TWI380392B - Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same - Google Patents

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TWI380392B
TWI380392B TW097134776A TW97134776A TWI380392B TW I380392 B TWI380392 B TW I380392B TW 097134776 A TW097134776 A TW 097134776A TW 97134776 A TW97134776 A TW 97134776A TW I380392 B TWI380392 B TW I380392B
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Greg Bettencourt
Raj Dhindsa
George Diercks
Randall A Hardin
Jon Keihl
Duane Lytle
Alexei Marakhtanov
Roger Patrick
John Pegg
Shannon Spencer
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Lam Res Corp
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Description

1380392 九、發明說明： 理，且更特定言之，係關於 總成。 電 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上係關於電衆處 紫處理室及其中所用之電極 【先前技術】 電梁處理裝置藉由多種技術可被用於處理基板，該等技 術包含但不限於㈣、物理氣相沈積、化學氣相沈積、離
子植入、光阻（resist)移除等等。舉例而言，且以非限制之 方式…種類型的電漿處理室含有—般被稱為—蓮蓬頭式 電極之Ji電極，及一下電極。一電場被建立在該等電極 之間以激發-處理氣體成電漿狀態以在該反應室中處理基 板。 【發明内容】 根據本發明之一實施例，提供一種電極總成，其包括一 熱控板、-矽基蓮蓬頭式電極及鎖固硬體，其中該矽基蓮 • 冑頭式電極包括形成在該石夕基蓮蓬頭式電極之背側中之複 數個部分凹槽及定位在該等部分凹槽中之若干背側嵌件。 »玄熱控板包括若干鎖固硬體通道’該等鎖固硬體通道經組 ； 態以允許鎖固硬體近接該等背側嵌件。該鎖固硬體與該等 背側嵌件經組態以維持該熱控板與矽基蓮蓬頭式電極之嚙 合並允許該熱控板與該矽基蓮蓬頭式電極之脫離，而將該 矽基蓮蓬頭式電極之該矽基電極材料隔離以免在脫離中與 §亥鎖固硬體摩擦接觸。 根據本發明之另一實施例，提供一種電漿處理室，其包 I34I77.doc 1380392 ; 括真工源、一處理氣體供應器、一電漿電源供應器、一 基板支撐件，及一被製造為包含一個或多個本發明之態樣 之上電極總成。 根據本發明之再—實施例’提供一種電極總成其包括 . 一熱控板、一矽基蓮蓬頭式電極及鎖固硬體，其中該矽基 蓮蓬頭式電極包括形成在該矽基蓮蓬頭式電極之背側中的 龍個螺紋部分凹槽。該熱控板包括若干鎖固硬體通道， _ 料鎖111硬體通道經組態以允許鎖固硬體近接該等螺紋部 分凹槽並使該鎖固硬體嚙合沿該矽基蓮蓬頭式電極之背側 之該等螺紋部分凹槽。 【實施方式】 在結合以下圖式閱讀時，以下之本發明之具體實施例的 詳細描述可被更好地理解，其中相同的結構以相同的參考 數字表示。 本發明之各種態樣可在一被僅示意顯示於圖丨中之電漿 ϋ 處理室1 〇之背景下被顯示以避免將本發明之概念限制於特 定的電漿處理組態或組件，其等可非一體化於本發明之標 的。如圖1中之大體顯示，該電漿處理室10包括一真空源 20、一處理氣體供應器30、一電漿電源供應器4〇、一包含 一下電極總成55之基板支撐件5〇及一上電極總成1〇()。 參考圖2-5 ’其顯示根據本發明之一實施例之一上電極 總成100。通常，该電極總成1 〇〇包括鎖固硬體6〇、對準銷 66、一熱控板70、一矽基蓮蓬頭式電極8〇及一導熱墊圈 75，該導熱墊圈75係定位在該熱控板7〇之該前側74與該矽 134177.doc 1380392 基蓮蓬頭式電極80之該背側82之間。更具體言之，該熱控 板70包括一背側72、一前側^及一個或多個處理氣體通道 76 ’该-個或多個處理氣體通道76經組態以導引處理氣體 至該熱控板70之該前侧74。雖然本發明不受限於特殊熱控 板材料或處理氣體通道組態’但應注意，合適的熱控板材 2包含紹、紹合金或類似的熱導體。此外，應注意，在包 3仁非限於美國公開案第2005/0133160號之熱控板之設計 中可依賴多種教示。 該石夕基蓮蓬頭式電極8〇包括一背側82、一前側料及複數 個蓮蓬頭式通道86 ’該等蓮蓮頭式通道86從該石夕基蓮蓮頭 電冬80之β亥旁側82延伸至該矽基蓮蓮頭式電極之該前 _該石夕基蓮蓬頭式電極80進-步包括形成在該電極8〇 U背側82中之複數個部分凹槽88。如圖$所示，該等部 分凹槽88在該凹槽88與該電極8〇之該前_之間保留該矽 基電極材料之一厚度χβ背側嵌件9〇沿該電極肋之該背側 82被定位在該等部分凹槽中。在該凹槽㈣該蓮蓬頭式電 極80之該前側84之間的該石夕基電極材料有助於藉由將該等 背側嵌件90及該鎖固硬體6〇與在電聚室中之反應物種隔離 而=小化在該電衆處理室1〇中之潛在的污染源。為幫助確
保刖述隔離可在該電極8Q之使錢限中被維持，該厚度X ㈣為至少近似0.25公分，或換言之’至少近似該石夕基蓮 蓬頭式電極80之總厚度之25%。 參考圖卜此隔離可藉由組態該熱控板7〇與該矽基蓮蓬 頭式電極8〇以界定一隔絕密封的電聚隔板65而被加強，使 134177.doc •10- 1380392 得在該電漿處理室10之抽空部分15内之氣體與反應物種無 法到達該鎖固硬體60與該等嵌件。界定該電漿隔板65之該 特殊方法將根據該熱控板70與該蓮蓮頭式電極8〇之各自組 態變化。應瞭解在大部分情形下，形成該熱控板7〇與該蓮 蓬頭式電極80之各自材料將界定該隔板之多數。此外，應 瞭解多種密封構件可被用於加強該隔板，特別係在該熱控 板70與該蓮蓬頭式電極80相互交界及與該電漿處理室1〇之 其他組件交界之處。 參考圖5，該等背側嵌件90及該鎖固硬體60與在該電毅 室中之反應物種之前述隔離可藉由將該等背側嵌件90定 位在s亥等部分凹槽8 8中使得其被插入或至少相對該石夕基蓮 蓬頭式電極80之該背側82為齊平。類似地，該鎖固硬體6〇 可被定位在該熱控板70中之鎖固硬體通道78中使得其被插 入或至少相對該熱控板70之一背側72為齊平。 除該等處理氣體通道76外，該熱控板7〇還包括若干鎖固 硬體通道7 8，該等鎖固硬體通道7 8經組態以允許鎖固硬體 6〇近接沿該矽基蓮蓬頭式電極80之該背側82被定位在該尊 部分凹槽88中之該等背側嵌件90。使用該鎖固硬體6〇與該 等背側嵌件90，該熱控板70可嚙合該矽基蓮蓬頭式電極 8〇。在該嚙合狀態下，該熱控板70之該前側74面向該矽基 蓮蓬頭式電極80之該背側82，且在該矽基蓮蓮頭式電極8〇 中之該等蓮蓬頭式通道86對準在該熱控板7〇中之該等處理 氣體通道76。此外，該等鎖固硬體通道78對準沿該電極8〇 之該背側82被定位在該等部分凹槽88中之該等背側嵌件 134177.doc 1380392 9〇。因此，該鎖固硬體60可延伸穿過在該熱控板7〇中之該 等鎖固硬體通道78並嚙合沿該電極8〇之該背側82被定位在 該等部分凹槽88中之該等背側嵌件9〇。 該鎖固硬體60與該等背側嵌件9〇經組態以維持該熱控板 70與5亥矽基蓮蓬頭式電極8〇之嚙合。此外，該鎖固硬體 與該等背側嵌件90經組態以允許該熱控板7〇與該蓮蓬頭式 電極80之脫離。在圖5所示之實施例及在此所述之其他實 施例中，該矽基蓮蓬頭式電極8〇之該矽基電極材料在嚙合 與脫離期間藉由該等背側嵌件9〇之相對的彈性材料被隔離 以免與s亥鎖固硬體60摩擦接觸。藉由該等背側嵌件9〇所提 供之此隔離用於消除由作為在該電漿室丨〇中之一污染源之 該鎖固硬體60引起的該矽基電極材料之磨損。該等背側嵌 件90之彈性亦允a午該熱控板與該梦基蓮蓮頭式電極8〇之 重複、非破壞性嚙合及脫離。 雖然可選擇多種材料以形成該等背側嵌件9〇,包含熱塑 性塑膠或其他類型的塑膠、合成橡膠、陶瓷、金屬或具有 複合材料層之嵌件’根據本發明之一些實施例，該等背側 嵌件包括可觀數量的經配方與製造之聚醚_酮（PEEK)，使 得該等背側嵌件90之硬度不超過該矽基電極材料之硬度。 額外的候選材料包含但不限於如填有或未填有均聚物或共 聚物、尼龍（nylon)、聚四氟乙烯（PTFE)或其組合之經配方 之Delrin®或其他縮醛樹脂工程塑膠。 雖然該熱控板7〇與該矽基蓮蓬頭式電極8〇可以與本發明 之s亥專概念一致之多種方式被响合，但在圖5及7-11所示 134177.doc -12- 中’該等背側嵌件90可被 遠逶頭式電極80之㈣㈣…。 I成於抑基 固定錨。更… 等部分凹槽88中之若干 藉由提供1心Γ在圖5之實施例中，該背側嵌件90 於該料電極材料中被Μ在該部分 螺％L 被固定之情形下’例如可包括一螺紋 頭切Γ該鎖固硬體60喃合該背側嵌件90以將該蓮蓬 :二:固定於該熱控板7°。在圖7之實施例中，該背
所-黏合劑被固定在該部分凹槽中。在圖8A-8C 8:之貫施例中，該部分凹槽88經加工以包括一底切部分 m側嵌件9〇藉由將該嵌物插人至該凹槽88中並 ，^疋轉至該部分凹槽88之該底切部㈣中而被 部分凹槽88中。 '考圖9，應注意，該背侧嵌件90可被組態為-螺椿， /累椿包括―經組態以延伸至在該熱控板7时之該等鎖固 硬體通道78之-者中之背側延伸92。在此情形下，該鎖固 更體60經組㈣經由例如—螺㈣合近接在該鎖固硬體通 道78中之該背側嵌件90之該背側延伸92。 在採用-個或多個背側喪件9〇之於此所揭示之任何實施 例中’確保該鎖固硬體6〇、該等背側嵌件9〇及該部分凹槽 88被組態，使得在熱負載期間，在該鎖固硬體60與背心 件9〇處於—喃合狀態之情形下，該背側嵌件能夠在不離開 該凹槽下在該部分凹槽中隨著該鎖固硬體移動通常會係有 利的。舉例而t，參考圖1(M1所示之本發明之實施例， 其中顯示參考圖仏8(：之以上所示底切實施例之一改進， I34177.doc 13 1380392 ==有若干突出部95’該等突出部95經組態以 =9 =蓬頭式電極8〇之該電極材料中的該等底切 二應凹:二由將該等突出部95對準在該電極8。中 應凹溝85,將該嵌件90鎖固到該凹 :件9〇可被心™，如W = =圖1〇及U之實施例中’該嵌㈣藉由關於該嵌件90之 载里小的直徑部分94提供—彈*可在-彈簧負 „。下被固定在凹槽88中，且該嵌件9〇之外部 寸與該等突出部95之大小及形狀被選擇為允許該嵌件90在 該彈菁負載式狀態下在該部分凹槽88中移動。因此，在= ==處理之該熱負載中’該背側嵌件9°可隨著該 更體60在該部分凹槽88中移動而不離開該凹槽88 ,且 不降級該鎖固硬體60與該嵌件90之嚙合。 本發明者認為與該等凹槽88附近之電極材料之任何磨損 性接觸可在該電聚處理室10中產生一潛在污染源。因此，、 =據本發明之-㈣嵌件㈣組態用以使用—螺絲起子 或1潛在的磨損紅具安裝或移除之情形，如在圖… 例中之情形下，應瞭解該背側嵌件％之該槽形驅 £ #之邊緣或與移除工具相配之其他嚙合部分處呈 :若干橫向屏蔽部…廣泛言之，該背側嵌件9。= 、個或多個橫向屏蔽部分98，該一個或多個橫向屏 分98經組態以在不延伸超過可能與在電極材料 之内徑發生接觸之該嵌件之周邊下，允許—工具在 134177.doc 1380392 ; 具嗜合部分處嚙合該背側嵌件。 - 多種彈I負載式組態可被利用以減小該鎖固硬體60在電 漿處理期間由於由所誘發的熱負載導致的誘發應力而變為 脫離之任何趨向。舉例而言，用於提供該熱控板7〇與該矽 : 錢蓬頭式電極80之—彈簧負載式唾合之-組態被顯示於 圖5_7中。在圖5及7中，該背側嵌件90被組態為在形成於 該蓮蓬頭式電極8〇之該背側82中之該等部分凹槽88之一者 • 中之固定錨，且該鎖固硬體60包括一彈簧負载式墊片62形 式的一彈簧元件，該彈簣元件經組態以在該鎖固硬體6〇近 接該背側嵌件90時抗拒一嚙合力。在圖6中，該背側嵌件 被省略，其有利於與在該電極材料中之一螺紋孔之直接的 螺紋嘀合。或者，如冑9所示，該彈菁元件可被提供為一 關於在該鎖固硬體通道78中之該鎖固硬體6〇之一縱向延伸 配置之螺旋彈簧64。 雖然本發明之各種概念已在諸如單晶矽、多晶矽、氮化 籲 石夕及碳化秒之梦基電極材料之背景下於此被描述，但應注 意本發明具有在多種背景下之效用，包含包括碳化删氮 化！呂、氧化銘或其組合之石夕基電極材料之f景。此外，應 . 冑解在*脫離本發明之範圍下，該⑪基蓮蓬頭式電極80可 U多種組態存在’包含但不限於一單件式圓形蓮蓬頭組態 或多組件式圓形蓮蓬頭式組態’纟包括—圓形中心電極及 個或夕個關於該中心電極之周長配置的周邊電極。 應注意，被"組態"為以一特殊方式實施一特殊性質或功 能之本發明之-組件之在此之敍述係與希望用途之敍述相 I34177.doc -15· 子的、、°構敍述。更具體言之，在此對一組件被"組態"之方 式之參考表示該組件之—現有實體條件，如此，將被認為 該組件之結構特徵之一明確敍述。 、應/主意，如較佳地"、"一般地••及"通常"之術語當用 於此處時，不用於限制本發明之範圍或暗示特定特徵對於 本發明之結構或功能係關鍵的、必不可少的或重要的。確 切言之，此等術語僅旨在識別本發明之一實施例之特殊蜞 樣或強調可能被用於或可能不被用於本發明之—特殊實施 例中之替代特徵或額外特徵。 .著眼於描述與界定本發明之目的，應注意，術語"近似" 在此被利用以代表可歸因於任何^量比較、數值、量測或 :::表之固有的不確定程度。術語在此亦被利用以代表 疋里代表可不同於—所述參考之程度，其不導致所討論 之標的之基本功能之—變化。 已參考其具體實施例並細描述本發明，顯S，在不脫 =附加4求項所界定之本發明之範圍τ，修#與變更係可 能的。更具體言之’雖然本發明之—些態樣在此被識別為 車的或特別有利的，但應瞭解本發明無需限制於本發明 之此等較佳態樣。 應注意，—個或多個以下請求項利用術語"其中”作為一 過渡短語。著眼於界定本發明之目的，應注意，此術語被 引進到請求項中作為—開放式過渡短語，纟用於引進一系 列結構特徵之—敍述，並應以與開放式序言術語”包括”相 似之方式理解。 134177.doc • 16· 1^80392 : 【圖式簡單說明】 . 圖1係一包含本發明之一些實施例之特殊態樣之電漿處 理室之—示意圖； 圖2係根據本發明之一實施例之一蓮蓬頭式電極之該背 側之一平面圖； 圖3係根據本發明之一實施例之一蓮蓬頭式電極之一部 分之一橫戴面圖； • 圖4係根據本發明之一實施例之一蓮蓬頭式電極之該背 側與厚度尺寸之一等距圖； 圖5係一根據本發明之一實施例之包含鎖固硬體之電極 總成之一橫戴面圖； 圖6、7、8A及9係一根據本發明之另一些實施例之包含 鎖固硬體之電極總成之一部分之橫截面圖； 圖8B及8C係描繪以闡明圖8A所示之標的之該結構與操 作之示意圖；及 • 圖10及11顯示根據本發明之再一實施例之一電極總成之 鎖固硬體與經互補加工部分。 【主要元件符號說明】 ΙΟ 15 20 30 40 50 電漿處理室 抽空部分 真空源 處理氣體供應器 電漿電源供應器 基板支撐件 134177.doc -Π 551380392
60 62 65 66 70 72 75 76 78 80 82 84 86 88 89 90 100 下電極總成 鎖固硬體 彈簧負載式墊片 電聚隔板 對準銷 熱控板 背側 前側 導熱墊圈 處理氣體通道 鎖固硬體通道 蓮蓬頭式電極 背側 前側 蓮蓬頭式通道 部分凹槽 底切部分 背側嵌件 上電極總成 134177.doc -18-

Claims (1)

101年7月17曰修正替換頁 97134776 (無劃線）' /°f年7月/7日修正本 、申請專利範圍：^J 種電極總成，其包括一熱控板、—石夕基蓮蓬頭式電極 及鎖固硬體，其中： 該熱控板包括一背側、一前侧及—個或多個處理氣體 通道5亥一個或多個處理氣體通道經組態以導引處理氣 體至該熱控板之該前侧； *該矽基連蓬頭式電極包括一背側、一前側及複數個蓮 蓬頭式通道，該等蓮蓬頭式通道從該矽基蓮蓬頭式電極 之該背侧延伸至該矽基蓮蓬頭式電極之該前側； 該矽基蓮蓬頭式電極進一步包括形成於該矽基蓮蓬頭 式電極之該背侧中之複數個部分凹槽，該等部分凹槽在 該凹槽與該矽基蓮蓬頭式電極之該前側之間保留矽基電 極材料之一厚度； 該矽基蓮蓬頭式電極進一步包括沿該矽基蓮蓬頭式電 極之該背侧被定位在該等部分凹槽中之若干背側嵌件； 該熱控板進一步包括若干鎖固硬體通道，該等鎖固硬 體通道經組通以允許鎖固硬體近秦沿該石夕基蓮蓬頭式電 極之該背側被定位在該等部分凹槽中之該等背側嵌件； 該熱控板嚙合該矽基蓮蓬頭式電極，使得該熱控板之 該前側面向該矽基蓮蓬頭式電極之該背側，在該石夕基蓮 蓮頭式電極中之該等蓮蓬頭式通道對準在該熱控板中之 該等處理氣體通道’且該等鎖固硬體通道對準沿該發基 蓮蓬頭式電極之該背側被定位在該等部分凹槽中之該等 背側嵌件； 1380392 -- - 101年7月17日修正替換頁 97134776 (無劃線） 該鎖固硬體至少部分延伸穿過在該熱控板t之該等鎖 固硬體通道而嚙合沿該矽基蓮蓬頭式電極被定位在該等 部分凹槽中之該等背側嵌件； 該鎖固硬體與該等背側嵌件經組態以維持該熱控板與 ' 該矽基蓮蓬頭式電極之嚙合並允許該熱控板與該矽基蓮 逢頭式電極之脫離，而將該矽基蓮蓬頭式電極之該矽基 電極材料隔離以免在脫離中與該鎖固硬體摩擦接觸；及 夕基電極材料包括單晶石夕，其中該等部分凹槽係形 成於該單晶石夕中。 2.如明求項1之電極總成，其中該鎖固硬體與該等背側嵌 件經組態以允許該熱控板與該⑭基蓮蓬頭式電極之重複 响合與脫離、該熱控板與該％基蓮蓬頭式電極之非破壞 性脫離，或兩者。 3. 如。月求項1之電極總成，其中該鎖固硬體、該等背側嵌 件及該邛分凹槽被組態，使得在該鎖固硬體與背側嵌件 處於-哺合狀態之情形下’該背側嵌件能夠在不變成離 開該凹槽下隨著該鎖固硬體在該部分凹槽中移動。 4. 如請求们之電極總成’其中該等背側嵌件之硬度不超 過該石夕基電極材料之硬度。 5. 如凊求項1之電極總成，《中該等背側嵌件包括經配方 及製造的㈣醚_(PEEK)，使得該㈣側嵌件之硬度不 超過該矽基電極材料之硬度。 6.如請求項1之電極總 式電極之該前側之間 成，其中在該凹槽與該矽基蓮蓬頭 之矽基電極材料之該厚度為至少近 -20· 1380392 ' ----------- 101年7月17曰修正替換頁 97134776 (無劃線） 似0.25公分。 ---——
、长項1之电極總成，其中在該凹槽與該矽基蓮蓬頭 式電極之該前側之間的石夕基電極材料之該厚度為至少近 似該矽基蓮蓬頭式電極之一總厚度的乃％。 如哨求項1之電極總成’其中該等背側嵌件被定位在該 等部分凹槽中，使得其相對該石夕基蓮蓬頭式電極之該背 側被插入β 9. 項1之電極總成，其中該背側嵌件包括一工具嚙 口邛刀及一個或多個橫向屏蔽部分，該一個或多個橫向 屏蔽邻刀紐組態以允許一工具嚙合該背側嵌件而不延伸 超過該背侧嵌件之周邊。 10·如請求項1之電極總成，其中該等背側嵌件之至少一者 被”且九、為一在形成於該矽基蓮蓬頭式電極之該背側中之 該等凹槽之一者中之固定錨。 11. 如％求項10之電極總成，其中該背側嵌件包括若干突出 部，該等突出部經組態以使用一插入及旋轉方式來補足 形成於該蓮蓬頭式電極之該電極材料中之底切部分。 12. 如明求項丨i之電極總成，其中該背側嵌件在一彈簧負載 式狀態下被固定在該凹槽中。 13. 如凊求項12中之電極總成，其中該背側嵌件之外部直徑 尺寸/、該等犬出部之大小及形狀被選擇以允許該背側嵌 件在該彈簧負载式狀態下在該部分凹槽中移動。 14. 如印求項10之電極總成，其中該背側嵌件藉由係形成於 該石夕基電極材料中之一螺紋部分被錨定在該部分凹槽 1380392 15. 16. 17. 18. 19. 101年7月17曰修正替換頁 97134776 (無劃線）、 中。 —— 一— ^請求項H)之電極總成，其+該部分凹槽包括一底切部 刀，且該背側嵌件藉由將其定位以至少部分延伸至該部 刀凹槽之該底切部分中而被固定在該部分凹槽中。 如明求項10之電極總成，其中該背側嵌件被組態為一螺 椿’該螺椿包括-經組態以延伸至在該熱控板中之該等 ^固硬體通道之-者中之背側延伸，且該鎖固硬體經組 態以近接在該鎖固硬體通道中之該背側嵌件之該背側延 伸0 咕求項1之電極總成，其中該鎖固硬體與該等背側嵌 、-、_、、且態以φζ供該熱控板與該石夕基蓮蓬頭式電極之彈簧 負載式嚙合。 如請求項17之電極總成，其中該等背側嵌件之至少一者 被組態為一在形成於該矽基蓮蓬頭式電極之該背側中之 °亥等邻分凹槽之一者中之固定錯，且該鎖固硬體包括— 彈簧元件，該彈簧元件經組態以抗拒在該鎖固硬體近接 該背側嵌件時所提供的一嚙合力。 如請求項1之電極總成，其中該矽基蓮蓬頭式電極包括 單件式圓形蓮蓬頭式結構或一多組件式圓形蓮蓮頭式 結構，其包括一圓形中心電極及配置在該中心電極之周 長周園的—個或多個周邊電極。 如请求項1之電極總成，其中該電極總成進一步包括一 疋位在該熱控板之該前側與該矽基蓮蓬頭式電極之該背 側之間之導熱墊圈。 •21 20. 1380392 21 101年7月17日修正替換頁 97134776 (無劃線） 種電漿處理室，其包括一真空源、一處理氣體供應 器 電漿電源供應器、一基板夫樓件及一上電極總 成，其中： 該真空源經組態以至少部分抽空該電漿處理室； _ 該基板支撐件被定位在該電漿處理室之一抽空部分 中’並包括與該上電極總成間隔之一下電極總成； X下電極總成與该上電極總成被操作性地麵合至該電 漿電源供應器； 該上電極總成包括一熱控板、一矽基蓮蓬頭式電極及 鎖固硬體； 該熱控板包括一背側、一前側及一個或多個處理氣體 通道，該一個或多個處理氣體通道經組態以導引來自該 處理氣體供應器之處理氣體至該熱控板之該前側； 該矽基蓮蓮頭式電極包括一背側、一前側及複數個蓮 蓮頭式通道，該等蓮蓬頭式通道從該矽基蓮蓬頭式電極 之該背側延伸至該矽基蓮蓮頭式電極之該前側； 該矽基蓮蓬頭式電極進一步包括形成於該矽基蓮蓮頭 式電極之該背侧令之複數個部分凹槽，該等部分凹槽在 該凹槽與該矽基蓮蓬頭式電極之該前侧之間保留矽基電 極材料之一厚度； 該矽基蓮蓬頭式電極進一步包括沿該矽基蓮蓮頭式電 極之該背侧被定位在該等部分凹槽中之若干背側嵌件； 該熱控板進一步包括若干鎖固硬體通道，該等鎖固硬 體通道經組態以允許鎖固硬體近接沿該矽基蓮蓬頭式電 -23- 1380392 101年7月17日修正替換頁 97134776 (無劃線） 極之該背侧被定位在該等部分凹槽中之該等背側嵌件； 該熱控板與該矽基蓮蓬頭式電極被嚙合，使得該熱控 板之該前側面向該矽基蓮蓬頭式電極之該背側，在該矽 基蓮蓮頭式電極中之該等蓮蓬頭式通道對準在該熱控板 中之該等處理氣體通道，且該等鎖固硬體通道對準沿該 矽基蓮蓬頭式電極之該背侧被定位在該等部分凹槽中之 該等背侧嵌件； 該鎖固硬體至少部分延伸穿過在該熱控板中之該等鎖 固硬體通道而嚙合沿該矽基蓮蓬頭式電極之該背側被定 位在該等部分凹槽中之該等背側嵌件； 該鎖固硬體與該等背側嵌件經組態以維持該熱控板與 該矽基蓮蓬頭式電極之嚙合並允許該熱控板與該矽基蓮 蓬頭式電極之脫離，而將該矽基蓮蓬頭式電極之該矽基 電極材料隔離以免在脫離中與該鎖固硬體摩擦接觸；及 該矽基電極材料包括單晶矽，其中該等部分凹槽係形 成於該單晶石夕中。 22. 如請求項21之電漿處理室，其中： 該熱控板與該上電極總成之該矽基蓮蓬頭式電極經組 態以界定一電漿隔板；及 該鎖固硬體,與該矽基蓮蓬頭式電極之該等背側嵌件係 藉由該電漿隔板與在該電漿處理室之該抽空部分中之反 應物種隔離。 一種電極總成，其包括一熱控板、一矽基蓮蓬頭式電極 及鎖固硬體，其中： -2Φ 23. 1380392 101年7月17曰修正替換頁 97134776 (無劃線） 該熱控板包括一背側、一前側及一個或多個處理氣體 通道’該一個或多個處理氣體通道經組態以導引處理氣 體至該熱控板之該前侧； 該矽基蓮蓬頭式電極包括一背側、一前側及複數個蓮 蓬頭式通道’該等蓮蓬頭式通道從該矽基蓮蓬頭式電極 之該為側延伸至該矽基蓮蓬頭式電極之該前側； 該矽基蓮蓮頭式電極進一步包括形成於該矽基蓮蓬頭 式電極之該背側中之複數個螺紋部分凹槽，該等螺紋部 分凹槽在该凹槽與該矽基蓮蓬頭式電極之該前側之間保 留矽基電極材料之一厚度； 該熱控板進一步包括若干鎖固硬體通道，該等鎖固硬 體通道經組態以允許鎖固硬體近接沿該矽基蓮蓬頭式電 極之該背側之該等螺紋部分凹槽； *亥熱控板嚙合該矽基蓮蓬頭式電極，使得該熱控板之 ，前側面向該絲料頭式電極之該㈣，在財基蓮 蓬頭式電極巾之料蓮蓮頭式通道對準在該熱控板中之 =等處理氣體通道’且該等鎖固硬體通道對準沿該石夕基 連蓬頭式電極之該背側之該等螺紋部分凹肖； 該鎖固硬體至少部分延伸穿過在該熱控板中之該等鎖 ，硬體通道而喝合沿該#基蓮蓬頭式電極之該背侧之該 等螺紋部分凹槽；及 s鎖口硬體與5亥等螺紋部分凹槽經組態以維持該熱控 =該石夕基蓮蓬頭式電極《唾合並允許該熱控板與該、石夕 暴逑蓬頭式電極之脫離。 24. 種電極總成’其包括_熱控板、一矽基蓮蓬頭式電 -25- 1380392 101年7月17日修正替換頁 97134776 (無劃線） 極、鎖固硬體及一導熱塾圈，其中： 該熱控板包括一背側、一前側及一個或多個處理氣體 通道’該一個或多個處理氣體通道經組態以導引處理氣 體至該熱控板之該前側； 該石夕基蓮蓬頭式電極包括一背側、一前側及複數個蓮 蓬頭式通道，該等蓮蓬頭式通道從該矽基蓮蓬頭式電極 之該％側延伸至該矽基蓮蓬頭式電極之該前側； 該矽基蓮蓬頭式電極進一步包括形成於該矽基蓮蓬頭 式電極之該背侧中之複數個部分凹槽，該等部分凹槽在 該凹槽與該矽基蓮蓬頭式電極之該前側之間保留矽基電 極材料之一厚度； 該矽基蓮蓬頭式電極進一步包括沿該矽基蓮蓬頭式電 極之該背侧被定位在該等部分凹槽中之若干背側嵌件； 該熱控板進一步包括若干鎖固硬體通道，該等鎖固硬 體通道經組態以允許鎖固硬體近接沿該矽基蓮蓬頭式電 極之該背侧被定位在該等部分凹槽中之該等背側叙件； 該熱控板鳴合該石夕基蓮蓬頭式電極，使得該熱控板之 ，前側面向該妙基蓮蓬頭式電極之該㈣，在該破基蓮 蓬頭式電極中之該等蓮蓮頭式通道對準在該熱控板中之 該等處理請通道，且料制硬體通道對準沿該石夕基 蓮蓬頭式電極之該㈣被定位在料部分凹槽中之該等 該鎖固硬體至少部分延# φ γ & 1刀之伸穿過在該熱控板中之該等鎖 固硬體通道而嚙合沿該矽基蓮蓬頭式電榀夕兮a y + 、碟貝巧電極之該背侧被定 位在該等。卩分凹槽中之該等背側嵌件； -26- 1380392 101年7月17曰修正替換頁 97134776 (無劃線） 該鎖固硬體與該等背側嵌件經組態以維持該熱控板與 該矽基蓮篷頭式電極之唾合並允許該熱控板與該石夕基蓮 蓬頭式電極之脫離，而將該矽基蓮蓮碩式電極之該矽基 電極材料隔離以免在脫離中與該鎖固硬體摩擦接觸； 該導熱㈣係定位在該熱控板之該前側與财基蓮蓬 頭式電極之該背側之間； ~ 中 該矽基電極材料包括單晶矽；及 该等背側嵌件經由—黏合劑被固定在該等部分 凹槽
圖式： -27-
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