TWI338358B - Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents

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TWI338358B
TWI338358B TW093130835A TW93130835A TWI338358B TW I338358 B TWI338358 B TW I338358B TW 093130835 A TW093130835 A TW 093130835A TW 93130835 A TW93130835 A TW 93130835A TW I338358 B TWI338358 B TW I338358B
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sealing
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1338358 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於利用樹脂密封半導體晶片而製作的半導 體裝置所用的引線框架之製造方法及使用該方法之半導體 裝置之製造方法、以及該種引線框架及使用該引線框架之 半導體裝置。 【先前技術】 為了將半導體裝置高密度地安裝於配線基板上，過去 疋使用一種排除自模塑樹脂封裝體之引線的延伸，並且使 -引線框架的引線部（與半導體晶片電性連接的端子部分）露 .出在封裝體下面，而可在配線基板上進行表面安裝的高密 度安裝用封裝體。這種高密度安裝用封裝體已知有 =FN(Quad FIat N〇n Leaded:四邊扁平無接腳封裝 t s〇N(Smaii 〇utllned NGn_leaded paekage:無引線小外形 封裝）等的無引線封裝體。 該等形態的封裝體是使由模塑樹脂密封的引線部的下 有導體晶片—同露出在封裝體的下面的構成，所以會 容易從模塑樹脂脫落的問題。因此課求使引線部 落形狀或在引線部的側面形成段部來防止引線部脫 刻來進㈣面形狀的㈣部，過去—直是藉由爸 間，因二木的加工，但由於加工需要相當長的時 提案有如錢專利苐6⑽33號所揭示 精讀_具㈣線《之製造方法。 3]639〇 5 1338358 此美國專利的方法是藉 衝壓機對作為引線框架之素材：:屬二架的：面側，利用 屋加工而製作引線框架，並 穿孔力工次推 形成為了防止脫落的階梯形狀的前端及側面部 更具體而言，上述姜國直 部形成幅寬狀態，並且對於此+法是使引線部的中央 側利用㈣機施以漏加工，，此緣部，自其下面 段形狀。而且，為了在進為了防止脫落的兩 、趣、杏… 下面側的推壓加工時防止 料殘㈣產生’是在Μ部㈣ 形成中間細部。 ”暴。Ρ之間的側面 夢由=美國專利的方法中，在從下面進行推壓加工時， 的=!古了與外部電性連接的引線部下面形辑 的也狀（例如直線形狀）a 主 殘：防止在進行框架加工時所產生的金屬溢料 -财中央部與基部之間形成中間細部，於是藉由 穿孔加工在最初所形成的引線部的形狀複雜。因 σ工所用的模具（衝壓機）必須進行過複雜的加工。 個播:此’上述美國專利所記載的習知技術就需要有多數 構成精密且複雜的模具’由於模具的製作成本 :果會有引線框架之製造成本，甚或半導 ： 本變高的問題。 &成 β一另—方面，在如上述的半導體封裝中，又有一種為 提尚來自半導體晶片的散熱性’使引線框架的孤島部(可： 316390 6 1338358 載半導體晶片的晶片支持 封裝體（例如HQFN : Heai出在封裝體下面之構造的 p⑽age:高熱傳導型四邊— Non_leaded 此構造的封裝體是 ‘、、、接腳封裝）也已經實用化 與半導體晶片—同露出在封=樹脂密封的孤島部的下面 島部容易從模塑樹脂脫落的問面的構成’所以有孤 狀、或疋形成段部來防止孤島部脫落。 c形狀之孤島部的形成是例 ::開—。崎"一揭示，藉二來? 耗費ί二r11由__行的孤島部端面的加工相當 ' ，因此有無法廉價製造引線框架的問題。 島部-同從==報的習知技術中，為了使引線部及孤 置在同—平面露出，該等是在樹脂密封前就配 塑樹脂供二=_夹在上下模具間而將模 …杈八間的工腔内時，對於孤島部並沒有來自 杈具的壓接力作用’所以樹脂會繞進孤島部下面。因此 ::::::的露出就會變得不充分，而產生無法二’ 頂期之冷部效果的問題。 【發明内容】 本叙明之目的在於提供一種可廉價形成弓丨線部之 脫落構造的引線框架之製造方法及使用該 置之製造方法。 體裝 而且’本發明之其他目的在於提供一種可廉價形成引 316390 7 1338358 線部之防止脫落構造的構造的引線框架及使用該引線框架 之半導體裝置。 本發明之又其他目的在於提供一種能以低成本製造出 具2晶片支持部之防止脫落構造的引線框架之方法，以及 可藉由使用該t法而減少成本的半導體裝置之製造方法。 而且，本發明之又其他目的在於提供一種具有晶片支 持部之防止脫落構造，同時能以低成本製造的引線框架， 以及可藉由使用該引線框架而減少製造成本的半導體 置。 、 %明之又其他目的在於提供一種可使晶片支持部以 ::確實從密封樹脂露出的引線框架之製造方法仓 用该方法之半導體裝置之製造方法。 持部=面明之又其他目的在於提供-種可使晶“ 貫從密封樹脂露出的構造的引線框架，以》 便用该引線框架之半導體裝置。 本發明之第1樣態的引線框架 樹脂密封半導姊s 衣^方法疋一種利用 4封丰W日日片的+導體裝置所 疋具有在密封樹脂内與上述半導體 ^^ ’而且 至少安步而. 日曰笔性連接，並且使 女裝面的-部分從上述密封樹脂 封樹脂内的引線部的引線框架而山封在上述岔 下步驟··形成上述引線部的引線部==此方法包含以 引線部之與上述安裝面相反側二’以及仅上述 線部之上述密封面的側緣部施以；封面側，對於則 該引線部的側方突出，而且在該：藉此形成朝向 ^上述安裝面及密 316390 8 1338358 封面之間具有防止脫落面的防止脫落部的側緣部壓印步 驟。 根據此方法，藉由來自引線部之密封面側的壓印加 工，可形成朝向引線部的側方突出的防止脫落部。由於此 防止脫落部在引線部之板厚的中間位置（安裝面與密封面 之間）具有防止脫落面，因此在進行樹脂密封時，密封樹脂 音繞進防止脫落面的安裝面側。藉此可防止引線部從密封 樹脂脫出。 ^ 防止脫落部的形成可藉由來自引線部之密封面的壓印 加工來進行，因此在此壓印加工時，可將引線部之安裝面 側的圓角部再加工成平i旦狀。因&，可降低密封樹脂繞進 引線部之安裝面的情形。同日寺，壓印加卫所用的模具的形 狀由於可以比美國專利第6664133號的習知技術中之下面 推[加工所用的模具更為簡單，因此可降低引線框架及使 用該引線框架之半導體裝置之製造成本。 ,而且，引線部的密封面是密封在樹脂内，因此其側緣 亚不需要在最後具有直線形狀，而可藉由對於引線部之安 裝面之對應於外界引線部（露出在密封樹脂的下面而用來 與外部連接的部分）的區域施以壓印加i來形成上述防止 脫落部。因此’不需要為了形成防止脫落部而在引線部事 先設置幅寬部。所以’ #由穿孔加工等在最初所形成的引 =部可形成在側面沒有實際之段部（平面看來之段部）的單 純形狀（直線形狀），因此從這點也可謀求製造成本的降 -而且不w產生溢料殘渣而可形成防止脫落部。 316390 9 1338358 i述引線部形成步驟最好包含使上 形狀的步驟。此护丨拉* r )丨、，果。卩形成長方 防止脫落部，在：、:=:τ步驟最好包含將上述 複數個部位, . ., B ”3隔而形成在 U廿此方法是使引線部形成長方形狀，铁 :。::長邊方向保持間隔而在複數個部位形成防止脫落、 邓。藉此便可有效防止引線部 脫出。 有〃長邊方向從密封樹脂 而且，上述引線部形成步驟包含使 尺形狀的步驟時，則上述側緣部塵印步驟亦 防止脫落部形成在上述引線部之上述密封0 3使上述 步驟。根據此方法，由於是在長方==兩側緣部的 i=因此可更為有效地防止引線部的脫落。 料 ^ Ή形成步驟取好包含對於作為引線框竿之材 枓的金屬板所推；咖"7丨丄 八化木·^材 —連串力牙加工步驟。根據此方法，可藉由 成：，加工進行引線部的形成及防止脫落部的形 弓卜表部:^加工最好從引線部的安裝面側進行，如此在 ^ ^女裝面側就不會出現溢料殘渣。 步驟第1樣態的半導體裝置之製造方法包含以下 的上述=?:法製造引線框架的步驟；使上述引線部 部之“上體晶片電性連接的步驟；使上述引線 述·^㈣—部分露“將上述引線框架與半 =二同侧m密封的步驟’·以及切除上觸t 封樹t h i㈣脂密封步驟最好包含以密 ⑽月曰的端面橫切上述防止脫落部的方式’利用上述密封 316390 30 1338358 樹脂密封半導體晶片及引線框架的步驟。 s 月之第"水恶的引線框架是利用樹脂密封半導體 二嶋内與上述半導體W電性連接，並 ‘分從上述密封樹脂露出而密封在上述密封樹= 側之及糟由來自上述引線部的與上述安裝面相反 之側方^ 的騎加工而形成，並且朝向該引線部 進引線二:ΓΓ，線框架由於樹脂並不會繞 造。 了罪，而且可用低成本來製 上述引線部亦可形成長方形狀，此時 脫落部是在上述引線部的長邊 处防止 部位。 口保待間隔形成在複數個
一而且’在上述引線部形成長方形狀時，最好使上 脫落部是形成在上述引線部之上述密封 ;L 本發明之第1樣態的半導體裳置包含：如上。 線框架；與該引線框架電性連 ：的引 ^二曰片及上述引線框架密封成使上述引 面 路出的密封樹脂。此半導體裝置又 =面 :與上述半導體…無引線方式電性連二:， 且’上述密封樹脂最好形成使其端面橫切上述 本务明之第2樣態的引線框广。 封半導體以的半導體裝置所用的引 疋具有用來搭载上述半導體晶片，同時使-方的面作為： η 316390 j^358 ::樹脂露出的露出面，使另—方的面作為 ==密封面的晶片支持部的亀架之製造方法=
、的牛：3以下步驟.將金屬板整形而形成上述晶片支持部 勺v -V，以及對於上诚曰y P •屮；， 、 片支持邛的緣部施以來自上述® 側或上述密封面側的壓印加工 上述麄屮而芬μ 4…U Λ长3日日片支持部的 、路出面及上述讀面之間的位置，形 4的緣部㈣側方突出的防止脫落部的步驟。1支持 自露’由於可藉由對於晶片支持部的緣部之來 ==面側，”σ工而形成防止脫落部，因 匕比起精由蝕刻步驟形成防止脫落部 At ^ u 步驟形成防止脫落部。藉此便 月U廉償的 的降低。 減便可谋求引線框架之製造成本 藉由壓印加工所形成的·防止脫 部的板厚中間位置（露出面.¾密封面之。間t疋在f片支持 持部的緣部朝向側方突出/ s 、立置）從晶片支 合姑、隹甘+ , 此在細脂密封時，宓封谢月匕 會繞進其露出面側。藉此便可防止 t J树月曰 脫出。 日曰片支持口P從密封樹脂 對於日日片支持部之緣部 整個區域進行，亦可僅針對—：=亦可對於該緣部的 上述晶片支持:二土的步驟最好包含使上述金屬板從 上述晶片支持邻之^j朝向上述岔封面側穿透成 從露出面側穿透作 根據此方法，可錯由 支持部。因此，〜 卞之材料的金屬板而形成晶片 可利用衝塵加工裝置來進行晶片支持部的 316390 12 1338358 形成及上述防止脫落部的形成，因而可廉價製造引線框架。 由於是藉由來自露出面側的穿孔加工而形成晶 24，因此不會產生從密封樹脂突出的溢料殘逢，而 的露出面。 且了抑制樹脂附著於晶片支持部 ::更有效防止樹脂繞進晶片支持部的露出面，最好 =曰片支持部之緣部的大致整個區域施以 :::(亦可為與形成上述防止脫落部所用的壓印加工丘 藉此，由於可藉由來自露出面的穿孔加工而減 可支持部之露出面的緣部所產生的圓角，故 :咖或：止密封樹脂繞進晶片支持部露出面。 上述半導體晶片電性連接，並内與 屮1¾ FI 7b I 〆、上返日日片支持部之靈 而密封在IS::面的至少—部分從上述密封樹脂露出 線部的步：二持上述引線部的框部的懸垂引 部的上述：出引線部成形，使上述晶片支持 ^路出面的位置比上述引 裝面側突出的向下定位步驟。…，女裝面更朝向該安 線部==更=持部的露出面的位置就會超則 J文展面而更為突出。因 片支持部的露出面，以愿接於模且之= 線部的安裝面及晶 ㈣㈣，懸垂引線部會彈性變形態利用樹 相對於模具的壓接 對方^片彳持部賦予 妾力寿曰此，便可抑制或防止樹脂繞進晶 316390 13 1338358 片支:=:出面，且可實現散熱效率 起垂引線部的成形最好藉由衝壓加姐f置。 可廉價製造引線框架。 木進订，稭此便 此外，上述懸垂引線部的形 露出面為同側的穿孔加工來進行。 子错由來自與上述 本發明之第3樣態的引線二 樹脂密封半導體晶片的半導體裝置所用㈣==種利用 是具有用來搭載上述半導體晶片，同時使—方而且 密封樹脂露出的露出面，使另一士&文方的面作為從 封樹脂内的密封面的晶片支持部；以=述密 ===電性連接，並且使與上述露== 之面的女4面的至少一部分從上述密封樹脂^ 封樹脂内的引線部的引線框架之製造方法。： 驟：將金屬板整形而形成上述引 ，. ==整形而形成上述晶片支持部的步:將 ^部的步驟；以及使該懸垂引線部成形，使上== 露出面的位置比上述引線部的上述安裝面更朝 向该文裝面側突出的向下定位步驟。 更朝 上述向下定位步驟最好包含使上述懸垂引線部成 立、=起上述引線部偏置在上述安裝面之相反側 ^ =:以及用來連結該向上定位部分及上述晶片支持二 形狀結驟。根據此方法，懸垂引線部會具有波浪 " 在使晶片支持部壓接於模具的平坦面時容易彈性 316390 )4 1338358 變形’故可抑制晶片支持部及引線部之相對 的相對變位）。 V丁四韦木 下牛ΐ: ΐ第2樣態的半導體裝置之製造方法是包含以 體裝置之製造方法：藉由上述方法製造引線 框木的步驟；將半導體晶片搭載於上述晶月支持部之上述 密封面側的步驟.β a 山Mu + 及使上述晶片支持部的上述露出面露 =將上述引線框架與上述半導體同以樹脂密封的 上述樹月曰岔封步驟最好包含在將上述引線框架之 部的安裝面與上述晶片支持 、’7 ^ ie ^ ήΛ ,, _ 亏1的上述路出面壓接於模具的 I、下，將上述引線部及晶片支持部利用密封樹 ==步驟。藉由此方法，可獲得使引線： 裝^支持部的露出面從密封樹脂露出之狀態的半導體 本發明之第2樣態的引線框 :片的半導體裝置所用的引線枢架，該引線框； 露出的露出面，使二二方的面作為從密封樹脂 的密封面的晶片支持/ =為密封在上述密封樹脂内 中間位置，"曰Η 1 該晶片支持部的厚度方向 ,火〜日日片支持部的緣部朝向側方突出，且俜 晶片支持部的緣部施以來自上述露 二 社封面側的壓印加工而形成的防止脫落部。 、 框架最好又包含：在密封樹脂内 4電性連接，並且使與上述露出面同側之面的安裝面: J5 316390 ^38358 至/ 。卩分從上述密封樹脂露出而密封λ卜，f a 1 部的栢却n , 才丨、σ在用來保持該引線 上这:同％使上述晶月支持部的上述露出面的位置比 的上述安裝面更朝向該安裝面 恝垂引線部。 ~ & 31 本發明之第3樣態的引線框架是利用樹脂密封半導體 ;曰，導體裝置所用的引線框架，該引線框架包含用 Ϊ:載Ϊ述半導體晶片，同時使-方的面作為從密封樹脂 的〜… 為密封在上述密封樹脂内 。面的B日片支持部；在上述密封樹脂内 晶片電性連接’益且使與上述露 干^版 — 尺”上玟路出面同侧之面的安裝面的 至少 部分從上述密封樹脂霡屮而金& 士 的引綠邱. 路出而始、封在上述密封樹脂内 ’以及將上述晶片支持部結合在用來保持上述引 、表。卩的框部，同時使上述曰 a y , 才便上述曰曰片支持部的上述露出面的位置 匕上述引線部的上述安裝面更朝 懸垂引線部。 t朝向心裝面突出而形成的 ^述引線部的安裝面以及上述框部之與上述安裝面同 側的表面最好大致位在同一平面上。 ^述懸垂引線部最好具有：比起上述引線部偏置在上 ^女裝面之相反側的向上定位部分；以及用來連結該向上 疋位部分及上述晶片支持部的連結部分。 ...本發明之第2樣態的半導體裝置是包含以下構件的半 導體裝置：上述引線框_ · # @ 卞，格載於該引線框架的晶片支持 部之上述密封面的半導I# B y . _ ' 〕千岭月丑日曰片，以及將上述引線枢架及半 3]6390 16 1338358 導體晶成使上述引線框架之引線部的安裝面及晶片 支持部的上述露出面在同—平面上露出的密封樹脂。 本％明之上述或是又其他目的、特徵及效果可藉由參 照所附圖式而由以下所述的實施形態之說明而更為明瞭： 【實施方式】 ^ 圆疋本發明 …〜 Λ他艰恐的5丨綠框架之構減的 視圖。第】圖顯示出對應於一個半導體裝置的單位部分， =際h朝第1圖的左右方向連設有對 體裝置的單位部分，整體是構成帶狀的連鎖體。^ 此引線框架iG是對於金屬板（尤 =r°:施以精密衝麼加工而製作者。對應二:; 、㈣位部分是形成矩形形狀（第1圖的例子是大 致正方形），在中 口 0例子疋大 島部）卜在直周圍1右Λ 導體晶片的支持部（孤 配置的引線部2。 仏形成矩形形狀而大致等間隔 所形= = = :具::應於複數條物2 線部4結合在接連於金屬板框角:::懸垂引 有使前端朝向支持部】側而配置的;各:， 結合在框部5。沿著上述 ：、、基端部是 引線部2彼此大致平行，其長邊^而排列的複數條 邊的方向。符號101 '】02、1〇3 者大致垂直於該 •站的加工步驟、半導體“的衝=之各衝 的密封步驟等中，用夹 載乂私、利用岔封樹脂 用未將引線框架10予以定位的定位孔。 316390 1338358 W圖是裝人有上述引線框架1G的半導體裝置之構成 的圖解式剖視圖。此半導體裝置具有：引線框架1〇;搭載 框架10之支持部1上的半導體晶片。使此半導 ^曰片6與引線部2的上面（密封面）電性連接的搭接引線 ，以及將該#加以密封的密封樹脂8。引線心的下面 儿(安裝面）是從密封樹脂8的下面露出，具有可谭接於電 路基板上之配線圖案的外界引線部的功能。而且引線部2 之密封在：封樹脂内的部分具有作為内部引線部的：能， ^其’其靠近前端的部分是作為可供搭接引線”妾合的内 ^連接部。如此便構成表面安裝型的半導體封裝（QFN)。 在組裝此半導體裝置時是將半導體晶片接合在 支，部！的上m使此半導體晶片6的端子及引線部 勺上面猎由搭接引線7而連接。然後在將引線部2的下 面2b壓接於模具的狀態下’利用樹脂密封 =所示的密封線5。内的區域，藉此便可使半導I: 。接引線7及引線部2由樹脂密封而形成封裝體。鈇後， :者封裳體的側面切斷引線部2及懸垂引線部4，將該等 從框:5予以切除。如此便可獲得半導體裝置的個片。 弟3(a)圖是引線部2的俯視圖，第3⑻圖是第3⑷圖 j縱剖視圖（im-膽線剖視圖），帛3(c)圖是第3⑷圖的 :剖視圖卿-me線剖視圖）。在引線部2之上面的兩側 ，·_邊方向保持間隔於各兩個部位形成有防止脫落部 21 22、23、24(第1圖中未圖示）。此實施形態中，防止 脫落部2^22^3、24是設在比樹脂密封後所切斷的切斷 316390 18 叫 8358 二51更靠近支持部〗側的區域，並域密封線π通過其 而部側之-對防止脫落部23、24的長邊方向.中間部。因土 =，前端側的—對防止脫落部21、22會進入密封樹脂8 ’而且在防止脫落部21、22與防止脫落部23、 樹脂8進入。藉此便形成一種可防止引線部; Q考其長邊方向脫出的構造。 甘落部21、22、23、24係藉由從引線部2的上面 …、側緣部施以壓印加工（ccnnmg :壓鍀加工）而形 二更具體而言是在引線部2的下面2b，於樹脂密封後： =、封樹脂8的下面露出的矩形外界引線部的上方區域： 脱〕，部2之上面2a的兩側緣施以塵印力…藉此，防止 脫洛部21、22、23、24且右卜卜q s H比上面2a更低的上面，並且 吹引線4 2的側面朝側方突出，而在比引線部2之下面孔 置具有各下面（防止脫落面。第3圖的例子是越離 汗1引線4 2的側面越朝向上方的傾斜面）。因此， 8會繞進防止脫落部21至24的突出部的下方，因而可^方曰 二【線部2朝密封樹脂δ的下方脫出。用來形成防止脫落 。 24的上面2a之兩側緣的壓印加工是例如只 見度5〇μηι左右（引線部2之寬度w(例如】肋至左 右）的；1/4至1/3程度）' 高度5〇μπι左右（引線部2之板厚 Η(例如2〇〇μηι左右）的ΙΜ至】/2程度）即可。 乂在引線部2的上面2a令，比防止脫落部2】、22更靠 近前端部側(支持部i側)的區域是用來作為可供搭接引線 7接合的引線連接部（内部連接部）。在此引線連接部形成有 3J6390 19 1338358 為了與搭接引線7有良好接合的鍍敷層29(例如厚度5pm 程度以下的鍍銀層。第1圖及第3(a)圖中未圖示。）。引線 部2的下面2b具有在與半導體晶片6 一同由樹脂密封後會 攸岔封樹脂8的下面露出，而用來表面安裝於電路基板上 的外部連接部（外界引線部）的功能。 在引線部2的前端區域事先進行過來自引線部2之下 面側的壓印加工，因而形成有從引線部2的下面A朝上方 偏置（例如弓丨線部2之板厚H的1/3至1/2 止脫落部25。前端防止脫落部25是在5丨線部2)的 朝向J前端側突出。在將引線部2與半導體晶片卜同由 樹月:密封的狀態下，在前端防止脫落部25 #下方會有密封 树月曰繞進來，因此可防止引線部2的脫落。 私-=I·圖疋用來说明為了製造上述引線框架1()所使用# =衝Μ裝置之構成的概念圖。引線框架i()是 =广。衝屋站S1是對作為材料的帶狀金屬板ι〇( 在^❼了面側之穿孔加工的穿孔加工部。衝塵站S2是 前端下端部從下面側施以屬印加工，壽加工)的 距離宜美pi 。衝磨站S3是將引線部2的前端在 邱t广 贲㈣切斷位置加以切斷的切斷加工 是藉由在％線部2之上面的兩側緣施以塵 力=糾加工）而形成防止脫落部2】U的上面壓印 部）之構成的圖解式剖 第5(a)圖是衝壓站S1(穿孔加工 316390 20 丄川观 二，顯示出與引線部2之長邊方向交叉的平面的别面。 S1是對於帶狀的金屬板】00自其下面藤側 施Μ牙孔加工。爭且㈣ ‘ 八 έ，金屬板100係插入分別具有 疒:；、部1及引線部2等之圖案的開口 61a及7ia的 厂、61與塵制構件71之間。在此狀態下，整合成開口 a、71a之形狀的衝塵機8】能以將金屬板1〇〇自且下面 W〇b朝上面10〇3打穿而侬 * /、 打牙而依序貝牙開口 71a及61a，然後從 :a、仏退開的方式上下移動。藉此，支持部1及引 便可藉由來自下面几側的穿孔加工而形成。
第5(b)圖是衝壓站S2(前端下面壓印加工部）之 圖^剖視圖，顯示從引線部2之側面側觀看的狀態。在 j壓站S2可藉由來自藉由穿孔加卫所獲得的引線部2 之前端部之下面的壓印加工而形成前端防止脫落部25。更 :广而 '是將具有平坦之下面的模具62配置在引線部2 上方，亚在此金屬板100的下方配置壓制構件72。麸後， 經由形成於此壓制構件72的開σ 72A，衝麗機82是僅以 預定的衝程（對應於引線部2之板厚H的1/3至ι/2程度 壓印加工的衝程）上下移動。 X 衝壓機82是重疊在引線…的前端部。因此’引線部 2的前端部會受到擠壓，比起引線部2的下面几會偏置在 上方。如此便可形成如上所述的前端防止脫落部乃。 衝壓機82的衝程是設定成此衝壓機82的上端在移動 至金屬板1 00之板厚的中途部後會下降。 第5(C)圖是衝壓站S4(上面Μ印加工部）之構成的圖解 316390 21 j剖視圖’顯示沿著與㈣部2之長邊方向交又 ^面。在衝壓站S3中將前端防讀定 :=一中，_之上= ==:…在此㈣站s4是於引線部2的下方 配置㈡上面的模Μ’同時在引線部2的上方 鄰=^相_引線部2之間的位置分別具有比相 " 間之間隔逛要幅寬之開口 73a的壓制構件73。 而且:在屢制構件73的上方配置有通過開口 73a而上下移 動3衝〒機83。衝壓機83在下端具有比相鄰引線部2間 之間隔還要幅寬的推壓面83 A。 衝壓機83的衝程是將其下死點位置設定在引線部2 ^主體部20的板厚範圍内。因此，藉由使衝壓機83上下 ^動，引線部2的兩側緣部會分別以寬度5〇μιη左右（引線 邛2之下面的寬度w(例如18〇师至2⑼网）之μ至】η 的範圍），南度50μιη左右（引線部2之板厚Η(例如2〇叫爪 左右）之1/4至1/2的範圍）從上面2a側受到推壓，在引線 部2的兩側面就會形成突出的防止脫落部21至24。同時， 弓丨線部2的下面2b會壓接於模具63，使穿孔加工時所產 生的圓角部平坦化。 如上述’通過衝壓站S1至S4而形成引線框架1〇之 後’便可對於引線連接部進行電鍍處理（例如鍍銀處理）。 此實施形態中，藉由穿孔加工所形成的引線部2的最 初形態是剖面大致矩形，並且在長度方向具有一樣的單純 形態’並不需要如上述的習知技術在中途形成幅寬部或中 22 316390 1338358 間細部。因此，穿孔加工所用的衝壓機8〗及模具6〗等的 形態並不複雜，該等的製作費不會太高。因此，可降低引 線框架1 〇及裝入有此引線框架的半導體裝置之製造成本。 而且，由於並非從引線部2的下面2b，而是藉由對於 ^面2a之兩側緣的來自上方的壓印加工而形成防止脫落 P 2 1至24 ’因此作為外界引線部的引線部2之下面2b的 側緣部可保持初期的直線形狀，且可確保對配線基板上的 良好安裝性。 而且，在對於如上所述的單純形態的引線部2之上面 的兩側進行來自上方的壓印加工時也不會產生溢料殘 產，因而不需要如上述習知技術的特別對策。 此外，上述實施形態是沿著引線部2的長邊方向保持 間隔在兩個部位形成有防止脫落部21至24，但同樣的防 立脫落邛亦可在引線部2之上面2a的兩側緣各形成在一個 部位’或'亦可形成在三個部位以上。另夕卜亦可藉由上面 2a之兩側緣的壓印加工來形成跨越引線部2之大致全長的 防止脫落部。χ，同樣的防止脫落部亦可僅形成在引線部 2之上面2a的一方側緣。 另外，上述實施形態是針對經由搭接引線使引線部2 導肢日日片6電性連接的例子加以說明，但亦可如第6 圖所不’纟半導體晶片6的端子部設置凸塊B，並將此凸 =B接D於引線部2的上面2a而形成無引線電性連接構 &。在接合前，只要事先設在半導體晶片6及 至少任仿一古P 、永4 2之 方即。Γ ’可在引線部2側設有凸塊b，亦可在 316390 23 1338358 半導體晶片6及引線部2雙方設有凸塊。 而且，上述實施形態是在加工金屬板1〇〇而製作引咬 框架U)的步驟中，在使引線框$ 1〇的上面朝向上方，使 其下面朝向下方的狀態下’利_站Si至§4來進行處 理，但亦可在使引線框架10的上面朝向下丨，使其下面朝 向上方的狀態下進行各步驟的處理。在此情況下，只要使 ㈣站S!至54的_機及壓制構件與模具的上 過來即可。 人 it ’上述實施形態是利用一個精密衝壓裝置連續進 订用來製作引線框架1G的—連串加工步驟，但亦可利用並 他裝置來進行一部分的步驟。 八 俯視明之另一實施形態的引線框架之構成的 八θ 圖頻不出對應於-個半導體裝置的單位部 圖的左右方向連設有對應於複數個半 導-裝置的早位部分，整體是形成帶狀的連鎖體。 此引線框杀〗5 Θ是對於金屬板（尤1 約2。。__施以精密加工二者 導體裝置的單位邻八料對應於一個半 致正方疋，成矩形形狀(第7圖的例子是大 島部）30卜在1周衝且η" ¥組3日片的支持部（孤 隔配置的引線部地條形成矩形形狀而大致等間 米狀支Π301在此實施形態是從平面角度看來具有矩形 引線部3〇2所形成的矩形形狀的四㈣部 線部304而結合於與金屬板接連的框
2A 316390 1338358 獨。各引線部302具有使前端朝向支持部3〇ι 置的長尺形狀，其基端部是結合於框部3〇5。沿著上述矩 ㈣狀之各邊而排列的複數條引線部3()2是彼此大致平 灯，其長邊方向是沿著大致垂直於該邊的方向 搬'加是在精密衝壓裝置之各衝屋站的加工步驟、半1導 體晶片的搭載步驟、利用密封樹脂的密封步驟等中用來將 引線框架15〇予以定位的定位孔。 T用采將 第8⑷圖是裝入有上述引線框架15〇的半導體裝置之 構成的圖解式職圖。此半導體裝置具有：引線框m 搭載於此引線框架150之支持部3〇1上的半導體晶X ， 3〇6;使此半導體晶片鳩與引線部逝的上面電性連接的 搭接引線3 0 7 ;以及將該等加以密封的㈣樹脂则。 作為引線部302之安裝面的下面鳥是從㈣㈣ 3〇8的下面露出’具有可嬋接於電路基板上之配線圖案的 外界引線部的功能。而且引線部3G2之密封於密封樹脂綱 内的部分具有作為内部引線部的功能，尤其，其靠近前端 的部分是作為可供搭接引線3G7接合的内部連接部。另一 方面，支持部3〇1是使其下面作為從密封樹脂3〇8的下面 露出的露出面’而可使在半導體晶片3〇6所產生的熱經由 匕支持uP 301 6勺下面而發散。如此便構成具有散熱構造的 表面安裝型半導體封裝（HQFN)。 在組裝此半導體裝置時是將半導體晶片3〇6接合於支 持部3〇1的上面（密封面），並且使此半導體晶片3〇6的端 子及引線部302的上面藉由搭接引線3〇7而連接。然後， 316390 25 1338358 利用樹脂密封第7圖中以兩點鏈線所示的密封區域35() 内，藉此使半導體晶片306、搭接引線3〇7及.引線部302 由樹脂密封而形成封裝體。然後，沿著封裝體的側面切斷 引線部302及懸垂引線部3〇4，將該等從框部3〇5予以切 除°如此便可獲得半導體裝置的個片。 引線部302的上面302a具有可供搭接引線3〇7接合的 引線連接部（内部連接部）的功能。在此引線連接部形成有 為了與搭接引線307有良好接合的鑛敷層3 ㈣以下左右的舰層）。另-方面，引線部 =2b具有與半導體晶片雇—同由樹脂密封後會從密封樹 :曰308的下面露出而可表面安裝於電路基板上的外部連接 # (外界引線部）的功能。 在引線部302之支持部30】側的前端區域事先進行過 邻302之下面側的屡印加工’因而形成有從引線 ^端防^下面3〇2Mt方以板厚之1/3至1/2程度偏置的 的上而洛部⑵。所端防止脫落部切是在引線部3〇2 月=朝向其前端側突出。在將引線部3〇2與半導體晶 的下方合同由樹脂密封的狀態T，在前端防止脫落部321 的=會有密封樹脂則繞進來，因此可防止引線部3。2 之對圖是沿著複數條引線部302所形成的矩形形狀 狀面形狀的示意圖。在密封於密封樹脂谓的 及:垂引^ 〇1的下面3〇]b、引線部302的下面薦 弓1線部3〇4之外方側端部（基端部）的下面304b是與 316390 26 密關脂則的下面—同位在同一平面上。懸垂引線部3〇4 變形部345 ’該彈性變形部345具有：相對於支 =則而豎起的向上定位部分341;以及將此向上定f ^刀341連結於支持部301的連結部分342。由密封樹月，、 歡密.封.之前，立持部3()1是向下定位曰 的更下在樹脂密封時，藉由使彈形部3’5彈 性㈣，使其與引線部3G2配置在同—平面上。4 :9(a)圖疋支持㉝3〇1的部分放大俯視圖，第抑)圖 ^部3〇1及懸垂引線部304的縱剖視圖（第9⑷圖的( 圖（第ΤΙ視圖）’第9(C)圖是支持部3〇1之緣部的橫剖視 真 *的IXCMXC剖面）。在矩形之支持部301的各 Γ 二 1ΓΛ 個區域藉由來自上面的壓印加工形成有防止脫 (犬條）331。此防止脫落突部331具有：比支持部則 之他部分的上面3〇la僅低壓印加工份量（例如支持部 1之板厚的1/4至1/2程度）的上面33ia;也及比支持部 邶的下面還要高的下ft33〗b^且是在支持部3Gl_ 户板厚中間位置朝側方突出。因此，藉由密封樹脂則 岔封時，此密封樹脂308會繞進防止脫落突部331的下方， 因而可防止支持部301朝密封樹脂308的下方脫出。壓印 加工的寬度是例如5〇至7〇μΓη左右。 立另方面，懸垂引線部304是如第9(b)圖所示，以支 ί寺部A〇l的下面3〇lb向下定位在比框部3〇5之下面3〇汕 ^低的位置（例如高度差比板厚少。5(^爪至150μπ1左右） 勺方式使支持部3〇〗與框部3〇5連結。框部3〇5的下面 316390 27 =是與引線部3〇2的下面3〇2b位在同_平面上，因此最 :支持部301就會向下定位成使其下面3〇ib.比引線部搬 下面3〇2b更低（此實施形態是使整個支持部301低於引 線部302的下面302b)。 、 u更具體而言是懸垂引線部3〇4在框部305側具有位於 ^匡部305之上面53還要高之位置的向上定位部分341， =由連結部分342使此向上定位部分341與支持部训 傾連結部分342是形成朝向支持部301逐漸下降的 ' =勢’而將支持部則支持在比框部3Q5之下面職 位置。亦即’懸垂引線部咖是大致形成S字形 = ' 3G1施加有上下方向的外力心包含上述向 dH341及連結部分342的彈性變形部345會彈性 在^面Λ 保持支持部301與框部305及引線部逝 ::面角度的相對位置關係，一面容許支持部 移動的構造。 卜 土 1〇圖是用來說明為了製造上述引線框架丨 的精岔衝壓裝置之構成的概冬 政的概心圖。引線框架150是依序通 化汗夂數個（弟1 〇圖的例子為5個）輪颅。 )衝屋站SU至S15而朝向 :::向R10搬送。衝座站Sl]是對於作為材 狀金屬板細執行來自下面側之穿孔加 衝壓站S12是在引線邱3〇9 山* I孔力工4。 以化以302的則端部從下面側施以塵印加 广加工)的前端下面愿印加工部。繼⑴ 的前端從其基端部在預定長度的切斷位置加以切 斬加工部。衝塵站S14是在支持部3〇1之緣部的所 316390 28 1338358 有區域進行來自上面的壓印加工(壓鑄加工)的壓印加工 部。衝壓站S15是使懸垂引線部3()4形成如上所述的§字 形狀的懸垂引線部成形加工部。 第11(a)圖是衝壓站su(穿孔加工部）之構成的圖解式 剖視圖，顯示對應於支持部3〇1之部分的剖面。在此衝屡 站sii可對於帶狀的金屬板2〇〇從其下面2〇牝側施以穿 孔加工。更具體而言’金屬板扇係插入分別具有對應於 支持。卩301及引線部302等之圖案的開口 361a及37ia的 模具361及壓制構件371之間。在此狀態下，整合成開口 361a、371a之形狀的衝壓機381能以將金屬板2〇〇從豆下 面2〇〇b朝上面200a打穿而依序貫穿開口 37u及36^， 然後從開口 361a、371a退開的方式上下移動。藉此，支持 部3,01及引線部302便可藉由來自下面3〇几側的穿孔加工 而形成。因此’由於此穿孔加工所產生的溢料殘渣就不會 向下方突出’在樹脂密封後會密封在密封樹脂3〇8内，因 2不需要用來消除溢料殘渣的事後加工步驟。然而，由於 來自下面側的穿孔加工，在支持部3〇1的緣部會如第12、 圖的剖視圖所示，使下面側邊緣部變成彎曲面，並產生所 謂的圓角。 第11(b)圖疋衝壓站si2(前端下面壓印加工部）之構成 的圖解式剖視圖，顯示從引線部3G2之側面側觀看的狀 態。在此衝壓站S〗2可藉由來自藉由穿孔加工所獲得的引 ，部302之前端部的下面的㈣加工而形成前端防止脫落 邛321。更具體而言是將具有平坦之下面的模具gw配置 316390 29 1338358 =引線部302的上方，並且在此金屬心⑻的下方配置塵 構件3 72。然後’，經由形成在此磨制構件3 72的門口 3似，衝麼機382會僅以預定的衝程上下移動。衝 的衝程是設定成此㈣機382的上端在移動至金屬板· 之板厚的中途部之後會下降。 衝壓機382是重疊在引線部3〇2的前端部。因此，引 線部302的前端部會受到擠壓，比起引線部如的下面 職會偏置在上方。如此便可形成如上所述的前端防止 洛部321。 第11⑷圖是衝壓A S1印加工部）之構成的圖解式 剖2圖，顯示與第9(C)圖同樣之剖面的構成。在衝壓站S13 將前端防止脫落部321以預定的長度切斷之後，在此衝_ 站S! 4對於支持部3 〇】的整個緣部施以來自上面的壓印加 工。亦即，如第11(c)圖所示，在衝壓站Sl4是於支持部 3(H的下方配置有具有平坦之上面的模具3M，而且在^屬 板200的上方配置有用來推壓對應於支持部3〇ι以外之引 線部302及框# 305等的部分的壓制構件州。在此壓制 構件374形成有使支㈣3〇1的整個緣部露出的開口土 374a，並且設有可通過此開口 37乜而上下移動的衝壓機 384。此衝壓機384在下面具有可推壓支持部3()ι的整個緣 部的推壓面384a。 衝壓機384之上下移動的衝程是設定成使推壓面如 的下死點位置比該壓印加工前之引線 方（例如，僅以引線部逝之板厚的1/4至1/2程 316390 30 丄 方）。 經過來自此上面之壓印加会 肤合你h μ η 丨加工後的支持部301的剖面形 ::成如弟9⑷圖所示。亦即，藉由來自上面 ^加工’可形成如上所述的防止脫^部331。同時， ^來自上面的壓印加工，可消除在下面邊緣 =角，支持部训到邊緣部為止會形成大致平坦的平面， 其邊緣部會形成大致以90度的角度豎起的賢起面。因此， 利用密封樹脂308密封時’可有效防止密封樹脂谓繞進 支持部301之下面301b的邊緣部。 第11(d)圖{衝壓# S15(懸垂引線成形加工部）之構成 的圖解式剖視圖’顯示沿著懸垂引線部304之長邊方向的 剖面構造。在此衝壓站S15是於懸垂引線部3〇4及支持部 301的下方配置有上面雕刻有對應於成形後之懸垂引線部 304及支持部301之下面之形狀的凹凸圖案的模具365，而 且在懸垂引線部304及支持部301的上方配置有下面雕刻 有對應於成形後之懸垂引線部3〇4及支持部3〇1之上面之 形狀的凹凸圖案的衝壓機385。而且，在懸垂金屬板2〇〇 的上方配置有具有對應於懸垂引線部304及支持部301之 區域的開口 375a的壓制構件375，使衝壓機385可通過上 述開口 375a以預定的衝程上下移動。 藉由使衝壓機385上下移動，將金屬板200夾在衝壓 機385及模具365之各雕刻面之間而施加壓力，可對於金 屬板200進行衝壓成形加工。藉此，懸垂引線部3〇4會形 成具有向上定位部分341及連結部分342之如上所述的形 31 3)6390 1338358 狀，支持部301會向下定位在比框部3〇5的下面更為下方。 如上述，通過衝壓站SU至S15形成引線框架15〇後， 對於引線連接部進行電鍍處理（例如鍍銀處理）。此電鍍處 理亦可在利用衝壓站S15的懸垂引線成形加工步驟前^ 行0 第13(a)圖及第13(b)圖是用來說明樹脂密封步驟的圖 解式剖視圖，第13(a)圖是對應於第8(旬圖的剖面，第i3(b) 圖是對應於第8(b)圖的剖面。 將半導體晶片306接合在如上述製作而成的引線框架 150之支持部301的上面，並且利用搭接引線3〇7使半導 體晶片遍的端子部（焊塾）及引線部302電性連接所獲得 的組裝體是放置在具有平坦之上面的下模具nG;與在下 面具有會形成可供密封樹脂3〇8流入之空腔i 15的凹 上模具120之間。 ° 在上模具120是於下面形成有用來將引線部3〇2及懸 垂引線部304的基端部分別拉出至空腔j 1 5外的通路 叫、m。使上模具㈣與下模具n〇接近而對接時，在 =通路m、117内，引線部3G2及懸垂引線部⑽的各 基糕部會由上模具〗20及下模具11〇所挾持。 另方面，支持部301是相對於引線部302而向下定 ，’因此在由上模具120及下模具11〇夾住引線部3〇2及 ^垂^線部304的過程當中，支持部3〇1會被推播上來， ❹垂引線部304的彈性變形部州彈性變形。而且，最 後，支持部训的下面與引線部3〇2的下面會配置在同一 316390 32 1338358 平面上。此時，由於懸垂引線部3〇4的復原力，支持部3〇ι 會被壓接在下模具110的平坦的上面。因此’在此狀態下， 如杲將密封樹月旨308注入空腔115内，並不會發生密封樹 月曰308繞進支持部301之下面的情況，而可良好地密封上 述組裝體。因此，最後所獲得的半導體裝置便可從支持部 301的下面良好地發散在半導體晶片3〇6所產生的熱。 _第14 1]是用來說明本發明之又另—實施形態之構成 的示意圖’並以圖解顯示用來支持半導體晶片的支持部之 剖面構造。上述實施形態是藉由對於支㈣3Gi之緣部的 上面301a施以壓印加工而形成防止脫落突部如，相對於 此’此實施形態是藉由對於支持部3qi之緣部的下面施以 壓印加卫而形成具有同樣作用的防止脫落突部（突條）说。 此防止脫落突部332由於具有相對於支持部如的下面偏 置在上方的下面332b，因此密封樹脂308會繞進其下方， 而可防止支持部301的脫落。 這種防止脫落突部332可> 使壓制構件3 74及衝壓機3 84、 配置的構成來形成。 可在弟11 (c)圖的構成中，藉由 丨4、以及模具364上下反轉而
316390 1338358 例子加以說明，但亦可如第16(a)圖及第16(b)圖所示，使 ^持部301大致形成χ字形狀。第16(a)圖的例子是在χ 〆狀的支持。卩3 01之緣部的大致所有區域從上面側或下 側％以愚印加I，藉此形成有防止脫落突部（突條）州。而 f 26(b)圖的例子是在支持部301之緣部的一部分（具體而 :疋在支持部3 〇 I的各緣部保持間隔的複數個部位）藉由 來自上面或下面的壓印加工而形成有防止脫落突部335。 而且，上述貫施形態是針對使引線部3〇2及半導體晶 片306經由搭接引線3〇7而電性連接的例子加以說明，但 亦。j形成在半導體晶片3〇6的端子部設置凸 塊接合於引線部302之上面的構成。 另外，上述實施形態是在加工金屬板2〇〇而製作引線 框架150的步驟中，在使引線框架15〇的上面朝向上方， 使其下面朝向下方的狀態下利用衝壓站su至si5來進行 處理，但亦可在使引線框架150的上面朝向下方，使其下 面朝向上方的狀態下進行各步驟的處理。在此情況下了 口 要使㈣站S11至S15的㈣機及壓制構件與模具的上; 關係反過來即可。 再者’上述實施形態、是利用一個精密衝壓裝置連續進 行用來製作引線框架150的—連串加工步驟，但亦可利用 其他裝置來進行一部分步驟。 以上已針對本發明之實_態詳細㈣，但這些只不 過是用來使本發明之技術内容更為明確所使用的具體例， 本發明並不限定於這些具體例，本發日月之精神及範圍僅由 316390 34 1338358 所附申請專利範圍所限定。 本“㈣應於在湖年U月19日向日本國特許應 &出^日本特願20()3·38977〇號及日本特願·3·38977ι 唬’延些申請案的所有揭示都是在此引用而組成者。 【圖式簡單說明】 視圖 第1圖是本發明之— 實施形態的引線框架之構成的俯 是裝人有上述引線㈣料導體裝置之構成的 圖解式剖視圖。 第3刚是引線部2的俯視m(b)圖是⑷的縱剖 視圖（IIIB-nm線剖視圖），第3⑷圖是⑷的橫剖視圖 (IIIC-IIIC線剖視圊）。 密衝明為了製造上述引線框架所使用的精 在衝反裝置之構成的概念圖。 第5(a) 5(b)及5(C)圖是用來說明上述精密衝塵裝置 的各個衝壓站之構成的圖解式剖視圖。 弟6圖疋本發明之其他實施形態的半導體裝置之 的圖解式剖視圖。 战 第7圖是本發明之又其他實施形態的引線框架 的俯視圖。 成* 第8⑷及8(b)圖是裝入有上述引線框架的半導體 之構成的圖解式剖視圖。 ^ 第9⑷圖是上述引線框架之支持部的部分放大平面 圖’第9(b)圖是支持部及懸垂引線部的縱剖視圖⑼的 316390 35 1338358 IXB-IXB剖視圖），第9(c)圖是支持邻之 的肌咖剖視圖）。 切此，彖相橫剖視圖⑼ 第H)圖是用來說明為了萝4f ^ ^ ^ 、。上i引、，表框架所使用的 升、月’山衝K裝置之構成的概念圖。 第η⑷至u(d)圖是用來說明上述精 個衝壓站之構成的圖解式剖視圖。 裝置的各 第1 2圖是穿孔加工後的， 笛⑴、n 又持4之剖面形狀的剖視圖。 弟13(a)及13(b)圖是用夾日扭a 剖視圖。 川疋用“明樹脂雄封步驟的圖解式 第14圖是本發明之又其他實施 持部之緣部的剖視圖。 丨’鳳木的支 第1 5圖是本發明之又1 者 视圖。 /、他κ施形悲的引線框架的俯 第1 6(a)及16(b)圖是本發明立♦ & 框架的俯視圖。 · 〃他μ轭形怨的弓|線 1 2a 4 5a 7 10 主要元件符號說明】 2 2b 5 6 8 20 引線部 下面 框部 半導體晶片 密封樹脂 主體部 支持部 2引線部 · 上面 懸垂引線部 上面 搭接引線 引線框架 21至24防止脫落部 25 前端防止脫落部 316390 36 1338358 29 鍍敷層 50 密封線 51 切斷線 61 模具 61a 開口 62 模具 63 模具 71 壓制構件 71a 開口 72 壓制構件 72A 開口 73 壓制構件 73a 開口 81 衝壓機 82 衝壓機 83 衝壓機 83A 推壓面 100 金屬板 101,102,203 定位孔 100a 上面 100b 下面 110 下模具 115 空腔 116 通路 117 通路 120 上模具 150 引線框架 200 金屬板 201,202,203 定位孔 200a 上面 200b 下面 301 支持部 301a 上面 301b 下面 302 引線部 302a 上面 302b 下面 304 懸垂引線部 304b 下面 305 框部 305b 下面 306 半導體晶片 307 搭接引線 308 密封樹脂 321 前端防止脫落部
37 316390 1338358 329 鍍敷層 331 防止脫落突部 331a 上面 331b 下面 332 防止脫落突部 332b 下面 333 防止脫落突部 334 防止脫落突部 335 防止脫落突部 341 向上定位部分 342 連結部分 345 彈性變形部 350 密封區域 361 模具 361a 開口 362 模具 364 模具 365 模具 371 壓制構件 371a 開口 372 壓制構件 372A 開口 3 7.4 壓制構件 374a 開口 375 壓制構件 375a 開口 381 衝壓機 382 衝壓機 384 衝壓機 384a 推壓面 385 衝壓機 B 凸塊 H 板厚 R 引線框架之進給方向 RIO 引線框架之進給向 SI至 S4衝壓站 Sll至 S1 5衝壓站 W 引線部之下面的寬度
38 316390

Claims (1)

  1. 十、申請專利範圍： 】·—種引線框架之製诰方沬 θ心 片的半導體裝置所用:二t樹脂密封半導體晶 樹脂内與上述半導體木’而且是具有在密封 二-部分從上述密封樹脂露出而密封在2密:裝 树脂内的引線部的引 义：饴封 j 51線框架之製造方法， 其係包含以下步驟： 述引線部的引線部形成步驟；以及 '处引線部之與上述安裝面相反側之面的欠 '岐倒，在該引線部之μ、十.〜'幻貝J之面的』、 加工，#此形^ 述岔封面的側緣部施以壓印 错此形成朝向該引線部的側方突屮二^ 弓ί線部的上述安裝面及 =出’而且在該 l 的防止脫落部的側緣部㈣步驟。方止脫洛面 •如申請專利範圍第1項 中，h、+、2丨说 貝之弓丨線框架之製造方法，1 上处引線部形成步驟包 α 形狀的步驟， 吏上以引線冲形成長方 上述側緣部麼+ ^ 上述引線部的長邊方向二= = 落部，在 的步驟。 ]隔^成在歿數個部位 :申請專利範圍第I項之引線框架之 ，上述引線部形成步驟包 / ，其 形狀的步驟， 匕3使上述引線部形成長方 上述側緣部壓印步驟包 成在上述引線部之上述 ^ 脫落部形 申—第〗項之引線框架之製造方:知其 316390 丄⑽:558 中上述引線部形成步驟包 料的金屬板進行的〜丨/ 於作為引線框架之材 吧仃的牙孔加工步驟。 5·—種半導體裝置: 利用申以方法，其係包含以下步驟： 才J用甲凊專利範圍第1 法製造引線框架的步驟； 弟4項中任-項之方 連接的步驟；1 U的上24密封面與半導體晶片電性 使上述引線部的至 而將上述引線框力 面的-部分露出 封的步驟；以及〜 ¥體晶片一同以樹脂密 將上述引線框架的不必八 6.如申請專利範圍第5項之半導以：除的步驟。 中，上述樹脂密封步驟包含：，造方法，其 述防止脫落部的方式 ='、"·脂的端面横切上 。“及引線框驟利用上述密封樹脂密封半導體 7·—種引線框架，是利用樹脂密曰 裝置所用的引線框架， +導^片的半導體 其係包含： 在密封樹脂内與上述半 使至少安p . 〜 日日电性連接，並且 在上；：=::分從上述密封樹摧露出而密封 山封柄月曰内的引線部丨以及 面的引線部之與上述安装面相反側之— 的側：突出工而形成，並且朝向該引線部 1 j万大出的防止脫落部。 δ.如申請專利範圍第7項之引線框架，其中，上柳 316390 40 4是形成長方形狀， 持間脫落部是在上述引線部的長邊方向保 9 间隔形成在複數個部位。 .如申請專利範圍帛7項 部是形成長方形狀，引，，泉框木，其中，上述引線 封& ί ^防止脫落部是形成在上述51線部之上述密 封面的兩側緣部。 ^在 種半導體裝置，其係包含·· 架；申請專利範圍第7項至第9項中任一項之引線框 架電性連接的半導體晶片；以及 "丰導體晶片及上述引線框架密封成使上 丨線π的安裝面露出的密封樹脂。 ‘如申請專利範圍第10項 含脾μ 卞守把哀置，其中，又包 + 線框架與上述半導體 電性連接的凸塊。 …、）丨、.展万式 二:二乾圍第10項之半導體裝置，其中，上述 1二成使其端面橫切上述防止脫落部。 •片的半導方法’是利用樹脂密封半導體晶 載上述半導體晶片，同時的=具有用來搭 露出的露出面，使另—方作為從密封樹脂 „t ^, 勺面作為岔封在上述穷封抖 i私—人 又持$的引線框架之製造方法， 其仏包含以下步驟： 將金屬板整形而形成上述晶片支持部的步驟；以 316390 4] :於上述晶片支持部的緣部施以來 面側或上述密封面側的壓印加工，以在該晶片;牲出 的上述露出面及上诚玄h 日 牡％日日片支持部 片支持部的缘邱釦A,, 心成饮遠晶 i “ ί1i 側方突出的防止脫落部的步驟 中，： 項之引線框架之製造方法，盆 /成上4晶片支持部的步驟包 ” =上述晶片支持部的上述露出面側朝向上 牙成上述曰曰片支持部之形狀的穿孔步驟。 1 5.如申請專利範圍第 中η入 貝之引線框架之製造方法，苴 宁，又包含以下步驟： 八 形成在密封樹脂内與上述半導體晶片電性連 妾，亚且使與上述晶片 Ρ ^^ , 夂符σΡ的路出面同側之面的安 ^的至少—部分從上述密封樹：- 迷密封樹脂内之引線部的步驟； 而山封在上 形成將上述晶片支持部結合在用來保 ，-表部的框部的雜垂引 ’、寺上:Sii引 曰J心玉51線部的步驟；以及 使該懸垂引線部成形，使上 露出面的仂罟屮；·3· ’又付。P的上通 置上返引線部的安裝面更朝θ 4穿歧 面側突出的向下定位步驟。 月向忒女裝 1 6.如申請專利範圍第1 5 1§夕2丨技4 Λ 中，t、f A πτ + / π 、之引線框罙之製造方法，其 為且有比杈F m #匕3，使上述懸垂引線部成形 的二=起上述引線部偏置在上述安裝面之相反側 。疋位部分’以及將 支持部加以連結的連結部分的步驟Λ及上述4 316390 42 338358 n. 一種引線框架之製造方 β 片的半導體裝置所用6用樹脂密封半導體晶 丁守月且衣直尸/Γ用的引線 載上述半導體晶片，同時使一二而且疋具有用來搭 露出的露出面，使另—方w 面作為從密封樹脂 脂内的密封面的晶片支持部.作為在封在上述密封樹 與上述半導體晶片電性連接’ :乂及在上述密封樹脂内 側之面的安裝面的至少一部分與:上述露出面同 而密封在上述密封樹脂内 =樹脂露出 造方法， W、在邻的引線框架之製 其係包含以下步驟： 形：形成上述引線部的步驟； 驟；l ”反正形而形成上述晶片支持部的步 形成將上述晶片支持部結合在 線部的框部的懸垂引線部的步驟；以及’'寺上述引 使該懸垂引線部成形，使上述 露出面的位置比上述引線部的上 =的上述 安裝面側突出的向下定位步驟。裝面更朝向該 以.如申請專利範圍第17項之引線框架之制 中’上述向下定位步驟包含使上述懸垂：二' ？ 具有比起上述引線部偏置在上述_ 部成形為 向上定位部分；以及將該向上定位二:及之^ 持部加以連結的連結部分的步驟。 处日日片支 】9·—種半導體裝置之製造方法，其係包 利用申請專利範圍第]3項至f 乂弥. 罘】8項中任一項之 3】6390 43 1338358 方法製造引線框架的步驟； 將半導體晶片搭載於上述晶片 封面側的步驟；以及 J k山 使上述晶片支持部的上述露出面露 引線框架與上述半導夺上此 20 士由咬奎心 一同以樹脂密封的步驟。 .如申h專利乾圍第i 9項之半導靜 i Φ，m — 戶义牛導組裝置之製造方法， 線部的安裝面及上述晶片支持部的上、f i = *之引 於模具的平坦面的述路出面壓接 μ 卜利用密封樹脂穷封I-、+、21 線部及晶片支持部的步驟。 《山封上述引 21. 一種引線框架，是利用椒 置所用的引線框架， 體片的半導體裝 其係包含： 用來搭載上述半導體晶片， 從密封樹脂露出的露出面使$的面作為 上述密封樹脂内的密封的面作為密封在 ώ〜凹的日日片支持部； 5玄晶片支持部的厚度方向中門位署 支持部的緣部朝向側方突出， 置，從該晶月 持部的緣部施以來自± 糸糟由對於該晶片支 的壓印加I而形成的防止m —上述松封面側 22.如申請專利範圍第21項之σ 在密封樹脂内盥上辻本J 一，其中，又包含： 使與上述露出面同側之面的电性連接，並且 上述密封樹脂露出而密封在上2^至少—部分從 部；以及 处社'封樹脂内的引線 316390 44 1338358 將上述晶片支持部結合在用來保持該引線部的 框部’同時使上述晶片支持部的上述露出面的位置比 上述引線部的上述安裝面更朝向該安裝面側突出而 成形的懸垂引線部。 23.如申請專利範圍第22項之引線框架’其令，上述引 線部的安裝面以及上述框部之與上述安裝面同側的 表面是大致位在同一平面上。 如申請專利範圍第22項之引線框架，其中，上述懸 垂引線部具有：比起上述引線部偏置在上述安裝面之 =反側的向上定位部分；以及用來連結該向上定位部 刀及上述晶片支持部的連結部分。 25=引線框架，是利用樹脂密封半導體晶 裝置所用的引線框架， 干令篮 其係包含： 用來搭載上述半導體s U 产玄私似收吩 千蜍肢日日片，问時使一方的面作為 η曰路出的露出面’使另一方的面 ； 述也、封樹脂内的密封面的晶片支持部；·’、’ 、在 技在上述密封樹脂内與上述半導體晶片電性、表 ’並且使與上述露出 邶八…U 4 A j彳則之面的安裝面的$ ,丨、 4刀攸上述岔封樹脂露出而密封在上 夕一 的引線部；以及 *封細脂内 將上述晶片支持部結合在用來 的框部，同時使上i ’ f上迷引線部 比上述引線部的上述 、路出面的位置 而成形的懸垂引線细n 。该女裝面側突出 316390 45 1338358 2 6.如申咕專利範圍第2 5項之引線框架，其中，上述引 線部的安裝面以及上述框部之與上述安裝面同側的 表面是大致位於同—平面上。 27.如申請專利範圍第乃項之引線框架，其中，上述懸 垂引線部具有：比起上述引線部偏置在上述安裝面之 =反側的向上定位部分；以及用來連結該向上定位部 分及上述晶片支持部的連結部分。 —種半導體裝置，其係包含： 申請專利範圍第21項至第27項中任一項之引線 框架； 格載於該引線框架之晶片 的半導體晶片；以及 將上述引線框架及半導體晶片 片支持部的上述密封面 ，線框架之弓丨線部的安裝面及
    曰曰片密封成使上述引 片支持部的上述露出 316390 46
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