TWI379864B - Combinations of resin compositions and methods of use thereof - Google Patents
Combinations of resin compositions and methods of use thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TWI379864B TWI379864B TW93137508A TW93137508A TWI379864B TW I379864 B TWI379864 B TW I379864B TW 93137508 A TW93137508 A TW 93137508A TW 93137508 A TW93137508 A TW 93137508A TW I379864 B TWI379864 B TW I379864B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- resin
- composition
- epoxy
- group
- curable
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 156
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 156
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 42
- -1 hydroxy aromatic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 34
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 28
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 45
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 8
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims description 7
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 claims description 6
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 claims description 6
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 claims description 6
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 claims description 6
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 5
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 claims description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N n-propyl alcohol Natural products CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims description 2
- VOIWQNVWCVIHPK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-decoxyethoxy)ethoxy]decane Chemical compound CCCCCCCCCCOCCOCCOCCCCCCCCCC VOIWQNVWCVIHPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 claims 1
- 229930182558 Sterol Natural products 0.000 claims 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 claims 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 claims 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 claims 1
- 150000003432 sterols Chemical class 0.000 claims 1
- 235000003702 sterols Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 51
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 27
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 abstract 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 24
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 23
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 12
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 description 8
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 description 8
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 6
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 5
- JSGRIFNBTXDZQU-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC JSGRIFNBTXDZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 5
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical class [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 229920001864 tannin Polymers 0.000 description 3
- 239000001648 tannin Substances 0.000 description 3
- 235000018553 tannin Nutrition 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JXHWSYHNRWPORQ-UHFFFAOYSA-N 1-nonoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCOCC(C)O JXHWSYHNRWPORQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKBMTBAXDISZGN-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C)CCC2C(=O)OC(=O)C12 FKBMTBAXDISZGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229940123208 Biguanide Drugs 0.000 description 2
- LJGZZHHGPZOOCK-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)OC(CC)OCCCCCCCCCC Chemical compound C(C)(=O)OC(CC)OCCCCCCCCCC LJGZZHHGPZOOCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XINAQPROOGNKIN-UHFFFAOYSA-N C1C(C(=O)O)CCC=C1CC1=CCCCC1 Chemical compound C1C(C(=O)O)CCC=C1CC1=CCCCC1 XINAQPROOGNKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXAJPHVFLRHHTB-UHFFFAOYSA-N CNNC.C(COCCO)O Chemical compound CNNC.C(COCCO)O ZXAJPHVFLRHHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPYKUZBSLRQECL-UKMVMLAPSA-N Lycopene Natural products CC(=C/C=C/C=C(C)/C=C/C=C(C)/C=C/C1C(=C)CCCC1(C)C)C=CC=C(/C)C=CC2C(=C)CCCC2(C)C UPYKUZBSLRQECL-UKMVMLAPSA-N 0.000 description 2
- JEVVKJMRZMXFBT-XWDZUXABSA-N Lycophyll Natural products OC/C(=C/CC/C(=C\C=C\C(=C/C=C/C(=C\C=C\C=C(/C=C/C=C(\C=C\C=C(/CC/C=C(/CO)\C)\C)/C)\C)/C)\C)/C)/C JEVVKJMRZMXFBT-XWDZUXABSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020269 SiP2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006735 epoxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 2
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- OAIJSZIZWZSQBC-GYZMGTAESA-N lycopene Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C\C=C\C(\C)=C\C=C\C(\C)=C\C=C\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)CCC=C(C)C OAIJSZIZWZSQBC-GYZMGTAESA-N 0.000 description 2
- 239000001751 lycopene Substances 0.000 description 2
- 229960004999 lycopene Drugs 0.000 description 2
- 235000012661 lycopene Nutrition 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 2
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 2
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 239000012258 stirred mixture Substances 0.000 description 2
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N toluquinol Chemical compound CC1=CC(O)=CC=C1O CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCIHMQAPACOQHT-ZGMPDRQDSA-N trans-isorenieratene Natural products CC(=C/C=C/C=C(C)/C=C/C=C(C)/C=C/c1c(C)ccc(C)c1C)C=CC=C(/C)C=Cc2c(C)ccc(C)c2C ZCIHMQAPACOQHT-ZGMPDRQDSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQHZNUPEBVRUFO-UHFFFAOYSA-N (3-methyloxiran-2-yl)methanol Chemical compound CC1OC1CO QQHZNUPEBVRUFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- CIRMGZKUSBCWRL-LHLOQNFPSA-N (e)-10-[2-(7-carboxyheptyl)-5,6-dihexylcyclohex-3-en-1-yl]dec-9-enoic acid Chemical compound CCCCCCC1C=CC(CCCCCCCC(O)=O)C(\C=C\CCCCCCCC(O)=O)C1CCCCCC CIRMGZKUSBCWRL-LHLOQNFPSA-N 0.000 description 1
- PNNFEYPWPCDLOC-UPHRSURJSA-N (z)-2,3-dichlorobut-2-enedioic acid Chemical compound OC(=O)C(\Cl)=C(\Cl)C(O)=O PNNFEYPWPCDLOC-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1 -dodecene Natural products CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWZQYRJRRHYJOI-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trimethoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCC(OC)(OC)OC CWZQYRJRRHYJOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001989 1,3-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([H])C([*:2])=C1[H] 0.000 description 1
- KVGZZAHHUNAVKZ-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxin Chemical compound O1C=COC=C1 KVGZZAHHUNAVKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXWDYSVCBQYACT-UHFFFAOYSA-N 1-(cyclohexen-1-ylmethyl)cyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound C=1CCCCC=1CC1(C(=O)O)CCCCC1 SXWDYSVCBQYACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJXHLNYMQXVBDM-UHFFFAOYSA-N 1-decoxypropan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCOC(O)CC GJXHLNYMQXVBDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNIJLZHYBVVHMA-UHFFFAOYSA-N 1-decoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCCOCC(C)O GNIJLZHYBVVHMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPEWDCTZJFUITH-UHFFFAOYSA-N 1-methoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCCOC JPEWDCTZJFUITH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAXXZBQODQDCOW-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropyl acetate Chemical compound CCC(OC)OC(C)=O ZAXXZBQODQDCOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHXCUKIHMLHWQT-UHFFFAOYSA-N 1-propoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCCOCCC NHXCUKIHMLHWQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQCPOLNSJCWPGT-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Bisphenol F Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1O MQCPOLNSJCWPGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPFRRRNIYVFFE-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,5,5-hexamethyl-1,4-dioxane Chemical compound CC1(C)COC(C)(C)C(C)(C)O1 YTPFRRRNIYVFFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYSWTFXPYLWMJS-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(ethenyl)-2,3,5,6-tetramethyl-1,4-dioxane Chemical compound C(=C)C1(C(OC(C(O1)C)C)(C)C=C)C UYSWTFXPYLWMJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKWPLDPFFDJP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethyloxirane Chemical compound CC1OC1C PQXKWPLDPFFDJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXGYYDRIMBPOMN-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethoxy)ethoxymethanol Chemical compound OCOCCOCO BXGYYDRIMBPOMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPILSDOMLLYBQF-UHFFFAOYSA-N 2-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(CCC)OCC1CO1 HPILSDOMLLYBQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODGCZQFTJDEYNI-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C)C=CCCC1C(O)=O ODGCZQFTJDEYNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexane Natural products CCCCC(C)C GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMWMTSCFTPQVCJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1.CC1=CC=CC=C1O LMWMTSCFTPQVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAXFTJSQHNKERQ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylbenzene-1,3-diol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1S LAXFTJSQHNKERQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJENDMNPADCDCR-UHFFFAOYSA-N 2-tetradecyl-1,4-dioxane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC1COCCO1 SJENDMNPADCDCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005133 29Si NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- AEXMKKGTQYQZCS-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylpentane Chemical compound CCC(C)(C)CC AEXMKKGTQYQZCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZHHYIOUKQNLQM-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6-tetrachlorophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1C(O)=O WZHHYIOUKQNLQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRWFFFOEIHGUBG-UHFFFAOYSA-N 3,4-Epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-6-methylcyclo-hexanecarboxylate Chemical compound C1C2OC2CC(C)C1C(=O)OCC1CC2OC2CC1C GRWFFFOEIHGUBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACZGCWSMSTYWDQ-UHFFFAOYSA-N 3h-1-benzofuran-2-one Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)CC2=C1 ACZGCWSMSTYWDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOGSPLLRMRSADR-UHFFFAOYSA-N 4-(2-aminopropan-2-yl)-1-methylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC(C)(N)C1CCC(C)(N)CC1 KOGSPLLRMRSADR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAKKQSNAMJYNAY-UHFFFAOYSA-N 4-(n-cyclohexyl-4-hydroxyanilino)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1N(C=1C=CC(O)=CC=1)C1CCCCC1 NAKKQSNAMJYNAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMPGNGRIGSEMTC-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcyclohexyl]phenol Chemical compound C1C(C)CC(C)(C)CC1(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 UMPGNGRIGSEMTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJQWFIFLVKQYKY-UHFFFAOYSA-N 4-butylphenol Chemical compound C(CCC)C1=CC=C(C=C1)O.C(CCC)C1=CC=C(C=C1)O ZJQWFIFLVKQYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N Biguanide Chemical compound NC(N)=NC(N)=N XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADAHGVUHKDNLEB-UHFFFAOYSA-N Bis(2,3-epoxycyclopentyl)ether Chemical compound C1CC2OC2C1OC1CCC2OC21 ADAHGVUHKDNLEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBJFSFSBHGPDPG-UHFFFAOYSA-N C(C(=C)C)(=O)OCCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OCCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC DBJFSFSBHGPDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFCGRMQQWTXSJA-UHFFFAOYSA-N C(C1CO1)OCCCC(C(OOC)(OOC)OOC)CCCCCCCC Chemical compound C(C1CO1)OCCCC(C(OOC)(OOC)OOC)CCCCCCCC IFCGRMQQWTXSJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PITNOCJXHRVGGE-UHFFFAOYSA-N C1=CCC1.C1(C=CC(C=C1)=O)=O Chemical compound C1=CCC1.C1(C=CC(C=C1)=O)=O PITNOCJXHRVGGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHYPBIJEVPHZNP-UHFFFAOYSA-N CO.CO.C1CCC2CCCCC2C1 Chemical compound CO.CO.C1CCC2CCCCC2C1 QHYPBIJEVPHZNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFPALJFHDCKGLD-UHFFFAOYSA-N COCC(C)O.NN Chemical compound COCC(C)O.NN QFPALJFHDCKGLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEZJSDUZQOPFE-UHFFFAOYSA-N Cyclohex-1-enecarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CCCCC1 NMEZJSDUZQOPFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUXIBTJKHLUKBD-UHFFFAOYSA-N Dibutyl succinate Chemical compound CCCCOC(=O)CCC(=O)OCCCC YUXIBTJKHLUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 235000015847 Hesperis matronalis Nutrition 0.000 description 1
- 240000004533 Hesperis matronalis Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical class C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- XEFXMYOITTWWCO-UHFFFAOYSA-N N1C(=CC2=CC=CC=C12)C=1C=C(C=CC1O)C(C)(C)C1=CC(=C(C=C1)O)C=1NC2=CC=CC=C2C1 Chemical compound N1C(=CC2=CC=CC=C12)C=1C=C(C=CC1O)C(C)(C)C1=CC(=C(C=C1)O)C=1NC2=CC=CC=C2C1 XEFXMYOITTWWCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000935974 Paralichthys dentatus Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002675 Polyoxyl Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIYNIOYNNFXGFN-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol;7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylic acid Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1.C1C(C(=O)O)CCC2OC21.C1C(C(=O)O)CCC2OC21 NIYNIOYNNFXGFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBQGPHBMDHUOGB-UHFFFAOYSA-O [CH2-]C(C)=O.CC(N)=[NH2+] Chemical compound [CH2-]C(C)=O.CC(N)=[NH2+] QBQGPHBMDHUOGB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- XOCUXOWLYLLJLV-UHFFFAOYSA-N [O].[S] Chemical compound [O].[S] XOCUXOWLYLLJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical group 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- RIDGBWXFVQBIOJ-UHFFFAOYSA-N azane propan-1-amine Chemical group N.CCCN RIDGBWXFVQBIOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- DJUWPHRCMMMSCV-UHFFFAOYSA-N bis(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl) hexanedioate Chemical compound C1CC2OC2CC1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CC2OC2CC1 DJUWPHRCMMMSCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZKVXGIOYVPICB-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) sulfate Chemical compound C1OC1COS(=O)(=O)OCC1CO1 RZKVXGIOYVPICB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMMDJMWIHPEQSJ-UHFFFAOYSA-N bis[(3-methyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)methyl] hexanedioate Chemical compound C1C2OC2CC(C)C1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CC2OC2CC1C LMMDJMWIHPEQSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- FBSCWAJILZTGOJ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol;2-methylpropan-2-ol Chemical compound CCC(C)O.CC(C)(C)O FBSCWAJILZTGOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- DHZBEENLJMYSHQ-XCVPVQRUSA-N cantharidin Chemical compound C([C@@H]1O2)C[C@@H]2[C@]2(C)[C@@]1(C)C(=O)OC2=O DHZBEENLJMYSHQ-XCVPVQRUSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC=CC1C(O)=O IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;methanol Chemical compound OC.OC.C1CCCCC1 VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSRLTVWPYDTRQR-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;oxirane Chemical compound C1CO1.C1CCCCC1 VSRLTVWPYDTRQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- INSRQEMEVAMETL-UHFFFAOYSA-N decane-1,1-diol Chemical compound CCCCCCCCCC(O)O INSRQEMEVAMETL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 1
- JQTLQMOFVUEIKU-UHFFFAOYSA-M dibutyl(dodecanoyloxy)tin Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)CCCC JQTLQMOFVUEIKU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002097 dibutylsuccinate Drugs 0.000 description 1
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 1
- XESLIEMIJSFBOC-UHFFFAOYSA-N ethene;thiophene Chemical compound C=C.C=1C=CSC=1 XESLIEMIJSFBOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000013020 final formulation Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000004867 fossil resin Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 230000035784 germination Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001867 guaiacol Drugs 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N hydroquinone methyl ether Natural products COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000681 mass spectrometry of recoiled ion Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N methyl-cyclopentane Natural products CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012022 methylating agents Substances 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- COCAUCFPFHUGAA-MGNBDDOMSA-N n-[3-[(1s,7s)-5-amino-4-thia-6-azabicyclo[5.1.0]oct-5-en-7-yl]-4-fluorophenyl]-5-chloropyridine-2-carboxamide Chemical compound C=1C=C(F)C([C@@]23N=C(SCC[C@@H]2C3)N)=CC=1NC(=O)C1=CC=C(Cl)C=N1 COCAUCFPFHUGAA-MGNBDDOMSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N norbornene Chemical compound C1C2CCC1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N propane-1,1-diol Chemical compound CCC(O)O ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000033764 rhythmic process Effects 0.000 description 1
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N salicyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1O CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000009958 sewing Methods 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L succinate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCC([O-])=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CCEKAJIANROZEO-UHFFFAOYSA-N sulfluramid Chemical group CCNS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CCEKAJIANROZEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical class [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004291 sulphur dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000010269 sulphur dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N tetrahydrophthalic acid Natural products OC(=O)C1=C(C(O)=O)CCCC1 UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LBSIDDOMEWFXBT-UHFFFAOYSA-N tridecan-3-ol Chemical compound CCCCCCCCCCC(O)CC LBSIDDOMEWFXBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940072690 valium Drugs 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
- C08L63/10—Epoxy resins modified by unsaturated compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/02—Layer formed of wires, e.g. mesh
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
- Y10T428/31515—As intermediate layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
1379864 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本揭示内容係關於填缝材料中第一可固化樹脂組合物與· 第二可固化助熔樹脂組合物組合之用途。更具體而言,該 第一可固化樹脂組合物包括熱固性樹脂、溶劑及官能化矽 膠。該第二可固化助熔樹脂組合物較佳包括熱固性環氧樹 脂及可選添加物。該最終固化組合物具有低熱膨服係數及 高玻璃轉移溫度。 【先前技術】 鲁 繼續需求更小及更精緻之電子裝置以推進電子工業向著 改良的能夠支持更高輸入/輸出(1/〇)密度及在更小晶粒面 積上具有改良效能之積體電路封裝發展1倒裝片技術已 發展至對此等苛刻需求作出反應時,該倒裝片結構之弱點 係藉由在由於石夕片與基板間熱膨脹係數(cte)失配之熱循 環期間,焊料凸塊經歷之顯著的機械應力。該失配反過來 引起該電子裝置之機械及電子故障。目前,毛細管填縫用 :填充石夕晶片與基板間之間隙且改良焊料凸塊之疲勞壽 叩,然而,基於毛細管殖縫夕制、止士1丨 … s具縫之製造方法引進額外步驟至可 減少產量之該晶片總成方法中。 理想地’填縫樹脂將應用於晶圓載物台以消除與毛細管 填縫相關之製造上的低效率。然巾,使用含有低CTE所需 ==石樹脂存在問題’因為炫化碎石填充劑模糊 用於晶圓切片之指引才# 4 B女I Js , 、 丨‘ 6己且亦干擾焊料迴焊操作間之良好 電連接之形成。因此,在竿b 呆二應用中,需要改良之透明度 97703.doc 1379864 以使得已應用填縫材料之晶圓的切片生效。 此外’在晶圓載物台時填縫樹脂之應用問題為可發生在 將晶片置放於基板上之後的晶片未對準。無構件用於將晶 片固定在基板或裝置上適當位置,該#晶片在迴焊操作 間可移位且變得未對準。該未對準在“總成之傳㈣作 期間尤其普遍。 因此,將需要能夠降低晶片未對準之填縫材料及 方法,該等材料具有低CTE及改良透明度。 、‘u 【發明内容】 馨 本揭示内容係關於兩種樹脂組合物之組 之用途。該第-樹脂組合物係透明㈣含與== 填充劑組合之可固化樹脂。該第一可固化樹脂較佳為芳族 環氧樹脂,其與至少一種選自由下列各物組成之群的額外 組份組合:環脂族環氧單體,脂族環氧單體、羥基芳族化 合物及組合物及其混合物。該第一溶劑改質樹脂一旦形 成’即可應用至晶圓或晶片。較佳地,用於第一樹脂組合馨 物中之樹脂一旦移除溶劑會形成堅硬、透明的3階樹脂: 一旦已形成該B·階樹脂,即準備將該晶片置放於基板上。 第二且獨特的可固化助熔樹脂在置放該晶片前應用於基 板或裝置上。該第二固化助熔組合物較佳為環氧樹脂。添 加助熔樹脂至基板使經塗覆晶片在迴焊期間固定在合適位 . 置,藉而防止在晶片置放與迴焊之間隔期間未對準。在迴 焊期間隨著焊料球助熔性增加形成焊料互連。 用於本揭示内容之第一溶劑改質樹脂及第二可固化助熔 97703.doc 1379864 樹脂之組合一旦固化會形成低CTE、高Tg之熱固樹脂。 【實施方式】 本揭不内容係關於一種用作填縫材料之樹脂材料之組. °本揭示内谷之填縫材料包括兩種樹脂:第一可固化透· 明樹脂組合物及第二可固化助炫樹脂組合物。該第一可固 化樹月曰組5物較佳應用於晶圓載物台時,藉由溶劑移除之 B-階樹脂及該晶圓隨後經受切片《類似操作^製造單個晶 片。然而’在某些實施例中該第一固化樹脂在切片後可應 ‘ 用於單個晶片。該第二可固化助熔樹脂應用於該晶片所應® 用之基板或裝置。第二可固化助炼樹脂將該晶片在迴焊操 作間固定在合適位置,藉而限制該晶片之未對準。 本揭不内容之該等第—可固化樹脂組合物較佳包括至少 一種環氧樹脂之樹脂基質。較佳地,該第一可固化樹脂組 口物包括至)-種芳族環氧樹脂及至少一種環脂族環氧樹 脂、脂族環氧樹脂、羥基芳族化合物或其混合物或組合物^ 該樹脂基質與至少-種溶劑及粒子填充分散液組合。在― 實施例中’該方族環氧樹脂係衍生自紛链清漆甲紛樹脂之 環氧物。在另-實施例中,該粒子填充分散液包含至少一 種官能化石夕藤。該第一可固化樹脂組合物亦可包括一或多 種硬化劑及/或催化劑,連同其它添加劑。該第―可固化樹 脂組合物-旦加熱並移除溶劑會形成透明B_階樹脂(有時 · 本文稱為”溶劑改質樹脂”)。該第—溶劑改質樹脂材料之透 明度尤其用作晶圓級填縫以使得在晶圓切片操作期間可見 晶圓切片記號。 97703.doc 1379864 本揭示内容之該第二可固化助熔樹脂組合物較佳包括至 少一種環氧樹脂之樹脂基質。較佳地,該助熔樹脂為低黏 度液體且包括一種環氧硬化劑。在一實施例中,該第二固 化助熔樹脂包括至少一種官能化矽膠。 兩種樹脂之組合製造填縫材料’其最終可藉由加熱至具 有低熱膨脹係數("CTE”)及高玻璃轉移溫度之固化、堅硬樹 脂來固化。在某些實施例中,該填縫材料可具有自助熔能 力。5亥矽膠填充物基本上均一分佈於整個所揭示組合物 中,且該分佈在室溫下及自第一可固化樹脂中移除溶劑及 任何固化步驟期間保持穩定。 如本文所用之"低熱膨脹係數"係指一種固化總組合物具 有較基礎樹脂的熱膨脹係數更低的熱膨脹係數,其以每攝 氏度每百萬分之一來量測(ppm/〇C 該固化總組合物之熱膨 脹係數通常低於約50 ppm/t:。如本文所用之"固化"係指具 有反應基的總調配物,其中約50%及約1 〇〇%之間的反應基 已反應。如本文所用之"B:階樹脂”係指第二階之熱固性樹 脂,其中樹脂通常為堅硬的且在普通溶劑中可僅具有部分 溶解性。如本文提及之"玻璃轉移溫度"係非晶系材料自硬 態改變至可塑態之溫度。,,固化前總組合物之低黏度"通常 係指在該組合物固化前,25t下該填縫材料之黏度在約5〇 厘泊至約10〇,〇〇〇厘泊範圍吶且'較-佳在約1〇〇〇厘泊至約 20,000厘泊範圍内。如本文所用之"透明的”係指最大混濁百 分率為15%,典型的最大混濁百分率為1〇%;且最典型最大 混濁百分率為3〇/0。如本文所用之"基板,,係指附著晶片之任 97703.doc 1379864 何裝置或組件。 用於第一可固化透明樹脂組合物之合適的樹脂包括(但 不限於)環氧樹脂、聚二甲基矽氧烷樹脂、丙烯酸樹脂、其 它有機官能化聚矽氧烷樹脂、聚醯亞胺樹脂、碳氟樹脂、 苯幷環丁烯樹脂、氟化聚烯丙基醚樹脂、聚醯胺樹脂、聚 亞胺醯胺樹脂、苯酚甲酚樹脂、芳族聚酯樹脂、聚苯醚(ρρΕ) 樹月曰雙馬來醯亞胺二°秦樹脂、氟樹脂及任何其它為熟習 此項技術者已知之聚合系統,其可經受固化至一高度交聯 之熱固材料。("對於普通聚合體,見"Polymer Handb00k”, Br^duf, J. ; Immergut, E.H ; Grulke, Eric A ; Wiley
Interscience Publication > New York» ^ (1999) ; "Polymer
Data Handbook"; Mark, James, 〇xford University Press >
York (1999)。)可固’化熱固性樹脂較佳為環氧樹脂、 丙烯酸樹脂、聚二甲基石夕氧烧樹脂及其它有機官能化聚石夕 巩烷樹脂,其可經由游離基聚合、原子轉移、自由基聚合、 開環聚合、開環複分解聚合、陰離子聚合、陽離子聚合口或 热悉此項技術者已知之任何其它方法形成交聯網狀物。八 適的可固化聚權脂包括(例如)如描述於"chemistr”:
Technology 〇f Silicone" ; Noll, W . \ Academic Press (1968) 中之加成可固化及縮合可固化基質。 , 用於第-樹脂組合物中之該環氧樹脂較佳為包括至少一 種芳族環氧樹脂及至少一種環脂族 體或經基芳族化合物、或上述任何=體1族環氧單 4仕何一種之混合物 脂。該環氧樹脂可進一步包括任何 7具有%氧官能基之有機 97703.doc -10- 1379864 系統或無機系統。當樹脂(包括芳族、脂族及環脂族樹脂) 貫穿描述於說明書及申請專利範圍中時,想像具有該指定 樹脂之部分之特殊指定樹脂或分子。有用的環氧樹脂包括 彼等描述於"Chemistry and Technology of the Epoxy
Resins," B.Ellis (Ed.) Chapman Hall 1993,New York及
Epoxy Resins Chemistry and Technology," C. May及 Y.
Tanaka,Marcel Dekker,NewY〇rk(1972)中之樹脂。環氧樹 脂係可與填充分散液摻合之可固化單體及寡聚物^該環氧 樹脂可包括芳族環氧樹脂或分子中具有兩種或兩種以上環 氧基團之脂環族環氧樹脂。本揭示内容之組合物中之環氧 樹脂較佳具有兩個或兩個以上官能基且更佳為兩至四個官 I基。有用的環氧樹脂亦包括彼等藉由含羥基、羧基或胺 之化合物與表氣醇較佳在㈣€化劑存在下(諸如金屬氣 氧化物’例如氫氧化納)反應來製造之樹脂。亦包括.藉由含 有至少-個且較佳兩個或兩個以上碳碳雙鍵之化合物與過 氧化物(諸如過氧酸)反應製造之環氧樹脂。 、用:糊脂基質之芳族環氧樹脂較佳具有兩個或… 氧:能基’且更佳為兩至四個環氧官能基。添加ti 提供具有較高玻璃轉移溫度(Tg)之樹腊組合物。 ^ f θ之實例包括甲酚-酚醛洋 = 環氧樹脂,-F環氧樹脂、苯_ 樹脂,環氧樹脂、聯苯環氧樹 _ 本壞氧樹脂、多官能環氧樹脂,聯 水甘油基苯基縮水甘油^ 基本及2·缩 —g此方族環氧樹脂之實例包 97703.doc 1379864 括異氰脲酸二縮水甘油酯環氧化物(由Mitsui Chemical製造 之VG3101L)及類似物,及四官能芳族環氧樹脂之實例包括 藉由Ciba Geigy製造之Araldite MT0163,及類似物。在一 · 實施例中’隨本揭示内容使用之較佳環氧樹脂包括甲紛,. 醛清漆環氧樹脂,及衍生自雙酚之環氧樹脂。 多官能環氧單體包括於本揭示内容之第一樹脂組合物 中,其在總組合物量之約1重量%至約7〇重量%範圍内,較 佳在約5重量%至約35重量%的範圍内。在某些情形下調鲁 節環氧樹脂的量以與其它試劑(諸如酚醛清漆樹脂硬化劑) 的莫耳量相對應。 用於本揭示内容之組合物中之環脂族環氧樹脂為此項技 術所熟知,且如本文描述含有至少約一個環脂族基及至少 --個環氧乙烷基之化合物。在一實施例中,較佳為環脂族. 烯烴環氧化物。更佳的環脂族環氧化物為每分子含有約一 個環脂族基及至少兩個環氧乙烷環之化合物。特定實例包 括3-(1,2-環氧乙基)_7·噁二環庚烷、己二酸、雙(7_二噁環己 春 基曱基)S旨、2-(7-噁二環庚_3_基)_螺(1,3_二噁_5,3,_(7)_噁二 環庚烷、3,4-環氧環己烷羧酸曱酯、3_環己烯甲基_3•環己 烯羧酸酯二環氧化物、2_(3,4_環氧)環己基_5,5_螺_(3,4_環氧) 環己胺-間-二噁烷、3,4_環氧環己基烷基_3,4_環氧環己烷羧 酸酯、3,4-環氧基·6_甲基環己基甲基-3,4-環氧基_6_甲基環 · 己烷羧酸酯、環己烷二氧化乙烯、雙(3,4_環氧環己基甲基) 己二酸酯、雙(3,4_環氧_6_甲基環己基甲基)己二酸酯、外_ 外雙(2,3-環氧環戊基)醚、内_外雙(2,3_環氧環戊基)醚、 97703.doc •12· 1379864
滕(2’3·環氧丙氧_己基)丙燒、2,6雙(2,3環氧丙氧基 裱己基-對-二噁垸)、2,6_雙(a環氧丙氧基)降㈤烯、亞 油酸二聚物之二縮水甘油越、二氧化棒樣稀、^•雙Μ 環氧環己基㈣、:氧化:環戊二烯、u•環氧_6·(23環 氧丙氧基)_六氫·4,7^«、對似環氧)環戊基苯基 Ί壤氧丙基越、叩,3-環氧丙氧基)苯基-5,6·環氧六氛 -4,”橋氫萌、鄰_(2,3_環氧)環戍基苯基#環氧丙基 _、1,2-雙(5.(1,2·環氧)_4,7_六氫甲橋氫㉝氧基)乙炫、環戊 稀基苯基縮水甘油驗、環己炫二醇.二縮水甘油_、二氧化 :一婦、二氧化二甲基戊烧、二縮水甘油喊、1,4_丁二醇二 ^水甘油謎、二甘醇二縮水甘油趟及二氧化二戊稀及六氫 本一甲酸二縮水甘油醋。該環脂族環氧樹脂通常為3-環己 烯基甲基-3-環己烯基羧酸酯二環氧化物。
該等環月旨族環氧單體包括於該溶劑改質樹脂組合物中, 其在第-樹脂組合物量之0.3重量%至約! 5重量%的範圍 内’較佳在0.5重量%至約1〇重量%的範圍内。 用於該溶劑改質樹脂'組合物中之脂族環氧樹脂包括含有 ,少—個脂族基的化合物,其包括c4-c2。脂族樹脂或聚乙二 玉醇,型樹脂。該脂族環氧樹脂可為單官能(意即每分子一個 匕氧基)或夕s忐的,意即每分子兩個或兩個以上環氧基。 月_曰族%乳樹脂之實例包括(但不限於)二氧化丁二稀、二氧化 基戊烷、二縮水甘油醚' M•丁二醇二縮水甘油醚、二 ,縮甘及_氧化:戍稀。該等芳族環氧樹脂係 售的(諸如源自Dow之DER 732及DER 736)。 97703.doc -13- 1379864 該脂族環氧單體包括六 總組合物量之g.3重量%至:重^樹脂組合物中,其在 〇 一約圍内’較佳在约 可利用聚矽氧·環氧樹脂且其可為下式:
MaM'bDcD'dTeT*fQg h其中:"…“,“零或正整數’其服從下 '丨之和為1或更大值的限制;其tM具有下式: R 3 S i Ο 】,2, M’具有下式: (Z)R22Si〇1/2, D具有下式: R 2^ΐ〇2/2 ' D'具有下式: (Z)R4Si〇2/2, T具有下式: R5Si03/2, Τ'具有下式: (z)Si〇3/2,, 且Q具有式Si〇4/2,其中各個R1、r2、r3、r4、r5每次獨 立地為氫原子、Cl·22烧基、C!_22烧氧基.、C2-22稀基、C6_丨4 芳基、經C6·22烷基取代之芳基’及基團可鹵化之C6-22芳基 院基’例如’經氟化以含有氟碳化物(諸如Cl 22氟烷基)或可 含有胺基以形成胺烷基(例如胺丙基或胺乙基胺丙基)或可 含有式(CH2CHR6〇)k之聚醚單元,其中R;6為CH3或Η且k在約 97703.doc -14· 1379864 4與20範圍内;且之每次獨立地代表含有環氧基之基團。如 本揭不内容之多種實施例中所用之術語"燒基,,意欲指定為 正鏈烷基、分支烷基兩者、芳烷基及環烷基。正鏈及支鏈. 烷基較佳為含有約丨至12個碳原子範圍内之烷基,且包括如 說明性非限制性實例:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、 第二丁基 '戊基、新戊基及己基。所代表環烷基較佳為含 有約4至約12個環碳原子範圍内之基團。該等環烷基之某些 說明性非限制性實例包括環丁基、環戊基、環己基、甲基 裒己基及環庚基。較佳芳烧基為含有約7及 ^ 圍内之基圏:其包括(但不限嶋、苯丁基、苯= 乙基。用於本發明之各種實施例中之芳基較佳為含有約6 及約14個環碳原子範圍内之基團。該等芳基之說明性非限 制性實例包括苯基、聯苯基及萘基。一種合適的經函化部 分之說明性非限制性實例為3,3,3_三氣丙基。亦涵蓋環氧單 體及低聚物之組合以隨本揭示内容使用。 ▲隨該樹脂使用之合適的溶劑包括(例如士甲氧基·2_丙^ 醇、甲氧基丙醇乙酸醋、乙酸丁醋、甲氧基乙⑽、甲醇、 乙醇、異丙醇.、乙二醇、乙基纖維素溶劑、甲乙酮、環己 ’、苯、甲笨、二甲苯及纖維素溶劑,諸如乙酸乙醋、乙 酸溶纖劑、丁乙酸溶纖劑、卡必醇乙酸g旨及卡必醇乙酸丁 酷。該等溶劑可單獨使用或以兩種或兩種以上成員組合之 形式使用。在一實施例中’隨本揭示内容使用之較佳溶劑 為1 -甲氧基-2 -丙醇。該溶劑以自約5重量%至約7 〇重量〇/。的 含量存在於該溶劑改質樹脂組合物中(較佳心重量%至約 97703.doc 15 1379864 40重量% ’及其間之範圍)。由於添加溶劑,該第—可固化 透明樹脂有時為本文提及之"溶劑改質樹脂"及該等術語可 交換使用。 用於製備本揭示内容之第—樹脂組合物中的改質填充劑 之填充劑較佳林膠,其係在含水或其它溶劑媒f中亞微 型大小梦石(SiQ2)粒子之分散液。該分散液含有至少約 重量%及高達約85重量%之二氧化石夕(Si〇2),且通常在約3〇 重量%至約60$量%之間之二氧切。第—樹脂組合物中石夕 膠的粒徑通常的在約丨納米(11111)與25〇11111間的範圍内,且更 通常在約5 nm與約1〇〇 11111的範圍内,在一實施例中較佳在 約5 nm與約50 nm的範圍内。 在又一實施例中,較佳範圍為自約5〇 nm至約1〇〇 (更佳為自約50 nm至約75 nm間卜該矽膠與有機烷氧矽烷 官能化以形成官能化矽膠,如下所述。 用於官能化石夕膠之有機烧氧石夕烧包括於下式中: (R7)aSi(OR8)“ ’ 其中R7每次獨立地為Cn一價烴基,其視情況進一步與 烯丙酸烷酯、曱基丙烯酸烷酯或環氧基或Cei4芳基或烷基 官能化,R8每次獨立地為Cl_ls—價烴基或氫基且"a"為等於 1至3 (包括)之整數。包括於本揭示内容中之有機烷氧矽烷 較佳為苯基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧 基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三曱氧基矽烷及甲基丙烯醯 氧基丙基三甲氧基矽烷。在一杈佳實施例中,笨基三曱氧 基矽烷可用於官能化矽膠。在又一實施例中,苯基三甲氧 97703.doc ]6 1379864 基石夕烧用於官能化㈣。官能基之組合亦有可能。 通予也該有機炫氧基石夕烧以第一樹脂組合物中石夕谬所 含有的二氧化石夕重量計約〇·5重量%至約6〇重量%之範圍存. 在(較佳自約5重量%至約3 〇重量%)。 石夕膠之g $化可藉由以上述之已添加脂肪醇之重量比將 官能化試劑添加至市售石夕膠之含水分散液來執行。所得組 合物包含官能化石夕勝及本文定義為預分散液之脂肪醇中之 官能化試劑。該脂肪醇可選自(但不限於):異丙醇、第三丁 醇2-丁醇及其組合。脂肪醇的量通常以約j倍及約倍範 圍内之二氧化矽含量存在於含水矽膠預分散液中。 所得有機官能化矽膠可用酸或鹼處理以中和其pH值。酸 或鹼及促進矽烷醇及烷氧矽烷基縮合之其它催化劑亦可用 來幫助官能化方法。該等催化劑包括有機駄酸鹽及有機, 化合物,諸如四丁基酞酸鹽、異丙氧基雙(乙醯丙酮化物) 鈦、一月桂酸二丁基錫或其組合。在某些情況中,穩定劑 諸如4-羥基·2,2,6,6-四曱基六氫吡啶氧基(意即,4羥基讀 TEMPO)可添加至該預分散液中。該所得預分散液通常在約 50 C及約l〇〇°c範圍内加熱約!小時及約12小時範圍内之一 段時間。 . 該經冷卻透明預分散液然後另外處理以形成最終分散 液。視情況可添加可固化單體或寡聚物且視情況更多選自 (但不限於)異丙醇、丨·甲氧基_2_丙醇、乙酸丨_曱氧基_2•丙 酯、甲笨及其組合之脂族溶劑。該官能化矽膠之最終分散 液可用酸或鹼或用離子交換樹脂處理以移除酸性或鹼性雜 97703.doc 17 質。 ▲該最終分散液組合物可手工混和或藉由標準混和裝置 :諸如揉面機、鏈罐式㈣機及行星_機)來混b該等分 ,液組,之摻合可藉由熟習此項技術者使用任何方法以批 1、連續,或半連續之模式執行。 δ g at化矽膠之最終分散液然後在約〇 5托(T〇rr)及約 250托範圍之真空下且在約抓及約14代範圍之溫度下濃 縮、充刀移除任何低沸點組份(諸如溶劑、剩餘水及其組合) 以得到可視情況含有可固化單體之官能化矽膠之透明分散 液’本文提及為最終濃縮分散液。m组份之充分移除 在本文疋義為移除低沸點組份以得到含有約15%至約 的二氧化矽之濃縮矽石分散液。 及第一樹脂組合物之B_階通常在約5〇。匚及約25〇。〇範圍 (更通常在約70°C及約1〇〇1範圍)之溫度下,在約25 mm Hg 及約250 mmHg (且更佳在約1〇〇 mm Hg及約2〇〇 mm Hg)範 圍内之壓力之真空下出現。另外,B階通常在約3〇分鐘至 約5小時(且更通常在約45分鐘至約2 5小時)範圍之時段内 出現。B-階樹脂可視情況在約1〇〇它及約25〇〇c範圍内(更通 常在約15 0 C及約200。(:範圍)之溫度下,在約,45分鐘至約3 小時範圍之時段内出現。 該所得第一樹脂組合物較佳含有作為官能化矽膠之官能 化二氧化石夕。在^ 一情況中,最終組合物中二氧化矽的量 可在最終組合物之約15重量%至8〇重量%(更佳在最終固化 樹脂組合物之約25重量%至約75重量%,且最佳在最終固化 97703.doc 1379864 樹脂組合物之約30重量%至約7〇重量%)的範圍内。該矽膠 填充劑基本上均-分佈於所揭示組合物中’且該分佈在室 溫下保持穩定《如本文利之"均—分佈"意謂*存在任何· 可見的沉激而該分散液為透明的。 在某些實例中,該官能化矽膠之預分散液或最終分散液 可進一步官能化。至少部分移除低沸點組份且接下來,將 與官能化石夕膠之剩餘經基官能基反應之合適的封端劑將與 以存在於預分散液或最終分散液中二氧化石夕量之約〇.〇5倍參 ^約1〇倍範園内的量添加。如本文所用之低沸點組份的部 分移除係指移除至少低沸點組份約1〇%的總量,及較佳至 少低沸點組份約5〇%的總量。 封端劑之有效量封端該官能化矽膠且本文定義封端官能 化矽膠為一種官能化矽膠,其中至少10% (較佳至少20%,- 更佳至少35%)的存在於藉由與封端劑反應已官能化的相應 未封端官能化矽膠之游離羥基。 在某些情況中,封端官能化矽膠藉由改良該樹脂調配物籲 之至溫穩定性有效改良總可固化樹脂調配物之固化。包括 封端的g能化矽膠之調配物較某些情況中類似的調配物 (其中該石夕膠仍未封端)展示更好的室溫穩定性。 例不性封端劑包括諸如甲矽烷化劑的羥基反應性材料。 甲石夕燒化劑之實例包括(但不限於):六甲基二矽氮烷 (DZ)、四曱基二石夕氮烧、二乙嫦'基四甲基二石夕氮烧、二 ’ 四®並 τ暴二矽氮烷、Ν-(三甲基曱矽烷基)二乙胺、1_(三 甲基甲妙燒基)咪嗤、三甲基氣⑪烧、五甲基氣二梦氧烧、 97703.doc -19- 石* 土一矽氡烷及其組合。在一較佳實施例中,六曱基二 石夕乳=用作封端劑。當此分散液已進—步官能化時(例如藉 八,端)至少—種可固化單體以形成最终分散液。該 政液」後在約2〇 c及約140°C範圍内加熱約0.5小時及約 J時範圍内的時段。然後過濾所得混合物。可固化單體 中B能化梦膠之混合物在約Q5把及約25q托範圍内之壓力 下’辰縮以形成最終濃縮分散液。在該方法期間,充分移除 低/弗點纟&諸如溶劑、剩餘水、該封端劑與經基的副產物、 k里封蚝劑及其組合以得到含有自約15%至約矽石的 封端官能化矽膠之分散液。 視If況可添加諸如胺環氧硬化劑、酚系樹脂、羥基芳 矢化α物緩自文針或盼链清漆硬化劑。在某些實施例中, 雙S此化石夕氡烧酸酐可用作環氧硬化劑(視情況與至少一 種前述硬化劑組合卜另外’含有羥基部分之固化催化劑或 有機化合物視情況隨環氧硬化劑添加。 例示性胺環氧硬化劑包括:芳族胺、脂族胺或其組合。 芳族胺包括(例如)間笨二胺、4,4,_二苯胺基曱烷、二胺苯 颯、二胺基二苯醚、甲苯二胺、聯大茴香胺(dianisidene) 及胺的摻合物。脂族胺包括(例如):伸乙胺、環己基二胺、 經烷基取代二胺、薄荷烷二胺、異佛爾酮二胺、及該等芳 族二胺之氫化形式。亦可使用胺環氧硬化劑之組合。胺環 氧硬化劑之例示性實例亦描述於”Chemistry and
Technology of the Epoxy Resins" B. Ellis (Ed.) Chapman Hall,New York,1993。 97703.doc :20- 1379864 例示性酚系樹脂通常包括苯酚·甲醛縮合產物,一般指定 為酚醛清漆或曱酚樹脂。該等樹脂可為不同苯酚與各種莫 耳比率之曱醛的縮合產物。該等酚醛清漆樹脂硬化劑包括 彼等市售之硬化劑(諸如可分別自Arakawa Chemical Industries 及 Schenectady International 購得之 TAMANOL 758或HRJ1583寡聚物樹脂)。盼系樹脂硬化劑之額外實例亦
Ellis (Ed.) Chapman Hall,New York,1993。當該等材料為 _ 用於促進該等環氧調配物固化的添加劑代表時,對於熟習 此項技術者很明顯其它材料諸如(但不限於)胺基甲醛樹脂 亦可用作硬化劑且因此屬於本揭示内容的範圍。 合適的羥基芳族化合物為彼等不干擾本組合物的樹脂基 質之化合物。該等含羥基單體可包括藉由下式代表之羥基 芳族化合物:
0H
其中R1至R5獨立地aq-Cio分枝或鏈狀脂基或芳基或羥 基。該等羥基芳族化合物之實例包括(但不限於):對苯二 酚、間苯二酚、鄰苯二酚、甲基對苯二酚、曱基間苯二酚 及甲基鄰苯二酚。若該羥基芳族化合物存在,則其以自約 97703.doc 21 1379864 0.3重蓋/〇至約15重量%的量存在,且較佳以約〇 至約j〇 重量%的量存在。 例示性酐固化劑通常包括:甲基六氫鄰苯二甲酸酐 (ΜΗΗΡΑ)、甲基四氫鄰苯二甲酸野、u•環己垸二幾酸針、 雙環[2.2.1]庚-5-稀·2,3_二缓酸針、?基雙環[22婦 -2,3-二羧酸酐、鄰苯二甲酸酐、苯四甲酸二酐、六氫鄰苯 二曱酸酐、十二碳烯丁二酸針、二氯馬來酸野、氯菌酸針、 四氯鄰苯二f酸針及其類似物。亦可使用包含至少兩種肝 固化劑之組合。例示性實例描述於”Chemistry ad
Technology of the Epoxy Resins"; B. Ellis (Ed.) Chapman HaU,New York,(1993)及藉由 CA _, 編輯之"Epoxy Resins Chemistry and Techn〇i〇g〆·, 第二版,(1988)中。, ’ 例示性雙官能切氧奸及其製造方法為熟習此項技術 者所知,且包括(例如)揭示於美國專利案第4,542,226及 4,381,396號中之酐。合適的酐包括下式之酐:
V-Si
R, R, 八
0) 其中X可自0至50 (含),較佳x可自〇至1〇 (含)且最佳可自 1至6 (含);其中各個&,及R"每次獨立地4Ci 22烧基、 烷氧基、CM2烯基、(:6·Μ芳基、經C6·22烷基取代之芳基及 97703.doc -22- 1379864 C6·22方基烧基,且其中γ藉由下式代表 R12
其中R9-R15係選自氫、 C( 1-1 3)—價烴基的成員, 有如R9-R15之相同定義。 (2)
_素、P L(l-13)—價烴基及經取代之 且w係選自及CR2.·,其中R具 在某些實施例中該R,及R"可齒化(例如氟化)以提供氣碳 化合物(諸如c,_22敗院基)eR’及R"較佳為甲基、乙基、3 3 3· 三氣丙基或苯基,最佳R,及R,,均為甲S。在本揭示内容中 用作環氧硬化劑之雙官能錢奸可為單個化合物或具有 以Y部分終止的不同長度矽氧烷鏈之寡聚物的混合物。 本揭不内容之該等雙官能矽氧烷酐較佳為下式:
其中X、R及R"如上述式(1)中定義,意即,χ可自〇至5〇 (含),較佳X可自0至10 (含),且更佳χ可自1至6 (含);且各 個R,及R"每次獨立地為Clα烷基、Cia烷氧基、C2 η烯基、 97703.doc •23- 1379864
Ce-u芳基、經C:6·22烷基取代之芳基,及C6·22芳基烷基。在 某些實*&例中,該R'及R"可卤化(例如氟化)以提供諸如Cl 氟烷基之氟碳化物。尺,及尺”較佳為甲基、乙基、3,3,3•三氟. 丙基或苯基,最佳為甲基。如上所述,可使用單個化合物 或可使用具有不同長度矽氧烷鏈之寡聚物的混合物。 在一實施例中’本揭示内容之寡聚石夕氧烧二酐係藉由^ 莫耳1,1,3,3,5,5-六曱基三矽氧烷與2莫耳5_降(葙)烯_2,3_二 叛^酐在卡斯泰特氏(Karstedt's)鉑催化劑(描述於美國專 利案第3,775,442號中的Pt〇與二乙烯基四曱基二矽氧烷之 錯合物)存在下之氫矽烷化作用來合成。在一實施例中, 5,5'-(1,1’3’3,5,5-六甲基_1,5,三矽氧烷二基)雙[六氫_47甲 橋異苯幷呋喃-1,3_二酮]可用作雙官能矽氧烷酐。 可添加以形成環氧調配物文固化催化劑可選自典型的環 氧固化催化劑,其包括(但不限於):胺、經烷基取代之咪唑、 咪唑鏽鹽、膦、諸如乙醯基丙酮酸鋁(Al(acac)3)之金屬鹽、 含氮化合物與酸性化合物之鹽及其組合。含氮化合物包括 (例如):胺化合物、二氮化合物、三氮化合物、多胺化合物 及八、且β &性化合物包括:苯齡、經有機取代之笨紛、 羧酸、磺酸及其組合。較佳催化劑為含氮化合物之鹽。含 氮化合物之鹽包括(例如二氮雙環(5,4,〇)-7-十一烷。該 等含氮化合物之鹽係市售的,刼如,可自Airpr0ducts購得 之P〇lyCat SA-1及Polycat SA-102。較佳催化劑包括三苯膦 (TPP)、N-甲基咪唑(NMI)及土月桂酸二丁基錫(DiBSn)。 用作含羥基部分之有機化合物的實例包括醇類,彳列如二 97703.doc 1379864 元醇、含有一或多個和其夕古 二土 间'弗點院醇及雙紛。該烧醇可 為直鏈、支鏈或環脂族且可含有自2至12個碳原子。該等醇 之實例包括(但不限於):乙二醇、;丙二醇um及 1,3-丙-醇)’ 2,2-二甲基{3·丙二醇;2•乙基、2甲基、n 丙一醇’ 1,3-及1,5·戊二醇;二丙二醇;2_甲基·π戊二醇; 1’6-己二醇、二甲醇十氫萘、二甲醇雙環辛院;κ環己烧 二甲醇及尤其為其順式與反式異構體;三乙二醇;癸 二醇及任何前述之組合。醇類之進—步實例包括3_乙基·% 經甲基-環氧丙烧(可自Dow Chemicals購得之UVR6〇〇〇)及 雙酚。 雙酚之某些例示性、非限制性實例包括藉由美國專利案 第4,217,438號中種類或物質揭示之經二經基取代之芳烴。 經二經基取代之芳族化合物之某些較佳實例包括 4,4'-(3,3,5-三甲基亞環己基)-二酚;2,2_雙(4_羥苯基)丙烷 (通常已知為雙紛A),2,2-雙(4-經苯基)甲院(通常已知為雙 酚?);2,2-雙(4-羥基-3,5-二曱基苯基)丙烷;2,4,_二經基二 苯基甲烷;雙(2-羥苯基)甲烷;雙(4-羥苯基)甲烷;雙(4_羥 基-5-硝基苯)甲烧;雙(4-羥基-2,6-二甲基-3-甲氧基苯基) 甲烧;1,1-雙(4-經苯基)乙烧;1,1-雙(4-輕基·2-氣苯基)乙 烷;2,2·雙(3-苯基-4-羥苳基)丙烷;雙(4-羥苯基)環己基甲 院,2,2 -雙(4 -經苯基)-1-苯基丙烧;2,2,2’,2’ -四氫-3;3,3,3,_ 四曱基,1,-螺二[1H-茚]-6,6’-二醇(SBI) ; 2,2-雙(4-羥基-3-曱 基苯基)丙烷(通常已知為DMBPC);及經C,.13烷基取代之間 苯二酚。最通常2,2-雙(4-羥苯基)丙烷及2,2-雙(4-羥苯基) 97703.doc -25· 1379864 甲坑為較佳的雙酴化合物。含有經基部分之有機化合物的 組合亦可用於本揭示内容中。 亦可添加-種反應性有機稀釋液至總可固化環氧調配物 中以降低該組合物之黏度。反應性稀釋液之實例包括(但不 限於):3-乙基經甲基·環氧丙烧、十二院基縮水甘油謎、 乙稀基·1·環己烧二環氧化物、二(/Η3,4·環氧環己基)乙 基)四甲基一石夕氧烧及其組合。反應性有機稀釋液亦可包括 早g能環氧化物及/或含有至少一個環氧官能基的化合 物。該等稀釋液之代表性實例包括(但不限於)苯I缩水甘油 驗之燒基衍线’例如3.(2_壬基苯氧基環氧丙统或 3-(4-壬基苯氧基)_丨,2_環氧丙烷。可使用之其它的稀釋液包 括苯酚自身及取代苯酚(諸如2_甲基苯酚、4_甲基苯酚、弘 甲基苯酚、2_丁基苯盼、4_丁基苯酚、3•辛基苯酚、心辛基 苯酚、4·第三丁基苯紛、4_苯基苯酚及4_(苯基亞異丙基 酚)之縮水甘油醚。 亦可隨第一可固化樹脂採用助黏劑,例如三烷氧基有機 矽烷(例如,γ-胺基丙基三T氧基矽烷、3_縮水甘油氧基丙 基二f氧基矽烷及雙(,三甲氧基甲矽烷基丙基)反式丁烯二 酸酯)。當該助黏劑存在時,其以有效量添加,通常在總最 終分散液之約0.01重量%至約2重量%的範圍内。 視情況,微米大小之熔化矽石填充劑可添加至該等樹脂 中。當此等熔化矽石填充劑存在時,其以有效量添加以提 供CTE之進一步降低。 阻燃劑可視情況使用於第一可固化樹脂中,其在相對於 97703.doc -26· 1379864 總的最終分散液$ I Μ θ 4 θ 双成之里的約0.5重量%及約2〇重量%的範圍 内Ρ燃劑之實例包括:碟酿胺、鱗酸三苯酿(ΤΡΡ)、間苯 二酴二魏(RDP)、雙H雙璘酸(BpA_Dp)、有機氧化鱗、 函化環氧樹脂(四料叫、金屬氧化物、金屬氫氧化物及 其組合。 尽對於第-可固化樹脂之芳族環氧樹脂,除所描述之該環 氧树月曰基質外’還可組合使用兩種或兩種以上環氧樹脂, 例如,脂軸環氧化物與芳族環氧化物的混合物。該組合 改良透明性及流動性質。較佳使用含有至少一種具有三個 或三個以上宫能基之環氧樹脂的環氧混合物,藉而形成一 種八有低CTE、良好助炼效能及高玻璃轉移溫度之填縫樹 脂。該環氧樹脂除包括至少—種雙官能脂環族環氧化物及 月一t種雙官能芳族環氧化物外,還可包括-種三官能環氧樹 月曰0 本揭示内容之第二可固化助熔樹腊組合物包括至少一種 環氧樹脂之樹脂基質。第二㈣組合物之環氧樹脂可為上 述適用於第一溶劑改質樹脂之任何環氧樹脂或其組合:該 第二可固化㈣樹脂可包括任何上述環氧硬化劑,及任^ 上述適用於溶劑改質樹脂之催化劑、含羥基部分、反應性 有機稀釋液、助黏劑、阻燃劑或其組合。 μ 社呆些貫施例 W,姻妨來乳皁體時,其可包括於 弟一助熔樹脂組合物之樹脂組份中,入曰 樹脂組合物之樹脂組份之約該第二助炫 里/〇至約5〇重量%的範圍 内,較佳在約5重量%至約25重量% 固 97703.doc -27- 1379864 在某些實施例中’當使用環脂族環氧單體時,其可包括 於第二助熔樹脂組合物之樹脂組份中,其含量在該第二助 溶組合物之樹脂組份之約1重量%至約1〇〇重量%的範圍 内’較佳在約25重量。/0至約75重量%的範圍内。 在某些實施例中,當使用芳族環氧單體時,其可包括於 第二助熔樹脂組合物之樹脂組份中,其含量占該第二助熔 組合物之樹脂組份之約1重量%至約1〇〇重量%的範圍内,較 佳在約25重量。/。至約75重量%的範圍内。 在一實施例中,該環氧樹脂可為3-環己烯基甲基_3-環己 巧基羧酸酯二環氧化物(自Dow Chemical c〇購得之 〇5)及又齡_f環氧樹脂(自Res0iuti〇npr〇duct 購得之RSL-1739)之組合物。在另一實施例巾,合適的環氧 樹脂包括3_環己烯基甲基_3_環己烯基羧酸醋二環氧化物與 雙酚-A環氧樹脂(自Res〇luti〇n perf〇rmance Ργ〇^“購得之 RSL-1462)之組合物。亦可‘使用前述之組合物。 在一實施例中,該第二可固化助熔樹脂包括如上述之雙 官能石夕氧絲,在某些情況巾其可與另—環氧硬化劑(諸如 上述之胺環氡硬彳b劑、Μ樹脂、㈣肝或酴搭清漆硬化 劑)組合。在某些實施例中,本揭示内容之雙官能石夕氧炫肝 易與液體羧酸肝混和。該雙官能矽氧烷針可因此與羧酸酐 摻合以形成液體㈣。在料實施例巾,該環氧硬化劑較 佳包括與液體有機肝組合之雙官能石夕氧院野,諸如六氫鄰 苯二曱酸軒、ΜΗΗΡΑ或四氫鄰苯二f酸野,最佳為ΜΗΗρΑ。 當使用雙宫能魏㈣時,其包括於第:可固化助炫樹 97703.doc -28 · 1379864 脂組合物之硬化劑組份中,其含量可在該第二可固化助熔 樹脂組合物之硬化劑組份之約i重量%至約1〇〇重量%的範 圍内,較佳在約10重量%至約9〇重量%的範圍内,最佳在約. 10重量%至约40重量%的範圍内。 - 當使用缓酸野時,其包括於第二可固化助炫樹脂組合物 之硬化劑組份中,其含量可在該組合物之硬化劑組份之約i 重量%至約95重量%的範圍内,較佳在約1〇重量%至約卯重 量%的範圍内且最佳在約6〇重量%至約9〇重量%的範圍内。鲁 該第二助熔樹脂之實例包括3_環己烯基甲基·3_環己烯基 羧酸酯二環氧化物(自Dow Chemical Co·購得之UVR 6105)、雙齡-F環氧樹脂(包括自 Res〇luti〇n perf〇rmance
Product購得之rSL_1739)、MHHpA、包括含氮化合物之鹽 (諸如p〇lycat SA-i(購自Air Pr〇ducts))、及具有含羥基部分 之有機化合物(諸如3_乙基_3_羥基甲基環氧丙烷(自d〇w Chemical Co.購得之UVR 6〇〇〇)的催化劑。在某些實施例 中’雙紛-A環氧樹脂(諸如自Res〇luti〇n perf〇rmance φ
Product購得之RSL_1462)可用作代替雙酚-F樹脂。在其它實 施例中,較佳包括額外雙官醃矽氧烷酐環氧硬化劑,例如 5,5 -(1,1,3,3,5,5-六甲基_1,5,三矽氧烷二基)雙[六氫_4,7-曱 橋異苯幷吱喃-1,3·二酮](TriSDA)。^吏用雙盼環氧樹脂 時,該雙酚樹脂較佳以該樹脂、組合物之約丨重量%至1〇〇重 - 里%(較佳以約25重量%至約75重量%)的範圍存在於第二助 . 炫樹脂之環氧組份中。 . 第可固化助炫樹脂組合物較佳在25〇C下於該組合物 97703.doc -29- 1379864 固化前,具有約50厘泊至約100,〇〇〇厘泊範圍内(更佳在約 1000厘泊至約20,000厘泊範圍)黏度之液體。該第二助熔樹 脂可視情況與粒子填充劑分散液組合,在一實施例中,該 分散液包含至少一種以具有約i nm及約5〇〇 nm範圍,且更 通常在約5 nm及約200 nm範圍之粒徑的上述有機烷氧基矽 垸來官能化之矽膠。 生成本揭示内谷之組合物的方法會導致改良填縫材料。 對於第,容劑改質樹脂組合物,在一實施例中組合物藉由 官能化矽膠來製備以致形成矽膠之穩定濃縮分散液;形成 含有約!5%至約75。树石之官能化㈣之濃縮分散液;推合 匕括至J芳族環氧樹脂之環氧單體視情況與環脂族環氧單 體知知環氧單體,及/或羥基芳族化合物組合及視情況一 或多種添加劑(諸如硬化劑、催化劑或上述之其它添加劑) 與至少一種具有官能化矽膠分散液之溶劑之溶液;及移除 〉谷劑以形成堅硬、透明的B-階樹脂薄膜。 該第二可固化助熔樹脂組合物可類似製備。在一實施例 中’第二可固化助熔樹脂組合物藉由摻合環氧單體與視情 況一或多種添加劑(諸如上述硬化劑、催化劑或其它添加劑) 之溶液來製備。在某些情況中’該第二助熔樹脂包括作為 填充劑之官能化妙膠分散液且以如使用於第—溶劑改質樹 脂之官能切膠分散液之相同方式製備。在其它實施例 中,該第二助炼樹脂不包括作為填充劑之官能化石夕朦分散 液。 固化與第二祕樹脂組合之B•階樹脂薄膜⑽形成㈣ 97703.doc -30- 填縫讨料之低CTE、高Tg之熱固性樹脂。 、藉由此項技術中已知之任何方法達成填缝時,本揭示 内谷之第一樹脂組合物較佳應用$晶圓級填缝。該晶圓級 填f方法包括分散填縫材料於此晶圓上,接著在切片為單 個晶片前,移除溶劑以形成固體、透明的B-階樹脂,其隨 後經由倒裝片類型操作安裝於最終結構上。 ” 該第二可固化助熔樹脂隨後以非流動填縫應用於一基板 上。該方法一般包括第一,在一基板上或半導體裝置上分 散該第二樹脂材料,將用本揭示内容之溶劑改質樹脂塗覆 之倒裝片置玫於該助炫樹脂的頂部,並接著執行焊料凸塊 迖焊操作以同時形成焊點且固化組成填縫材料之該等兩種 樹月曰組合物。該等組合樹脂因此充當晶片與基板間之 材料。 較佳的,本揭示内容之兩種樹脂組合物如下使用。該第 一溶劑改質樹脂應用於晶圓或晶片且如上述固化以形成& 階樹脂1該第-溶劑改質樹脂已應用於晶圓級填縫時, 則其在B-階樹脂形成後經受切片或類似操作以製造單個晶 片0 一旦該等晶片已製備,則將該第二助熔樹脂應用於基板 上。應用該第二助熔樹脂之方法為熟習此項技術者所已 知,且包括用針及印刷來分散。較佳地,本揭示内容之第 二助熔樹脂使用針在組份佔據面積區域中央以打點模式分 散。仔細控制第二助熔樹脂的量以避免已知為"晶片浮動" 現象,其導致分散過量助熔樹脂。用已為B_階之溶劑改質 97703.doc 31 1379864 樹脂塗覆的該倒裝片晶粒使用自動拾放機械置放於分散# ‘ 第二助溶樹脂的頂部。控制此放置力及放置頂部保留㈣ 以最優化循環時間及該方法的產率。 隨後加熱該整個構造以溶化焊球、形成焊料連接處並固· 化與該助炫樹脂組合之1階樹脂。該加熱操作通常在迴焊 爐中之輸送機上執行。該填縫可藉由兩種顯著不同的迴焊 刀佈固化帛为佈係指"高原"分佈’其包括低於該焊料 熔點下之浸潤區。第二分佈(係指"火山"分佈)以怔定的加熱 速率增加抛度直至達到最高溫度。固化循環期間的最大溫 度可在約200 C至約260。。的範圍内。迴焊期間的最大溫度 要取決於該:^料組合物且肯定較焊球炫點高約1代至約 听。該加熱循環在約3至㈣分鐘之間,且最典型的為自 ”勺4至約6分鐘°該填縫在形成焊點後可完全固化或可需要. 1卜的後固化時。視情況後固化可在約⑽。c至約⑽。c範 圍内之溫度τ(最典型的自約Hot至約160。〇於約i小時至 約4小時的時段内發生。 φ 因此使用第一溶劑改質環氧樹脂用於製造B-階樹脂薄 、 一旦與第二助熔樹脂組合,固化兩種樹脂的組合可 用於製URCTE、高Tg之熱固性樹脂。該B階樹脂薄膜之 透明度(自本揭示内容之第一溶劑改質樹脂形成)使其尤其 、用於日曰圓級填縫材料,由於其不模糊用於晶圓切片記號。· 冰在迴焊操作期間,該第二麟樹脂有利地將已應用第- . 洛劑:質樹脂之晶片固定在合適位置。此外(藉由使用本揭 内4之方法)’當該第二’助熔樹脂未充填時,吾人可獲得 97703.doc •32· 1379864 一種自基板至晶片之該等材.TE減少的分級填縫材料。 吾人已驚奇地發現,藉由遵循本揭示内容之方法可獲得 具有高含量官能化矽膠之填縫材料(然而,其藉由目前:法 不可獲得)。另外, 組合的Β-階樹脂薄 高Tg熱固性樹脂。
膜提供良好電連接 間,與第二助熔樹脂 導致固化後低CTE、 如本揭不内容中描述之填縫材料係可分散的且有效用於 裝置中諸如(但不限於):固態裝置及/或電子I置(諸如電腦 或半導體)’或所需之填縫、過度模塑或其組合之任何裝 置。該填縫材料可用於加強通常連接晶片與基板的焊球之 物理、機械及電學特性。所揭示填縫材料展示增強的效能 及有利地降低生產成本尤其在迴焊期間用作第二樹脂最小 化晶片的未對準時。本揭示内容之填縫材料允許該等填縫 材料達到膠點前形成焊點,但該等填縫材料在熱循環結束 時形成固體密封劑。本揭示内容之組合物具有填補約3〇至 約500微米範圍之間隙的能力。 為熟習此項技術者能夠更好的實施本揭示内容,以說明 而非限制的方式來給定下列實例。 實例1 官能化矽膠(FCS)預分散液的製備。官能化矽膠預分散液 藉由組合下列製備:935 g的異丙醇(Aldrich)藉由攪拌緩慢 添加至含有34重量%之20 nm的Si〇2粒子的含水矽膠(Naic〇 1034A,Nalco Chemical Company)中。隨後,將溶於 1〇〇 g 異丙醇之58.5 g苯基三甲氧基.矽烷(PTSKAl^irich)添加至經 97703.doc -33- 1379864 攪拌混合物中。將該混合物然後加熱至80°C達1-2小時以提 供澄清的懸浮液。將所得官能化矽膠之懸浮液在室溫下儲 存。製備具有各種含量的Si02(自10%至30%)之多種分散液 用於實例2中。 實例2 環氧樹脂中官能化矽膠分散液的製備。向2000 ml圓底燒 瓶中饋入540 g實例1中製備的各種預分散液。額外的預分 散液組合物如下表1中所示。然後添加1-曱氧基-2-丙醇(750 g)至各燒瓶中。官能化矽膠所得之分散液在60°C及60 mm Hg下真空汽提以移除約1 L的溶劑。緩慢降低真空度且隨良 好攪動繼續移除溶劑至分散液重量達140 g。苯基官能化之 澄清分散液含有50%之Si02及無沉澱的矽石。此分散液在室 溫下穩定超過三個月。表1中的結果展示需要特定含量的苯 基官能基以製備一種1-曱氧基-2-丙醇中之濃縮、穩定FCS 分散液(分散液1至5)。可在曱氧基丙醇乙酸酯中調節該官能 基的含量以達成澄清、穩定分散液。此調節表示官能基含 量的最優化允許分散液在其它溶劑中製備(分散液6及7)。 表1 FCS分散液之製備 條目# 預分散液組合物 最終分散液濃度 分散液穩定性 (PTS*/100 g Si02) (wt% SiO2)/wt°/0總固體量) (在曱氧基丙醇中) 1 0.02r8m/100g 50% Si02/63°/〇 沉澱 2 0.056 m/lOOg 47% SiO2/60°/〇 沉澱 3 0.13m/100g 53% Si02/66°/〇 穩定、澄清 4 0.13 m/lOOg 60% Si02/75°/〇 穩定、澄清 5 0.19 m/lOOg 50% Si02/63°/〇 穩定、澄清 97703.doc -34- 1379864 (在曱氧基丙醇乙 酸酯中) 6 0.13m/100g 50% Si02/63°/〇 沉澱 7 0.19m/100g 50% Si02/63°/〇 穩定、澄清 *PTS為苯基三甲氧基矽烷。 實例3 環氧樹脂中封端官能化矽膠分散液的製備。將一種組合 5.33 g環氧曱齡紛搭清漆(自Sumitomo Chemical Co.獲得之 ECN 195XL-25)、2.6 g 酚醛清漆硬化劑(自 Arakawa Chemical Industries 獲得之 Tamanol 758)在 3.0 g之 1-甲氧 基-2-丙醇中的溶液在約50°C下加熱。藉由在50°C下攪拌逐 滴添加7.28 g部分之該溶液至10.0 g FCS分散液(參見上述 表1、t条目#3,曱氧基丙醇中之50%的Si02)。冷卻該澄清懸 浮液並藉由攪拌.來添加N-甲基咪唑的催化劑溶液、60毫升 50% w/w在甲氧基丙醇中之溶液。直接使用該澄清溶液以 鑄成特徵化之樹脂薄膜或在-l〇°C下儲存。如陳述於展示最 終樹脂組合物的下表2中,在環氧化物中使用各種含量的不 同催化劑及某些修正來製備其它薄膜。 薄膜藉由在玻璃板上散佈一份環氧矽石分散液來鑄成, 且在設為85°C烘箱中於150 mm Hg真空下移除溶劑。在1-2 小時後,移除玻璃板且薄膜殘餘物:ί系澄清且堅硬的。在某 些情況中,將該乾薄膜在220°C下固化5分鐘接著在160t下 加熱60分鐘。玻璃轉移溫度的量測藉由使用自Perkin Elmer 可購得的DSC進行差示掃描量熱法(Differential Scanning Calorimetry)來獲得。測試該調配物及其Tg陳述於卞表2中6 97703.doc -35- 1379864 表2 矽膠調配物 條 g # 環氧化物 (8)* 硬化劑 溶劑***(g) 催化劑 本氺伞幸 FCS 含量 丰氺伞幸幸 Tg氺幸幸sM6* 1 ECN (3.55) T758 0.73) MeOPrOH(2) TPP(0.12) 10 168 2 ECN (3.55) T758 (1.73) MeOPrOH ⑵ ΤΡΡ (0.06) 10 165 3 ECN (3.55) T758 (1-73) MeOPrOH ⑵ ΝΜΙ(0.015) 10 199 4 ECN (3.55) T758 (1.73) MeOPrOH(2) ΝΜΙ(0.018) 5 180 ^ 5 ECN (3.55) 環氧樹脂 1002F (〇_5) T758 (1.73) MeOPrOH(2) ΤΡΡ (0.06) 10 136 6 ECN (3.55) 環氧樹脂 1002F (0-5) T758 (1.73) MeOPrOH(2) ΝΜΙ(0.03) 10 184 7 ECN (3.55) T758 (1.73) BuAc ⑵ ΤΡΡ (0.12) 5 171 8 ECN (3.55) T758 (1.73) 二甘醇二甲 ϋ(2) ΤΡΡ (0.12) 5 171 9 ECN (3.55) T758 (1.73) BuAc(2) DiBSn (0.12) 5 104
ECN係指自 Sumitomo Chemical Co.可獲得之 E.CN 195XL-25且環氧樹脂 1002F係指自 Resolution Performance Products獲得之寡聚BPA二縮水甘油醚環氧化物。 ^ * * Τ75 8 係指自 Arakawa Chemical Industries獲得之
Tamanol 758。 *** 溶劑為1-曱氧基-2-丙醇(MeOPrOH)、乙酸丁酯 97703.doc -36- 1379864 (BuAc)或甲氡基乙醚(二甘醇二乙醚)。 **** 催化劑為三苯膦(TPP)、N·甲基咪唑(NMI)或二 月桂酸二丁錫(DiBSn)。 FCS量係指描述於實例2中之5〇%之以〇2苯基官 能化矽膠以克計的量。 ****** Tg係指經DSC量測之玻璃轉移溫度(變形的中 點)。 實例4 測定晶圓級填縫(WLU)材料之熱膨脹效能係數。該材料 之10微米薄膜(如實例3製備)鑄成於Teflon厚板(具有尺度 4"><4’4〇.25")上且在40。〇及10〇1111111^下乾燥隔夜以生成澄 清堅硬的薄膜’其隨後在85°C及150 mm Hg下進一步乾燥。 根據實例3之方法固化該薄膜且藉由熱機械分析(TMA)量 測熱膨脹係數(CTE)。使用外科刀片將該等樣品切至4 mm 寬並在TMA上使用薄膜探針量測。 熱機械分析在獲自TA Instruments之TMA 2950 Thermo Mechanical Analyzer上執行。實驗參數設為:〇 p5 N的力、 5.000 g靜重量、在1〇〇 mL/分鐘下氮淨化及2 〇秒/pt抽樣間 隔。將該樣品在30°C下平衡2分鐘,接著以5.〇〇。〇/分鐘勻變 至250.0(TC,平衡2分鐘,隨後以i0.00〇c/分鐘勻變至 0.00°C,平衡2分鐘並接著以5.〇(Tc/分鐘勻變至25〇.〇〇°c。 下表3提供所獲得CTE數據。相對於自相同組合物產生的 薄膜(其中使用5微米熔化矽石),於透明的薄膜上獲得表3 中第二及第三條目的結果。該5微米熔化矽石及該官能化矽 97703.doc -37- 1379864 踢均以50重量%之相同裝載速率時使用。此外,藉由該等 ^充填樹脂之材料(表3,第二及第三條目)展示之CTE的減 (表3,條目1)表示該官能化矽膠有效降低樹脂cTE。 •表3 條目# 低於Tg之CTE (μΐΏ/ιη0〇 高於Tg之CTE (A〇n/m〇C) 未充填樹脂 70 210 表2,條目1 (TPP 含量 〇.〇i5g) 46 123 表3,條目3 _1 含量0.0075 g) 40 108 實例5 , 焊料潤濕及迴焊實驗。執行下列實驗以證明在晶圓級填 縫材料存在下如上述實例製備之焊球的潤濕行為。 A部分: 凸起的倒裝片晶粒用一層源自實例3之實驗填縫材料塗 覆。該填縫塗料含有約30%充足量之溶劑。為排除此溶劑, 將該經塗覆晶片在85。(:及150mm Hg下於真空烘箱中烘 焙。此導致焊料凸塊之尖端曝露且透明Β·階樹脂層塗敷該 晶片的整個活性表面。 Β部分: 為確保該焊料凸塊之潤濕能力不受該Β _階層之存在阻 礙,施加助熔劑薄層於Cu包層FR_4試件(c〇up〇n)(用自
Chemicals購得之以銅層壓玻璃環氧板)。該助熔劑(Kester TSF 6522 Tacfhix)僅施加於該焊料凸塊將與銅表面接觸的 97703.doc •38· 1379864 區域。然後使此總成在Zepher對流迴焊爐(Mannc〇⑻中經 又坦谭。在迴焊後’人I折斷該等晶粒,並檢查在銅表面 之潤濕焊料。已潤濕銅表面之軟焊料保持黏附於該板,表 不在黏結助㈣存在下,潤濕能力不受晶圓級填縫材料之 B -階層阻礙。 C部分: 使用描述於A部分中的方法製備塗覆晶片。將該等晶片組 裝在具有雛菊鏈測試圖之測試板上。所用測試板為自腐 Chemicals靖得之62密耳厚之印4板。該完成墊冶金為 Ni/Au。使用30尺度針尖及EFD人工分配器將黏結助熔劑 (Kester TSF 6522)注射分散於測試板上曝露的墊上。在 MRSI 505自動拾放機器(Newp〇rt/MSRI c〇rp )的幫助下將 該等晶粒置放於板上β此總成隨後在Zepher對流迴焊爐中 經受迴焊》〜2歐姆之電阻讀數(用Fluke萬用表量測)表示該 焊料在晶圓級填縫存在下已潤濕該等墊。附著於用作調節 晶粒及用本揭示内容之組合物塗覆晶粒的Cu墊之該晶片總 成的X-射線分析使用具有micr〇f〇cus χ_射線管之χ·射 線機器來執行^ X-射線分析之結果指示€11墊之焊料潤濕, 其中在迴焊後對於對照物及實驗樹脂,該等焊料凸塊展示 類似的焊球形態。 實例6 官能化矽膠(FCS)預分散液的製備。一種官能化矽膠預分 散液係藉由組合下列步驟製備:藉由在攪拌下緩慢添加 1035 g異丙醇(八1(11^11)至675 g含有2〇_21重量%之5〇 1^的 97703.doc -39· 1379864
Si〇2粒子的含水石夕膠中(Snowtex OL,Nissan Chemical Company)。隨後,添加176 g苯基三甲氧基矽烷 (PTS)(Aldrich)至經攪拌混和物中。然後將該混合物加熱至 80°C達1 -2小時以產生官能化矽膠預分散液,將其在室溫儲 存。 實例7 官能化石夕膠在溶劑中之分散液的製備。向2〇〇〇1111圓底燒 瓶中饋入540 g實例6中製備之各種預分散液。額外的預分 散液組合物展示於下表4中。然後添加1 _甲氧基_2_丙醇(75〇 g)至各燒瓶中。官能化矽膠之所得分散液在6(rc&6〇 Hg下真空汽提以移除約! L的溶劑。緩慢降低真空度且隨良 好攪動繼續移除溶劑至分散液重量達80 g。苯基官能化矽 膠分散液含有50%之Si〇2及無沉澱的矽石。該分散液在室溫 下穩定超過三個月。表4中結果展示為製備甲氧基_2丙醇 中的濃縮的、穩定FCS分散液(分散液1-4、6)需要特定含量 的苯基官能基。包括實例2、表1條目3(列於表4條目6)之組 合物用作比較。 ____ 表 4 條 I最終分散液濃度(大 @# 丄 2 2 4 5 6 預分散液组合物 (PTS/100 g Sj〇2) 0.067 m/100 g 0.0838 m/lOOg 0.134/100 g 0.268 m/100 g 0.134/100 g 0.134/100 g ±1 (wt% SiP2) 47% Si02 - 50 nm 50% Si02- 50 nm 50% SiP2 - 50~ηϊη 50% Si〇2 - 50 nm 47% Si〇2 - 50 nm 50% Si〇2 - 20 nm
97703.doc • 40- 1379864 實例8 環氧樹脂中官能化矽膠分散液的製備。加熱一種組合 5.33 g環氧曱齡·紛搭清漆(自Sumitomo Chemical Co.獲得之 ECN 195XL-25)、2_6 g 給搭清漆硬化劑(自 Arakawa Chemical Industries 獲得之 Tamanol 758)在 3.0 g之 1-甲氧基 -2-丙醇中的溶液至約50°C。藉由在50°C下攪拌來逐滴添加 7.28 g部分之該溶液至10.0 g FCS分散液(見上述表4、條目 #3甲氧基丙醇中之50% Si02)。冷卻該澄清懸浮液及藉由攪 拌來添加60毫升之N-甲基p米°坐在曱氧基丙醇中的50 % w/w 催化劑溶液。直接使用該澄清溶液以鑄成特徵化之樹脂薄 膜或在-10°C下儲存。如陳述於顯示最終樹脂組合物的下表 5中,使用各種量的不同催化劑及環氧化物/硬化劑組合物 及各種FCS分散液之變體來製備其它薄膜。 薄膜藉由在玻璃板上散佈一部分環氧-矽石分散液來鑄 成,並在90°C/200 mm Hg下真、空烘箱中移除溶劑達1小時及 在90°C/100 mm Hg下移除額外一小時。移除該玻璃板且殘 留薄膜為澄清的及固體B-階材料。在某些情況中,該乾薄 膜在220°C下固化5分鐘,接著在160°C下加熱60分鐘。玻璃 轉移溫度量測藉由使用自Perkin Elmer購得之DSC進行差 示掃描量熱法獲得。DSC分析的結果陳述於下表6中。 表5 樣 品 # 填充劑* (Wt % Si02) 環氧化 ^A(g)** 環氧化物 B(g)** 硬化劑 A(g)*** 硬化劑 B(g)*** 甲氧基-丙醇(g) 催化劑 <%>**** 1 0 ECN(5.3) Tamanol (2.6) - 3 0.14 97703.doc -41 · 1379864 (2.6) 2 Denka 40 ECN(5.3) - Tamanol (2.6) - 3 0.14 3 表4, #6(50) ECN(5.3) - Tamanol (2.6) - 3 0.14 4 表4, #6(10) ECN(5.3) - Tamanol (2.6) - 3 0.14 5 表4, #6(15) ECN(5.3) - Tamanol (2.6) - 3 0.14 6 表4, #1(20) ECN(5.3) - Tamanol (2.6) 3 0.14 7 表4, #1(30) ECN(5.3) - Tamanol (2.6) - 3 0.14 8 表4, #1(30) ECN(5.0) UVR6105 (0.475) HRJ (2.6) 3 0.14 9 表4, #1(60) ECN(5.0) UVR6105 (0.475) HRJ (2.6) - 3 0.14 10 表4, #1(50) ECN(4.5) UVR6105 (0.945) HRJ (2.6) 3 0.14 11 表4, #1(50) ECN(4.0) UVR6105 (1.52) HRJ (2.6) 3 0.14 12 表4, #5(10) ECN(4.9) Tamanol (2.4) - 2.7 0.14 13 表4, #5(20) ECN(4.9) - Tamanol (2.4) - 2.7 0.14 14 表4, #5(30) ECN(4.9) - Tamanol (2.4) - 2.7 0.14 15 表4, #5(40) ECN(4.9) - Tamanol (2.4) - 2.7 0.14 16 表4, #5(50) ECN(4.9) Tamanol (2.4) - 2.7 0.14 17 表4, #5(50) ECN (2.2) DER 732 (0.4) Tamanol (1.2) - 1.4 0.14 18 表4, #5(50) ECN (2.2) DER 736 (0.3) Tamanol (1_2) - 1.4 0.14 19 表4, #5(30) ECN(2.8) - Tamanol (1.1) 對苯二 酚(0.5) 1.6 0.14 20 表4, #5(40) ECN(2.4) - Tamanol (0.9) 對苯二 齡(0.5) 1.3 0.14 21 表4, #5(30) ECN(2.8) - Tamanol (1_1) 間苯二 1.6 0.14 97703.doc -42- 酴(0.5) 22 表4, #5(40) ECN(2.4) Tamanol (0.9) 間苯二 酴(0.5) 1.3 0.14 填充劑係指如表4中描述之官能化矽膠形式的最終 調配物中之Si02的重量。如Denka指定之填充劑為自Denka Corporation獲得之5微米炼化石夕石填充劑(FB-5LDX)。 * * ECN 係指自 Sumitomo Chemical Co.獲得之 ESCN 195XL-25。環氧化物 B 為 UVR6105、自 Dow Chemical Co. 獲得之3-環己烯基甲基-3-環己烯基羧酸酯二環氧化物。 DER 732為一種自Dow Chemical Co.獲得之聚乙二醇二環 氧化物。DER 736為一種自 Dow Chemical Co·獲得之聚乙 二醇二環氧化物。 * * * 硬化劑為分別自 Arakawa Chemical Industries 及 Schenectady International獲得之 Tamanol 758 或 HRJ1583寡 聚樹脂或購自Aldrich Chemical之單體對苯二酚或間苯二 紛0 * * * *催化劑(N-甲基咪唑)裝載係基於溶劑外之有機組 份。 實例9 5 0 nm官能化矽膠調配物的流動效能。含有鉛共熔焊球之 樹脂薄膜係藉由將表5中描述之樹脂組合物薄膜鑄成於載 玻片上來製備。藉由壓縮兩載玻片於一起將鉛共熔焊球(25 密耳直徑,mp 183°C )置放於此薄膜上以確保該等球浸於該 樹脂薄膜中。然後在90°C/200 mm爐中加熱該等總成1小時 且在90°C/100 mm下加熱額外一小時以移除所有溶劑且轉 97703.doc • 43· 1379864 化該樹脂薄膜為堅硬的、具有植入焊球之B-階薄膜。當該 等薄膜冷卻至環境溫度時,其一般為如表6中所示之堅硬。 樹脂流動性及助熔能力之測試藉由將該載玻片置放於已置 放一滴Kester助熔劑之銅墊FR-4電路板(自Northrup Grumman的Kester分區獲得之產品TSF-6522)上來執行。安 置該載玻片以使該焊球/樹脂薄膜與該助熔劑接觸。隨後將 該整個總成置放於保持在230°C-240°C之熱板上。若此焊球 一起展示塌陷及流動,則認為流動及助熔效能良好。相反, 具有較差流動及助熔特徵之樹脂阻止焊球塌陷及最初焊球 形態明顯可見。使焊球能夠熔化及塌陷之良好流動及助熔 效能被認為是裝置中良好電連接形成之關鍵且上述之測試 為製造裝置中使用的量測法。 總結於表6中之結果指示具有充分改良的透明度之薄膜 可相對於基於習知的5微米填充劑(條目2),用50 nm官能化 矽膠(條目6,7及12-16)製備,雖然可接受之透明度的該等 薄膜不如基於20 nm官能化矽膠之組合物(條目3-5)澄清。然 而,出乎意料的,添加少量的環脂族環氧單體(UVR6105), 即使在50 nm官能化矽膠(條目8-11)高負載時,可得到具有 極好透明度的薄膜。此外,條目8-11之結果展示該薄膜硬 度在超過UVR 6105級別的範圍下保存。 表6 樣品# 材料 Tg* B-階 ** 透明度*** 焊球塌陷**** 1 表5,#1 190 硬 澄清 完全(極好) 2 表 5,#2 193 硬 不透明 完全(極好) 3 表5,#3 184 硬 澄清 未塌陷,很差 4 表 5,#4 185 硬 澄清 完全(極好) 97703.doc -44- 1379864 5 表5 ’ #5 - 硬 澄清 邊緣,差 6 表5,#6 - 硬 半透明 完全(極好) 7 表5,#7 180 硬 半透明 邊緣,可接受 8 表5,#8 158 硬 澄清 完全(極好) 9 表5,#9 153 硬 澄清 完全(極好) 10 表5,#10 160 硬 澄清 完全(極好) 11 表5,#11 157 黏 澄清 完全(極好) 12 表5,#12 183 硬 半透明 完全(極好) 13 表5,#13 183 硬 半透明 完全(極好) 14 表5,#14 187 硬 半透明 完全(極好) 15 表5,#15 190 硬 半透明 邊緣,可接受的 16 表5,#16 203 硬 半透明 邊緣,差 17 表5,#17 163 硬 半透明 完全(極好) 18 表5,#18 171 硬 半透明 完全(極好) 19 表5,#19 183 硬 半透明 完全(極好) 20 表5,#20 180 硬 半透明 完全(極好) 21 表5,#21 177 硬 半透明 完全(極好) 22 表5,#22 160 硬 半透明 完全(極好) 97703.doc 45· 1379864 2)仔到更低CTE同時保;^極好的焊球塌陷但導致了晶圓切 片操作所需之透明度的損失。使㈣咖填充系統得到極好 的透明度但導致(與制5微料錢比較)填域裝載時如 不可接夂的較差焊球塌陷(條目3)顯示的流動性降低。在 10% Si〇22〇 nm填充劑但不大於15% Si〇2 2〇 nm填充劑(分 別為條目3及4)時觀察良好的焊球塌陷^使用5()⑽填充劑 (表4 ’條目6及7)如在高達3〇重量%的填充劑時良好焊球塌 陷展示之流動性的實質性增加。此外,添加環脂族環氧樹 脂至調配物中提供與添加脂族環氧樹脂(分別為表6,條目 8-11及17-18)獲得之流動性之實質性增益以及更好薄膜透 明度的類似結果。此外,用5〇 nm填充劑及單體硬化劑(包 括某些二羥基化合物(表6,條目19-22))之組合來實現流動 性上之類似改良。 實例10 雙官能化矽氧烷酐的製備。在配備有機械攪拌器、溫度 計、冷凝器、添加漏斗及氮氣進口之5〇〇毫升(ml)燒瓶中饋 入127克(0.77 mol)5-降(葙)烯·2,3-二羧酸酐、150克甲苯及 20 ppm鉑,例如卡爾施泰特(Karstedt)催化劑(意即,一種如 美國專利案第3,775,442號中揭示之pt0與二乙烯基四甲基 二矽氧烷的錯合物)。將該溶液加熱至8〇〇c,此時逐滴添加 84.3克(0.4 mol)的1,1,3,3,5,5-六曱基三矽氧烷至反應混合 物中。發生中度的放熱且溫度上升至l〇〇〇c。1小時内完成 添加石夕烧。將該反應混合物在8〇°C下攪拌額外一小時。使 用 Avatar 370 FT-IR (購自 Thermo Electron Corporation)進行 97703.doc -46 · 1379864 紅外(IR)分析;該等結果展示Si-H基團75%的轉化率。添加 額外的20 ppm韵催化劑且將反應混合物加熱至80°C,在氮 下攪拌隔夜。第二天早上,再次進行IR分析,結果展示超 過99%的Si-H消耗率。此時,將反應混合物冷卻至室溫。 然後將該經冷卻反應混合物與300 ml己烷混合。觀測到 白色粉末沉澱。該固體材料藉由過濾來分離且在50°C真空 烘箱中乾燥以提供180克所需之雙官能矽氧烷酐。使用400 MHz Bruker Avance 400執行1Η、29Si NMR ,其證實酐的結 構及純度。 實例11 官能化矽膠預分散液的製備。官能化矽膠預分散液使用 下列程序來製備。藉由攪拌將含有約34重量%之20 nm矽石 的 465 克含水碎膠(Nalco 1034A, Nalco Chemical Company) 與800克異丙醇(Aldrich)及56.5克苯基三甲氧基矽烷混合 (Aldrich)。將該混合物加熱至60-70°C達2小時以得到澄清懸 浮液。將所得預分散液冷卻至室溫且在玻璃瓶中儲存。 實例12 含有穩定的官能化矽膠之樹脂的製備。在1 〇〇〇毫升(ml) 燒瓶中饋入300克自實例11之矽膠預分散液,150克1-曱氧 基-2-丙醇(Aldrich)作為溶劑及0.5克交聯聚乙烯基吡啶。將 該混合物在70°C下攪拌。一小時後將該懸浮液與4克Celite® 545( —種市售之矽藻土過濾助劑)摻合,冷卻至室溫並過 濾。將所得官能化矽膠的分散液與30克3,4·環氧環己基曱基 -3,4-環氧環己烧叛酸酯(源自Dow Chemical Company之 97703.doc •47- 1379864 UVR6105)及丨〇克雙酚-F環氧樹脂(源自Resolution
Performance Product之 RSL-1739)摻合且在 75t:l托下真空 汽提至恆重以得到88.7克黏性液體樹脂。 實例13 環氧助熔劑組合物的製備。在室溫下將5克實例12之官能 化石夕膠樹脂與1.56克4-甲基-六氫鄰苯二甲酸酐 (MHHPA)(源自 Aldrich)及 1.56 g 5,5,-(1,1,3,3,5,5-六甲基 .·1,5’三矽氧烷二基)雙[六氫_4,7·曱橋異苯幷呋喃·丨,3·二 洞](TriSDA)(實例1〇之雙官能矽氧烷酐產物)、〇 〇1克催化 劑(源自Air Products之P〇lycat SA-1)摻合併在室溫下添加 0.07克γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(Ge聚矽氧p將該 等調配物在室溫下摻合大約1 〇分鐘,這段時間後,該等調 配物在高真空下於室溫下抽氣2〇分鐘。將所得物質儲存在 -40°C 下。 實例14 晶片塗覆程序。矽晶粒及石英晶粒用上述實例3之表2、 條目9之晶圓級填縫材料塗覆。該石夕晶粒係以$密耳間距, 氣化物鈍化法自購自Delphi Delco Electronics之晶圓切割 之周邊陣列PB08。該石英晶粒為周邊陣列,8密耳間距,自 購自Practical Components之晶圓切割。該填縫材料使用掩 蔽裝置印於個別晶粒上以致覆蓋該等焊球的頂部。藉由將 該塗覆晶粒置放於真空烘箱中執行B-階方法以致該晶粒經 受95°C之表面溫度且在200 mm Hg真空下經受一小時,接著 在100 mm Hg下經受另一小時。隨後自烘箱移除該晶粒且冷 97703.doc -48· 1379864 卻至室溫。 銅塾FR4板(購自MG Chemicals)藉由180粗砂紙打磨洗 淨,接著用異丙醇及無塵布(lint free cl〇th)徹底洗淨。檢查 兩種不同的助熔樹脂》在各種情況中將助熔劑之中心點分 散使用EFD 1000序列分配器應用至清潔板上接著取代該石 英塗覆晶粒。隨後此測試總成使用典型的迴焊分佈通過 Zepher對流迴焊爐:最大溫度上升斜率為^它/秒;i3〇cc 及16〇t間之時間為53秒;超出16(rc之溫度上升時間為l2〇 秒,160C至183°C之時間為74秒;及高於183〇c之時間為7〇 秒,最高溫度為216。(:,接著以每秒25它降低溫度。 製備三晶片/板總成^對於第一總成,黏結助熔劑(Kester TSF 6522 Tacflux)分散在FR4銅墊板上及用作助熔劑。然後 將上述實例3之表2、條目9中用晶圓級填縫組合物塗覆之石 英晶粒應縣祕樹脂且經受料。科後此總成之檢查 顯示廣闊的、不可接受的空隙,雖然注意到良好的焊料潤
對於第二總成,上述實例13之助炫樹脂分散於刚銅塾板 上。然後將上述實例3之表2,條目9中用晶圓級填縫材料塗 覆之石英晶粒應用至助㈣脂且經受迴焊。迴焊後此總成 之檢查展示無空隙並證實了極好的黏著力。 ;第一,·息成’上述實例13之助熔樹脂分散於FR4銅墊 上。然後將用上述實例3之表2、條目9中晶圓級填縫組合 ^覆之碎晶粒應用於該㈣樹脂及經受料之該總成。 焊後此總成之檢查證明極好的黏著力。移除該晶粒顯示 97703.doc •49- =!:該實例證實在生產B-階樹脂薄膜中使用溶劍改 Μ樹腊與第二助料腊之組合以生成無空隙 '高黏 者力、導電晶片總成之益處。 雖然本揭示内容之較佳及其它實施Μ已描述於本文中, 但是不脫離如下列申請專利範圍所定義之揭示範圍,熟習 此項技術者可認識到其它實施例。 97703.doc 50·
Claims (1)
- 申請專利範圍 第093137508號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(1〇1㈡q) 々洋6月!5日修_正本 一種填縫組合物,其包含 第一可固化透明樹脂組合物,其包含芳族環氧樹脂, 其與溶劑、官能化矽膠分散液及至少一種其它組份組 合,該其它組份選自由下列各物組成之群:環脂族環氧 單體、脂族環氧單體、羥基芳族化合物及其組合及混合 物;及 第二可固化助熔組合物,其包含至少一種環氧樹脂。 2·如凊求項1之填縫組合物,其中該矽膠具有約2〇 nm至約 100 nm間之粒徑。 3.如明求項1之填縫組合物,其中該至少一種溶劑係選自由 下列各物組成之群:1-甲氧基-2-丙醇、乙酸丁酯、曱氧 基乙醚、甲氧基丙醇乙酸酯及曱醇。 項组合物’其中該第二可固化助溶組合物 匕3至》一種環氧硬化劑’其選自由下列各物組 、 胺環氧硬化劑、酚系樹脂、羧酸-酐、酚醛清漆 硬化劑及雙官Μ氧院奸。 5..如請求項4之填縫組合物其 含式(3)之雙官能矽氧烷酐: 中該至少一種環氧硬化劑包97703-1010620.doc 、中X係自0至50 (含),且各個r>r"係獨立地選自由 下列各基組成之群:Cl.22垸基、c丨讀氧基、稀基、 6.基、經一烧基取代之芳基,及^芳基炫基。 5、項1之填縫組合物,其中該第二可固化助炫組合物 進-步包含經至少-種有機燒氧㈣官能化之㈣分散 液0 7· 一種固態裝置,其包含: 一晶片; 一基板;及 該晶片及該基板間之填縫組合物,其包含第一可固化 透明樹脂組合物’該組合物包含至少—種芳族環氧樹 脂,其與至少-種溶劑、具有約5。細至約⑽nm之粒徑 之官能切膠分散液,及至少一種額外組份組合,額外 組份選自由下列各物組成之群•·環脂族環氧單體、脂族 裱氧單體、羥基芳族化合物及組合物及其混合物;及 第一可固化助熔組合物,其包含至少一種環氧樹脂, 其與至少一種環氧硬化劑組合該硬化劑包含式(3)之雙 官能矽氧烷酐環氧硬化劑: (3)97703-I010620.doc -2· 1379864 其中X係自0至50 (含)’及各個以與尺,,獨立地選自由下 列各物組成之群:c丨α烷基、c丨a烷氧基、Cm稀基' C6-M芳基、經C0·22烷基取代之芳基及c022芳基院基。 8. 一種製造固態裝置之方法,其包含: 將第一可固化透明樹脂組合物施加於晶片以製造一塗 覆晶片,該組合物包含芳族環氧樹脂,其與溶劑、宫能 化矽膠分散液及至少一種其它組份組合,其它組分選自 由下列各物組成之群:環脂族環氧單體、脂族環氧單體、 經基芳族化合物及組合物及其混合物; 將第二可固化助熔組合物施加於一基板,該組合物包 含至少一種環氧樹脂,其與至少一種環氧硬化劑組合; 將該塗覆晶片置放於已施加助熔組合物之該基板之一 部分上;及 固化該第可固化透明樹脂組合物及第二可固化助溶 組合物以形成填縫組合物。 9. 如。月求項8之方法’其中該施加該第一可固化透明樹脂組 σ物之步驟進一步包含移除該溶劑以在該晶片上形成堅 硬、透明的Β-階樹脂薄膜。 10. 如4求項8之方法’其中該施加該第二可固化助溶組合物 於該基板上之步驟進一步包含施加環氧樹脂其與至少 種包含式(3)之雙官能石夕氧坑肝之環氧硬化劑 組合: 97703-l010620.doc -3- (3)1379864其中X係自0至50 (含),且各個R'與R"獨立地選自由下 列各物組成之群:Ci.22烧基、Ci.22烧氧基、C2-22稀基、 C6-i4芳基、經C6-22烷基取代之芳基及C6_22芳基烷基。97703-1010620.doc -4 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/736,946 US7022410B2 (en) | 2003-12-16 | 2003-12-16 | Combinations of resin compositions and methods of use thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200533714A TW200533714A (en) | 2005-10-16 |
TWI379864B true TWI379864B (en) | 2012-12-21 |
Family
ID=34653979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW93137508A TWI379864B (en) | 2003-12-16 | 2004-12-03 | Combinations of resin compositions and methods of use thereof |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7022410B2 (zh) |
EP (1) | EP1697985B1 (zh) |
JP (1) | JP5096744B2 (zh) |
KR (1) | KR101152073B1 (zh) |
CN (1) | CN100543082C (zh) |
DE (1) | DE602004005753T2 (zh) |
MY (1) | MY138890A (zh) |
TW (1) | TWI379864B (zh) |
WO (1) | WO2005062369A1 (zh) |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050170188A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-08-04 | General Electric Company | Resin compositions and methods of use thereof |
US20060147719A1 (en) * | 2002-11-22 | 2006-07-06 | Slawomir Rubinsztajn | Curable composition, underfill, and method |
US20050181214A1 (en) * | 2002-11-22 | 2005-08-18 | John Robert Campbell | Curable epoxy compositions, methods and articles made therefrom |
US20050266263A1 (en) * | 2002-11-22 | 2005-12-01 | General Electric Company | Refractory solid, adhesive composition, and device, and associated method |
US20050014313A1 (en) * | 2003-03-26 | 2005-01-20 | Workman Derek B. | Underfill method |
US7279223B2 (en) * | 2003-12-16 | 2007-10-09 | General Electric Company | Underfill composition and packaged solid state device |
DE102004002178A1 (de) * | 2004-01-15 | 2005-08-11 | Ivoclar Vivadent Ag | Dentalmeterialien auf der Basis von RÖMP-Kompositen |
CN101005917A (zh) * | 2004-08-25 | 2007-07-25 | 松下电器产业株式会社 | 焊料组合物、利用焊接的连接方法和利用焊接的连接结构 |
DE102005002960A1 (de) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Kompositzusammensetzung für mikrogemusterte Schichten mit hohem Relaxationsvermögen, hoher chemischer Beständigkeit und mechanischer Stabilität |
US7446136B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-11-04 | Momentive Performance Materials Inc. | Method for producing cure system, adhesive system, and electronic device |
US7405246B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-07-29 | Momentive Performance Materials Inc. | Cure system, adhesive system, electronic device |
US10041176B2 (en) | 2005-04-07 | 2018-08-07 | Momentive Performance Materials Inc. | No-rinse pretreatment methods and compositions |
US20060251901A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Armstrong Sean E | Curable composition and substrates possessing protective layer obtained therefrom |
EP1966306A4 (en) | 2005-10-25 | 2011-12-14 | Henkel Corp | LOW EXOTHERMIC THERMOSETTING RESIN COMPOSITIONS USEFUL AS LOW-BULK MATERIALS WITH REPLACEMENT CAPABILITY |
US20070212556A1 (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Musa Osama M | Curable materials containing siloxane |
US7682879B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-23 | Seagate Technology Llc | Edge coating a microelectronic device |
US20070299165A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Gelcore Llc | Phenyl-containing silicone epoxy formulations useful as encapsulants for LED applications |
DE102006033280A1 (de) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Kompositzusammensetzung für mikrostrukturierte Schichten |
JP5307714B2 (ja) | 2006-07-31 | 2013-10-02 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 硬化性エポキシ樹脂系粘着組成物 |
US7498197B2 (en) * | 2006-09-13 | 2009-03-03 | Delphi Technologies, Inc. | Silica nanoparticles thermoset resin compositions |
CN101547990B (zh) | 2006-10-06 | 2012-09-05 | 汉高股份及两合公司 | 可泵送的耐洗掉的环氧膏状粘合剂 |
US20080160317A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Deborah Ann Haitko | Optoelectronic device |
US7977155B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-07-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer-level flip-chip assembly methods |
TW200923006A (en) | 2007-07-11 | 2009-06-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | Liquid epoxy resin forming formulation containing inorganic particles |
KR100983097B1 (ko) * | 2007-11-28 | 2010-09-17 | (주)에버텍엔터프라이즈 | 내습성 및 흐름성이 우수한 언더필용 하이브리드 에폭시조성물 |
US20100305237A1 (en) * | 2007-11-29 | 2010-12-02 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silica-containing epoxy curing agent and cured epoxy resin product |
JP5543063B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-07-09 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置の製造方法 |
EP2260512A4 (en) * | 2008-03-19 | 2016-04-06 | Henkel Ltd | METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR SEALING OR CIRCUIT ASSEMBLY USING A FLUX REFILLING COMPOSITION APPLIED TO SOLDERING CONTACT POINTS IN A PERMANENT PROCESSING |
EP2559533B1 (en) * | 2008-09-26 | 2020-04-15 | United Technologies Corporation | Casting |
JP5574111B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2014-08-20 | 日産化学工業株式会社 | シリカ粒子を含有する重合性有機化合物の組成物の製造方法 |
US8901207B2 (en) | 2009-01-29 | 2014-12-02 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Adhesive for electronic components |
WO2010095329A1 (ja) | 2009-02-18 | 2010-08-26 | 日立化成工業株式会社 | 新規な液状テトラカルボン酸二無水物及びその製造方法 |
JP2010189553A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
US8080287B2 (en) * | 2009-03-31 | 2011-12-20 | Ppg Industries Ohio, Inc | Low temperature curable coating compositions, related methods and coated substrates |
US20110122590A1 (en) * | 2009-11-23 | 2011-05-26 | Dow Global Technologies Inc. | Epoxy resin formulations for underfill applications |
US8698320B2 (en) * | 2009-12-07 | 2014-04-15 | Henkel IP & Holding GmbH | Curable resin compositions useful as underfill sealants for use with low-k dielectric-containing semiconductor devices |
CN103038272A (zh) * | 2010-06-25 | 2013-04-10 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 可固化环氧树脂组合物和由其制造的复合材料 |
US8070046B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Amine flux composition and method of soldering |
US8070043B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Curable flux composition and method of soldering |
US8070047B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Flux composition and method of soldering |
US8070045B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Curable amine flux composition and method of soldering |
US8070044B1 (en) * | 2010-12-02 | 2011-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Polyamine flux composition and method of soldering |
KR101518104B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2015-05-06 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
WO2013012587A2 (en) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor package resin composition and usage method thereof |
US8430294B2 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Amine, carboxylic acid flux composition and method of soldering |
US8430295B2 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Curable flux composition and method of soldering |
US8434666B2 (en) | 2011-09-30 | 2013-05-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Flux composition and method of soldering |
US8430293B2 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Curable amine, carboxylic acid flux composition and method of soldering |
US8434667B2 (en) | 2011-09-30 | 2013-05-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Polyamine, carboxylic acid flux composition and method of soldering |
CN102503970B (zh) * | 2011-10-13 | 2014-01-08 | 复旦大学 | 含有硅氧烷及酰亚胺结构的苯并环丁烯单体及合成方法与应用 |
KR20130059291A (ko) | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 언더필재 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US8813824B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-08-26 | Mikro Systems, Inc. | Systems, devices, and/or methods for producing holes |
JP5627619B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2014-11-19 | Towa株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止体の製造方法 |
JP5644831B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2014-12-24 | 日立化成株式会社 | リフレクターの製造方法及びled装置 |
JP2014091744A (ja) | 2012-10-31 | 2014-05-19 | 3M Innovative Properties Co | アンダーフィル組成物、半導体装置およびその製造方法 |
GB2514139A (en) | 2013-05-14 | 2014-11-19 | Aghababaie Lin & Co Ltd | Apparatus for fabrication of three dimensional objects |
US9441070B2 (en) | 2013-09-11 | 2016-09-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Divinylarene dioxide compositions having reduced volatility |
CN104952839B (zh) * | 2014-03-28 | 2018-05-04 | 恒劲科技股份有限公司 | 封装装置及其制作方法 |
US10166725B2 (en) | 2014-09-08 | 2019-01-01 | Holo, Inc. | Three dimensional printing adhesion reduction using photoinhibition |
DE102015113352A1 (de) * | 2014-09-23 | 2016-03-24 | Fischerwerke Gmbh & Co. Kg | Befestigungssysteme mit feinteiligen Füllstoffen |
CN105482513B (zh) * | 2014-10-11 | 2017-12-26 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 油墨用玻璃粉和颜料的改性分散方法及耐高温油墨 |
MX2017010654A (es) | 2015-02-19 | 2019-01-30 | Lixte Biotechnology Inc | Oxabicicloheptanos y oxabicicloheptenos para el tratamiento de trastornos depresivos y de estres. |
US11141919B2 (en) | 2015-12-09 | 2021-10-12 | Holo, Inc. | Multi-material stereolithographic three dimensional printing |
US10935891B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-02 | Holo, Inc. | Multi wavelength stereolithography hardware configurations |
GB2564956B (en) | 2017-05-15 | 2020-04-29 | Holo Inc | Viscous film three-dimensional printing systems and methods |
US10245785B2 (en) | 2017-06-16 | 2019-04-02 | Holo, Inc. | Methods for stereolithography three-dimensional printing |
CN111655775A (zh) | 2017-12-01 | 2020-09-11 | 加利福尼亚大学董事会 | 基于石墨烯的导电粘合剂的方法及其应用 |
TWI654218B (zh) | 2018-01-08 | 2019-03-21 | 財團法人工業技術研究院 | 樹脂組合物與導熱材料的形成方法 |
EP3902659A4 (en) | 2018-12-26 | 2022-09-07 | Holo, Inc. | SENSORS FOR THREE-DIMENSIONAL PRESSURE SYSTEMS AND PROCESSES |
CN114481219B (zh) * | 2021-11-17 | 2023-11-21 | 赤峰金通铜业有限公司 | 一种铜电解精炼用复配添加剂 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0625248B2 (ja) * | 1989-08-22 | 1994-04-06 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
JP3098663B2 (ja) * | 1993-09-28 | 2000-10-16 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物およびその製法 |
DE1025587T1 (de) * | 1997-07-21 | 2001-02-08 | Aguila Technologies Inc | Halbleiter-flipchippackung und herstellungsverfahren dafür |
US6335571B1 (en) * | 1997-07-21 | 2002-01-01 | Miguel Albert Capote | Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof |
US6399426B1 (en) * | 1998-07-21 | 2002-06-04 | Miguel Albert Capote | Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof |
WO2002058108A2 (en) * | 2000-11-14 | 2002-07-25 | Henkel Loctite Corporation | Wafer applied fluxing and underfill material, and layered electronic assemblies manufactured therewith |
US6458472B1 (en) * | 2001-01-08 | 2002-10-01 | Henkel Loctite Corporation | Fluxing underfill compositions |
US6833629B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-12-21 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Dual cure B-stageable underfill for wafer level |
US20030164555A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Tong Quinn K. | B-stageable underfill encapsulant and method for its application |
US7037399B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-05-02 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Underfill encapsulant for wafer packaging and method for its application |
US20050049334A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-03-03 | Slawomir Rubinsztain | Solvent-modified resin system containing filler that has high Tg, transparency and good reliability in wafer level underfill applications |
JP3897303B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2007-03-22 | 住友ベークライト株式会社 | 一液型エポキシ樹脂組成物 |
BRPI0413780A (pt) * | 2003-09-03 | 2006-10-31 | Gen Electric | composições de resina de solvente modificada e método de uso das mesmas |
-
2003
- 2003-12-16 US US10/736,946 patent/US7022410B2/en active Active
-
2004
- 2004-11-12 WO PCT/US2004/037872 patent/WO2005062369A1/en active IP Right Grant
- 2004-11-12 CN CNB2004800417870A patent/CN100543082C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-12 JP JP2006545643A patent/JP5096744B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-12 KR KR1020067011844A patent/KR101152073B1/ko active IP Right Grant
- 2004-11-12 EP EP20040801028 patent/EP1697985B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-12 DE DE200460005753 patent/DE602004005753T2/de active Active
- 2004-12-03 TW TW93137508A patent/TWI379864B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-15 MY MYPI20045155A patent/MY138890A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5096744B2 (ja) | 2012-12-12 |
EP1697985A1 (en) | 2006-09-06 |
WO2005062369A1 (en) | 2005-07-07 |
TW200533714A (en) | 2005-10-16 |
US20050131106A1 (en) | 2005-06-16 |
CN1918703A (zh) | 2007-02-21 |
CN100543082C (zh) | 2009-09-23 |
KR101152073B1 (ko) | 2012-06-11 |
US7022410B2 (en) | 2006-04-04 |
EP1697985B1 (en) | 2007-04-04 |
MY138890A (en) | 2009-08-28 |
DE602004005753T2 (de) | 2008-01-10 |
KR20060128890A (ko) | 2006-12-14 |
DE602004005753D1 (de) | 2007-05-16 |
JP2007515524A (ja) | 2007-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI379864B (en) | Combinations of resin compositions and methods of use thereof | |
TWI374159B (en) | Novel underfill material having ehnanced adhesion | |
US20050170188A1 (en) | Resin compositions and methods of use thereof | |
CN100490130C (zh) | 在晶片级底层填料应用中含有高Tg、透明和良好可靠性的填料的溶剂改性树脂体系 | |
US20060147719A1 (en) | Curable composition, underfill, and method | |
JP5687408B2 (ja) | 硬化システム、接着システム及び電子装置の製造方法 | |
US20050266263A1 (en) | Refractory solid, adhesive composition, and device, and associated method | |
EP1665375B1 (en) | Solvent-modified resin compositions and methods of use thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |