KR20010007205A - 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거 방법 및 장치 - Google Patents

반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거 방법 및 장치 Download PDF

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KR20010007205A
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시미즈유지
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Abstract

포토레지스트제거장치에서, 고농도 또 고온의 오존용해수를 사용하여 포토레지스트를 제거하는 것을 가능하게 한다. 오존용해수제조장치(14)에서 제조된 상온의 오존용해수를 스테이지(12)에 올려져 있는 반도체웨이퍼(11) 상에 분출노즐(13)을 개재하여 분출하기 직전에, 적외선램프(16)를 사용하여 반도체웨이퍼(11)의 온도를 올린다.

Description

반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거 방법 및 장치{Method and apparatus for removing photoresist on semiconductor wafer}
본 발명은 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트를 제거하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체장치의 제조공정들 중의 한 공정인 사진식각술(photolithography)공정에서는, 패터닝을 위한 마스크로서 포토레지스트가 일반적으로 사용되고 있다. 이 포토레지스트 막은 반도체장치의 패터닝이 종료된 시점에 제거된다. 포토레지스트 막의 제거처리로서는, 통상, 섭씨 100도 이상으로 온도를 올린 황산-과산화수소수혼합액(Sulfuric-acid Hydrogen-Peroxide Mixture: 이하 'SPM'이라 함)을 사용한 처리, 또는 유기용제를 사용한 처리가 많이 채용되어 있다.
SPM에 의한 포토레지스트의 제거처리는 섭씨 100도 이상의 고온에서 행해지기 때문에, 통상, 석영제의 처리조에서 SPM을 온도를 올려서 사용한다. 이 때문에, 약품의 사용량은 대단히 많아지고, 게다가, 사용 후의 처리액의 폐액량도 막대하게 된다.
또, 처리조에서 SPM을 고온으로 유지하기 때문에, 처리장치에 대한 부하도 크고, 이 때문에, 처리장치에 대한 유지보수(maintenance)의 빈도도 높일 수 없다는 결점도 있다.
유기용제를 사용한 포토레지스트 막의 제거처리에 있어서도 동일한 문제점이 존재한다. 특히, 유기용제는 휘발하기 쉽기 때문에, 처리장치 주변으로의 유기용제의 누설·확산을 막기 위해 처리장치의 밀폐도를 높게 할 필요가 있다. 또, 사용 후의 폐액에 관해서도 처리방법에 엄중한 관리가 필요하다.
이와 같이, 처리장치에서의 부하나 폐액처리 등에 많은 문제를 갖는 SPM이나 유기용제 대신에, 포토레지스트 제거를 위한 처리액으로서 오존용해수가 주목받고 있다. 오존은 산화력이 매우 높고, 또 폐액에 대해서도, 오존은 자연분해시간이 빠르고, 특별한 폐액처리를 할 필요가 없다는 이점을 가지고 있다. 이 때문에, 오존용해수는 비교적 용이하게 반도체 제조라인에 적용할 수 있다.
예를 들어, 일본공개특허공보들인 평1-233729호, 평6-275515호 및 평9-501017호에서는, 오존용해수를 사용하여 포토레지스트를 제거하는 장치 및 방법이 제안되어 있다. 또, 일본공개특허공보 평6-224168호에서는, 오존가스를 사용하여 포토레지스트를 제거하는 장치가 제안되어 있다. 더욱이, 일본공개특허공보 평1-189921호에서는, 오존가스를 용해시킨 황산-과산화수소수혼합액을 사용하여 포토레지스트를 제거하는 장치가 제안되어 있다.
도 5는 종래의 포토레지스트제거장치의 일 예를 보여준다. 이 포토레지스트제거장치는 웨이퍼를 1장씩 처리하는 방식인, 이른바 장양식의 습식(wet)처리장치이다.
도 5에 보인 것처럼, 이 포토레지스트제거장치는, 반도체웨이퍼(1)를 싣는 회전가능한 스테이지(2), 위쪽이 개구되어 있고 스테이지(2)를 수용하는 챔버(5), 반도체웨이퍼(1) 상에 형성된 포토레지스트에 오존용해수를 분출하는 처리액분출노즐(3), 및 처리액분출노즐(3)에 오존용해수를 공급하는 오존수제조장치(4)로 이루어진다.
이 포토레지스트제거장치는 아래와 같이 사용된다.
우선, 스테이지(2) 상에 반도체웨이퍼(1)를 진공 흡착시킨 후, 반도체웨이퍼(1)를 회전시킨다. 이 상태에서, 오존용해수가 비이온화수(6)(De-Ionized Water: 이하'DIW'라 함)와 함께 처리액분출노즐(3)로부터 반도체웨이퍼(1) 상에 분출된다. 이렇게 분출되는 오존용해수에 의해, 반도체웨이퍼(1) 상에 형성된 포토레지스트가 제거된다.
그렇지만, 오존용해수를 사용하여 포토레지스트 제거하는 방법에는 아래와 같은 실용상의 문제점이 있었다.
DIW 중의 오존의 용해농도는 DlW의 온도와 반비례한다. 즉, DIW 온도가 높게됨에 따라 DIW중에 용해 가능한 오존농도는 낮게 된다.
도 6은 DlW온도와 오존용해농도 사이의 관계를 보여주는 그래프이다. 예를 들면, DIW의 온도가 섭씨 5도인 때에는 약 120ppm의 오존이 용해되어 있는데 반해, 섭씨 25도에서는 오존용해농도가 약 65ppm에 머물러 있다.
오존용해수에 의한 포토레지스트의 식각속도(etching rate)는, DIW 중의 오존농도에 비례함과 동시에 오존용해수의 온도에도 비례하고 있다.
따라서, 이상적으로는 오존용해수 중의 오존농도가 높고, 또 오존용해수의 온도가 높은 것이 바람직하다.
그러나, 전술한 바와 같이, 오존의 액체 온도와 오존용해농도는 반비례 관계에 있기 때문에, 낮은 액체온도에서 고농도의 오존용해수를 제조하더라도, 그 후에 액체온도를 올린 시점에서는 오존용해수 중의 오존은 분해되고, 포토레지스트 상으로 분출될 때에는 저농도의 오존용해수로 되어 버린다.
이상과 같이, 종래의 포토레지스트 제거방법에서는, 고농도 또 고온의 오존용해수를 사용하여 포토레지스트를 제거하는 것이 불가능하고, 포토레지스트의 제거는 반드시 효율적으로는 행해지고 있지는 않았다.
본 발명은, 이러한 종래의 포토레지스트 제거방법의 문제점을 고려하여, 고농도 또 고온의 오존용해수를 사용하여 포토레지스트를 제거하는 것을 가능하게 하는 포토레지스트 제거방법 및 제거장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치의 구성을 보여주는 개략도,
도 2는 종래의 포토레지스트제거장치 및 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 대해, 오존용해수 중의 오존농도 및 포토레지스트의 식각속도의 관계들을 보여주는 그래프,
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치의 구성을 보여주는 개략도,
도 4는 종래의 포토레지스트제거장치, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치 및 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 대해, 오존용해수 중의 오존농도와 포토레지스트의 식각속도의 관계들을 보여주는 그래프,
도 5는 종래의 포토레지스트제거장치의 구성을 보여주는 개략도,
도 6은 DIW 중의 오존농도와 DIW의 온도의 관계를 보여주는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 반도체웨이퍼 12 : 스테이지
13 : 분출노즐 14 : 오존용해수제조장치
15 : 챔버 16 : 적외선램프
17 : 웨이퍼온도검출센서 18 : 제어장치
19 : 밸브 20 : 가열히터
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 오존용해수를 사용하여 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트를 제거하는 방법은, 반도체웨이퍼를 온도를 올리는 제1단계, 및 반도체웨이퍼가 소정의 온도에 이르렀을 때 오존용해수를 반도체웨이퍼 상에 분출하는 제2단계를 구비한다.
이 방법에 의하면, 오존용해수는, 반도체웨이퍼 상에 분출되기 직전까지, 저온으로 유지될 수 있다. 즉, 오존용해수를 분출 직전까지 고농도로 유지해 둘 수 있다. 이 고농도의 오존용해수를 반도체웨이퍼 상에 분출하면, 반도체웨이퍼는 소정의 온도까지 미리 온도가 올라가 있기 때문에, 오존용해수의 온도가 순식간에 상승한다. 이러한 온도의 상승에 따라 반도체웨이퍼의 표면에서 오존의 분해반응이 일어난다. 이 오존의 분해에 의해, 오존과 포토레지스트 사이의 화학반응이 촉진된다. 이 때문에, 포토레지스트의 식각속도가 빠르게 되고, 나아가서는, 포토레지스트의 제거에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
본 발명에 따른, 오존용해수를 사용하여 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트를 제거하는 방법은, 반도체웨이퍼를 온도를 올리는 제1단계, 반도체웨이퍼가 소정의 온도에 이르렀을 때 오존용해수를 반도체웨이퍼 상에 분출하는 제2단계, 반도체웨이퍼의 린스처리를 하는 제3단계, 및 반도체웨이퍼를 건조시키는 제4단계를 구비한다.
이 방법에 의해서도, 저온 및 고농도의 오존용해수를 사용하여 포토레지스트의 제거속도를 상승시킬 수 있다.
전술한 제2단계에서는, 반도체웨이퍼를 그 중심의 주위로 회전시켜, 회전하고 있는 반도체웨이퍼에 오존용해수를 분출하는 것이 바람직하다.
반도체웨이퍼를 회전시키는 것에 의해, 반도체웨이퍼 상에 균일하게 오존용해수를 분출할 수 있다.
또, 제2단계에서는, 오존용해수를 반도체웨이퍼 상에 분출하고 있는 동안에도, 반도체웨이퍼를 계속 가열하는 것이 바람직하다.
이와 같이 반도체웨이퍼를 계속 가열하는 것에 의해, 반도체웨이퍼를 소정의 온도로 유지할 수 있고, 반도체웨이퍼의 표면상에서의 오존의 분해반응을 계속하게 할 수 있다. 따라서, 포토레지스트의 제거속도의 저하를 방지할 수 있다.
반도체웨이퍼는, 예를 들면, 섭씨 100도 이상의 온도로 유지하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 반도체웨이퍼를 가열하는 반도체웨이퍼가열기, 오존용해수를 공급하는 오존용해수공급원, 오존용해수공급원에서 공급되는 오존용해수를 반도체웨이퍼 상에 분출하는 분출수단을 구비하는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거장치가 제공된다.
이 장치에 의하면, 반도체웨이퍼가열기에 의해 반도체웨이퍼를 가열한 후에, 분출수단을 개재하여, 반도체웨이퍼 상에 형성되어 있는 포토레지스트에 오존용해수를 분출할 수 있다. 이 때문에, 오존용해수는 반도체웨이퍼 상에 용해수를 분출하기 직전까지 저온으로 유지될 수 있다. 즉, 오존용해수를 분출 직전까지 고농도로 유지시킬 수 있다. 이 고농도의 오존용해수를 반도체웨이퍼 상에 분출하면, 반도체웨이퍼는 미리 온도가 올라가 있기 때문에, 오존용해수의 온도가 순식간에 상승된다. 오존용해수의 온도의 상승에 따라, 반도체웨이퍼의 표면에서의 오존의 분해반응이 일어난다. 이 오존의 분해에 의해, 오존과 포토레지스트 사이의 화학반응이 촉진된다. 이 때문에, 포토레지스트의 식각속도가 빠르게 되고, 나아가서는, 포토레지스트의 제거에 요구되는 시간을 단축할 수 있다.
또, 이 포토레지스트제거장치는, 반도체웨이퍼의 온도를 검출하는 웨이퍼온도검출센서, 및 웨이퍼온도검출센서가 검출한 반도체웨이퍼의 온도에 따라 반도체웨이퍼가열기를 제어하는 제어장치를 더 구비하는 것이 바람직하다.
웨이퍼온도검출센서를 사용하여 반도체웨이퍼의 온도를 모니터하는 것에 의해, 제어장치를 개재하여 반도체웨이퍼가열기를 자유롭게 제어할 수 있고, 반도체웨이퍼를 원하는 온도로 유지시킬 수 있다.
반도체웨이퍼가열기로서는, 예를 들면, 반도체웨이퍼에 적외선을 조사하는 적외선램프를 사용할 수 있다.
또, 반도체웨이퍼를 싣는 스테이지를 설치하여, 반도체웨이퍼가열기는 이 스테이지의 내부에 조립해 넣는 것이 바람직하다.
반도체웨이퍼를 싣는 스테이지 내에 반도체웨이퍼가열기를 직접 조립해 넣은 것에 의해, 효과적으로 반도체웨이퍼를 가열할 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 구현한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치의 구성을 보여주는 개략도이다. 이 포토레지스트제거장치는 반도체웨이퍼를 1장씩 처리한다. 이른바 장양식의 습식처리장치이다.
제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치는, 반도체웨이퍼(11)를 싣는 스테이지(12), 오존용해수를 제조하는 오존용해수제조장치(14), 오존용해수제조장치(14)로부터 공급된 오존용해수를 반도체웨이퍼(11) 상에 분출하는 분출노즐(13), 스테이지(12) 및 분출노즐(13)을 내부에 수용하는 챔버(15), 챔버(15)의 내부에서 스테이지(12)의 위쪽에 설치되어, 반도체웨이퍼(11)에 적외선을 조사하는 것에 의해 반도체웨이퍼(11)를 가열시키는 반도체웨이퍼가열기로서의 적외선램프(16), 및 스테이지(12)의 내부에 조립해 넣어져, 반도체웨이퍼(11)의 온도를 검출하는 웨이퍼온도검출센서(17), 웨이퍼온도검출센서(17)가 검출한 반도체웨이퍼(11)의 온도에 응답하여 적외선램프(16)의 적외선조사량을 제어하는 제어장치(18)를 구비한다.
스테이지(12)는 그 중심축 주위로 회전가능하도록 구성되어 있다. 또, 챔버(15)에는 폐액을 배출하기 위한 배출구(15a)가 설치되어 있다.
오존용해수제조장치(14)에는 비이온화수(DIW, 19)가 공급되고, 오존용해수제조장치(14)는 DIW(19)에 오존을 용해시켜 오존용해수를 제조한다. 이 실시예에서, 오존용해수제조장치(14)는 약100ppm의 오존농도를 갖는 오존용해수를 제조한다.
또, 분출노즐(13)에도 DlW(19)가 공급되어 있고, 분출노즐(13)은 오존용해수제조장치(14)로부터 절환밸브(20)를 개재하여 공급되는 오존용해수 또는 DlW(19) 중의 어느 하나를 선택적으로 분출하도록 되어 있다.
이 실시예에서의 적외선램프(16)는 반도체웨이퍼(11)를 섭씨 100도 이상의 온도로 온도를 올리는 것이 가능한 구조로 되어있다.
또, 제어장치(18)는 적외선램프(16)의 적외선주사량을 제어하는 것 이외에, 스테이지(12)의 회전의 개시 및 중지의 제어도 행하도록 구성되어 있다.
이상과 같은 구조를 갖는 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치는 다음과 같이 사용된다.
우선, 포토레지스트의 막이 형성된 반도체웨이퍼(11)를 챔버(15) 내의 스테이지(12) 상에 탑재한다. 스테이지(12)는 반도체웨이퍼(11)를 진공 흡착하는 기능을 가지고 있어, 반도체웨이퍼(11)는 진공 흡착되어, 스테이지(12) 상에 고정된다.
반도체웨이퍼(11)가 스테이지(l2)에 고정된 시점에, 제어장치(18)는 적외선램프(16)를 점등시켜, 적외선조사에 의해 반도체웨이퍼(11)의 온도를 올리기 시작한다.
웨이퍼온도검출센서(17)가 반도체웨이퍼(11)의 온도가 섭씨 100도에 도달한 것을 검출하면, 웨이퍼온도검출센서(17)는 그것을 뜻하는 신호를 제어장치(18)에 전송하고, 제어장치(18)는 그 신호를 수신하여, 스테이지(12)의 회전을 개시시킨다.
이어서, 오존용해수제조장치(14)에 의해 생성된 오존용해수가 분출노즐(13)로부터 반도체웨이퍼(11) 상에 분출된다.
제어장치(18)는 오존용해수의 분출 중에도 적외선램프(16)가 작동을 계속하게 한다. 즉, 제어장치(18)는, 웨이퍼온도검출센서(17)로부터의 신호에 근거하여, 반도체웨이퍼(11)가 섭씨 100도로 유지되도록 적외선램프(16)로부터의 적외선의 조사량을 제어한다.
전술한 바와 같이, 제1실시예에서의 오존용해수 중의 오존농도는 100ppm으로 설정되어 있다. 이 경우의 포토레지스트의 식각속도는 약 6000Å/분이기 때문에, 막두께가 1㎛인 포토레지스트를 반도체웨이퍼 상에 형성하고 있는 경우, 과도식각(over etching)시간을 고려하여, 오존용해수의 분출시간은 2분30초로 설정한다.
오존용해수에 의한 포토레지스트의 제거처리가 종료된 후, 절환밸브(20)를 절환시켜, 분출노즐(13)로부터 DIW(19)를 반도체웨이퍼(11) 상에 분출하고, 반도체웨이퍼(11)의 린스처리를 1분간 행한다.
다음으로, 제어장치(18)는, 반도체웨이퍼(11)의 린스처리가 종료된 후에, 스테이지(12)를 1000ppm의 회전수로 회전시키는 것에 의해, 반도체웨이퍼(11)의 건조처리를 한다.
반도체웨이퍼(11)의 건조처리가 종료된 시점에, 일련의 포토레지스트제거작업이 종료된다.
더욱이, 이 실시예에서의 오존용해수 중의 오존농도, 오존용해수의 온도, 처리시간, 반도체웨이퍼가열온도는 상술한 값들로 한정되는 것이 아니라, 이 실시예에 따른 포토레지스트의 제거장치를 사용하는 반도체장치제조라인의 반도체장치제조능력에 맞추어 결정하는 것이 바람직하다.
이 실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 의하면, 오존용해수는 반도체웨이퍼(11) 상에 분출되기 직전까지 저온으로 유지해 둘 수 있다. 즉, 오존용해수를 분출 직전까지 약 100ppm의 고농도로 유지해 둘 수 있다. 이 고농도의 오존용해수를 반도체웨이퍼(11) 상에 분출하면, 반도체웨이퍼(11)는 소정의 온도까지 미리 온도가 올라가 있기 때문에, 오존용해수의 온도가 순식간에 상승한다. 이러한 액체온도 상승에 수반하여, 반도체웨이퍼(11)의 표면에서는 오존분해반응이 일어난다. 이 오존 분해에 의해, 오존과 포토레지스트 사이의 화학반응이 촉진된다. 이 때문에, 포토레지스트의 식각속도가 빨라지고, 나아가서는, 포토레지스트의 제거에 필요한 시간을 단축할 수가 있다.
도 2는 종래의 포토레지스트제거장치, 즉, 반도체웨이퍼를 가열하지 않고 오존수에 의해 포토레지스트제거처리를 행하는 장치와, 상술한 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 의한 포토레지스트의 식각속도를 보인 그래프이다.
오존용해수 중의 오존농도가 100ppm일 때의 식각속도를 비교하면, 종래의 포토레지스트제거장치에서는 약 3000Å/분의 식각속도임에 반해, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치에서는 약 6000Å/분으로 되어 있다. 즉, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치는 종래의 포토레지스트제거장치의 2배의 식각속도를 달성하고 있다. 다시 말하면, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 의하면, 종래의 포토레지스트제거장치의 1/2의 시간으로 처리를 종료시키는 것이 가능하게 된다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치의 구성을 나타내는 개략도이다. 이 포토레지스트제거장치는, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치와 마찬가지로, 반도체웨이퍼를 1장씩 처리한다, 이른바 장양식의 습식처리방식이다.
이 실시예에 따른 포토레지스트제거장치에서는, 반도체웨이퍼가열기로서, 제1실시예의 적외선램프(16) 대신에, 스테이지(12)에 내장되어 있는 가열히터(21)를 구비하고 있다. 이 가열히터(21)는 반도체웨이퍼(11)를 섭씨 100도 이상의 온도까지 온도를 올리는 것이 가능하다.
제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치는, 적외선램프(16) 대신에 가열히터(21)를 구비하고 있는 점 이외에는, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치와 동일한 구성을 갖는다.
제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치의 동작은 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치의 동작과 동일하고, 또, 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 의해서도 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 의해 얻을 수 있는 효과와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
게다가, 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 의하면, 아래와 같이, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치 보다 더 큰 포토레지스트의 식각속도를 얻을 수 있다.
제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치에서는, 반도체웨이퍼(11)의 상부에 설치된 적외선램프(16)에 의해 간접적으로 반도체웨이퍼(11)의 온도를 올리기 때문에, 상온의 오존용해수의 분출에 따라 반도체웨이퍼(11)의 온도를 내린 후, 재차 반도체웨이퍼(11)의 온도를 올리는데 시간을 요한다. 이에 반하여, 제2실시예에서는, 스테이지(2)에 내장된 가열히터(21)에 의해 직접적으로 반도체웨이퍼(11)의 온도를 올리기 때문에, 오존용해수의 분출에 의한 반도체웨이퍼의 온도가 내려감을 최소한으로 억제하고, 또, 재차 반도체웨이퍼(11)의 온도를 섭씨 100도까지 단시간에 올리는 것이 가능하게 된다.
도 4는 종래의 포토레지스트제거장치, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치 및 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치에서의 오존용해수에 의한 포토레지스트의 식각속도를 나타낸 그래프이다.
예를 들어, 오존용해수의 오존농도가 100ppm인 경우, 종래의 포토레지스트제거장치에서의 포토레지스트의 식각속도는 약 3000Å/분, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치에서의 포토레지스트의 식각속도는 약 6000Å/분, 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치에서의 포토레지스트의 식각속도는 약 9000Å/분이다. 즉, 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치에 의하면, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치에서의 포토레지스트의 식각속도의 1.5배의 식각속도를 얻을 수 있다.
따라서, 예를 들면, 두께 1㎛의 포토레지스트를 오존농도 100ppm의 오존용해수를 사용하여 제거하는 경우, 제1실시예에 따른 포토레지스트제거장치로는 약 1분40초의 시간을 필요로 하는 데 반하여, 제2실시예에 따른 포토레지스트제거장치에서는 약 1분10초의 시간으로 포토레지스트 제거작업을 종료시킬 수 있다. 즉, 약 30초의 시간단축을 꾀할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거장치 및 제거방법에 의하면, 오존용해수는, 반도체웨이퍼 상에 분출되기 직전까지, 저온으로 유지되게 할 수 있다. 즉, 오존용해수를 분출 직전까지 고농도로 유지해 둘 수 있다. 이 고농도의 오존용해수를 반도체웨이퍼 상에 분출하면, 반도체웨이퍼는 소정의 온도까지 온도가 미리 올라가 있기 때문에, 오존용해수의 온도가 순식간에 상승하여 오존의 분해반응이 일어난다. 이 오존 분해에 의해, 오존과 포토레지스트 사이의 화학반응이 촉진된다. 이 때문에, 포토레지스트의 식각속도가 빠르게 되어, 포토레지스트의 제거에 필요한 시간을 단축할 수가 있다.

Claims (12)

  1. 오존용해수를 사용하여 반도체웨이퍼 상의 포토레지스터를 제거하는 방법에 있어서,
    상기 반도체웨이퍼를 온도를 올리는 제1단계; 및
    상기 반도체웨이퍼가 소정의 온도에 이르렀을 때 오존용해수를 상기 반도체웨이퍼 상에 분출하는 제2단계를 포함하는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스터 제거방법.
  2. 오존용해수를 사용하여 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트를 제거하는 방법에 있어서,
    상기 반도체웨이퍼를 온도를 올리는 제1단계;
    상기 반도체웨이퍼가 소정의 온도에 이르렀을 때 오존용해수를 상기 반도체웨이퍼 상에 분출하는 제2단계;
    상기 반도체웨이퍼의 린스처리를 행하는 제3단계; 및
    상기 반도체웨이퍼를 건조시키는 제4단계를 포함하는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2단계에서는, 상기 반도체웨이퍼를 그 중심 주위로 회전시켜, 회전하고 있는 상기 반도체웨이퍼에 상기 오존용해수를 분출하는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2단계에서는, 상기 오존용해수를 상기 반도체웨이퍼 상에 분출하고 있는 동안에도 상기 반도체웨이퍼를 계속 가열하는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소정의 온도는 섭씨 100도 이상의 온도인 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거방법.
  6. 반도체웨이퍼를 가열하는 반도체웨이퍼가열기;
    오존용해수를 공급하는 오존용해수공급원; 및
    상기 오존용해수공급원에서 공급되는 상기 오존용해수를 상기 반도체웨이퍼 상에 분출하는 분출수단을 포함하는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트제거장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반도체웨이퍼의 온도를 검출하는 웨이퍼온도검출센서; 및
    상기 웨이퍼온도검출센서가 검출한 상기 반도체웨이퍼의 온도에 따라 상기 반도체웨이퍼가열기를 제어하는 제어장치를 더 포함하는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 반도체웨이퍼가열기는, 상기 반도체웨이퍼에 적외선을 조사하는 적외선램프인 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거장치.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 반도체웨이퍼를 싣는 스테이지를 더 포함하고,
    상기 반도체웨이퍼가열기는 상기 스테이지의 내부에 조립해 넣어져 있는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거장치.
  10. 제3항에 있어서, 상기 제2단계에서는, 상기 오존용해수를 상기 반도체웨이퍼 상에 분출하고 있는 동안에도 상기 반도체웨이퍼를 계속 가열하는 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거방법.
  11. 제3항에 있어서, 상기 소정의 온도는 섭씨 100도 이상의 온도인 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거방법.
  12. 제4항에 있어서, 상기 소정의 온도는 섭씨 100도 이상의 온도인 반도체웨이퍼 상의 포토레지스트 제거방법.
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