TWI381994B - 多孔狀硫化銅奈微米空心球體及其製備方法 - Google Patents

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Description

多孔狀硫化銅奈微米空心球體及其製備方法
本發明係關於一種多孔狀硫化銅奈微米空心球體及其製備方法,尤指一種適用於增加比表面積之多孔狀硫化銅奈微米空心球體及其製備方法。
硫化銅係一種具有前瞻性的光電材料,其於太陽能電池、電化學電池、紅外光探測器、催化劑等方面具有相當廣闊的應用前景。基於硫化銅材料之廣泛應用,許多研究人員已對此展開深入的研究。室溫條件下,硫化銅Cux S存在五種相態,x為1(銅藍,covellite)、1.75(斜方藍銅輝礦,anilite)、1.8(藍輝銅礦,digenite)、1.95(久輝銅礦,djurleite)、2(輝銅礦,chalcosite)。此外,隨著奈微米科技之發展與廣泛應用,製備具有奈微米結構之硫化銅亦逐步引起研究人員之重視。
材料之微結構尺寸及形貌將影響材料之光學特性、電性及催化特性,因此,硫化銅微結構尺寸與形貌之調控技術儼然成為該領域研究人員之重要目標。就目前研究狀況而言,製得之硫化銅微結構形貌多為實心球體、中空球體、薄膜狀、長柱狀或不規則狀。雖然上述微結構形貌具有各自的優勢之處,但其特性表現仍存有改善之空間。
有鑑於此,本發明提供一種新穎之硫化銅奈微米結構,俾以增加硫化銅材料之反應面積,提昇其應用效能。尤其,應用於太陽能電池中,新穎之硫化銅奈微米結構可可提高光電效應,提昇太陽能電池之發展潛力。
本發明之主要目的係在提供一種多孔狀硫化銅奈微米空心球體及其製備方法,其具有複數個穿孔,且為空心結構,俾能增加比表面積,尤其應用於太陽能電池中,可提高光電效應。
為達成上述目的,本發明提供一種多孔狀硫化銅Cux S奈微米空心球體,其直徑約為300nm-700nm,且具有複數個穿孔,其中x為1至2。據此,多孔狀空心球體之結構可增加反應面積,應用於太陽能電池、半導體、催化劑等時,可提昇其應用效能。例如,應用於太陽能電池中,多孔狀空心球體之結構可提高光電效應。
藉由適當之反應條件控制,多孔狀硫化銅奈微米空心球體之穿孔截面可略似多邊形(如五邊形、六邊形),穿孔間之平均間距可約為5nm至30nm:而平均孔徑可約為80nm至130nm。
此外,本發明亦提供上述多孔狀硫化銅奈微米空心球體之製備方法,包括:混合一銅源溶液及一螯合劑,以獲得一混合溶液;以及依序加入一第一硫系還原劑及一第二硫系還原劑於混合溶液中,並於60℃至100℃下反應5至600秒;其中,第一硫系還原劑之還原力大於第二硫系還原劑之還原力。藉由上述之製備流程,便可製得多孔狀硫化銅奈微米空心球體。此外,為了將所製得之多孔狀硫化銅奈微米空心球體由混合溶液中取出,上述之製備方法更可包括一步驟:於反應結束後,進行過濾、清洗及乾燥步驟。
於本發明之製備方法中,銅源溶液可為銅鹽溶液或亞銅鹽溶液,而螯合劑可為雙牙基螯合劑、三牙基螯合劑、四牙基螯合劑或六牙基螯合劑。較佳為,雙牙基螯合劑為HOOC-(CR1 R2 )n -COOH或R3 R4 N-(CR1 R2 )n -NR3 ’R4 ’;三牙基螯合劑為NR3 R4 -(CR1 R2 )n -NR5 R6 -(CR1 ’R2 ’)m -NR3 ’R4 ’、R3 N((CR1 R2 )n COOH)2 或R3 N((CR1 R2 )n OH)2 ;四牙基螯合劑為N((CR1 R2 )n COOH)3 或N((CR1 R2 )n OH)3 ;六牙基螯合劑為2 (HOOC-(CR3 R4 )n )N-(CR1 R2 )m -N((CR3 ’R4 ’)r COOH)2 ,其中,R1 、R1 ’、R2 、R2 ’、R3 、R3 ’、R4 、R4 ’、R5 及R6 係各自獨立為氫或C1-6 烷基,且m、n及r係各自獨立為1至6之整數。舉例來說,雙牙基螯合劑可為乙基丙二酸、N,N-二甲基乙二胺、1,3-丙二胺或乙二胺;三牙基螯合劑可為二乙醇胺、二乙烯三胺或氨二乙酸;四牙基螯合劑可為三乙醇胺或氨三乙酸;六牙基螯合劑可為乙二胺四乙酸或乙二胺四丙酸。
於本發明之製備方法中,螯合劑較佳為雙牙基螯合劑,更佳為R3 R4 N-(CR1 R2 )n -NR3 ’R4 ’,其中,R1 、R2 、R3 、R3 ’、R4 及R4 ’如上述定義。
於本發明之製備方法中,第一硫系還原劑較佳為亞硫酸氫鈉或硫化鈉,而第二硫系還原劑較佳為硫化鈉或硫代硫酸鈉。
於本發明之製備方法中,銅源溶液之濃度較佳為0.05M至1.00M;螯合劑之反應濃度較佳為0.05M至1.00M;第一硫系還原劑之反應濃度較佳為0.05M至1.00M;第二硫系還原劑之反應濃度較佳為0.05M至1.00M。
綜上所述,本發明所提供之多孔狀硫化銅奈微米空心球體可增加反應面積,應用於太陽能電池、半導體、催化劑等時,可提昇其應用效能。尤其,應用於太陽能電池中,多孔狀空心球體之結構可提高光電效應。此外,多孔狀空心球體之結構亦可降低單位面積之重量,應用於產品中,俾能達到質輕設計之需求。
實施例1
調配0.05M之硫酸銅(CuSO4 .5H2 O)溶液,並加熱至65℃。接著,於相同溫度下,將乙二胺加至硫酸銅溶液中攪拌,以形成一混合溶液。在此,乙二胺於混合溶液中之濃度為0.05M。隨之,依序加入亞硫酸氫鈉及硫化鈉,並於65℃下,反應約5秒。在此,亞硫酸氫鈉及硫化鈉之反應濃度皆為0.05M。於反應結束後,進行過濾,並以去離子水清洗,最後乾燥便可獲得粉末狀之產物。
實施例2
調配0.5M之硫酸銅(CuSO4 .5H2 O)溶液,並加熱至75℃。接著,於相同溫度下,將乙二胺加至硫酸銅溶液中攪拌,以形成一混合溶液。在此,乙二胺於混合溶液中之濃度為0.5M。隨之,依序加入亞硫酸氫鈉及硫代硫酸鈉,並於75℃下,反應約3分鐘。在此,亞硫酸氫鈉及硫代硫酸鈉之反應濃度皆為0.5M。於反應結束後,進行過濾,並以去離子水清洗,最後乾燥便可獲得粉末狀之產物。
實施例3
調配1.0M之氯化亞銅(CuSO4 .5H2 O)溶液,並加熱至95℃。接著,於相同溫度下,將乙二胺加至氯化亞銅溶液中攪拌,以形成一混合溶液。在此,乙二胺於混合溶液中之濃度為1.0M。隨之,依序加入硫化鈉及硫代硫酸鈉,並於95℃下,反應約10分鐘。在此,硫化鈉及硫代硫酸鈉之反應濃度皆為1.0M。於反應結束後,進行過濾,並以去離子水清洗,最後乾燥便可獲得粉末狀之產物。
本發明係以掃描式電子顯微鏡(SEM)測定上述製程所製得之產物微觀結構,其結果如圖1及圖2所示。由圖1及圖2可觀察到,上述之製備流程可製得多孔狀硫化銅Cux S(x為1至2)奈微米空心球體,其直徑約為300nm-700nm,且具有類似於多邊形之穿孔截面,而穿孔間之平均間距約為5nm至30nm,且平均孔徑約為80nm至130nm。
據此,本發明所提供之多孔狀硫化銅奈微米空心球體可應用於太陽能電池、半導體、催化劑,俾能提昇其應用效能。尤其,應用於太陽能電池中,多孔狀空心球體之結構可提高光電效應。此外,多孔狀空心球體之結構亦可降低單位面積之重量,應用於產品中,俾能達到質輕設計之需求。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
圖1係本發明所製得之單一多孔狀硫化銅奈微米空心球體之掃描電子顯微照片,標尺為500奈米。
圖2係本發明所製得之多個多孔狀硫化銅奈微米空心球體之掃描電子顯微照片。

Claims (15)

  1. 一種多孔狀硫化銅Cux S奈微米空心球體,其直徑為300nm-700nm,且具有複數個穿孔,其中x為1至2,且該些穿孔之截面為五邊形與六邊形,而該些穿孔間之平均間距為5nm至30nm,且平均孔徑為80nm至130nm。
  2. 一種多孔狀硫化銅Cux S奈微米空心球體之製備方法,包括:混合一銅源溶液及一螯合劑,以獲得一混合溶液,其中該螯合劑為雙牙基螯合劑、三牙基螯合劑、四牙基螯合劑或六牙基螯合劑,而該雙牙基螯合劑為HOOC-(CR1 R2 )n -COOH或R3 R4 N-(CR1 R2 )n -NR3 ’R4 ’,該三牙基螯合劑為NR3 R4 -(CR1 R2 )n -NR5 R6 -(CR1 ’R2 ’)m -NR3 ’R4 ’、R3 N((CR1 R2 )n COOH)2 或R3 N((CR1 R2 )n OH)2 ,該四牙基螯合劑為N((CR1 R2 )n COOH)3 或N((CR1 R2 )n OH)3 ,該六牙基螯合劑為2 (HOOC-(CR3 R4 )n )N-(CR1 R2 )m -N((CR3 ’R4 ’)r COOH)2 ,R1 、R1 ’、R2 、R2 ’、R3 、R3 ’、R4 、R4 ’、R5 及R6 係各自獨立為氫或C1-6 烷基,且m、n及r係各自獨立為1至6之整數;以及依序加入一第一硫系還原劑及一第二硫系還原劑於該混合溶液中,並於60℃至100℃下反應5至600秒;其中,x為1至2;且該第一硫系還原劑之還原力大於該第二硫系還原劑之還原力,該第一硫系還原劑為亞硫酸氫鈉或硫化鈉,而該第二硫系還原劑為硫化鈉或硫代硫酸鈉。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,更包括:於反應結束後,進行過濾、清洗及乾燥步驟。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該銅源溶液為銅鹽溶液或亞銅鹽溶液。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該雙牙基螯合劑為乙基丙二酸、N,N-二甲基乙二胺、1,3-丙二胺或乙二胺。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該三牙基螯合劑為二乙醇胺、二乙烯三胺或氨二乙酸。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該四牙基螯合劑為三乙醇胺或氨三乙酸。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該六牙基螯合劑為乙二胺四乙酸或乙二胺四丙酸。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該螯合劑為雙牙基螯合劑。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該螯合劑為R3 R4 N-(CR1 R2 )n -NR3 ’R4 ’;R1 、R2 、R3 、R3 ’、R4 及R4 ’係各自獨立為氫或C1-6 烷基;且n為1至6之整數。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該銅源溶液之濃度為0.05M至1.00M。
  12. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該螯合劑之反應濃度為0.05M至1.00M。
  13. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該第一硫系還原劑之反應濃度為0.05M至1.00M。
  14. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該第二硫系還原劑之反應濃度為0.05M至1.00M。
  15. 如申請專利範圍第2項所述之製備方法,其中,該多孔狀硫化銅Cux S奈微米空心球體之直徑為300nm-700nm,且具有複數個穿孔,而該些穿孔間之平均間距為5nm至30nm,且平均孔徑為80nm至130nm。
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US12/314,101 US20090239073A1 (en) 2008-03-21 2008-12-04 Porous copper sulfide nano/micro hollow sphere and method for preparing the same
US13/287,326 US8142755B2 (en) 2008-03-21 2011-11-02 Porous copper sulfide nano/micro hollow sphere and method for preparing the same

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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9095898B2 (en) 2008-09-15 2015-08-04 Lockheed Martin Corporation Stabilized metal nanoparticles and methods for production thereof
US8486305B2 (en) * 2009-11-30 2013-07-16 Lockheed Martin Corporation Nanoparticle composition and methods of making the same
US9072185B2 (en) 2009-07-30 2015-06-30 Lockheed Martin Corporation Copper nanoparticle application processes for low temperature printable, flexible/conformal electronics and antennas
US9011570B2 (en) 2009-07-30 2015-04-21 Lockheed Martin Corporation Articles containing copper nanoparticles and methods for production and use thereof
US10544483B2 (en) 2010-03-04 2020-01-28 Lockheed Martin Corporation Scalable processes for forming tin nanoparticles, compositions containing tin nanoparticles, and applications utilizing same
US8834747B2 (en) * 2010-03-04 2014-09-16 Lockheed Martin Corporation Compositions containing tin nanoparticles and methods for use thereof
CN102320647A (zh) * 2011-08-17 2012-01-18 北京科技大学 一种不同化学计量比的硫化铜纳米粉体的制备方法
US8673260B2 (en) * 2012-01-04 2014-03-18 Franklin And Marshall College Development of earth-abundant mixed-metal sulfide nanoparticles for use in solar energy conversion
EP2812923B1 (en) 2012-02-10 2019-11-27 Lockheed Martin Corporation Photovoltaic cells having electrical contacts formed from metal nanoparticles and methods for production thereof
US9005483B2 (en) 2012-02-10 2015-04-14 Lockheed Martin Corporation Nanoparticle paste formulations and methods for production and use thereof
CN102774871B (zh) * 2012-07-19 2014-10-29 北京理工大学 一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用
CN105414554A (zh) * 2015-11-06 2016-03-23 浙江工业大学 一种铁-硫化亚铁复合体的制备方法
CN105366705B (zh) * 2015-12-15 2016-11-30 首都师范大学 一种中空的硫化物纳米材料的制备方法
CN105668607B (zh) * 2016-01-11 2018-02-06 天津师范大学 一种纳米片状硫化铜材料的制备方法
CN105902517A (zh) * 2016-05-31 2016-08-31 华南理工大学 一种硫化铜纳米囊颗粒的制备方法和应用
CN107673396B (zh) * 2017-11-19 2019-02-26 江西理工大学 一种高纯硫化亚铜的制备方法
CN108585024B (zh) * 2018-05-29 2020-08-07 哈尔滨工业大学 一种CuS空心纳米材料的合成方法
US11312638B2 (en) * 2019-03-14 2022-04-26 Kolon Glotech, Inc. Method for synthesizing copper sulfide nano powder using plasma synthesis
CN110156066A (zh) * 2019-05-06 2019-08-23 上海应用技术大学 一种应用于肿瘤光热治疗的纳米硫化铜的制备方法
CN110482591A (zh) * 2019-08-06 2019-11-22 河南师范大学 一种球形纳米硫化铜的合成方法及其在制备光热抗癌药物中的应用
CN111021049B (zh) * 2019-11-21 2022-04-01 上海工程技术大学 一种无氟超疏水光催化防紫外线纺织品的制备方法
CN111940756B (zh) * 2020-07-30 2023-01-31 季华实验室 基于水相合成的合金半导体复合纳米材料制备方法及合金半导体复合纳米材料
CN112366311B (zh) * 2020-09-29 2021-10-08 杭州职业技术学院 碳组装硫化铜空心纳米立方体蜂窝材料及其制备和应用
CN113809240A (zh) * 2021-09-08 2021-12-17 中山大学 一种钝化钙钛矿薄膜层的方法及其在太阳能电池中的应用
CN113716598A (zh) * 2021-09-18 2021-11-30 武汉大学 硫化铜微球的可控制备方法及应用
CN113860355B (zh) * 2021-10-28 2023-04-25 武汉大学 一种串珠状硫化铜颗粒的制备方法及其应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1757602A (zh) * 2005-11-22 2006-04-12 北京理工大学 一种具有光限幅性能硫化铜纳米空心球的制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2496072C (en) * 2004-02-18 2007-08-07 Kuraray Co., Ltd. Conductive polyvinyl alcohol fiber
US9496442B2 (en) * 2009-01-22 2016-11-15 Omnipv Solar modules including spectral concentrators and related manufacturing methods

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1757602A (zh) * 2005-11-22 2006-04-12 北京理工大学 一种具有光限幅性能硫化铜纳米空心球的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Adv. Mater. 2006, 18, P1174-1177;「Well-Defined Non-spherical Copper Sulfide Mesocages with Single-Crystalline Shells by Shape-Controlled Cu2O Crystal Templating」 *

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