TWI373516B - Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material - Google Patents

Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material Download PDF

Info

Publication number
TWI373516B
TWI373516B TW094116371A TW94116371A TWI373516B TW I373516 B TWI373516 B TW I373516B TW 094116371 A TW094116371 A TW 094116371A TW 94116371 A TW94116371 A TW 94116371A TW I373516 B TWI373516 B TW I373516B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
quantum
phosphorescent
converted
quantum dots
Prior art date
Application number
TW094116371A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200611967A (en
Inventor
Janet Bee Yin Chua
Kok Chin Pan
Kee Yean Ng
Kheng Leng Tan
Tajul Aroshi Baroky
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Mfg filed Critical Taiwan Semiconductor Mfg
Publication of TW200611967A publication Critical patent/TW200611967A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI373516B publication Critical patent/TWI373516B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

1373516 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用量子點及非量子螢光材料發射輸 出光之裝置及方法。 【先前技術】 現有發光二極體（"LED")可發射在紫外線（"UV")、可見 或紅外線（"IR")波長範圍内之光。該等LED—般具有較窄 之發射光譜（约+/-1 0 nm)。例如，藍色氮化銦鎵（InGaN) • LED可產生波長470 nm+/-10 nm之光。另外例如，綠色氮 化姻蘇LED可產生波長為510 nm+/-l〇 nm之光。又例如， 紅色碟化鋁鎵銦（AlInGaP) LED可產生波長為630 nm +八10 nm之光。 然而，在一些應用中’欲使用可產生更寬發射光譜之 LED來產生理想之彩色光，如白光。歸因於該等窄帶發射 特性，該等單色LED不能直接用以產生寬譜彩色光。相 反’ 一單色LED之輸出光須與一種或多種不同波長之其它 ® 光混合以產生寬譜彩色光。此可通過將一種或多種螢光材 料引入一單色LED燈而通過螢光將一些原始光轉換成更長 波長之光而達成。原始光及經轉換光之組合產生寬譜彩色 光，其可自該LED發射作為輸出光。用以創造產生寬譜彩 色光之LED之最普通之螢光材料為由以下磷光質製成之螢 光顆粒：諸如石榴石基磷光質、矽酸鹽基磷光質、正矽酸 鹽基磷光質、硫化物基磷光質、硫代鎵酸鹽基磷光質及氮 化物基磷光質。該等磷光質顆粒通常與用以形成LED燈之 10I752.doc 1373516 ϋ明材料混合’使得從該LED半導體晶粒發射之原始光可 在該led燈内經轉換以產生理想之輸出光。 • 有關使㈣光質顆粒產生寬譜彩色㈣光之考慮為該輸 出光可具有一可低至六十五（65)之低演色指數（color endering Index)(CRI)。通過檢驗該輸出光之光譜，其將 顯而易見的，該光譜通常在不同波長具有較大之間隙或波 谷。 鑒於此考慮，需要一種用於發射具有高CRI之寬譜彩色 輸出光之裝置及方法。 【發明内容】 一種用於發射輸出光之裝置及方法，其利用量子點及非 量子螢光材料將從該裝置之一光源發射之至少一些原始光 轉換成波長更長之光，以改變該輸出光之彩色特性。該裝 置可用以產生寬譜彩色光，如白光。 一種用於根據本發明之一實施例發射輸出光之裝置包括 • 一發射原始光之光源及一光學耦接到該光源以接收該原始 光之波長位移區域。該波長位移區域包括至少一種類型之 量子點以將一些原始光轉換成第一轉換光。該波長位移區 域進一步包括非量子螢光材料以將一些原始光轉換成第二 轉換光。該第一轉換光及該第二轉換光為該輸出光之組 份。 一種根據本發明之一實施例用於發射輸出光之方法包 括：產生原始光，接收該原始光，包括使用至少一種類型 之量子點將一些原始光轉換成第一轉換光，及使用非量子 101752.doc 1373516 螢光材料將一些原始光轉換成第二轉換光，及發射該第一 轉換光及該第二轉換光作為輸出光。 從以下詳細描述，結合隨附圖示並通過本發明之原理之 實例而例示，本發明之其它態樣及優點將變得顯而易見。 【實施方式】 參看圖1，顯示了一根據本發明之一實施例之發光二極 體（LED) 100 ^該LED 100經設計以產生具有高演色指數 (CRI)之寬譜彩色輸出光，如"白"光。通過使用不同類型之 光致發光材料將由LED 100所產生之一些原始光轉換成波 長更長之光而產生該寬譜彩色輸出光。使用不同類型之光 致發光材料補償當僅使用一種類型之光致發光材料產生寬 譜彩色光時所存在之波長缺陷，藉此增加CRI。 如圖1中所示’ LED 100為一導線框安裝式LED。該LED 100包括一 LED晶粒102、導線框1〇4及1〇6、一導線1〇8及 一燈11 0。該LED晶粒102為一產生特殊峰值波長之光之半 導體晶片。因此，該LED晶粒102為LED晶粒之光源。儘管 圖1中顯示LED 100包括一單個LED晶粒，但該LED可包括 多個LED晶粒。LED晶粒102可設計為產生具有紫外線、藍 色或綠色波長範圍中之峰值波長之光。LED晶粒1〇2位於 該導線框104上，並經由導線108電連接到另一導線框 106。該導線框1〇4及106提供驅動LED晶粒102所需之電 力。該LED晶粒102被密封於燈110中，該燈11〇為一用於 傳播來自LED晶粒102之光之媒介。該燈110包括一主要部 分1〗2及一輸出部分114 »在此實施例中，燈11 〇之輸出部 10I752.doc 1373516 分114為圓頂形以充當一透鏡。因此，從led 100發射之作 為輸出光之光由燈1丨0之圓頂形輸出部分114所聚焦。然 而’在其它實施例中，燈110之輸出部分114可為水平平面 开4。 該LED 1〇〇之燈110係由一透明主體基質所製成，使得來 自LED晶粒1〇2之光可穿過該燈傳播並從該燈之輸出部分 114發射出來。該主體基質可為聚合物（由諸如單體之液體 _ 或半固體先驅材料形成）、環氧樹脂、聚妙氧 '玻璃或聚 石夕氧與環氧樹脂之混合物。在此實施例中，燈11〇包括一 波長位移區域116，其也是一由主體基質及兩種類型之光 致發光材料製成之用於傳播光之媒介，該兩種類型之光致 發光材料包括非量子螢光材料118及量子點119。該波長位 移區域116中包括之非量子螢光材料118可為一種或多種類 型之非量子磷光質，諸如石榴石基磷光質、矽酸鹽基磷光 質、正矽酸鹽基磷光質 '硫代鎵酸鹽基磷光質、硫化物基 • 磷光質及氮化物基磷光質。該非量子磷光質可為具有或不 具有矽塗層之磷光質顆粒。當該磷光質顆粒與主體基質混 合以形成燈110之波長位移區域116時，磷光質顆粒上之石夕 塗層減少磷光質顆粒之叢聚（clustering)或聚集 (aggl〇meration)。磷光質顆粒之叢聚或聚集可導致lEd產 生具有不均勻彩色分佈之輸出光。 可藉由使該磷光質顆粒經受退火處理，以使磷光質顆粒 退火並移除污染物，來將矽塗層施加到合成之磷光質顆粒 上。接著，將該磷光質顆粒與矽粉末混合，並在一約2〇〇 101752.doc 1373516 攝氏度之爐中加熱。所施加之熱在磷光質顆粒上形成一較 薄之石夕塗層。相對於該磷光質顆粒，磷光質顆粒上矽之量 約為1 %。或者，無需施加熱便可在磷光質顆粒上形成石夕 塗層。甚至可將矽粉末添加到該磷光質顆粒，其因凡得瓦 爾力而點附到磷光質顆粒上，從而在該磷光質顆粒上形成 一石夕塗層。 δ玄波長位移區域116中包括之非量子螢光材料或者可 包括一或多個有機染料或非量子磷光質與有機染料之任何 組合。 该波長位移區域116中包括之也已知為半導體奈米晶體 之1：子點11 9為限制電子及洞之人工製造裝置。量子點之 典型尺寸範圍為從奈米到數微米。類似於麟光質顆粒，量 子點具有光致發光性質以吸收光並重發射不同波長之光。 然而，從量子點發射之光之彩色特性取決於該量子點之大 小及該量子點之化學成份，而不僅僅取決於如磷光質顆粒 之化學成份》量子點之特徵為帶隙小於從例如lEd晶粒 1 02之LED光源發射之光之至少一部分之能量。 該波長位移區域116中包括之量子點119可為由以下製成 之量子點：CdS、CdSe、CdTe、CdP。、ZnS、ZnSe、
ZnTe、ZnP。、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbS、PbTe、
HgS、HgSe、HgTe及Cd(Si.xSex)，或者可為由以下組成之 金屬氧化物群組製成之量子點：BaTi〇3、PbZr〇3、
PbZrzTi】.z03、BaxSrbx Ti〇3、SrTi03、LaMn03、
CaMn〇3、La,-xCaxMn〇3。相對於化學成份及大小，波長 101752.doc 1373516 .位移區域116包括至少一種類型之量子點。波長位移區域 116中包括之量子點之類型將部分取決於該非量子螢光材 :料118之波長缺陷。例如，如果該非量子螢光材料118產生 一缺少約600 nm波長之輸出光，則可選擇一種特殊類型之 量子點’其可產生約_ nm之轉換光以補償該缺陷其將 增加該輸出光之CRI »波長位移區域116中包括之量子點 119可經塗布或未經塗布—具有對主體基f之親及力之材 • 料。該塗層使量子點119鈍化以防止聚結或聚集，從而克 服該量子點之間之凡得瓦爾結合力。 量子點119上之塗層可為（a)有機蓋帽、（b)外殼或（c)由諸 如si奈米晶體之玻璃材料製成之蓋帽。可使用八以8及 Cd(OH)2在量子點上形成有機蓋帽，其優選可由高pH值之 Cd2+純化。接著’通過將染料附著到該量子點之表面來執 行該量子點之表面修改。例如’ CdSe表面表面活性劑不穩 定且可被相繼添加之Se+及Cd2+置換，其可生長以使晶種 •(量子點）更大。對於Cd2+富集表面而言，可用ph-Se·處理 該表面’並將一有機塗層共價鍵接到該表面。分子顆粒之 此隔離稱為"加蓋"（capped) ^已知蓋帽分子之類型包括： Mlchelle液體（芬德勒）、Tio-終端（S-基）（韋勒-漢堡）、膦 酸鹽終端（Berwandi-麻省理工學院）、氮終端比啶、吡嗪） 及樹突蓋帽（多股配位體）(peng)。 外殻為内核材料（量子點）上之塗層。一般而言，形成該 外殼之塗層材料可為氧化物基或硫化物基。外殼/核心之 實例為 Ti〇2/Cds、ZnO/CdSe、ZnS/Cds及 Sn02/CdSe。對於 101752.doc 1373516
CdSe核心而言，也可用顯著改良CdSe效率之Zns、 ZnSe(*56化物基）或CdS將其塗布。 該波長位移區域116或整個燈110可包括分散劑或遍佈該 區域之擴散顆粒。該擴散顆粒促使從該LED晶粒1〇2、非 量子螢光材料118及量子點119發射之不同波長之光擴散， 致使所得輸出光之色彩更均勻。該擴散顆粒可為矽、二氧 化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及/或氧化鈦。該波長位移區域116 或整個燈110也可以包括黏著力促進劑及/或紫外線（uv)抑 制劑。 波長位移區域116中包括之非量子螢光材料jig吸收從 LED晶粒1 02發射之一些原始光，其激發該非量子螢光材 料之原子’並發射波長更長之光。類似地，量子點1 1 9吸 收從LED晶粒102發射之一些原始光，其激發該量子點， 並發射波長更長之光。從該量子點119發射之光之波長取 決於量子點之大小。在一實施中，從該非量子螢光材料 φ 118發射之光及從量子點119發射之光與從該led晶粒102 發射之未被吸收之光相結合以產生寬譜彩色光，其從燈 110之光輸出部分U4發射作為LED 1〇〇之輸出光。在另一 實施中，實質上從LED晶粒102發射之所有光被非量子登 光材料118及量子點119吸收及轉換。因此，在此實施中， 只有由非量子螢光材料118及量子點119所轉換之光被從該 燈〗】〇之光輸出部分114發射作為LED 100之輸出光。 從該非量子螢光材料118及該量子點119發射之光之組合 可產生寬譜彩色光，其比僅使用非量子螢光材料丨18或僅 101752.doc 1373516 使用量子點119而發射之光具有更高之cri。可通過使用一 或多個不同LED晶粒、使用一或多個不同非量子螢光材 料、使用一或多個不同類型之量子點及/或使用不同大小 之量子點來調節該LED 1〇〇之寬譜彩色輸出光。另外，也 可以使用具有或不具有矽塗層之磷光質顆粒之非量子螢光 材料、使用具有或不具有塗層之量子點及/或使用在該量 子點上之不同類型之塗層來調節LED 100之寬譜彩色輸出 光。此外，可調節該波長位移區域116中包括之非量子螢 光材料118與量子點119之間之比率，以產生具有理想彩色 特性之輸出光。 儘管圖1中顯示之燈110之波長位移區域116之形狀為矩 形’但是如圖3A中所示，可將該波長位移區域配置為其它 形狀，如半球。此外，在其它實施例中，該波長位移區域 Π 6不可物理耦接到該LED晶粒1 〇2。因此，在該等實施例 中，可將該波長位移區域116置放在該燈11〇内之其它地 方。 圖2A、2B及2C中顯示了根據本發明之一實施例具有替 代燈配置之LED 200A、200B及200C。圖2A之LED 200A包 括一燈210A’其中整個燈為一波長位移區域。因此，在此 配置中’該整個燈21 0A係由該主體基質、該非量子螢光材 料11 8及該量子點119之混合物所製成。圖2B之LED 200B 包括一燈210B ’其中一波長位移區域216B位於該燈之外 表面。因此，在此配置中，首先將不具有非量子螢光材料 118及量子點119之燈210B之區域形成於該LED晶粒102上 101752.doc 13 1373516
方’並接著將該主體基質與該光致發光材料之混合物沉積 在此區域上方，以形成該燈之波長位移區域216B。圖2C 之LED 200C包括一燈210C，其中波長位移區域216C為一 塗布在LED晶粒102上方之主體基質117、非量子螢光材料 118及量子點119之混合物薄層。因此，在此配置中，首先 以主體基質117、非量子螢光材料118及量子點119之混合 物塗布或覆蓋該LED晶粒102，以形成該波長位移區域 216C’並接著通過將不具有該光致發光材料之透明物質沉 ® 積在該波長位移區域上方，以形成燈21〇c之剩餘部分。例 如，根據該LED晶粒102之發射特性，LED 200C之波長位 移區域216C之厚度可在十（1〇)與六十（6〇)微米之間。 在一替代實施例中’如圖3A、3B、3C及3D所示，其上 置放該LED晶粒之LED導線框可包括一反射杯（reflect〇r cup)。圖3A-3D顯示具有不同燈配置之led 300A、300B、 300C及300D’該不同燈配置包括一具有一反射杯322之導 φ 線框320。該反射杯322為待置放之LED晶粒1〇2提供一凹 陷區域（depressed region)，使得該LED晶粒所產生之一些 光被反射離開該導線框32〇以作為有用之輸出光從相應之 LED發射出來。 可將以上所描述之不同燈配置應用於諸如表面黏著式 LED等其它類型之LED，以根據本發明形成具有非量子螢 光材料118及量子點119之其它類型之LED。另外，可將該 等不同燈配置應用於諸如半導體雷射裝置等其它類型之發 光裝置，以拫據本發明形成其它類型之發光裝置。在該等 101752.doc 1373516 發光裝置中，該光源可為除LED晶粒之外之任何光源，例 h雷射二極體。 參看圖4描述了一種用於根據本發明之一實施例產生輸 出光之方法。方塊402中，產生原始光。可通過一包括一 或多個LED晶粒之光源產生原始光。接著，在方塊4〇4 中接收該原始光’並使用至少一種類型之量子點將一些 原始光轉換成第一轉換光。另外，在方塊404中，也可以 使用非量子螢光材料將一些原始光轉換成第二轉換光。接 著’在方塊406中，發射該第一轉換光及該第二轉換光作 為該輸出光之組份。該輸出光也可以包括未被該量子點或 該非量子螢光材料轉換之一些原始光。 儘管已描述及例示了本發明之特定實施例，但本發明並 不限於所描述及說明部分之特定形式或佈置。本發明之範 圍由隨附申請專利範圍及其等價物所界定。 【圖式簡單說明】 圖1是根據本發明之一實施例之發光二極體（LED)之圖 式。 圖2A、2B及2C是根據本發明之一實施例具有替代燈配 置之LED之圖式。 圖3A、3B、3C及3D是根據本發明之一替代實施例具有 一有一反射杯之導線框之LED之圖式。 圖4是根據本發明之一實施例用於發射輸出光之方法之 流程圖。 【主要元件符號說明】 IOI752.doc •15- 1373516 100 發光二極體 102 LED晶粒 104 導線框 106 導線框 108 導線 110 燈 112 主要部分 114 輸出部分 116 波長位移區域 118 非量子螢光材料 119 量子點 200A LED 200B LED 200C LED 210A 燈 210B 燈 210C 燈 216B 波長位移區域 216C 波長位移區域 300A LED 300B LED 300C LED 300D LED 320 導線框 322 反射杯 101752.doc -16

Claims (1)

1373 1373
申請專利範圍： ^_ 1. 一種用於發射輸出光之 lOhS 一發射眉始光之光源；及、該裝置包含：L；^·!㈣| 一光學地耦接到該光源以接 (wavelength-shifting)區域，該 〜原。光之波長位移 類型之量子點，以將該原始光中=移區域包括至少一種 光，該波長位移區域進一步包:些光轉換成第一轉換 原始光中之-些光轉換成第二，子螢光材料，以將該 第二轉換光為該輸出光之組份。該第一轉換光及該 2. 如請求項1之裝置，其 光質顆粒。 °"非量子螢光材料包括磷 3. 如请求項2之裝置，其中 塗層。 、〒該專磷光質顆粒具有一矽 4. 如請求項2之裝置，其中 選自由以下組成之群組之罐光μ 1子榮光材料包括一 鹽基峨光質、正石夕酸鹽基碟光皙:石權石基碟光質 '石夕酸 硫化物基磷光質及氮化物基料質錢鎵酸鹽基磷光質、 5. 如請求項丨之裝置，其中誃 料塗層。 Λ等里子點具有一所選材 6. 如請求項5之裝置，其中 右嬙芸浐k 、 豕等1子點之該塗層包括 有機盖巾目_)、量子點外殼或由麵材料製成之蓋帽。 7·如請求項1之裝置，其中該等量子點包括以下中之 一個· CdS、CdSe、CdTe、CdPo、ZnS、ZnSe、ZnTe ' ZnPo、MgS ' MgSe、MgTe、PbSe、PbS、PbTe、HgS、 0503N-A35872YTWF1/Cindv 1373516 , 第94116371號申請專利範圍修正本 101年：）月22日修正替換頁 HgSe、HgTe、CdiSuSex)、BaTi03、PbZr03、PbZrzTi]· z03、BaxSr卜x Ti03、SrTi〇3、LaMn03、CaMn03 及 La]. xCaxMn〇3。 8. 如請求項1之裝置，其中該波長位移區域包括聚矽 氧、玻璃、環氧樹脂或聚矽氧與環氧樹脂之混合材料。 9. 如請求項1之裝置，其中該波長位移區域包括擴散 顆粒、紫外線抑制劑及黏合促進劑中之至少一個或其任一 組合。 10. 如請求項1之裝置，其中該光源包括至少一發光二 極體晶粒。 11. 一種用於發射輸出光之方法，該方法包含： 產生原始光； 接收該原始光，包括使用至少一種類型之量子點將一 些該原始光轉換成第一轉換光，及使用非量子螢光材料將 一些該原始光轉換成第二轉換光；及 發射作為該輸出光之組份之該第一轉換光及該第二轉 換光。 12. 如請求項11之方法，其中該非量子螢光材料包括 磷光質顆粒。 13. 如請求項12之方法，其中該等磷光質顆粒具有一 矽塗層。 14. 如請求項12之方法，其中該非量子螢光材料包括 一選自由以下·組成之群組之磷光質：石榴石基磷光質、矽 酸鹽基磷光質、正矽酸鹽基磷光質、硫代鎵酸鹽基磷光 0503N-A35872YTWF1/Cindy 1373516 101年5月22日修正替換頁 第941163Ή號申請專利範圍修正本 質、硫化物基磷光質及氮化物基磷光質。 15. 如請求項11之方法，其中該等量子點具有一所選 材料塗層。 16. 如請求項15之方法，其中該等量子點之該塗層包 括有機蓋帽、量子點外殼或由玻璃材料製成之蓋帽。 17. 如請求項11之方法，其中該等量子點包括以下中 之一個：CdS、CdSe、CdTe、CdPo、ZnS、ZnSe、ZnTe、 ZnPo、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbS、PbTe、HgS、 HgSe ' HgTe ' Cd(Si.xSex) > BaTi03 ' PbZr03 > PbZrzTi,. z〇3、BaxSr]_x Ti〇3、SrTi03、LaMn〇3、CaMn03 及 La]· xCaxMn03。 18. —種用於發射輸出光之裝置，該裝置包含： 一發射原始光之光源；及 一以光學方式耦接到該光源以接收該原始光之波長位 移區域，該波長位移區域包括至少一種類型之量子點，以 將一些該原始光轉換成第一轉換光，該波長位移區域進一 步包括複數個非量子磷光質顆粒，以將一些該原始光轉換 成第二轉換光，該第一轉換光及該第二轉換光為該輸出光 之組份。 19. 如請求項18之裝置，其中該等量子點或該等磷光 質顆粒具有一所選材料塗層。 20. 如請求項19之裝置，其中該塗層包括有機蓋帽、 量子點外殼或該等量子點上由玻璃材料製成之蓋帽。 0503N-A35872YTWF1/Cindy
TW094116371A 2004-10-14 2005-05-19 Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material TWI373516B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/966,534 US7102152B2 (en) 2004-10-14 2004-10-14 Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200611967A TW200611967A (en) 2006-04-16
TWI373516B true TWI373516B (en) 2012-10-01

Family

ID=36179805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094116371A TWI373516B (en) 2004-10-14 2005-05-19 Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7102152B2 (zh)
JP (1) JP5514391B2 (zh)
CN (1) CN100541838C (zh)
TW (1) TWI373516B (zh)

Families Citing this family (146)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
US9470826B2 (en) * 2003-02-12 2016-10-18 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Color filter and display panel using same
US7318651B2 (en) * 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7667766B2 (en) * 2003-12-18 2010-02-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjustable spectrum flash lighting for image acquisition
WO2005086239A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色発光ダイオード（ｌｅｄ）及び白色ｌｅｄの製造方法
US20050199784A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Rizal Jaffar Light to PWM converter
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
JP2006083219A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Sharp Corp 蛍光体およびこれを用いた発光装置
DE102004053116A1 (de) * 2004-11-03 2006-05-04 Tridonic Optoelectronics Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7522211B2 (en) * 2005-02-10 2009-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Studio light
KR101142519B1 (ko) * 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
KR100682874B1 (ko) * 2005-05-02 2007-02-15 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ
KR20080007247A (ko) * 2005-05-12 2008-01-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 색 변환 재료 조성물 및 이것을 포함하는 색 변환 매체
ATE534720T1 (de) * 2005-05-24 2011-12-15 Seoul Semiconductor Co Ltd Grüner phosphor aus thiogallat, roter phosphor aus erdalkalisulfid und darauf basierende weisse lichtemittierungsvorrichtung
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8718437B2 (en) * 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
KR101266130B1 (ko) * 2005-06-23 2013-05-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 단파장 ｌｅｄ들 및 다운-컨버젼 물질들로 백색광을생성하기 위한 패키지 설계
US20070012928A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Zouyan Peng Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes and powdered phosphors
US7495383B2 (en) * 2005-08-01 2009-02-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor based on a combination of quantum dot and conventional phosphors
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US7646035B2 (en) * 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
EP1919000A1 (en) * 2005-08-05 2008-05-07 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
JP2007157831A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Sharp Corp 発光装置
KR100745745B1 (ko) * 2006-02-21 2007-08-02 삼성전기주식회사 나노복합재료 및 그 제조방법
KR100828891B1 (ko) 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
EP2041478B1 (en) * 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9701899B2 (en) 2006-03-07 2017-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP1999232B1 (en) * 2006-03-16 2017-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd Fluorescent material and light emitting diode using the same
EP2033235B1 (en) * 2006-05-26 2017-06-21 Cree, Inc. Solid state light emitting device
KR101258229B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US20080012001A1 (en) * 2006-07-12 2008-01-17 Evident Technologies Shaped articles comprising semiconductor nanocrystals and methods of making and using same
KR100901947B1 (ko) * 2006-07-14 2009-06-10 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
JP5326229B2 (ja) * 2006-09-08 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
US7813400B2 (en) 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
WO2008133660A2 (en) 2006-11-21 2008-11-06 Qd Vision, Inc. Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts
WO2008063652A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063658A2 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
EP2122695A4 (en) * 2007-03-08 2013-09-11 3M Innovative Properties Co NETWORK OF LUMINESCENT ELEMENTS
US7638811B2 (en) * 2007-03-13 2009-12-29 Cree, Inc. Graded dielectric layer
US20080246044A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Siew It Pang LED device with combined Reflector and Spherical Lens
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
WO2009014590A2 (en) * 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
US9136498B2 (en) * 2007-06-27 2015-09-15 Qd Vision, Inc. Apparatus and method for modulating photon output of a quantum dot light emitting device
TWI365546B (en) * 2007-06-29 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode device and fabrication method thereof
US20090001403A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Motorola, Inc. Inductively excited quantum dot light emitting device
KR101730164B1 (ko) * 2007-07-18 2017-04-25 삼성전자주식회사 고체 조명에 유용한 양자점-기반 광 시트
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US20090054752A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Motorola, Inc. Method and apparatus for photoplethysmographic sensing
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
TW200921929A (en) * 2007-11-02 2009-05-16 Innolux Display Corp Light emitting diode
US8003021B2 (en) * 2007-11-08 2011-08-23 Toyota Motor Engineering And Manufacturing North America, Inc. Synthesis of Pb alloy and core/shell nanowires
WO2009145813A1 (en) 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
DE102008021666A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US7845825B2 (en) * 2009-12-02 2010-12-07 Abl Ip Holding Llc Light fixture using near UV solid state device and remote semiconductor nanophosphors to produce white light
US7980728B2 (en) 2008-05-27 2011-07-19 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting using light transmissive solid in or forming optical integrating volume
US8172424B2 (en) * 2009-05-01 2012-05-08 Abl Ip Holding Llc Heat sinking and flexible circuit board, for solid state light fixture utilizing an optical cavity
US8021008B2 (en) 2008-05-27 2011-09-20 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting using quantum dots in a liquid
US8212469B2 (en) 2010-02-01 2012-07-03 Abl Ip Holding Llc Lamp using solid state source and doped semiconductor nanophosphor
US8028537B2 (en) 2009-05-01 2011-10-04 Abl Ip Holding Llc Heat sinking and flexible circuit board, for solid state light fixture utilizing an optical cavity
EP2301071B1 (en) * 2008-05-29 2019-05-08 Cree, Inc. Light source with near field mixing
DE102008050643B4 (de) 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8360617B2 (en) * 2008-11-25 2013-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting system including LED with glass-coated quantum-dots
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
WO2010129374A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 Qd Vision, Inc. Optical materials, optical components, and methods
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
EP2465147B1 (en) * 2009-08-14 2019-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
WO2011031876A1 (en) 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
KR101865888B1 (ko) 2009-09-09 2018-06-08 삼성전자주식회사 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법
JP2013508895A (ja) 2009-10-17 2013-03-07 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 光学部品、これを含む製品およびこれを作製する方法
US8217406B2 (en) * 2009-12-02 2012-07-10 Abl Ip Holding Llc Solid state light emitter with pumped nanophosphors for producing high CRI white light
US8118454B2 (en) 2009-12-02 2012-02-21 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting system with optic providing occluded remote phosphor
US9163802B2 (en) * 2009-12-02 2015-10-20 Abl Ip Holding Llc Lighting fixtures using solid state device and remote phosphors to produce white light
US20110127555A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Renaissance Lighting, Inc. Solid state light emitter with phosphors dispersed in a liquid or gas for producing high cri white light
US8604461B2 (en) * 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
KR20180025982A (ko) 2010-01-28 2018-03-09 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디. 규정된 컬러 방출을 위한 조명 장치
US9719012B2 (en) * 2010-02-01 2017-08-01 Abl Ip Holding Llc Tubular lighting products using solid state source and semiconductor nanophosphor, E.G. for florescent tube replacement
KR100969100B1 (ko) * 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
US8517550B2 (en) 2010-02-15 2013-08-27 Abl Ip Holding Llc Phosphor-centric control of color of light
US8222025B2 (en) * 2010-03-23 2012-07-17 Lan Wong Multistory bioreaction system for enhancing photosynthesis
US20110236958A1 (en) * 2010-03-23 2011-09-29 Lan Wong Multistory Bioreaction System for Enhancing Photosynthesis
KR101683270B1 (ko) 2010-03-31 2016-12-21 삼성전자 주식회사 백색 발광 다이오드를 포함하는 액정 디스플레이 장치
CN102222750A (zh) * 2010-04-19 2011-10-19 海洋王照明科技股份有限公司 白光led装置及其制作方法
US8089207B2 (en) 2010-05-10 2012-01-03 Abl Ip Holding Llc Lighting using solid state device and phosphors to produce light approximating a black body radiation spectrum
WO2011147521A1 (en) 2010-05-27 2011-12-01 Merck Patent Gmbh Down conversion
US8702277B2 (en) 2010-07-12 2014-04-22 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting diode and liquid crystal display including the same
KR101261461B1 (ko) * 2010-07-14 2013-05-10 엘지이노텍 주식회사 액정 표시 장치
JP2012036265A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Sharp Corp 照明装置
US8513955B2 (en) 2010-09-28 2013-08-20 Tyco Electronics Corporation SSL budgeting and coding system for lighting assembly
WO2012042452A2 (en) 2010-09-29 2012-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting device
US8362507B2 (en) 2010-11-01 2013-01-29 Tyco Electronics Corporation Optic assembly utilizing quantum dots
US9091399B2 (en) * 2010-11-11 2015-07-28 Bridgelux, Inc. Driver-free light-emitting device
KR20120054484A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조방법
CN103384794B (zh) 2010-12-23 2018-05-29 三星电子株式会社 包含量子点的光学元件
EP2669350B1 (en) 2011-01-28 2018-11-07 Showa Denko K.K. Composition containing quantum dot fluorescent body, molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin, structure containing quantum dot fluorescent body, light-emitting device, electronic apparatus, mechanical device, and method for producing molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin
CA2771851C (en) 2011-04-12 2018-07-24 Research In Motion Limited Camera flash for improved color balance
US20130001597A1 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Osram Sylvania Inc. Lighting Device Having a Color Tunable Wavelength Converter
US20130056706A1 (en) * 2011-09-01 2013-03-07 Kevin C. Baxter Quantum dot led light system and method
KR101644050B1 (ko) * 2011-09-09 2016-08-01 삼성전자 주식회사 반도체 나노결정을 포함하는 케이스 및 이를 포함하는 광전자 소자
US9864121B2 (en) 2011-11-22 2018-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Stress-resistant component for use with quantum dots
KR101362263B1 (ko) * 2012-01-30 2014-02-13 국민대학교산학협력단 광산란을 최소화하는 형광체-기지 복합체 분말 및 이를 포함하는 ｌｅｄ 구조체
JP6435258B2 (ja) * 2012-03-30 2018-12-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換側面被覆を具備する発光装置
US9599293B2 (en) * 2012-04-05 2017-03-21 Koninklijke Philips N.V. Full spectrum light emitting arrangement
WO2013150413A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Koninklijke Philips N.V. Light emitting arrangement comprising quantum dots
TW201341725A (zh) * 2012-04-13 2013-10-16 瑞儀光電股份有限公司 光源模組
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
CN102731965B (zh) * 2012-06-25 2015-04-08 广东普加福光电科技有限公司 量子点荧光材料及其制备方法、以及led补/闪光灯
TW201403878A (zh) * 2012-07-06 2014-01-16 Formosa Epitaxy Inc 一種發光元件
US20140170786A1 (en) 2012-12-13 2014-06-19 Juanita N. Kurtin Ceramic composition having dispersion of nano-particles therein and methods of fabricating same
KR20140089641A (ko) * 2013-01-03 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 갖는 표시 장치
US9142732B2 (en) * 2013-03-04 2015-09-22 Osram Sylvania Inc. LED lamp with quantum dots layer
JP2014175354A (ja) * 2013-03-06 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd 発光ダイオード
DE102013102482A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN105264042A (zh) * 2013-06-05 2016-01-20 柯尼卡美能达株式会社 光学材料、光学膜及发光器件
WO2015024008A1 (en) 2013-08-16 2015-02-19 Qd Vision, Inc. Methods for making optical components, optical components, and products including same
WO2016056727A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method of fabricating the same
TWI687322B (zh) 2014-12-24 2020-03-11 日商可樂麗股份有限公司 電子裝置及其製造方法
US10193029B2 (en) 2015-01-31 2019-01-29 Lg Chem, Ltd. Light conversion device and display device comprising same
EP3347432B1 (de) 2015-09-10 2019-11-27 Merck Patent GmbH Lichtkonvertierendes material
KR102512069B1 (ko) 2015-12-31 2023-03-21 삼성디스플레이 주식회사 청색 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN105679894B (zh) * 2016-03-30 2018-08-28 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种基于红光量子点的高色域白光led灯珠的制作方法
CN109964155B (zh) * 2016-11-07 2021-07-09 富士胶片株式会社 含荧光体膜及背光单元
US10290779B2 (en) * 2016-12-15 2019-05-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting element
CN107425106B (zh) * 2017-08-21 2019-07-19 苏州轻光材料科技有限公司 一种量子点组合紫外激发白光led发光装置
EP3729520A1 (de) 2017-12-18 2020-10-28 LITEC-Vermögensverwaltungsgesellschaft mbH Lichtkonvertierendes material
EP3826528A4 (en) 2018-07-25 2022-07-27 Natus Medical Incorporated REAL TIME REMOVAL OF IR LED REFLECTIONS FROM AN IMAGE
KR102085275B1 (ko) * 2019-01-28 2020-03-05 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드, 백라이트 유닛, 및 이를 포함한 디스플레이 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
JP3954304B2 (ja) * 2000-12-20 2007-08-08 株式会社東芝 発光装置
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
JP3978101B2 (ja) * 2002-08-29 2007-09-19 岡谷電機産業株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP4171890B2 (ja) * 2003-01-30 2008-10-29 株式会社ファインラバー研究所 赤色発光蛍光体及び発光装置
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
JP2005228996A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4019067B2 (ja) * 2004-04-30 2007-12-05 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP2004260219A (ja) * 2004-06-14 2004-09-16 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
TW200611967A (en) 2006-04-16
US7102152B2 (en) 2006-09-05
JP2006114900A (ja) 2006-04-27
CN1761078A (zh) 2006-04-19
US20060081862A1 (en) 2006-04-20
JP5514391B2 (ja) 2014-06-04
CN100541838C (zh) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI373516B (en) Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US7481562B2 (en) Device and method for providing illuminating light using quantum dots
US6890234B2 (en) LED cross-linkable phosphor coating
US7358543B2 (en) Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
US20060113895A1 (en) Light emitting device with multiple layers of quantum dots and method for making the device
TWI418053B (zh) 發光裝置
US8356913B2 (en) Light-emitting apparatus
CN100568552C (zh) 具有带光致发光材料的光子晶体层的发光设备及制造方法
JP4857735B2 (ja) 発光装置
US8502441B2 (en) Light emitting device having a coated nano-crystalline phosphor and method for producing the same
TW201232094A (en) Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion
EP2665099A1 (en) White-light light-emitting diode lamp with a remote reflective photoluminescent converter
JP4557293B2 (ja) 被覆された蛍光体、この種の蛍光体を有する発光装置及びその製造方法
GB2428680A (en) Phospor based on a combination of quantum dot and conventional phosphors
EP2062295A1 (en) Light-emitting device and display unit and lighting unit using the same
EP2677233B1 (en) Light-emitting diode source of white light with a remote phosphor converter
US20050156511A1 (en) Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material and/or thiogallate-based phosphor material
JPWO2005086239A1 (ja) 白色発光ダイオード（ｌｅｄ）及び白色ｌｅｄの製造方法
JP2020522746A (ja) 色変換層およびそれを有する表示装置
CN111033328A (zh) 波长转换构件及光源
JP4786886B2 (ja) 半導体発光装置
JP2013239318A (ja) 発光ダイオード照明装置
WO2014064901A1 (ja) 波長変換粒子、波長変換部材及び発光装置
US20060006397A1 (en) Device and method for emitting output light using group IIA/IIB selenide sulfur-based phosphor material
US20050167685A1 (en) Device and method for emitting output light using Group IIB element Selenide-based phosphor material