TWI364861B - Silicon carbide component of semiconductor substrate processing apparatuses treated to remove free-carbon - Google Patents

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Description

1364861 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電漿加工裝置之碳化碎元件、製造元件之 方法及在半導體基材之加工期間使用元件以提供基材之減 少顆粒污染之方法。 【先前技術】 半導體基材係藉各種方法加工，包括沉積法，如金屬、 介電質及半導體材料之化學氣相沉積法（CVD);姓刻法； 及光阻劑移除法。電㈣刻法傳統上用以鞋刻金屬、介電 質及半導體材料。 【發明内容】 提供處理半導體基材加卫裝置之碳切元件之方法、製 造該元件之方法及由本發明方法處理之元件。本發明方法 係=元件移除自由碳如石墨，藉此在半導體基材於電聚加 工室内之加工期間藉由元件減少半導體基材之顆粒污染。 可由本發明方法處理之碳切元件包括，例如，喷 極組合件之緩衝板及氣體分佈板、邊緣環、聚 =室襯塾、電極、晶圓通道插入件、窗、電浆屏幕 =交佳具體例中’經處理碳切元件係 :::碳:r合成製造，其導致元件包含痕量自由碳： :匕夕兀件為多孔性，並包内部與經暴露表面。 如在石夕秦氣與碳之反應合成以製造碳化石夕期間尤^ 轉化及碳切之機H處理 & 凡全 U疋件之内部及經 97546-doc 1004601 ,露表面上包含自由碳。本文所用之術語，，經暴露表面”意 ::件之表面’其係由處理如機器研磨自碳化矽移除材料 暴露’且在表面上具有自由 較么方法處理該半導體加 裝置之碳化矽元件以除去 上之自由碳。 ^貫貝上所有在經暴露表面 種移除自由碳之較伟t 土 人“* 餃佳方法，包括在含氧氣氛中加熱包 3自由奴之半導體加工裝置 置之蛱化矽兀件以自至少元件之 -.·里暴路表面除去實質上所有自由碳。 另：較值方法包括將包含自由碳之半導體加工裝置之碳 矽兀件與可自至少暴露表面有效移除 之化學溶液接觸，而不用實質上移除碳化石夕。斤有自由反 另一較佳方法包括用氧雷漿卢 工梦罢…儿 |漿處理包含自由碳之半導體加 裝置之石反化石夕元件以自至. 上所有自由碳。 件之經暴露表面移除實質 及二：佳具體例中’物元件為多孔性並包括内部 #J X, . r '、•成内部之自由碳之方法 I成，（⑴經處理以產生具有 ..„ ,...w ^ ，目由妷於其上之經暴露表 上無自由碳。 自由兔，使至少經暴露表面實質 另一較佳具體例提供一種半 ♦.心丁〜 稷牛導體基材加工裝置，其包含 电漿加工至及至少一個碳化 ,^ t 1千杈化矽元件可為，例 如’緩衝板、氣體分佈板、電毁 環、背板、室襯塾、雷搞曰门 遠緣％ ^焦 至很！電極'晶圓通道插入件 幕或室壁。在較佳具體例巾 反化矽疋件為至少一個噴頭 97546.doc 1364861 電極組合件之緩衝板供分佈加工氣體至電漿加工室内。 另-較佳具體例提供-種在半導體基材加卫裝置之 加工室内加工半導體基材之方法。半導體加工裝置包： 包含喷頭電極之喷頭電極組合件供應加工氣體之電漿二工 室及將加卫氣體通過至噴頭電極之緩衝室。在電渡加工 置内設置至少-個經移除自由碳之較佳方法處理之碳切 7C件。此法包括在提供碳化碎元件之電衆加卫室内加 導體基材。 + 在另-較佳具體例中，在電漿加工室内加工製造半導體 基材前，此室被電聚調節。電漿調節包括在室内加工製造 半導體基材前於電漿加卫室内連續地加工模擬晶圓。在= 聚加工室内提供至少-個經處理以除去自由碳之碳化矽元 件’藉此顯著地減少沉積在模擬晶圓上之相加粒顆粒之數 目以及減少室調節時間。 半導體基材加工裝置之—典型為平行板式反應器。平行 板式反應器包含具有頂電極之電漿加工室及基材支持物， 在電漿加工期間其上支持有基材如半導體晶圓。基材支持 物包含底電極及夾緊機構如機器夹頭或靜電夹頭（esc)供 夾緊基材。頂電極可為—部分噴頭電極組合件供分佈加工 乳體於電漿室内。噴頭電極組合件可包含垂直空間緩衝板 以藉由噴頭頂電極控制加工氣體之供應至噴頭電極。 半導體基材加工裝置亦可包含構成以限制電漿於電漿室 之選擇區内，例如在由基材支持物上之基材界定之區内， 其通常包含邊緣環及電漿限制環組合件。 97546.doc 在包含緩衝板之典型噴頭電極組合件中，加工氣體在透 過贺頭電極離開前通過一種以上緩衝板。電漿可侵襲至，1、 鄰接喷頭電極之孔附近之喷頭電極之底緩衝板。隨著時 間，蝕刻圖案可發展在緩衝板之下方，導致顆粒，稱為 相加粒"自缓衝板移除並沉積在基材上。相加粒可導致有 缺陷半導體裝置，如微處理器'記憶體 '電晶體等。因 此，希望在電漿加工操作期間產生之相加粒之數目降至最 少，如蝕刻開口進入半導體基材上之層内。 取 在電漿加工操作期間，半導體基材加工裝置之其他電漿 j露7L件如氣體分佈板、邊緣環、聚焦環、電聚限制環、 背板、室概塾、電極、晶圓通道插入件、窗、電聚屏幕、 室壁等亦可由電焚蝕刻，潛在地導致在電聚加工操作期間 半導體基材因經移除顆粒之污染。 該半導體基材加玉裝置之元件可自各種材料製造包括碳 切材料。該碳切元件可由各種方法如燒結法及石夕蒸氣 與，之反應合成法製造。由該反應合成法製成之碳化石夕材 =提供良好特性，如污染降低、耐磨性及設計撓性供電衆 環境使用。 可確定半導體加工裝置之碳化碎元件可包括”自 碳本文所疋義之，，自由碳”為以離散碳顆粒或碳顆粒 之鎮（聚集體）形式存在於碳切元件之⑽及/或表面上。 ”自由碳”與碳切矩陣材料有距離，其較佳具有化學計量 或近化學計量組合物。可衫除非該自由碳係自至少特定 部份該碳化石夕元件移除，當元件用於電聚環境内時，自由 97546.doc 1364861 碳可釋放作為顆粒。自由顆粒之釋放可產生相加粒，其可 污染加工於電漿環境内之半導體基材。 可確定含有自由碳之碳化以件可處理以自至少該元件 之經暴露表面移除自由破。亦可確定藉自碳化石夕元件移除 至少表面自由碳，可減少自在加工期間於包含該元件之電 聚室内之元件釋放之顆粒數目。因此，裝置之影響範圍發 生故障且由於相加粒可顯著減少而不利地衝擊經加工基材 之產率。 碳切元件之碳切材料較佳為制Μ氣由碳源之轉 化製成之高純度市面製造的碳化石夕。轉化過程包括將成形 碳f如石墨與Si〇2氣體反應，藉此產生si〇氣體，以及就 地氣相固態反應，纟中碳係與Si0氣體反應以轉化碳成為 sic並產生過量—氧化碳。起始碳料較佳為細粒、低孔隙 度、高純度等級石墨。由碳源之轉化製成之市售碳化石夕材 料為”SUPERSic"碳切，由P。⑶ Graphite，ine.，DW， 德州製造。 可確定由轉化石墨成為碳化矽製成之半導體基材加工裝 置之7G件可包含痕量自由碳如石墨顆粒，導致石墨之不完 全轉化成碳㈣。自由碳可在由石墨之不完全轉化成碳化 矽形成之碳化矽材料内呈碳粒或碳簇之形式。由該等過程 ，得之自由碳定位於碳化矽元件之内部。然而，該等元件 猎由如機器研磨及/或拋光之處理可除去表面材料並暴露 經處理表面上之自由碳，該表面稱為 '經暴露表面”。在碳 化石夕疋件之紐暴露表面之自由碳對基材之顆粒污染較位於 97546.doi 1364861 元件内部之自由碳更不宜。明確 _.^ 乃確而s，可確定包含表面自 由碳之70件可為碳粒源，直到表面自由碳完全由暴露至室 内之電漿除去為止。表面自由碳之㈣無法完全解決顆粒 問題’因為當電㈣漸聽碳切時，位㈣碳切元件 :部之自由碳變成暴露。然@，通常在規定時間内部自由 碳較表面自由碳更少暴露至電裝。 亦可確定包含由不完全碳轉化率獲得之自由礙之半導體 基材加工裝置之經Μ暴露碳切元件可處理以除去至少 位於元件之經暴露表面之自由碳以顯著地減少裝置内加工 =基材之肋污染。此外，如下所述，在處理包含在經暴 露表面及内部之自由石诗夕 目由厌之杈矽兀件之方法之具體例中，自 由碳可藉處理自經暴露表面以及内部除去。 處理碳切元件以料自由碳之方法較佳可用以處理由 碳轉化製造之元件；然而，&等方法亦可用以自其他方法 製成之碳化梦材料除去自由碳。例如碳化石夕可為燒結材 料可仵自，例如’ Cerc〇m，Inc·，of Vista，加州，
Carb〇rUndUm，InC.，Mesa，加州及Ceradyne，Inc_，〇f Costa Mesa，力σ 州。 可確定由於不完全碳轉化之結果存在於碳化矽元件内之 自由炭可。3碳簇之形式，g[7，較小碳粒之聚集體。此等 气L $可，、有尺寸為約微米至約2〇〇微， 米至約副微米。㈣，自由碳於該碳化以件内之量為 低於約1重％，如約〇5重量％或以下。 【實施方式】 97546.doc 1364861 發明提供自半導體基材加工 由碳衮置之妷化矽凡件除去自 不同方法。碳化矽元件為多 内部及妞暴並由導致存在於 處理自由碳之方法製成。此等方法包括 自由Γ 以除去至少實質上所有在經暴露表面上之 之：：。較佳的是，此等處理可除去所有在經暴露表面上 由碳。此等方法之具體例亦可除去整個元件内部之自 Π? Ο 人二較佳具體例中，碳切元件係由石夕蒸氣與碳之反應 。成製成。如上所述，在該等過程中，碳如石墨之不完全 轉化可發生而導致分佈於元件内部之自由石炭。此内部自由 ，可藉機器處理暴露。除去自由碳之方法之—較佳具體例 G括在有效地自經暴露表面除㈣質上所有自由碳之溫度 及時間下’加熱碳化矽元件於含氧之氣氛内。此項加熱較 佳亦可自碳切元件内部至少除㈣定自由碳，藉此防止 經移除内部自由碳於電漿加工室内釋出。 包含自由碳之碳化石夕元件可在任何適當容器如高溫爐或 鎔爐内加熱。含氧氣氛可包括但不限於，02、空氣、水蒸 氣或其混合物。在-較佳具體例t，密封容器並藉由供氣 系統將含氧氣氛如空氣供應至容器内。 含氧氣氛較佳保持在一種溫度下，其可有效地氧化自由 碳（即，將自由碳轉化成C0、C02或其混合物），但足夠低 以貫質上避免氧化碳化矽（g卩，不利地影響碳化矽之機器 及/或物理性）。較佳的是，處理容器内之含氧氣氛之溫度 為約750°C至約1200t，更佳為約800°C至約90(rc。碳化 97546.doc 1364861 矽兀件於含氧氣氛内處理一段時帛，較佳為約2小時至約 12小時，其可有效地自經暴露表面除去至少實質上所有自 由碳。 可確疋加熱碳化矽元件包括含氧氣氛内之自由碳可除去 所有在元件之經暴露表面之自由碳。此項加熱較佳亦可有 效地除去至少整個元件内部之特定自由碳。加熱作用較佳 除去内部中至少約8G%更佳為至少約慨尺寸為約微米 之自由碳粒及/或鎮數。加熱作用亦可自元件除去較小顆 粒及/或I碳切元件内之自由碳粒及/錢數可藉任何 適當技術如顯微術、自動影像分析等以手卫或自動方式測 另一處料切元件以㈣自由碳之較佳方法包括將碳 化石^件與有效地至少自表面除去實質上所有自由碳但不 會實質上除去碳化矽之化學溶液接觸。較佳的是，化學溶 液除去低於約m碳化矽。化學溶液可為任何嗯有效 達成此結果之適當組合物。化學玄 予'合液較佳為酸性溶液，例 如，包含硝酸、硫酸等之溶液。Λ 市· 收為了增強自由碳移除之速 率，化學溶液較佳加熱至高溫。處 地！作用可包括浸泡碳化
碎兀件於化學溶液内。或者，化聲,,六y· 1 W 化予各液可藉任何其他適合 方法如噴灑應用於碳化矽元件。 可調整化學溶液之濃度以控制自 W目由碳之移除速率，使得 處理可在所欲處理時間内進行。 — T 了選擇化學溶液之濃度、 /合液/皿度、pH及其他參數以達成自山 山 逆双目由石反之所欲移除速率。 奴化石夕元件可與化學溶液接觸一 ¥間以有效除去所欲自 97546.doc 1364861 由碳里’較佳為S去至少實質上所有在元件之經暴露表面 之自由碳。 另-處理碳化矽元件以除去自由碳之較佳方法包括用氧 電漿處理元件以自至少表面實質上除去所有自由碳。例 如，碳切元件可於半導體基材加卫裝置之灰化室内處理 以除去自由碳。在此處理期間，碳化石夕元件之溫度範圍可 為，例如’約20〇t至約300°C。 奴化石夕元件之外表面可藉研磨及/或抛光切肖q以在處理 元件刖以達成所欲表面最後修整以藉由較佳方法之一除去 自由碳。此項切削可產生具有自由碳於其上之經暴露表 面。 碳化矽元件之表面可在處理元件後用電漿調節以藉上述 方法之-除去自由碳。可進行電裂調節處理以自元件之表 面除去接附顆粒如碳化矽顆粒。該接附顆粒可導致切削及 /或燒結元件。調節碳化矽元件之適當方法敘述於共有美 國專利f請案G9/6G7,922號，2_年6月则申請，其整個 併入本文供參考。 在一較佳具體例中，在加工製造半導體基材前，包含一 種以上經處理以除去自由碳之碳化矽元件之電漿加工室係 藉加工模擬晶圓電漿調節。經處理碳化矽元件較佳在加工 製造半導體基材前放入電漿加工室内。 圖1顯示在半導體基材上計數之顆粒相加粒之數目對電 漿調節包含未經處理以除去自由碳之碳化矽緩衝板之電漿 加工室（曲線A)，及包含經處理於含氧氣氛内以除去自由 97546.doc 13 1364861 碳之碳化矽緩衝板之電漿加工室（曲線B)之電漿調節期間 之間之關係。水平線顯示具有尺寸為至少約〇2微米沉積 在200毫米模擬晶圓上之2〇相加粒之典型規格。 曲線B顯示具有尺寸為至少約〇2微米沉積在電漿加工室 内之200毫米模擬晶圓上之粒狀相加粒數目，就在室之電 聚調節之約2 RF小時（即’在調節期間於電漿反應器内產 生電漿之小時數目）後低於約1〇，及該粒狀相加粒數目藉 由延伸調節期間進一步降至約5。 然而，如曲線A所述，沉積在包含碳化矽下緩衝板之電 名加工室内之模擬晶圓上之未經處理以去自由碳之粒狀相 加粒數目高於20，即使在超過45 RF小時電漿調節後亦 然。因此，自由碳之移除可顯著地減少相加粒於電漿加工 室内之產生。 可错上述方法處理以除去自由碳之半導體基材加工裝置 =碳切元件包括但不限於緩衝板、氣體分佈板、邊緣 署聚，、.、環f聚限制環、背板、室襯塾、電極、晶圓通 道插入件、窗、電聚屏幕及室壁。包含該元件之半導體基 材加工裝置之典型元件敘述於美國專利6，⑵，綱號其 整個併入本文供參考。 八 山碳化石夕元件可具有各種形狀及尺寸。經處理以除去自由 :炭,含自由碳之碳化矽元件較佳可具有厚度為高達約1/4 ' 亦可如藉上述處理於含氧氣氛内處理較厚元 在較佳具體例中 一種以上經處理以除去自由碳之碳化 97546.doc • U· 1364861 此，此等缓衝板之電漿誘導腐蝕較下緩衝板22a更低關 切。然而，一種以上其他緩衝板亦可由碳化矽製成。 碳化矽缓衝板可構成為落入式更換零件供現存緩衝板， 或作為任何氣體分❹統之零件，其中其最好減少歸因於 該特定零紅。例如，碳切緩衝板可用作落入式更 換供Exelan®或4520XLE®缓衝板，其二者均由本案讓渡 人，Lam Research Corporation製造。 因為電馳合件為消耗性零件，所以希望使用非污染性 =料供㈣«之電極組合件之零件用。端視加工氣體化 而疋泫材料較佳為無鋁導電性、半導電性或絕緣性 材料亚可包括’例#，玻璃、陶瓷及/或聚合物材料如單 晶或多晶矽、石英；矽、棚、釔、鈽、鈦、鈕、鈮及/或 錯之碳化物、氮化物及，或氧化物；欽、鶴、组及/或銘之 石夕化物，金剛石等。對電漿反應室内之表面最佳為由石夕、 碳、氮及/或氧製成之材料。 電極可為導電性材料，如平面矽(如單晶矽)或自中心至 ^不均^有句勻厚度之碳化矽電極盤。然而，亦可使用具 =二旱度之電極（如敘述於美國專利91，787號之 進電極）。不且‘丁友 ,_ ^ 氣體分佈孔之不同材料及/或電極亦可 與電極紅合件一起 ^ , 災用。在一杈佳具體例中，電極為喷頭 電極，JL右工 〃 干隔開排氣通道，其具有尺寸及分佈適合供 應加工氣體，艾 ^ ”’、由電極賦能並在電極下方反應室内形成 電聚。 圖3顯示噴頭電 0’其可取代供包含圖2所示之噴頭電 97546.doc •17- Οϋΐ 極10及支持環12之喷頭電 極㈣藉可定位於圖4所干之二“頭電極40中，電 古拄严^ 之凹面48之彈性接頭46連接至 =㈣連續延伸環繞支持環 接至 與外壁5〇間。各壁5〇可盡量薄，如⑽密耳，:圖“) 性體在與各壁5〇接觸 見-谷許彈 至2微米大小的填充=形成薄層(如在彈性體包含。.7 心厚層（如約 壁所形成之凹面可為極端淺，如 〜，以提供具有充分強度以黏合電極至支持環， 但容許喷頭電極組合件40之溫度循環期間在電極4技支持 環44間之相對移動之薄彈性接頭。 可選擇電極組合件之面積以配合電極組合件所欲用途之 需求。例如’若電極用以加工8吋晶圓時，件及可具有略 低於約9时之直徑，支持環在電極與支持環間之界面可具 有越低於約0.5吋之寬度。 彈性接頭可包含任何適當彈性材料，如聚合物材料其 可與真空％境相容且對在高溫如在2〇〇Qc以上之熱降解有 抗性。彈性體材料可視需要包含導電及/或導熱性顆粒之 填充料或其他形狀填充料，如金屬絲、織物或不織物導電 性編織品等。彈性接頭之進一步細節敘述於美國專利 6,073,577號’其整個併入本文供參考。 經處理以除去自由碳之碳化矽元件可設置於電漿加工室 内’其用於各種電漿加工包括各種介電質材料之電漿姓 刻’如經摻雜氧化矽如氟化氧化矽（FSg);未經摻雜氧化 石夕如二氧化矽；旋壓玻璃（SOG);石夕酸鹽玻璃，如矽酸鱗 97546.doc -18- 1364861 = rSG)騎酸㈣鹽（PSG);崎雜或未經掺雜熱生 摻雜或未經摻請⑽沉積的氧切等。介 電質材料可覆蓋在導電或半導 电乂千等冤性材枓上，如多晶矽，·金 =如結、銅、欽、嫣、翻或其合金m 欽；金屬石夕化物，如石夕化欽、石夕化銘、石夕化鶴、石夕化翻 專。例如，氣體分佈系統可用於電槳钮刻波紋結構。 電榮·可為在各種類型雪發# 个里艰生电水加工裝置内產生之高密度電
1該電漿加工裝置通常具有高能量源，其使用能量、 微波能量、磁場等以產生高密度電槳。料，高密度電漿 可在變壓器搞合電漿（TCPTM)内產生，其亦稱為誘導輕合 電漿反應器、電子迴旋加速器共振式(ecr)電漿反應 "α螺旋波式電漿反應器等内製成。可提供高密度電漿之 高流動電漿加工裝置揭示於共用美國專利5,82〇,723號其 整個併入本文供參考。 本發明參照較佳具體例說明。然而，熟悉此技藝者當可 明白，在不脫離本發明精神外可使用上述以外之特定形式 φ 之本發明。較佳具體例為例示性，不應以任何方式視為限 制性。本發明之範圍由所附請求項而非前述說明指定，所 有落入請求項範圍内之變異及相等物皆希望涵蓋於其中。 【圖式簡單說明】 圖1為顯示在半導體基材上計數之顆粒相加粒之數目對 電漿調節包含未經處理以除去自由碳之碳化矽緩衝板之電 聚加工室（曲線Α)，及包含經處理以除去自由碳之碳化矽 緩衝板之電漿加工室（曲線Β)之RF小時間之關係之圖表。 97546.doc 19 1364861 30、32 0環 40 喷頭電極 42 電極 44 支持環 46 彈性接頭 48 凹面 50 外壁 97546.doc -21 -

Claims (1)

  1. 丄364861 \ \9 第G931347峨專利申請案 , 一一一 ' 中文申請專利範圍替換本(100年10月） 十、申請專利範圍： 種半導體基材加工裝置之碳化矽元件，該碳化矽元件 為多孔性並包含一内部及一經暴露表面，該碳化矽元件 係（1)藉由一造成在該内部之包括石墨形式之自由碳之該 厌化石夕元件的石墨轉換方法製成；（ii)經處理以產生一具 有以該石墨形式之自由碳於其上之經暴露表面；及⑴D 絰處理以除去該自由碳，使至少該經暴露表面實質上無 自由碳，其中該碳化矽元件係選自由一緩衝板' 一電漿 限制環及一邊緣環所組成之群組。 々明求項1之碳化矽元件，其中碳化矽元件係一緩衝 板。 4. 5. 6. 種自如凊求項1之碳化矽元件移除石墨形式之自由碳 十法㉟碳化石夕儿件為多孔性並包含一内部及一經暴 :表面，該碳化石夕元件在該内部及在該經暴露表面上包 二，料之自由碳，該方法包括處理該碳切元件以 '該經暴露表面上之該石墨形式之自由碳。 如印求項3之方法，直中故几* 反應合成製成/ 切元㈣切蒸氣與碳之 之方法，其中該處理包括在有效地自至少該 於一含备〜 料式之自由碳之溫度及時間下， 、3氧氧氧内加熱該碳化矽元件。 如請求項5之方法，其中該 或約_至約900。。，該時=〇C至約^ 時。 .間為從約2小時至約丨2小 97546-丨 001018.doc 7.如請求項3 一化與物、、法，其中該處理包括將該碳化矽元件與 表面IS接觸1該化學溶液可有效地自至少該經暴露 8 ^ w石墨形式之自由碳而不會除去碳化矽。 8·如請求項^ 碳化矽-該處理包括以一氧電漿處理該 &凡件以自至少該經暴露表面除去該石墨形式之自 由石反β 9 ·如請求項3 $古、、也 . 、 法，進一步包括在該處理後以電漿調節 u奴化矽元件之該經暴露表面。 10.如請求項3 $卞·、土 ^ ^ 之方法，其中該石墨形式之自由碳係呈現碳 7 —或蚊簇之形式而該處理可除去至少約9〇%在該碳化 夕凡件之該内部令具有尺寸為至少約50微米之碳粒及/或 礙簇之數。 ，項3之方法，其中該碳化石夕元件主要由碳化石夕虚 該石墨形式之自由碳所組成。 12. 如請求+ 、之方法’其中該碳化矽元件係一喷頭電極組 合件之一緩衝板。 13. -種半導體基材加工裝置其包含電聚加工室及至少一 個如叫求項1之碳化矽元件於電漿加工室内。 14. 如吻求項13之半導體基材加工裝置，其中該電漿加工室 為姓刻室。 15. —種在半導體基材加工裝置之電漿加工室内加工半導體 基材之方法，噴頭電極組合件供應加工氣體進入半導體 基材加工裝置内’噴頭電極組合件包含一喷頭電極、一 加工氣體通至噴頭電極之緩衝室及於緩衝室内之如請求 97546-1001018.doc 1364861 項2之一碳化矽緩衝板，該方法包括： 放置一製造半導體基材在該電漿加工室内之一基材支持 物上； it 供應加工氣體於該缓衝室内，該加工氣體通過該碳化 石夕緩衝板進人該碳化⑦緩衝板與該噴頭電極間之一空間 内’接著通過該噴頭電極並進入該電漿加工室之 部；及 材 用通過該喷頭電極 之*亥加工氣體加工該製造半導體基
    16.如凊求項μ之方法，進一 電極來蝕刻在製造半導體 該加工氣體形成一與該半 之電漿。 步包括藉供應RF電力至該喷頭 基材上之一介電質材料層，使 導體基材之一經暴露表面接觸 17·如％求項15之方法’進—步包括在放置該製造半導體基 材在该電f加工室内之該基材支持物上以前將該電衆加 工室電漿調節。
    18·如請求項17之方法，其中該電漿調節包括在加工該製造 半導體基材，前在該電漿加工室内連續加卫模擬晶圓，其 中在電漿調節該電漿加工室最多約2 RF小時後，沉積： 該模擬晶圓上之具有至少約〇.2微米尺寸之相加粒數目為 低於約20。 19.如π求項18之方法，其中在電漿調節該電衆加工室最多 約2 RF小時後，沉積在該模擬晶圓上之具有至少約ο·〗微 米尺寸之相加粒數目為低於約1〇。 97546-1001018.doc 1364861 - 20.如凊求項17之^ 中^化矽緩衝板係在電漿調節 該電漿加工室前放入該電漿加工室内。 21_ —種製造如請求項1之該碳化石夕元件之方法其包括· 藉由一導致在該碳化矽元件之一内部内包含石墨形式 之自由碳之該碳化矽元件之石墨轉換方法製造該碳化矽 - 元件； 除去一部分碳化矽元件以產生其上具有石墨形式之自 由碳之一經暴露表面；及 籲 處理該碳化矽元件以除去在該經暴露表面上之該石墨 形式之自由碳。 22. 如請求項21之方法，其中該碳化硬元件係切蒸氣與碳 之反應合成製成。 九 23. 如請求項21之方法，其中該處理包括在有效地自至少該 經暴露表面除去該石墨形式之自由碳之溫度及時間，S 一含氧氣氛内加熱該碳化矽元件。 ' # 24.如請求項23之方法，其中該溫度為約75〇χ：至約丨2〇〇 °C，或約80(TC至約90(TC，該時間為約2小時至約丨 時。 小 25·如請求項21之方法’其中該處理包括將該碳化石夕元件與 一化學溶液接觸，該化學溶液可有效地自至少該經暴露 表面除去該石墨形式之自由碳而不會除去碳化矽。 26·如請求項21之方法，其中該處理包括以一氧電聚處理节 碳化石夕元件以自至少該經暴露表面除去該石墨形式之自〆 由碳。 97546-1001018.doc 1364861 27. 如請求項21 該碳化矽元件係一緩衝板。 28. 如請求項21之方法，其中該移除包括以機械方式處理該 碳化矽元件以自其除去碳化矽。
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