TWI343579B - Charge trap type non-volatile memory device and programe method thereof - Google Patents

Description

1343579 九、發明說明： 本發明主張2007年3月14日申請之韓國專利申請案 第2007-25097號，在此倂入全文供參照。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電荷陷捕型非揮發性記憶體元件及 其編程方法。 【先前技術】 依照包含記憶格（memory cell)之單位格的儲存格的類 型，用以儲存資料之非揮發性記憶體元件可分爲浮動閘型 非揮發性記憶體元件及電荷陷捕型非揮發性記憶體元件。 該浮動閘型非揮發性記憶體元件適用以儲存浮動閘中的電 荷，反之，該電荷閘型非揮發性記億體元件適用以堆積電 荷於現存的如氮化矽層之介電層中的陷捕上。當記憶格尺 寸減小時，該浮動閘型非揮發性記憶體元件需要高壓來編 程及抹除操作。相對地，該電荷陷捕型非揮發性記憶體元 件符合低電力與低電壓之需求，且可實現高整合度。 在電荷陷捕型非揮發性記憶體元件中，由於陷捕能量 的分佈特性，一些能階之電荷在特定記憶格上被陷捕。特 別地，陷捕電荷之能量分佈的淺陷捕電荷即使在如讀取電 壓之低電場上也容易消失，因而降低讀取持久性。 【發明內容】 因此，‘本發明針對上述問題，揭示一種電荷陷捕型非 揮發性記憶體元件之編程方法，其中施加電壓以移除施加 編程脈衝時之淺陷捕電荷。此外，本發明揭示一種施加去 1343579 陷捕脈衝之電荷陷捕型非揮發性記憶體元件。 本發明的一個觀點，爲編程電荷陷捕型非揮發性記憶 體元件之方法’其包含施加編程脈衝至選擇的記憶格；施 加去陷捕脈衝以從已施加編程脈衝之記憶格移除淺陷捕電 荷：及施加編程確認脈衝至記憶格。 本發明之另一個觀點，爲一種電荷陷捕型非揮發性記 憶體元件’包含具有電荷陷捕記憶格之記憶格陣列；及供 應去陷捕脈衝（detrap pulse)至電荷陷捕記憶格之高壓產生 器。 【實施方式】 依照本發明之特定實施例將參照附隨圖式詳細說明如 下。 第1圖爲說明一般電荷陷捕型非揮發性記憶體元件之 讀取操作期間記憶格之臨界電壓的分佈曲線圖。 介電層上淺陷捕之電荷，係於讀取操作期間，藉由施 加低準位讀取電壓而被去陷捕（亦即，釋放）。第1圖說明 編程確認上特定記憶格之臨界電壓的分佈（1)。此臨界電壓 由於讀取持久性的劣化而漸漸下降（2，3與4)。 爲了處理此問題，於施加確認電壓前但編程脈衝操作 之後，施加去陷捕脈衝以移除淺陷捕電荷。 第2圖爲應用本發明之電荷陷捕型非揮發性記憶體元 件之功能方塊圖。 電荷陷捕型非揮發性記憶體元件20 0包含：記憶格陣 列2 0 2，其具有依照電荷陷捕方法來儲存資料之記憶格； 1343579 頁面緩衝器208;Χ/Υ解碼器204與206;高壓產生器210: 指令界面邏輯單元212;指令暫存器214;位址暫存器/計 數器2 1 6 ;及10緩衝器單元220。非揮發性記憶體元件之 操作係說明如下。 在指令界面邏輯單元212方面，若晶片致能信號/CE 被失能（disabled)且寫入致能信號/WE被觸發時，該指令界 面邏輯單元212會對其響應而透過10緩衝器單元220及指 令暫存器214來接收命令信號。該指令界面邏輯單元212 係響應該命令信號來產生編程命令、抹除命令或讀取命 令。該命令信號包含用以決定非揮發性記憶體元件之操作 模式的頁面編程設定碼。同時，使從指令界面邏輯單元212 輸出之預備/忙錄反相信號/R/B失能達一預定時間週期。外 部記憶體控制器（未圖示）接收該預備/忙錄反相信號/R/B， 並識別此非揮發性記憶體元件是否在如編程/抹除/讀取之 操作狀態中。換言之，當使預備反相與忙錄反相信號/R與 /B失能時，於記憶格陣列之頁面之一上執行編程/抹除/讀 取操作。 此外，該位址暫存器/計數器216從該10緩衝器單元 220接收該位址信號，並產生列位址信號與行位址信號。 該位址信號對應於記憶格之一所包含的頁面之一。 該高壓產生器210響應編程命令、抹除命令或讀取命 令而產生偏壓，並供應偏壓至頁面緩衝器208、X解碼器 204等等。該X解碼器204以該偏壓來供應記憶格陣列之 方塊之一的記憶格陣列2 0 2，以響應列位址信號，其中該 1343579 偏壓係接收自該高壓產生器210。 該Y解碼器206透過頁面緩衝器208供應資料信號至 由記憶格陣列之方塊所分配之位元線（未圖示），以響應行 位址信號。該頁面緩衝器208閂鎖透過10緩衝器單元22〇 與Y解碼器2〇6接收之資料信號，並輸出此資料信號至由 記憶格陣列之方塊所分配之位元線（未圖示）。 在本發明之電荷陷捕型非揮發性記憶體元件中，編程 脈衝與編程確認脈衝透過高壓產生器210、X解碼器2〇4 等而被施加，及施加各種形式之去陷捕脈衝。該各種形式 之去陷捕脈衝依照本發明之實施例將說明如下。 第3圖爲說明依照本發明之實施例電荷陷捕型非揮發 性記憶體元件之編程操作期間施加電壓信號之圖式。 依照增量步階脈衝編程（IS PP)法施加編程脈衝至特定 記憶格’且同時施加去陷捕脈衝於編程脈衝與編程確認脈 衝之間。換言之，依照特定的編程脈衝來編程特定的記憶 格’但在編程操作期間，可能存在淺陷捕電荷。因此，在 移除淺陷捕電荷之後，基於此移除狀態來執行編程確認操 作。 移除如上述之淺陷捕電荷所施加之脈衝電壓被稱爲去 @ Μ脈衝。此去陷捕脈衝之電壓準位可高於施加至編程確 認上之選擇字元線的確認電壓之電壓準位。或者.，取決於 介電材料之特性，，此去陷捕脈衝可具有關於確認電壓大小 的相反方向。 雖然參照圖式將於隨後說明，可以取決於脈衝之電壓 1343579 準位與脈衝寬度之控制等各種形式來修改該去陷捕脈衝。 第3圖中所示之實施例係顯示具有大體上相同於編程 確認脈衝之電壓準位的去陷捕脈衝。此去陷捕脈衝可具有 一電壓準位，其低於編程脈衝之電壓準位，但大體上相同 於編程確認脈衝之電壓準位。在此情況下，去陷捕脈衝之 脈衝寬度大體上相同於編程確認脈衝之脈衝寬度。 第4圖爲說明依照本發明之另一實施例的電荷陷捕型 非揮發性記憶體元件之編程操作期間施加電壓信號之圖 式。 如第4圖中所不，去陷捕脈衝具有一電壓準位，其高 於編程確認脈衝之電壓準位。 該去陷捕脈衝可具有一電壓準位，其係低於編程脈衝 之電壓準位，但高於編程確認脈衝之電壓準位。在此情況 下，去陷捕脈衝之脈衝寬度大體上相同於編程確認脈衝之 脈衝寬度。 如上所述，去陷捕淺陷捕電荷所耗費的時間量可藉由 控制去陷捕脈衝之電壓準位來縮短。 第5圖爲說明依照本發明之再一實施例電荷陷捕型非 揮發性記憶體元件之編程操作期間施加電壓信號之圖式。 如第5圖中所示，去陷捕脈衝具有一脈衝寬度，其係 寬於編程確認脈衝之脈衝寬度。在此情況下，該去陷捕脈 衝可具有一電壓準位，其係低於編程脈衝之電壓準位，但 大體上相同於編程確認脈衝之電壓準位。 1 1343579 此外’可施加額外包含第4圖之實施例之特性的去陷 捕脈衝。換言之，此去陷捕脈衝可具有一電壓準位，其係 低於編程脈衝之電壓準位，但高於編程確認脈衝之電壓準 位’且該去陷捕脈衝可具有一脈衝寬度，其係寬於編程確 認脈衝之脈衝寬度。 如上所述，可藉由控制去陷捕脈衝之脈衝寬度來縮短 去陷捕淺陷捕電荷所需之時間量。 依照本發明之另一實施例，該去陷捕脈衝可大體上具 有一電壓準位’其相同於編程操作期間施加至未選擇字元 線之通過電壓（Vpass)的電壓準位。 該去陷捕脈衝可具有一電壓準位，其係低於編程脈衝 之電壓準位，但大體上相同於通過電壓之電壓準位。 依照本發明之再另一實施例，該去陷捕脈衝可具有一 電壓準位，其係高於在編程操作期間施加至未選擇的字元 線之通過電壓。 該去陷捕脈衝可具有一電壓準位，其係低於編程脈衝 之電壓準位，但係高於通過電壓之電壓準位。 如上所述，可藉由控制去陷捕脈衝之電壓準位來縮短 針對淺陷捕電荷要去陷捕所需的時間量。 依照本發明之另一實施例，該去陷捕脈衝可具有寬於 通過電壓之脈衝寬度的脈衝寬度，該通過電壓係在編程操 作期間施加於未選擇之字元線。在此情況下，該去陷捕脈 衝可具有一電壓準位，其係低於編程脈衝之電壓準位，但 係大體上相同於通過電壓之電壓準位。 -10- 1343579 此外，該去陷捕脈衝可具有一電壓準位，其係低於編 程脈衝之電壓準位，但係烏於通過電壓之電壓準位；，且此^ 去陷捕脈衝也可具有比該通過電壓之脈衝寬度還寬之脈衝 寬度。 該去陷捕脈衝可具有一電壓準位，其係低於編程脈衝 之電壓準位，但係高於通過電壓之電壓準位。 如上所述，可藉由控制去陷捕脈衝之脈衝寬度來縮短 針對淺陷捕電荷要去陷捕所需的時間量。 鲁 依照本發明依據上述之電荷陷捕型非揮發性記憶體元 件，移除淺陷捕電荷之步驟係於編程確認操作前執行。因 此，可防止臨界電壓分佈中的變化，且可確保讀取持久性。 雖然前述說明已參照特定實施例詳細說明，但所屬& 術領域中具有通常知識者均可依照本發明而做改變與修改 是可被了解的，且均不脫離本發明與下述之申請專利範圍I 之精神與範圍。 【圖式簡單說明】 • 第1圖爲說明一般電荷陷捕型非揮發性記憶體元件之 讀取操作期間記憶格之臨界電壓的分佈曲線圖； 第2圖爲應用本發明之電荷陷捕型非揮發性記憶體元 件之功能方塊圖； 第3圖爲說明依照本發明之實施例電荷陷捕型非揮發 性記憶體元件之編程操作期間施加電壓信號之圖式； » 第4圖爲說明依照本發明之另一實施例電荷陷捕型非 揮發性記憶體元件之編程操作期間施加電壓信號之圖式； 1343579

第 5圖 爲 說 明 依照 揮發性 記憶 體 元 件 之編' 【主要 元件 符 號 說 明】 200 非 揮 發 性 記憶 202 記 憶 格 陣 列 204 X 解 碼 器 206 Y 解 碼 器 208 頁 面 緩 衝 器 2 10 高 壓 產 生 器 2 12 指 令 界 面 邏輯 2 14 指 令 暫 存 器 2 16 位 址 暫 存 器/計 220 10 I緩衝器單元 Φ：發明之再一實施例電荷陷捕型非 g操作期間施加電壓信號之圖式。 I元件 ，元 數器 220

Claims (1)

1343579 修正本丨 第096 1 2423 8號「電荷陷捕型非揮發性記憶體元件及其編 程方法」專利案 (2010年11月23日修正） 十、申請專利範圍： 1 · 一種電荷陷捕型非揮發性記憶體元件之編程方法，該方 法包含： 施加編程脈衝至選擇記憶格； 施加去陷捕脈衝至該選擇記憶格；及 施加編程確認脈衝至該選擇記憶格； 其中該去陷捕脈衝之電壓準位低於該編程脈衝之電 壓準位，且高於該編程確認脈衝之電壓準位。 2 ·如申請專利範圍第1項之編程方法，其中施加該去陷捕 脈衝’以從選擇記憶格中移除淺陷捕電荷。 3 .如申請專利範圍第1項之編程方法，其中連續重覆施加 該編程脈衝、該去陷捕脈衝及該編程確認脈衝，直到完 成編程操作。 4 ·如申請專利範圍第1項之編程方法，其中該去陷捕脈衝 之脈衝寬度寬於該編程確認脈衝之脈衝寬度。 5 .如申請專利範圍第1項之編程方法，其中該去陷捕脈衝 之脈衝寬度大體上相同於該編程確認脈衝之脈衝寬度。 6 ·如申請專利範圍第1項之編程方法，其中該去陷捕脈衝 之電壓準位低於該編程脈衝之電壓準位，且大體上相同 於通過電壓之電壓準位。 7 .如申請專利範圍第1項之編程方法，其中該去陷捕脈衝 1343579 之電壓準位低於該編程脈衝之電壓準位，且高於該通過 電壓之電壓準位。 8 ·如申請專利範圍第1項之編程方法，其中該去陷捕脈衝 之脈衝寬度係寬於該編程確認脈衝之脈衝寬度，及該去 陷捕脈衝之電壓準位低於該編程脈衝之電壓準位且大 體上相同於該通過電壓之電壓準位。

9.如申請專利範圍第1項之編程方法，其中該去陷捕脈衝 之脈衝寬度係寬於該編程確認脈衝之脈衝寬度，及該去 陷捕脈衝之電壓準位低於該編程脈衝之電壓準位且高 於該通過電壓之電壓準位。 10. —種電荷陷捕型非揮發性記憶體元件，包含： 記憶格陣列；及 高壓產生器，用以供應去陷捕脈衝至記憶格陣列中之 記憶格； 其中該去陷捕脈衝之電壓準位低於該編程脈衝之電 壓準位，且高於該編程確認脈衝之電壓準位。 11. 如申請專利範圍第1 〇項之電荷陷捕型非揮發性記憶 體元件，其中於編程脈衝之應用與編程確認脈衝之應用 間施加該去陷捕脈衝。 12. 如申請專利範圍第1 〇項之電荷陷捕型非揮發性記憶 體元件，其中該去陷捕脈衝之脈衝寬度係寬於該編程確 認脈衝之脈衝寬度。 13. 如申請專利範圍第1 0項之電荷陷捕型非揮發性記憶 體元件’其中該去陷捕脈衝之電壓準位低於該編程脈衝 -2- 1343579 之電壓準位，且大體上相同於或高於通過電壓之電壓準 位。 14. 如申請專利範圍第1 0項之電荷陷捕型非揮發性記憶 體元件，其中該去陷捕脈衝之脈衝寬度係寬於該編程確 認脈衝之脈衝寬度，及該去陷捕脈衝之電壓準位低於該 編程脈衝之電壓準位且大體上相同於或高於通過電壓 之電壓準位。

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