TWI381663B - 在可連接終端機及周邊裝置電路之間提供介面所用之控制電路 - Google Patents
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Description
本發明係關於在可連接終端機及周邊裝置電路之間提供介面所用之控制電路。
許多周邊配件與裝置,例如行動電話收話器等,可以被連接到電子裝置上。該周邊裝置所共同連接之處統稱一終端機(terminal)。耳機即是這類型的周邊的一個例子。終端機與周邊裝置的介面可使用線路或者無線方式來連結。在單線連結之情況下,線路必須能夠轉移聲音以及資料訊號,同時,終端機必須供應周邊裝置之電力。
圖一代表能夠被連結到行動電話收話器的耳機10,其包含了左揚聲器11,以及右揚聲器12與插頭13。圖二則顯示了上圖一中插頭13更詳細的構造。插頭13的本體包含了套筒21、套環22以及終端尖頭23,三者各自以插座連結。這些插頭的接觸單元時常被連結至電極。在此例中,尖頭23被連結到左揚聲器11,套環則用以連結至右揚聲器12,套筒21則是接地裝置。
標準聲音/影像(A/V)插頭與插座通常被應用在消費性影音與通訊產品上。聲音/影像(A/V)插頭是大眾所熟悉的,通常此類裝置包含了一系列獨立的圓筒型電子區段,尾部帶有尖端。
圖三表示一耳機30。在此項裝置中,除了左(11)右(12)揚聲器之外,還附帶一麥克風31。因此,此項裝置之連接部分包含了四個連接項目:一套筒、二套環以及一終端尖頭。額外的套環被用以連結麥克風。雖然,只帶有三項接觸點的插頭在這裡也可使用,但是相同的訊號只會被傳遞到左右揚聲器。
現存亦有更加先進的耳機-終端機(headset-terminal)構造,使得控制訊號得以在兩者之間傳遞。
舉例而言,控制訊號包含了音量調整訊號、接聽通話或切斷通話之訊號,或者是音樂播放器之控制訊號。
圖4係一先進耳機-終端機結構之區塊圖。該系統包含了一終端機401、一附件402以及一單線匯流排403。本文所指之匯流排係用以連接終端401與附件402之特殊應用積體電路(ASIC)413。包含在前導影像解決方案中的這套系統主要在透過電阻411(通常為2.2K歐姆)提供終端401大約2到2.5伏特之偏壓到該單線匯流排。而在附件402這端,諸如麥克風412(如一電容麥克風)等裝置得以被連結至匯流排403。電阻(Rb i a s
411)將模組化的麥克風電流轉換為交流電壓並在終端器401作用階段增強該電壓。在附件402端,一微控制裝置419(MicCtrl 419)被用以控制麥克風412的操作。
為了周邊裝置之控制以及傳送使用者互動訊息到終端器401,低電壓特殊應用積體電路ASIC 413亦被連結到匯流排403。其亦在終端器401與附件402使用電阻(Rb i a s
411)當作開放型輸出訊號之作用電阻。開放型輸出訊號意指特殊應用積體電路之FET單元發出低(0位元)或者一個外部電阻發出高(1位元)之訊息。資料通訊埠414則扮演了附件402輸入/輸出(I/O)之功能。
特殊應用積體電路413同時也必須從匯流排403接受電力供應。當我們將特殊應用積體電路413的VD D
415連接到匯流排403。其供應電容416遂在影音訊號短路,因為其具備相當大的電容並且對音源頻率具備較低的阻抗。因此電阻器Rs e r i a l
417需要降低終端機401從VD D
415吸收之電波強度。Rs e r i a l
417的值不能太高因為這樣會導致太低的VD D
415供電。目前技術需要VD D
至少在1到1.5伏特之間。當數位訊號出現於匯流排,邏輯常數0代表節點420到GND中間的電流伏特數需要降到0左右。在此情況下(0),如果缺乏二極體418的檢波整流作用,則電容416將會很快因電阻Rs e r i a l
417之干擾而很快地失去供電。為避免上述情形,二極體418被安排在VD D
415與Rs e r i a l
417兩者之間以避免特殊應用積體電路413之電容416產生電流回流狀況。雖然Rs e r i a l
417與二極體418兩者的位置在學理上可以互相調換但是這將會使得兩者之間的整合更加困難。
可惜的是,二極體418的非線性特性對於匯流排403上的音源訊號具有整流的影響。如果Rs e r i a l
在一個合理數值之狀況下(800至2K歐姆)將會導致一個無法接受的訊號失真。
二極體418時常改變的阻抗也是一個問題。二極體418的阻抗跟合理的電阻器類似(約在500歐姆之範圍間),隨著特殊應用積體電路413的供電改變,而此項數值又隨著溫度以及操作活動而改變。不同的兩具二極體418之間也會有所差異。二極體418與電阻器417形成一個阻抗,並與Rb i a s
411平行。麥克風412的交流電在終端401處被轉換成伏特數,該轉換機制係根據本段上述所提及之變數來計算。這也很可能讓音量控制產生問題。
根據本發明的第一面向,一種在可連接終端機及周邊裝置電路之間提供介面所用之控制電路,其中該周邊裝置電路包含:一匯流排線用以於周邊裝置電路與終端機裝置電路之間轉移資料及電力;一充電儲存裝置被安排來從終端機裝置電路經由匯流排線來接收電力及供應電力至控制電路;其中該控制電路連結充電儲存裝置與匯流排線,當自終端機裝置電路傳送過來第一資料值(高伏特值),便儲存電力至充電儲存裝置;當自終端機裝置電路傳送過來第二資料值(低伏特值),將充電儲存裝置與匯流排線斷路,以避免充電儲存裝置透過匯流排放電。
利用這個方法,我們可以同時經由該介面傳送資料(包含音源訊號)與電力,同時周邊裝置之音效表現亦獲得提升。控制電路具有低成本與體積小兩樣特性。因此以價格與體積兩方面來說,該控制電路可以與二極體相比較。同時從我們之前提到的問題來看,本發明提出的控制電路也比較容易被整合至特殊應用積體電路(ASIC)上。
該控制電路係當周邊裝置電路傳送來資料值(低伏特值)時可中斷從匯流排線到充電儲存裝置。
該控制電路可包含一開關,其係用以連結或中斷充電儲存裝置與匯流排線。
該開關係一具p通道加強模式之金屬氧化半導體效用電晶體。
根據本發明的第二面向,在於其提供了一特殊應用積體電路包含本發明第一面向之控制電路。
根據本發明的第三面向,則是提供一周邊裝置電路包含本發明第一面向之控制電路。
根據本發明的第四面向,則著重在提供一個包含上述終端機電路以及周邊裝置電路之整合性系統。
根據本發明第五面向,一種周邊裝置電路用以提供一在可連接終端機及周邊裝置電路之間介面,其中該周邊裝置電路包含:一匯流排線用以於周邊裝置電路與終端機裝置電路之間轉移資料及電力;一充電儲存裝置被安排來從終端機裝置電路經由匯流排線來接收電力及供應電力至控制電路;其中該控制電路連結充電儲存裝置與匯流排線,當自終端機裝置電路傳送過來第一資料值(高伏特值),便儲存電力至充電儲存裝置;當自終端機裝置電路傳送過來第二資料值(低伏特值),將充電儲存裝置與匯流排線斷路,以避免充電儲存裝置透過匯流排放電。
根據本發明的第六面向,則是提供一周邊裝置,其係包含本發明第一面向之控制電路。
根據本發明的第七面向,則是提供一周邊裝置,其係包含本發明第五面向之控制電路。
根據本發明第八面向,控制一可連接終端機及周邊裝置電路之間介面的構件,其中該周邊裝置電路包含:於周邊裝置電路與終端機裝置電路之間轉移資料及電力之構件;透過轉移資料及電力之構件從終端機裝置電路接收電力之構件,且供應電力至該控制電路;其中該控制構件係連結接收及供應電力之構件至轉移資料及電力之構件來儲存電力,當自終端機裝置電路傳送過來第一資料值(高伏特值);及從轉移資料及電力之構件中斷該接收及供應電力之構件,當自終端機裝置電路傳送過來第二資料值(低伏特值),以避免接收及供應電力之構件透過轉移資料及電力之構件放電。
根據本發明第九面向,一種提供在可連接終端機及周邊裝置電路之間介面的方法,該方法包含:連結充電儲存裝置與匯流排線,當自終端機裝置電路傳送過來第一資料值(高伏特值),便儲存電力至充電儲存裝置;當自終端裝置電路傳送過來第二資料值(低伏特值),將充電儲存裝置與匯流排線斷路,以避免充電儲存裝置透過匯流排放電。
該方法可包含當周邊裝置電路傳送資料值(低伏特值)時,中斷充電儲存裝置與匯流排線。
根據本發明第十面向,一種提供在可連接終端機及周邊裝置電路之間介面的方法,該方法包含:一步驟用以連結充電儲存裝置與匯流排線,當自終端機裝置電路傳送過來第一資料值(高伏特值),便儲存電力至充電儲存裝置,及一步驟用以當自終端裝置電路傳送過來第二資料值(低伏特值),將充電儲存裝置與匯流排線斷路,以避免充電儲存裝置透過匯流排放電。
根據本發明第十一面向,一種電腦可讀取媒體具有電腦可執行元件包含提供在可連接終端機及周邊裝置電路之間介面,包含:一元件用以連結充電儲存裝置與匯流排線,當自終端機裝置電路傳送過來第一資料值(高伏特值),便儲存電力至充電儲存裝置,及一元件用以當自終端裝置電路傳送過來第二資料值(低伏特值),將充電儲存裝置與匯流排線斷路,以避免充電儲存裝置透過匯流排放電。
根據本發明第十二面向,其係在提供一電腦程式,內有電腦程式碼,意在透過電腦處理器之作用,執行本發明第九面向所述之方法。
根據本發明第十三面向,係旨在提供一電腦程式產品,包含儲存於電腦可讀媒體中之程式碼。透過電腦處理器之作用,該程式碼與方法可被採用以執行上述第九面向包含之步驟
任一電路可包含一個或更多的處理器、記憶體以及匯流排線。一個或以上的電路系統可相互共享電路元件。
本專利所提之發明包含一個或更多面向、實施例或功能,或者一切上述元件之多種組合應用(包含後文之專利範圍),即便在文內尚未論及。上文所述亦在提供示範性論述,並不限制所提發明之應用可能性。
除了二極體418被置換為控制開關,同時在附件402側新增一針腳VD D
Ctrl 519用以控制前述開關,圖五、圖六與圖四其實差異無多。相似的數字符號將被用以描述此類圖說。終端器401以及附件402內部特殊應用積體電路413之間,用以連接之介面稱為匯流排,其可以是一條線路或其他連接裝置。
在圖5,圖4中的二極體418被置換成一個類比開關518。該開關518可以被周邊裝置端的VD D
Ctrl519所控制。此控制開關可以被開啟(高阻抗性)或關閉(低阻抗性)。開關518的其中一端(節點520)被連結至電阻器Rs e r i a l
417,另一端(節點521)被連結到周邊裝置側的殊應用積體電路413的VD D
415。被連結至電阻器Rs e r i a l
417的節點520在常態下皆是維持與節點521(被連結到周邊裝置側的殊應用積體電路413的VD D
415)相同的伏特數(除非終端機401或者附件402傳遞低伏特數的0位元訊息)。在本文當中,所有伏特數皆以對地電阻之情況來衡量,除非另有說明。開關518是一個被特殊應用積體電路413所控制之低阻抗切換開關。當匯流排403被電阻器Rs e r i a l
417影響而傳遞高邏輯訊號,開關518應被關閉以供應電力至特殊應用積體電路413。此亦為匯流排403之預設值。
控制開關518大多時間為關閉狀態(低電阻),並且也允許特殊應用積體電路413透過電阻器Rs e r i a l
417接受供電。因為開關518所帶之電阻總保持在一個相當小的伏特數,圖4中因為電阻器Rs e r i a l
417影響而造成二極體418之前送電力下降0.2至0.5伏特是無可避免的。因此,電阻器Rs e r i a l
417的電阻值在本發明中可以較先前技術來得高。電阻器Rs e r i a l
417現在可以在2K至4K歐姆之範圍內(在先前技術下,電阻器Rs e r i a l
417無法超過1K)。這意味著電阻器Rs e r i a l
417可以輕鬆駕馭開關518之電阻,以及任何來自開關518的非線性的電阻。麥克風電流藉由電阻器Rs e r i a l
417以及其平行電阻被轉換成交流電。也因為電阻Rs e r i a l
417現具較高值,大多可用的交流電壓可為終端機401輸入之用。電阻器Rs e r i a l
417對於開關518電阻之支配力也降低了終端機401處任何交流電輸入溫差而造成的問題。
特殊應用積體電路413提供切換開關518控制使之總是維持在開啟(高電阻率)狀態,當終端機401藉由匯流排403發出邏輯低訊號(0位元),或附件402因為電阻器Rs e r i a l
417傳送邏輯低訊號而使得供電電容416停止放電。當電流可能朝向終端機401回流時,特殊應用積體電路413之供電電容416可以停止供電。特殊應用積體電路413自己會知道向匯流排要求一個低邏輯訊號,因為匯流排會向終端機401發出訊號。更進一步說,它能透過雙向資料埠針腳414觀察匯流排403,並且也能在終端機401發出邏輯低訊號給附件402之時,利用針腳VD D
Ctrl519來開啟切換開關518。在任何時刻邏輯一訊號被匯流排403發出時,開關518應該快速關閉以允許供電電容之充電。
在圖6,一個p通道加強模式之金屬氧化半導體效用電晶體(P-MOSFET)619可作為開關。如圖6所示,電晶體619之閘極被連結至VD D
Ctrl519,源頭則被連接至特殊應用積體電路413的VD D
415,汲極則是連結至電阻器Rs e r i a l
417。電晶體619現則可為VD D
Ctrl519所控制,使之作用如其茲料表所示(閘極至源頭之伏特數為負可使電晶體從汲極傳導至源極)。
VD D
Ctrl519的高電壓將導致閘極至源極之電流趨近於0伏特,這使得電晶體619在汲極至源極間具有相當高的阻抗(開關開啟)。在VD D
Ctrl519發出之邏輯低訊號(趨近GND)將大約VD D
之電流以一個負值的閘極伏特應用至閘極-源極處。屆時,供電伏特數VD D
以及Vg s
之絕對值將大於1V,即便對低耗電特殊應用積體電路來說這也已經是維持操作的最低數值。
電晶體619具有一個低門檻電壓介於0.4到0.8伏特之間,並且具有低開啟電阻。當閘極電壓負值更高於該門檻值時,汲極到源極之通道將在非常小的歐姆值範圍內變得非常具阻抗性(開關關閉,電晶體具傳導力)。
正常情況下,P-MOSFET電晶體會被應用至其他方面,汲極電壓對源極(Vds)而言呈負值。同時如果閘極控制了MOSFET呈可傳導狀態,則電流會從源極流至汲極。然而,通常汲極對源極電壓為正,因為這通常並未於P-MOSFET之資料表中被指明。
Vds通常只有在匯流排403發出邏輯低訊號時方會發生。如果P-MOSFET619仍被控制為低阻抗狀態,則其將容許源極至汲極之電流並關閉供電電容416。然而,當邏輯低訊號被傳送,MOSFET619需要被ASIC413控制呈高阻抗狀態。
圖7說明電晶體製造商通常所用之p通道MOSFET之輸出特性。在水平軸汲極至源極電壓為負值(Vds)。垂直軸汲極電流值則亦為負(ID
)。圖中每條曲線代表了在不同負Vgs值水準下之輸出特性。圖7只顯示圖形之第一象限(其他三個無法於此圖看見)。
圖8呈現了-ID
對比-Vd s
所有的四象限。電晶體619常態性操作於此-ID
對比-Vds對比圖之左下角(第三象限),非常靠近於起始的正ID
與Vd s
值(未畫於圖7中)。當特殊應用積體電路413控制閘極使開關關閉時,Vgs值將大約為-1.8V。
當Vgs值等於-2V從圖8可看出Vgs=-2V的曲線幾乎呈現為靠近起始點的直線。這是為何相較於圖4之二極體解決方案,此電晶體開關解決方案能夠將聲訊失真控制在非常低範圍之原因。
電晶體619只在當開關為開啟的短時間內操作於圖8右上方(第一象限),因為匯流排送出一個邏輯低訊號。以下為範例值:匯流排電壓約等於0V、VDD約等於1.8V、Vd
s約等於-1.8V、Vgs約等於0V、ID
約等於1nA。於圖8中這樣的操作點是在Vds軸於1.8V之水準時。
p通道MOSFET電晶體具有一個附屬二極體620,如圖6中所示。根據FET資料表,在一般FET應用裡,其會反轉偏差值並停止傳導。然而附屬二極體620會在初始階段(當VD D
415趨近於0V)協助周邊裝置402。沒有這項裝置,特殊應用積體電路413將無法對閘極供電以使得電晶體619得以傳導。結果是,VD D
415值將會停止上升,同時汲極與源極間的電流將會停止-形成電流死結。而附屬二極體卻能夠傳導並供應電流給供電電容416以及周邊裝置413的VD D
415。只要VD D
415的值高於電晶體619之門檻值電流將無法流經附屬二極體,但此時電晶體619揪可開始傳導並且處於低阻抗之歐姆值狀態。而附屬二極體620則不復可見於聲訊之中,因為它被傳導作用中的電機體短路。
相對於使用p通道MOSFET,一個雙極電晶體亦能夠被應用。然而,雙極電晶體並未提供附屬二極體,因此額外的元件可被用於取代附屬二極體620。
切換開關518,619可以被連結至匯流排403。
切換開關518,619可以被實體安排於附件402。
此系統至少包含切換開關518,619,附件402,匯流排403以及終端機401。
圖9係一流程圖,說明提供可連結式終端與周邊裝置電路間介面之方法。該方法起始於900並包含(902)連接一個充電儲存裝置到匯流排線以接收電力,用以回應終端機裝置電路所傳送的第一資料值(高伏特值),並且(904)在接受到終端機裝置電路傳送第二資料值(低伏特值)時,將充電儲存裝置與匯流排線斷路,以避免充電儲存裝置透過匯流排放電。此方法終止於906。
上述電路設計可能具備其他功能。除了上述功能外,其他額外的功能可能可以為上述電路設計所執行。
本申請案在此揭露每一個獨立的功能。任兩個獨立功能的組合,只要在目前一般個人技能與常識可應用之規格下的可執行應用範圍內所能夠解決的一切問題,並不限於目前申請案所提及之專利宣告範疇。申請人宣告此專利按之應用可能可以包含本案任何單獨提出的設計或功能特性。基於前述,任何以個人技能能力對該案之修正皆應適用於本案之發明範疇內。
本案已經提出並說明此發明之重大創新特性以及偏好應用方法,但在不嚴重違反本發明之精神前提下,專業人士對於該裝置與方法細微之修改、元件重置等變更皆可能發生與理解。舉例而言,任何重組本案所提之元件與方法來達成相似目標功能之案例,皆應在本發明之保護範圍內。更有甚者,本案所說明或演示之結構、元件、方法步驟,以及任何經揭露之發明型式或組成,應可被列為其他一般形式發明所包含之設計選擇。上述意圖應只在本案所提允許應用範疇內發生。
在專利範圍內一切方法-功能組合條款應涵蓋目前為止所陳述之一切結構應用,而不只是結構等量物,而應視為等量結構。舉例而言,即使釘子(具有圓桶型表面連結木材)與螺絲起子(具有螺旋狀表面用以拴牢木材)並非結構等量,兩者應視為等量結構。
401...終端機
402...附件
403...匯流排
413...特殊應用積體電路
417...電阻器Rs e r i a l
416...供電電容
418...二極體
518...開關
619...電晶體
圖一係一耳機圖二係一聲音影像(A/V)插頭圖三係一耳機圖四係一先進耳機-終端機結構之區塊圖圖五係提供一個關於本發明所提出的耳機-終端機之結構概圖圖六係提供一個關於本發明所提出的耳機-終端機之結構概圖圖七係代表p-通道電晶體之輸出特性圖八為p-通道電晶體之輸出特性,呈現出Id
對比Vd s
圖要之四個象限圖九係一流程圖,說明提供可連結式終端與周邊裝置電路間介面之方法
Claims (17)
- 一種周邊裝置之特定應用積體電路,其係組配成可操作來:連結一周邊裝置電路之一匯流排線及該周邊裝置電路之一電荷儲存裝置,以響應於一可連結終端裝置電路傳送以一較高電壓位準表示之一第一資料值,而允許該電荷儲存裝置接收電力用以儲存;該匯流排線係被安排可於該周邊裝置電路與該可連結終端裝置電路之間轉移資料及電力;該電荷儲存裝置係被安排可從終端裝置電路經由該匯流排線接收電力及供應電力至該特定應用積體電路;以及響應於該終端裝置電路傳送以一較低電壓值表示之一第二資料值,將該電荷儲存裝置與該匯流排線斷路,以避免該電荷儲存裝置透過匯流排線放電。
- 如申請專利範圍第1項之特定應用積體電路,係組配成可操作來響應於該周邊裝置電路傳送以該較低電壓位準表示之資料值而中斷該匯流排線和該電荷儲存裝置。
- 如申請專利範圍第1或2項之特定應用積體電路,包含一開關,其係用以連結或中斷該電荷儲存裝置與該匯流排線。
- 如申請專利範圍第3項之特定應用積體電路,其中該開關係一個p通道加強模式金屬氧化半導體場效電晶體。
- 如申請專利範圍第1及2項中任一項之特定應用積體電路,其中該電荷儲存裝置係一電容器。
- 如申請專利範圍第3項之特定應用積體電路,其中該電荷儲存裝置係一電容器。
- 如申請專利範圍第4項之特定應用積體電路,其中該電荷儲存裝置係一電容器。
- 一種包含特定應用積體電路的周邊裝置電路,該特定應用積體電路係為如申請專利範圍第1至7項中任一項之特定應用積體電路。
- 一種包含至少一可連結終端裝置電路及周邊裝置電路的系統,該周邊裝置電路係為如申請專利範圍第8項之周邊裝置電路。
- 一種周邊裝置電路,包含:一匯流排線,用以於該周邊裝置電路與一可連結終端裝置電路之間轉移資料及電力;一特定應用積體電路;及一電荷儲存裝置,被安排來能從該終端裝置電路經由該匯流排線來接收電力及供應該電力至該特定應用積體電路;其中該特定應用積體電路係組配成可操作來:連結該電荷儲存裝置與該匯流排線來接收電力用以儲存,以響應於該終端裝置電路傳送以一較高電壓位準表示之一第一資料值,而允許該電荷儲存裝置接收電力用以儲 存;以及響應於該終端裝置電路傳送以一較低電壓位準表示之一第二資料值,將該電荷儲存裝置與該匯流排線斷路,以避免該電荷儲存裝置透過該匯流排放電。
- 一種包含特定應用積體電路的周邊裝置,該特定應用積體電路係為如申請專利範圍第1至7項中任一項之特定應用積體電路。
- 一種包含周邊裝置電路的周邊裝置,該周邊裝置電路係為如申請專利範圍第10項之周邊裝置電路。
- 一種周邊裝置之特定應用積體電路,包含:用來連接之構件,其係組配成可操作來連結:在一周邊裝置電路與一可連接終端裝置電路之間用來轉移資料及電力之構件、與用以接收及供應電力之構件,以響應於該終端裝置電路傳送以一較高電壓位準表示之一第一資料值,而允許該用以接收及供應電力之構件能接收電力用以儲存;該用來轉移之構件被該周邊裝置電路所包含;該用以接收及供應電力之構件係被安排以能從該終端裝置電路經由該用來轉移之構件接收電力,且供應電力至該特定應用積體電路,該用以接收及供應之構件被該周邊裝置電路所包含;及用來中斷之構件,其係組配成可操作來從該用來轉移之構件中斷該用以接收及供應電力之構件,以響應於該終端裝置電路傳送以一較低電壓位準表示之一第二資料值,以避免該用以接收及供應電力之構件透過該用來轉移之構 件放電。
- 一種用於周邊裝置之特定應用積體電路的方法,包含:連結一周邊裝置電路之匯流排線和該周邊裝置電路之一電荷儲存裝置,以響應於一可連結終端裝置電路傳送以一較高電壓位準表示之一第一資料值,而允許該電荷儲存裝置接收電力用以儲存;該匯流排線係被安排可於該周邊裝置電路與該可連結終端裝置電路之間轉移資料及電力;該電荷儲存裝置係被安排來可從該終端裝置電路經由該匯流排線接收電力及供應電力至該特定應用積體電路,該電荷儲存裝置係被該周邊裝置電路所包含;以及響應於該終端裝置電路傳送以一較低電壓位準表示之一第二資料值,將該匯流排線從該電荷儲存裝置斷開,以避免該電荷儲存裝置透過該匯流排線放電。
- 如申請專利範圍第14項之方法,包含響應於該周邊裝置電路傳送來由該較低電壓位準表示之資料值,將該匯流排線自該電荷儲存裝置斷開。
- 一種儲存有電腦程式碼之電腦可讀媒體,該電腦程式碼係組配來在執行時使一周邊裝置之一特定應用積體電路完成至少以下動作:連結一周邊裝置電路之一匯流排線及該周邊裝置電路之一電荷儲存裝置,以響應於一可連結終端裝置電路傳送以一較高電壓位準表示之一第一資料值,而允許該電荷儲存裝置接收電力用以儲存;該匯流排線係被安排可於該周 邊裝置電路與該可連結終端裝置電路之間轉移資料及電力;該電荷儲存裝置係被安排可從該終端裝置電路經由該匯流排線能接收電力及供應電力至該特定應用積體電路,該電荷儲存裝置係被該周邊裝置電路所包含;以及響應於該終端裝置電路傳送以一較低電壓位準表示之一第二資料值,將該匯流排線從該電荷儲存裝置斷開,以避免該電荷儲存裝置透過該匯流排線放電。
- 一種包含儲存於電腦可讀媒體中之程式碼構件的電腦程式產品,該程式碼構件適用於在被執行於一處理器中時執行申請專利範圍第14或15項所述方法之任一步驟。
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