の改質領域１９（特に、直前に形成された改質領域１９ｂ）から離れた位置に位置付けられる。そのため、集光点８ｂは、既にウェーハ１１に形成されている他の改質領域１９から進展した亀裂２１が存在しない領域に位置付けられやすい。その結果、レーザービーム８が亀裂２１の存在する領域で集光した場合に生じ得るレーザービーム８の乱反射が抑制される。
ウェーハ１１の内部でのレーザービーム８の乱反射が抑制されると、改質領域１９が意図した領域に形成されやすくなるとともに、亀裂２１が予期しない方向に進展する現象や、予想に反して長い亀裂２１が形成される現象が生じにくくなる。その結果、適切に形成された改質領域１９を含み、且つ、不規則な亀裂２１の発生が抑制された改質層２３が、ウェーハ１１に形成される。
なお、改質領域１９ａは、改質領域１９ａから進展する亀裂２１ａが、既にウェーハ１１に形成されている他の改質領域１９（特に、直前に形成された改質領域１９ｂ）から進展する亀裂２１に連結される位置に形成されることが好ましい。これにより、異なるタイミングで形成された２組の改質領域１９ａ，１９ｂを、亀裂２１を介して連結させることができ、ウェーハ１１の内部に切れ目のない分割起点を形成することが可能となる。
また、レーザービーム８の集光点８ａは、既にウェーハ１１に形成されている他の改質領域１９から進展した亀裂２１が存在しない領域に位置付けられることが好ましい。これにより、レーザービーム８の乱反射がさらに抑制される。
レーザービーム８が照射される領域の間隔（改質領域１９ａ同士の間隔、及び、改質領域１９ｂ同士の間隔に対応）は、チャックテーブル４の移動速度（加工送り速度）やレーザービーム８の繰り返し周波数を制御することによって調整できる。例えば、レーザービーム８が照射される領域の間隔は、６μｍ以上３２μｍ以下、好ましくは８μｍ以上１６μｍ以下に設定される。
そして、一の分割予定ライン１３に沿って改質層２３を形成した後、同様の手順を繰り返し、他の分割予定ライン１３に沿って改質層２３を形成する。これにより、全ての分割予定ライン１３に沿って改質層２３が格子状に形成されたウェーハ１１が得られる。
ウェーハ１１の改質層２３が形成された領域は、ウェーハ１１の他の領域よりも脆い。そのため、改質層２３が形成されたウェーハ１１に外力を付与すると、ウェーハ１１が改質層２３を起点として分割予定ライン１３に沿って破断される。
なお、ウェーハ１１の厚さ、材質等によっては、ウェーハ１１の厚さ方向に複数の改質層２３を形成することが好ましい。例えば、ウェーハ１１が厚さ２００μｍ以上のシリコンウェーハである場合等には、２層以上の改質層２３を形成することにより、ウェーハ１１が適切に分割されやすくなる。複数の改質層２３を形成する場合は、既に改質層２３が形成された分割予定ライン１３に沿って、更に改質層２３を形成する。
図５（Ａ）は、複数の改質層２３が形成されるウェーハ１１の一部を示す断面図である。ウェーハ１１に複数の改質層２３を形成する場合には、まず、一の改質層２３（第１改質層２３）を形成し（第１改質層形成工程）、その後、他の改質層２３（第２改質層２３）を、第１改質層とは異なる領域に形成する（第２改質層形成工程）。
ここで、改質領域１９から生じる亀裂２１（図４（Ｂ）参照）は、レーザービーム８が入射する方向（裏面１１ｂ側）に向かって伸長しやすいことが確認されている。そのため、ウェーハ１１に複数の改質層２３を形成する場合は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側から表面１１ａ側に向かって順に改質層２３を形成することが好ましい。
具体的には、第２改質層形成工程では、レーザービーム８の集光点８ａ，８ｂを、第１改質層２３の形成時よりもウェーハ１１の表面１１ａ側（下面側）に位置付ける。そして、第１改質層２３の形成時と同様の手順により、第２改質層２３を第１改質層２３よりもウェーハ１１の表面１１ａ側に形成する。
この場合、第１改質層２３で生じた亀裂２１が進展しにくい領域（ウェーハ１１の表面１１ａ側）に、第２改質層２３を形成するためのレーザービーム８が集光される。これにより、レーザービーム８が亀裂２１の存在する領域で集光されにくくなり、レーザービーム８の乱反射が抑制される。
また、第１改質層２３は、前述の通り不規則な亀裂２１が生じにくい条件で形成されている。そのため、第２改質層２３の形成時、レーザービーム８が第１改質層２３を介して第２改質層２３が形成される領域に照射されても、第１改質層２３においてレーザービーム８の予期しない反射が生じにくい。これにより、第２改質層２３が適切に形成されやすくなる。
図５（Ｂ）は、複数の改質層２３が形成されたウェーハ１１の一部を示す断面図である。図５（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１に複数の改質層２３を形成することにより、例えばウェーハ１１が厚い場合であっても、ウェーハ１１を適切に分割することが可能となる。なお、ウェーハ１１に形成される改質層２３の層数に制限はなく、ウェーハ１１の厚さ、材質等に応じて適宜設定される。
次に、ウェーハ１１に外力を付与して、ウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って複数のチップに分割する（分割工程）。例えば分割工程は、ウェーハ１１をエキスパンドテープに貼付し、このエキスパンドテープを拡張することによって実施される。図６は、エキスパンドテープ２５が貼付されたウェーハ１１を示す斜視図である。
エキスパンドテープ２５は、外力の付与によって拡張可能なテープ（エキスパンド性を有するテープ）である。例えばエキスパンドテープ２５として、円形に形成されたフィルム状の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを有するシートを用いることができる。基材及び粘着層の材料の例は、保護部材１７（図１（Ｂ）参照）と同様である。ただし、エキスパンドテープ２５は、エキスパンド性を有し、且つ、ウェーハ１１に貼付可能であれば、その構造や材料に制限はない。
例えば、ウェーハ１１よりも直径が大きい円形のエキスパンドテープ２５が、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼付される。また、エキスパンドテープ２５の外周部は、金属等でなり中央部に円形の開口２７ａを備える環状のフレーム２７に貼付される。なお、開口２７ａの直径はウェーハ１１の直径よりも大きく、ウェーハ１１は開口２７ａの内側に配置される。ウェーハ１１及びフレーム２７にエキスパンドテープ２５が貼付されると、ウェーハ１１がエキスパンドテープ２５を介してフレーム２７によって支持される。
その後、ウェーハ１１の表面１１ａ側から保護部材１７を剥離する。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側（デバイス１５側）が露出する。この状態で、エキスパンドテープ２５を半径方向外側に向かって引っ張って拡張すると、ウェーハ１１に外力が付与され、ウェーハ１１が複数のチップに分割される。
エキスパンドテープ２５の拡張には、例えば、エキスパンドテープ２５を拡張する拡張装置が用いられる。図７は、拡張装置（分割装置）２２を示す斜視図である。拡張装置２２は、エキスパンドテープ２５を引っ張って拡張し、改質層２３が形成されたウェーハ１１を分割する。
拡張装置２２は、ウェーハ１１よりも直径が大きい円筒状のドラム２４と、ウェーハ１１を支持するフレーム２７（図６参照）を保持するフレーム保持ユニット２６とを備える。フレーム保持ユニット２６は、フレーム２７を支持する環状の支持台２８を備える。支持台２８は、ドラム２４の上端部を囲むように設けられており、支持台２８の上面の高さとドラム２４の上端の高さとが概ね一致するように配置されている。
支持台２８の外周部には、複数のクランプ３０が固定されている。複数のクランプ３０は、支持台２８の周方向に沿って概ね等間隔に配置されており、支持台２８上に配置されたフレーム２７を把持して固定する。支持台２８の上にフレーム２７を配置し、複数のクランプ３０でフレーム２７を固定することにより、フレーム２７がフレーム保持ユニット２６によって保持される。
支持台２８は、鉛直方向（上下方向）に沿って移動（昇降）する複数のロッド３２によって支持されており、各ロッド３２の下端部には、ロッド３２を昇降させるエアシリンダ３４が接続されている。なお、複数のエアシリンダ３４は、環状のベース３６に支持されている。エアシリンダ３４でロッド３２を下降させると、支持台２８がフレーム２７とともに下側に移動する。
分割工程では、まず、エアシリンダ３４を作動させ、ドラム２４の上端の高さと支持台２８の上面の高さとが一致するように、支持台２８の高さを調節する。そして、ウェーハ１１を支持した状態のフレーム２７（図６参照）を支持台２８上に配置する。このときウェーハ１１は、平面視でドラム２４の外周の内側に配置される。その後、支持台２８上に配置されたフレーム２７を複数のクランプ３０で固定する。
これにより、ウェーハ１１がエキスパンドテープ２５及びフレーム２７を介してフレーム保持ユニット２６によって保持される。図８（Ａ）は、ウェーハ１１を保持する拡張装置２２を示す断面図である。なお、ウェーハ１１には、分割予定ライン１３（図１（Ａ）参照）に沿って改質層２３が格子状に形成されている。
次に、エアシリンダ３４を作動させて支持台２８を引き下げ、フレーム２７を下側に移動させる。これにより、ドラム２４の上端によって支持されたエキスパンドテープ２５が、半径方向外側に引っ張られて拡張される。その結果、ウェーハ１１には、ウェーハ１１の半径方向外側に向かう外力が付与される。
図８（Ｂ）は、エキスパンドテープ２５を拡張する拡張装置２２を示す断面図である。エキスパンドテープ２５の拡張によってウェーハ１１に外力が付与されると、ウェーハ１１は改質層２３に沿って破断し、複数のチップ（デバイスチップ）２９に分割される。すなわち、改質層２３は分割起点として機能する。このようにして、ウェーハ１１が分割され、チップ２９が製造される。なお、ウェーハ１１の分割後、各チップ２９は、例えばコレット（不図示）によってピックアップされ、所定の基板（配線基板等）に実装される。
以上の通り、本実施形態に係るチップの製造方法では、集光点８ａ，８ｂで集光するレーザービーム８がウェーハ１１に照射されることにより、集光点８ａ，８ｂが位置付けられた領域にそれぞれ改質領域１９ａ，１９ｂが形成され、改質領域１９ａで発生した亀裂２１ａと改質領域１９ｂで発生した亀裂２１ｂとが連結される。
上記のチップの製造方法によれば、レーザービーム８の集光点８ａ，８ｂをウェーハ１１内部の亀裂２１が形成されていない領域に位置付けて改質領域１９ａ，１９ｂを形成しつつ、隣接する改質領域１９ａ，１９ｂを連結させる亀裂を形成できる。これにより、レーザービーム８の乱反射が抑制され、改質層２３が適切に形成される。その結果、ウェーハ１１が分割予定ライン１３に沿って分割されやすくなり、チップ２９の品質低下が抑制される。
なお、上記の実施形態では、２つの集光点８ａ，８ｂでのみ集光するレーザービーム８を用いて改質層２３を形成する例を説明したが、改質層２３の形成に用いられるレーザービームの集光点の数は３以上であってもよい。この場合、改質領域１９が３箇所以上で同時に形成されるとともに、隣接する改質領域１９から進展する亀裂２１が互いに連結される。
また、レーザービームが４以上の集光点で集光する場合には、ウェーハ１１内部の異なる深さ位置にそれぞれ２以上の集光点を位置付けた状態で、レーザービームをウェーハ１１に照射してもよい。この場合、２層以上の改質層２３を同時進行で形成することが可能となる。
図９は、４つの集光点（集光位置）４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄで集光するレーザービーム４２を照射するレーザー照射ユニット４０を備えるレーザー加工装置２を示す一部断面正面図である。図９に示すように、レーザー照射ユニット４０は、レーザービーム４２を集光点４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄで集光させる。
レーザー照射ユニット４０は、レーザー照射ユニット６（図３参照）と同様に構成できる。ただし、レーザー分岐部１４は、レーザー発振器１０から発振されたレーザービームを４つに分岐するように構成される。例えばレーザー分岐部１４として、レーザービームを４つに分岐するLCOS-SLMが用いられる。
図９に示すように、レーザー照射ユニット４０は、集光点４２ａ，４２ｂと集光点４２ｃ，４２ｄとをウェーハ１１内部の異なる深さ位置に位置付けた状態で、レーザービーム４２を照射する。具体的には、集光点４２ａ，４２ｂはウェーハ１１の内部の第１領域に位置付けられ、集光点４２ｃ，４２ｄは該第１領域よりもウェーハ１１の表面１１ａ側に位置する第２領域に位置付けられる。そして、レーザービーム４２をウェーハ１１に照射することにより、ウェーハ１１に２層の改質層２３が同時進行で形成される。
図１０は、４つの集光点４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄで集光するレーザービーム４２が照射されるウェーハ１１の一部を示す断面図である。例えば、集光点４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄは、分割予定ライン１３（図１（Ａ）参照）に沿って所定の間隔で位置付けられる。また、集光点４２ａ，４２ｂは、ウェーハ１１内部のうち、１層目の改質層２３を形成すべき領域（第１領域）に位置付けられる。さらに、集光点４２ｃ，４２ｄは、ウェーハ１１内部のうち、２層目の改質層２３を形成すべき領域（第２領域）に位置付けられる。
この状態で、レーザービーム４２をウェーハ１１の裏面１１ｂ側に照射する。これにより、集光点４２ａ，４２ｂが位置付けられた領域で改質領域（変質領域）１９ａ，１９ｂが同時に形成されるとともに、集光点４２ｃ，４２ｄが位置付けられた領域で改質領域（変質領域）１９ｃ，１９ｄが同時に形成される。
なお、集光点４２ａ，４２ｂの間隔は、改質領域１９ａから生じた亀裂２１と改質領域１９ｂから生じた亀裂２１とが連結されるように設定される。同様に、集光点４２ｃ，４２ｄの間隔は、改質領域１９ｃから生じた亀裂２１と改質領域１９ｄから生じた亀裂２１とが連結されるように設定される。
そのため、改質領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄが形成されると、改質領域１９ａ，１９ｂで生じた亀裂が互いに連結されるとともに、改質領域１９ｃ，１９ｄで生じた亀裂が互いに連結される（図４（Ｂ）参照）。集光点４２ａ，４２ｂ間の距離と集光点４２ｃ，４２ｄ間の距離とはそれぞれ、例えば３μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは４μｍ以上８μｍ以下に設定される。
上記のように、集光点４２ａ，４２ｂと集光点４２ｃ，４２ｄとをウェーハ１１内部の異なる深さ位置に位置付けることにより、２層の改質層２３を同時進行で形成できる。これにより、ウェーハ１１に複数の改質層２３を形成する場合において、工程の簡略化及び加工時間の短縮を図ることができる。
次に、本実施形態に係るチップの製造方法を用いて製造したチップを評価した結果について説明する。本評価では、従来のチップの製造方法によって得られたチップ（比較例）と、本実施形態に係るチップの製造方法によって得られたチップ（実施例）とを比較した。
比較例においては、シリコンウェーハ（直径２００ｍｍ、厚さ３００μｍ）の裏面側（上面側）から、１箇所で集光するレーザービーム（ナノ秒パルスレーザー）を照射することによって、改質層を形成した。そして、このシリコンウェーハに外力を付与し（図８（Ａ）及び図８（Ｂ）参照）、シリコンウェーハを分割することにより、比較例に係るチップを製造した。
比較例に係るチップの製造工程では、レーザービームの集光点（１箇所）をシリコンウェーハの内部に位置付けた状態でレーザービームを走査することにより、複数の改質領域を含む改質層を各分割予定ラインに沿って形成した。その後、同様の工程を繰り返し、３層の改質層が形成されたシリコンウェーハを得た。
なお、比較例におけるレーザービームの照射条件は、以下の通り設定した。
レーザー発振器 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長 ：１３４２ｎｍ
出力 ：１．２Ｗ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
スポット径 ：３μｍ
加工送り速度 ：３４０ｍｍ／ｓ
一方、実施例においては、シリコンウェーハ（直径２００ｍｍ、厚さ３００μｍ）の裏面側（上面側）に、複数の箇所で集光するレーザービーム（ナノ秒パルスレーザー）を照射することによって、改質層を形成した。そして、このシリコンウェーハに外力を付与し（図８（Ａ）及び図８（Ｂ）参照）、シリコンウェーハを分割することにより、実施例に係るチップを製造した。
実施例に係るチップの製造工程では、レーザービームの集光点（２箇所）をシリコンウェーハの内部の同一の深さに位置付けた状態でレーザービームを走査することにより、複数の改質領域を含む改質層を各分割予定ラインに沿って形成した（図４（Ａ）等参照）。なお、シリコンウェーハの内部の同一の深さに位置付けられる２つの集光点の間隔は、改質領域から進展する亀裂の長さを考慮し、５μｍに設定した。その後、同様の工程を繰り返し、７層の改質層が形成されたシリコンウェーハを得た。
なお、実施例におけるレーザービームの照射条件は、以下の通り設定した。
レーザー発振器 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長 ：１３４２ｎｍ
出力 ：１．５Ｗ（分岐前）
繰り返し周波数 ：６０ｋＨｚ
スポット径 ：３μｍ
加工送り速度 ：６００ｍｍ／ｓ
そして、上記の比較例に係るチップと実施例に係るチップとの側面（分割面）を観察した。図１１（Ａ）は比較例に係るチップ３１の側面を示す画像図であり、図１１（Ｂ）は実施例に係るチップ４１の側面を示す画像図である。
比較例に係るチップ３１の側面には、改質層（変質層）３３と、改質層３３から不規則に進展する多数の長い亀裂（クラック）３５とが観察された。亀裂３５は、特にチップ３１の裏面側（上面側、レーザービームが照射された面側）に向かって長距離伝播していることが確認された。
前述の通り、チップ３１の製造工程において１箇所で集光するレーザービームを走査させると、シリコンウェーハの内部でレーザービームの乱反射が生じ、改質層３３が適切に形成されにくい。そして、改質層が適切に形成されていないシリコンウェーハは改質層に沿って破断しにくく、シリコンウェーハには分割の際に過度の外力が付与されやすい。その結果、チップ３１の側面には図１１（Ａ）に示すような多数の亀裂３５が形成され、チップ３１の品質が低下するものと推察される。
また、２層目以降の改質層３３を形成する際には、既に形成されている改質層３３から進展する亀裂にレーザービームの集光点が位置付けられないように、改質層３３の間隔が設定される。ここで、１箇所で集光するレーザービームの照射によって改質層３３を形成する場合には、レーザービームの乱反射によって長い亀裂が形成されるため、改質層３３の間隔が広く設定される。その結果、改質層３３の間において、シリコンウェーハの破断が生じにくくなり、チップ３１の側面には図１１（Ａ）に示すような分割痕３７が残存しやすくなる。
一方、実施例に係るチップ４１（図１１（Ｂ））の側面には、改質層（変質層）４３が観察された。しかしながら、改質層４３の周辺には不規則に進展する長い亀裂が確認されず、高品質なチップ４１が得られた。これは、改質層４３の形成に複数の集光点で集光するレーザービームを用いたことにより、レーザービームの乱反射が抑制され、改質層４３が意図した領域に適切に形成されるとともに亀裂の発生が抑制されたことに起因していると推察される。
また、改質層４３から進展する亀裂が抑制されると、改質層４３の間隔を狭くすることが可能になる。その結果、シリコンウェーハが適切に破断しやすくなり、図１１（Ａ）に示す分割痕３７のような太い分割痕がチップ４１に残存しにくくなる。
上記の通り、複数の集光点で集光するレーザービームの照射によってシリコンウェーハに改質層を形成すると、シリコンウェーハが適切に分割されやすくなり、チップの品質低下が抑制されることが確認された。
なお、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１ ウェーハ
１１ａ 表面（第１面）
１１ｂ 裏面（第２面）
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ 保護部材
１９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ 改質領域（変質領域）
２１，２１ａ，２１ｂ 亀裂（クラック）
２３ 改質層（変質層）
２５ エキスパンドテープ
２７ フレーム
２７ａ 開口
２９ チップ（デバイスチップ）
３１ チップ
３３ 改質層（変質層）
３５ 亀裂（クラック）
３７ 分割痕
４１ チップ
４３ 改質層（変質層）
２ レーザー加工装置
４ チャックテーブル（保持テーブル）
４ａ 保持面
６ レーザー照射ユニット
８ レーザービーム
８ａ，８ｂ 集光点（集光位置）
１０ レーザー発振器
１２ ミラー
１４ レーザー分岐部
１６ 集光レンズ
２２ 拡張装置（分割装置）
２４ ドラム
２６ フレーム保持ユニット
２８ 支持台
３０ クランプ
３２ ロッド
３４ エアシリンダ
３６ ベース
４０ レーザー照射ユニット
４２ レーザービーム
４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ 集光点（集光位置）

Claims (3)

  1. ウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、
    該ウェーハの第１面側をチャックテーブルで保持して該ウェーハの第２面側を露出させるウェーハ保持工程と、
    該ウェーハに対して透過性を有し、且つ、第１集光点及び第２集光点で集光するレーザービームを、該第１集光点及び該第２集光点が該ウェーハの内部に位置付けられるように、該ウェーハの該第２面側から照射することにより、該第１集光点及び該第２集光点が位置付けられた領域にそれぞれ改質領域を形成し、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む改質層を形成する改質層形成工程と、
    該ウェーハに外力を付与して、該ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該チップに分割する分割工程と、を有し、
    改質層形成工程では、該第１集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第２集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されることを特徴とするチップの製造方法。
  2. 該改質層形成工程は、
    該レーザービームを該ウェーハの該第２面側から照射することにより、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第１改質層を形成する第１改質層形成工程と、
    該レーザービームを該ウェーハの該第２面側から照射することにより、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第２改質層を、該第１改質層よりも該ウェーハの該第１面側に形成する第２改質層形成工程と、を有することを特徴とする請求項１記載のチップの製造方法。
  3. ウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、
    該ウェーハの第１面側をチャックテーブルで保持して該ウェーハの第２面側を露出させるウェーハ保持工程と、
    該ウェーハに対して透過性を有し、且つ、第１集光点乃至第４集光点で集光するレーザービームを、該第１集光点及び該第２集光点が該ウェーハの内部の第１領域に位置付けられ、且つ、該第３集光点及び該第４集光点が該ウェーハの内部の該第１領域よりも該ウェーハの該第１面側に位置する第２領域に位置付けられるように、該ウェーハの該第２面側から照射することにより、該第１集光点乃至該第４集光点が位置付けられた領域にそれぞれ改質領域を形成し、該分割予定ラインに沿って配列された複数の該改質領域を含む第１改質層及び第２改質層を形成する改質層形成工程と、
    該ウェーハに外力を付与して、該ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数の該チップに分割する分割工程と、を有し、
    改質層形成工程では、該第１集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第２集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されるとともに、該第３集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂と、該第４集光点が位置付けられた領域に形成される該改質領域で発生した亀裂とが連結されることを特徴とするチップの製造方法。
JP2020028978A 2020-02-25 2020-02-25 チップの製造方法 Active JP7479755B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020028978A JP7479755B2 (ja) 2020-02-25 2020-02-25 チップの製造方法
KR1020210013514A KR20210108310A (ko) 2020-02-25 2021-01-29 칩의 제조 방법
TW110105273A TW202133255A (zh) 2020-02-25 2021-02-17 晶片的製造方法
CN202110196071.3A CN113380608A (zh) 2020-02-25 2021-02-22 芯片的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020028978A JP7479755B2 (ja) 2020-02-25 2020-02-25 チップの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021136253A true JP2021136253A (ja) 2021-09-13
JP7479755B2 JP7479755B2 (ja) 2024-05-09

Family

ID=77570589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020028978A Active JP7479755B2 (ja) 2020-02-25 2020-02-25 チップの製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7479755B2 (ja)
KR (1) KR20210108310A (ja)
CN (1) CN113380608A (ja)
TW (1) TW202133255A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240038594A (ko) 2022-09-16 2024-03-25 가부시기가이샤 디스코 칩의 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179302A (ja) 2002-11-26 2004-06-24 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
TWI250910B (en) 2004-03-05 2006-03-11 Olympus Corp Apparatus for laser machining
JP5162163B2 (ja) 2007-06-27 2013-03-13 株式会社ディスコ ウェーハのレーザ加工方法
JP4478184B2 (ja) 2008-01-17 2010-06-09 株式会社レーザーシステム レーザ割断方法およびレーザ加工装置
JP4651731B2 (ja) 2009-07-29 2011-03-16 西進商事株式会社 レーザースクライブ加工方法
JP5446631B2 (ja) 2009-09-10 2014-03-19 アイシン精機株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2016111315A (ja) 2014-11-27 2016-06-20 株式会社東京精密 レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2019176079A (ja) 2018-03-29 2019-10-10 株式会社東京精密 ウェーハ加工方法及びウェーハ加工装置
JP7123652B2 (ja) 2018-06-20 2022-08-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240038594A (ko) 2022-09-16 2024-03-25 가부시기가이샤 디스코 칩의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN113380608A (zh) 2021-09-10
JP7479755B2 (ja) 2024-05-09
TW202133255A (zh) 2021-09-01
KR20210108310A (ko) 2021-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5162163B2 (ja) ウェーハのレーザ加工方法
JP2007173475A (ja) ウエーハの分割方法
JP5495695B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2006229021A (ja) ウエーハの分割方法
JP2008277414A (ja) ウエーハの分割方法
TWI697946B (zh) 晶圓的加工方法
JP2005209719A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
JP2006032419A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2013089714A (ja) チップ形成方法
JP2009290052A (ja) ウエーハの分割方法
JP2005332841A (ja) ウエーハの分割方法
JP6045361B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2014072476A (ja) ウェーハの加工方法
JP2006073690A (ja) ウエーハの分割方法
JP2021136253A (ja) チップの製造方法
JP6953210B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2019033212A (ja) 分割方法
JP2008227276A (ja) ウエーハの分割方法
US10818554B2 (en) Laser processing method of wafer using plural laser beams
TWI685886B (zh) 晶圓的加工方法
JP2006024676A (ja) ウエーハの分割方法
JP7233816B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2008264805A (ja) レーザー加工装置およびウエーハの裏面に装着された接着フィルムのレーザー加工方法
JP2009018336A (ja) レーザ加工方法
JP2007227769A (ja) 半導体ウェハのダイシング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231107

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20240105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240423

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7479755

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150