TWI358808B - Chip package structure and the method thereof - Google Patents

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1358808 2〇1丨年11月g日修正替換頁 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種晶粒重新配置之封裝方法，特別是有關於利用晶 片容置架來進行晶粒重新配置之封裝方法。 【先前技術】 半導體的技術已經發展的相當的迅速，因此微型化的半導體晶粒(Dice) 必須具有多樣化的功能的需求，使得半導體晶粒必須要在很小的區域中配 置更多的輸入/輸出墊(I/O pads)，因而使得金屬接腳(pins)的密度也快速的 提高了。因此，早期的導線架封裝技術已經不適合高密度之金屬接腳；故 發展出一種球陣列(Ball Grid Array: BGA)的封裝技術，球陣列封裝除了有比 導線架封裝更高密度之優點外，其錫球也比較不容易損害與變形。
Ik著3C產品的流行’例如：行動電話(Cell ph〇ne )、個人數位助理(pDA ) 戈疋iPod專，都必須要將許多複雜的系統晶片放入一個非常小的空間中， 因此為解决此問越，一種稱為「晶圓級封裝（wafer level p%kage; 」 之封裝技術已經發展出來’其可以在圓成為—顆顆的晶粒之前，就 先對晶圓進行封裝。美國專利公告第5,323，G51號專利即揭露了這種「晶圓 級封裝」技術。然而’這種「晶圓級封裝」技術隨著晶粒主動面上的焊塾(pads) 數_增加，使得焊墊(pads)之間距過小，除了會導致訊號齡或訊號干擾 的問題外’也會因為焊墊間距過小而造成封裝之可靠度降低判題。因此， ‘ BB粒再更進-步的縮小後’使得前述的封裝技術都無法滿足。 為解決此，細專利公告第7，196，铜號已揭露了 —種將完成半 導體製程之晶圓，經過測試及切割後，將測試結果為良好的晶粒 重新放置於另-個基板之上’然後再進行封裝製程，如此，使得這些被重 新放置的晶粒間具有較寬的間距，故可以將晶粒上的焊墊適當的分配，例 如使用向外延伸（fanGut)技術，因此可以有效解決關距過小，除了會導 1358808 2〇11年11月29日修正替換頁 致訊號耦合或訊號干擾的問題。 然而，為使半導體晶片能夠有較小及較薄的封裝結構，在進行晶圓切 。】刖會先對bs圓進行薄化處理，例如以背磨（backsidelapping)方式將晶 圓薄化至2〜20mH ’然後再切割成一顆顆的晶粒。此一經過薄化處理之晶 粒，經過重触置在另-基板上，再以賴方式將複數個晶粒形成一封裝 體；由於晶粒很薄，使得封裝體也是非常的薄，故當封裝體脫離基板之後， 封裝體本㈣應力會使得封裝體產生輕曲，增加賴進行蝴製程的困難。 另外，在晶圓切割之後，重新配置在另一個載板時，由於新的載板的 尺寸較原來的尺寸為大，因此在後續植球製程中，會無法對準，其封裝結 構可靠度降低。 此外，在整個封裝的過程中，還會產生植球時，製造設備會對晶粒產 生局部過大的壓力，而可能損傷晶粒的問題；同時，也可能因為植球的材 料造成與晶粒上的焊墊間之電阻值變大，而影響晶粒之性能等問題。 【發明内容】 有繁於發明背景中所述之植球對準以及絲馳曲的問題，本發明提 供-種利用晶圓鮮觀之晶粒重新配置之織結構及其方法，來將複數 個晶粒重新進行配置並進行封裝之方法。 本發明之另-主要目的在提供一種在晶粒重新配置之封裝方法，係將 不同尺寸;M、及功能之晶粒重新配置在—載板上之封裝方法。 此外’本發明還有一主要目的在提供一種晶粒重新配置之封裝方法， 其可以將12㈣圓所蝴出來的晶粒重新配置於晶片容置架上，如此可以 有效運用8对晶圓之即有之封裝設備，而無需重新設立12对晶圓之封裝設 備，可以降低12吋晶圓之封裝成本。 本發明之再主要目的在提供__種晶粒鎖配置之封裝方法，使得進 1358808 2011年11月#曰修正替換頁 仃封裝的晶片都是”已知是功能正常之晶片”（Kn〇wn g〇〇d die)，可以節省 封裝材料，故也可以降低製程之成本。 本發明之又一目的，係藉由晶粒容置架之晶粒容置區來重新置放晶 粒，可以由晶粒容置區的相對位置來提高晶粒重新配置時的準確性。 根據以上所述，本發明揭露一種晶粒封裝結構之封裝方法，包括:提供 —晶圓，具有一上表面及一背面，且晶圓上配置有複數個晶粒，且每一顆 晶粒上具有複數個焊墊；形成一第一保護層在晶圓的上表面，並覆蓋住每 一顆晶粒上之複數個焊墊；切割晶圓以得到複數個晶粒；提供一晶片容置 架，晶片容置架之正面配置有一黏著層；取放每一顆晶粒至晶片容置架上， 係將每一顆晶粒之背面朝下藉由黏著層貼附在晶片容置架正面上；形成— 尚分子材料層在晶片容置架及具有第一保護層之複數個晶粒上；覆蓋一模 具裝置，用以平坦化南分子材料層，使得高分子材料層充滿在具有第一保 護層之複數個晶粒之間，並包覆住每一顆晶粒及晶片容置架；脫離模具裝 置，用以曝露出每一顆晶粒上之第一保護層之一表面以形成一封裝體；移 除第一保護層以曝露出每一顆晶粒上之複數個焊墊，使得高分子材料層之 一咼度大於母一顆晶粒之一咼度，形成圖案化之第二保護層，以覆蓋每— 顆晶粒之线©以及部份高分子材料層’且曝露丨複數個晶粒之複數個焊 墊；形成複數條扇出之圖案化之金屬線段，且複數條扇出之圖案化之金屬 線段之一端與曝露出之複數個焊墊電性連接；形成圖案化之第三保護層， 以覆蓋每一顆晶粒之主動面及每一條圖案化之金屬線段，並曝露出每一條 圖案化之金屬線段之向外側延伸之-扇出結構之部份表面；形成複數個圖 案化之球底金屬層（Under Bump Metallurgy ; ubM)在每一條圖案之金屬線 段之向外側延伸之扇出結構之部份表面上，且與複數條圖案化之金屬線段 電性連接；形成複數個導電猶’係將複數個導電元件藉由複數個圖案= 之UBM層與複數條圖案化之金屬線段電性連接；以及切割封裝體，以形成 複數個各自獨立完成封裝之晶粒。 (公: 1358808 2011年11月汾日修正替換頁 根據以上之封裝方法’本發明露—種晶粒之封裝結構，包括:一晶 片容置架，具有-晶片容置區且其晶片容置區之正面上配置有—點著層了 1粒，其-主動面上配置有複數個焊塾及—背面係形成在晶片容置架之 黏著層上；-封裝體，係環覆於具有晶粒m置架鱗露出晶粒之主 動面上之複數個料’且封㈣之―高度大於晶粒之―高度；複數條圖案 化之金屬線段之-端與複數個焊塾電性連接，另一端以外側延伸並覆蓋於 封裝體之-表面上；複數侧案化之保護層，係覆蓋於複數細案化之金 屬線段且曝露出複數侧案化之金麟段之向晶粒之主動面外側延伸之一 扇出結構之雜表®;形成複數個UBM層在每—條_化之金屬線段之向 外側延伸之扇出結構之部份表面上，且與複數側案化之金屬線段電性連 接；及複數個導電元件，藉由UBM層與複數個圖案化之金屬線段電性連接。 有關本發_雜與實作，紐合圖示作最佳實施㈣細說明如下。 (為使對本發_目的、構造、特徵、及其功能有進—步的瞭解，兹配合 實施例詳細說明如下。） 【實施方式】 本發明在此所探討的方向為-種晶粒重新配置之絲方法，將複數個 晶粒重新配置於另_基板上，錢進簡朗方法。為了驗底地瞭解本 發明’將在下列的描述中提出詳盡的步驟及其組成邊然地，本發明的施 行並未限定晶牌疊的方式之技藝者所熟習的特殊細n方面眾所 周知的晶)U彡成方式以及^薄化·段製程之詳細步驟並未描述於細節 中，以避免造成本發明不必要之限制。然而，對於本發明的較佳實施例， 則會詳細描述如下，然猶了這些詳細描述之外，本發_可以廣泛地施 行在其他的實施财，且本發_細不受限定，其以之後的專利範圍為 準。 在現代的半導體封裝製程巾’均是將_個已經完成前段製程（F福脇 ⑧ 2011年11月29-曰修正替換頁
Process)之晶圓（wafer)先進行薄化處理（jjj^jjjingprocess)，例如將晶片 的厚度研磨至2〜20〇1丨1之間；然後，進行晶圓的切割（8^叩{)1_〇(^)以 形成一顆顆的晶粒110 ;然後，使用取放裝置（pickandplace)將一顆顆的 晶粒逐一放置於另一個基板上。很明顯地，基板上的晶粒間隔區域比晶粒 大，因此，可以使得這些被重新玫置的晶粒間具有較寬的間距，故可以將 晶粒上的焊墊適當的分配。 首先，如第1圖所示，係表示一晶圓10配置有複數個晶粒11〇之俯視 圖，且每一顆晶粒110上具有複數個焊墊(未在圖中表示）。接著第2圖係 表示在晶圓上具雜護層之-截面示意圖。如第2 _示，係、於配置有複 數個晶粒110之晶圓10之上表面，且於每一顆晶粒11〇的主動面上形成第 -保護層20，例如：光阻層、黏著層㈣⑹或B階膠材(b_stage)，以覆蓋每 -顆晶粒110之主動面。接下來，第3A目及第3B圖係分別表示用以重新 配置晶粒之^容置架之示意^此晶片容置架3()係為—網狀結構之框架 且八有複數個相同大小之晶粒容置區，相鄰的每一個晶粒容置區3⑴之 間利用複數個線架314彼此相連接，其連接的方式可以是將晶粒容置區3〇ι 的四個角與鄰近的其他晶粒容置區3G1的四個角以複數個線架314連接， 使得相鄰的晶粒容置區301可以彼此連接，且在相鄰的晶粒容置區3〇1之 間有了空隙’如第3A圖或第3B圖所表示之矩形空隙312，其矩形空隙312 可、疋菱形jL方形專，但在本發明的實施例中並沒有任何限制。 接f $ 4A圖及第4B圖係分別表示將複數個具有第一保護層之晶粒 配置在阳粒合置區塊之示意圖。如第4A圖及第4B圖所示，係將第一保護 層20覆盍在曰曰圓1〇的主動面之上；接著，將具有第一保護層％的晶圓⑺ 複數顆具有第—保護層之晶粒⑽，絲將每-顆具有第—保護層2〇 :晶粒二的主動面朝上;接著’使用取放裝置(未於圖中顯示)由主動面 ^粒110吸起並放置於晶片容置架30的晶粒容置請上；由於， 母顆曰曰粒110的主動面上均配置有複數個谭塾⑴，因此，取放裝置可以 2011年11月I?曰修正替換頁 直接辨識出每一顆晶粒110其主動面上的焊墊112位置；當取放裝置要將晶 粒110放置於晶片容置架30的晶粒容置區301上時，可以再藉由晶粒容置 區301上的參考點（未於圖中顯示）以及晶片容置架的相對位置，將每 顆阳粒110精確地放置於晶片容置架3〇上的複數個晶粒容置區3〇1内。 因此田複數個晶粒110重新配置在晶片容置架3〇上時，就可以將晶粒u〇 準破地放置於晶片容置架3〇上；另外，藉由晶粒容置區3〇1來重新置放複 數個晶粒110,可以由晶粒容置區301的相對位置來提高晶粒重新配置時的 準確接著，如第5圖所示，係根據第丨圖之AA線段，表示具有第一保 護層20之複數個晶粒11〇以背面朝下置放在晶片容置架兕上。 此外，在本實施例中，在晶片容置架3〇上更包含一黏著層(未在圖中表 不），其目的是當晶粒110置放至晶片容置架3〇上的複數個晶粒容置區3〇ι 上時可以使晶粒110的背面固接在晶粒容置區3〇1上，且此黏著層之材料 為具有彈性之_擔，其可自下_群巾勒：雜膠（sili_ mbber)、 矽樹脂（sm讀她）、雜PU、多孔PU、⑽轉膠（㈣erubber) 及晶粒切割膠。 接下來’請參考第6圖，係於晶片容置架3〇及部份晶粒11〇之主動面 f塗佈—高分子村料層4G，並且使用一模«置观將高分子材料層4〇壓 2崎得高分子材料層4〇形成—平坦化的表面，使得高分子材料層4〇 二覆母-顆晶粒H0並填滿於每一顆晶粒斷間以形成—封裝體。在本實 二列中’南分子材料層4〇可以切膠、環氧樹脂、丙稀酸（邮⑹、及苯 衣丁烯（BCB)、聚亞醯胺_yimide)等材料。 接著’可崎祕地對物_分子㈣層料 4G ^再接著’進行脫模程序，將模具裝置 ^化後 圖^==分離爲^坦之高好麵*之表面，如第7 奶使肖湖刀(未姻巾麵）’在高分子材料層 的表面上軸複數條切騎道_，射每—條_道_的深度 1358808 為0.5〜1密爾(mil)， 例申，切割道600 參考線。 ^ 2〇丨丨年丨1月U日修正替換頁 而切割道_喊度職5至25财。在—較佳實施 可以是相互垂直交錯，並且可以作為實際切割晶粒時的 S，細機製程鳥，顯_刻，係在 Γ成—瞧綱(未撕表示）；接著，關以移 ==:=之主動面上的第一保護層20以曝露出每-顆晶粒⑽ ，一動晴細_每—顆晶粒u_分子材 4㈣高度大於 ^顆晶粒1H)的南度；另外，移除第—保護層可利用熱釋離咖卜也㈣ 然後’請參考第9圖，係形成一圖案化之第二保護層％以覆蓋在每一 顆晶粒U0之主動面以及部份高分子材料層4〇之表面，並曝露出每一顆曰 粒U0之主動面上之複數個焊墊112 ;其步驟包括：係利用半導體製程，先 形成-圖案化之光阻層(未在圖中表示)在第二保護層5〇上；钱刻以移除部 份第二保制50以職細_ a(Qpening)，麟露出每__駄粒⑽之 主動面上的複數個焊墊112，如第1〇圖所示。 緊接著，第11圖至第12圖’係表示在封裝體上形成複數條扇出之圖案 化之金屬線段6G之截意圖。，在確定每—顆晶粒11Q的複數個焊塾犯 的位置之後，即可使贿統的重佈線製程（Redistributk)n L啊；祗）於 每-顆晶粒no所曝露之複數個焊塾112上，形成複數條扇出之圖案化之金 屬線段60，其中每-條圖案化之金屬線段6〇之一端與焊墊ιΐ2電性連接， 及部份複數侧案狀絲線段6G之p端係以如方式軸在高分子材 料層40上。在此’金屬線段6〇的形成步驟包括:先形成一金屬層在第二保 護層50上且填滿所曝露之焊塾112;形成一圖案化之光阻層(未在圖中表示） 在金屬層上，侧以移除部份金屬層，以形成複數條扇出之圖案化之金屬 線段60 ’如帛12圖所不，其中部份圖案化之金屬線段6〇之一端電性連接 複數個晶粒110之主動面之複數個焊墊112，部份減個圖㈣之金屬線段 60之另—端㈣峨形成谢子細4G上ί叫U⑽日修職頁 接著’參考第u圖，係糊半導體製程，於複數條扇出之 面及^上/成一圖案化之第三保護層70 ’以覆蓋每—顆晶粒110之主動 -端圖案化之金屬線段6〇;接著，於每一條金屬線段60之另 (〇Ρ6ηώΕ) 之另一鳊之一表面，如第14圖所示；苴中， 層的步驟包括半導體製程，絲成—第二 —第二保護 蓋複數麵化之金屬_ ;接著，侧影及^ =:宰2 =二(未在圖中表示)在第三保護層上；_以移除部份第三保護層，以形 =赚之第三保護層70，並曝露出每一條扇出之圖案化之金屬線段6〇 <另一端之一表面。 接者，參考第15圖’係表示在曝露出之每一條扇出之圖案化之金屬線 段之另-端之表面上形成概條麵金顧之示意圖。如第U圖所示， 係在曝露出之每-條扇出之圖案化之金屬線段6〇之另一端之表面上，以錢 鍍(sputtering)的方式形成一麵層，·接著，利用半導體製程，例如顯影及 蝕刻，係在UBM層上形成一圖案化之光阻層(未在圖中表示），崎，利用 鞋刻以移除部份UBM層，以形成複數條圓案化之腿^層8〇在曝露出之 每-條扇出之圖案化之金屬線段60之表面上，且與複數條圖案化之金屬線 段60電性連接；在本實施例中的⑽河層的材料可以是ώ舰。接著，再利 用半導體製程，例如微影及侧，將部份的U3M層8()移除只㈣與複數 條金屬線段60電性連接之ubm層80。 最後，再於每-個UBMJf 80上形成複數個導電元件9〇，以便作為晶 粒110對外電性連接之接點，其中，此導電元件9〇可以是金屬凸塊㈣咖 bump)或是錫球(s〇ider _且可以藉由複數個圖案化之層8〇與圖案化 之金屬線段60電性連接'鎌，即可對封裝體進行最後的切割。在本實施 例中’可以以複數個晶粒做為切割單位，細彡成—多晶粒模組化之封裝結 ⑧ 12 1358808 2011年U月I日修正替換頁 構，如第16圖所示；另外，也可以以單顆晶粒做為切割單位，以形成一顆 顆完成封裝製程之晶粒，如第17圖所示。 在此要強調的是，上述所形成的扇出結構之金屬線段6〇並非僅限定於 傳統的重佈線製程，其只要能藉由半導體製程形成扇出結構之方法，均為 本發明之實施方式；同時，使用半導體製程形成扇出結構之方法已為習知 技術，故本發明不加以詳細敘述，以避免產生不必要之限制。 且在上述實施例中，形成平坦化的高分子材料層4〇的方式可以選擇使 用注模方式(molding process)來形成。此時’將一模具裝置先覆蓋至晶 片容置架30上，此時，可以使模具裝置5〇〇與晶粒11〇之間保持一空間， 然後再進行注難程，將高分子材料層4〇，例如環氧·旨顧材料印卿 Molding Compound; EMC)注入模具裝置5〇〇與晶粒u〇的空間中使得高 分子材料層4G形成一平坦化的表面，以使高分子材料層⑽包覆每一顆晶 粒110並填滿於晶粒110之間且包覆住晶片容置架3〇。由於，使用注模方 式之後的製造過程與前述方式相同，故不再贅述之。 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 月任何熟習相像技藝者’在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許 =更動與顯，本發明之專娜護範圍須視本說明之申請專利 範圍所界定者為準》 【圖式簡單說明】 表示一晶圓上配置有複數個晶粒 表示在晶圓之上表面之上形成一 第1圖係根據本發明所揭露之技術 之示意圖； 第2圖係根據本發明所揭露之技術 苐—保護層之示意圖； 第3A圖及第3B圖係根據本發明所揭露之技術，表示晶片容置架之示 13 丄“8808 意圖； 2〇11年11月&曰修正替換頁 第4A圖及第4B圖係根據本發明所揭露之技術，表示 數個晶減«魏至W雜紅^到複 第5圖係表示第4A ®或第4B圖之具有複數個晶粒之晶片容置架 面示意圖； ^ 第6圖錄縣發_娜之技術，㈣在晶粒上形成高分 之示意圖； ’曰 立第7圖係根據本發明所揭露之技術，表示將高分子材料層平坦化之示 意圖； 第8圖係根據本發明所揭露之技術，表示將第—保護層移除 每一顆晶粒之主動面之示意圖； ’ —第9 _根據本發騎揭露之技術，表娜成__第二保護層以覆蓋住 每一顆晶粒之主動面及部份高分子材料層之示意圖； 第10圖係根據本發明所揭露之技術，表示在第二保護層 開口以曝綠每-顆晶歡焊狄轉圖； 第11圖係根據本發明所揭露之技術，表示形成金屬層以覆 晶粒之焊墊上之示意圖； 第12圖餘縣發_揭露之技術，表獨成複數條扇出 金屬線段之示意圖； 盘在每一顆 之圖案化之 第13圖絲據本發明所揭露之技術，表示形成一第 數條扇出之圖案化之金屬線段之示意圖； -保護層以覆蓋複 第14圖係根據本㈣簡露之技術，表示形紐數個開口 數條圖案化之金屬線段之向外延伸之表面之示意圖； 以曝露之複 1358808 2011年11月我*曰修正替換頁 第15圖係根據本發明所揭露之技術，表示在曝露之複數條圖案化之金 屬線段之表面上形成υβΜ層之示意圖； 第16圖係根據本發明所揭露之技術，表示形成複數個導電元件在複數 個圖案化之UBM層上以形成多晶粒模組化之封裝結構之示意圖；及 第Π圖係根據本發明所揭露之技術，表示單一晶叛 圖。 封裝結構之示意 【主要元件符號說明】 10晶圓 112焊墊 30晶片容置架 312矩形空隙 40高分子材料層 5〇〇模具裝置 600切割道 80 UBM 層 110晶粒 20第一保護層 301晶粒容置區 314線架 50第二保護層 60金屬線段 70第三保護層 90導電元件
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Claims (1)

  1. Ml丨年11月29日修正替換頁 十、申請專利範圍： I 一種晶粒封裝結構之封裝方法包含： 提供一晶圓’具有一上表面及一背面，該晶圓上配置有複數個晶粒，且 每一該晶粒上具有複數個焊墊； 形成一第一保護層在該晶圓之該上表面，並覆蓋住每一該晶粒上之該些 焊墊； 切割該晶® ’以得到該些晶粒； 提供一晶片容置架，具有複數個晶片容置區，每一該晶片容置區之間係 以複數個線架彼此連接且相鄰之每一該晶片容置區之間具有一空隙 ，且每一 3亥晶片容置區之一正面上配置有-黏著層； 取放每一該晶粒至該晶片容置架之該些晶片容置區上，係將每一晶粒之 該背面朝下藉由雜著層貼附在該晶片容置架之該些晶片容置區之該正面 上； 形成一高分子材料層在該晶片容置架上及具有該第一保護層之該些晶粒 上； 覆蓋一模具裝置，用以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層充 滿在具有4第—保護層之該些晶粒之間，並包覆住每―該晶粒及該晶片容置 架； 脫離賴具裝置’用以曝露出在每一該晶粒上之該第一保護層之一表面 以形成一封裝體； 移除該第一保護層以曝露出每一該晶粒上之該些焊墊，使得該高分子材 料層之一高度大於每一該晶粒之一高度； 形成圖案化之第二保護層在曝露之每一該晶粒之主動面上以覆蓋該些 焊墊及部份該高分子材料層上； 形成複數個扇出之圖案化之金屬線段，該些扇出之圖案化之金屬線段之 :端與該些料雜連接及部份該㈣出之圖案化之金屬雜形成在部份該 高分子材料層上； 16 1358808 2011年11月1¾修正替換頁 、 形成一圖案化之第三保護層’以覆蓋每-該晶粒之該主動面及每-該扇 出之圖案化之金祕段’並曝露出每—該扇出之圖案化之金屬線段之另一端 ' 之一表面； 形成複數個圖案化之球底金屬層(UBM)在每一該圖案之金屬線段之向外 側延伸之扇出結構之該表面上，且與該些圖案化之金屬線段電性連接； 形成複數辦電元件，係將該些導電元賴由該些圖案化之球底金屬層 (UBM)與該些圖案化之金屬線段電性連接；及 切割該封裝體，以形成複數個各自獨立之完成封裝之晶粒。 2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝方法，其中該第—保護層為黏著層 (paste)。 3. 如申μ專利s圍第1項所述之封裝方法’其中該第—保護層為b階膠 材(B-stage)。 4. 如申請專利範圍第1項所述之封裝方法，其中該高分子材料層為聚亞 醯胺(polyimide)。 5. 如申4專利麵第1項所述之封裝方法，其中移除該第—保護層係利 用熱釋放(thermal release)法。 6. 如申明專利範圍第1項所述之封裝方法，其中移除該第一保護層係利 用餘刻法。 7. 如申μ專利範圍第1項所述之封裝方法，其中形成該些扇出之圖案化 之金屬線段包括： 形成-金屬層以覆蓋在該每一該晶粒之該主動面之該些谭塾上及該 尚分子材料層上； 形成一圖案化之光阻層在該金屬層上；及 移除部份該金屬層，以移除部份該些晶粒之該主動面上之該金屬 層以形成遠些圖案化之金屬線段，其中部份該些圖案化之金屬線段之 端電陡連接6玄些晶粒之該主動面上之該些焊塾，部份該些圖案化之金 1358808 MibS^Jr ® ^^ , 201丨年11月汾曰修正替換頁 屬狀之另-端係以扇出方式形成在該高分子材料層上。 8.如申請專利範圍第丨項所述之 之材料為菌卜 I方法’其中該球底金屬層(UBM) 9】如申__丨_狀_法，__元_ ball)〇 10. 如申凊專利範圍第1項所述之封奘太法 nl. , ^ u 対裝方法，其中該些導電元件為金屬 凸塊（solder bump)。 11. 一種模組化之多晶粒封裝方法，包含： 曰sbS1，具有"'上表面及面，且該晶圓上配置有複數個晶粒， 且母一該晶粒上具有複數個焊塾； 塾形成-第-保護層在該晶圓之該上表面並覆蓋住每—該晶粒上之該些焊 切割該晶圓，以得到該些晶粒； 2供-晶片容置架’具有複數個晶片容置區，每一該晶片容置區之間係 „架彼此連接且相鄰之每—該晶片容置區之間具有—雜，且每一 μ晶片容置區之-正面上配置有—黏著層； 上； 取放每一該晶粒至該晶片容置架之該些晶片容置區上，係將每一晶粒之 "面朝下藉由該點著層貼附在該晶片容置架之該些晶片容置區該正面上； 形成-高分子材料層在該晶片容置架上及具有該第一保護層之該些晶粒 9 滿在t —模具裝置，用以平坦化該高分子材料層，使得該高分子材料層充 了有》亥第一保濩層之該些晶粒之間，且包覆每一該晶粒及該晶片容置架； 、脫離該模具裝置，用以曝露出在每一該晶粒上之該第一保護層之一表面 以形成—封裝體； 移除。玄第一保護層以曝露出每一該晶粒上之該些谭塾，使得該高分子材 料層之~騎大於每-該晶粒之-高度； 18 ⑧ 2〇11年u月努日修正替換頁 S ” 一保護層在曝露之每一該晶粒之主動面上以覆蓋該4匕 焊墊及部份該高分子材料層上； 一 -J1成複數個扇出之騎化之金屬線段，該些扇出之圖案化之金屬線段之 ^亥些焊塾電性連接及部份該些扇出之圖案化之金屬線段形成在部份 尚分子材料層上； 成圖案化之第二保護層，以覆蓋每-該晶粒之該主動面及每-該扇 出之圖案化之金屬線段，並曝露出每—該扇出之圖案化之金屬線段之另 之一表面； 形成複數個圖案化之球底金屬層(UBM)在每一該圖案之金屬線段之向外 貝|延伸之扇出結構之該表面上，且與該些圖案化之金屬線段電性連接； 峨元件，係將該些導電元件藉由該些咖之球底金屬層 (UBM)與6玄些圖案化之金屬線段電性連接；及 切割該封賴’ _成概麵域〇晶崎裝结構。 層^)如申請專利範圍第U項所述之封裏方法，其令該第一保護層為黏著 Π.如申請糊刪η項所述之封裝方法，其中該第—保護層為 夥材(B-stage)。 14. 如申請糊謝H項所述之封裝方法，其中該高分子材料層 亞醯胺(polyimide)。 15. 如申請專利範圍第U項所述之封裝方法，其中移除該第—保護 利用熱釋放(thermal release)法。 ’、 16. 如申請專利範圍第U項所述之封裝方法，其中移除該第一 利用蝕刻法。 /7.如f請專利綱第H項所述之封裝方法，其_形成該些扇出之金屬 線段包括： 形成-金>|層以覆蓋在該每-該晶粒之該主動面之該些焊塾上及該高 19 1358808 2011年11月矜日修正替換頁 分子材料層上； 形成一圖案化之光阻層在該金屬層上，·及 移除部份該金屬層’以移除部份該些晶粒之該主動面上之該金屬層，以 形成該些圖案化之金屬線段，其中部份該些圖案化之金屬線段之一端電性連 接該些晶粒之該主動面上之該些焊墊，部份該些圖案化之金屬線段之另一端 係以扇出方式形成在該高分子材料層上。 18.如申請專利範圍第η項所述之封裝方法，其中該球底金属層_吣 之材料為Ti/Ni。 19.如申請專利範圍第u項所述之封裝方法，其中該些導電元件為錫球 (solder ball) ° 20. 如申請專利範圍第11項所述之封裝方法，其中該些導電元件為金屬 Λ塊（solderbump)。 21. —種晶粒之封裝結構，包括： -晶片容置架，具有複數個晶片容置區，每—該晶片容置區之間係以複 數個線架彼此連接且相鄰之每-該晶片容置區之間具有—空隙，且每一該晶 片容置區之一正面上配置有一黏著層； /日日 -晶粒’其-主動面上配置有複數個焊墊及—背面係形成在該晶片容置 架之該些晶片容置區之該黏著層上； -封裝體，俩覆於具有該晶粒之該晶4容置架叫露麟晶粒之該主 動面上之該些焊塾，且該封f體之-高度大於該晶粒之—高度； 複數條圖案化之金線段，該細案化之金屬線段之—端與該些焊塾電 性連接，另一端以外側延伸並覆蓋於該封裝體之一表面上.一 複數個圖案化之保護層，健蓋於該些圖案化之金屬線段且曝露出該些 圖案化之金屬線段之向該晶粒之該主動面外側延伸之—扇出結構之部份表 面； 複數個圖案化之球底金屬卵BM)，係形成在每一該圖案之金屬線段之 20 ⑧ 丄妁8808 2011年11月δ日修正替換頁 向外側延伸之扇出結構之該表面上，且與該些圖案化之金屬線段電性連接； 及 複數個導電元件’紐連接至該些_化之金屬線段之已曝露之該扇出 結構之部份表面上。 22. 如申請專利範圍帛^項所述之封裝結構，其中該封裝體為聚亞酿胺 (polyimide)» 23. 如申請專利範圍第21項所述之封裝結構，其中該球底金屬層(UBM) 之材料為Ti/Ni。 24. 如申明專利範圍第21項所述之封裝結構，其中該些導電元件為錫 球。 ' 25. 如申清專利範圍第21項所述之封裝結構，其中該些導電元件為金屬 凸塊。 26. —種模組化之多晶粒封裝結構，包括： 一晶片谷置架，具有複數個晶片容置區，每一該晶片容置區之間係以複 數個線架彼此連接且相鄰之每一該晶片容置區之間具有一空隙，且每一該晶 片容置區之一正面上配置有一黏著層； 複數個晶粒，其一主動面上配置有複數個焊墊及一背面係形成在該該晶 片谷置架之該些晶片容置區之該黏著層上； 一封裝體，係環覆於具有該些晶粒之該晶片容置架以曝露出該些晶粒之 該主動面上之該些焊墊，且該封裝體之一高度大於每一該晶粒之一高度； 複數條圖案化之金屬線段，該些圖案化之金屬線段之一端與該些焊墊電 性連接’另一端以外側延伸並覆蓋於該封裝體之一表面上； 複數個圖案化之保護層，係覆蓋於該些圖案化之金屬線段且曝露出該此 圖案化之金屬線段之向該些晶粒之該主動面外側延伸之一扇出結構之部份表 面； 複數個圖案化之球底金屬層(UBM) ’係形成在每一該圖案之金屬線段之 21 1358808 出 钟構之部電元件’電性連接至該些圖案化之金屬線段之已曝露之該扇 _17=中請專利範圍第26項所述之封裝結構，其中該封裝體為聚亞醯胺 之材利範圍第26項所述之封裝結構，其中該球底金屬層_M) 球。29.如申請專利範圍第26項所述之封褒結構，其中該些導電元件為錫 30.如申請專利範圍第26項所述之封裝結構，其中該些 為金屬 凸塊。 22 ⑧
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