TWI353380B - Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleanin - Google Patents

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TWI353380B TW094108992A TW94108992A TWI353380B TW I353380 B TWI353380 B TW I353380B TW 094108992 A TW094108992 A TW 094108992A TW 94108992 A TW94108992 A TW 94108992A TW I353380 B TWI353380 B TW I353380B
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Description

^53380 九、發明說明: * 【發明所屬之技術領域】 ••本發明係關於清潔微電子基材之方法及非水性、本質上 非腐姓性清潔組合物’且特別是關於該清潔組合物可使用 並具有與銅金屬化特性化之微電子基材及鋁金屬化特性化 之基材的改良相容性。本發明亦關於該清潔組合物於汽提 光阻材料及清潔來自產生有機、有機金屬及無機化合物之 姓刻與電漿過程之殘餘物之用途。 * 【先前技術】 曾&出許多光阻材料汽提劑及殘餘物移除劑用於微電子 領域作為生產線清潔劑之下游或後端。在製造過程中,光 阻材料之薄膜沉積在晶圓基材上,然後電路設計印在薄膜 上。在烘焙後,未聚合防蝕材料係用光阻材料展開劑移除。 然後所得影像利用反射性電漿蝕刻氣體或化學蝕刻物溶液 轉移至下方材料’其通常為介電質或金屬。姓刻氣體或化 學蝕刻物溶液選擇性侵襲光阻材料未保護的基材區。 * 此外,在儀刻步驟終止後,防钱罩必須自晶圓之保護區 移除,使得最後修整操作可進行。此可使用適當電聚灰磨 氣體或濕化學汽提劑於電漿灰磨步驟中完成。頃發現適當 清潔組合物供此防蝕罩材料之移除而不會不利地影響,例 如腐蝕、/谷解或消光時,金屬電路亦經證實有問題。 由於微電子製造整合準位增加及圖案化微電子裝置面積 朝向原子之尺寸減少,電流通過電路形成之熱變成嚴重問 題。其變成在此技藝中日增普遍以使用銅金屬化作為導體 100317.doc 1353380 材料取代鋁,因為銅更有益於減少熱形成。此等含銅微電 子材料呈現額外挑戰性以發現可接受清潔劑組合物。先前 發展供含有Al/Si〇2或Al(Cu)/Si〇2結構之"傳統"或,,習用"半 導體裝置之許多加工技術組合物無法使用銅金屬化結構。 例如,以羥基胺為主汽提劑或殘餘移除劑組合物可成功地 用於具有A1金屬化之清潔裝置,但實際上卻不適合供該等 具有銅金屬化者。同樣,許多用於具有鋼金屬化之清潔裝 置之汽提劑或殘餘物移除劑組合物不適於A1金屬化裝置, 除非對組合物作顯著調整。 在對該銅及鋁金屬化微電子結構之電漿蝕刻及/或灰磨 過程後,此等蝕刻及/或灰磨殘餘物之移除經證實有問題, 特別是對用銅金屬化之基材^無法完全移除或中和此等殘 餘物可導致水份之吸收及可造成對金屬結構之腐蝕之不宜 物質之形成。電路材料係由不宜物質腐蝕並產生電路中斷 及電阻方面之不宜增加。 迄今為止,光阻材料汽提劑時常包含胺,因為其通常在 侵襲硬化光阻劑及自微電子基材表面汽提該硬化光阻劑之 能力方面顯示優異清潔性能。然而,鋼通常亦被胺類嚴重 侵襲,且若使用該習用光阻材料汽提劑而不改質時,顯著 的金屬腐蝕會發生◊因此,希望提供一種用於微電子工業, 特別疋銅金屬化材料之銅相容性光阻材料汽提劑或清潔 劑。亦希望提供-種用於微電子卫業,特別是銅金屬化材 料以及鋁金屬化材料之銅相容性光阻材料汽提劑或清潔 劑。因為自鋁至銅金屬化之技術上相同變易可在平板顯示 100317.doc 1353380 盗之發展令看到,所以亦希望提供一種可在製造該平板顯 * 示器時使用之汽提劑/清潔劑。 【發明内容】 本發明之後端光阻材料洗提劑及清潔組合物係由非水 性、非腐蝕性清潔組合物提供,其本質上對銅及鋁為非腐 蝕性且其包含至少一種極性有機溶劑、至少一種羥基化有 機胺及至少一種具有與聚合物主鏈側連之多羥基或胺基官 月&基之腐蝕抑制劑。本發明之組合物亦可包含許多其他視 • 需要成份。本發明之清潔組合物可用於廣泛範圍pH及溫度 之加工/操作條件,並可用以有效地移除光阻材料、後電漿 蝕刻/灰磨殘餘物、防蝕消耗吸光材料及抗反射性塗料 (ARC)。此外,亦發現很難清潔樣品,如高度交聯或硬化光 阻劑及結構,其包含鈦(鈦、氧化鈦及氮化鈦)或鈕(鈕、氧 化鈕及氮化钽),可容易用本發明之清潔組合物清潔。 本發明之非水性、本質上非腐蝕性微電子汽提劑/清潔劑 組合物通常包含約80%或以上有機極性溶劑成份、約1%至 ^ 約15 /°有機羥基化胺成份、及腐蝕抑制量之腐蝕抑制劑聚 合物成份,通常約〇.1%至約10%具有多羥基官能基之腐蝕 抑制劑聚合物成份。此說明書提供之重量%乃以清潔組合 物之全部重量計。 本發明之非水性、本質上非腐蝕性汽提/清潔組合物亦可 視需要包含其他相容性成份,包括但不限於成份如螯合 劑、有機含羥基共溶劑、安定化及金屬螯合或錯合劑、其 他金屬腐蝕抑制劑及界面活性劑。 100317.doc 1353380 本發明之後端光阻材料洗提劑及清潔組合物係由非水性 組合物提供,非水性組合物本質上對鋼及鋁為非腐蝕性且 其包含一或多種極性有機溶劑、一或多種羥基化有機胺及 一或多種具有與聚合物主鏈側連之多羥基或胺基官能基之 腐蝕抑制劑聚合物。"非水性"意指組合物實質上無水且通 常僅具有水存在作為來自其他成份之雜質,然後通常其量 不超過約3重量%組合物,較佳為更低。 本發明之清潔組合物可用於廣泛範圍pH及溫度之加工/ 操作條件,並可用以有效地移除光阻材料、後電漿蝕刻/灰 磨殘餘物、防蝕消耗吸光材料及抗反射性塗料(ARc)。此 外,亦發現很難清潔樣品,如高度交聯或硬化光阻劑及結 構,其包含鈦(鈦、氧化鈦及氮化鈦)或鈕(鈕、氧化鈕及氮 化组)’可容易用本發明之清潔組合物清潔。 本發明之非水性、本質上非腐蝕性微電子汽提劑/清潔劑 組合物通常包含約80%或以上,較佳為約8S%或以上,最佳 為約90%或以上,有機極性溶劑成份;約1%至約15%,較 佳為約2%至約10%,更佳為約2%至約5%,有機羥基化胺成 份、及腐蝕抑制量之腐蝕抑制劑聚合物成份,通常自約〇·ι% 至約10%,較佳為約〇 3%至約5%,更佳為約〇 3%至約。 此說明書提供之重量%乃以清潔組合物之全部重量計。 本發明之組合物可包含一或多種任何適當有機極性溶 劑,較佳為有機極性溶劑,其包括醯胺、砜、亞砜、飽和 醇等。該有機極性溶劑包括但不限於有機極性溶劑如環丁 砜(四氫噻吩-1,1·二氧化物)、3_甲基環丁砜、正丙基颯、二 100317.doc 曱基亞砜(DMSO)、甲基颯、正丁基砜、3-甲基環丁砜、醯 胺類如1-(2-羥基乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二曱基哌啶酮 (DMPD)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二曱基乙醯胺(DMAc) 及二甲基甲醯胺(DMF)及其混合物。作為有機極性溶劑特 佳者為N-甲基吡咯烷酮、環丁砜、DMSO及此三種溶劑之 二或以上種之混合物。 有機羥基化胺成份可為一或多種任何適當羥基化胺,較 佳為羥基胺或烷醇胺,較佳為烷醇胺。可用於本發明組合 物之適當有機羥基化胺包括但不限於羥基胺、單乙醇胺、 二乙醇胺、三乙醇胺,特別是2-胺基乙醇、1-胺基-2-丙醇、 1-胺基-3-丙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、二乙醇胺、2-(2-胺基乙基胺基)乙醇、2-(2-胺基乙基胺基)乙胺等及其混合 物。最佳的是,有機羥基化胺成份為單乙醇胺、二乙醇胺、 三乙醇胺及1-胺基-2-丙醇及其混合物。 本發明清潔組合物之腐蝕抑制化合物為具有與聚合物主 鏈側連之多側鏈羥基或胺基之聚合物。適當腐蝕抑制劑聚 合物之例包括但不限於聚乙烯亞胺聚合物及共聚物、聚乙 稀醇聚合物及共聚物、聚苯乙稀聚合物及共聚物、聚(經基 烷基丙烯酸酯或曱基丙烯酸酯)聚合物及共聚物等。聚合物 較佳為聚乙烯亞胺聚合物、聚乙烯醇聚合物及聚乙烯醇-乙 烯共聚合物。 本發明之組合物亦可視需要包含一或多種任何適當有機 含羥基或多羥基脂肪族化合物作為共溶劑。任何適當有機 含羥基共溶劑可用於本發明之組合物内。該有機含羥基共 100317.doc 丄妁3380 Z劑之例包括但不限於,適抑㈣ 阿拉伯醇、㈣醇、木糖醇、甘露醇、山梨醇^限 醇、甘油醇、1>4.丁二醇 乙- 田*丄、 农A 一每 12-環己二醇、 2甲基戊二醇、果糖、二乙二醇之單與二燒基醚,已知為 卡必醇(2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇) mrn^ τ ^ 叶17王物’及飽和 作為丘-㈣丙醇、丁醇、己醇及六氟異丙醇及其混合物。 J劑者為(2♦乙氧基乙氧基)乙醇奸必醇)。 二劑可存在於本發明組合物内之量以組合物之全部量計 至:1二重量%,較佳為約0.1至約1〇重量%,最佳為約。.5 至約5重量〇/〇。 劍之组合物亦可包含一或多種任何適當其他腐姓抑 ~ ’較佳為芳基化合物,其包含二或多個直接鍵合至芳 m ΓΗ、⑽6及/或S〇2R6R7基,其中R6、R㈣各分 別為貌基,較佳為具有丄至6個碳原子之烧基,或芳基,較 佳為具有⑴4個碳料之祕。關於該較佳錢抑制劑之 例’可述及兒茶紛、五倍子紛、五倍子酸、間苯二盼等。 其它靠抑制劑可存在之量,以組合物之重量計,為〇至約 ίο重罝% ’季父佳為約01至約10重量%,最佳為約〇 5至約5 重量%。 有機或無機螯合劑或金屬錯合劑並非必要,但可提供實 質益處如改良的產品穩定性…或多種該無機聲合劑或金 屬錯合劑可用於本發明之組合物内。適當螯合劑或錯合劑 之例包括但不限於反式_1,2_環己二胺四醋酸(。沖丁a)、乙 二胺四醋酸(EDTA)、錫酸鹽、焦磷酸鹽、亞烧基_二鱗酸衍 100317.doc •10- 1353380 生物(例如,乙烷-:l_羥基二磷酸鹽)、含乙二胺、二乙 • 二胺或三乙二胺官能基團之膦酸鹽,例如,乙二胺四(亞甲 基膦酸)(EDTMP)、二乙三胺五(亞f基膦酸)及三乙四胺六 (亞甲基膦酸)及其混合物。螯合劑存在於組合物内之量以組 合物之重量計為約〇至約5重量%,較佳為約〇1至約2重量 %。各種膦酸鹽之金屬螯合劑或錯合劑如乙二胺四(亞甲基 膦酸)(EDTMP)提供在酸及鹼性條件下含有氧化劑之本^ 明清潔組合物之改良極多的安定性,因而其通常較佳。 • 視需要:其他不同金屬腐蝕抑制劑如苯并三唑可使用之 量以組合物之重量計為約〇至約5重量%,較佳為約〇ι至約2 重量%。 清潔組合物視需要亦可包含—或多種適當界面活性劑, 如二甲基己炔醇(Surfyn相)、乙氧化四甲基癸快二醇 (Surfyn〇i_465)、…乙稀…丙基甜菜驗(Zonyl FSK)、ZonylFSH等。界面活性劑通當 |王削通^存在之量以組合物之 重量計為0至約5重量%,較佳為約〇1至約3重量%。 #本發明清潔組合物之例包括但不限於下表1所示之組合 物及不具聚合腐姓抑制劑之比較性抑制劑顯示於表 1及2中,所用之縮寫如下: & NMP=N-曱基0比洛院酮 SFL=環丁石風 DMSO=二曱基亞颯 AMP=1-胺基-2-丙醇 DEA=二乙醇胺
100317.doc • 1U 1353380 PEI =無水、高分子量的聚乙烯亞胺-Adrich 2003-2004目 錄#40,872-7 PVA-E=聚(乙烯醇-共-乙烯),乙稀含量445-Adrich 2003-2004 目錄#41,407-7 表1 组合物/重量份 成份 1 2 NMP 64.67 60 SFL 32.33 15 DMSO 15 AMP 2.7 DEA 5 PEI 0.3 PVA-E 1
表2 组合物/重量份
成份 A B NMP 64.67 60 SFL 32.33 15 DMSO 15 AMP 3 DEA 5 PEI PVA-E
【實施方式】 用本發明含腐蝕抑制劑聚合物之清潔組合物獲得之抗腐 蝕結果係以以下本發明之組合物之以下試驗結果獲得。 製備一片塗銅之矽晶圓(約20x20毫米)供實驗用。此片於 緩衝氧化物独刻物(其包含35 w/w°/。NH4F及6 w/w% HF)内 100317.doc -12- 1353380 清潔1分鐘,接著在去離子水中清洗1分鐘,及在氮喷霧内 乾燥。然後,晶圓片浸潰於150毫升其中有1〇〇克試驗溶液 之燒杯内,溶液在60°C下加熱、用磁性攪拌器在2〇〇 rpm下 攪拌’ 62或63分鐘後’自試驗溶液移除此片、用去離子水 清洗1分鐘並用氮喷霧乾燥。銅層之厚度(在實驗前、後)係 由 ResMap Creative Design Engineering,Sunnyvale ’ 加州)4-點探針系 統測定。
試驗溶液(清潔組合物)為表丨之本發明組合物丨及2而比較 性組合物為表2之組合物A及B。比較性組合物類似於本發 明之組合物但不包含本發明之腐蝕抑制聚合物。 表3 组合物號數 1 處理時間 分鐘 Cu蝕刻速率(埃/分鐘) 1 Λ 63 7.2 Ά 63 56.7 ~2 62 Γ 6.5 62 12.3
關於光阻劑汽提,本發明之相同試驗組合物係在相同溫 度(6〇°C)下使用相_拌速率⑽啊)…片具有正光阻 劑層(約1GGG埃)>儿積於上之玻璃片浸潰於試驗溶液内以測 疋光阻劑由本發明之組合物移除。 除了本發明之清潔組合物對銅金屬化微電子基材本質上 為非腐録並可清潔光阻劑、電毁及自該基材之姓刻殘餘 物以外,該组合物亦可以類似非靠方式清㈣金屬化微 電子基材。 雖然本發”照其特定具體例說明,惟可知在不脫離本 100317.doc 1353380 文揭示之本發明觀念之精神及範圍以外可對其作各種改 變、改良及變易。因此,希望涵蓋所有在所附請求項之精 神及範圍内之該改變、改良及變易。
100317.doc • 14· ⑧

Claims (1)

1353380 ^ g〇94108992號專利申請案 、十、ΐ請專利範圍請專纖月) 叫 K 一種清潔光阻劑.及自微電子基材之殘餘物潔 組合物’該清潔組合物包含'· 以組合物重量計80%或以上之一或多種極性有機溶劑, • 以組合物重量計1%至15%之一或多種有機羥基化胺, - 及以组合物重量計〇· 1 %至1 〇%之腐蝕抑制量之一或多 . 種腐蝕抑制劑聚合物,其具有與聚合物主鏈側連之多官 能基且其中該官能側基係選自胺基及羥基。 2. 如請求項1之清潔組合物,其中該腐蝕抑制劑聚合物係選 自聚乙烯亞胺聚合物及共聚物、聚乙烯醇聚合物及共聚 物、聚苯乙烯聚合物及共聚物、及聚(羥基烷基丙烯酸酯 或甲基丙烯酸酯)聚合物及共聚物。 3. 如請求項1之清潔組合物,其中極性有機溶劑係選自環丁 砜、3-甲基環丁砜、正丙基砜、二甲基亞砜、曱基砜、正 丁基砜、環丁颯、3-甲基環丁砜、丨·^·羥基乙基)_2_吡咯 烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮、Ν·曱基·2·吡咯烷酮、二甲基 乙醯胺及二甲基甲醯胺所組成之群。 4. 如凊求項1之清潔組合物,其中羥基化胺係選自羥基胺及 烧醇胺所組成之群。 5. 如凊求項4之清潔組合物,其中羥基化胺係選自羥基胺、 單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺,2_胺基乙醇、丨_胺基-2一 丙醇、1-胺基-3-丙醇、2_(2_胺基乙氧基)乙醇、2·(2_胺基 乙基胺基)乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙胺及其混合物所 組成之群。 100317-1000908.doc 1353380 &如請求項5之清潔組合物,其中經基化胺 及卜胺基士丙醇所組成之群。 自-乙醇胺 7.如請求項1之清潔紐人私 、‘、σ物,其令有機極性溶劑係選自n-甲 基。比洛貌綱、環丁碼、 a ? 群’祕化胺“ 其混合物所組成之 群。土化胺係選自二乙醇胺及!·胺基·2•丙醇所組成之 8.如凊求们之清潔組合物,其中聚合腐钮抑制劑係選自聚 乙烯亞胺及聚(乙烯醇-共_乙烯)所組成之群。 9·如請求項7之清潔組合物,其中聚合腐银抑制劑係選自聚 乙烯亞胺及聚(乙烯醇-共_乙烯)所組成之群。 1〇.如請求項1之清潔組合物,其中聚合腐钱抑制劑為聚乙婦 亞胺。 U.如請求項7之清潔組合物,其中聚合相抑制劑為聚 亞胺。 &如請求们之清潔組合物,纟中聚合錢抑制劑為聚(乙稀 醇-共-乙烯)。 13.如請求項7之清潔組合物,其中聚合腐料制劑為聚(乙稀 醇-共··乙烯^ 如請求们之清潔組合物,其包含沐曱基吡咯烷酮、環丁 颯、二甲基亞颯、二乙醇胺及聚(乙烯醇·共-乙烯)。 15·如請求们之清潔組合物,其包奸·甲基。比略燒酌、環丁 颯、二甲基亞颯、1-胺基-2-丙醇及聚乙烯亞胺。 16.如請求们之清潔組合物,其包含一或多種成份,選自以 下所組成之群: 100317-1000908.doc !35338〇 丨月6日修正本I 含羥基或多羥基脂肪族共溶劑, — 包含二或多個直接鍵合至芳香族環之OH、〇R6及/或 S〇2R0R7基團之腐蝕抑制芳基化合物,其中R6、心及 Re各刀別選自烧基及芳基所組成之群, 金屬錯合劑, (a) (b) (c) (d) 不同金屬腐蝕抑制化合物,及 (e) 界面活性劑。 17. —種清潔光阻劑或自微電子基材之殘餘物之方法,該方 法包括將基材與清潔組合物接觸一段足以清潔光阻劑或 自基材之殘餘物之時間,其中清潔組合物包含請求項1至 16中任一項之組合物。 18. 如請求項17之方法,其中欲清潔之微電子基材具有銅金 屬化存在之特性。 100317-1000908.doc
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