CN204886906U - 一种模拟开关 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种模拟开关，N沟道场效应管Q1漏极和P沟道场效应管Q2漏极连接后经电阻R1接至电源正端，沟道场效应管Q1源极经电阻R2接地，N沟道场效应管Q1栅极经并联电容C1和二极管D1接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2栅极经并联电容C2和二极管D2接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2源极经电阻R3接地；N沟道场效应管Q1’漏极和P沟道场效应管Q2’漏极连接后经电阻R1’接至电源负端，沟道场效应管Q1’源极经电阻R2’接地，N沟道场效应管Q1’栅极经并联电容C1’和二极管D1’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’栅极经并联电容C2’和二极管D2’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’源极经电阻R3’接地。本实用新型使用四个场效应管及辅助元件，可以构成比较理想低频开关。

Description

一种模拟开关

技术领域

本实用新型涉及开关电路，特别涉及一种模拟开关。

背景技术

在信号检测和控制电路中，需要使用开关或继电器对信号进行切换。由于机械开关存在寿命短、存在火花干扰等问题，目前常使用电子器件制作的开关即模拟开关。双刀双掷开关可用分立元件来搭建，能够实现在不同的状态间切换。现有双刀双掷式的模拟开关存在结构复杂、成本较高的问题，故需要予以改进。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于一种结构简单的模拟开关，可以实现双刀双掷式状态切换的目的。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种模拟开关，包括N沟道场效应管Q1、P沟道场效应管Q2及N沟道场效应管Q1’和P沟道场效应管Q2’，其中：N沟道场效应管Q1的漏极和P沟道场效应管Q2的漏极连接后经电阻R1接至电源正端，沟道场效应管Q1的源极经电阻R2接地，N沟道场效应管Q1的栅极经并联的电容C1和二极管D1接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2的栅极经并联的电容C2和二极管D2接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2的源极经电阻R3接地；N沟道场效应管Q1’的漏极和P沟道场效应管Q2’的漏极连接后经电阻R1’接至电源负端，沟道场效应管Q1’的源极经电阻R2’接地，N沟道场效应管Q1’的栅极经并联的电容C1’和二极管D1’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’的栅极经并联的电容C2’和二极管D2’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’的源极经电阻R3’接地。

其中，电阻R1和电阻R1’的阻值相等；电阻R2、电阻R2’、电阻R3、电阻R3’的阻值相等；电容C1、电容C2、电容C1’、电容C2’的阻值相等。

与现有技术相比，本实用新型的模拟开关使用四个对称式设置的场效应管及电阻、电容和二极管搭建，由于场效应管导通时漏源沟道电阻很小，夹断时漏源沟道很大，由此可以构成比较理想的低频开关。该电路结构简单、成本较低，具有较好的应用前景。

附图说明

图1为本实用新型模拟开关的电路图。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

参见图1，为本实用新型模拟开关的电路图。该模拟开关使用四个对称式设置的场效应管及电阻、电容和二极管搭建，具体电路结构是：模拟开关包括N沟道场效应管Q1、P沟道场效应管Q2及N沟道场效应管Q1’和P沟道场效应管Q2’；N沟道场效应管Q1的漏极和P沟道场效应管Q2的漏极连接后经电阻R1接至电源正端B，沟道场效应管Q1的源极经电阻R2接地，N沟道场效应管Q1的栅极经并联的电容C1和二极管D1接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2的栅极经并联的电容C2和二极管D2接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2的源极经电阻R3接地；N沟道场效应管Q1’的漏极和P沟道场效应管Q2’的漏极连接后经电阻R1’接至电源负端B’，沟道场效应管Q1’的源极经电阻R2’接地，N沟道场效应管Q1’的栅极经并联的电容C1’和二极管D1’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’的栅极经并联的电容C2’和二极管D2’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’的源极经电阻R3’接地。

该实施例中电阻R1和电阻R1’的阻值相等；电阻R2、电阻R2’、电阻R3、电阻R3’的阻值相等；电容C1、电容C2、电容C1’、电容C2’的阻值相等；此外，根据场效应管的类型不同，二极管D1的阴极与二极管D1’的阴极共同连接至栅极控制端，二极管D2的阴极与二极管D2’的阳极共同连接至栅极控制端，不再赘述。

本实用新型的模拟开关使用四个对称式设置的场效应管及电阻、电容和二极管搭建，由于场效应管导通时漏源沟道电阻很小(几欧姆)，夹断时漏源沟道很大(几千兆欧姆)，由此可以构成比较理想的低频开关，图1中A、B、C和A’、B’、C’之间可等效为双刀双掷开关。需注意的是，场效应管的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增加了响应时间，限制了最高频率，因此本实用新型主要适用于低频环境。

本实用新型虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本实用新型，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求所界定的范围为准。

Claims (2)

1.一种模拟开关，其特征在于，包括N沟道场效应管Q1、P沟道场效应管Q2及N沟道场效应管Q1’和P沟道场效应管Q2’，其中：N沟道场效应管Q1的漏极和P沟道场效应管Q2的漏极连接后经电阻R1接至电源正端，沟道场效应管Q1的源极经电阻R2接地，N沟道场效应管Q1的栅极经并联的电容C1和二极管D1接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2的栅极经并联的电容C2和二极管D2接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2的源极经电阻R3接地；N沟道场效应管Q1’的漏极和P沟道场效应管Q2’的漏极连接后经电阻R1’接至电源负端，沟道场效应管Q1’的源极经电阻R2’接地，N沟道场效应管Q1’的栅极经并联的电容C1’和二极管D1’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’的栅极经并联的电容C2’和二极管D2’接至栅极控制端，P沟道场效应管Q2’的源极经电阻R3’接地。

2.如权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，电阻R1和电阻R1’的阻值相等；电阻R2、电阻R2’、电阻R3、电阻R3’的阻值相等；电容C1、电容C2、电容C1’、电容C2’的阻值相等。