CN102618900B - 一种三极管表面处理液及其制备方法 - Google Patents
一种三极管表面处理液及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102618900B CN102618900B CN201210108421.7A CN201210108421A CN102618900B CN 102618900 B CN102618900 B CN 102618900B CN 201210108421 A CN201210108421 A CN 201210108421A CN 102618900 B CN102618900 B CN 102618900B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- component
- treatment liquid
- surface treatment
- audion
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid group Chemical group C(CC(O)(C(=O)O)CC(=O)O)(=O)O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea group Chemical group NC(=S)N UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical group O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)CCN(CCO)CCO BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical group OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- -1 sulfoxide compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002769 thiazolinyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical class C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- ZLHWOPKQQQREAL-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(disulfanyl)pyrazole Chemical compound SSC=1C=CN(SS)N=1 ZLHWOPKQQQREAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000005006 2-aminopyrimidines Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 claims description 2
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- WQPDQJCBHQPNCZ-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,4-dien-1-one Chemical compound O=C1CC=CC=C1 WQPDQJCBHQPNCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 3
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体塑封三极管表面处理化工技术领域，尤指一种三极管表面处理液及其制备方法，其特征在于，克服现有技术的不足，制备一种可去除三极管金属表面氧化物和油污及溢料的表面处理液，其使用方便、处理快捷，并且能够提高塑封晶体管电镀质量和封装良品率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体塑封三极管表面处理化工技术领域，尤指一种三极管表面处理液及其制备方法。
背景技术
三极管封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片贴装到相应的引线框架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线连接到基板的相应引脚,构成所要求的电路，然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。
目前中国已经成为全球增长最快和使用量最大的三极管市场之一，典型的三极管封装工艺流程为：检片、粘片、键合、塑封、电镀、打印、切筋、测试和包装，随着科技的发展和技术要求的提高，传统的三极管镀镍引线框架正逐渐被裸铜引线框架和半裸铜引线框架所替代，后者具有明显的性能优势，三极管裸铜引线框架还具有较强的价格优势，三极管半裸铜引线框架是指部分电镀了的引线框架，尤其是镀银三极管半裸铜引线框架，性能更优。
与传统三极管镀镍引线框架相比，由于缺少了镀镍层的保护，裸铜引线框架和半裸引线铜框架塑封后，三极管的三个管脚和背部散热片难免被氧化和被部分溢料污染，从而影响其下一步的电镀质量，电镀质量的好坏有影响着三极管可焊性、外表美观和散热性，因此，在裸铜引线框架和半裸铜引线框架三极管电镀镀锡前，需要对其表面进行处理，尤其是对铜氧化物的处理，是与传统镀镍引线框架三极管最明显的区别。
发明内容
本发明一种三极管表面处理液及其制备方法，其特征在于，克服现有技术的不足，制备一种可去除三极管金属表面氧化物和油污及溢料的表面处理液，其使用方便、处理快捷，并且能够提高塑封晶体管电镀质量和封装良品率。
为了实现上述目的，本发明一种三极管表面处理液及其制备方法，该表面处理液的组分及质量百分含量为：
A组分 0% ～ 80%
B组分 0% ～ 80%
C组分 2% ～ 10%
D组分 5% ～ 10%
E组分 0.5% ～ 1%
F组分 0.1% ～ 1.5%
G组分 0～ 2%
H组分 10% ～ 30%
其中，A组分是至少一种具有通式结构的亚砜化合物，
这里R1是碳数为1～7的烷基、烯基或苯基；R2是碳数为1～7的烷基、烯基或苯基；
B组分是通式为C4H8O2S的环丁砜化合物。
C组分是NH2SO3H的磺酰胺酸化合物，在加热的条件下，与金属氧化物发生反应，从而将其溶解。
D组分是柠檬酸，其主要作用是与二价铜离子形成稳定配合物。
E组分是选自甲基苯并三氮唑、2–巯基苯并咪唑、2–氨基嘧啶、2，5–二巯基噻二唑和苯三唑中的一种或多种，其主要作用是作为铜的缓蚀剂。
F组分是硫脲,作为铜的缓蚀剂,并且能与亚铜离子形成配合物。
G组分是乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)，主要作用是螯合剂。
H组分是去离子水。
本发明的制备方法为：将上述组分原料C组分、D组分、E组分、F组分和G组分,在30～50℃温度下加热溶解于H组分去离子水中，再加入A组分和B组分，使其全部溶解，可得到均匀透明的液体，罐装即为成品。
具体实施方式
实施例1
在反应釜中，将上述组分原料甲基苯并三氮唑0.15kg、硫脲1kg、柠檬酸6kg、NH2SO3H 2kg和乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺) 0.35 kg,在30～50℃温度下加热溶解于25kg去离子水中，再加入CH3SOCH3 55.5kg和C4H8O2S 10kg组分，使其全部溶解，可得到均匀透明的液体，罐装即为成品，使用时；将塑封三极管放入加热容器中，在70～80℃温度下，加热15～60分钟，取出塑封晶体管，用水清洗后，用毛刷轻擦即可去处除极管表面溢料和油污。
实施例2
在加热容器中，将上述组分原料苯三唑0.3kg、硫脲0.7kg、柠檬酸8kg、NH2SO3H 3kg和乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺) 0.5kg,在30～50℃温度下加热溶解于10 kg去离子水中，再加入77.5kg C4H8O2S组分，使其全部溶解，可得到均匀透明的液体，罐装即为成品；使用时，将塑封三极管放入加热容器中，在70～80℃温度下，加热15～50分钟，取出塑封晶体管，用水清洗后，用毛刷轻擦即可去处除极管表面溢料和油污。
实施例3
在反应釜中，将上述组分原料2–巯基苯并咪唑0.2kg、硫脲0.8kg、柠檬酸5kg和NH2SO3H 4kg,在30～50℃温度下加热溶解于20kg去离子水中，再加入25kg CH3SOCH3和45kgC4H8O2S组分，使其全部溶解，可得到均匀透明的液体，罐装即为成品；使用时，将塑封三极管放入加热容器中，在70～80℃温度下，加热25～60分钟，取出塑封晶体管，用水清洗后，用毛刷轻擦即可去处除极管表面溢料和油污。
以上所述，实施方式仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明技术的精神的前提下，本领域工程技术人员对本发明的技术方案所作的各种变形和改进，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。
Claims (2)
1.一种三极管表面处理液，其特征是：所述的三极管表面处理液的组分及质量百分含量为：
A组分 0% ～ 80%
B组分 0% ～ 80%
C组分 2% ～ 10%
D组分 5% ～ 10%
E组分 0.5% ～ 1%
F组分 0.1% ～ 1.5%
G组分 0～ 2%
H组分 10% ～ 30% ；
其中，A组分是至少一种具有通式结构的亚砜化合物，
式中，R1是碳数为1～7的烷基、烯基或苯基；R2是碳数为1～7的烷基、烯基或苯基；
B组分是通式为C4H8O2S的环丁砜化合物；
C组分是NH2SO3H的磺酰胺酸化合物；
D组分是柠檬酸；
E组分是选自甲基苯并三氮唑、2–巯基苯并咪唑、2–氨基嘧啶、2，5–二巯基噻二唑和苯三唑中的一种或多种；
F组分是硫脲；
G组分是乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)；
H组分是去离子水。
2.一种如权利要求1中的三极管表面处理液的制备方法，其特征是：所述的制备方法为：将组分原料C组分、D组分、E组分、F组分和G组分，在30～50℃温度下加热溶解于H组分去离子水中，再加入A组分和B组分，使其全部溶解，得到均匀透明的液体，罐装即为成品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210108421.7A CN102618900B (zh) | 2012-04-14 | 2012-04-14 | 一种三极管表面处理液及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210108421.7A CN102618900B (zh) | 2012-04-14 | 2012-04-14 | 一种三极管表面处理液及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102618900A CN102618900A (zh) | 2012-08-01 |
| CN102618900B true CN102618900B (zh) | 2016-12-14 |
Family
ID=46559090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210108421.7A Expired - Fee Related CN102618900B (zh) | 2012-04-14 | 2012-04-14 | 一种三极管表面处理液及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102618900B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104646326A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 修建东 | 一种晶体管表面软化溢料清理机 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101070601A (zh) * | 2006-12-08 | 2007-11-14 | 何靖 | 高光泽性镁合金表面处理方法 |
| CN101076760A (zh) * | 2004-12-10 | 2007-11-21 | 马林克罗特贝克公司 | 含有聚合物腐蚀抑制剂的非水的、无腐蚀性的微电子清洁组合物 |
| CN101169597A (zh) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
| CN101880887A (zh) * | 2010-07-07 | 2010-11-10 | 山东中实易通集团有限公司 | 复合酸金属表面清洗剂及其使用方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3470634B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2003-11-25 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 電気めっき用下地鋼板ならびに電気めっき鋼板およびそれらの製造方法 |
-
2012
- 2012-04-14 CN CN201210108421.7A patent/CN102618900B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101076760A (zh) * | 2004-12-10 | 2007-11-21 | 马林克罗特贝克公司 | 含有聚合物腐蚀抑制剂的非水的、无腐蚀性的微电子清洁组合物 |
| CN101169597A (zh) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
| CN101070601A (zh) * | 2006-12-08 | 2007-11-14 | 何靖 | 高光泽性镁合金表面处理方法 |
| CN101880887A (zh) * | 2010-07-07 | 2010-11-10 | 山东中实易通集团有限公司 | 复合酸金属表面清洗剂及其使用方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 一种环保型化学清洗剂的研制及性能研究;刘振法等;《清洗世界》;20110630;第27卷(第6期);第9-12，40页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102618900A (zh) | 2012-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6251235B2 (ja) | はんだ予成形品およびはんだ合金組付方法 | |
| CN101314832B (zh) | 铁合金材料、由铁合金材料制成的半导体引线框架及其制备方法 | |
| JP5766301B2 (ja) | 第一銅イオンの除去が改善されたスズまたはスズ合金浸漬めっき浴 | |
| CN109266874B (zh) | 一种铜合金键合引线的制备方法 | |
| CN102618900B (zh) | 一种三极管表面处理液及其制备方法 | |
| EP3070055B1 (en) | Method for producing stannous oxide, stannous oxide and method for producing sn plating solution | |
| CN102817055B (zh) | 引线框超薄镀钯镀金工艺 | |
| JP5214282B2 (ja) | ダイシング加工性に優れるｑｆｎパッケージ用銅合金板 | |
| CN109881040A (zh) | 一种含金的键合镀锡合金线 | |
| TW201028227A (en) | Method for manufacturing composite metal wire and product thereof | |
| CN104726744B (zh) | 一种蚀刻用铜合金框架材料带材及其制备方法 | |
| TWI510680B (zh) | 銅電鍍溶液及其製備與使用方法 | |
| CN106245048B (zh) | 黄铜管芯酸洗方法 | |
| CN102432542B (zh) | 咪唑化合物及其制备方法和应用、有机防焊保护剂 | |
| US7887692B2 (en) | Palladium plating solution | |
| CN105696033B (zh) | 一种电镀锡添加剂及其制备方法和使用方法 | |
| CN106536125A (zh) | 硬钎料和使用了该硬钎料的陶瓷基板 | |
| CN103498136B (zh) | 一种锌白铜用防高温变色剂及其使用方法 | |
| JPS59145749A (ja) | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 | |
| JP5268883B2 (ja) | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 | |
| CN102270587A (zh) | 一种塑封晶体管溢料软化液及其制备方法 | |
| CN104955262A (zh) | 一种线路板及其制造方法 | |
| JP5985368B2 (ja) | 銅または銅合金の表面処理液及びその利用 | |
| CN103203562B (zh) | 钎焊不锈钢金属镜钎料及制作工艺 | |
| CN104419121B (zh) | 半导体密封用树脂组合物及具有其硬化物的半导体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20161021 Address after: 264760 C-109 room (Yantai Heng Dick Energy Technology Co., Ltd.), Yantai university student Pioneer Park, No. 101, aerospace Road, Yantai hi tech Zone, Shandong, China Applicant after: Yantai Hengdike Energy Technology Co., Ltd. Address before: 264006 18-3-8, Fengtai District, Yantai Development Zone, Shandong, China Applicant before: Xiu Jiandong |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Wang Qingming Inventor before: Xiu Jiandong |
|
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20171221 Address after: 252899 Jincheng Road, Gaotang County, Liaocheng, Shandong Province, No. 17 Patentee after: Wang Qingming Address before: 264760 C-109 room (Yantai Heng Dick Energy Technology Co., Ltd.), Yantai university student Pioneer Park, No. 101, aerospace Road, Yantai hi tech Zone, Shandong, China Patentee before: Yantai Hengdike Energy Technology Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161214 Termination date: 20180414 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |