TWI374484B - Substrate holding apparatus - Google Patents

Description

1374484 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種基材固持設備。特別地，本發明 得’有關於一種包含兩個或更多個可交換位置之基材固持器 之基材固持設備’藉此使得一基材固持器利用通過一離子 束來掃晦一基材，同時多個基材可以在其他固持器上被替 換。

【先前技術】 雖然本發明不受限在離子植入機的領域，此領域係對 應於所構想出的應用且對於本發明瞭解提供了有用的文章 脈絡。因此，以下將敌述離子植入機。

離子植入機為公眾所熟知，並且通常符合如下的普遍 設計。一離子源係從前驅物氣體或類似物產生一混合的離 子束。通常僅有特定物種的離子是需要用於植入於基材 中’例如用於植入於半導體晶圓中的特定摻雜質。需要的 離子是利用一質量分析磁鐵（mass-analysing magnet)與 一質量解析狹缝（mass-resolving slit)的組合而從混合的 離子束中選出。因此，包含有幾乎專門需要的離子物種之 離子束係從質量解析狹縫顯露出而被傳送至製程腔室，其 中離子束在製程腔室内係入射至被基材固持器所固持在離 子束路徑的基材上。 通常，離子束的截面輪廓係比欲被植入的基材小。例 如，離子束可以是在一轴向方向小於基材之帶狀束，或在 5 1374484 兩軸向方向笑於基材之點狀束。為了確保離子植入橫越整 個基材，離子束與基材係相對於彼此地移動，從而使離子 束可以掃搖整個基材表面。這是藉由以下方式來實現：（a) 將離子束偏斜以掃瞄橫越基材，其中基材被固持於固定位 置；（b)機械性地移動基材，同時保持離子束路徑為固定； 或（c)將離子束偏斜且移動基材之组合。對於點狀束，相對 運動通常被實施成使得離子束跟隨基材上的一光柵圖案。

我們的美國專利US6,956,223係描述一種上述一般設 計之離子植入機。一單晶圓被固持在可移動的基材固持器 中。雖然可以操控離子束，植入機被操作成使得離子束在 植入期間係依循固定路徑。反之，晶圓固持器係沿著兩正 交軸移動，以使得離子束依循光柵圖案在晶圓上方掃瞄。 上述設計對於連續的晶圓處理是特別適合的，其中操 控裝置必須在欲被植入的新晶圓載入之前將經處理的晶圓 卸載。在每一次植入之間將晶圓載入與卸載會造成不樂見 的延遲。

我們的美國專利US6,555,825係描述一種如第1圖所 示之具有雙掃瞄臂的離子植入機。每一掃瞄臂具有一機動 化轂單元A，其可以繞著軸XI在掃瞄位置（顯示於右方） 與載入位置（顯示於左方）之間旋轉。 一中空臂B係在其一端可旋轉地裝設至轂單元，而可 以繞著軸X2轉動以經由離子束進行晶圓掃瞄。臂之另一 端設置有一晶圓固持器C。晶圓固持器C可以繞著軸X3 旋轉，以改變晶圓的方位。 6 1374484

每一掃瞄臂之結構與配置係使得當掃瞄臂位於載 置時，掃瞄臂位在軸XI上方且因而位在離子束D之 上方。這是很重要的，因為晶圓固持器可以被載入與甸 而不會因為離子束存在而有任何不希望的效應。在此 轂單元可以被旋轉90°以輸送晶圓固持器至掃瞄位置 中在該掃瞄位置處晶圓係通過離子束路徑而被掃瞄。 線所示，晶圓可以在臂上從位置 P1經由下方位置向 動至位置P2。在此離子植入機中，使用帶狀離子束以 此移動可以看見整個被植入的晶圓。 設置兩個這樣的掃瞄臂係使得一掃瞄臂可以用來 一晶圓，同時另一掃瞄臂可以被定位成用於同時的晶 入與卸載。因此，一旦一晶圓完成了植入，另一晶圓 一掃瞄臂上即準備好進行植入。這樣的掃瞄臂配置無 生線性的光栅掃瞄。 這樣的徑向掃瞄配置之另一缺失即是最終的非均 量特性，非均勻劑量特性是由橫越晶圓寬度之掃瞄速 差異所產生"這是因為晶圓最靠近樞轉頭的邊緣係比 掃瞄更慢，造成了在晶圓之該側的較高劑量。 【發明内容】 為了解決發明背景敘及之問題，本發明在於一種 離子植入機令用以固持基材以於植入期間暴露於一離 之基材固持器組件，基材固持器組件包含：一基座， 以繞著一第一軸旋轉；以及至少兩支撐臂，其從該基 入位 路徑 '載， 時， ，其 如虛 下移 使得 掃睡 圓載 在另 法產 勻劑 度的 外緣 在一 子束 其可 座延 7 1374484 伸至設置有多個基材固持器之末端。基座之旋轉使得該些 基材固持器可以採用多個指定的位置，該至少兩支撐臂從 取代該旋轉軸的點處開始延伸實質上相等距離且分隔一實 質上相等的分離角度，從而以該分離角旋轉該基座時可使 得該些支撐臂在該些指定位置之間移動。

因此，可以提供兩個或更多個範例性固持器，以被旋 轉而替換位置。例如，一位置可以對應於一基材掃瞎位置， 且另一位置可以對應於一基材載入/卸載位置。接著，基材 固持器組件可以包含一對支撐臂，其設置在基座之旋轉轴 的相對側。當基座在指定的位置之間旋轉時，一支撐臂從 掃瞄位置移動至載入位置，並且另一支撐臂從載入位置移 動至掃瞄位置。

可以使用超過兩個支撐臂。例如，可以使用三個支撐 臂（其被配置成分離1 20° )或四個支撐臂（其被配置成分 離 9 0 ° )。明顯地，設置三個支撐臂提供了三個指定的位 置，並且同樣地，四個支撐臂提供了四個指定的位置。在 每一指定的位置可以執行各種製程（例如將基材卸載、將 基材載入、將基材卸載及載入、植入、清潔、蝕刻、退火、 沉積等等）、此一或多個指定的位置可以不具有聯合的製 程，亦即基材可以僅停置在此位置，而其他基材係在一或 多個其他指定位置處被處理。 較佳地，每一基材固持器具有一支撐表面以支撐基材 使其實質上正交於支撐臂之縱向轴，並且該至少兩支撐臂 可以繞著其縱向軸旋轉。可選地，支撐表面可以繞著其中 8 1374484

心軸旋轉。這樣可以改變被基材固持器所固持住之基材 方位。 較佳地，該至少兩支撐臂可以沿著其縱向軸移動， 而可以改變每一基材固持器與該基座相隔之距離。這使 基材可以被移動進出一束，並且在此方向通過離子束被 瞄。 本發明也在於一種離子植入機，其包含：一離子源 一光學裝置，其可操作以導引由該離子源產生的多個離 沿著一離子束路徑行進至一製程腔室以植入到基材中； 基材傳送機構；以及如上述之基材固持器組件，可以固 基材於該製程腔室中。該至少兩支撐臂係實質上正交於 子束路徑而延伸。一第一指定位置係對應於面向離子束 基材固持器。一第二指定位置係對應於在離子束路徑之 且與該基材傳送機構合作之基材固持器，藉此使得基材 以被置放在該基材固持器上且從該基材固持器移除。 較佳地，該至少兩支撐臂可以沿著其縱向軸移動， 而可以改變每一基材固持器與該基座相隔之距離。可 地，該基座可以具有一聯合的掃瞄單元，其可操作以沿 其縱向軸往復地掃瞄該支撐臂。此外，該掃瞄單元可操β 以在實質上正交於該支撐臂之縱向軸及離子束路徑兩者 方向上掃瞄該支撐臂。這允許基材相對於一固定的離子 被掃瞄，例如根據一光栅圖案。替代性地，基材可以被 持住且同時一離子束係被掃瞄橫越基材，或可以使用基 與離子束皆被移動之混合系統。 的 從 得 掃 I 子 持 離 之 外 可 從 選 著 的 束 固 材 9 1374484

【實施方式】 為了敘述本發明，第2圖顯示一示範性的應用 可以瞭解到第2圖僅為本發明之一應用實例且不會 制。 第2圖顯示一種已知之用於植入離子於半導體 中的離子植入機10。離子係由離子源14產生，以 且依循一離子路徑34，其中該離子路徑34在此實 係穿過一質量分析平台30。希望的質量的離子係被 通過一質量解析狹缝32，並且接著撞擊半導體晶圓 離子植入機10包含一離子源14以產生希望的 離子束，離子源14位在被幫浦24排空的一真空f 内。離子源14大致上包含一電弧腔室16，電弧腔j 其一端處設置有一陰極20。離子源14可以被操作 陽極由電弧腔室16之壁18來提供。陰極20被加熱 產生多個熱電子。 由陰極20放射之熱電子被吸引至陽極（在此實 鄰近的腔室壁18)。當氣體分子橫越電弧腔室16時 子將氣體分子予以離子化，藉此形成電漿且產生希 子。 熱電子依循的路徑可以被控制，以避免電子僅 腔室壁18之最短路徑。一磁鐵組件46係提供延伸 弧腔室1 6之磁場，使得熱電子沿著電弧腔室1 6長 一對向陰極44而依循螺旋形路徑，其中該對向陰本 ，雖然 構成限 晶圓12 被抽出 施例中 選擇而 12 ° 物種的 空室15 t 16在 成時得 到足以 例中為 ，熱電 望的離 依循到 穿過電 度朝著 & 44位 10 1374484 在電弧腔室16之相對端處。

一氣體饋入器22將電弧腔室16填充以欲被植入的物 種或填充以前驅物氣體物種。電弧腔室16在真空腔室15 内保持在低壓。行進通過電弧腔室16之熱電子將電弧腔室 16内之氣體分子予以離子化，並且也可以使分子破裂。電 漿中建立的離子（其可以包含多個離子之混合物）也將含 有微量的污染物離子（例如從腔室壁18之材料所產生的污 染物離子）。

來自電弧腔室1 6的離子係利用負偏壓（相對於接地） 的抽取電極26經由一出口穿孔28被抽出，其中該出口穿 孔28位在電弧腔室16的一前板處。電源供應器21在離子 源1 4與之後的質量分析平台3 0之間施加電位差，以加速 經抽出的離子，離子源1 4與質量分析平台3 0係被一絕緣 物（未示出）彼此地電性隔離。接著，經抽出的離子的混 合物通過質量分析平台30,使得該些離子在磁場的影響下 繞著一彎曲珞徑行進。任何離子所行經的彎曲路徑的半徑 係由該離子質量、電荷狀態與能量所決定，並且磁41場係被 控制成對於一組離子能量而言，僅希望的質量對電荷比值 及能量之離子會沿著符合質量解析狹缝 32的路徑來離 開。然後，顯露出的離子束被傳送至其内設置有標靶（即 欲被植入的基材晶圓1 2，或當在標靶位置處沒有晶圓1 2 時之一束擋塊38)的製程腔室40。在其他模式中，束也可 以利用一鏡片組件被加速或減速，其中該鏡片組件位在質 量分析平台3 0與晶圓位置之間。 11 1374484 半導體晶圓1 2裝設在晶圓固持器3 6上，晶圓1 2依序 地例如經由一負載閉鎖室（未示出）被傳送進出晶圓固持 器36。 離子植入機10在一控制器（例如一適當地被程式化的 電腦50)之管理下運作。電腦5〇控制經由離子束34之晶 圓12的掃瞄，以實現希望的掃瞄圖案。這些掃瞄圖案可以 包含光柵掃瞄（包括此技術領域公知的交錯圖案）。

第3圖顯示用以固持兩個晶圓l〇2a、b於如同第2圖 之離子植入機10内的設備100。第4圖顯示設置在製程腔 室40内之設備100，其截面圖係對應於離子束34平面稍 微上方的戴面。如同將可以瞭解的是，設備1〇〇裝設至製 程腔室40之壁130,而離子束34係被掃瞄或將晶圓i〇2a、 b通過離子束34來掃瞄。在晶圓102a、b之載入與卸載期 間’設備100也與一操控裝置132合作。

設備100包含一與旋轉致動器134配合之旋轉台 B6，其中該旋轉致動器134可以提供旋轉台1〇6在箭頭 110所指方向之全範圍旋轉。旋轉台106係被一交又滾子 軸承（crossed-roller bearing)所支撐，並且密封係由具有 微分唧筒抽吸（differential pumping)的浮動空氣轴承迷 宮密封單元（floating air bearing labyrinth seal unit)所 提供。旋轉致動器134具有一聯合的凸緣以將此設備裝設 至製程腔室4〇。 兩個掃瞄臂lMa、b被提供，每一掃瞄臂114a、b在 其末端具有一晶圓固持器 H6a、b。每一掃瞄臂114a' b η 1374484

從晶圓固持器116a、b向後朝著支撐旋轉台106延伸，並 且實際上延伸穿過旋轉台106而被一線性致動器118a、b 接受，其中該線性致動器118a、b設置在旋轉台106的後 部。掃瞄臂114a、b藉由密封的軸襯120a、b被支撐在旋 轉台106處，其中該轴襯120a、b使得掃瞄臂114a、b藉 由線性致動器118a、b透過旋轉台106被驅動。依此方式， 晶圓固持器1 1 6 a、b隔開旋轉台1 0 6的距離可以改變，即 晶圓102a、b可以在箭頭122所指方向被驅動進出製程腔 室。 除了驅勤掃瞄臂114a、b進出製程腔室40之外，線性 致動器118a、b也驅動掃瞄臂114a、b的旋轉運動，從而 使掃瞄臂114a'b繞著其縱向軸旋轉（如箭頭124所示）。

每一掃瞄臂1 1 4 a、b為空心，因而可以提供對於晶圓 固持器1 1 6a、b的維護配線。這包括了一驅動機構，其使 得支撐晶圓l〇2a、b之夾盤126a、b可以繞著其中心旋轉， 如箭頭128所示。夾盤126a、b係靜電地固持住晶圓102a、 b，使得失盤126a、b之旋轉引起晶圓102a、b之對應旋轉。 其他裝設晶圓1 〇2a、b至夾盤126a、b的方法也同樣可行。 第3和4圖顯示具有旋轉台106組之設備100，因此 晶圓固執鍵1 1 6 a佔據了載入位置，而晶圓固持器1 1 6 b佔 據了掃瞄位置。將旋轉台106旋轉180°可以替換被晶圓固 持器I 1 6a、b所佔據的位置。 在載入位置，掃瞄臂114a繞著方向124旋轉以確保晶 圓102a向上地面對。將晶圓102a固持至夾盤126a之靜電 13 1374484

力可以中斷，並且操控裝置132將晶圓102a從夾盤126a 移除。第4圖係顯示一簡單的操控裝置132，其包含一對 鉸接顎136，鉸接顎136可以藉由凸輪138之旋轉而開啟 及閉合。顎136與凸輪138在一裝設至柄142之臂140上 懸空。柄142係允許垂直移動（即進出紙面），以及如箭頭 144所示之旋轉。是以，操控裝置132可以旋轉成使得顎 136在晶圓102a上方移動，顎136在柄142上可以下降且 閉合以抓持晶圓l〇2a。接著，操控裝置132在柄142上上 升，並且接續地繞著方向144旋轉，從而使顎136中之晶 圓102a經由閘閥146搖盪出製程腔室40。由於真空考量， 真空閉鎖室較佳地鄰近第4圖所示之單閘閥1 4 6。然後， 逆向程序可以用來將一新晶圓 102a載入到晶圓固持器 126a上。如同熟習此技術領域之人士將可以瞭解的，可以 使用許多其他替代的操控裝置配置，以將晶圓載入及卸載。

一旦將新晶圓102a載入至夾盤126a上且被靜電力固 持住後，掃瞄臂1 1 4即準備好可以旋轉。如第3圖所示， 載入位置可以看到晶圓1 0 2 a被固持成隔開離子束路徑3 4 一段距離。掃瞄臂114a將晶圓102a固持在離子束路徑34 高度的上方，並且掃瞄臂114a也沿著方向122朝著旋轉台 106縮回，藉此將晶圓102a從離子束路徑34向後移動。 在掃瞄位置，掃瞄臂1 1 4b沿著方向1 22延伸遠離旋轉 台106且繞著方向124旋轉，從而使晶圓102b被挺直地固 持住以面對來臨的離子束 34。在一些應用中，離子束 34 較佳地係以一角度（而非垂直地）撞擊晶圓1 0 2 b，例如當 14 1374484

要植入溝槽壁時或當使用斜角以達成較淺的 以輕易地藉由將掃瞄臂114b沿著方向124 102b相對於離子束34採用希望的角度來達 盤126b可以繞著方向128旋轉，以達到希ί 方位。依此方式，晶圓1 02b上的特徵（例如 準確地與離子束對準。 在此實施例中，晶圓1 0 2 b被固持在掃瞄 帶狀束3 4係被掃瞄橫越靜止的晶圓1 02 b。 置也是可行的。例如，不使用帶狀束，一點 例如光栅圖案而被掃猫橫越晶圓102b。此外 束34掃瞄之外，晶圓102b可以被掃瞄。藉 動器118a以驅動掃瞄臂114沿著X方向（在成丨 往復移動，可以輕易地沿著X方向掃瞄。 為了將晶圓固持器116a、b移動於載入 間，必須進行三個移動：（1)旋轉台必須繞著 180°，依需要可以是順時鐘或逆時鐘；（2)掃 必須繞著方向124旋轉90°，掃瞄臂114a為 掃瞄臂1 1 4 b為順時鐘方向；以及（3)掃瞄臂 沿著方向1 22移動，掃瞄臂1 1 4a遠離旋轉台 程腔室40且掃瞄臂114b朝向旋轉台106移 這些移動將可以由控制器50來實現，但是扫 協調這三個不同的移動係脩關優先順序。顯 行這些移動是有利的，以避免延遲且使晶圓 離子植入機10的產能為最大。掃瞄臂114a、 入時。這可 轉以使晶圓 成。此外，失 【的晶圓102b 溝槽壁）可以 位置，同時一 然而，其他配 狀束可以利用 ，除了將離子 由利用線性致 ：<為水平方向） 及掃瞄位置之 方向1 1 0旋轉 瞄臂 11 4 a、b 逆時鐘方向且 1 1 4 a、b必須 1 0 6而進入製 動。大致上， :制器50如何 然，同時地進 102a、 b通過 b係被隔開足 15 1374484

夠距離，以確保當晶圓102a、b在載入及卸載位置之 移動期間旋轉時不會碰撞，即使當更大的3 0 0毫米晶 處理時亦是如此。 熟習此技術領域之人士將可以瞭解的是，在不脫 發明之範圍下，可以進行上述實施例之變更。 例如，上述實施例係例示出用於植入半導體晶圓 之本發明。然而，本發明具有更廣泛的應用性。例如 發明可以被用在任何型式之離子植入機，無論是用於 半導體晶圓或任何其他型式基材之離子植入機。此外 發明可以被用在任何其他型式而需要操縱工件之設備 其中在該設備内工件係在許多指定的位置之間旋轉。 上述實施例係描述了雙掃瞄臂設備 1 0 0。然而， 使用三個或更多個掃瞄臂1 1 4 a、b。有利地，掃瞄臂Π b係隔開旋轉台之旋轉中心等距離，使得當晶圓固· 1 1 6 a、b在多個位置之間移動時採用相同的位置。此 有利的是，掃瞄臂1 14 a、b分離開實質上等角度，使 瞄臂1 1 4 a、b僅在多個連續的位置之間旋轉。每一位 以對應於一站，其中在該站係執行一處理步驟（例如植 載入/卸載、蝕刻、退火、沉積、清潔等等）。載入及 可以被分割成兩個在不同的站所執行的分離的動作， 晶圓102a、b或其他基材在一新晶圓102a、b或其他 於下一站被載入之前即於一站被卸載。一或多個位置 是閒置的位置，在該些閒置的位置處晶圓1 〇2a、b或 基材在移動至下一站之前係停置。一閒置的站是有用 間的 圓被 離本 領域 ，本 植入 ，本 内， 可以 4a、 持器 外， 得掃 置可 入' 卸載 即一 基材 可以 其他 的， 16 1374484 在該間置的站處有限的空間係排除了鄰近此位置之處理設 備的裝設。

上述之本發明實施例具有許多移動程度，以提供一彈 性的系統。然而，設備100不需要有這樣的能力。例如， 設備100僅繞著方向110旋轉，以使得掃瞄臂114a、b可 以替換位置。設置操控裝置必須可以適於將晶圓1 〇2a、b 從一垂直方位載入及卸載，但是這樣的應用是直接的。掃 瞄臂114a、b不需要在方向122(即朝著及遠離旋轉台106) 為可動，這是因為晶圓l〇2a、b可以在離子束34之外而旋 轉。 雖然第3圖顯示出掃瞄臂1 1 4 a、b係延伸穿過旋轉台 106，可以提供可伸縮臂，其不需要穿透旋轉台106。 【圖式簡單說明】 為了詳加瞭解本發明，一較佳實施例係參照附圖而被 敘述，其中： # 第1圖為根據習知技術之一雙掃瞄臂設備的立體圖。 第2圖為一傳統之離子植入機的示意圖。 第3圖為根據本發明實施例之一基材固持器組件的立 體圖。 第4圖為包含第3圖基材固持器組件之製程腔室的截 面圖。 【主要元件符號說明】 17 1374484

A 機動化轂單元 B 中空臂 C 晶圓固持器 D 離子束 XI、 X2、X3 軸 P1、 P2 位置 10 離子植入機 12 半導體晶 圓 14 離子源 15 真空腔室 16 電弧腔室 18 腔室壁 20 陰極 21 電源供應 器 22 氣體饋入器 24 幫浦 26 抽取電極 28 出口穿孔 30 質量分析平台 32 質量解析狹缝 34 離子路徑 36 晶圓固持 器 38 束擋塊 40 製程腔室 44 對向陰極 46 磁鐵組件 50 電腦 100 設備 102a -b 晶圓 106 旋轉台 110 箭頭 1 14a -b 掃 8¾ 臂 116a -b 晶圓固持器 1 18a -b 線性致動器 120a -b 軸襯 122 箭頭 124 箭頭 126a -b 夾盤 128 箭頭 130 腔室壁 132 操控裝置 134 旋轉致動器 136 鉸接顎 138 凸輪 140 臂 142 柄 144 箭頭 146 閘閥 18

Claims (1)

1374484 號專利案(0丨年f月較工 十、申請專利範圍： 卜—本I 1. 一種在一離子植入機中用以固持一將於植入期間暴露 於一離子束之基材的基材固持器组件，該基材固持器組件 至少包含： 一基座’其可以繞著一第一旋轉轴而旋轉； 至少兩支撐臂，其以和該第一旋轉軸實質上平行的 方式從該基座延伸至設置有多個基材固持器之末端； 其中該基座之旋轉使得該些基材固持器可以採用多 個指定的位置’該至少兩支撐臂從該基座上取代該第一旋 轉轴的點處開始延伸實質上等距離且分隔一實質上相等的 分離角度，從而以該分離角旋轉該基座時可使得該些支撐 臂在該些指定位置之間移動。 2·如申請專利範圍第1項所述之基材固持器組件，其中該 至少兩支撐臂可以繞著其縱向軸旋轉。 3.如申請專利範圍第丨項所述之基材固持器組件其中每 基材因持器具有一支撐表面以支撐基材，該支撐表面可 以繞著其t心軸旋轉。 4 ·如申請專利範圍第3項所述之基材固持器組件，其中該 支撑表面之中心軸係實質上正交於該支撐臂之縱向軸。 19 1374484 器组件，其中該 而可以改變每一 5.如辛請專利範囡第1 $所述之基材固持 至少兩支撐臂可以沿著Α 石，、縱向轴移動，從 基材固持器與該基座間之矩離。 6· —種離子植入機，其至少包含 一離子源； 產生的多 入到基材 一光學裝置，其可操作以導弓丨由該離子设 個離子沿著-離子束路徑行進至—製程腔室以右 中； 一基材傳送機構；以及 如申請專利範圍帛ί項所述之基材固持器组件，其 位置係可以固持基材於該製程腔室中，從而使該至少兩支 撲臂係實質上正交於離子束路徑而延伸； 其中一第一指定位置係對應於面向離子束之基材固 持器，並且一第二指定位置係對應於在離子束路徑之外且 與該基材傳送機構合作之基材固持器，藉此使得基材可以 被置放在該基材固持器上且從該基材固持器移除。 7·如申請專利範圍第6項所述之離子植入機，其中該至少 兩支撐臂可以繞著其縱向軸旋轉。 8_如申請專利範圍第6項所述之離子植入機，其中每一基 材固持器具有一支撐表面以支撐基材，該支撐表面可以繞 20 1374484 著其中心轴旋轉。 9. 如申請專利範圍第8項所述之離子植入機，其中該支撐 表面之中心軸係實質上正交於該支撐臂之縱向軸。 10. 如申請專利範圍第6項所述之離子植入機，其中該至 少兩支撐臂可以沿著其縱向轴移動，從而可以改變每一基 材固持器與該基座間之距離。 11. 如申請專利範圍第10項所述之離子植入機，其中該基 座具有一聯合的掃瞄單元，其可操作以沿著其縱向轴往復 地掃瞄該支撐臂。 12. 如申請專利範圍第11項所述之離子植入機，其中該掃 瞄單元可操作，以在實質上正交於該支撐臂之縱向轴及離 子束路徑兩者的方向上掃瞄該支撐臂。 13. 如申請專利範圍第12項所述之離子植入機，其中該掃 瞄單元可操作，以掃瞄該支撐臂，從而離子束可以跟隨一 光栅圖案而橫越當被該基材固持器所固持時之基材。 21