JP4329693B2 - 注入角度を調整可能にするイオンビーム注入装置用の加工物支持構造体 - Google Patents

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Description

本発明は、イオンビーム注入装置の注入チャンバーに連結され、注入角度を調整可能にする加工物支持アセンブリまたは構造体に関し、特に、イオンビームに対して加工物の回転及び直線移動を与えるとともに、加工物の注入角度を選択でき、かつ加工物を選択された注入角度で直線経路に沿って加工物を移動させ、イオンビームが注入チャンバーに入る位置からイオンビームと加工物の注入表面の交点までの距離が、加工物の移動中一定に保たれるような加工物支持アセンブリまたは構造体に関する。
イオンビーム注入装置は、半導体ウエハ内に導電率を変える不純物を添加するのに広く用いられる。イオンビーム注入装置は、正に帯電したイオンの所望種からなるイオンビームを発生させる。このイオンビームは、半導体、基板、またはフラットパネル等の加工物の露出表面上に衝突し、これによって所望のイオンを加工物の表面にドーピング即ち注入を行う。
いくつかのイオン注入装置は、単一の、比較的大きなウエハ加工物を注入チャンバー内に支持するように配置して注入を行うシリアル型注入方式を用いる。この注入は、一度に1つの加工物に対して行われる。加工物がビームライン上にあり、そして、所望量のイオンを注入するためにイオンビームが加工物上を反復して走査されるように、支持体が指向される。この注入が完了すると、加工物は、支持体から取り除かれ、別の加工物が注入のために支持体上に配置される。
最近では、半導体産業の傾向として、より大きなウエハ加工物、例えば、直径300mmのウエハが用いられるようになってきた。フラットパネル等の大きなウエハ加工物または他の加工物を注入する能力がますます望まれるようになってきた。加工物を連続的に注入する1つの方法は、扇形に広がったまたはリボン型の走査されるイオンビームの前に加工物を移動させることである。このようなイオンビームは、加工物の全幅に対して均一に注入ができるように十分広くなっている。加工物全体を注入するために、イオンビームの方向すなわち長さ方向を横切る第2の動きが必要とされる。さらに、特定の加工物に対して注入角度を変えて注入できることが望ましい。この注入角度は、イオンビームと加工物の処理表面との間に形成される入射角度である。注入角度0°は、加工物の注入表面がイオンビームラインに直交することを意味する。
従来のイオンビーム注入装置における加工物支持構造体の1つの欠点は、注入角度0°以外で、イオンビームラインに垂直な移動経路に沿って加工物を移動させると、イオンビームが加工物の注入表面に衝突する前に注入チャンバー内をイオンビームが移動する距離が変わることである。別の方法で述べると、注入角度が0°でない場合、加工物は、イオンビームラインに対して傾斜しているように見える。このように傾斜した加工物がイオンビームラインに対して垂直に移動する場合、イオンビームの方に傾斜した加工物の一部分が注入されるとき、注入表面に衝突する前に注入チャンバー内をイオンビームが移動する距離は、加工物の注入表面が中央位置でのビーム距離と比較して減少することになる。一方、イオンビームから離れて傾斜した加工物の一部分が注入されると、注入表面に衝突する前に注入チャンバー内を移動する距離は、加工物の注入表面の中央でのビーム距離と比較してより大きくなるであろう。
明らかに、加工物の注入表面の一端から注入表面の他端へ注入が移動するとき、加工物が大きくなるほどかつ注入角度が0°よりも大きくなるほど、注入チャンバー内のイオンビームが横切るビーム距離における差が益々大きくなる。イオンビームはビーム経路上を拡散する傾向にあるので、一定ではないビーム距離は、加工物の注入表面の全体にわたり均一なイオン注入量を達成できなくなる。こうして、より大きなウエハを用いることにより、この一定でないビーム距離の問題を悪化させることになる。
加工物の注入表面を均一に注入するために、加工物の注入表面に衝突する前に注入チャンバー内のイオンビームが横切る距離がほぼ一定に保たれることが望ましい。望まれることは、所望の注入角度を選択する能力、および、加工物が注入処理中にイオンビームラインに対して移動している間において、注入チャンバー内へのイオンビームの入来位置と注入表面に衝突する位置との間のビーム距離をほぼ一定に維持する能力を与える加工物支持構造体を提供することである。
本発明の例示的な実施形態の1つは、真空、即ち注入チャンバー内の加工物を支持するための加工物支持構造体を有するイオンビーム注入装置にかかわる。
このイオンビーム注入装置は、1つの軸線に沿って走査される移動経路に沿って移動するイオンビームを発生させるイオン源を含んでいる。加工物は、注入チャンバー内の加工物支持構造体によって支持され、加工物がイオンビームによって加工物の注入表面に注入させるために、走査されたイオンビームの移動経路に交差するように配置される。有利なことに、加工物支持構造体は、次の特徴、
(a)所望の注入角度を選択すること、
(b)注入チャンバー内へのイオンビームの入来位置と注入表面に衝突する位置との間のビーム距離をほぼ一定に維持しながら、イオンビームを注入表面に注入するために加工物を移動すること、を有する。
加工物支持構造体は、注入チャンバーに連結され、加工物を支持する。加工物支持構造体は、注入チャンバーに回転可能に連結される第1回転部材を含み、この第1回転部材は、
イオンビームの経路に垂直な回転軸を有し、第1回転部材の幅を貫きかつ前記第1回転部材の回転軸からオフセットされた開口を形成する。加工物支持構造体は、さらに、第1回転部材に回転可能に連結され、かつ第1回転部材の回転軸からオフセットされた回転軸を有する第2回転部材を含んでいる。第2回転部材は、第1回転部材の開口の上に横たわりかつシールされる。
さらに、加工物支持構造体は、第2回転部材に固定された駆動機構を含む。この駆動機構は、第1回転部材の回転軸に一致する回転軸を有しかつ注入されるべき加工物の注入表面に整合する回転駆動部を含んでいる。加工物ホルダーが駆動機構の回転駆動部に取り付けられ、このホルダーは、第1、第2回転部材を貫通して注入チャンバー内に伸びており、また注入チャンバー内の加工物を支持する。駆動機構の回転駆動部と第1回転部材の回転は、注入チャンバー内のイオンビーム経路に関して加工物の注入角度を変化させる。第1回転部材、第2回転部材、及び駆動機構の回転駆動部の適切な回転は、選択された注入角度を維持しながらイオンビームを横切る方向に移動経路に沿って加工物の直線移動をもたらす。
有利なことに、注入チャンバー内へのイオンビームの入来位置と、イオンビームと加工物表面の交差位置との間の距離が、ビームの移動経路に沿って加工物が移動する間、ほぼ一定に維持される。
これら及び他の目的、利点、及び本発明の例示的な実施形態の特徴は、添付する図面と共に詳細に説明される。
図面を参照すると、図1において、イオン注入装置10が示されている。この注入装置は、イオンを作り出すイオン源12を含み、イオン源は、エンドステーションまたは注入ステーション20へのビーム経路16を横切るイオンビームを形成する。注入ステーションは、内部領域22eを形成する真空室すなわち注入チャンバー22を含み、その内部領域内には、イオンビーム16によってイオン注入するための半導体ウエハまたはフラットパネルまたは基板等の加工物24が配置される。電子制御装置(概略26で示される)は、加工物24によって受けいれられるイオン注入量を監視しかつ制御するために設けられている。電子制御装置26へのオペレータ入力は、ユーザー操作盤27を介して行われる。
イオン源12は、加工物24に衝突するイオンビーム14を発生させる。イオンビーム14内のイオンは、イオン源12と注入チャンバー22の間のビーム経路に沿って所定の距離をイオンビームが横切るように拡散する傾向にある。このイオン源12は、イオン源材料が噴射される内部領域を形成するプラズマチャンバー28を含んでいる。イオン源材料は、イオン化ガスまたは気化したイオン源材料を含むことができる。
ビーム経路16に沿って分析磁石30が配置されており、この分析磁石は、イオンビーム14を偏向させ、ビームシャッタ32を介してイオンビームを指向させる。イオンビーム14は、ビームシャッタ32に続いて、ビームを焦点調整する四極子レンズシステム36を通過する。ビーム経路16が偏向電極38,40を通過して伸びており、イオンビーム14は、注入チャンバー22内のイオンビーム14の一部分がリボンイオンビーム14aとなるようなリボン型イオンビームを発生させるために、反復的に偏向されまたは走査される。このリボン型イオンビーム14aは、注入チャンバー22の前壁22bに設けた開口22aを通って注入チャンバー22内に入る。リボン型イオンビーム14aは、非常に狭い略矩形状、即ち1つの方向、例えば、水平方向、即ち、x方向(図5では、Wで示される)に伸び、直交する方向、即ち、鉛直方向であるy方向に非常に制限された長さを有するイオンビームである。
注入チャンバー22内を移動するリボン型イオンビーム14aは、水平方向、即ち、x方向(図1及び図5)に伸びており、そして、加工物24が水平寸法で300mm(または直径300mm)を有する場合、一般的に、リボン型イオンビーム14aの長さは、加工物24のサイズ全体を注入するのに十分である。電子制御装置26は、注入チャンバー内で加工物24の衝突時、リボン型イオンビームの水平長さWが、300mmの加工物に対して300mm以上となるように電極38を適切に励起させる。
以下で説明するように、加工物支持構造体100は、リボン型イオンビーム14に対して加工物24を支持しかつ移動させ、注入動作時に、加工物24の全体の注入表面25がイオンで均一に注入されるようにする。上述した走査技術に加えて、従来の技術において、注入チャンバー22内のリボン型イオンビーム14aのリボン形状が複数の方法で作り出せることがわかっている。例えば、プラズマ室28のアーク状スリットは、作り出されるイオンビームが最初からリボン形状を有するように形作られる。本発明は、イオンビームを形作るために特別の技術または構造を用いることに限定されない。
加工物を連続的にイオン注入するためのイオン注入装置についての詳細は、1990年12月4日にレイ(Ray)等に付与された特許文献1及び1988年8月2日にマイロン(Myron)に付与された特許文献2に記載されている。これらの2つの特許は、本発明の譲受人に譲渡されており、ここに参考としてそれぞれの全体が包含される。
米国特許第4,975,586号明細書 米国特許第4,761,559号明細書
注入チャンバーの内部領域22eは排気される。2つのロボットアーム42,44が注入チャンバー内に取り付けられ、加工物支持アセンブリまたは支持構造体100に対して自動的にウエハ等の加工物をロード及びアンロードする。図1では、加工物24は水平ロード位置に置かれている。従来のイオン注入では、加工物支持構造体100は、加工物24を注入するために垂直またはほぼ垂直位置に回転する。加工物24が垂直位置にあると、即ち、加工物がイオンビーム14に対して直交していると、注入角度、すなわち入射角度は、0°である。望ましくないチャネル効果を最小にするために、一般的に、ゼロではないが小さな注入角度がこれまで選択されてきた。
一般的な注入作業において、加工物24をロボットアーム54の近くに運ぶシャトル52によって、ドーピングされていない加工物が第1カセット50から引き出され、ロボットアームがこの加工物をオリエンター56に移動し、このオリエンター上で加工物24が特定の結晶方向に回転される。ロボットアーム54は、指向された加工物24を受け取ってこれを注入チャンバー22に隣接する載置ステーション58に移動する。載置ステーション58は、閉じられて、所望の真空度に減圧され、そして、注入チャンバー22を開く。注入チャンバー22内の第1ロボットアーム42は、加工物24を掴み、加工物を注入チャンバー22内に運んで、加工物支持構造体100の静電クランプまたは静電チャック102上に載置する。静電クランプ102は、注入中、加工物を適所に保持するために励磁される。適当な静電クランプ102は、1995年7月25日にブレイク(Blake)等に付与された特許文献3および1995年8月22日にブレイク(Blake)等に付与された特許文献4に記載されている。これらの2つの特許は、本発明の譲受人に譲渡されており、ここに参考としてそれぞれの全体が包含される。
米国特許第5,436,790号明細書 米国特許第5,444,597号明細書
加工物24のイオン注入の後で、加工物支持構造体100は、水平位置に加工物を戻し、そして、静電クランプ102が加工物を解放するために消勢される。注入ステーション22の第2ロボットアーム42は、注入済み加工物24を掴み、そして、これを注入チャンバー22から荷降ろしステーション60に移動する。荷降ろしステーション60からロボットアーム62が第2カセット66に加工物を載置するシャトル64に、注入済み加工物24を移動する。
加工物支持構造体100は、電子制御装置26によって操作され、注入中、加工物24を支持するとともに、有利なことに、注入チャンバー22内のリボン型イオンビーム14aに対して加工物24の回転及び並進移動の両方を可能にする。この回転能力によって、加工物支持構造体100は、加工物24の注入表面25とイオンビーム14との間の所望の注入角度(IA)即ち入射角度を選択することができる。
この並進移動または直線移動の能力によって、加工物支持構造体100は、注入中、所望の注入角度(IA)に一致する平面に沿って加工物24の注入表面を移動させることができる。これにより、所望の注入角度を維持するとともに、付加的に、リボン型イオンビーム14aが注入チャンバーの内部領域22eへの入口位置からイオンビームが加工物24の注入表面25に衝突する交点(実際にはイオンビームは、リボンイオンビームなのでライン)までのほぼ一定の距離d(図1参照)を保持する。このほぼ一定の距離は、注入表面25の全体の注入中の間、維持される。すなわち、全体の注入表面が、垂直方向、即ちY方向に注入されるように、所望の注入角度(IA)に一致する平面において、リボン型イオンビーム14aに対して横切って加工物24が移動する場合に、ほぼ一定の距離が維持される。
注入チャンバー22内を通過して、加工物24上にイオンビーム14aが衝突するまでの間におけるイオンビーム14aのほぼ一定の距離の維持、すなわちイオンビームの移動経路を維持することは、加工物24の注入表面25全体にわたって均一なイオン注入特性を得るために大いに好ましいことである。加工物支持構造体100を見る別の方法は、イオン源12から、イオンビームが加工物の注入表面25に衝突する交点までのイオンビームの移動経路をほぼ一定にすることである。
生産作業中、半導体ウエハの加工物または平面パネルの加工物が連続的に注入される。すなわち、1つの加工物の注入が完了すると、静電クランプ102が消勢して加工物を解放する。そして、注入済み加工物が自動的に注入チャンバー22から取り除かれ、他の加工物が静電クランプ102の支持表面104に配置され、そして、この静電クランプが適切に励磁されて支持表面104上に加工物を強固に保持する。
加工物支持構造体100は、図2〜図5に最も良く示されている。静電クランプが加工物のローディング位置及びアンローディング位置(図1)にあるとき、加工物24が静電クランプ102の支持表面104上に載置された後で、加工物支持構造体100が、加工物24を注入位置に回転させる。図4及び図5には、注入位置にある加工物24を支持する静電クランプ102を示している。図1は、破線で注入位置にある加工物24の位置を示し、距離dは、イオンビーム14aが注入チャンバー22から入来して加工物に衝突するまでの距離である。
加工物24の注入中、加工物支持構造体100は、注入表面25全体に所望のイオンが衝突して注入されるように、リボン型イオンビーム14aを横切る方向に加工物24を移動する。図5の概略図で見られるように、加工物24に衝突する交点でのリボン型イオンビーム14aは、加工物24の直径よりも大きいX方向(図1及び図5に示すX軸で表される)における幅Wを有している。それゆえ、加工物の完全な注入に対して、このX方向における加工物の並進移動を必要としない。
図1で最も良く見られるように、加工物支持構造体100は、注入チャンバー22の側壁22cに固定され、注入チャンバーの側壁22cに設けた開口22dを通って、注入チャンバー22の内部領域22e内に伸びている。この加工物支持構造体100は、第1回転部材110と、第1回転部材110に回転可能に取り付けた第2回転部材150と、第2回転部材150に取り付けた駆動機構200とを含んでいる。第1回転部材110と第2回転部材150は、それぞれの円形軌道リニアモータ140,190によって駆動される(図4)。各円形軌道リニアモータ140,190は、円形パターンに配置された電磁コイル142,192を含んでいる。この円形軌道リニアモータ140,190は、さらに、対応する一組の永久磁石144,194を含み、これらの磁石は、それぞれの磁石軌道プレート146,196上に支持される。電磁コイル142,192は、注入チャンバー22に対して第1、第2回転部材110,150の回転を正確に制御するために、電子制御装置26によって適切に励磁される。
加工物支持構造体の第1回転部材110は、静止のフラット支持プレート112を含む。この支持プレート112は、注入チャンバー22に固定され、好ましくは、注入チャンバーの側壁22cに固定される。支持プレート112は、注入チャンバーの側壁22cの開口22dに整合した開口114を含んでいる(図1)。
第1回転部材110は、また、注入チャンバー22に回転可能に連結されるハブ120を含み、さらに、回転部材110の支持プレート112に回転可能に連結される。ハブ120は、軸受アセンブリ116によって支持プレート112に取付けられる。ハブ120は、ハブの幅を貫通して伸びる、概略フットボール形状に貫通孔すなわち開口121を含んでいる。開口121は、異なる曲率半径を有する2つの交差する弓形状部材によって形成される。開口121の境界線は、図3において破線で示されて参照符号Oで表す。開口Oの長手方向長さは、図3においてLとして表わされている。本発明の1つの実施例において、開口Oは、長手方向の長さが60cmである。この開口121は、注入チャンバーの側壁22cの開口22dに整合している。
第1回転部材のハブ120は、軸受アセンブリ116によって支持プレート112に取り付けられる。好ましくは、軸受アセンブリ116は、注入チャンバー22に関して支持プレート112の回転を与えるために、円形軸受ケージ119内に配置された複数のボールまたはローラ軸受118を含むボールまたはローラ軸受アセンブリである。代わりに、当業者に知られた他の機械式ボールまたはローラ軸受を用いることができ、機械的軸受アセンブリの代わりに、非接触のエア軸受が従来技術の1つによって認められるように適切に使用することができる。
注入チャンバー22の内部領域22e(図1)と、差動的に吸引される円形またはラジアル式の真空シールシステム130によって外部雰囲気との間で真空が維持される。この真空シールシステム130は、接触型の真空シールである。図4に良く示されるように、真空シールシステム130は、支持プレート112の上部表面112aに加工または形成される円形チャネル136によって分離された2つの円形の凹部すなわち溝134を含んでいる。溝134の各々には、Oリング及びほぼ四角形断面を有するプラスチックシール138が配置される。2つのシール138の各上部表面は、ハブ120の底部表面すなわち下側表面120aを支持する。
チャネル136は、支持プレート112に設けたオリフィス(図示略)を介して真空ポンプ(図示略)に流体連通している。支持プレートに固定された真空ポンプは、チャネル136内を真空にするように作動し、これにより、外側及び中間Oリング137及びプラスチックシール138の組み合わせにより形成されたシールを介して外部環境から進入した空気および/または汚染物質を取り除く。さらに、作動的に吸入する円形真空シールシステムに加えて、他のリップシールまたはポリマー材料のシール構造等の他のシール構造が適当でありかつ本発明の予想される範囲内にある。
さらに、非接触真空シールシステムが、真空シールシステムとして適当である。非接触シールシステムにおいて、Oリング及びプラスチックシールは使用されない。代わりに、1つ以上の円形チャネル(チャネル136等の)支持プレート112の下側表面112aに形成される。真空ポンプは、この円形チャネルに真空を導くように作動する。
第1回転部材110は、リボン型イオンビーム14aに対して注入チャンバー22内で加工物24を±90°の範囲で回転することができる。第1回転部材110の中央線、即ち回転軸(図2においてAR1として破線で示す)は、加工物の注入表面25または前面に整合している。
加工物支持構造体100は、さらに、第1回転部材110に回転可能に取り付けられる第2回転部材150を含む。第2回転部材は150は、支持プレート152を含み、この支持プレートは、軸受アセンブリ160によって第1回転部材のハブ120に取り付けられる。好ましくは、軸受アセンブリ160は、ボールまたはローラ軸受アセンブリであり、このアセンブリは、円形軸受ケージ163内に配置された複数のボール軸受またはローラ軸受162を含み、第1回転部材110に関して第2回転部材150の回転を与える。
ボール軸受またはローラ軸受等の機械的な軸受アセンブリの代わりに、好ましくは、従来技術の1つとして認められているように、非接触ガス軸受を使用することができる。
第2回転部材150は、第1回転部材の開口121を覆いかつシールする。第1回転部材110と第2回転部材150の間の真空は、差動的に吸引される、上述した真空シールシステム130と同様の円形の真空シールシステム180によって維持される。図4においてよく見られるように、真空シールシステム180は、第1回転部材のハブ120の上部表面120bに加工または形成された円形チャネル186によって分離された2つの円形凹部または溝184を含んでいる。2つの溝184の各々には、ほぼ四角形状のOリング及びプラスチックシールが配置されている。2つのシールの各上部表面は、第2回転部材の支持プレート152の下部表面152aに支持されている。
チャネル186は、第2回転部材の支持プレート152に設けたオリフィス(図示略)を介して真空ポンプ(図示略)に流体連通している。この真空ポンプは、ハブ120に固定され、チャネル186内に真空を導くように作動する。これにより、外側及び中間Oリング及プラスチックシールの組み合わせによって形成される2つのシールを介して外側大気環境から漏れるいかなる空気および/または汚染物質を取り除く。差動的に吸引される円形真空システムに加えて、リップシール、または他のポリマー材料のシール構造等の他のシールシステム構造も利用することができ、かつこれらのシール構造は、本発明の範疇に属するものである。当業者によって知られる非接触真空システムもまた、真空シールシステム180に適合させることができる。
第2回転部材150は、第1回転部材110に関して±180°の範囲で回転を可能にする。第2回転部材150の中心線または回転軸(図2でAR2で示す)は、第1回転部材の回転軸のAR1の回転軸から250〜300mmだけオフセットされている。
駆動機構200は、第2回転部材150上に取り付けられる。この駆動機構200は、好ましくは、モータまたは中空軸のサーボアクチュエータ(図4および図5に概略図示されている)である。駆動機構は、中空軸を含んでいる。回転可能な駆動部の回転軸は、第1回転部材110の回転軸AR1の回転軸または中心線と整合している。適当な中空軸サーボアクチュエータは、ニューヨーク州、11788 ホーポージ キャボット コート 89番地のHDシステム社(www.hdsystemsinc.com)で製造されている。
駆動機構200に加工物ホルダー204が取り付けられ、このホルダーは、第1、第2回転部材110,150を貫通し、注入チャンバーの内部領域22e内に伸びている。注入チャンバー22内の加工物ホルダー204の一部分206は、リボン型イオンビーム14aによって注入のために加工物を移動させるのに用いられる。加工物ホルダー204と第2回転部材150との間の真空は、真空シールシステム210によって維持される。この真空シールシステム210は、上述した真空シールシステム130,160と同様の、差動的に吸引され、接触型の円形真空シールシステムが好ましい。
この真空シールシステム210は、Oリング及びプラスチックシールからなり、これらは、駆動機構200の取り付け支持体201(図4)に設けた一対の円形凹部内に配置されている。一対の凹部211間には、オリフィスによって真空ポンプに連結されるチャネル212が配置される。この真空ポンプは、チャネル212内に真空を導く。
さらに、Oリング及びプラスチックシールに加えて、リップシール或いは他のポリマー材料によるシール構造またはフェロフルイデック(ferrofluidic)シール等の他の接触型のシールシステムが、真空シールシステム210のために適当であり、本発明の考慮される範囲内にある。非接触真空シールシステムもまた、真空シールシステム210のために適当である。
第1、第2回転部材110、150及び駆動機構200は、加工物ホルダー204を0〜360°の間で回転することができる。これにより、加工物24を注入における所望の注入角度(IA)に設定することができる。所望の注入角度が一旦得られると、注入表面25への注入のために加工物24の往復直線運動が第1、第2回転部材110、150と回転可能な駆動部202の同時及び調和した回転を達成させることができる。これら3つの要素110、150、202の適切な回転が、注入チャンバーの内部領域22eの加工物24の直線移動を作り出す電子制御装置26によって制御される。
加工物24の往復直線運動は、加工物の注入表面25の直交ベクトルに垂直である。加工物支持構造体100の多数の独立した自由度または動きによって、リボン型イオンビーム14aの前側に位置する加工物24に対して一定の焦点距離でスキャンすることを可能にする。言い換えれば、注入チャンバー22へのイオンビーム14の入口から、加工物注入表面25上のリボン型イオンビーム14aの衝突ラインまでの距離は、選択されたいかなる注入角度に対しても一定である。この注入角度、即ち、イオンビームと往復直線動きの軸線との間の角度は、0°〜89°の間で変化することができる。これは、第1回転部材110の回転によって達成される。こうして、加工物支持構造体は、リボン型イオンビームの前側に位置する加工物24の多数の注入角度またはスキャン角度を可能にして、一定の焦点距離、即ち、図1で示されるように一定の距離dを可能にする。
加工物24は、静電クランプまたはチャック102によって加工物ホルダー204に対して保持される。静電チャック102は、注入中、加工物24から移送されるエネルギーまたは熱を取り除くために冷却される。4つまたは8つの注入を可能にするために、電磁クランプ102は、好ましくは、クランプ102の加工物支持表面104を加工物ホルダー156の末端218内で360°まで回転することができるように、モータに作動連結される。
静電クランプ102の回転中心線または回転軸が、図5において破線のAR3ラインで示され、この中心線は、加工物24の中心線に一致している。静電クランプ102の回転は、電気モータ(図示略)によって達成され、このモータは、加工物ホルダーの遠方端218内に取り付けられ、かつ静電クランプ102に連結されている。また、この電気モータは、、ベルト、またはケーブル(図示略)等の間接的な駆動手段によって静電クランプに連結されるようにしてもよい。
静電クランプ102は、軸受アセンブリ220によって加工物ホルダーの遠方端218内に取り付けられる。軸受アセンブリ220は、好ましくは、ボール軸受またはローラ軸受アセンブリである。代わりに、軸受アセンブリ220は、非接触型のガス軸受とすることもできる。
静電クランプ102と加工物ホルダーの遠方端218との間の真空は、面真空シールシステム230によって維持される。加工物ホルダー204内は大気圧であるので、シールシステムが必要となる。この真空シールシステム230は、シールシステム130、180、210等の、差動的に吸引される円形の接触型の真空シールシステムが好ましい。真空シールシステム230は、Oリング及びプラスチックシールからなり、これらは、静電クランプ102に面する加工物ホルダーの遠方端218における端部236の内側円筒表面に形成した2つの各円形凹部234内に配置される。この凹部間にはチャネル236が配置され、このチャネルは、真空ポンプにオリフィスを介して連結されている。この真空ポンプは、チャネル236内に真空を導く。
さらに、Oリング及びプラスチックシールに加えて、リップシール或いは他のポリマー材料によるシール構造またはフェロフルイデック(ferrofluidic)シール等の他のシールシステムが、真空シールシステム230のために適当であり、本発明の考慮される範囲内にある。非接触真空シールシステムもまた、真空シールシステム230のために適当である。
本発明は、その特定の実施形態に関して記載してきたが、本発明は、ここに添付する特許請求の範囲で示される開示された構成からの全ての変更及び修正を含むことを意図している。
図1は、本発明のイオンビーム注入装置の概略平面図である。 図2は、加工物支持構造体がイオンビーム注入装置の注入チャンバーに固定されている、図1のイオンビーム注入装置における加工物支持構造体の概略側部平面図である。 図3は、イオンビーム注入装置の注入チャンバー内から見た、図2の加工物支持構造体の概略側面図である。 図4は、加工物支持構造体の底部から見た、即ち、イオンビーム注入装置の注入チャンバー内から見た、加工物支持構造体の断面斜視図である。 図5は、加工物支持構造体の頂部側から見た、加工物支持構造体の断面斜視図である。
符号の説明
10 イオン注入装置
12 イオン源
14 イオンビーム
16 ビーム経路
20 注入ステーション
22 注入チャンバー
24 加工物
25 注入表面
26 電子制御装置
100 加工物支持構造体
102 静電クランプ
104 支持表面
110 第1回転部材
112、152 支持プレート
116 軸受アセンブリ
120 ハブ
130、160、180、210、230 真空シールシステム
136、211、236 チャネル
150 第2回転部材
156 加工物ホルダー
185 軸受アセンブリ
200 駆動機構
220 軸受アセンブリ

Claims (28)

  1. (a)ビームラインに沿って移動するイオンビームを発生させるためのイオンビーム源と、
    (b)加工物がイオンビームに交差するように配置されて、前記イオンビームによって加工物の注入表面にイオン注入するための注入チャンバーと、
    (c)この注入チャンバーに連結されて加工物を支持する加工物支持構造体と、を有するイオンビーム注入装置であって、
    前記加工物支持構造体が、
    1)前記注入チャンバーに回転可能に連結され、かつ前記注入チャンバーの壁に設けた開口と整合する貫通開口を有する第1回転部材と、
    2)この第1回転部材に回転可能に連結されかつ前記第1回転部材の回転軸からオフセットされた回転軸を有し、前記第1回転部材の開口の上に横たわる第2回転部材と、
    3)この第2回転部材に固定されており、かつ加工物を支持するとともに前記第1、第2回転部材に対して回転可能であって前記第2回転部材および前記第1回転部材の開口を貫通して伸びている回転駆動部を有する駆動機構とを含み、
    前記第1回転部材、前記第2回転部材、及び前記駆動機構の回転駆動部は、前記注入表面に注入するための移動経路に沿って加工物を移動させ、イオンビームが加工物の前記注入表面に衝突する前に前記注入チャンバーを通って移動する距離が一定となるように回転することを特徴とするイオンビーム注入装置。
  2. 前記駆動機構の回転駆動部の回転軸は、前記第1回転部材の回転軸に一致していることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  3. 前記第1回転部材の回転軸は、加工物の注入表面に整合していることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  4. 前記第2回転部材の回転軸は、前記第1回転部材の回転軸から250〜300mmの距離だけ離れていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  5. 前記第1、2回転部材の各回転軸は、前記注入チャンバー内のイオンビーム部分の方向に対して垂直となっていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  6. 加工物の前記移動経路は、線形の移動経路であることを特徴とすることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  7. 前記加工物支持構造体は、前記注入チャンバー内に伸びる前記駆動機構の回転駆動部に固定される加工物支持体をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  8. 前記加工物支持構造体は、注入中前記加工物を保持するための静電クランプをさらに含み、この静電クランプは、前記加工物支持体に固定されていることを特徴とする請求項7記載のイオンビーム注入装置。
  9. 前記静電クランプは、イオンビームに対して回転可能であることを特徴とする請求項8記載のイオンビーム注入装置。
  10. 前記第1回転部材は、軸受アセンブリによって注入ステーションに連結されていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  11. 前記第2回転部材は、軸受アセンブリによって前記第1回転部材に連結されていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  12. 前記注入チャンバーと前記第1回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  13. 前記第1回転部材と前記第2回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム注入装置。
  14. 前記加工物支持体と前記第2回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項7記載のイオンビーム注入装置。
  15. (a)ビームラインに沿って移動するイオンビームを発生させるためのイオンビーム源と、
    (b)加工物がイオンビームに交差するように配置されて、前記イオンビームによって加工物の注入表面にイオン注入するための注入チャンバーと、
    (c)この注入チャンバーに連結されて加工物を支持する加工物支持構造体と、を有するイオンビーム注入装置であって、
    前記加工物支持構造体が、
    1)前記注入チャンバーに回転可能に連結され、かつ前記注入チャンバーの壁に設けた開口と整合する貫通開口を有する第1回転部材と、
    2)この第1回転部材に回転可能に連結されかつ前記第1回転部材の開口の上に横たわる第2回転部材と、
    3)この第2回転部材に固定されており、前記第2回転部材、及び前記第1回転部材の開口を貫通して伸びるとともに、前記注入チャンバーの内部領域内の加工物を支持する回転駆動を含んでいる駆動機構とを含み、
    前記第1、第2回転部材及び前記駆動機構の回転駆動部は、加工物の注入表面が所望の注入角度で加工物の注入表面に注入され、かつ加工物が前記所望の注入角度に一致した移動経路に沿って移動して、イオンビームの焦点距離が一定となるように回転することを特徴とするイオンビーム注入装置。
  16. 前記駆動機構の回転駆動部の回転軸は、前記第1回転部材の回転軸に一致していることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
  17. 前記第1回転部材の回転軸は、加工物の前記注入表面に整合していることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
  18. 前記第2回転部材の回転軸は、前記第1回転部材の回転軸から250〜300mmの距離だけ離れていることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
  19. 前記第1、2回転部材の各回転軸は、前記注入チャンバー内のイオンビーム部分の方向に対して垂直となっていることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
  20. 加工物の前記移動経路は、線形の移動経路であることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
  21. 前記加工物支持構造体は、前記注入チャンバー内に伸びる前記駆動機構の回転駆動部に固定される加工物支持体をさらに含むことことを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
  22. 前記加工物支持構造体は、注入中前記加工物を保持するための静電クランプをさらに含み、この静電クランプは、前記加工物支持体に固定されていることを特徴とする請求項21記載のイオンビーム注入装置。
  23. 前記静電クランプは、イオンビームに対して回転可能であることを特徴とする請求項22記載のイオンビーム注入装置。
  24. 前記第1回転部材は、軸受アセンブリによって注入ステーションに連結されていることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
  25. 前記第2回転部材は、軸受アセンブリによって前記第1回転部材に連結されていることを特徴とする請求項15記載のイオンビーム注入装置。
  26. 前記注入チャンバーと前記第1回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項14記載のイオンビーム注入装置。
  27. 前記注入チャンバーと前記第1回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項14記載のイオンビーム注入装置。
  28. 前記加工物支持体と前記第2回転部材の間は、円形の真空シールによって真空が維持されていることを特徴とする請求項20記載のイオンビーム注入装置。
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