TWI343599B - - Google Patents

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1343599 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是對半導體晶圓或以液晶顯示裝置（LCD )的 玻璃基板爲代表的平面直角顯示器（Flat Panel Display: FPD)等的被處理基板實施洗淨等的液處理之液處理方法 及液處理裝置、及用以實施液處理方法的控制程式及電腦 可讀取的記憶媒體。 【先前技術】 在半導體裝置的製程中所進行的洗淨處理，係藉由特 定的藥液（洗淨液）來洗淨半導體晶圓（以下簡稱爲晶圓 )，去除附著於晶圓的粒子、有機汚染物、金屬雜質等的 污染（contamination)、餓刻處理後的聚合物等》 就進行如此的洗淨處理的晶圓洗淨裝置而言，例如有 單片式的晶圓洗淨裝置，其係將晶圓保持於旋轉夾頭，在 使晶圓静止的狀態或旋轉的狀態下對晶圓的表背面供給藥 液，而來進行藥液處理，其次一邊使晶圓以特定的旋轉數 來旋轉，一邊對晶圓供給純水等的洗滌液，而來沖洗藥液 ，然後使晶圓旋轉進行乾燥處理。 在如此的單片式的晶圓洗淨裝置中，由經濟性的觀點 來看，極力減少所使用的藥液之技術，例如有提案於曰本 特開2003-224 1 00號公報的技術，其係於晶圓的洗淨面形 成藥液的液膜，而來進行洗淨處理。 具體而言，例如爲了在晶圓的背面形成藥液的液膜， -4- 1343599 ⑵ 而設置板，在使該板接近晶圓背面的狀態下’從設置於板 的噴嘴來供給藥液至晶圓與板之間’藉此來形成液膜。該 板係設置成能夠昇降’在藥液洗淨後使板下降’而擴大板 與晶圓之間的間隙’一邊高速旋轉晶圓’一邊進行洗滌處 理及乾燥處理。在藥液處理時’爲了壓低每—片的藥液使 用量，而極力縮小板與晶圓之間的間隙。 但，在使板下降而離開晶圓時，或使晶圓保持高速旋 轉時，比起間隙的體積，間隙内的液體的體積會變小’因 而間隙内會形成真空狀態，晶圓會被吸附於板，而有發生 彎曲或破裂之虞。 【發明內容】 本發明的目的是在於提供一種在被處理基板利用板來 形成液膜而進行液處理時，不易發生被處理基板的彎曲或 破裂之液處理方法及液處理裝置。 又，本發明的其他目的是在於提供一種用以實施如此 方法之控制程式及電腦可讀取的記億媒體。 本發明的第1觀點，可提供一種液處理方法，其特徵 係具有： 使板接近於被處理基板的至少一方的面，且在該板與 被處理基板之間供給處理液，而形成液膜之步驟； 在形成上述液膜的狀態下處理被處理基板之步驟；及 在上述處理終了後，對上述處理液的液膜供給氣體， 而來破壞上述液膜之步驟》 -5- (3) (3)1343599 上述第1觀點的液處理方法中’上述處理液係經由設 置於上述板的中心部的噴嘴來供給至上述板與被處理基板 之間。 並且，在至少形成液膜時’形成上述液膜的上述處理 液爲藥液。 此情況，可更具有：使用藥液作爲上述處理液來形成 液膜後，在破壞上述液膜之前’在上述板與被處理體之間 供給洗滌液來將上述液膜的藥液的一部份或全部置換成洗 滌液之步驟。 又，可更具有：在破壞上述液膜之前，開放對上述液 膜供給氣體的氣體線路的壓力之步驟。 又，可更具有： 在破壞上述液膜之後，一邊使被處理基板相對性地以 低速的第1旋轉數旋轉，一邊擴大被處理基板與上述板之 間的間隙之步驟；及 之後，使被處理基板的旋轉數上昇至比上述第1旋轉 數更高速的第2旋轉數之步驟。 此情況，上述第1旋轉數爲10〜lOOrpm，上述第2 旋轉數爲1〇〇〜l〇〇〇rpm。 又，可更具有： 一邊使被處理基板旋轉，一邊對被處理基板供給洗滌 液之步驟：及 使被處理基板旋轉，進行瀝乾之步驟。 本發明的第2觀點，可提供一種液處理方法，其特徵 -6- (4) (4)1343599 係具有： 使板接近於被處理基板的至少一方的面，且在該板與 被處理基板之間供給處理液，而形成液膜之步驟； 在形成上述液膜的狀態下處理被處理基板之步驟： 在上述處理終了後，對上述液膜供給氣體，而來破壞 上述液膜之步驟； 使上述板與被處理基板之間分離之步驟； 從上述被處理基板去除上述液膜之步驟； 洗滌被處理基板之與上述板對向的面之步驟；及 使被處理基板瀝乾之步驟。 本發明的第3觀點，可提供一種液處理方法，其特徵 係具有： 使板接近於被處理基板的背面，且在該板與被處理基 板之間供給處理液，而形成液膜之步驟； 在形成上述液膜的狀態下處理被處理基板之步驟； 在上述處理終了後，對上述液膜供給氣體，而來破壞 上述液膜之步驟： 一邊使被處理基板相對性地以低速的第1旋轉數旋轉 ，一邊使上述扳與被處理基板的背面之間分離之步驟； 使被處理基板的旋轉數相對性地上昇至高速的第2旋 轉數，而由上述被處理基板的背面來去除上述液膜之步驟 » 一邊使被處理基板旋轉，一邊對被處理基板的背面供 給洗滌液，而洗滌之步驟； (5) (5)1343599 在使被處理基板的背面的處理進行的期間，對被處理 基板的表面供給處理液，而進行表面的處理之步驟； 在被處理基板的表面的處理之後，對該表面供給洗滌 液，而洗滌之步驟：及 在由上述第1旋轉數上昇至上述第2旋轉數的時間點 ，將供給至被處理體的表面的洗滌液切換成噴霧化的純水 及氣體的2流體噴霧。 在上述第3觀點的液處理方法中，上述第1旋轉數爲 10〜lOOrpm，上述第2旋轉數爲100〜lOOOrpm。 又，可更具有：使被處理基板以高速旋轉而瀝乾之步 驟。 本發明的第4觀點，可提供一種液處理方法，其特徵 係具有： 對向於被處理基板的至少一方的面，而以第1間隔來 使板位置，且在該板與被處理基板之間供給液體，而進行 液處理之步驟； 停止上述液體的供給後，在上述第1間隔的上述板與 被處理基板之間供給氣體之步驟；及 一面供給上述氣體，一面將上述板與被處理基板的間 隔擴大成比上述第1間隔更廣的第2間隔。 在上述第4觀點的液處理方法中，可在上述第1間隔 的上述板與被處理基板之間供給氣體時使被處理基板旋轉 ，一面供給上述氣體，一面將上述板與被處理基板的間隔 形成上述第2間隔時使被處理基板的旋轉數上昇。 -8 - (6) 1343599 又’可更具有：在上述板與被處理基板之間供給洗滌 液之步驟。 ' 又’可在供給上述洗滌液之後，將上述板與被處理基 • 板的間隔擴大成比上述第2間隔更廣的第3間隔，停止洗 滌液的供給。 . 又’在上述第1間隔的上述板與被處理基板之間所被 供給的液體可爲藥液，或在上述第1間隔的上述板與被處 φ 理基板之間所被供給的液體可爲藥液及藥液處理後供給的 洗滌液。 本發明的第5觀點，可提供一種液處理方法，其特徵 係具有： 使板接近於被處理基板的至少一方的面，且在該板與 被處理基板的間隙供給處理液，而形成液膜之步驟； 在形成上述液膜的狀態下處理被處理基板之步驟；及 在上述處理終了後，一面擴大形成有上述處理液的液 φ 膜的上述間隙，一面隨之對上述間隙供給液體，破壞液膜 之步驟。 在上述第5觀點的液處理方法中，上述處理液可經由 設置於上述板的中心部的噴嘴來供給至上述板與被處理基 板之間。形成上述液膜的上述處理液可爲藥液。又，上述 液體可爲洗滌液。 又，可更具有··上述液膜的破壞係一邊使被處理基板 相對性地以低速的第1旋轉數旋轉，一邊進行，然後，一 面使被處理基板的旋轉數上昇至比上述第1旋轉數更高速

-9- '：S (7) (7)1343599 的第2旋轉數，一面更擴大上述間隙之步驟。 此情況，上述第1旋轉數爲丨〇〜lOOrpm’上述第2 旋轉數爲100〜lOOOrpm。 又，可更具有： 一邊使被處理基板旋轉，一邊對被處理基板供給洗滌 液之步驟；及 使被處理基板旋轉，而進行瀝乾之步驟。 本發明的第6觀點，可提供一種液處理方法，其特徵 係具有： 使板接近於被處理基板的至少一方的面，且在該板與 被處理基板的間隙供給處理液，而形成液膜之步驟； 在形成上述液膜的狀態下處理被處理基板之步驟：及 在上述處理終了後，一面擴大形成有上述處理液的液 膜的上述間隙，一面隨之對上述間隙供給液體，破壞液膜 之步驟： 去除上述間隙的上述液膜之步驟； 洗滌被處理基板之與上述板對向的面之步驟；及 使被處理基板瀝乾之步驟。 本發明的第7觀點，可提供一種液處理方法，其特徵 係具有： 使板接近於被處理基板的背面，且在該板與被處理基 板的間隙供給處理液，而形成液膜之步驟： 在形成上述液膜的狀態下處理被處理基板之步驟： 在上述處理終了後，使被處理基板相對性地以低速的 -10- (8) (8)1343599 第1旋轉數旋轉，且一面擴大形成有上述處理液的液膜的 上述間隙，一面隨之對上述間隙供給液體，破壞液膜之步 驟； 使被處理基板的旋轉數相對性地上昇至高速的第2旋 轉數，去除上述間隙的上述液膜之步驟： 一邊使被處理基板旋轉，一邊對被處理基板的背面供 給洗滌液，而洗滌之步驟； 在使被處理基板的背面的處理進行的期間，對被處理 基板的表面供給處理液，而來進行表面的處理之步驟： 在被處理基板的表面的處理之後，對該表面供給洗滌 液，而洗滌之步驟；及 在由上述第1旋轉數上昇至上述第2旋轉數的時間點 ，將供給至被處理體的表面的洗滌液切換成噴霧化的純水 及氣體的2流體噴霧。 在上述第7觀點的液處理方法中，上述第1旋轉數可 爲10〜lOOrpm，上述第2旋轉數可爲100〜lOOOrpm。 又，可更具有：使被處理基板以高速旋轉而瀝乾之步 驟。 本發明的第8觀點，可提供一種液處理方法，其特徵 係具有： 對向於被處理基板的至少一方的面，而以第1間隔來 使板位置，且在該板與被處理基板之間供給液體，而進行 液處理之步驟； 在上述處理終了後，一面將形成有上述處理液的液膜 -11 - S ) (9)1343599 的上述間隙擴大至第2間隔，一面 2液體，破壞液膜之步驟：及 將上述間隙更擴大至第3間隔 在上述第8觀點的液處理方法 以第1旋轉數來使被處理基板旋轉 除可使上昇至比第1旋轉數更高速丨 又，可更具有：在去除上述液 基板的間隙供給洗滌液之步驟》 又，上述第】液體可爲藥液， 液。 本發明的第9觀點，可提供一 係具備： 基板保持部，其係將被處理基; 至少1片的板，其係設置成可 方的面接離： 處理液供給手段，其係用以在 板之間供給處理液； 氣體供給機構，其係對上述液 膜；及 控制機構，其係控制成利用上 對上述液膜供給氣體，而破壞液膜 處理基板離開。 本發明的第1 0觀點，可提供 隨之對上述間隙供給第 •去除上述液膜之步驟 中，上述液膜的破壞可 而進行，上述液膜的去 β第2旋轉數來進行。 膜之後，對板與被處理 上述第2液體可爲洗滌 種液處理裝置，其特徵 S保持於水平； 對被處理基板的至少一 上述板與上述被處理基 膜供給氣體，而破壞液 述液膜的處理終了後， •然後，使上述板從被 一種液處理裝置，其特 -12- (S ) (10) (10)1343599 徵係具備： 基板保持部，其係將被處理基板保持於水平； 至少1片的板，其係設置成可對被處理基板的至少一 方的面接離； 處理液供給手段，其係用以在上述板與上述被處理基 板的間隙供給處理液； 液體供給手段，其係用以對上述間隙供給液體； 控制機構，其係控制成利用上述液膜的處理終了後， 一面擴大形成有上述處理液的液膜的上述間隙，一面隨之 對上述間隙供給液體，破壞液膜。 本發明的第11觀點，可提供一種電腦可讀取的記憶 媒體’係記憶有在電腦上動作的控制程式，其特徵爲： 上述控制程式係實行時，以具有下列步驟的液處理方 法能夠進行之方式，使液處理裝置控制於電腦， 使板接近於被處理基板的至少一方的面，且在該板與 被處理基板之間供給處理液，而形成液膜之步驟； 在形成上述液膜的狀態下處理被處理基板之步驟；及 在上述處理終了後，對上述處理液的液膜供給氣體， 而破壞上述液膜之步驟。 本發明的第1 2觀點，可提供一種電腦可讀取的記憶 媒體，係記憶有在電腦上動作的控制程式，其特徵爲： 上述控制程式係實行時，以具有下列步驟的液處理方 法能夠進行之方式，使液處理裝置控制於電腦， 使板接近於被處理基板的至少一方的面，且在該板與 -13- (11) 1343599 . 被處理基板的間隙供給處理液，而形成液膜之步驟； 在形成上述液膜的狀態下處理被處理基板之步驟：及 ' 在上述處理終了後，一面擴大形成有上述處理液的液 膜的上述間隙，一面隨之對上述間隙供給液體，破壞液膜 之步驟。 . 若根據本發明之一形態，則由於是使板接近於被處理 基板的至少一方的面，且在該板與被處理基板之間供給處 φ 理液，而形成液膜，在形成液膜的狀態下處理被處理基板 ，在處理終了後，對上述液膜供給氣體，而破壞上述液膜 ，因此即使之後使板離開，被處理基板與板之間也不會形 成真空狀態，難以發生被處理基板的彎曲或破裂。 若根據本發明的其他形態，則由於是使板接近於被處 理基板的至少一方的面，且在該板與被處理基板的間隙供 給處理液，而形成液膜，在形成液膜的狀態下處理被處理 基板，在處理終了後，一面擴大形成有上述處理液的液膜 φ 的上述間隙，一面隨之對上述間隙供給液體，破壞液膜， 因此在擴大被處理基板與板的間隙時，其間不會形成真空 狀態，難以發生被處理基板的彎曲或破裂。並且，一旦液 膜被破壞，則在該間隙不會形成液膜，因此爲了下個工程 ，可使基板的旋轉數上昇。 【實施方式】 以下，一邊參照圖面一邊詳細說明有關本發明的實施 形態》在此，說明有關將本發明適用於可同時洗淨處理晶 S ) -14- (12) (12)1343599 圓的表背面之洗淨處理裝置時。 圖1是表不本發明之一實施形態的方法實施所使用的 洗淨處理裝置之一例的槪略平面圖，圖2是其槪略剖面圖 。洗淨處理裝置100具有外殼1，在外殼1的内部具有： 收容進行洗淨處理的晶圓之外處理室2、及容納液吐出噴 嘴用的液吐出噴嘴臂31之液吐出噴嘴臂容納部3、及容納 2流體噴霧噴嘴用的2流體噴霧噴嘴臂32之2流體噴霧噴 嘴臂容納部4。 又，洗淨處理裝置100是在外處理室2的内部具有： 內罩11(圖2) I及於內罩11内保持晶圓W的旋轉夾頭 12、及設置成在被保持於旋轉夾頭12的晶圓W的背面側 對向於晶圓W，且可上下作動的底板1 3。 在外殻1形成有作爲晶圓搬出入口的窗部14，此窗部 14是藉由第1遮擋板15而形成開閉自如。窗部14是在晶 圓W的搬出入時形成被開啓的狀態，除此以外，藉由第1 遮擋板15而保持成閉塞的狀態。第1遮擋板15是形成由 外殼1的内部來開閉窗部14，即使外殼1的内部形成陽壓 時，還是可有效防止外殼11内的氣氛漏洩。 在對應於外處理室2的側部的上述窗部14的位置形 成有晶圓W的搬出入口的窗部16，此窗部16是藉由第2 遮擋板1 7而形成開閉自如。窗部16是在晶圓W的搬出 入時形成開啓的狀態，除此以外，藉由第2遮擋板17而 保持成閉塞的狀態。晶圓W的洗淨處理是在外處理室2 内進行，在晶圓W的搬出入時，窗部14及16的雙方會 -15- (13) (13)1343599 形成開啓的狀態，未圖示的搬送臂會從外部來插入至外處 理室2内，對旋轉夾頭12進行晶圓W的受取及交接。 第2遮擋板1 7亦形成從外處理室2的内部開閉窗部 16，即使外處理室2内形成陽壓時，還是可有效防止其内 部的氣氛漏洩。 在外處理室2的上壁設有將N2氣體等的惰性氣體供 給至外處理室2内的氣體供給口 18。此氣體供給口 18是 在外處理室2内形成向下層流（downflow)，防止吐出至 旋轉夾頭12所保持的晶圓W之藥液蒸氣充滿於外處理室 2内。並且，藉由形成如此的向下層流，亦可取得難以在 晶圓W的表面產生水印（Watermark)的效果。在外處理 室2的底部設有排溝部19，可由排溝部19來進行排氣及 排液。 內罩11是用以防止吐出至晶圓w的藥液或純水飛散 至周圍，設置成在外處理室2的内側圍繞旋轉夾頭12。此 內罩U是上部形成傾斜部1 1 a，在底壁形成有排溝部20 。並且，內罩11是其上端比被保持於旋轉夾頭12的晶圓 W更上方，形成可自由昇降於傾斜部圍繞晶圓W的處理 位置（在圖2中以實線所示的位置）與其上端比保持於旋 轉夾頭12的晶圓W更下側的退避位置（在圖2中以點線 所示的位置）之間。 內罩11是在晶圓W的搬出入時以不會妨礙搬送臂（ 未圖示）的進入/退出之方式來保持於退避位置。另一方 面，在對保持於旋轉夾頭12的晶圓W實施洗淨處理時被 -16- (14) 1343599 保持於處理位置。並且，使用於晶圓W的洗淨處理的藥 液會被引導至排溝部20。在排溝部20連接有未圖示的藥 - 液回収線路及排氣導管，藉此防止發生於內罩11内的噴 , 霧（mist)等擴散至外處理室12内。 旋轉夾頭12具有：旋轉板41、及延伸至連接於旋轉 板41的中央部的旋轉板41的下方之旋轉筒體42，且支撐 晶圓W的支撐銷44a及保持晶圓W的保持銷44b會被安 φ 裝於旋轉板41的周緣部。搬送臂（未圖示）與旋轉夾頭 1 2之間的晶圓W交接是利用此支撐銷44a來進行。由確 實支撐晶圓W的觀點來看，最好支撐銷44a是至少設置於 3處。保持銷44b是以不會妨礙搬送臂（未圖示）與旋轉 夾頭12之間的晶圓W交接之方式，藉由未圖示的按壓機 構來將位於旋轉板41下部的部份按壓於旋轉板41側，藉 此可使保持銷44b的上前端往旋轉板41的外側移動之方 式傾斜。由確實支撐晶圓W的觀點來看，最好保持銷44b φ 也是至少設置於3處。 在旋轉筒體42的下端部的外周面有傳送帶45被捲繞 ，利用馬達46來使傳送帶45驅動，藉此使旋轉筒體42 及旋轉板41旋轉，而使保持於保持銷44b的晶圓W能夠 旋轉。 底板13是連接至貫插旋轉板41的中央部及旋轉筒體 42内而設置的軸（支撐柱）47。軸47是在其下端部，固 定於水平板48，此水平板48可與軸47 —體藉由汽缸等的 昇降機構49來昇降。而且，底板13是藉由該昇降機構49 -17- (15) (15)1343599 在旋轉夾頭12與搬送臂（未圖示）之間進行晶圓W的交 接時，以不會和搬送臂衝突的方式來下降至接近旋轉板41 的位置，爲了對晶圓W的背面進行洗淨處理，而形成液 膜時，上昇至接近晶圓W的背面的位置。並且，在利用 液膜的洗淨處理終了後，下降至適當的位置。又，亦可固 定底板13的高度位置，使旋轉筒體42昇降，藉此來調整 保持於旋轉夾頭12的晶圓W與底板13的相對位置。 在底板13及軸47中，以能夠貫通其内部的方式，設 有用以往晶圓W的背面供給洗淨液的藥液或洗滌液的純 水、及液膜破壞用的氣體（例如氮氣）之背面洗淨用噴嘴 50。並且，在底板13中埋設有加熱器33，由未圖示的電 源來供電，藉此可經由底板1 3來進行晶圓W的溫度控制 〇 在液吐出噴嘴臂容納部3與外處理室2隣接的部份形 成有窗部21，此窗部21是藉由第3遮擋板22形成開閉自 如。而且，在隔離液吐出噴嘴臂容納部3與外處理室2的 氣氛時，該第3遮擋板22會被關閉。並且。在2流體噴 霧噴嘴臂容納部4與外處理室2隣接的部份形成有窗部23 ，此窗部23是藉由第4遮擋板24形成開閉自如。而且， 在隔離2流體噴霧噴嘴臂容納部4與外處理室2的氣氛時 ，該第4遮擋板24會被關閉。 被容納於液吐出噴嘴臂容納部3的液吐出噴嘴臂31 是藉由設置於其基端部的驅動機構52來可轉動及上下作 動於液吐出噴嘴臂容納部3與外處理室2内的晶圓W中 -18- (16)1343599 心部的上方位置之間，且在其前端設有吐出作爲洗淨液的 藥液及作爲洗滌液的純水之液吐出噴嘴51。 另一方面，被容納於2流體噴霧噴嘴臂容納部4的2 流體噴霧噴嘴臂32是藉由設置於其基端部的驅動機構54 來可轉動及上下作動於2流體噴霧噴嘴臂容納部4與外處 理室2内的晶圓W中心部的上方位置之間，且在其前端 設有用以使N2氣體及藉由N2氣體而被噴霧化的純水噴出 之2流體噴-噴嘴5 3。 圖3是表示洗淨處理裝置100的流體供給系的槪略圖 。如圖3所示，在背面洗淨用噴嘴50連接有流體供給線 路61。在流體供給線路61分別經由閥64及65來連接藥 液供給線路6 2及純水供給線路6 3，可對晶圓W的背面供 給作爲洗淨液的藥液及作爲洗滌液的純水。並且，在流體 供給線路61的途中經由閥67來連接供給N2氣體的N2氣 體供給線路66。在N2氣體供給線路66從上游側依序設有 調節器68、流量計69、過濾器70，且在過濾器70的下游 側連接有用以將^^2氣體壓開放至外部的開放線路71。在 開放線路7 1設有開閉閥7 1 a。 另一方面，在設置於晶圓的表面側的液吐出噴嘴51 連接有液供給線路72。液供給線路72是分別經由閥75及 76來連接藥液供給線路73及純水供給線路74，可對晶圓 W的表面供給作爲洗淨液的藥液及作爲洗滌液的純水。並 且，在2流體噴霧噴嘴53連接有Ν2氣體線路77及純水 線路78 ’以Ν2氣體來使純水噴霧化，從2流體噴霧噴嘴 S ) -19 - (17) (17)1343599 53噴霧化的純水會與N2氣體一起噴出。 洗淨處理裝置1〇〇的各構成部是形成連接至具備CPU 的製程控制器90而被控制的構成。在製程控制器90連接 有使用者介面91及記憶部92，該使用者介面91是由工程 管理者爲了管理洗淨處理裝置的各構成部而進行指令 的輸入操作等的鍵盤、及使洗淨處理裝置1〇〇的各構成部 的作動狀況可視化而顯示的顯示器等所構成，該記憶部92 是記億有用以藉由製程控制器90的控制來實現洗淨處理 裝置100所執行的各種處理的控制程式或處理條件資料等 之方法。 因應所需，接受來自使用者介面91的指示等，從記 憶部92來叫出任意的方法，而執行於製程控制器90，在 製程控制器90的控制下，於洗淨處理裝置100中進行所 望的各種處理。上述方法例如可爲儲存於CD-ROM、硬碟 、軟碟、非揮發性記憶體等可讀出的記憶媒體者，或可從 適當的裝置經由專用線路來隨時傳送，上線利用" 其次，說明有關使用以上那樣構成的洗淨處理裝置之 洗淨處理的第1例。首先，開啓設置於外殻1的第1遮擋 板15及設置於外處理室2的第2遮擋板17，且將內罩u 保持於退避位置，使底板13待機於接近旋轉板41的位置 ，令液吐出噴嘴臂31及2流體噴霧噴嘴臂32成爲分別收 納於液吐出噴嘴臂容納部3及2流體噴霧噴嘴臂収，納部4 的狀態。 由此狀態來搬入晶圓W而同時洗淨晶圓W的表背s -20- (S ) (18)1343599

，但基於方便起見，首先說明有關晶圓W的背面洗 圖4是用以說明洗淨晶圓W的背面時的程序的流程 圖5A〜5E是用以說明其主要步驟的處理狀態的模式B 首先，藉由未圖示的搬送臂來交接晶圓W至設 旋轉夾頭12的支撐銷44 a (步驟1)。此情況，一旦 W被支撐於支撐銷44a，則會使搬送臂從外處理室2 ，關閉第1遮擋板15及第2遮擋板17，使內罩11上 處理位置。此刻，以底板1 3不會妨礙晶圓W的搬入 式，晶圓 W與底板1 3的間隙是形成4mm以上、 1 Omm以上。 其次，如圖5A所示，使底板13上昇至接近保持 轉夾頭12的晶圓W的背面的位置（步驟2)。此刻 圓W與底板13之間的間隙是被設定成0.5〜3mm、 0.8mm。由省藥液的觀點來看，最好此刻的間隙是極 並且，此刻爲了晶圓W的溫度控制，可藉由加熱器： 加熱，但由此刻的控制性的觀點來看，亦最好小。 其次，經由藥液供給線路62、流體供給線路6 1 面洗淨用噴嘴50來將作爲洗淨液的特定藥液供給至 W與底板1 3的間隙，如圖5 B所示，在晶圓W的背 形成由藥液所構成的液膜（步驟3 )。此刻，晶圓W 静止狀態，或爲了迅速擴散藥液，而以lOOrpm以下 速來旋轉。如此一來，可以數秒程度、例如3秒來形 藥液所構成的液膜1 〇 1。其次，進行利用藥液的液膜 之晶圓背面的洗淨（步驟4)。此刻，可使晶圓W静 淨。 圖， I ° 置於 晶圓 退出 昇至 之方 例如 於旋 的晶 例如 小0 3來 -a, 及同 晶圓 面側 可爲 的低 成由 101 止， •21 - S > (19)1343599 或基於藥液的攪拌等觀點，亦可使晶圓W以極低速旋 。該利用藥液的洗淨處理是按照洗淨的程度來設定成任 的時間。 利用藥液的洗淨處理終了後，經由純水供給線路63 流體供給線路6丨及背面洗淨用噴嘴50，在晶圓W背面 底板1 3之間供給作爲洗滌液的純水（步驟5 )。此步驟 是一邊以10〜lOOrpm、例如50rpm的低速來使晶圓W 轉，一邊進行。藉由此步驟，如圖5 C所示，晶圓W背 與底板13之間的液膜101的藥液的一部份或全部會形 以洗滌液的純水所置換的液膜l〇Ia。由於此步驟是爲了 洗滌液的純水來置換背面洗淨用噴嘴50内的藥液、以 底板13上的藥液而進行者，因此數秒程度、例如2秒 短時間即可。 另外，此步驟並非必須，當不進行此步驟時，藥液 液膜101會被原封不動維持。 接著，一邊以 10〜lOOrpm、例如 50rpm的低速來 晶圓W旋轉，一邊經由N2氣體線路66、流體供給線路 及背面洗淨用噴嘴5 0，在晶圓W與底板1 3之間供給 氣體1對該等之間的液膜（藥液的一部份或全部被純水 換的液膜l〇la，或未被純水置換時爲藥液液膜101)導 N2氣體，藉此來破壞液膜（步驟6)。此刻，如圖5D 示，充滿於晶圓W與底板1 3的間隙之液體的一部份會 該間隙溢出落下，形成液體中混入氣體1 02的狀態'此 驟可爲1〜5秒、例如3秒的短時間。 轉 ~vV- 與 中 旋 面 成 以 及 的 的 使 61 N2 置 入 所 從 步 -22- (S ) (20) (20)1343599 另外’此刻有時N2氣體線路66的氣體壓會變高，若 就那樣開啓閥6 7，則N 2氣體會急劇供給至晶圓w與底板 1 3之間的間隙，有時會發生推起晶圓W等不良的情況。 爲了解除如此的不良情況，最好是在上述步驟5中，預先 開啓開放線路7 1的開閉閥7 1 a，而開放N2氣體供給線路 66内的壓力》 其次，繼續供給N2氣體，將晶圓W的旋轉數保持於 低速，使底板13下降’如圖5E所示，將晶圓W與底板 1 3的間隙擴大成1 ‘ 5〜4mm、例如1 . 5 mm (步驟7 )。此 刻，在步驟6中，晶圓W與底板1 3之間的液膜會被N2氣 體所破壞，而形成N2氣體混入的狀態，且亦發生來自外 部的空氣浸入，因此晶圓W不會被吸附於底板13，防止 發生晶圓W的彎曲或破裂。 接著，保持繼續供給N2氣體，使晶圓W的旋轉數上 昇至3 00 rpm以上、例如1〇〇 〇r pm (步驟8 )。藉此，逐出 殘留於晶圓W與底板1 3之間的液滴。此刻，若晶圓W的 旋轉數過高，則晶圓W會被吸附於底板1 3，因此必須爲 不使如此情況發生的旋轉數。 另外，該等步驟6，7可爲數秒程度的短時間，例如 步驟6爲2秒，步驟7爲3秒。 然後’停止N2氣體’且晶圓W與底板13的間隙及晶 圓W的旋轉數維持不動，經由純水供給線路63、流體供 給線路61及背面洗淨用噴嘴5〇 ’在晶圓W與底板1 3之 間供給作爲洗滌液的純水（步驟9 )。此刻’純水是以能 -23- (21) (21)1343599 夠撞擊於晶圓W的背面而擴散之方式來供給，因此在晶 圓W與底板之間不會有純水積存。 然後，停止供給純水，使底板13更下降，將晶圓W 與底板1 3的間隙設爲4mm以上、例如1 〇mm，且將晶圓 W的旋轉數設爲300rpm以上、例如〗OOOrpm，而進行瀝 乾（步驟10)。此刻，爲了促進乾燥，亦可供給n2氣體 〇 然後，將晶圓W與底板13的間隙設爲4mm以上、例 如維持l〇mm的狀態下，將未圖示的搬送臂插入晶圓W的 下方，把晶圓W交接至搬送臂（步驟11)。 藉此，完成背面洗淨處理’將以上那樣的背面洗淨處 理的程序的典型例彙整於表1。 -24- (22) 表1 步驟 1 2 3 4 5 6 與搬送臂 的交接 Gap規定 藥液液膜形成 藥液處理 純水洗滌 背面液 膜破壞 Wafer 旋轉數 Orpm Orpm 1 OOrpm 〜Orpm Orpm 50rpm 5 Orpm 處理時間 _ • 3秒程度 任意 2秒 3秒 背面藥液 噴嘴 - - 藥液吐出 藥液(停止) 純水 n2 底板位置 Gap 10mm Gap 0.8mm Gap 0.8mm Gap 0.8mm Gap 0.8mm Gap 0.8mm 步驟 7 8 9 10 11 Gap擴大 Wafer旋轉數UP 純水洗滌 旋轉乾燥 與搬送臂 的交接 Wafer 旋轉數 50rpm 50=>1000rpm lOOOrpm lOOOrpm Orpm 處理時間 2秒 3秒 20秒 30秒 - 背面藥液噴嘴 n2 n2 純水 • _ 底板位置 Gap 1.5mm Gap 1.5mm Gap 1.5mm Gap 10mm Gap 10mm 1343599 在進行以上的晶圓W的背面洗淨的期間，同時進行 晶圓W的表面洗淨。圖6是使晶圓W的表面洗淨處理對 應於圖4的背面洗淨處理而顯示的流程圖。如該圖所示， 首先，使液吐出噴嘴臂31進入外處理室2内，且使液吐 出噴嘴5 1位於晶圓W的表面中心上（步驟21 )。 其次，在步驟2之往晶圓W的背面的藥液液膜形成 、及步驟3之利用藥液的背面洗淨處理的洗淨時，經由藥 液供給線路73、液供給線路72及液吐出噴嘴5 1來對晶圓 W的表面供給藥液而進行洗淨處理（步驟22)。此時， -25- (23) (23)1343599 可對晶圓W的表面供給特定量的藥液而形成液膜來進行 洗淨處理，或者在背面洗淨時使晶圓W以低速旋轉，一 邊流動藥液，一邊進行洗淨。 利用藥液的洗淨處理後，在背面洗淨之步驟4〜7的 時間點，經由純水供給線路7 3、液供給線路72及液吐出 噴嘴5 1來對晶圓W的表面供給純水，而進行洗滌處理（ 步驟23 )。 在進行步驟23時，使2流體噴霧噴嘴臂32侵入外處 理室2内，令2流體噴霧噴嘴52待機於液吐出噴嘴51的 上方（步驟24) » 其次，在進行背面的液膜破壞及間隙擴大後之步驟8 的晶圓高速旋轉開始的時間點，使液吐出噴嘴5 1退避， 且使2流體噴霧噴嘴52下降，而進行晶圓W的表面的2 流體噴霧洗淨（步驟2 5 )。此2流體噴霧洗淨是由2流體 噴霧噴嘴5 2來對晶圓W的表面供給2流體噴霧、亦即噴 霧狀的純水及N2氣體，藉此可極有效地去除存在於表面 的粒子等。 然後，在背面洗淨之步驟1 0的瀝乾開始的時間點停 止2流體噴霧的供給，進行瀝乾（步驟26 )。 如以上那樣，使背面洗淨之藥液洗淨後的藥液液膜破 壞及間隙擴大時的晶圓以低速旋轉的處理時，由於是對晶 圓W表面供給純水來洗滌的同時防止乾燥，且配合之後 的高速旋轉的時間點以2流體噴霧來洗淨晶圓表面，因此 可一面配合背面洗淨的工程，一面以適當的條件來進行表

-26- < S (24) (24)1343599 面洗淨。 其次，說明有關使用上述洗淨處理裝置的洗淨處理的 第2例。首先，與第1例同樣開啓設置於外殼1的第1遮 擋板15及設置於外處理室2的第2遮擋板17，且將內罩 11保持於退避位置，使底板13待機於接近旋轉板41的位 置，將液吐由噴嘴臂31及2流體噴霧噴嘴臂32分別設爲 收納於液吐出噴嘴臂容納部3及2流體噴霧噴嘴臂収納部 4的狀態。 由此狀態來搬入晶圓W而同時洗淨晶圓W的表背面 ，但基於方便起見，首先說明有關晶圓 W的背面洗淨。 圖7是用以說明洗淨晶圓W的背面時的程序的流程圖， 圖8A〜8E是用以說明其主要步驟的處理狀態的模式圖。 首先，藉由未圖示的搬送臂來交接晶圓W至設置於 旋轉夾頭1 2的支撐銷44a (步驟3 1 )。此情況，一旦晶 圓W被支撐於支撐銷44a，則會使搬送臂從外處理室2退 出，關閉第1遮擋板15及第2遮擋板17，使內罩11上昇 至處理位置。此刻’以底板13不會妨礙晶圓W的搬入之 方式，晶圓W與底板1 3的間隙是形成4mm以上、例如 1 Omm以上。 其次，如圖8A所示’使底板13上昇至接近保持於旋 轉夾頭1 2的晶圓W的背面的位置（步驟3 2 )。此刻的晶 圓W與底板13之間的間隙是被設定成0.5〜3mm、例如 0.8mm。由省藥液的觀點來看，最好此刻的間隙是極小。 並且，此刻爲了晶圓W的溫度控制，可藉由加熱器33來 -27- (25)1343599 加熱*但由此刻的控制性的觀點來看，亦最好小。 其次，經由藥液供給線路62、流體供給線路6 1及 面洗淨用噴嘴5 0來將作爲洗淨液的特定藥液供給至晶 W與底板1 3的間隙，如圖8 B所示，在晶圓W的背面 形成由藥液所構成的液膜（步驟3 3 )。此刻，晶圓W 爲静止狀態，或爲了迅速擴散藥液，而以lOOrpm以下 低速來旋轉。如此一來，可以數秒程度、例如3秒來形 由藥液所構成的液膜1 〇 1。其次，進行利用藥液的液 1 0 1之晶圓背面的洗淨（步驟3 4 )。此刻，可使晶圓 静止，或基於藥液的攪拌等觀點，亦可使晶圓W以極 速旋轉。該利用藥液的洗淨處理是按照洗淨的程度來設 成任意的時間。 在利用藥液的洗淨處理終了後，使底板1 3下降， 面擴大晶圓W與底板13的間隙，一面以能夠隨之，亦 與間隙的體積増加量同等或以上的方式，經由純水供給 路63、流體供給線路61及背面洗淨用噴嘴50來對晶 W與底板1 3的間隙供給作爲洗滌液的純水，破壞液膜 步驟3 5 )。此情況，晶圓W與底板13的間隙爲3mm 上、例如擴大成4mm時液膜會被破壞》在此步驟中， —邊使晶圓W以10〜l〇〇rpm、例如50rpm的低速旋轉 一面進行》 在此步驟中，如圖8C所示，即使擴大晶圓W與底 1 3的間隙，還是會隨之對該間隙供給純水，間隙内爲藥 純水混合液膜1 0 1 a所充滿的狀態，因此該間隙不會形 背 圓 側 可 的 成 膜 W 低 定 即 線 圓 ( 以 是 板 液 成 -28- (26) (26)1343599 真空’晶圓W不會被吸附於底板13，可防止發生晶圓W 的彎曲或破裂。然後，一旦間隙形成上述的間隔，則如圖 8D所示，隨之空氣會從外周側進入間隙内，形成液體中 混入氣體102的狀態，液膜會被破壞。一旦液膜被破壞， 則在此間隙無法再度形成液膜，因此可移至下個步驟的高 速旋轉。此步驟3 5的時間爲5〜1 5秒程度，例如進行1 0 秒。 接著，一面使晶圓W的旋轉數上昇至300rpm以上、 例如100Orpm，一面更擴大晶圓W與底板13的間隙4mm 以上、例如1 0 mm，如圖8 E所示，從晶圓W與底板1 3的 間隙來去除液膜（步驟36)。步驟36可爲數秒程度的短 時間、例如3秒。 然後，使晶圓W與底板1 3的間隙及晶圓W的旋轉數 維持300rpm以上、例如lOOOrpm，在晶圓W與底板13之 間供給作爲洗滌液的純水，進行晶圓背面的洗滌處理（步 驟3 7 )。此刻，純水是以能夠撞擊於晶圓w的背面而擴 散之方式來供給，因此在晶圓 W與底板之間不會有純水 積存。 然後，停止供給純水，保持晶圓W與底板13的間隙 ，將晶圓W的旋轉數設爲3 00rpm以上、例如lOOOrpm， 而進行瀝乾（步驟38 )。此刻，爲了促進乾燥，亦可供給 N2氣體。 然後’將晶圓W與底板13的間隙設爲4mm以上、例 如維持1 〇mm的狀態下，將未圖示的搬送臂插入晶圓w的 -29- (27) (27)1343599

下方，把晶圓W交接至搬送臂（步驟39)。 藉此，完成背面洗淨處理，將以上那樣的背面洗淨處 理的程序的典型例彙整於表2。 -30- 1343599 28

τ^ σ\ 與搬送臂 的交接 ε & 1 1 10mm 〇〇 旋轉乾燥 Β & 〇 30秒 1 10mm 卜 洗滌處理 B & 〇 〇 任意 純水 10mm 晶圓旋轉數上昇 ε & 〇 r· η 介 <Ti 純水 4mm=>10mm 低速純水洗滌 (間隙擴大） ε •Λ) 10秒 純水 0.8xmn^4mm 寸 藥液處理 Β & 〇 任意 停止 0.8mm m 藥液液膜形成 Β & 〇 έ 〇 3秒程度 藥液吐出 0.8mm CN Gap規定 ε & ο 咖 1 0.8mm 與搬送臂 的交接 Β & 1 1 10mm 步驟 Wafer旋轉數 處理時間 背面藥液噴嘴 間隙 -31 - (29) (29)1343599 在進行以上的晶圓W的背面洗淨的期間，同時進行 晶圓W的表面洗淨。圖9是使晶圓w的表面洗淨處理對 應於圖7的背面洗淨處理而顯示的流程圖。如該圖所示’ 首先’使液吐出噴嘴臂31進入外處理室2内’且使液吐 出噴嘴5 1位於晶圓W的表面中心上（步驟41 )。 其次，在步驟32之往晶圓W的背面的藥液液膜形成 、及步驟3 3之利用藥液的背面洗淨處理的洗淨時，經由 藥液供給線路73、液供給線路72及液吐出噴嘴5 1來對晶 圓W的表面供給藥液而進行洗淨處理（步驟42)。此時 ，可對晶圓 W的表面供給特定量的藥液而形成液膜來進 行洗淨處理，或者在背面洗淨時使晶圓W以低速旋轉， 一邊流動藥液，一邊進彳T洗淨。 利用藥液的洗淨處理後，在背面洗淨之步驟3 4〜3 5 的時間點，經由純水供給線路7 3、液供給線路7 2及液吐 出噴嘴51來對晶圓w的表面供給純水’而進行洗滌處理 (步驟43 )。 在進行步驟43時，使2流體噴霧噴嘴臂32侵入外處 理室2内，令2流體噴霧噴嘴52待機於液吐出噴嘴51的 上方（步驟44 ) ° 其次，在步驟36的晶圓局速旋轉開始的時間點，使 液吐出噴嘴51退避，且使2流體噴霧噴嘴52下降，而進 行晶圓W的表面的2流體噴霧洗淨（步驟45)。此2流 體噴霧洗淨是由2流體噴霧噴嘴52來對晶圓W的表面供 給2流體噴霧、亦即噴霧狀的純水及N 2氣體’藉此可極 -32- (30) (30)1343599 有效地去除存在於表面的粒子等。 然後，在背面洗淨之步驟3 8的瀝乾開始的時間點停 止2流體噴霧的供給，進行瀝乾（步驟46)。 如以上那樣，使背面洗淨之藥液洗淨後的間隙擴大時 的晶圓以低速旋轉的處理時，由於是對晶圓W表面供給 純水來洗滌的同時防止乾燥，且配合之後的高速旋轉的時 間點以2流體噴霧來洗淨晶圓表面，因此可一面配合背面 洗淨的工程，一面以適當的條件來進行表面洗淨。 就上述實施形態而言，雖是在晶圓W的背面設置底 板1 3，使能夠在晶圓W的背面與底板1 3之間形成液膜， 但如圖10所示，亦可在晶圓W的上方設置頂板103，而 使能夠在晶圓W的表面與頂板1 03之間形成藥液的液膜 〇 參照圖10來更詳細說明，頂板103是被連接於從外 處理室2的上方延伸至外處理室2内的樞軸104的下端。 樞軸104的上端是可自由旋轉地支撐於水平板105，水平 板105可藉由固定於外處理室2上之由汽缸等所構成的昇 降機構106來昇降，頂板103可利用昇降機構106經由水 平板105及樞軸104來昇降。並且，在樞軸104捲繞有傳 送帶107，此傳送帶107可藉由馬達108來驅動，藉由利 用馬達108來驅動傳送帶107，可經由樞軸104來使頂板 103旋轉。雖頂板103並非一定要旋轉，但對於在背面洗 淨時晶圓W必須静止，在表面洗淨中晶圓W與頂板之間 的相對移動必要時有效。 -33- (31) (31)1343599 在水平板105、樞軸104及頂板103中，以能夠貫通 該等的内部之方式設有表面洗淨用噴嘴110。在表面洗淨 用噴嘴110連接有流體供給線路111。在流體供給線路 1 1 1分別經由閥1 1 4及11 5來連接藥液供給線路1 1 2及純 水供給線路1 1 3，可對晶圓W的表面供給作爲洗淨液的藥 液及作爲洗滌液的純水。並且，在流體供給線路1 1 1的途 中連接經由閥117來供給N2氣體的N2氣體供給線路116 。N2氣體供給線路1 1 6是與N2氣體供給線路66完全相同 構成，因此省略其詳細説明。 藉由如此的構成，在使頂板103接近晶圓W表面的 狀態下，在晶圓W的表面與頂板103之間供給藥液，形 成藥液的液膜，而使能夠進行洗淨處理，可使用和晶圓W 的背面洗淨同樣的程序，進行藥液液膜形成—利用藥液的 洗淨處理―藥液的液膜破壞—頂板離開—洗滌處理—乾燥 處理之一連串的處理。但，由於晶圓表面會被要求高清淨 度，因此在洗滌處理後，最好是進行上述那樣的2流體噴 霧洗淨。此情況是在洗滌處理後，使頂板退避至上方，且 使2流體噴霧噴嘴臂32進入外處理室2内，而由2流體 噴霧噴嘴52來供給噴霧化的純水及N2氣體即可。 藉由以上那樣的處理，即使在晶圓 W的背面處理利 用板來形成液膜而進行洗淨處理時，照樣可在利用藥液的 洗淨處理終了後，使板自晶圓W離開時能夠迴避晶圓吸 附至板，可防止晶圓W的彎曲或破壞。 另外，本發明並非限於上述實施形態，可實施各種的 -34- (32) (32)1343599 變形。例如，就上述實施形態而言，雖是顯示將本發明的 方法使用於被處理基板（晶圓）的背面、或背面及表面的 洗淨，但亦可只將本發明的方法適用於表面的洗淨。 又，上述實施形態之洗淨處理的第1例，雖是使用 n2氣體作爲破壞液膜的氣體，但並非限於此，只要不對液 處理造成影響，亦可使用Ar氣體等其他的惰性氣體或其 他各種的氣體》 又，上述實施形態之洗淨處理的第2例，雖是使用洗 滌液的純水來作爲用以破壞液膜的液體，但只要不對基板 的處理造成不良影響，亦可爲其他的液體。 又，上述實施形態中雖是顯示有關被處理基板爲使用 半導體晶圓時，但當然亦可適用於以液晶顯示裝置（LCD )用的玻璃基板爲代表的平面直角面板顯示器（FPD)用 的基板等其他的基板。 又，上述實施形態中雖是顯示有關將本發明適用於洗 淨處理時，但並非限於此，亦可適用於其他的液處理。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明之一實施形態的方法實施所使用的 洗淨處理裝置之一例的槪略平面圖。 圖2是圖1的洗淨處理裝置的槪略剖面圖。 圖3是表示圖1的洗淨處理裝置的液體及氣體的供給 系。 圖4是用以說明圖1的洗淨處理裝置之晶圓的背面洗 -35- (33) (33)1343599 淨處理的程序之一例的流程圖》 圖5A〜5E是依各工程來說明實施圖4的程序時之裝 置内的狀態模式圖》 圖6是表示使圖1的洗淨處理裝置之晶圓的表面洗淨 處理的程序例對應於圖4的背面洗淨處理的流程圖。 圖7是用以說明圖1的洗淨處理裝置之晶圓的背面洗 淨處理的程序的其他例的流程圖。 .圖8A〜8E是依各工程來說明實施圖7的程序時之裝 置内的狀態模式圖。 圖9是表示使圖1的洗淨處理裝置之晶圓的表面洗淨 處理的程序例對應於圖7的背面洗淨處理的流程圖。 圖10是表示本發明的實施所使用的洗淨處理裝置的 其他例的槪略構成剖面圖。 【主要元件之符號說明】 1 :外殼 2 :外處理室 3:液吐出噴嘴臂容納部 4 : 2流體噴霧噴嘴臂容納部 1 1 :內罩 1 1 a .傾斜部 12 :旋轉夾頭 1 3 :底板 14 :窗部 -36- (34) (34)1343599 15 :第1遮擋板 16 :窗部 17 :第2遮擋板 1 8 :氣體供給口 1 9 :排溝部 20 :排溝部 21 :窗部 22 :第3遮擋板 23 :窗部 24 :第4遮擋板 3 1 :液吐出噴嘴臂 32: 2流體噴霧噴嘴臂 3 3 :加熱器 41 :旋轉板 42 :旋轉筒體 4 4 a :支撐銷 44b :保持銷 45 :傳送帶 46 :馬達 47 :軸（支撐柱） 4 8 ·水平板 49 :昇降機構 5 0 :背面洗淨用噴嘴 5 1 :液吐出噴嘴 -37 (35) (35)1343599 52 :驅動機構 5 3 : 2流體噴霧噴嘴 54 :驅動機構 6 1 :流體供給線路 62 :藥液供給線路 63 :純水供給線路 6 4 :閥 6 5 :閥 66 : N2氣體供給線路 6 7 :閥 68 :調節器 6 9 :流量計 7 0 :過濾器 7 1 :開放線路 7 1 a :開閉閥 72 :液供給線路 73 :藥液供給線路 7 4 :純水供給線路 75 :閥 7 6 :閥 77 : N2氣體線路 7 8 :純水線路 90 :製程控制器 91 :使用者介面 -38- 1343599 P6) 92 :記憶部 100 :洗淨處理裝置 1 〇 1 :藥液液膜 1 ο 1 a :液膜 102 :氣體 103 :頂板 104 :樞軸 105 :水平板 106 :昇降機構 107 :傳送帶 1 〇 8 :馬達 1 1 〇 :表面洗淨用噴嘴 1 1 1 :流體供給線路 1 1 2 :藥液供給線路 1 1 3 :純水供給線路 1 14 :閥 1 1 5 :閥 1 16 : N2氣體供給線路 1 1 7 :閥 W :晶圓 -39

Claims (1)

1343599 Y十、申請專利範圍丨巧年"月，日修(更)正本 第095 1 433 94號專利申請案 ' 中文申請專利範圍修正本 民國99年10月5日修正 1 —種液處理方法，其特徵係具有： 以能夠接近至被保持於水平的被處理基板的至少一方 的面而呈對面的方式配置板，且對上述板與上述被處理基 φ 板之間的間隙供給藥液，而形成在上下方向充滿上述間隙 的藥液膜之步驟； 在形成上述藥液膜的狀態下處理上述被處理基板之步 驟；及 其次’對上述間隙供給洗滌液，將上述藥液膜的一部 分或全部置換成洗滌液，而形成在上下方向充滿上述間隙 的洗滌液膜之步驟： 其次’對於上下方向充滿上述間隙的上述洗滌液膜供 φ 給氣體，而破壞上述洗滌液膜之步驟； 其次，使上述間隙擴大於上下方向之步驟； 其次’ 一邊使上述被處理基板旋轉，一邊對上述被處 理基板的上述至少一方的面供給上述洗滌液而進行洗滌處 理之步驟；及 其次’ 一邊使上述被處理基板旋轉，一邊進行瀝乾之 步驟。 2.如申請專利範圍第1項之液處理方法，其中，上 述藥液係經由設置於上述板的中心部的噴嘴來供給至上述 1343599 間隙。 3. 如申請專利範圍第1項之液處理方法，其中，更 具有：在破壞上述洗滌液膜之前，開放對上述洗滌液膜供 給氣體的氣體線路的壓力之步驟。

4. 如申請專利範圍第1項之液處理方法，其中，擴 大上述間隙的步驟係一邊使上述被處理基板相對性地以低 速的第1旋轉數旋轉一邊進行，上述方法係之後更具有： 使上述被處理基板的旋轉數上昇至比上述第1旋轉數更高 速的第2旋轉數之步驟。 5. 如申請專利範圍第4項之液處理方法，其中，上 述第1旋轉數爲10〜lOOrpm，上述第2旋轉數爲1〇〇〜 1 0 0 0 r p m。 6· —種液處理方法，其特徵係具有：

以能夠接近至被保持於水平的被處理基板的至少一方 的面而呈對面的方式配置板，且對上述板與上述被處理基 板之間的間隙供給藥液，而形成在上下方向充滿上述間隙 的藥液膜之步驟； 在形成上述藥液膜的狀態下處理上述被處理基板之步 驟；及 其次’對上述間隙供給洗滌液，將上述藥液膜的一部 分或全部置換成洗滌液，而形成在上下方向充滿上述間隙 的洗滌液膜之步驟； 其次’對於上下方向充滿上述間隙的上述洗滌液膜供 給氣體，而破壞上述洗滌液膜之步驟； -2- 1343599 其次’使上述間隙擴大於上下方向之步驟； 其次’甩掉使上述被處理基板旋轉而被破壞的上述洗 滌液膜之步驟； 其次’ 一邊使上述被處理基板旋轉，一邊對上述被處 理基板的上述至少一方的面供給上述洗滌液而進行洗滌處 理之步驟：及 其次’ 一邊使上述被處理基板旋轉，一邊進行瀝乾之 步驟。 7 · —種液處理方法，其特徵係具有： 以能夠接近至被保持於水平的被處理基板的至少一方 的面而呈對面的方式配置板，且對上述板與上述被處理基 板之間的間隙供給藥液，而形成在上下方向充滿上述間隙 的藥液膜之步驟； 在形成上述藥液膜的狀態下對上述被處理基板進行背 面側處理之步驟； 其次，對上述間隙供給洗滌液，將上述藥液膜的一部 分或全部置換成洗滌液，而形成在上下方向充滿上述間隙 的洗滌液膜之步驟： 其次，對於上下方向充滿上述間隙的上述洗滌液膜供 給氣體，而破壞上述洗滌液膜之步驟： 其次，一邊使上述被處理基板相對性地以低速的第1 旋轉數旋轉，一邊使上述間隙擴大於上下方向之步驟； 其次，從上述被處理基板的背面來甩掉使上述被處理 基板的旋轉數上昇至比上述第1旋轉數更高速的第2旋轉 -3- 1343599 數而被破壊的上述洗滌液膜之步驟； 其次，一邊使上述被處理基板旋轉，一邊對上述被處 理基板的背面供給上述洗滌液而進行洗滌處理之步驟；及 在使進行上述被處理基板的背面的背面側處理的期間 ，對上述被處理基板的表面供給上述藥液而進行表面側處 理之步驟； 上述表面側處理後，對上述被處理基板的表面供給表 面側洗滌液而洗滌之步驟；及 在由上述第1旋轉數上昇至上述第2旋轉數的時間點 ，將供給至上述被處理基板的表面的上述表面側洗滌液切 換成被噴霧化的純水及氣體的2流體噴霧之步驟。 8. 如申請專利範園第7項之液處理方法，其中，上 述第1旋轉數爲10〜lOOrpm，上述第2旋轉數爲100〜 1 0 0 0 r p m。 9. 如申請專利範圍第7項之液處理方法，其中，更 具有：供給第2流體噴霧後，使被處理基板以高速旋轉而 瀝乾之步驟。 10. —種液處理裝置，其特徵係具備： 基板保持部，其係將被處理基板保持於水平； 至少1片的板，其係設置成可對被處理基板的至少一 方的面接離； 藥液供給手段，其係用以在上述板與上述被處理基板 之間供給處理液： 洗滌液供給手段，其係用以在上述板與上述被處理基 [S 1 -4 - 1343599 板之間供給洗滁液： 氣體供給機構，其係用以對上述板與上述被處理基板 之間供給氣體；及 控制機構，其係以能夠取第1間隔來接近至被處理基 板的至少一方的面而呈對面的方式配置板，且藉由上述藥 液供給手段來對上述板與上述被處理基板之間的間隙供給 藥液，而於形成上下方向充滿上述間隙的藥液膜之狀態下 將上述被處理基板予以進行藥液處理， 停止上述藥液的供給後，藉由上述洗滌液供給手段來 對具有上述第1間隔的上述間隙供給洗滌液，而將上述藥 液膜的一部分或全部置換成洗滌液，使形成在上下方向充 滿上述間隙的洗滌液膜， 其次，藉由上述氣體供給機構來對在上下方向充滿具 有上述第1間隔的上述間隙的上述洗滌液膜供給氣體，而 使上述洗滌液膜破壞， 其次，一邊對上述間隙供給上述氣體，一邊使上述間 隙在上下方向擴大成比上述第1間隔更廣的第2間隔， 其次，一邊使上述被處理基板旋轉，一邊藉由上述洗 滌液供給手段來對上述被處理基板的上述至少一方的面供 給上述洗滌液，而進行洗滌處理， 其次，一邊使上述被處理基板旋轉，一邊進行瀝乾。 11. 一種記億媒體，係記憶有在電腦上動作的控制程 式之電腦可讀取的記億媒體，其特徵爲： 上述控制程式係實行時，以液處理方法能夠進行的方 -5- »43599 式，使液處理裝置控制於電腦’上述液處理方法係具有： 以能夠接近至被保持於水平的被處理基板的至少一方 的面而呈對面的方式配置板，且對上述板與上述被處理基 板之間的間隙供給藥液，而形成在上下方向充滿上述間隙 的藥液膜之步驟； 在形成上述藥液膜的狀態下處理上述被處理基扳之步 驟：及

其次，對上述間隙供給洗滌液，將上述藥液膜的一部 分或全部置換成洗滌液，而形成在上下方向充滿上述間隙 的二次液膜之步驟； 其次，對於上下方向充満上述間隙的上述二次液膜供 給氣體，而破壞上述二次液膜之步驟； 其次，使上述間隙擴大於上下方向之步驟；

其次’ 一邊使上述被處理基板旋轉，一邊對上述被處 理基板的上述至少一方的面供給上述洗滌液，而進行洗滌 處理之步驟：及 其次’一邊使上述被處理基板旋轉，一邊進行瀝乾之 步驟。