CN209747468U - 液体处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型的目的在于提供一种液体处理装置，其包括：保持机构；旋转机构；药液供给机构；排液杯；排液配管，其设置在排液杯的底部，并将由排液杯挡住的处理后的药液排出；回收机构，其设置在排液配管，并将从排液杯排出的处理后的药液回收以供再次利用；切换机构，其设置在回收机构的分支部分附近，并在将处理后的药液经由排液配管废弃的废弃侧以及通过回收机构回收的回收侧之间进行切换；以及控制部，其与旋转机构、药液供给机构、以及切换机构连接，并控制旋转机构、药液供给机构、以及切换机构。

Description

液体处理装置

技术领域

本实用新型涉及一种进行用于去除硬掩模层的液体处理的液体处理装置，该硬掩模层用于例如有机系低介电常数膜(Low-k膜)的蚀刻中。

背景技术

近年来，为了对应半导体装置高速化、配线图案微细化、高集成化的要求，需要降低配线之间的电容、提高配线的导电性以及提高电子迁移阻抗，作为对应该要求的技术，Cu多层配线技术受到瞩目，其配线材料使用导电性比铝(Al)或钨(W)高且电子迁移阻抗优异的铜(Cu)，并使用低介电常数膜(Low-k膜)作为层间绝缘膜。

这样Cu多层配线技术，采用在Low-k膜上形成嵌入配线槽或开孔并在其中嵌入Cu的双重金属镶嵌法。在较多情况下使用有机系材料作为Low-k膜，而当蚀刻这样有机系的Low-k膜时，由于无法充分获得与同样是有机膜的光阻之间的选择比，所以使用像Ti膜或TiN膜这样的无机系的硬掩模(HM)作为蚀刻用掩模。此时，以光阻作为掩模将HM蚀刻成规定图案，将图案形成后的HM作为掩模对Low-k膜进行蚀刻。

在蚀刻后必须去除残存的HM。可利用单片式的清洗装置并使用HM去除专用药液以去除该HM。通常，这样清洗处理是以使作为被处理基板的半导体晶圆旋转，并且对其中心连续供给药液，并利用离心力使药液扩散到半导体晶圆整个表面的方式来进行的(例如专利文献1)。

另外，由于这样的HM去除用药液价格昂贵，所以会尝试将喷出到半导体晶圆上供清洗处理的药液送回储存箱并进行再次利用。然而，清洗处理之后的药液中会混入HM或装置的成分，若这些物质累积会使药液成分分解，所以想要再次利用药液实质上很困难。因此，目前技术中未再次利用HM去除用药液而不得不舍弃该药液，所以耗费了很大的成本。

专利文献1：日本特开2004-146594号公报

实用新型内容

本实用新型鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种在使用药液去除硬掩模时，能够回收药液并进行再次利用的液体处理装置。

为了解决上述问题，在本实用新型的观点中，提供一种液体处理装置，其使用形成为规定图案的硬掩模层作为蚀刻掩模，来对形成于基板上的被蚀刻膜进行蚀刻之后，用药液去除上述硬掩模层以及蚀刻时附着的聚合物，其包括：保持机构，其保持上述基板而使其能够旋转；旋转机构，其与上述保持机构连接，并使上述保持机构旋转；药液供给机构，其设置在上述保持机构的上方，并对由上述保持机构保持的上述基板的表面供给药液；排液杯，其围绕着由上述保持机构保持的上述基板的边缘部，并挡住从上述基板甩开的处理后的药液；排液配管，其设置在上述排液杯的底部，并将由上述排液杯挡住的上述处理后的药液排出；回收机构，其设置在上述排液配管，并将从上述排液杯排出的上述处理后的药液回收以供再次利用；切换机构，其设置在上述回收机构的分支部分附近，并在将上述处理后的药液经由上述排液配管废弃的废弃侧以及通过上述回收机构回收的回收侧之间进行切换；以及控制部，其与上述旋转机构、上述药液供给机构、以及上述切换机构连接，并控制上述旋转机构、上述药液供给机构、以及上述切换机构，上述控制部构成为进行如下控制：最初，将上述切换机构设定在上述废弃侧，一边通过上述旋转机构使上述基板旋转，一边使上述药液供给机构对上述基板的表面供给药液，来去除上述硬掩模层，并且将上述处理后的药液废弃；在随着处理的进展而上述硬掩模层的残存量变成能够将上述处理后的药液回收并再次利用的量时，将上述切换机构切换到上述回收侧；在该状态下，一边通过上述旋转机构使上述基板旋转，一边将药液回收并再次利用，并且使上述药液供给机构对基板供给药液，来去除上述硬掩模层的残留部分及上述聚合物，或去除上述聚合物。

在上述观点中，上述控制部构成为进行如下控制：在最初进行处理以去除上述硬掩模层并且废弃上述处理后的药液时，一边通过上述旋转机构使上述基板旋转，一边使上述药液供给机构对上述基板的表面间歇性地供给药液，且在停止供给药液起到下一次供给药液的期间，将上述基板的表面保持在被药液濡湿的状态；在将上述切换机构切换到上述回收侧之后进行处理以去除上述硬掩模层的残留部分及上述聚合物，或去除上述聚合物，并且将上述处理后的药液回收时，通过上述旋转机构使上述基板旋转，并连续地供给药液。

在上述观点中，上述控制部构成为在最初进行处理以去除上述硬掩模层并且废弃上述处理后的药液时，通过最初的药液供给而在上述基板上形成液膜，之后，交替地重复进行药液停止以及药液供给。

在上述观点中，上述控制部构成为进行如下控制，在最初进行处理以去除上述硬掩模层并且废弃上述处理后的药液时、以及在将上述切换机构切换到上述回收侧之后进行处理以去除上述硬掩模层的残留部分及上述聚合物，或去除上述聚合物，并且将上述处理后的药液回收时，均一边通过上述旋转机构使上述基板旋转，一边连续地供给药液，且构成为进行如下控制，使上述最初处理时的药液供给量比将上述切换机构切换到上述回收侧之后的药液供给量少。

在上述观点中，上述控制部构成为预先设定上述硬掩模层的去除比例变成60～100％的范围内的规定比例所需要的时间，并在经过该时间之后将上述切换机构切换到上述回收侧。

根据本实用新型，由于在一边使基板旋转一边对基板供给药液以去除硬掩模层时，先将处理后的药液废弃，当随着处理进行而硬掩模层的残存量变成能够回收处理后的药液并进行再次利用的量时，切换成将被废弃的处理后的药液回收并进行再次利用，利用药液去除硬掩模层的残留部分以及聚合物，或仅去除聚合物，所以能够使以往被废弃的处理后的药液再次被利用。

此外，通过将药液废弃的最初步骤，以一边使基板旋转一边对基板间歇性地供给药液，在停止供给药液到下一次供给药液的期间，使基板表面保持在被药液濡湿的状态的方式进行，或者以使进行该处理时的药液供给量比去除聚合物时的药液供给量少的方式进行，能够尽量减少最初步骤的药液使用量并尽量减少废弃的药液量，所以能够提高药液的回收比例。

附图说明

图1是表示一实施方式涉及的液体处理装置的概略结构的截面图。

图2是表示设置在图1的液体处理装置的控制部的结构的框图。

图3(a)是用于说明使用硬掩模来蚀刻有机系Low-k膜的步骤的步骤截面图。

图3(b)是用于说明使用硬掩模来蚀刻有机系Low-k膜的步骤的步骤截面图。

图3(c)是用于说明使用硬掩模来蚀刻有机系Low-k膜的步骤的步骤截面图。

图4是表示从图3(c)所示的状态去除硬掩模层和聚合物的顺序的流程图。

图5是用于说明进行第1步骤时的液体处理装置的状态的图。

图6是用于说明从第2步骤的废弃侧切换到回收侧的状态的图。

图7(a)是用于说明第1步骤以及第3步骤的步骤截面图。

图7(b)是用于说明第1步骤以及第3步骤的步骤截面图。

图8是表示在第1步骤中药液喷出的优选示例的时序图。

图9是表示在去除硬掩模层和聚合物的优选方法中的药液供给时机以及供给量的图。

图10是表示在去除硬掩模层和聚合物的另一个优选方法中的药液供给量的图。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本实用新型的实施方式。

图1是表示本实用新型一实施方式涉及的液体处理装置的概略结构的截面图。该液体处理装置1进行用药液将作为被处理基板的半导体晶圆(以下简称为晶圆)表面上的硬掩模(HM)去除的处理。

该液体处理装置1具有：腔室(未图示)、作为腔室的基底的底板2、以及设置在腔室内的旋转卡盘3。旋转卡盘3具有旋转板11以及与旋转板11的中央部位连接的旋转轴12，在旋转板11的周围以等间隔的方式安装了3个用于保持晶圆W的保持销13。保持销13在使晶圆W从旋转板11稍微浮起的状态下以水平方式保持晶圆W，并可在保持晶圆W的保持位置与朝后方转动而解除保持状态的解除位置之间移动。此外，在旋转板11的周围以等间隔的方式设置了3个在搬运臂部(未图示)与旋转卡盘3之间交接晶圆W时用于支承晶圆W的支承销(未图示)。旋转轴12贯通底板2而朝下方延伸，通过马达4而能够旋转。而且，马达4通过旋转轴12使旋转板11旋转，旋转板11所保持的晶圆W也会旋转。

在旋转卡盘3的上方设置有处理液喷嘴5，可对旋转卡盘3所保持的晶圆W的表面喷出处理液，该处理液是用于去除HM以及聚合物的药液或作为冲洗液的纯水等。处理液喷嘴5安装在喷嘴臂部15的前端。喷嘴臂部15的内部形成有处理液流路16，处理液喷嘴5的喷嘴孔5a与处理液流路16连接。喷嘴臂部15通过驱动机构18而能够回转，驱动机构18使喷嘴臂部15回转，来能够使处理液喷嘴5在晶圆W中心正上方的喷出位置与晶圆W以外的待机位置之间移动。

喷嘴臂部15的处理液流路16的另一端与处理液供给配管21连接。在处理液供给配管21上设有开闭阀22、23。处理液供给配管21的在开闭阀22配置部位上连接有配管24，配管24的另一端与储存有用于去除HM以及聚合物的药液的药液储存箱25连接。处理液供给配管21的在开闭阀23配置部位上连接有配管26，配管26的另一端与供给纯水(DIW)的DIW供给源27连接。而且，操作开闭阀22、23，便可从药液储存箱25以及DIW供给源27，经过配管24、26、处理液供给配管21、处理液流路16，向处理液喷嘴5供给药液以及纯水。

在旋转板11的外侧设有排液杯6，其围绕旋转板11所保持的晶圆W的边缘部，以挡住从晶圆W飞溅出来的处理液的排液。排液杯6的底部形成有排液口6a，排液口6a与朝下方延伸的排液配管31连接。此外，排液配管31的途中分叉出用于回收药液的回收配管32。而且，回收配管32与上述药液储存箱25连接，药液经过回收配管32而被回收到药液储存箱25。

在排液配管31分叉出回收配管32的部位设有开闭阀34，而且在分叉出回收配管32的部位附近设有开闭阀35。而且，通过使开闭阀34处于打开，并使开闭阀35处于关闭的状态，排液便经过排液配管31送到排液处理设备，然后被废弃。此外，通过使开闭阀34处于关闭，并使开闭阀35处于打开的状态，排液便经过回收配管32送到药液储存箱25。即，开闭阀34、35具有切换到回收侧或废弃侧的切换机构的功能。

液体处理装置1具备控制部40。如图2的框图所示，该控制部40具有控制器41、用户界面42以及存储部43。控制器41由微处理器(计算机)构成，控制液体处理装置1的各结构部位，例如开闭阀22、23、34、35、马达4、驱动机构18等。用户界面42与控制器41连接，由使操作者为了管理液体处理装置1而进行指令等的输入操作的键盘、以及使液体处理装置1的运作状况可视化而进行显示的显示器等构成。存储部43也与控制器41连接，其中存储有：控制程序，用于控制液体处理装置1的各结构部位的控制对象；以及处理程序，即用于使液体处理装置1实施规定处理的程序。处理程序被存储在存储部43的存储介质中。存储介质可以是像硬盘那样的固定式部件，也可以是CDROM、DVD、快闪存储器等可移动式部件。此外，也可使其他装置通过例如专用线路适当地传送处理程序。而且，控制器41根据需要，按照来自用户界面42的指示等从存储部43提取任意处理程序并实施该程序，由此在控制器41的控制下实施规定处理。

接着，对利用这样的液体处理装置1去除晶圆W上的硬掩模(HM)的处理的处理动作进行说明。

在此，如图3(a)所示，在进行有机系的Low-k膜101的蚀刻时，在Low-k膜101上形成硬掩模(HM)层102，HM层102上形成光阻膜103，通过光刻步骤将图案成形为规定图案，在该状态下，如图3(b)所示，将图案成形后的光阻膜103作为掩模，对HM层102进行蚀刻，并将光刻胶图案转印到HM层102上，如图3(c)所示，将HM层102作为掩模，对Low-k膜101进行蚀刻，形成例如凹洞部105。此时凹洞部105的内壁附着有聚合物104。

在本实施方式中，从该图3(c)的状态通过药液处理来去除HM层102和聚合物104。作为HM层102，可适当地采用通常使用的Ti膜以及TiN膜。作为用于去除HM层102以及聚合物104的药液，可采用一般作为这种药液使用的药液，例如，可使用以双氧水作为基底再加上规定有机成分的药液。

HM层102和聚合物104的去除按照如下方式进行，即：首先，将具有像图3(c)的状态那样形成有凹洞部105的Low-k膜101、HM层102的晶圆W送入液体处理装置，并在装设于旋转卡盘3上的状态下，按照如图4的流程图所示的步骤进行。

在该状态下首先进行第1阶段的液体处理(第1步骤)。在该第1步骤中，使处理液供给喷嘴5就位于晶圆W中心的正上方，通过旋转卡盘3使晶圆W旋转，从处理液供给喷嘴5向晶圆W表面喷出用于去除HM以及聚合物的药液，以进行HM层102的去除处理。此时必须通过未图示的加热器将药液储存箱25内的药液温度维持在50～80℃左右，并将晶圆W上的药液保持在30℃以上。在进行该第1步骤时，如图5所示，打开开闭阀34，并关闭开闭阀35，将从晶圆W甩出而被排液杯6挡住的药液废弃。即，若一开始就回收药液，被回收到药液储存箱25的HM量会非常多，这样的药液不适合再次利用。因此，在第1步骤中将处理后的药液进行废弃。

然而，随着HM层102受到去除处理，HM层102的残存量逐渐减少，经过规定时间之后，该残存量降到即使全部被药液去除并与药液一起被回收且残存于药液中也不会对再次利用造成影响的量。因此，在HM层102的残存量变成这样的量的时间点以后的适当时机，如图6所示，关闭开闭阀34，打开开闭阀35，切换到被排液杯6挡住的药液可通过回收配管32被回收到药液储存箱25的状态(第2步骤)，一边将回收药液再次利用一边进行第2阶段的液体处理、即去除HM层102的残留部分与聚合物104(第3步骤)。换言之，在第3步骤的第2阶段液体处理时，处理后的药液经由回收配管32被回收到药液储存箱25，药液被循环使用。

预先掌握HM层102的残存量变成即使全部被药液蚀刻去除而包含在药液中也能循环使用该药液的量的时间点，切换到第2步骤的药液回收的时机可设定在该时间点以后。只要是在HM层102的去除比例到达60％以上，例如去除到80％的阶段，则有把握残存的HM层102即使与药液一起被回收也不会对循环使用造成影响，所以可基于HM层102的厚度和蚀刻率，预先求取将HM层102去除到在60～100％的范围内的规定比例、例如去除到80％所需要的时间，并在经过该时间之后切换到药液回收。另外，在HM层102的蚀刻中，根据部位的不同，其蚀刻率也多少有所差异，即使经过可去除到100％的处理时间，多少还是会有所残留。

在控制部40设定以上述方式决定的切换时机，在到达该时机的时刻，从控制器41对开闭阀34、35发出指令，来进行这样的切换控制。

如图7(a)所示，第1步骤通常进行到HM层102多少有所残留的状态，此时聚合物104不易去除，所以在第1步骤结束时点几乎都会残留。然而，也可在第1步骤将HM层102全部去除。而且，在第3步骤中，将HM膜102的残留部分和聚合物104去除，或是在HM层102已经全部被去除时仅将聚合物104去除，如图7(b)所示，成为只剩下经过蚀刻的有机系Low-k膜101的状态。

在提高药液的回收比例的观点上，优选在将药液废弃的第1步骤中，尽量减少药液的使用量。由于这种观点，在第1步骤中，优选一边使晶圆W旋转，一边间歇性地供给药液。例如，如图8所示，在以低速使晶圆W旋转的状态下，首先，在图中T1所示的1～10sec左右，例如5sec的期间，供给药液以形成液膜之后，重复循环在图中T2所示的10～30sec，优选为10～15sec的停止供给药液期间、与在图中T3所示的1～5sec，优选为1秒左右的供给药液期间。此时，为了使晶圆W表面经常处于受到药液濡湿的状态，必须设定药液的供给和停止的时机。若晶圆W的表面受到药液濡湿则药液会与HM成分持续发生反应，但若干燥的话则会产生颗粒，且接下来在晶圆W表面上形成液膜需要再花费时间。此外，若停止供给药液的时间太长，则晶圆W上的药液温度会下降，进而使反应速度也会下降，所以考量到这一点，优选决定停止供给药液的时间。此时药液的供给以及停止，能够通过控制器41发出指令使开闭阀22打开或关闭来进行。此外，此时晶圆W的转速，优选在50～300rpm的范围内。若超过300rpm，则药液会在短时间内飞溅散掉，而减少药液使用量的效果会变小，反之若未达50rpm，则会在晶圆W上残留很多冷却的药液，即使间歇性喷出药液，晶圆W的温度也无法上升，HM去除反应会变慢。

这样，间歇性地喷出药液，便能够大幅降低药液的使用量，例如，比起连续喷出并供给药液的情况而言，能够降低到1/10以下，所以能够使回收药液比例非常高。此外，即使是进行这样的间歇性处理，也通过适当地调整药液的喷出间隔等，相较于连续喷出的情况，能够使药液温度不会下降太多，处理速度也不逊色。

在第3步骤中，如上所述主要去除聚合物104，但因为回收药液供再次利用，所以降低药液使用量的必要性较低。此外，因为聚合物是极其强力地附着，所以需要比去除HM时高的温度，如上所述间接性地喷出药液的方法，无法充分确保反应所需要的药液温度。因此，在第3步骤中，优选一边连续喷出药液一边进行处理。此时晶圆W的转速优选在200～500rpm的范围内。

由上可知，如图9所示，一边间歇性地供给药液一边进行第1步骤，之后从第2步骤的废弃侧切换到回收侧，然后一边连续地供给药液一边进行第3步骤，在提高回收药液的比例的观点上较为理想。

此外，作为减少第1步骤中使用的药液量并提高回收药液的比例的其他方法，如图10所示，可以是以在第1步骤以及第3步骤都一边使晶圆W旋转一边连续供给药液，并使第1步骤时的药液供给量比第3步骤时的药液供给量少的方式进行的方法。即，在去除聚合物104的第3步骤中，要求药液的温度相对较高，并要求比较多的药液量，不过可以是在第1步骤中的药液温度比第3步骤低，因此能够使药液供给量也比第3步骤时少。

以上述方式将HM层102以及聚合物104去除，使晶圆W的Low-k膜101成为图7(b)的状态之后，以100～1000rpm左右的转速使晶圆W旋转，并且关闭开闭阀22，打开开闭阀23，从处理液供给喷嘴5对晶圆W喷出来自纯水供给源27的作为冲洗液的纯水，对晶圆W进行冲洗处理。此时，关闭开闭阀35，打开开闭阀34，将晶圆W所甩出的冲洗液废弃。

在进行这样的冲洗处理之后，根据需要，插入通过未图示的干燥介质供给机构对晶圆W供给像IPA(异丙醇)这样的干燥介质以促进干燥的处理，最后使晶圆W高速旋转使其甩动而干燥。

以上，完成1片晶圆的处理。

如上所述，根据本实施方式，在一边使晶圆W旋转一边对晶圆W供给药液以去除硬掩模层102的第1步骤中，将处理后的药液废弃，在第2步骤中，在残留的HM层的量变少而药液能够再次利用时，切换成将被废弃的处理后的药液回收并循环使用，在第3步骤中，在该状态下回收药液并循环使用，并且去除硬掩模层102的残留部分以及聚合物104，或去除聚合物104，所以能够使以往被废弃的处理后的药液再次被利用。

此外，通过使废弃药液的第1步骤，以一边使晶圆W旋转一边对晶圆W间歇性供给药液，在停止供给药液到下一次供给药液的期间，使晶圆W表面保持在被药液濡湿的状态的方式进行，能减少第1步骤的药液使用量，并尽可能地减少废弃的药液量，所以尽可能地提高药液的回收比例。此外，通过使第1步骤的药液供给量比第3步骤的药液供给量少，减少第1步骤的药液使用量，并尽可能地减少废弃的药液量，所以也能够提高药液的回收比例。

AI：人工智能

控制部40还可以具备AI(Artificial Intelligence，人工智能)。AI包括机械学习模块，其使用例如将包含各种参数的处理方法数据、根据上述处理方法数据执行的基板处理的结果(处理后的晶圆W的检验结果等)与基板处理中从各种传感器获取的传感器值等关联起来而得到的积累数据来进行机械学习。

由此，AI例如能够输出以能获得更佳检验结果的方式使参数最优化的处理方法数据。能够进行最优化的参数例如有：各种处理液的温度、流量及供给时间；装置内的温度、湿度、气压及排气流量；晶圆W的搬运速度、待机时间等。

控制部40通过使用最优化的处理方法数据，能够使一系列基板处理最优化。例如，能够降低在检验工序中判定为次品的晶圆W的比例，或者能够提高晶圆W的加工精度。

另外，作为机械学习例如能够使用深度学习、SVM(Support Vector Machine，支持向量机)，自适应增强(AdaBoost)、随机森林(Random Forest)等公知算法。

另外，本实用新型并不限于上述实施方式，可作出各种变化。例如，在上述实施方式中，以去除在蚀刻有机系Low-k膜时使用的硬掩模以及聚合物作为示例进行了说明，但基底的蚀刻对象膜并无特别限定。此外，在上述实施方式中，显示出使用半导体晶圆作为被处理基板的情况，但当然也可应用于其他基板，例如以液晶显示装置(LCD)用的玻璃基板为代表的平板显示器(FPD)用基板等。

Claims (5)

1.一种液体处理装置，其使用形成为规定图案的硬掩模层作为蚀刻掩模，来对形成于基板上的被蚀刻膜进行蚀刻之后，用药液去除所述硬掩模层以及蚀刻时附着的聚合物，其特征在于，包括：

保持机构，其保持所述基板而使其能够旋转；

旋转机构，其与所述保持机构连接，并使所述保持机构旋转；

药液供给机构，其设置在所述保持机构的上方，并对由所述保持机构保持的所述基板的表面供给药液；

排液杯，其围绕着由所述保持机构保持的所述基板的边缘部，并挡住从所述基板甩开的处理后的药液；

排液配管，其设置在所述排液杯的底部，并将由所述排液杯挡住的所述处理后的药液排出；

回收机构，其设置在所述排液配管，并将从所述排液杯排出的所述处理后的药液回收以供再次利用；

切换机构，其设置在所述回收机构的分支部分附近，并在将所述处理后的药液经由所述排液配管废弃的废弃侧以及通过所述回收机构回收的回收侧之间进行切换；以及

控制部，其与所述旋转机构、所述药液供给机构、以及所述切换机构连接，并控制所述旋转机构、所述药液供给机构、以及所述切换机构，

所述控制部构成为进行如下控制：

最初，将所述切换机构设定在所述废弃侧，一边通过所述旋转机构使所述基板旋转，一边使所述药液供给机构对所述基板的表面供给药液，来去除所述硬掩模层，并且将所述处理后的药液废弃；

在随着处理的进展而所述硬掩模层的残存量变成能够将所述处理后的药液回收并再次利用的量时，将所述切换机构切换到所述回收侧；

在该状态下，一边通过所述旋转机构使所述基板旋转，一边将药液回收并再次利用，并且使所述药液供给机构对基板供给药液，来去除所述硬掩模层的残留部分及所述聚合物，或去除所述聚合物。

2.根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于：

所述控制部构成为进行如下控制：

在最初进行处理以去除所述硬掩模层并且废弃所述处理后的药液时，一边通过所述旋转机构使所述基板旋转，一边使所述药液供给机构对所述基板的表面间歇性地供给药液，且在停止供给药液起到下一次供给药液的期间，将所述基板的表面保持在被药液濡湿的状态；

在将所述切换机构切换到所述回收侧之后进行处理以去除所述硬掩模层的残留部分及所述聚合物，或去除所述聚合物，并且将所述处理后的药液回收时，通过所述旋转机构使所述基板旋转，并连续地供给药液。

3.根据权利要求2所述的液体处理装置，其特征在于：

所述控制部构成为在最初进行处理以去除所述硬掩模层并且废弃所述处理后的药液时，通过最初的药液供给而在所述基板上形成液膜，之后，交替地重复进行药液停止以及药液供给。

4.根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于：

所述控制部构成为进行如下控制，在最初进行处理以去除所述硬掩模层并且废弃所述处理后的药液时、以及在将所述切换机构切换到所述回收侧之后进行处理以去除所述硬掩模层的残留部分及所述聚合物，或去除所述聚合物，并且将所述处理后的药液回收时，均一边通过所述旋转机构使所述基板旋转，一边连续地供给药液，

且构成为进行如下控制，使所述最初处理时的药液供给量比将所述切换机构切换到所述回收侧之后的药液供给量少。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的液体处理装置，其特征在于：

所述控制部构成为预先设定所述硬掩模层的去除比例变成60～100％的范围内的规定比例所需要的时间，并在经过该时间之后将所述切换机构切换到所述回收侧。