TWI658489B - 包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置及利用其之基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置及利用其之基板處理方法。本發明之包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置包括：腔室，其供用於進行電漿處理之基板搬入；旋轉軸，其貫通上述腔室之一側而設置；靜電吸盤，其以能夠與上述旋轉軸之旋轉連動而旋轉之方式結合於上述旋轉軸之一端而位於上述腔室之內部空間，且被施加偏置電源以使上述基板能夠貼附；氣體供應部，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向腔室內部供應工作氣體；以及天線線圈，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向上述工作氣體供應高頻電源來產生電漿。

Description

包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置及利用其之基板處理方法
本發明涉及一種電漿基板處理裝置。
電漿基板處理裝置是對安放於吸盤之基板進行電漿處理之裝置。
此時，電漿處理可以意指蝕刻或蒸鍍。
此外，基板可以意指晶圓或安裝有晶圓之托盤。
通常，就這種電漿基板處理裝置而言，安放基板之吸盤位於腔室之下部，供應工作氣體之氣體供應部和天線線圈位於腔室之上部。
另外，透過天線線圈向工作氣體供應高頻電源而產生之電漿對基板進行電漿處理。
然而，這種電漿基板處理裝置所存在之問題是，會產生副產物，而這種副產物降落至基板之表面，從而發生不良。
為解決這種問題，可以使吸盤位於腔室上部，並使供應工作氣體之氣體供應部和天線線圈位於下部來防止副產物降落至基板之表面。
然而，就這種解決問題之方法而言，需要用夾具將基板固定於吸盤，而由於夾具支撐著基板之一部分，電漿與夾具碰撞，因而存在基板之夾具周圍區域無法被電漿處理，或與夾具碰撞而導致電漿處理集中於基板之其他 區域，從而基板被不均勻地電漿處理之問題。
此外，當用夾具固定大面積基板或複數個基板時，所存在之問題是，因荷重，基板之中央部從吸盤之表面懸浮，從而導致基板被不均勻地電漿處理之問題。
上述作為背景技術說明之事項僅用於增進對本發明之背景之理解，不應視為其相當於本技術領域中具有通常知識者已知之先前技術。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻0001：韓國註冊專利第10-1209298號。
如上所述之先前技術存在如前所述之問題，而旨在解決這樣之問題即是本發明之課題。
本發明之目的在於，提供一種靜電吸盤能夠被旋轉之電漿基板處理裝置及利用其之基板處理方法。
用於達成這種目的之本發明之包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置包括：腔室，其供用於進行電漿處理之基板搬入；旋轉軸，其貫通上述腔室之一側而設置；靜電吸盤，其以能夠與上述旋轉軸之旋轉連動而旋轉之方式結合於上述旋轉軸之一端而位於上述腔室之內部空間，且被施加偏置電源以使上述基板能夠貼附；氣體供應部，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向腔室內部供應工作氣體；以及天線線圈，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向上述工作氣體供應高頻電源來產生電漿。
上述靜電吸盤形成為半球形狀，在上述腔室內部形成有使上述吸盤能夠旋轉之空間，且包括淨化氣體供應部，其以位於上述靜電吸盤之上部之方式設置，且向腔室內部供應淨化氣體。
上述腔室包括：第一腔室，其在一側貫通有上述旋轉軸，在另一側設置有能夠搬入或搬出上述基板之通道口；以及第二腔室，其供上述基板被電漿處理，並且上述電漿基板處理裝置包括流入防止罩，該流入防止罩位於上述第一腔室與第二腔室之間，且以能夠限制電漿流入上述第一腔室之方式形成有上述靜電吸盤部分地插入之孔。
上述腔室包括：第一腔室，其在一側貫通有上述旋轉軸，在另一側設置有能夠搬入或搬出上述基板之通道口；以及第二腔室，其供上述基板被電漿處理，上述第一腔室透過開閉隔壁和固定隔壁被密閉或開放。
在上述第一腔室，上述開閉隔壁之下端面和上述固定隔壁之上端面傾斜地形成，上述開閉隔壁之下端面和上述固定隔壁之上端面相接觸或分離而開閉，上述旋轉軸貫通上述開閉隔壁之一側，上述通道口設置於上述固定隔壁之另一側。
上述電漿基板處理裝置包括：高頻電極，其突出形成於上述旋轉軸之一側；缸體，其向上述高頻電極方向伸長；以及插頭，其設置於上述缸體之一端而選擇性地連接上述高頻電極。
上述插頭包括：絕緣體，其結合於上述缸體之一端；以及一對彈力部，其以能夠夾緊上述高頻電極之方式在上述絕緣體之一側面之上端和下端相互隔開既定間距地結合於絕緣體之一端。
上述腔室包括：第三腔室；排氣部，其以位於上述第三腔室之方式設置，且排出廢氣；升降板，其位於上述第三腔室與上述排氣部之間，控制上述第三腔室與排氣部之間之氣體流動，且具有大於上述排氣部之大小之直 徑；以及升降缸體，其結合於上述升降板而使上述升降板升降。
此外，本發明還提供一種利用包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置之基板處理方法，上述包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置包括：腔室，其供用於進行電漿處理之基板搬入；旋轉軸，其貫通上述腔室之一側而設置；靜電吸盤，其以能夠與上述旋轉軸之旋轉連動而旋轉之方式結合於上述旋轉軸之一端而位於上述腔室之內部空間，且被施加偏置電源以使上述基板能夠貼附；氣體供應部，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向腔室內部供應工作氣體；以及天線線圈，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向上述工作氣體供應高頻電源來產生電漿，上述基板處理方法包括：(1)將基板安放於靜電吸盤之步驟；(2)向上述靜電吸盤施加偏置電源來將上述基板固定於上述靜電吸盤之步驟；(3)在上述基板固定於上述靜電吸盤之狀態下，上述旋轉軸旋轉，使固定於上述靜電吸盤之上述基板表面朝向上述腔室之下部之步驟；(4)對上述基板進行電漿處理之步驟；(5)上述旋轉軸旋轉，使固定於上述靜電吸盤之上述基板朝向上述腔室之上部之步驟；以及(6)解除向上述靜電吸盤施加之偏置電源之步驟。
在上述靜電吸盤之上部設置有向腔室內部供應淨化氣體之淨化氣體供應部，在上述第(4)步驟與第(5)步驟之間之步驟，包括：從上述淨化氣體供應部向上述腔室供應淨化氣體來去除殘留於上述腔室之殘留氣體之步驟。
本發明具有如下優點，即，在基板表面朝向腔室之上部之狀態下將基板固定於靜電吸盤，再旋轉靜電吸盤，使基板之表面朝向腔室之下部之狀態下對基板進行電漿處理，因而不需要夾具，且由於以基板荷重朝向下部之狀態固定於靜電吸盤，因而防止基板之中央部懸浮。
10‧‧‧基板
100‧‧‧腔室
110‧‧‧第一腔室
111‧‧‧通道口
112‧‧‧開閉隔壁
113‧‧‧固定隔壁
114‧‧‧連接機構
120‧‧‧第二腔室
130‧‧‧第三腔室
131‧‧‧排氣部
132‧‧‧擋板
133‧‧‧升降板
134‧‧‧升降缸體
200‧‧‧靜電吸盤
210‧‧‧旋轉軸
211‧‧‧旋轉軸密封構件
212‧‧‧高頻電極
213‧‧‧缸體
214‧‧‧插頭
215‧‧‧絕緣體
216‧‧‧一對彈力部
220‧‧‧偏置電源
310‧‧‧工作氣體供應部
311‧‧‧工作氣體儲存部
312‧‧‧流入防止罩
320‧‧‧天線線圈
321‧‧‧第一高頻電源
331‧‧‧電介質板
332‧‧‧噴淋板
410‧‧‧淨化氣體供應部
411‧‧‧淨化氣體儲存部
500‧‧‧第二高頻電源
圖1是示出本發明之電漿基板處理裝置之結構之圖。
圖2是示出本發明之電漿基板處理裝置之被密閉之狀態之圖。
圖3是示出本發明之電漿基板處理裝置被開放之狀態之圖。
圖4是示出解除作為本發明之一主要部分之高頻電極和插頭之結合狀態之圖。
圖5是示出作為本發明之一主要部分之高頻電極和插頭被結合之狀態之圖。
圖6是示出本發明中搬入基板之過程之圖。
圖7是示出本發明中基板被電漿處理之過程之圖。
圖8是示出本發明中搬出基板之過程之圖。
如圖1所圖示，本發明包括腔室100、靜電吸盤200、工作氣體供應部310以及天線線圈320。
以腔室100為基準，靜電吸盤200位於上部，工作氣體供應部310和天線線圈320位於下部。
腔室100是供基板10搬入，且用於用電漿處理基板10之空間。
此時，電漿處理可以意指蝕刻或蒸鍍。
此外，基板10可以意指晶圓或安裝晶圓之托盤。
靜電吸盤200以能夠與旋轉軸210之旋轉連動而旋轉之方式結合於貫通腔室100之一側而設置之旋轉軸210之一端而位於腔室內部空間。
此時，在旋轉軸210與旋轉軸210所貫通之腔室100之一側之間，可以為了維持腔室之內壓而設置有旋轉軸密封構件211。
另外，靜電吸盤200被施加偏置電源220，以使基板10能夠固定於靜電吸盤200。
工作氣體供應部310和天線線圈320是產生用於處理基板10之電漿之結構。
工作氣體供應部310位於靜電吸盤200之下部。
另外，工作氣體供應部310連接於工作氣體儲存部311而向腔室內部供應工作氣體。
此時，在工作氣體供應部310與工作氣體儲存部311之間可以設置有調節工作氣體之排出量之工作氣體調節閥。
天線線圈320位於靜電吸盤200之下部。
另外，天線線圈320連接至第一高頻電源321而向工作氣體供應高頻電源來產生電漿。
在氣體供應部310和天線線圈320之上部可以設置有防止工作氣體之流入，並放出高頻電源之電介質板331。
此外，在電介質板上部可以設置有噴淋板332，該噴淋板332形成有複數個孔以均勻地噴射工作氣體。
這種結構在基板10表面朝向腔室100之上部之狀態下將基板10固定於靜電吸盤200，並旋轉靜電吸盤200，在使基板10之表面朝向腔室100之下部之狀態下使基板10被電漿處理。
如此，由於在基板10表面朝向腔室100之上部之狀態下將基板10固定於靜電吸盤200，並旋轉靜電吸盤200，在使基板10之表面朝向腔室100之下部之狀態下使基板10被電漿處理，因而具有不需要夾具之優點，且由於以基 板10荷重朝向下部之狀態固定於靜電吸盤200，因而具有防止基板10之中央部懸浮之優點。
若在空間上區分腔室100，則可以被區分為作為沿高度方向依次形成相互內通之空間之第一腔室110、第二腔室120以及第三腔室130。
第一腔室110是在一側貫通有旋轉軸210，在另一側設置有搬入或搬出基板10之通道口111之空間。
第二腔室120是沿高度方向形成於第一腔室110之下部，用電漿處理基板10之空間。
第三腔室130是形成於第二腔室120之下部，透過排氣部131排出廢氣之空間。
靜電吸盤200形成為半球形狀。
另外，在第一腔室內部形成有既定之空間，以使靜電吸盤200在原位不受其他結構之干擾，能夠沿正方向或反方向旋轉180°。
此時，也可以考慮靜電吸盤200之旋轉半徑，使空間形成為半球形狀、圓筒形狀等水平截面為圓形之形狀。
如此，若將靜電吸盤200形成為半球形狀，則使靜電吸盤200在原位沿正方向或反方向旋轉180°之軌跡最小化，因而不但能夠使與其他結構之干擾最小化，而且還具有能夠更有效地利用腔室100之內部空間之優點。
在靜電吸盤200之上部設置有淨化氣體供應部410，該淨化氣體供應部410與淨化氣體儲存部411連接而向腔室100內部供應淨化氣體。
淨化氣體用於在將基板10搬入或搬出腔室100之前去除電漿處理後殘留之殘留氣體。
此時，殘留氣體可以意指基板10經電漿處理之後殘留於腔室100之工作氣體、廢氣以及工程副產物。
若從淨化氣體供應部410向腔室100內供應淨化氣體，則殘留氣體透過淨化氣體之壓力而透過排氣部131排出。
如此，淨化氣體供應部410使去除工作氣體和廢氣變得容易，從而防止殘留氣體向腔室100外部流出，並防止殘留氣體殘留於腔室100內而固化來延長腔室100之清理(clearing)週期。
上述電漿基板處理裝置可以包括流入防止罩312，其以位於第一腔室110與第二腔室120之間之方式設置，且以能夠限制電漿流入第一腔室110之方式形成有靜電吸盤200部分地插入之孔。
此時，可以在流入防止罩312塗佈異物附著防止塗層以使顆粒之附著最小化。
如此，防止電漿流入第一腔室110，從而具有防止第一腔室110被電漿損傷之優點。
亦可以包括擋板132，其以位於第二腔室120與第三腔室130之間之方式設置，且形成有複數個孔。
此時，擋板132可以調節形成於擋板132之孔之大小和個數來控制第二腔室120與第三腔室130之間之氣體流動。
亦可以包括升降板133，其以位於第三腔室130與排氣部131之間之方式設置，且具有大於排氣部131之大小之直徑。
此時，升降板133可以與升降缸體134連接而透過升降調節第三腔室130與排氣部131之間之氣體流動。
如圖2和圖3所圖示，第一腔室110包括開閉隔壁112和固定隔壁113。
開閉隔壁112在清理腔室100內部時從固定隔壁113分離，使得第一腔室110之上部被開放。
此時，開閉隔壁112可以與固定隔壁113透過鉸鏈、缸體等連接機構114連接或分離。
第一腔室110透過開閉隔壁112之下端面和固定隔壁113之上端面相互接觸或分離而開閉。
此時，在開閉隔壁112之下端面與固定隔壁113之上端面之間可以設置用於提高密閉率之隔壁密封構件。
開閉隔壁112之下端面和固定隔壁113之上端面傾斜地形成，在開閉隔壁112之一側貫通有旋轉軸210，在固定隔壁113之另一側形成有通道口111。
通常，可以為了將由工作氣體供應部310和天線線圈320產生之電漿引導至靜電吸盤200而向靜電吸盤200施加高頻電源。
另外，一直連接有用於從第二高頻電源500向靜電吸盤200供應高頻電源之高頻電纜。
然而，當一直連接有高頻電纜時，存在根據需要沿正方向或反方向旋轉180°之靜電吸盤200之動作受限制之問題。
此外，就高頻電纜而言，由於其複雜之結構，當旋轉產生之應力累積時，可能會發生斷線、洩露等問題。
如圖4和圖5所圖示，本發明包括高頻電極212、缸體213以及插頭214。
高頻電極212突出形成於旋轉軸210之一側。
此時，高頻電極212之另一側可以由高頻電極212延伸而連接至靜電吸盤200，或透過高頻電纜等媒介機構連接至靜電吸盤200。
缸體213使用空氣、液壓、馬達等向高頻電極212方向伸長或向高頻電極212之反方向被壓縮。
插頭214被施加來自第二高頻電源500之高頻電源，且設置於缸體213之一端而透過缸體213之伸長或壓縮選擇性地連接高頻電極212。
當用電漿處理基板10時，若缸體213伸長而連接設置於缸體213之另一端之插頭214與高頻電極212，則向靜電吸盤200施加高頻電源。
當靜電吸盤200旋轉時，若缸體213壓縮而解除設置於缸體另一端之插頭214與高頻電極212之接觸，則解除向靜電吸盤200施加之高頻電源。
插頭214包括絕緣體215和一對彈力部216，以能夠夾緊高頻電極212。
絕緣體215設置於缸體213之一端。
一對彈力部216相互隔開既定間距而設置於絕緣體215之一端。
若缸體213伸長，使得高頻電極212插入於一對彈力部216之間，則彈力沿一對彈力部216相互對向之方向施加作用，從而能夠堅固地固定高頻電極212。
此時，一對彈力部216可以各自分離，或分別在單一軀體延伸而形成。
此外，可以透過形成為使一對相互對向之一對彈力部216之間之間距小於高頻電極212之厚度來更堅固地固定高頻電極212。
如此，當靜電吸盤200旋轉時，插頭214與高頻電極212之間之連接被解除，因而具有不會發生斷線、洩露等問題之優點。
如圖6至圖8所圖示，用本發明之電漿處理基板之步驟順序如下。
首先，將基板10搬入腔室100內部。
之後，將基板10安放於靜電吸盤200。
之後，向靜電吸盤200施加偏置電源來將基板10固定於靜電吸盤 200。
之後，在基板10固定於靜電吸盤200之狀態下，旋轉軸210沿正方向旋轉180°，使固定於靜電吸盤200之基板10之表面朝向腔室100之下部。
之後，對基板10進行電漿處理。
之後，從淨化氣體供應部410向第一腔室110供應淨化氣體來去除殘留於第一腔室110之殘留氣體。
之後，旋轉軸210沿反方向旋轉180°，以使固定於靜電吸盤200之基板10朝向腔室100之上部。
之後，解除向靜電吸盤200施加之偏置電源。
之後，將基板10搬出至腔室100之外部。

Claims (10)

  1. 一種包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置，其特徵在於，包括：腔室，其供用於進行電漿處理之基板搬入；旋轉軸，其貫通上述腔室之一側而設置；靜電吸盤，其以能夠與上述旋轉軸之旋轉連動而旋轉之方式結合於上述旋轉軸之一端而位於上述腔室之內部空間，且被施加偏置電源以使上述基板能夠貼附；氣體供應部，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向上述腔室內部供應工作氣體；天線線圈，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向上述工作氣體供應高頻電源來產生電漿；淨化氣體供應部，其以位於上述靜電吸盤之上部之方式設置，且向上述腔室內部供應淨化氣體；以及排氣部，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置，且排出上述工作氣體和上述淨化氣體，在基板表面朝向上述腔室之上部之狀態下，將搬入之上述基板固定在上述靜電吸盤，再在透過上述旋轉軸旋轉180°，上述靜電吸盤在原位翻轉，上述基板表面朝向上述腔室之下部之狀態下，對基板進行電漿處理。
  2. 如請求項1所述之包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置，其中，上述靜電吸盤形成為半球形狀，在上述腔室內部形成有使上述靜電吸盤能夠旋轉之空間。
  3. 如請求項1所述之包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置，其中，上述腔室包括：第一腔室，其在一側貫通有上述旋轉軸，在另一側設置有能夠搬入或搬出上述基板之通道口；以及第二腔室，其供上述基板被電漿處理，並且上述電漿基板處理裝置包括流入防止罩，該流入防止罩位於上述第一腔室與上述第二腔室之間，且以能夠限制電漿流入上述第一腔室之方式形成有上述靜電吸盤部分地插入之孔。
  4. 如請求項1所述之包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置，其進一步包括，高頻電極，其突出形成於上述旋轉軸之一側；缸體，其向上述高頻電極方向伸長；以及插頭，其設置於上述缸體之一端而選擇性地連接上述高頻電極，上述缸體在上述旋轉軸以固定於上述靜電吸盤之上述基板表面朝向上述腔室之下部之方式旋轉後之狀態下，將上述插頭連接至上述高頻電極，在上述旋轉軸以上述基板表面朝向上述腔室之上部之方式旋轉之前，解除上述插頭之連接。
  5. 如請求項4所述之包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置，其中，上述插頭包括：絕緣體，其結合於上述缸體之一端；以及一對彈力部，其以能夠夾緊上述高頻電極之方式在上述絕緣體之一側面之上端和下端相互隔開既定間距地結合於絕緣體之一端。
  6. 如請求項1所述之包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置，其中，上述腔室包括：第一腔室，其在一側貫通有上述旋轉軸，在另一側設置有能夠搬入或搬出上述基板之通道口；第二腔室，其供上述基板被電漿處理；第三腔室，其連通有上述排氣部而設置；擋板，其位於上述第二腔室與上述第三腔室之間，且形成有複數個孔；升降板，其位於上述第三腔室與上述排氣部之間，控制上述第三腔室與上述排氣部之間之氣體流動，且具有大於上述排氣部之大小之直徑；以及升降缸體，其結合於上述升降板而使上述升降板升降，上述工作氣體和上述淨化氣體從上述擋板流入而從上述排氣部排出，上述第三腔室形成有供上述升降板升降之空間。
  7. 一種包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置，其特徵在於，包括：腔室，其供用於進行電漿處理之基板搬入；旋轉軸，其貫通上述腔室之一側而設置；靜電吸盤，其以能夠與上述旋轉軸之旋轉連動而旋轉之方式結合於上述旋轉軸之一端而位於上述腔室之內部空間，且被施加偏置電源以使上述基板能夠貼附；氣體供應部，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向上述腔室內部供應工作氣體；以及天線線圈，其以位於上述靜電吸盤之下部之方式設置而向上述工作氣體供應高頻電源來產生電漿，上述腔室包括：第一腔室，其在一側貫通有上述旋轉軸，在另一側設置有能夠搬入或搬出上述基板之通道口；以及第二腔室，其供上述基板被電漿處理，上述第一腔室具備固定隔壁和從上述固定隔壁分離之開閉隔壁，上述開閉隔壁之下端面和上述固定隔壁之上端面相互接觸或分離來開閉上述第一腔室之上部，上述旋轉軸貫通上述開閉隔壁之一側而形成，使上述靜電吸盤與上述開閉隔壁一同被驅動。
  8. 如請求項7所述之包括能夠旋轉之靜電吸盤之電漿基板處理裝置，其中，在上述第一腔室，上述開閉隔壁之下端面和上述固定隔壁之上端面傾斜地形成，上述通道口設置於上述固定隔壁之另一側。
  9. 一種利用請求項1所述之電漿基板處理裝置之基板處理方法，上述電漿基板處理裝置進一步包括：高頻電極，其突出形成於上述旋轉軸之一側；缸體，其向上述高頻電極方向伸長；以及插頭，其設置於上述缸體之一端而選擇性地連接上述高頻電極，其包括：(1)將上述基板安放於上述靜電吸盤之步驟；(2)向上述靜電吸盤施加偏置電源來將上述基板固定於上述靜電吸盤之步驟；(3)在上述基板固定於上述靜電吸盤之狀態下，上述旋轉軸旋轉，使固定於上述靜電吸盤之上述基板表面朝向上述腔室之下部之步驟；(4)對上述基板進行電漿處理之步驟；(5)上述旋轉軸旋轉，使固定於上述靜電吸盤之上述基板朝向上述腔室之上部之步驟；以及(6)解除向上述靜電吸盤施加之偏置電源之步驟，在上述第(3)步驟之後，上述缸體將上述插頭連接至上述高頻電極，在上述第(4)步驟之後，上述缸體解除所連接之上述插頭。
  10. 一種利用請求項1所述之電漿基板處理裝置之基板處理方法，其包括：(1)將上述基板安放於靜電吸盤之步驟；(2)向上述靜電吸盤施加偏置電源來將上述基板固定於上述靜電吸盤之步驟；(3)在上述基板固定於上述靜電吸盤之狀態下，上述旋轉軸旋轉，使固定於上述靜電吸盤之上述基板表面朝向上述腔室之下部之步驟；(4)對上述基板進行電漿處理之步驟；(5)上述旋轉軸旋轉，使固定於上述靜電吸盤之上述基板朝向上述腔室之上部之步驟；以及(6)解除向上述靜電吸盤施加之偏置電源之步驟，在上述第(4)步驟和第(5)步驟之間之步驟，包括：從上述淨化氣體供應部向上述腔室供應淨化氣體並使上述排氣部進行動作來去除殘留於上述腔室之殘留氣體之步驟。
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