JP3660784B2 - 高周波スイッチ回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波スイッチ回路、特に超短波からマイクロ波等の高周波信号の断続又は切替えを行うための高周波スイッチ回路の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、超短波からマイクロ波等の信号を扱う通信装置等において、高周波信号の伝送を断続し、又は切り替えるための高周波スイッチ回路が用いられており、この種のスイッチ回路として、例えば図3に示されるものがある。
【0003】
図3において、高周波信号を印加する入力端子1と高周波信号を出力する第1出力端子2との間に、第1の電界効果トランジスタ(以下FETとする)3が配置され、また上記入力端子1と高周波信号を出力する第2出力端子4との間に、第2のFET5が配置される。更に、上記FET3,5のドレイン電極側に、開(非導通)状態となるスイッチ回路のアイソレーションを高めるためのシャントFET6,7が接続される。その他の素子は、図示のように接続されており、ここでは説明を省略する。
【0004】
そして、上記のスイッチ回路では開閉制御信号を与えてスイッチの開閉を行うが、当該例では、この開閉制御信号を与える回路を簡略化するために、インバータ素子が利用される。即ち、図示されるように、切替え信号を与えるための切替え端子8,9の間に、インバータ素子10を配置し、このインバータ素子10の入力側を上記第2のFET5のゲート電極、反転出力側を第1のFET3のゲート電極に接続する。これによれば、上記の切替え端子8,9に開閉制御信号を与えて、上記インバータ素子10を駆動することにより、スイッチ回路の開閉動作を行うことができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記図3ようにインバータ素子10を利用した高周波スイッチ回路では、近年、低消費電力化に伴いインバータ素子10を駆動する開閉制御信号の発生源の出力インピーダンスが大きくなっており、このインバータ素子10が増幅器として動作して不安定となり、場合によっては自走発振を起こすという問題が生じている。このことを、次の図4の等価回路で説明する。
【0006】
図4は、図3の回路に開閉制御信号発生源を加えた場合の等価回路であり、図示の抵抗12は、インバータ素子10から見たスイッチ回路のインピーダンスを示す。このインバータ素子10の入力側(端子8)には、開閉制御信号発生源13と、この信号発生源13の出力インピーダンス(抵抗)14が接続された構成となる。このような等価回路において、上記信号発生源13の出力インピーダンス14が近年の低消費電力化で大きくなり、これによって切替え端子8,9間のインピーダンス12の影響が無視できなくなってきた。
【0007】
即ち、上記出力インピーダンス14が大きいと、上記インピーダンス12が等価的にインバータ素子10の帰還回路となって、このインバータ素子10の入力端子に直流バイアスを与えることになる。そのため、このインバータ素子10が増幅器として動作して不安定となり、配線等による寄生素子によっては、インバータ素子10が自走発振することになる。
【0008】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、その目的は、開閉制御信号源の出力インピーダンスがインバータ素子へ与える影響を小さくし、安定した動作を確保できる高周波スイッチ回路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、高周波信号の入力端子と出力端子との間に、ソース電極及びドレイン電極の接続により配置された第1及び第2のトランジスタと、この第1のトランジスタのゲート電極と上記第2のトランジスタのゲート電極との間に接続され、開閉制御信号を入力して切替え動作をするインバータ素子と、を含み、上記第1及び第2のトランジスタにつき、一方が非導通状態のときに他方が導通状態となるように切替え制御する高周波スイッチ回路において、上記のインバータ素子の入出力端子と接地電位との間に、当該インバータ素子から見てその入出力端子間に存在するインピーダンスを下げるためのインピーダンス低減素子を接続したことを特徴とする。
請求項2に係る発明は、上記インピーダンス低減素子を、抵抗素子としたことを特徴とする。
請求項3に係る発明は、上記インピーダンス低減素子を、容量素子としたことを特徴とする上記請求項1記載の高周波スイッチ回路。
請求項4に係る発明は、スイッチ回路を集積回路化する場合は、上記抵抗素子又は上記容量素子を含めて集積回路化したことを特徴とする。
【0010】
上記の構成によれば、開閉制御信号発生源の出力インピーダンスが大きくても、インバータ素子の入出力端子のスイッチ回路側のインピーダンスが下げられ、インバータ素子を増幅器として動作させたり、自走発振させたりする直流バイアスを与えることがなく、安定した動作が可能となる。
【0011】
上記インピーダンス低減素子として抵抗素子を用いた場合は、直流を含めた形で、インバータ素子から見たスイッチ回路側のインピーダンスが全体的に下げられる。一方、このインピーダンス低減素子として容量素子を用いた場合は、交流的に特有の周波数帯で、即ち自走発振周波数帯で、インバータ素子から見たスイッチ回路側のインピーダンスが下げられることになる。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1には、実施形態の第1例に係る高周波スイッチ回路の構成が示されており、このスイッチ回路は、インピーダンス低減素子として抵抗素子を用いたものである。図1において、第1のFET(電界効果トランジスタ)3は、そのソース電極が高周波信号を印加する入力端子1に、そのドレイン電極が高周波信号を出力する第1出力端子2に接続され、第2のFET5は、そのソース電極が上記入力端子1に、そのドレイン電極が第2出力端子4に接続される。
【0013】
また、上記第1のFET3と第2のFET5のドレイン電極には、これらのFET3,5が非導通時でのアイソレーションを高めるためのシャントFET6,7のソース電極(ドレイン電極でもよい)が接続されており、これらのシャントFET6,7のドレイン電極(ソース電極でもよい)は、直列接続の容量素子16,17を介して接地される。上記のシャントFET6のドレイン電極は、抵抗素子18,19を介して上記入力端子1に接続され、上記シャントFET7のドレイン電極は、抵抗素子20、18を介して入力端子1に接続される。
【0014】
そして、上記第1のFET3のゲート電極が抵抗素子22を介して、またシャントFET7のゲート電極が抵抗素子23を介して、インバータ素子10の反転出力端子へ接続され、上記第2のFET5のゲート電極が抵抗素子24を介して、またシャントFET6のゲート電極が抵抗素子25を介して、インバータ素子10の入力端子へ接続される。このインバータ素子10には、切替え端子8,9を介して開閉制御信号が印加されるように構成される。
【0015】
このような構造において、第1例では、上記インバータ素子10の入出力端子と接地との間に、例えば560kΩ程度の抵抗素子27,28を接続する。
【0016】
第1例は以上の構成からなり、この高周波スイッチ回路では、上記FET3,5をデプレッションモードのNチャネルFETで構成し、正電源で動作させる場合、それぞれのFET3,5のソース電極に正のバイアス電圧を印加し、そのゲート電極に相補的に各FET3,5のピンチオフ電圧より高い正のバイアス電圧及び接地電位を印加することで、入力端子1と第1出力端子2の信号ライン、入力端子1と第2出力端子4の信号ラインの開閉機能が実行される。
【0017】
即ち、入力端子1に入力された高周波信号を第1出力端子2から出力させる場合は、開閉制御信号として、切替え端子8に接地電位を入力するか又は切替え端子8を開放状態とする。そうすると、インバータ素子10の反転出力端子から正の切替え信号電圧が出力されるので、第1のFET3とシャントFET7のゲート電極にピンチオフ電圧より高い正のバイアス電圧が入力され、これらFET3,7が閉(導通)状態となる。そして、このシャントFET7は第2出力端子4を容量素子17を介して交流的に接地する。
【0018】
このとき、上記の第1のFET3のゲート電極に印加されたバイアス電圧は、当該FET3のソース電極にも印加されて第2のFET5のソース電極をバイアスし、また抵抗素子18,19を介してシャントFET6のドレイン電極をバイアスする。しかし、上記第2のFET5とシャントFET6のゲート電極は、抵抗素子24,25のそれぞれを介して上記インバータ素子10の入力端子に接続されているため、上記FET5,6のゲート・ソース電極間が逆バイアスされて開(非導通)状態となる。従って、入力端子1に印加される高周波信号は、第1出力端子2のみに通過可能な状態となる。しかも、シャントFET6は上述したように、開状態となっており、これによって第1出力端子2と接地電位間が高インピーダンスに維持され、第1のFET3を通過して第1出力端子2から出力される高周波信号に影響を及ぼすことが防止される。
【0019】
一方、入力端子1に入力された高周波信号を第2出力端子4から出力させる場合は、開閉制御信号として、切替え端子8に正の開閉制御信号電圧を与える。そうすると、第2のFET5とシャントFET6はそのゲート電極にピンチオフ電圧より高い正のバイアス電圧が入力されるので、これらFET5,6は閉(導通)状態となる。そして、このシャントFET6は第1出力端子2を容量素子16を介して交流的に接地する。
【0020】
このとき、上記と同様にして、第1のFET3及びシャントFET7のゲート・ソース電極間は逆バイアスされて開(非導通)状態となるので、入力端子1に印加される高周波信号は、第2出力端子4のみに通過可能な状態となる。なお、シャントFET7の開状態により、第2出力端子4と接地電位間が高インピーダンスに維持される。
【0021】
このようなスイッチ回路の動作において、第1例の回路では、上記インバータ素子10の入出力端子と接地との間に抵抗素子27,28を接続したので、上記のスイッチ動作が安定して行われることになる。即ち、開閉制御信号を供給する信号源の出力インピーダンスが高くなっても、インバータ素子10から見たスイッチ回路のインピーダンスを上記の抵抗素子27,28により下げることができる。
【0022】
例えば、上記の信号源の出力インピーダンスを10kΩとした場合、常温において、抵抗素子27が3MΩ以上では動作が不安定(自走発振)となる。また、環境温度が上昇すると、インバータ素子10の入出力端子8,9間に接続されているスイッチ回路の絶縁インピーダンスが下がり、常温時に安定であったものも不安定となる。環境温度60℃では、抵抗素子27が2MΩで自走発振し、80℃では660kΩで自走発振することが実験で確かめられた。しかし、この抵抗値が小さすぎると、インバータ素子10を駆動するのに大きな電流が必要となるため、当該例では、抵抗素子27,28の値を560kΩとした。
【0023】
また、この第1例では、切替え端子9側にも同様に抵抗素子28を配置したので、インバータ素子10を外部接続として集積回路化し、インバータ素子10を反転接続して開閉制御信号を供給するようにした場合でも、同性能を維持することが可能となる。
【0024】
図2には、実施形態の第2例に係る高周波スイッチ回路の構成が示されており、このスイッチ回路は、インピーダンス低減素子として容量素子を用いたものである。図2のスイッチ回路の構成は、図1のものと同一であり、この第2例では、上記インバータ素子10の入出力端子と接地との間に、例えば100pF程度の容量素子30,31を接続する。
【0025】
このような第2例の構成によれば、開閉制御信号源の出力インピーダンスが高くなっても、インバータ素子10から見たスイッチ回路のインピーダンスを上記の容量素子30,31により特定周波数(自走発振周波数)で下げることができる。即ち、自走発振周波数で正帰還がかからないように、交流的に入出力端子を低インピーダンスにして安定動作させることができる。例えば、3〜40MHzの周波数帯において、10pF、100pF、300pFの容量素子を用いた実験では、100pFで動作が安定する結果が得られた。
【0026】
なお、この第2例でも、切替え端子9側に同様の容量素子31を配置することにより、インバータ素子10を外部接続として集積回路化し、インバータ素子10を反転接続して開閉制御信号を供給する場合でも、同性能を維持することが可能となる。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、インバータ素子を利用して、開閉制御信号により、第1及び第2のトランジスタについて一方が非導通状態のときに他方を導通状態とする高周波スイッチ回路において、上記インバータ素子の入出力端子と接地電位との間に、当該インバータ素子から見てその入出力端子間に存在するインピーダンスを下げるためのインピーダンス低減素子を接続したので、開閉制御信号発生源の出力インピーダンスが大きくなった場合でも、直流バイアスの印加により、インバータ素子が増幅器として作用したり、又は自走発振したりすることが防止され、安定した動作を確保することが可能となる。
【0028】
請求項2に係る発明は、上記インピーダンス低減素子を抵抗素子としたので、インバータ素子から見たインピーダンスを直流を含めた形で全体的に下げることができ、請求項3に係る発明は、このインピーダンス低減素子を容量素子としたので、交流的に特定の周波数帯(自走発振周波数帯)でインピーダンスを下げることができ、スイッチ回路の動作を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の第1例に係る高周波スイッチ回路の構成を示す回路図である。
【図2】実施形態の第2例に係る高周波スイッチ回路の構成を示す回路図である。
【図3】従来の高周波スイッチ回路の構成を示す回路図である。
【図4】図3の回路に開閉制御信号発生源を加えた場合の等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
1 … 入力端子、
2 … 第1出力端子、 4 … 第2出力端子、
3 … 第1のトランジスタ、
5 … 第2のトランジスタ、
6,7 … シャントFET、
8,9 … 切替え端子、
10 … インバータ素子、
18〜20,22〜25,27,28 … 抵抗素子、
16,17,30,31 … 容量素子。
Claims (4)
- 高周波信号の入力端子と出力端子との間に、ソース電極及びドレイン電極の接続により配置された第1及び第2のトランジスタと、
この第1のトランジスタのゲート電極と上記第2のトランジスタのゲート電極との間に接続され、開閉制御信号を入力して切替え動作をするインバータ素子と、を含み、上記第1及び第2のトランジスタにつき、一方が非導通状態のときに他方が導通状態となるように切替え制御する高周波スイッチ回路において、
上記のインバータ素子の入出力端子と接地電位との間に、当該インバータ素子から見てその入出力端子間に存在するインピーダンスを下げるためのインピーダンス低減素子を接続したことを特徴とする高周波スイッチ回路。 - 上記インピーダンス低減素子は、抵抗素子であることを特徴とする上記請求項1記載の高周波スイッチ回路。
- 上記インピーダンス低減素子は、容量素子であることを特徴とする上記請求項1記載の高周波スイッチ回路。
- スイッチ回路を集積回路化する場合は、上記抵抗素子又は上記容量素子を含めて集積回路化したことを特徴とする上記請求項2又は3記載の高周波スイッチ回路。
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