TWI351612B - Method,machine-readable medium and apparatus for - Google Patents

Method,machine-readable medium and apparatus for Download PDF

Info

Publication number
TWI351612B
TWI351612B TW095111010A TW95111010A TWI351612B TW I351612 B TWI351612 B TW I351612B TW 095111010 A TW095111010 A TW 095111010A TW 95111010 A TW95111010 A TW 95111010A TW I351612 B TWI351612 B TW I351612B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
command
memory
temperature
bus
data
Prior art date
Application number
TW095111010A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200703007A (en
Inventor
Sandeep Jain
Jun Shi
Animesh Mishra
Kuljit S Bains
David Wyatt
Thomas Skelton
Bill Nale
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of TW200703007A publication Critical patent/TW200703007A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI351612B publication Critical patent/TWI351612B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/1045Read-write mode select circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Information Transfer Systems (AREA)

Description

1351612 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關與記億體裝置之匯流排通訊,且尤指通 訊記憶體系統參數與特徵於系統記憶體匯流排上。 【先前技術】 半導體記憶體(諸如:RAM(隨機存取記憶體))之溫度 係主要由其活動等級(至記憶格(cell)中之讀與寫的比率) 及其環境來予以決定。若溫度變成太高,則儲存於記憶體 中的資料可能會受損或喪失。此外,於較高溫度時,功率 消耗可能提高。 此外’當固態記憶體之溫度升高時,記憶體係以較快 的速率喪失電荷。若記億體喪失電荷,則其喪失儲存於其 記憶格中的資料。RAM晶片具有自我刷新(self- refresh) 電路’其以週期性的間隔來恢復所喪失的電荷。當溫度升 高時,必須提高自我刷新速率以避免喪失資料。 爲了使刷新速率保持爲低以及避免對記憶體的損壞或 資料的喪失,必須知道有關記億體溫度的一些資訊。溫度 資訊愈準確,允許記憶體運行的溫度愈高且記憶體的刷新 速率可愈低而無資料喪失之風險。若溫度資訊係不可靠或 不準確,則記憶體將以比所需更慢的存取速率或更快的刷 新速率來運行,以提供一些誤差的容限(margin)。換言 之,藉由提高準確度,能夠降低溫度控制的防護帶。這允 許記憶體之性能能夠被提高。準確的溫度資訊亦可被使用 -5- (2) (2)1351612 來控制冷卻風扇與其他的熱控制。 記憶體常常被封裝於模組中,而模組含有幾個相似或 相同的1C(積體電路)晶片,諸如:動態隨機存取記憶體 (DRAM)晶片。各個晶片之溫度可以不同,視其使用層 級、可用的冷卻與其本身獨特的特徵而定。記憶體模組上 之其他的裝置也可具有不同的溫度。有效地說,溫度資訊 應該被提供給一些系統,其調整記憶體之參數,諸如:資 料轉移速率、時鐘速率、熱控制系統(諸如:風扇)、與自 我刷新速率。 爲了準確監視該種記憶體模組之所有層面,昂貴資源 必須被使用來轉移所有的溫度資訊至一能夠解譯該資訊且 致使採取某動作(如果需要的話)之裝置。溫度的讀數愈大 及它們愈常被收集,需要來供應此需求之資源愈大。也有 許多其他可能需要通訊自記億體之有關誤差偵測、安全 性、使用率、等等的系統參數及特徵。被使用來連接系統 記憶體至記億體控制器之現存的通訊資源被用來發送讀取 自及寫入至記憶庫(bank)之資料。任何額外的電路或通訊 介面可顯著提高記憶體模組之成本。 【發明內容及實施方式】 第1圖顯示一記憶體單元1〇,其具有複數個記憶體 裝置12 (12a-12n)與稱接至記億體裝置12之溫度測量模 組1 4。記憶體單元1 〇可爲典型使用於筆記型個人電腦 (PCs)之類型的SO-DIMM (小型化雙列直插記憶體模組 -6- (3) (3)1351612 SO-DIMM 10可具有支援64位元轉移之240個接腳、144 個接腳、或72個接腳之組態,或任何其他之用於對應於 DIMM (雙列直插記憶體模組)結構或任何其他結構之不同 轉移率的各種不同接腳組態。替換地,記憶體單元10可 爲較普遍使用於桌上型PCs之微型DIMM、或全尺寸 DIMM »此外,記億體裝置12可爲SDRAM (同步動態隨 機存取記憶體)裝置,其具有相當高的電流突波(surge)暫 態,且因此會高度容易過熱。然而,本發明之實施例可應 用於對溫度靈敏之任何類型的記憶體裝置。 記憶體單元包括幾個SDRAM裝置12a,12b,12c,12d。 儘管已經顯示有四個SDRAM裝置,但可使用較大或較小 數目之記憶體裝置。溫度測量模組1 4直接或間接測量一· 或多個記憶體裝置12之內部溫度。溫度測量模組可使用 熱感測器於各種不同位置的一或多個位置。於一個實施例 中,各個DRAM具有其本身獨立的溫度感測器,而非各 個DRAM有一共同的溫度感測器。於另一個實施例中, 溫度感測器的一些部分位於各個DRAM上而且其他部分 位於一共同單元上。儘管本發明係就其載有一組DRAMs 之DIMM的領域來予以描述’其可應用於寬廣範圍的其他 組態。舉例而言’一或多個DRAMs可直接親接至匯流排 而無須使用承載它們的模組,或DRAMs可被承載於除了 DIMM之外的某裝置上。 §己億體單兀1 〇係透過§3憶體匯流排2 4而被親接至 MCH (記憶體控制器集線器)22,且記憶體單元之串列存 (4) (4)1351612 在偵測(SPD)裝置18係透過SMBus 28而被耦接至ICH (輸入/輸出控制器集線器)34。SPD儲存於系統啓動時由基 本輸Λ /輸出系統(BI0S,未顯示出)所使用的組態資訊(例 如:模組尺寸、資料寬度、速度與電壓)。其透過耦接至 SPD裝置18之系統管理匯流排(SMBus) 28而轉移資料。 熱感測器14可被整合進SPD中或被實施做爲分開的構 件。於一個實例中,系統管理匯流排28爲一I2C(內部積 體電路)匯流排(例如:I2C規格,版本2.1,飛利浦半導體 公司(Phillips Semiconductors),西元 2000 年 1 月),其實 際上可由兩個主動接線與一接地連接所組成。被稱爲串列 資料線(SDA)與串列時鐘線(SCL)之主動接線均爲雙向的。 系統管理匯流排28亦可操作於SMBus架構(例如: SMBus 規格,版本 2.0,SBS 實施論壇(Implementers Forum),西元2000年8月)下。SMBus介面使用I2C作爲 其主幹,且致使構件能夠來回傳遞訊息而非跳脫(tripping) 個別的控制線路。此種方式係特別有用於個人電腦架構之 系統記憶體。 ICH係耦接至MCH且亦耦接至CPU(中央處理單元) 3 6,其發送資料至及擷取資料自系統記憶體1 0。於所例 舉之實施例中,系統記億體發送記億體資料至MCH及接 收記憶體資料自MCH,且MCH控制記憶體的讀與寫週期 以及其刷新率。連接MCH與系統記億體之系統記憶體匯 流排24可載有命令與位址以及讀取自或寫入至記憶體之 資料。 -8- (5) 1351612 ICH將所儲存的資料從該系統記億體通訊到其他裝置 (未顯示出)。這三個裝置之任一者或多者可合倂至單一個 單元中。MCH可被倂入於CPU或ICH中,且所有這三個 裝置之功能可被結合於單一個晶片中。來自ICH之所感 測的溫度可被送至MCH或CPU,其然後可調整刷新率或 採取其他動作。 對於記憶體裝置及對於讓記憶體裝置能夠被讀取至其 φ 及自其寫入之鏈結而言,有各種不同的標準。一個如此之 標準爲用於 DDR2 SDRAM JESD79-2A (2004 年 1 月)之 JEDEC固態技術協會標準。此標準將功能指派給通訊匯流 排之各個接腳且設定能夠在匯流排上被使用於通訊的諸 値。其他的標準可以依類似方式來指定功能與諸値。上述 的DDR2 SDRAM標準指定DRAM晶片之連接如下: CK時鐘輸入 CKE時鐘致能 • CS晶片選擇:CS提供外部排序(rank)選擇 ODT晶粒上之終端 RAS、CAS、WE命令輸入:定義正被輸入之命令 DM(UDM)' (LDM)輸入資料遮罩 BAO-B A2庫位址輸入 A0-A15位址輸入:提供命令之列與行位址 DQ針對於雙向資料匯流排之資料輸入/輸出 DQS資料選通 NC無連接··並沒有內部電氣連接存在 -9- (7) (7)1351612 可供使用的資料匯流排頻寬可被用來允許各個dram 能夠提供溫度資訊而未添加新的訊號或添加消耗命令頻寬 之新的DRAM命令。其他類型之DRAM裝置資訊亦可視 命令而被送出,諸如:暫存器程式規劃。作爲一個實例’ 對於諸如DDR、DDR2、與DDR3之目前的DRAM標準, 自動刷新命令週期被用來命令DRAM記憶格以實施刷 新。該命令沒有送其他資訊或命令至DRAMs,且DRAMs 沒有提供資訊回到記憶體控制器。 藉由施加額外的資訊至DRAM位址線路,額外的命 令可連同自動刷新命令一起被傳送至DRAMs。此命令可 被用來指示:一指定種類的裝置資訊爲應使用一適當時間 槽且藉由 DRAM裝置而驅動於資料匯流排。即將被遞送 之資訊的種類在自動刷新命令之遞送期間係可藉由設定個 別位址訊號至一邏輯零或1來予以指定。一類似方式可以 和除了自動刷新之外的其他命令—起使用,而這些其他命 令不需要某些線路之使用。 考慮自動刷新命令之實例’更明確地說,此命令既未 設定針對於BA00-02線路之使用且未針對於A0至A15線 路之使用的任何要求。換言之’這些線路可被設定爲任何 値而未影響自動刷新命令。於一個實例中,記憶體控制器 送出自動刷新命令且接著將位址線路A10設定於一特定 値。位址線路A10可被定義來告知DRAMs是否進行一正 常自動刷新或是在進行自動刷新之前而送出熱資料於資料 匯流排。故,舉例而言,當A10爲“ 〇”時’ DRAMs可處 -11 - (8) (8)1351612 理自動刷新命令做爲一正常者。當 A10爲"1”時, DRAM s先送出熱資料於資料匯流排上,以供記憶體控制 器讀回且接著進行一自動刷新。以此方式,一熱資料讀命 令可被啓動於位址線路上。 藉由使用A10來命令DRAMs讀出熱資料,該熱資料 可由記憶體控制器來予以獲得而對針對記憶體之讀與寫存 取時間沒有任何影響。此外,使用未經使用的記憶體匯流 排容量,以避免針對於溫度資訊之不同或附加的匯流排之 任何需要。如上所述,在自動刷新命令係就DDR標準而 被使用作爲一個實例的同時,可針對於此且針對於其他型 式之記憶體標準而使用其他命令。附加的命令係可藉由使 用模式暫存器設定(Mode Register Set)命令來設定DRAM 中之特定模式暫存器位元來予以致能。模式暫存器設定命 令係提供於上述的DDR記憶體標準中。 在提供資訊之命令已經被記億體裝置所接收到之後, 所請求的資訊可以用各種不同方式之任一者來予以返回。 可爲所請求的資訊提供一特定的連接器或匯流排,或者該 資訊可依據已爲通訊與控制標準的部分之協定或交換而和 其他資訊一起被提供。於一個實施例中,所請求的資訊直 接回應於正被接收於命令線路上之請求而被提供於相關聯 的資料線路上。於DDR標準記憶體匯流排中,提供一雙 向資料匯流排(DQ)。來自各個DRAM之溫度資訊可被直 接送出至DQ匯流排之記億體控制器’以和所儲存的記憶 體資料被送出至記憶體控制器之方式相同的方式或類似方 -12- (10) (10)1351612 對於雙秩模組(Double Rank Modules) ’有多兩倍的單獨 DRAM裝置。這仍允許針對各個DRAM之16位元的溫度 資料,數量爲超過65,000個等級的溫度。替換地,64位 元的準確度係可藉由使用兩個讀週期或是如同多個DRAM 可被查詢溫度之半數者來予以維持。可提供其他的變化以 作成類似的修改。 第2圖顯示使用一記憶體匯流排以獲得溫度資料之事 件的廣義流程。於方塊2,第一命令被接收於系統記憶體 匯流排上之記憶體模組處。第一命令可爲其並未使用所有 位址線路之各種不同命令的任一者。這些線路於上文被識 別爲A0至A15。典型上,這些命令爲不同於讀或寫命令 之任何命令。於DDR命令結構中,一個這樣的命令爲自 動刷新命令。於其他命令結構中,可使用其他的命令。 於方塊3,第二命令係連同該第一命令一起被接收。 如上所述,第二命令可使用線路(諸如:並非被第一命令 所使用之位址線路)來予以啓動。於上述的特定實例中, 於自動刷新命令中的一個該種線路爲A10線路,然而, 可使用其他的線路來代替。 於方塊4,記憶體模組藉由例如實施一自動刷新而遵 守第一命令,且於方塊5,記憶體模組藉由例如送出溫度 値而遵守第二命令。視命令之本質而定,這些操作可依任 何順序來予以實施。於一自動刷新與一溫度値讀取之實例 中,溫度値可首先被讀取以便提供較快的回應。 第3圖顯示可被實施以跨於一系統記億體匯流排上而 -14- (12) (12)1351612 序。該緩衝器具有一組的延遲元件,其可校準以匹配於參 考時鐘。 同樣地,即將被寫入至一 DRAM位址之來自記億體 控制器的資料係藉由耦接至記憶體匯流排之放大器5 6來 予以放大於記憶體裝置中且被施加至一組的寫入緩衝器 58。資料係自寫入緩衝器而被施加至適當的記憶體方塊之 I/O閘控邏輯。 爲了送出取代儲存資料之溫度測量於記億體匯流排, —組的溫度暫存器60可被應用於記憶體裝置上之接收來 自 DRAM記億體方塊之資料的同一個多工器48。當命令 被接收以送出溫度資料時,溫度暫存器係讀取自及耦接至 該多工器,該多工器切換以送出取代儲存資料之溫度測 量。溫度値然後可被施加至讀取緩衝器50且接著以任何
I 資料能夠被放大之相同方式而被放大於記憶體匯流排上。 藉由施加溫度資料至讀取資料緩衝器,可使用使用於標準 資料操作之現存的時序與訊號邏輯。此係簡化記憶體裝置 且確保溫度測量被可靠地傳輸。 第4圖亦顯示記憶體裝置之溫度測量系統的一部分之 簡化版本。於第4圖中,一溫度感測器與控制方塊62自 裝置的一或多個位置收集溫度資訊。於一個實施例中,溫 度係測量自於各個DRAM方塊上之感測器。這些溫度被 轉換成數位値,其可由溫度感測器與控制方塊62所送出 於記憶體匯流排24上。此方塊亦可比較這些溫度與儲存 於一臨界値暫存器64之臨界値。臨界値比較可被用來產 -16- (14) (14)1351612 間,且可被切換而以類似於第4圖之多工器48的方式來 提供所儲存的記憶體資料或溫度値。藉由透過感測放大器 以取代直接送出溫度資料至讀取緩衝器,如同於第4圖 中,可使用感測放大器構件與I/O閘控邏輯之裨益。這進 一步增強溫度通訊之可靠度且降低對於溫度資料的設備之 重複。於第5圖之組態中,溫度暫存器可被作成爲DRAM 記憶體陣列72之部分。溫度値可被儲存至擴充的記億格 中,且特定位址可被使用以送出溫度値至I/O閘控邏輯 76。第4與5圖之實例可被修改以適合任何的特定應用。 此外,本發明之實施例可被應用於其他型式之記憶體裝置 與系統。 第6圖顯示適以結合本發明之實施例的電腦系統之實 例。一MCH晶片、北橋接器' 或主機控制器663介接一 或多個中央處理單元(CPU) 613、615與記憶體和I/O裝 置,且可提供一寬廣範圍的特徵,諸如:CPU之提高的性 能、可靠度、可用性與服務能力、系統管理與熱插頭交 換。MCH可包括:I/O叢組、一記憶體控制器、窺探 (snoop)濾波器、與用以處理事務之一寬廣範圍的邏輯。 儘管第6圖之實例包括一耦接至MCH與ICH(輸入/輸出 控制器集線器)665之微處理器,MCH或ICH或是這些晶 片之功能的二者或任一者可倂入於微處理器中。MCH或 ICH亦可整體或部分地結合於微處理器之內部或外部。 於第6圖之實例中,MCH 611具有一對FSBs(前側匯 流排),各FSB係耦接至CPU或處理器核心613、615。 -18- (15) (15)1351612 可使用多於或少於二個處理器核心與FSB。可使用任何數 目之不同的CPU與晶片組。北橋接器在FSBs上接收及實 行自處理器核心之讀、寫、及擷取指令。北橋接器亦具 有:一系統記憶體匯流排(諸如:至系統記憶體667之第 1圖的匯流排24),諸如:類似於第1圖所示者之DIMMs (雙同軸記憶體模組),其中,指令與資料可被儲存;及一 至ICH (輸入/輸出控制器集線器)665之介面^ MCH亦具有一介面,諸如:一PCI(周邊構件互 連)Express、或AGP (加速圖形埠)介面,以與圖形控制器 64 1耦接,其隨後提供圖形與可能的音頻給顯示器637。 PCI Express介面亦可被用來耦接至其他的高速裝置。於 第6圖之實例中,顯示六個x4 PCI Express通路(lanes)。 二個通路連接至TCP/IP (傳輸控制協定/網際網路協定)卸 載引擎617,其可連接至網路或TCP/IP裝置,諸如:十 億位元乙太網路控制器63 9。二個通路連接至一I/O處理 器節點619,其可使用SCSI (小型電腦系統介面)、RAID (獨立碟片的冗餘陣列)、或其他介面來支援儲存裝置 62 1。二個以上的通路連接至一PCI變換器集線器623, 其可支援介面以連接PCI-X 625與PCI 627裝置。PCI Express介面可支援比在本文所顯示者更多或更少的裝 置。此外,儘管PCI Express與AGP被敘述,取代或附加 於那些已做敘述的協定或介面,MCH可能適合來支援其 他的協定與介面。 ICH 6 65提供可能的連接性至一寬廣範圍之不同裝 -19- (16) (16)1351612 置。得到確認的公約與協定可被使用於這些連接。該等連 接可包括一LAN (區域網路)埠669、一 USB集線器671、 與一區域BIOS(基本輸入/輸出系統)快閃記憶體6 73。一 SIO(超級輸入/輸出)埠675可提供針對於一具有按鈕與顯 示器之面板677、一鍵盤679、一滑鼠681及紅外線裝置 68 5 (諸如:紅外線傳送器(blasters)或遙控感測器)的連接 性。I/O埠亦可支援軟碟、並列埠、與串列埠連接。替換 地,這些裝置之任一者或多者係可支援自一USB、PCI或 任何其他型式之匯流排或互連。 ICH亦可提供針對於一連接至磁碟機687、或其他的 大型記憶體裝置 689之IDE(整合裝置電子)匯流排或 SATA(串列先進技術附接)匯流排。大量儲存裝置可包括 磁碟機與光碟機。故,舉例而言,軟體程式、參數、或使 用者資料可被儲存於硬碟機或其他的驅動器。一 PCI(周 邊構件互連)匯流排691係耦接至ICH且允許一寬廣範圍 的裝置與埠能夠被耦接至ICH。第 6圖之實例包括一 WAN(廣域網路)埠、一無線埠 695、一資料卡連接器 697、與一視頻轉接器卡699。有更多的可供使用來連接 至PCI埠之裝置與更多可能的功能。可允許連接至本地的 設備、或附近的電腦。PCI裝置它們亦可允許以供連接至 各種的周邊設備,諸如:印表機、掃描器、錄音器、顯示 器與更多者。PCI裝置它們亦可允許以供有線或無線連接 至更多的遠端設備與多個不同介面之任一者。 任何附接裝置之特定性質可適於裝置之意圖用途。裝 -20- (17) 置、匯流排、互連之任一者或多者可去除自此 者可添加。舉例而言,視頻可提供於PCI匯流 AGP匯流排上、透過PCI Express匯流排或透 器之整合圖形部分。 可理解的是:比上述實例更少或更多裝備 元、記億體模組、熱感測器 '熱管理、或電腦 佳針對於某些實施。因此,上文所提供之實例 化於不同實施,視諸多因素而定,諸如:價格 需求、技術改良 '或其他情形。本發明之實施 不同於上述實例之其他型式的記憶體系統及 境。儘管本發明係就其要求及傳送記憶體資料 流排而論,其他型式之資料係可要求及傳送。 式的資訊之實例包括誤差偵測與修正資料,諸 或不可修正之誤差、允許或限制存取至某記憶 令、圖案偵測資料、與存取日誌。 本發明之實施例可被提供作爲一電腦程式 包括一機器可讀取媒體,具有儲存於其上的指 使用來程式規劃通用電腦、模式分佈邏輯、記 或其他的電子裝置以實行一處理程序。機器可 包括但不限於軟碟、光碟、CD-ROM、磁光 RAM、EPROM、EEPROM、磁碟或光學卡、快 或適用於儲存電子指令之其他型式的媒體或機 體。況且,本發明之實施例亦可被下載作爲一 品’其中,程式係可自遠端的電腦或控制器轉 系統且其他 排上 '於一 過主機控制 的記憶體單 系統可能較 的組態可變 限制、性能 例亦可適合 其他的熱環 於一通訊匯 一些其他型 如:可修正 體部分之命 產品,其可 令,其可被 憶體控制器 讀取媒體可 碟、ROM、 閃記憶體、 器可讀取媒 電腦程式產 移至請求的 -21 - (18) 電腦或控制器,藉由具體化於載波或其他傳播媒體形式的 資料訊號且經由一通訊鏈路(例如:一數據機或網路連 接)。 於上述說明,諸多特定細節被提出。然而,瞭解的 是··本發明之實施例可被實行而無需這些特定細節。舉例 而言,眾所周知的等效材料係可代替以取代本文所述的彼 等者,同理,眾所周知的等效技術係可代替以取代所揭示 的特定處理技術。於其他情況中’眾所周知的電路、結 構、與技術並未被詳細顯示以避免模糊此說明書之瞭解。 儘管本發明之實施例係已經關於數個實例而描述,熟 悉此技藝人士係可理解的是:本發明係不限於已述的實施 例,而是可實行具有於隨附申請專利範圍之精神與範疇內 的修改與變更。說明書係因此視爲說明性質而非爲限制。 【圖式簡單說明】 對於熟悉此技藝人士而言,藉由閱讀本說明書與隨附 的申請專利範圍且參照圖式,本發明之實施例的各種優點 係將成爲明顯,其中: 第1圖係根據本發明一實施例之電腦系統的方塊圖, 該電腦系統包括一記憶體模組與一記憶體控制器; 第2圖係根據本發明一實施例以送出命令的流程圖; 第3圖係根據本發明一實施例以送出溫度値的流程 圖, 第4圖係根據本發明一實施例之記億體裝置的方塊 -22- 1351612 方 的 置 裝 體 憶 記 - 另 之 例 施 實 1 明 發 本 據 根 係 圖 9)5 及 ο 第: •, 1^1 圖 塊 用 明 何 說 適 號 係 符 圖 件 6 元 第。 要 圖 主 塊 t 方 的 統 系 腦 電 之 例 施 實 明 發 本 施 實 φ 1 〇:記憶體單元 12A — 1 2D :記憶體裝置 1 4 :溫度測量模組(熱感測器) 18 :串列存在偵測(SPD)裝置 22 :記憶體控制器集線器(MCH) 24 :記憶體匯流排 28 :系統管理匯流排(SMBus) 34 :輸入/輸出控制器集線器(ICH) φ 36 :中央處理單元(CPU) 4〇 ' 70 :記憶體裝置 4 1、7 1 :記億體方塊 42、72 :言己憶庫陣列 44、74 :感測放大器 46、76 :輸入/輸出(I/O)閘控邏輯 48、78 :多工器 5〇 ' 80 :讀取緩衝器 52 :讀命令 -23- (20) (20)1351612 54、84 :線路放大器 56、86 :放大器 58' 88:寫入緩衝器 60 :溫度暫存器 90 :溫度値暫存器 62、92 :溫度感測器與控制方塊 64、94 :臨界値暫存器 82 :隔離電晶體 6 1 1 :記憶體控制器集線器(M C Η) 613、615 :中央處理單元(CPU)或處理器核心 6 1 7 : TCP/IP卸載引擎 619 : I/O處理器節點 621 :儲存裝置 623 : PCI轉換集線器 62 5 : PCI-X 裝置 627 : PCI 裝置 63 7 :顯示器 63 9 :乙太網路控制器 6 4 1 :圖像控制器 663 :主機控制器 665 :輸入/輸出控制器集線器(ICH) 667 :系統記憶體 669 :區域網路(LAN)埠 671 : USB集線器 -24- (21) 1351612 673 :基本輸入/輸出系統(BIOS)快閃記憶體 67 5 :超級輸入/輸出(SIO)璋 67 7 :面板 . 679 :鍵盤 681 :滑鼠 683 : I/O 璋 6 8 5 :紅外線裝置 φ 6 8 7 :磁碟機 6 8 9 :磁碟機 691 :周邊構件互連(PCI)匯流排 693 :廣域網路(WAN)埠 695 :無線埠 697 :資料卡連接器 699 :視頻轉接器卡 • -25-

Claims (1)

1351612 附件5A :第095111010號申請專利範圍修正本 民國99年12月24日修正 十、申請專利範圍 1. 一種使用記憶體匯流排來接收命令之方法,包 含: 接收第一命令於記憶體裝置處,在記憶體匯流排的命 令線路上,該第一命令係不同於讀或寫命令,該記憶體匯 Φ 流排具有分開的命令線路、位址線路、及資料線路;及 接收第二命令連同該第一命令一起,該第二命令正被 接收於該記憶體匯流排之該等位址線路上,而該等位址線 路並未正被該第一命令所使用。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中,該第一命 令爲自動刷新命令。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中,該第二命 令爲溫度値讀取命令。 • 4.如申請專利範圍第1項之方法,其中,該第二命 令係藉由設定該第一命令之位址接腳爲高或低來予以指 7]\ ° 5. 如申請專利範圍第1項之方法,其中,該第二命 令爲讀取該記憶體之溫度値以及供應該等溫度値於該記憶 體匯流排上之命令。 6. 如申請專利範圍第1項之方法,另包含:回應於 該第二命令,以該記憶體匯流排之資料格式的方式而提供 來自該記憶體裝置之熱感測器系統的溫度値於該記憶體匯 Ϊ351612 流排上。 7. 如申請專利範圍第6項之方法,其中,提供溫度 値包含:在該記億體匯流排之資料讀取叢發週期期間提供 牛子兀組(nibble)之資料。 8. 如申請專利範圍第6項之方法,其中,提供溫度 値包含:將耦接在該記憶體裝置的記億體陣列與資料讀取 緩衝器之間的多工器自該等記憶體陣列切換至溫度値儲存 暫存器。 φ 9. 如申請專利範圍第6項之方法,其中,提供溫度 値包含:將耦接在該記憶體裝置的記億體陣列與該記憶體 裝置的感測放大器之間的多工器自該等記憶體陣列切換至 溫度値儲存暫存器。 10. —種含有資料之機器可讀取媒體,當該資料被機 器所執行時,致使該機器使用記憶體匯流排來實施用以接 收命令之操作,包含: 接收第一命令於記憶體裝置處,在記憶體匯流排的命 參 令線路上,該第一命令係不同於讀或寫命令,該記憶體匯 流排具有分開的命令線路、位址線路、及資料線路;及 接收第二命令連同該第一命令一起,該第二命令正被 接收於該記億體匯流排之該等位址線路上,而該等位址線 路並未正被該第一命令所使用。 11. 如申請專利範圍第10項之機器可讀取媒體,其 中,該第二命令係藉由設定該第一命令之位址接腳爲高或 低來予以指示。 • 2 - 1351612 12. 如申請專利範圍第10項之機器可讀取媒體,其 中,該第二命令爲讀取該記億體之溫度値以及供應該等溫 度値於該記億體匯流排上之命令。 13. 如申請專利範圍第10項之機器可讀取媒體,另 包含資料,當該資料被該機器所執行時,致使該機器回應 於該第二命令而實施進一步操作,包含以該記憶體匯流排 之資料格式的方式而提供來自該記憶體裝置之熱感測器系 φ 統的溫度値於該記憶體匯流排上。 14. 一種使用記憶體匯流排來接收命令之設備,包 含: 記憶體裝置,係耦接至該記憶體匯流排,以接.收第一 命令於該記憶體匯流排的命令線路上,該記憶體匯流排具 有分開的命令線路、位址線路、及資料線路,該第一命令 係不同於讀或寫命令;及 溫度感測器控制方塊,以接收第二命令,該第二命令 φ 連同該第一命令一起被送出於該記憶體匯流排的命令線路 上,而該等位址線路並未正被該第一命令所使用。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之設備,其中,該第一 命令爲自動刷新命令。 16.如申請專利範圍第14項之設備,其中,該溫度 感測器控制方塊包括溫度値暫存器以儲存所測量到之溫度 値,且其中,該溫度感測器及控制方塊係以記憶體匯流排 之資料格式的方式來提供該等溫度値至該記憶體匯流排。 1 7 . —種計算設備,包含: -3- 1351612 記憶體控制器; 記憶體匯流排,係耦接至該記億體控制器,該記憶體 匯流排具有分開的命令線路、位址線路、及資料線路;及 記憶體裝置,係耦接至該記憶體匯流排,以透過該記 憶體匯流排而接收來自該記憶體控制器之命令; 其中,該記憶體控制器係要使用該記憶體匯流排的命 令線路來傳送第一命令、以及第二命令連同該第一命令一 起至該記憶體裝置,該第二命令係要使用該記憶體匯流排 之位址線路而被傳送,而該等位址線路並未正被該第一命 令所使用。 18. 如申請專利範圍第17項之設備,其中,該第一 命令爲自動刷新命令。 19. 如申請專利範圍第17項之設備,其中,該第二 命令爲溫度測量讀取命令。 1351612 附件6A :第095U1010號圖式修正頁 民國99年12月24日修正
TW095111010A 2005-03-30 2006-03-29 Method,machine-readable medium and apparatus for TWI351612B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/093,705 US7454586B2 (en) 2005-03-30 2005-03-30 Memory device commands

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200703007A TW200703007A (en) 2007-01-16
TWI351612B true TWI351612B (en) 2011-11-01

Family

ID=36808981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095111010A TWI351612B (en) 2005-03-30 2006-03-29 Method,machine-readable medium and apparatus for

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7454586B2 (zh)
CN (1) CN101133403B (zh)
DE (1) DE112006000644B4 (zh)
TW (1) TWI351612B (zh)
WO (1) WO2006105549A1 (zh)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7304905B2 (en) 2004-05-24 2007-12-04 Intel Corporation Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device
US8122187B2 (en) * 2004-07-02 2012-02-21 Qualcomm Incorporated Refreshing dynamic volatile memory
US7523285B2 (en) * 2004-08-20 2009-04-21 Intel Corporation Thermal memory control
KR100611505B1 (ko) * 2004-12-17 2006-08-11 삼성전자주식회사 동적 온도 모니터링이 가능한 메모리 모듈 및 메모리모듈의 동작 방법
US7640392B2 (en) * 2005-06-23 2009-12-29 Qualcomm Incorporated Non-DRAM indicator and method of accessing data not stored in DRAM array
US7620783B2 (en) 2005-02-14 2009-11-17 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for obtaining memory status information cross-reference to related applications
US7260007B2 (en) * 2005-03-30 2007-08-21 Intel Corporation Temperature determination and communication for multiple devices of a memory module
US7970958B2 (en) * 2005-06-20 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Peripheral interface alert message for downstream device
KR100640722B1 (ko) * 2005-10-05 2006-11-01 삼성전자주식회사 반도체 제어장치, 반도체 장치, 및 이들을 구비하는 시스템
US8118483B2 (en) 2006-06-21 2012-02-21 Intel Corporation Thermal sensor having toggle control
US9262326B2 (en) * 2006-08-14 2016-02-16 Qualcomm Incorporated Method and apparatus to enable the cooperative signaling of a shared bus interrupt in a multi-rank memory subsystem
US7830690B2 (en) * 2006-10-30 2010-11-09 Intel Corporation Memory module thermal management
KR100880835B1 (ko) * 2007-01-03 2009-02-02 주식회사 하이닉스반도체 메모리장치의 음전압 공급장치.
US20080317086A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 Santos Ishmael F Self-calibrating digital thermal sensors
US8028198B2 (en) * 2007-07-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Devices, methods, and apparatuses for detection, sensing, and reporting functionality for semiconductor memory
US7885914B2 (en) * 2007-12-28 2011-02-08 Intel Corporation Systems, methods and apparatuses for rank coordination
US20100011104A1 (en) * 2008-06-20 2010-01-14 Leostream Corp Management layer method and apparatus for dynamic assignment of users to computer resources
US8639874B2 (en) * 2008-12-22 2014-01-28 International Business Machines Corporation Power management of a spare DRAM on a buffered DIMM by issuing a power on/off command to the DRAM device
US9020781B2 (en) * 2009-12-11 2015-04-28 Corsair Memory, Inc. Monitoring memory module parameters in high performance computers
US9026401B2 (en) * 2009-12-11 2015-05-05 Cosair Memory, Inc. Monitoring memory module parameters in high performance computers
US8392650B2 (en) * 2010-04-01 2013-03-05 Intel Corporation Fast exit from self-refresh state of a memory device
KR20110124992A (ko) * 2010-05-12 2011-11-18 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 시스템
KR101187642B1 (ko) * 2011-05-02 2012-10-08 에스케이하이닉스 주식회사 집적 회로의 모니터링 장치
US8527836B2 (en) 2011-07-01 2013-09-03 Intel Corporation Rank-specific cyclic redundancy check
JP5960269B2 (ja) * 2011-09-30 2016-08-02 インテル コーポレイション メモリ装置、制御方法、メモリコントローラ及びメモリシステム
EP2833238A4 (en) * 2012-03-30 2015-03-11 Fujitsu Ltd INFORMATION PROCESSING DEVICE, CONTROL METHOD, AND PROGRAM
CN103531247B (zh) 2012-07-04 2016-08-03 纬创资通股份有限公司 测试装置
US9299400B2 (en) 2012-09-28 2016-03-29 Intel Corporation Distributed row hammer tracking
CN104216850B (zh) * 2013-05-31 2018-06-19 鸿富锦精密电子(天津)有限公司 接口传输设备
US9117542B2 (en) 2013-09-27 2015-08-25 Intel Corporation Directed per bank refresh command
WO2015094258A1 (en) * 2013-12-19 2015-06-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transmission of command strings and status strings via memory bus
US9390785B2 (en) 2014-03-27 2016-07-12 Intel Corporation Method, apparatus and system for determining a write recovery time of a memory based on temperature
US9780782B2 (en) * 2014-07-23 2017-10-03 Intel Corporation On-die termination control without a dedicated pin in a multi-rank system
CN104657297B (zh) * 2015-02-03 2018-02-09 杭州士兰控股有限公司 计算设备扩展系统及扩展方法
US10088880B2 (en) * 2015-08-27 2018-10-02 Intel Corporation Thermal monitoring of memory resources
KR20170039451A (ko) * 2015-10-01 2017-04-11 삼성전자주식회사 메모리 모듈 및 이를 포함하는 반도체 메모리 시스템
US10789010B2 (en) * 2016-08-26 2020-09-29 Intel Corporation Double data rate command bus
US10338838B2 (en) * 2017-03-24 2019-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-mode NVMe over fabrics device for supporting CAN (controller area network) bus or SMBus interface
KR102398209B1 (ko) 2017-11-06 2022-05-17 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치, 메모리 시스템 그리고 그것의 리프레쉬 방법
KR102477268B1 (ko) 2018-01-26 2022-12-13 삼성전자주식회사 메모리 모듈의 정보를 실시간으로 모니터링하는 방법 및 시스템
US10552087B2 (en) 2018-06-04 2020-02-04 Micron Technology, Inc. Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same
US10692560B2 (en) 2018-06-06 2020-06-23 Intel Corporation Periodic calibrations during memory device self refresh
US10901655B2 (en) 2018-09-27 2021-01-26 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile storage system with command response piggybacking
CN109446131A (zh) * 2018-11-08 2019-03-08 郑州云海信息技术有限公司 信息传输方法以及系统
CN112799986B (zh) * 2019-11-13 2024-03-26 瑞昱半导体股份有限公司 通用序列总线切换电路与相关的电子装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5682498A (en) 1993-11-12 1997-10-28 Intel Corporation Computer system with dual ported memory controller and concurrent memory refresh
US5937170A (en) * 1997-02-21 1999-08-10 Vlsi Technology, Inc. Data communications with processor-assertable addresses mapped to peripheral-accessible-addresses-times-command product space
US6021076A (en) * 1998-07-16 2000-02-01 Rambus Inc Apparatus and method for thermal regulation in memory subsystems
GB2358944B (en) * 1998-08-18 2002-12-11 Intel Corp Method and apparatus to control the temperature of a component
US6172893B1 (en) * 1999-01-05 2001-01-09 Micron Technology, Inc. DRAM with intermediate storage cache and separate read and write I/O
US6453218B1 (en) * 1999-03-29 2002-09-17 Intel Corporation Integrated RAM thermal sensor
US6553449B1 (en) * 2000-09-29 2003-04-22 Intel Corporation System and method for providing concurrent row and column commands
US6515896B1 (en) * 2001-07-24 2003-02-04 Hewlett-Packard Company Memory device with short read time
KR100543906B1 (ko) * 2001-12-29 2006-01-23 주식회사 하이닉스반도체 어드레스 핀의 수를 줄인 동기식 반도체 메모리 소자
US6728150B2 (en) * 2002-02-11 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supplementary command bus
US6809914B2 (en) * 2002-05-13 2004-10-26 Infineon Technologies Ag Use of DQ pins on a ram memory chip for a temperature sensing protocol
JP4462528B2 (ja) * 2002-06-24 2010-05-12 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
WO2004095465A1 (ja) * 2003-04-23 2004-11-04 Fujitsu Limited 半導体記憶装置
KR100532448B1 (ko) * 2003-07-12 2005-11-30 삼성전자주식회사 메모리의 리프레시 주기를 제어하는 메모리 컨트롤러 및리프레시 주기 제어 방법
US20050144372A1 (en) * 2003-12-31 2005-06-30 Robert Walker Memory device controlled with user-defined commands

Also Published As

Publication number Publication date
DE112006000644B4 (de) 2014-02-13
TW200703007A (en) 2007-01-16
DE112006000644T5 (de) 2008-02-14
US20060239095A1 (en) 2006-10-26
US7454586B2 (en) 2008-11-18
CN101133403A (zh) 2008-02-27
CN101133403B (zh) 2011-01-19
WO2006105549A1 (en) 2006-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI351612B (en) Method,machine-readable medium and apparatus for
EP3370152B1 (en) Integrated error checking and correction (ecc) in memory devices with fixed bandwidth interfaces
KR100954733B1 (ko) 메모리 모듈 및 이를 포함하는 장치와, 메모리 모듈의 구성요소들의 동작 온도를 검출하는 방법
US11581024B2 (en) Memory module with battery and electronic system having the memory module
US11250902B2 (en) Method and apparatus to reduce power consumption for refresh of memory devices on a memory module
JP6050587B2 (ja) 可変式メモリリフレッシュ装置および方法
US7450456B2 (en) Temperature determination and communication for multiple devices of a memory module
US7624225B2 (en) System and method for providing synchronous dynamic random access memory (SDRAM) mode register shadowing in a memory system
US10621121B2 (en) Measurement and optimization of command signal timing margins
CN109661654B (zh) 存储器中的差错校验和纠正码的扩展应用
US11928042B2 (en) Initialization and power fail isolation of a memory module in a system
US20190042095A1 (en) Memory module designed to conform to a first memory chip specification having memory chips designed to conform to a second memory chip specification
US20220393682A1 (en) Unidirectional command bus phase drift compensation
US20220368047A1 (en) Adapter card with compression attached memory modules
US20220300197A1 (en) Autonomous backside chip select (cs) and command/address (ca) training modes
US20210225827A1 (en) Logic die in a multi-chip package having a configurable physical interface to on-package memory
US20230229606A1 (en) Method and apparatus to reset components in a sideband bus interface in a memory module
US20230333928A1 (en) Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices
US20240193109A1 (en) Apparatus and method to reduce memory power consumption in a memory phy in a memory controller
US20220190844A1 (en) Method and apparatus to perform cyclic redundancy check training in a memory module
US20230393740A1 (en) Four way pseudo split die dynamic random access memory (dram) architecture
US20230342035A1 (en) Method and apparatus to improve bandwidth efficiency in a dynamic random access memory
EP4312104A1 (en) Memory module adapter card with multiplexer circuitry

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees