TWI388007B - 液體處理方法、液體處理裝置及記憶媒體 - Google Patents

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Description

液體處理方法、液體處理裝置及記憶媒體
本發明係關於一種液體處理方法、液體處理裝置以及記憶媒體，該液體處理用來去除硬罩層，該硬罩層用於例如有機系低介電常數膜(Low-k膜)的蝕刻中。
近年來，為了因應半導體裝置高速化、配線圖案微細化、高積體化的要求，吾人希望能夠降低配線之間的電容、提高配線的導電性以及提高電子遷移阻抗，作為因應該等要求的技術，Cu多層配線技術受到矚目，其配線材料使用導電性比鋁(Al)或鎢(W)更高且電子遷移阻抗更優異的銅(Cu)，並使用低介電常數膜(Low-k膜)作為層間絕緣膜。
該等Cu多層配線技術，係採用在Low-k膜上形成填入配線溝或開孔並在其中填入Cu的雙重金屬鑲嵌法。吾人多使用有機系材料作為Low-k膜，然而當蝕刻該等有機系的Low-k膜時，無法充分獲得與同樣是有機膜的光阻之間的選擇比，故吾人改使用像Ti膜或TiN膜這樣的無機系的硬罩(HM)作為蝕刻用遮罩。此時，以光阻作為遮罩將HM蝕刻成既定圖案，將圖案形成後的HM當作遮罩對Low-k膜進行蝕刻。
在蝕刻後必須去除殘存的HM。吾人可利用單片式的洗淨裝置並使用HM去除專用藥液以去除該HM。通常，該等洗淨處理係讓作為被處理基板的半導體晶圓旋轉，對其中心連續供給藥液，利用離心力讓藥液擴散到半導體晶圓整個表面(例如專利文獻1)。
另外，由於該等HM去除用藥液價格昂貴，故會嘗試將吐出到半導體晶圓上供洗淨處理的藥液送回儲存槽再利用。然而，經過洗淨處理之後的藥液會混入HM或裝置的成份，若這些物質累積會使藥液成份分解，故想要再利用藥液實質上很困難。因此，目前技術現狀係未再利用HM去除用藥液而不得不捨棄之，故耗費了很大的成本。
【專利文獻1】日本特開2004-146594號公報
有鑑於相關問題，本發明之目的在於提供一種在使用藥液去除硬罩時，能夠回收藥液再利用的液體處理方法以及用來實施該等液體處理方法的液體處理裝置。
又，本發明另一個目的在於提供一種記憶媒體，其儲存用來實施該等液體處理方法的程式。
為了解決上述問題，本發明的第1實施態樣係一種液體處理方法，其用形成有既定圖案的硬罩層當作蝕刻遮罩對形成於晶圓上的被蝕刻膜進行蝕刻，之後用藥液去除硬罩層以及在蝕刻時附著的聚合物，包含：第1步驟，一邊讓晶圓旋轉一邊對晶圓供給藥液以去除硬罩層，並將經過處理後的藥液廢棄掉；第2步驟，當經過第1步驟處理的硬罩層的殘存量，變成能夠將經過處理後的藥液回收再利用的量時，進行切換，將被廢棄的經過處理後的藥液回收以供該液體處理使用；以及第3步驟，在第2步驟之後，一邊讓晶圓旋轉，一邊將藥液回收再利用，利用藥液去除硬罩層的殘留部份以及聚合物，或僅去除聚合物。
在上述第1實施態樣中，該第1步驟，係一邊讓基板旋轉一邊對基板間歇性地供給藥液，並在停止供給藥液到下一次供給藥液的期間，讓基板表面保持被藥液濡濕的狀態，該第3步驟，係一邊讓基板旋轉一邊對基板連續供給藥液。此時，該第1步驟，係首先供給藥液以在基板上形成液膜，之後，讓停止藥液以及供給藥液的動作重複循環。又，該第1步驟，係將停止供給藥液到下一次供給藥液之間的藥液停止期間設為10~30秒鐘，並將在藥液停止之後供給藥液的藥液供給期間設定為1~5秒鐘，又，將基板的轉速設定在50~300rpm的範圍內。
在上述第1實施態樣中，該第1步驟以及該第3步驟，係一邊讓基板旋轉一邊對基板連續供給藥液，且讓該第1步驟的藥液供給量比該第3步驟的藥液供給量更少。
在上述第1實施態樣中，可預先求出當硬罩層的去除比例變成在60~100%範圍內的某既定比例時所需要的時間，並將第2步驟切換成藥液回收模式的時機，設定在該時間經過以後。
本發明的第2實施態樣係一種液體處理裝置，其以形成有既定圖案的硬罩層當作蝕刻遮罩對形成於基板上的被蝕刻膜進行蝕刻，之後用藥液去除該硬罩層以及在蝕刻時附著的聚合物，包含：保持機構，其以可旋轉的方式保持基板；旋轉機構，其讓該保持機構旋轉；藥液供給機構，其對該保持機構所保持的基板表面供給藥液；排液杯狀部，其圍繞該保持機構所保持之基板的周圍部位，並擋住從基板甩出的經過處理後的藥液；排液配管，其將該排液杯狀部所擋住的經過處理後的藥液排出；回收機構，其將該排液配管所排出的經過處理後的藥液回收以供再次利用；切換機構，其在將該經過處理後的藥液經由該排液配管廢棄的廢棄側以及利用該回收機構進行回收的回收側之間作切換；以及控制部，其控制該旋轉機構、該藥液供給機構、該切換機構；該控制部進行控制，首先，將該切換機構設在廢棄側，並一邊讓基板在該旋轉機構上旋轉，一邊以該藥液供給機構對基板表面供給藥液，將硬罩層去除同時將經過處理後的藥液廢棄掉，當隨著處理的進行硬罩層的殘存量變成能夠將經過處理後的藥液回收再利用的量時，將該切換機構切換到回收側，在該狀態下，一邊讓基板在該旋轉機構上旋轉，一邊將藥液回收再利用，並利用該藥液供給機構對基板供給藥液，以去除硬罩層的殘留部份以及聚合物，或是僅去除聚合物。
在上述第2實施態樣中，該控制部進行控制，首先，在去除硬罩層同時廢棄經過處理後的藥液時，一邊讓基板在該旋轉機構上旋轉，一邊以該藥液供給機構對基板表面間歇性地供給藥液，且在停止供給藥液到下一次供給藥液的期間，讓基板表面保持被藥液濡濕的狀態，將該切換機構切換到回收側之後，去除硬罩層的殘留部份以及聚合物，或僅去除聚合物，同時將經過處理後的藥液回收，此時一邊利用該旋轉機構讓基板旋轉，一邊連續供給藥液。此時，該控制部宜首先在去除硬罩層並廢棄經過處理後的藥液時，藉由最初供給的藥液在基板上形成液膜，之後，讓藥液停止以及藥液供給的動作重複循環。
又，該控制部進行控制，在最初去除硬罩層並廢棄經過處理後的藥液時，以及，將該切換機構切換到回收側之後去除硬罩層的殘留部份以及聚合物或僅去除聚合物並回收經過處理後的藥液時，均一邊讓基板在該旋轉機構上旋轉一邊連續供給藥液，且讓該最初處理時的藥液供給量比該切換機構切換到回收側後的藥液供給量更少。
在上述第2實施態樣中，該控制部可預先設定當硬罩層的去除比例變成在60～100%範圍內的既定比例時所需要的時間，並在該時間經過以後將該切換機構切換到回收側。
本發明的第3實施態樣係一種記憶媒體，其在電腦上運作，儲存著用來控制液體處理裝置的程式，該程式在執行時讓電腦控制處理裝置，使其實行上述第1實施態樣的液體處理方法。
若利用本發明，則由於在一邊讓基板旋轉一邊對基板供給藥液以去除硬罩層時，先將經過處理後的藥液廢棄，當隨著處理進行硬罩層的殘存量變成能夠回收經過處理後的藥液再利用的量時，進行切換，將被廢棄的經過處理後的藥液回收再利用，利用藥液去除硬罩層的殘留部份以及聚合物，或僅去除聚合物，故能夠讓習知被廢棄的經過處理後的藥液再次被利用。
又，由於將藥液廢棄的最初步驟，係一邊讓基板旋轉一邊對基板間歇性地供給藥液，在停止供給藥液到下一次供給藥液的期間，讓基板表面保持於被藥液濡濕的狀態，且讓進行該處理時的藥液供給量比去除聚合物時的藥液供給量更少，儘量減少最初步驟的藥液使用量並儘量減少廢棄的藥液量，故能夠提高藥液的回收比例。
以下，參照附圖詳細說明本發明的實施形態。
圖1係剖面圖，表示本發明一實施形態之液體處理裝置的概略構造。該液體處理裝置1可實施藥液處理，其用藥液將作為被處理基板的半導體晶圓(以下簡稱為晶圓)表面上的硬罩(HM)去除掉。
該液體處理裝置1設有：處理室(未經圖示)、作為處理室之基底的底板2以及設置在處理室內的旋轉夾盤3。旋轉夾盤3設有旋轉板11以及連接旋轉板11的中央部位的旋轉軸12，在旋轉板11的周圍以等間隔的方式安裝了3個用來保持晶圓W的保持銷13。保持銷13，在讓晶圓W從旋轉板11稍微浮起的狀態下以水平方式保持晶圓W，並可在保持晶圓W的保持位置與朝後方轉動而解除保持狀態的解除位置之間移動。又，在旋轉板11的周圍以等間隔的方式設置了3個在輸送臂部(未經圖示)與旋轉夾盤3之間傳遞晶圓W時用來支持晶圓W的支持銷(未經圖示)。旋轉軸12貫通底板2而朝下方延伸，受馬達4驅動而能夠旋轉。然後，馬達4透過旋轉軸12讓旋轉板11旋轉，旋轉板11所保持的晶圓W也會跟著旋轉。
在旋轉夾盤3的上方設置有處理液吐出噴嘴5，可對旋轉夾盤3所保持的晶圓W的表面吐出用來去除HM以及聚合物的藥液或作為沖洗液的純水等的處理液。處理液吐出噴嘴5安裝在噴嘴臂部15的前端。噴嘴臂部15的內部形成有處理液流路16，處理液吐出噴嘴5的噴嘴孔5a連接處理液流路16。噴嘴臂部15受到驅動機構18的驅動而能夠迴旋轉動，驅動機構18使噴嘴臂部15迴旋轉動，讓處理液吐出噴嘴5在晶圓W中心正上方的吐出位置與晶圓W以外的待機位置之間移動。
噴嘴臂部15的處理液流路16的另一端連接處理液供給配管21。在處理液供給配管21上設有開閉閥22、23。在處理液供給配管21的開閉閥22配置部位上連接著配管24，配管24的另一端連接著儲存有用來去除HM以及聚合物之藥液的藥液儲存槽25。在處理液供給配管21的開閉閥23配置部位上連接著配管26，配管26的另一端連接著供給純水(DIW)的DIW供給源27。然後，操作開閉閥22、23，便可從藥液儲存槽25以及DIW供給源27，通過配管24、26、處理液供給配管21、處理液流路16，將藥液以及純水供應到處理液吐出噴嘴5。
在旋轉板11的外側設有排液杯狀部6，其圍繞旋轉板11所保持之晶圓W的周圍部位，以擋住從晶圓W飛濺出來的處理液。排液杯狀部6的底部設有排液口6a，排液口6a連接朝下方延伸的排液配管31。又，排液配管31的途中分叉出用來回收藥液的回收配管32。然後，回收配管32連接上述藥液儲存槽25，藥液經過回收配管32而被回收到藥液儲存槽25。
在排液配管31分出回收配管32的部位設有開閉閥34，又在分出回收配管32的部位附近設有開閉閥35。然後，打開開閉閥34，並關閉開閉閥35，排液便經過排液配管31送到排液處理設備，然後被廢棄。又，關閉開閉閥34，並打開開閉閥35，排液便經過回收配管32送到藥液儲存槽25。亦即，開閉閥34、35具有切換到回收側或廢棄側的切換機構功能。
液體處理裝置1具備控制部40。該控制部40，如圖2的方塊圖所示的，設有控制器41、使用者介面42以及記憶部43。控制器41由微處理器(電腦)所構成，控制液體處理裝置1的各構造部位，例如開閉閥22、23、34、35、馬達4、驅動機構18等構件。使用者介面42係由連接控制器41且讓操作者輸入用來管理液體處理裝置1之指令的鍵盤，以及可顯示液體處理裝置1之運作狀況的顯示器等構件所構成。記憶部43也連接控制器41，其中儲存控制程式，用來控制作為控制對象之液體處理裝置1的各構造部位，並儲存處理程序，用來讓液體處理裝置1實施既定處理。處理程序被儲存在記憶部43的記憶媒體中。記憶媒體可以是像硬碟那樣的固定式構件，也可以是CDROM、DVD、快閃記憶體等可移動式構件。又，亦可從其他裝置透過例如專用線路在適當的時候將處理程序傳送過來。然後，控制器41因應需要按照使用者介面42輸入的指示從記憶部43提取任意處理程序並實施之，藉此在控制器41的控制下實施既定處理。
接著，說明利用該等液體處理裝置1去除晶圓W上之硬罩(HM)的處理動作。
在此，如圖3(a)所示，在進行有機系的Low-k膜101的蝕刻時，先在Low-k膜101之上形成硬罩(HM)層102，其上形成光阻膜103，利用光微影步驟形成既定圖案，如圖3(b)所示的，將經過圖案成形的光阻膜103當作遮罩，對HM層102進行蝕刻，將抗蝕劑圖案轉印到HM層102上，如圖3(c)所示的，將HM層102當作遮罩，對Low-k膜101進行蝕刻，形成例如凹洞部105。此時凹洞部105的內壁附著有聚合物104。
在本實施形態中，係從該圖3(c)的狀態利用藥液處理去除HM層102與聚合物104。HM層102可適當選用通常使用的Ti膜以及TiN膜。用來去除HM層102以及聚合物104的藥液，可使用一般常用的藥液，例如，可使用以過氧化氫水作為基底再加上既定有機成份的藥液。
欲去除HM層102與聚合物104，首先，將具備像圖3(c)的狀態那樣形成有凹洞部105的Low-k膜101、HM層102的晶圓W送入液體處理裝置，然後在裝設於旋轉夾盤3上的狀態下，進行如圖4之流程圖所示的以下順序。
在該狀態下首先進行第1階段的液體處理(第1步驟)。於該第1步驟中，讓處理液供給噴嘴5就位於晶圓W中心的正上方，以旋轉夾盤3讓晶圓W旋轉，從處理液供給噴嘴5向晶圓W表面吐出用來去除HM以及聚合物的藥液，以進行HM層102的去除處理。此時必須以未經圖示的加熱器將藥液儲存槽25內的藥液溫度維持在50～80℃左右，並將晶圓W上的藥液保持於30℃以上。在進行該第1步驟時，如圖5所示的，打開開閉閥34，並關閉開閉閥35，將從晶圓W甩出而被排液杯狀部6擋住的藥液廢棄。亦即，若一開始就回收藥液，被回收到藥液儲存槽25的HM量會非常多，該等藥液不適合再利用。因此，在第1步驟中將經過處理後的藥液廢棄掉。
然而，隨著HM層102受到去除處理，HM層102的殘存量逐漸減少，經過既定時間之後，該殘存量降到即使全部被藥液去除並與藥液一起被回收且殘存於藥液中也不會對再利用造成影響的量。因此，在HM層102的殘存量變成這樣的量的時點以後的適當時機，如圖6所示的，關閉開閉閥34，打開開閉閥35，切換到被排液杯狀部6擋住的藥液可經由回收配管32被回收到藥液儲存槽25的狀態(第2步驟)，一邊將回收藥液再利用一邊進行第2階段的液體處理，亦即去除HM層102的殘餘部份與聚合物104(第3步驟)。換言之，在第3步驟的第2階段液體處理中，經過處理後的藥液經由回收配管32被回收到藥液儲存槽25，藥液被循環使用。
預先掌握HM層102的殘存量變成全部被藥液蝕刻去除而包含在藥液中也能循環使用的量的時間，切換到第2步驟之藥液回收狀態的時機可設定在該時間經過之後。只要HM層102的去除比例到達60%以上，例如去除到80%，則殘存的HM層102即使與藥液一起被回收也能夠有把握不會對循環使用造成影響，故可從HM層102的厚度與蝕刻率，預先求出將HM層102去除到在60～100%之範圍內的既定比例，例如80%，所需要的時間，並在經過該時間之後切換到藥液回收狀態。又，在HM層102的蝕刻中，根據部位的不同，其蝕刻率也多少有所差異，即使經過可去除到100%的處理時間，多少還是會有所殘留。
在控制部40設定以上述方式決定的切換時機，於到達該時機的時點，從控制器41對開閉閥34、35發出指令，進而實行該等切換控制。
如圖7(a)所示的，第1步驟通常進行到HM層102多少有所殘留的狀態，此時聚合物104不易去除，故在第1步驟終了時點幾乎都會殘留。然而，亦可在第1步驟將HM層102全部去除。然後，在第3步驟中，將HM膜102的殘留部份與聚合物104全部去除，或是在HM層102已經全部被去除時僅將聚合物104去除，如圖7(b)所示的，形成只剩下經過蝕刻之有機系Low-k膜101的狀態。
為了讓藥液的回收比例更高，宜在將藥液廢棄的第1步驟中，儘量減少藥液的使用量。由於這層考量，在第1步驟中，宜一邊讓晶圓W旋轉，一邊間歇性的供給藥液。例如，如圖8所示的，以低速讓晶圓W旋轉，首先，在圖中T1所示的1～10sec左右，例如5sec的期間，供給藥液以形成液膜，之後，在圖中T2所示的10～30sec，更宜為10～15sec的期間，停止供給藥液，然後在圖中T3所示的1～5sec，更宜為1秒左右的期間，供給藥液，然後T2與T3期間重複循環。此時，為了讓晶圓W表面經常處於受到藥液濡濕的狀態，必須設定藥液的供給與停止時機。若晶圓W的表面受到藥液的濡濕則藥液會與HM成份持續發生反應，但若乾燥的話則會產生粒子，且接下來於晶圓W表面上形成液膜需要再花費時間。又，若停止供給藥液的時間太長，則晶圓W上的藥液溫度會下降，進而讓反應速度也跟著下降，若考量到這個問題，則宜決定停止供給藥液的時間。此時藥液的供給以及停止，以控制器41發出指令讓開閉閥22打開或關閉的方式進行。又，此時晶圓W的轉速，宜在50～300rpm的範圍內。若超過300rpm，則藥液會在短時間內飛濺散掉，而讓減少藥液使用量的效果受到影響，反之若未達50rpm，則會在晶圓W上殘留很多冷卻的藥液，即使間歇性吐出藥液，晶圓W的溫度也無法上升，HM去除反應會變慢。
像這樣，間歇性的吐出藥液，便能夠大幅降低藥液的使用量，例如，比起連續吐出並供給藥液的情況而言，能夠降低到1/10以下，回收藥液比例非常高。又，相較於連續吐出的情況，在實施該等間歇性處理時可對藥液的吐出間隔等條件作出適當調整，讓藥液溫度不會下降太多，處理速度也不遜色。
在第3步驟中，如上所述主要去除聚合物104，惟因為回收藥液供再利用的關係，故降低藥液使用量的必要性較低。又，因為聚合物係極其強力地附著，故需要比去除HM時更高的溫度，如上所述間接性地吐出藥液的方法，無法充分確保反應所需要的藥液溫度。因此，在第3步驟中，宜一邊連續吐出藥液一邊進行處理。此時晶圓W的轉速宜在200～500rpm的範圍內。
由上可知，如圖9所示的，宜一邊間歇性的供給藥液一邊進行第1步驟，之後從第2步驟的廢棄側切換到回收側，然後一邊連續的供給藥液一邊進行第3步驟，以提高回收藥液的比例。
又，減少第1步驟所使用的藥液量並提高回收藥液的比例可以使用其他方法，如圖10所示的，吾人可在第1步驟以及第3步驟都一邊讓晶圓W旋轉一邊連續供給藥液，並讓第1步驟的藥液供給量比第3步驟的藥液供給量更少。亦即，在去除聚合物104的第3步驟中，要求藥液的溫度相對較高，並要求比較多的藥液量，故可讓第1步驟的藥液溫度比第3步驟更低，且藥液供給量也比第3步驟更少。
以上述方式將HM層102以及聚合物104去除，使晶圓W的Low-k膜101形成圖7(b)的狀態，之後以100～1000rpm左右的轉速讓晶圓W旋轉，關閉開閉閥22，打開開閉閥23，從處理液供給噴嘴5對晶圓W吐出純水供給源27的純水作為沖洗液，對晶圓W進行沖洗處理。此時，關閉開閉閥35，打開開閉閥34，將晶圓W所甩出的沖洗液廢棄。
在進行過該等沖洗處理之後，因應需要插入以未經圖示的乾燥媒體供給機構對晶圓W供給像IPA(異丙醇)這樣的乾燥媒體以促進乾燥，最後讓晶圓W高速旋轉使其甩動而乾燥。
以上，完成1片晶圓的處理。
如以上所述，若利用本實施形態，則經過一邊讓晶圓W旋轉一邊對晶圓W供給藥液以去除硬罩層102的第1步驟處理之後的藥液會被廢棄，在第2步驟中，於殘留的HM層的量變少而藥液能夠再利用時，便將被廢棄的經過處理後的藥液回收並循環使用，在第3步驟中，於該狀態下回收藥液循環使用並去除硬罩層102的殘留部份以及聚合物104，或去除聚合物104，故能夠讓習知被廢棄的經過處理後的藥液再次被利用。
又，在廢棄藥液的第1步驟中，由於係一邊讓晶圓W旋轉一邊對晶圓W間歇性供給藥液，在停止供給藥液到下一次供給藥液的期間，讓晶圓W表面保持於被藥液濡濕的狀態下，故能減少第1步驟的藥液使用量，並儘可能地減少廢棄的藥液量，以儘可能地提高藥液的回收比例。又，讓第1步驟的藥液供給量比第3步驟的藥液供給量更少，減少第1步驟的藥液使用量，並儘可能地減少廢棄的藥液量，也能夠提高藥液的回收比例。
又，本發明並不限於上述實施形態，可作出各種變化。例如，在上述實施形態中，係以去除在蝕刻有機系Low-k膜時使用的硬罩以及聚合物作為例子進行說明，惟基底的蝕刻對象膜並無特別限定。又，上述實施形態係顯示出以半導體晶圓作為被處理基板的情況，惟亦可應用於其他基板，例如以液晶顯示裝置(LCD)用的玻璃基板作為代表的平面顯示器(FPD)用基板，自不待言。
1．．．液體處理裝置
2．．．底板
3．．．旋轉夾盤
4．．．馬達
5．．．處理液吐出噴嘴
5a．．．噴嘴孔
6．．．排液杯狀部
6a．．．排液口
11．．．旋轉板
12．．．旋轉軸
13．．．保持銷
15．．．噴嘴臂部
16．．．處理液流路
18．．．驅動機構
21．．．處理液供給配管
22、23、34、35．．．開閉閥
24、26．．．配管
25．．．藥液儲存槽
27．．．純水供給源
31．．．排液配管
32．．．回收配管
40．．．控制部
41．．．控制器
42．．．使用者介面
43．．．記憶部
101．．．有機系Low-k膜
102．．．硬罩層
103．．．光阻膜
104．．．聚合物
105．．．凹洞部
W．．．晶圓
T1～T3．．．期間
圖1係剖面圖，表示一實施形態之液體處理裝置的概略構造。
圖2係方塊圖，表示設置在圖1之液體處理裝置的控制部的構造。
圖3(a)~(c)係步驟剖面圖，用來說明使用硬罩蝕刻有機系Low-k膜的步驟。
圖4係流程圖，表示從圖3(c)所示之狀態去除硬罩層與聚合物的順序。
圖5係說明圖，用來說明實行第1步驟時液體處理裝置的狀態。
圖6係說明圖，用來說明從第2步驟的廢棄側切換到回收側的狀態。
圖7(a)~(b)係步驟剖面圖，用來說明第1步驟以及第3步驟。
圖8係時序圖，表示在第1步驟中藥液吐出設定的較佳實施例。
圖9係表示在去除硬罩層與聚合物的較佳方法中的藥液供給時機以及供給量。
圖10係表示在去除硬罩層與聚合物的另一個較佳方法中的藥液供給量。

Claims (13)

  1. 一種液體處理方法，其將形成既定圖案的硬罩層當作蝕刻遮罩使用，對形成於基板上的被蝕刻膜進行蝕刻，之後用藥液去除該硬罩層以及蝕刻時附著的聚合物，包含：第1步驟，一邊讓基板旋轉一邊對基板供給藥液以去除硬罩層，並將經過處理後的藥液廢棄掉；第2步驟，當透過該第1步驟使硬罩層的殘存量變成能將經過處理後的藥液回收再利用的量時，進行切換，將被廢棄的經過處理後的藥液回收，以供該液體處理使用；以及第3步驟，在第2步驟之後，一邊讓基板旋轉，一邊將藥液回收再利用，以利用藥液去除硬罩層的殘留部份與聚合物，或去除聚合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理方法，其中，該第1步驟，係一邊讓基板旋轉一邊對基板間歇性地供給藥液，在停止供給藥液到下一次供給藥液的期間，讓基板表面保持於被藥液濡濕的狀態；該第3步驟，係一邊讓基板旋轉一邊對基板連續供給藥液。
  3. 如申請專利範圍第2項之液體處理方法，其中，該第1步驟，係藉由最初的藥液供給在基板上形成液膜，之後，交互地重複進行藥液停止以及藥液供給。
  4. 如申請專利範圍第3項之液體處理方法，其中，於該第1步驟中，停止供給藥液到下一次供給藥液的藥液停止期間為10~30秒鐘，在藥液停止之後再次供給藥液的藥液供給期間為1~5秒鐘。
  5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之液體處理方法，其中，於該第1步驟中，將基板的轉速設定在50~300rpm的範圍內。
  6. 如申請專利範圍第1項之液體處理方法，其中，該第1步驟以及該第3步驟，均為一邊讓基板旋轉一邊對基板連續供給藥液，且該第1步驟的藥液供給量比該第3步驟的藥 液供給量更少。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液體處理方法，其中，預先求出硬罩層的去除比例成為在60~100%之範圍內的既定比例所需要的時間，將該第2步驟切換到藥液回收的時機設定在該時間經過之後。
  8. 一種液體處理裝置，其將形成既定圖案的硬罩層當作蝕刻遮罩使用，對形成於基板上的被蝕刻膜進行蝕刻，之後用藥液去除該硬罩層以及蝕刻時附著的聚合物，包含：保持機構，用來以可旋轉的方式保持基板；旋轉機構，用以令該保持機構旋轉；藥液供給機構，用以對該保持機構所保持的基板表面供給藥液；排液杯狀部，圍繞著該保持機構所保持之基板的周圍部位，並擋住從基板甩開的經過處理後的藥液；排液配管，用以將該排液杯狀部所擋住的經過處理後的藥液排出；回收機構，用以將該排液配管所排出的經過處理後的藥液回收以供再次利用；切換機構，用以在將該經過處理後的藥液經由該排液配管廢棄的廢棄側以及利用該回收機構回收的回收側之間作切換；以及控制部，用以控制該旋轉機構、該藥液供給機構、與該切換機構；該控制部進行如下控制：首先，將該切換機構設定在廢棄側，一邊讓基板在該旋轉機構上旋轉，一邊以該藥液供給機構對基板表面供給藥液，以去除硬罩層同時將經過處理後的藥液廢棄；當隨著處理的進行硬罩層的殘存量變成能夠將經過處理後的藥液回收再利用的量時，便將該切換機構切換到回收側；在該狀態下，一邊讓基板在該旋轉機構上旋轉，一邊將藥液回收再利用，並利用該藥液供給機構對基板供給藥液，以去除硬罩層的殘留部份與聚合物，或去除聚合物。
  9. 如申請專利範圍第8項之液體處理裝置，其中，該控制部進行如下控制：在最初進行處理以去除硬罩層同時廢棄經過處理後的藥液時，一邊以該旋轉機構使讓基板旋轉，一邊以該藥液供給機構對基板表面間歇性地供給藥液，且在停止供給藥液到下一次供給藥液的期間，將基板表面保持於被藥液濡濕的狀態；在將該切換機構切換到回收側之後進行去除硬罩層的殘留部份與聚合物或去除聚合物同時將經過處理後的藥液回收之際，利用該旋轉機構讓基板旋轉，並連續供給藥液。
  10. 如申請專利範圍第9項之液體處理裝置，其中，該控制部在最初進行處理以去除硬罩層同時廢棄經過處理後的藥液時，藉由最初的藥液供給在基板上形成液膜，之後，交互地重複進行藥液停止以及藥液供給。
  11. 如申請專利範圍第8項之液體處理裝置，其中，該控制部進行如下控制：在最初進行處理以去除硬罩層同時廢棄經過處理後的藥液之際，及在將該切換機構切換到回收側進行去除硬罩層的殘留部份與聚合物或僅去除聚合物同時將經過處理後的藥液回收之際，均一邊利用該旋轉機構讓基板旋轉，一邊連續供給藥液，且讓該最初處理之際的藥液供給量比將該切換機構切換到回收側之後的藥液供給量更少。
  12. 如申請專利範圍第8至11項中任一項之液體處理裝置，其中，該控制部，將硬罩層的去除比例變成在60～100%之範圍內的既定比例所需要的時間預先設定好，在該時間經過之後將該切換機構切換到回收側。
  13. 一種記憶媒體，儲存有在電腦上運作以控制液體處理裝置的程式，其特徵為：該程式在執行時讓電腦控制處理裝置以實行申請專利範圍第1至7項中任一項的液體處理方法。
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