TWI337187B - Biaxial-optical polynorbornene-based film and method of manufacturing the same, integrated optical compensation polarizer having the film and method of manufacturing the polarizer, and liquid crystal display panel containing the film and/or polarizer - Google Patents

Biaxial-optical polynorbornene-based film and method of manufacturing the same, integrated optical compensation polarizer having the film and method of manufacturing the polarizer, and liquid crystal display panel containing the film and/or polarizer Download PDF

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TWI337187B TW094140029A TW94140029A TWI337187B TW I337187 B TWI337187 B TW I337187B TW 094140029 A TW094140029 A TW 094140029A TW 94140029 A TW94140029 A TW 94140029A TW I337187 B TWI337187 B TW I337187B
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Description

I8644pif.doc 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 方法本種雙軸光學聚冰片烯式薄膜及其f造 的製造方的整合光學補償偏先器及該偏= 示面板。更特定言一之種包士含該薄膜及/或該俺光器的液晶顯 片稀式薄膜,I呈有▲#發明係關於種雙轴光學聚冰 度方向中之負延辆、均衡之平面内延遲值及厚 偏光器的液晶顯示面板。 ㈣及/或遠 【先前技術】 “液晶顯示面板因其低功率消耗而甚至藉由電 右干小時,因其小體積而需要小空間,_其輕而 於搞帶,從而使其能夠廣泛地用於電視、筆記 ^ 桌上型電腦螢幕及其類似物中。同時,隨著 ^營幕區域的增加,寬視角、根據視角而抑^彩=的 尚對比度及螢幕上之均衡顯示變得特別重要。為此,正在 開發各種模式的液晶顯示面板’其使用扭轉向列(丁^液 晶元件(liquid crystal cell)、超扭轉向列(STN )液晶元件、 雙晶_TN液晶元件、垂直排列(VA)液晶元件及其類似 物。所有此等液晶元件因其固有之液晶排列而具有^有之 光學各向異性(optical⑽⑻⑽吖)。因此,為了補償歸因 1337187 'V 18644pif.d〇,
V
,需要一補 、 vq叫哥式l與2所 遲值(Rin)與厚度方向中之輯值(Rth) 1與2所給出之平面值(Rth): ⑴ (2)
Rin=(nx-ny)xd
Rth=(nz-ny)xd 其巾ηχ為薄膜平面内慢轴方向(X方向)中之折射率’ ^為垂直於薄膜平面内X方向之y方向中的折射率〜為 相厚度方向(z方向)中之折射率,且d為薄膜之厚度。 ★當Rin與Rth之間存在較大差值且任一值接近於〇時, 4膜可用作-具有單軸光學各向異性之補償薄膜,意即, 用作一單軸光學補償薄膜。當兩組份之絕對值大於〇時’ 4膜可用作一具有雙軸光學各向異性之補償薄膜意即, 鲁 用作一雙軸光學補償薄膜。該單軸光學補償薄膜被分為一 滿足nx#ny ξ nz之需求的A板及一滿足nxSn/nz之需求的c 板。邊雙轴光學補償薄膜滿足ηχ#η/ηζ之需求。當適當地 調整平面内延遲值(Rin)及厚度方向中之延遲值(Rth)時, 一雙軸光學補償薄膜可用作A板與C板兩者,其是單軸光 學補償薄膜。 儘管補償薄膜之平面内延遲值可經由諸如精確拉伸之 二次薄膜處理(secondary film processing)來控制,但是 難以經由二次薄膜處理來控制厚度方向中之延遲值。即, ⑧ 1337187 I8644pif.doc 田厚度方向中之固有雙折射率(inherentbirefringe如e)較 小時’厚度方向中之折射率可經由雙軸拉伸來控制。在此 情況下’待在厚度方向中所獲得之延遲值通常小於待使用 具有固有雙折料之材料在厚度方向巾所獲得的值。因 此幸乂佳的是使用一在薄膜之厚度方向中具有聚合物之分 子排列且在平面方向中具有互相不同之分子排列的透明材 料來製造補償薄骐。詳言之,當僅考慮到補償由液晶元件 所產生的延遲時,理想之補償薄膜應在液晶元件之光轴的 攀鏡像中具有光軸。因此,對於使用VA液晶元件或TN液 .曰曰元件的液晶顯示裝置,其中厚度方向中之折射率大於平 面方向中之折射率’需要一在厚度方向中具有負雙折射率 (negative birefringence)的負 C 板。 可用於補償薄膜之聚合物包含圓盤型液晶(美國專利 第5,583,679號)、在主鏈上具有平面苯基之聚醢亞胺(美 國專利第5,344,916號)、在厚度方向中包含可稱作光學相 位延遲劑之低分子量芳族化合物的纖維素酯薄膜(w〇 _ 2000/55657 )、聚碳酸酯薄膜(曰本專利特許公開申請案第
Hei 10-111412號)、開環聚合環狀烯烴式聚合物(作為商 品名“Arton”市售的補償薄膜)等等。 一合成諸如降冰片稀(norb〇rnene)之環狀單體的方 法包括開環複分解聚合(ROMP)、後面是氫化之開環複分 解聚合(HROMP )、與乙烯共聚合以及均相聚合 (homogeneous polymerization)。參看反應流程 1 ,可見 到,儘管使用相同之單體,但是根據所使用之聚合方法的 9 ⑧ 18644pif.doc 類型而獲得具有不同結構之聚合物。此等聚合物具有不同 的物理特性。 反應流程1
因為藉由ROMP而合成之聚合物每一重複單元具有 一不飽和鍵(unsaturated bond )’所以其具有非常差之熱穩 定性及氧化穩定性且主要用作熱固性樹脂。以此方式製 之熱固性樹脂可經由反應射出成形(RIM)而形成―電路 板(美國專利第5,〇11,730號)。然而,除了差之熱穩定性 及氧化穩定性之外,R〇MP聚合物還具有低玻璃轉移溫 ^。藉由氫化(添加氫)R0MP聚合物而獲得之Hr〇j^ 聚合物已增加了氧域錄,且通|具有比RQMp聚合物 之玻璃轉移溫度高約5(rc:的玻璃轉移溫度。㈣,歸因於 =於%狀單體(環戊烧單元)之間的乙稀基,HR〇Mp聚 二物仍具有低朗轉移溫度。此外,_的合成步驟、高 、生產成本以及差之機械特性限制了 HROMP聚合物之商 18644pif.doc 業用途。 乙烯與降冰片烯之共聚物亦具有約14〇°c或更少之低 玻璃轉移溫度(德國專利第109,224號)。 藉由使用均相催化劑對降冰片烯進行加成聚合而獲得 之聚冰片烯式聚合物(在下文中稱作“加成型聚冰片烯式聚 。物)之主鏈的每一重複單元具有一龐大的環結構。因 此,其具有非常高之約之⑽它或更大的玻璃轉移溫度,該 玻璃轉移溫度比ROMP聚合物或HR0MP聚合物之玻螭轉 1溫度向至少50。〇。因為其為非晶系聚合物,所以不存在 知因於光散射之光損失(不同於結晶聚合物)且不存在歸 因輛雙鍵之可見範圍中的光吸收。因此,其適於用作 補償薄膜。此外,加成型聚冰㈣式聚合物薄膜在厚度方 向中具有負雙折射率(韓國專利特許公開申 2〇04·0005593號)。在沒有雙軸拉伸之情況下,厚度方向 中之大延遲甚至是藉由溶紐鑄或塗佈來充分地獲得 沿一平行於薄膜平面之方向單軸地 可⑽有延遲之所獲得的薄獲得,所以 狗1之,t由光學補償薄膜的生產過程。可藉由單軸拉伸而 Γ于“旱度方向中及在平面方向中之延遲值的範圍亦較 融化丄里型式聚合t因高玻璃轉移溫度而不易被 之效應,ft 溶劑驗方法來處理。歸因於溶劑 之玻璃轉移2騎_未完全錢之薄料有顯著減少 2移溫度,此使其甚至在低溫下亦能夠被拉伸。 文所述,包含溶劑之薄膜甚至在低於聚合物之玻 1337187 18644pif.doc 璃轉移溫度之溫度下亦可姑 至在低於聚合物之麵轉’且。含增輔之薄膜甚 本專利特許公開申請索第 來拉伸薄膜的方法。10重量%之溶劑 5-_號揭露了-用於案第,1 計3至10重量%時,將^的量是以固體之重量 的溫度下在薄膜進行方向;於·。C或更少 本專利特許公财請轉7姻=^MD)中拉伸。曰 固體之重量計10重量丨虎揭路了一用於使用以 法。曰本專利特許公開===: =物中使用增塑劑及2重量: 對加=。3^用广在部分地乾燥之後拉伸藉由 進行溶劑鱗而獲得之薄膜的方 問題,’使用增塑劑會導致所獲得之薄膜: 度的溫度下拉伸經料乾燥之1時溶劑之沸點溫 進行相對心 ^.J r, 3¾ II ^ ^ 6,14丨,〇75號)。 〜栖截面圖(美國專利第 12 1337187 18644pif.doc 參看圖1,一 A板3及一由聚乙烯醇(pvA)組成之 偏光器7順序地疊層於一液晶元件1之第一表面上。在偏 光器7之一個表面上,或較佳地在兩個表面上,由三乙酿 基纖維素(TAC )組成之透明保護薄膜5及9是利用一用 於保邊偏光7之黏接劑來叠層。一負c板3'及一由pva 組成之偏光器7,順序地疊層於液晶元件丨之第二表面上。 在偏光器7·之一個表面上,或較佳地在兩個表面上,由TAC 組成之透明保護薄膜5,及9,是利用一用於保護偏光器7之 黏接劑來疊層。同時,在另一 VA液晶顯示器中,八板3 與負C板3•皆可形成於液晶元件1之一個表面上,且如圖 1中所說明之A板3之位置與負C板3,之位置可互相交換。 然而,具有此結構之習知液晶顯示器1〇包含許多薄膜 層,諸如液晶元件1上之A板3、負C板31、偏光器7及 7以及透明保護薄膜5及9,從而使得難以獲得薄之液晶顯 =器及簡化之製造製程。此外,TAC保護薄膜導致諸如在 兩溫及歸因於其相對較高之吸濕特性之高濕度下的光沒漏 及偏光度減少的問題,且具有差之耐久性。 曰^專巧特許公開申請案第hei 1〇 imi2號揭露了 一用於藉由單軸地拉伸使用溶液澆鑄方法而獲得之聚碳酸 S旨薄膜來製造補償㈣以為其提供雙折射率的方法。藉由 使用此方法,可獲得—在被使料不具有触及剝落的延 遲薄在整個薄膜上具有不顯著的延遲不均衡性且適 於色彩補償(〇)k)reGmpensati()n)。然而,在聚碳酸醋之情 況下’難以藉由單軸拉伸在厚度方向中實現充分之延遲值。 ⑧ 13 1337187 18644pif.doc 同時’有機聚合物之拉伸通常是在聚合物之玻璃轉移 溫度或更大之溫度下進行。舉例而言,在日本專利特許公 開申請案第hei 10-111412號中,聚碳酸酯薄膜於145°C至 155C的/皿度下在一加工方向(machjne_direct;i〇n)中被單 軸地拉伸,戎溫度接近於聚合物之玻璃轉移溫度(約 150C)。曰本專利特許公開申請案第2〇〇ι_215332號揭露 了-製造開環聚合環狀聚冰㈣式薄_方^在此方法 '中’將該開環聚合環狀聚冰片婦式薄膜(例如,作為商品 名Arton市售的薄膜)充分地乾燥,且在比低玻璃轉移溫 m2rc)大至少3叱的溫度下,特別是在比該低玻璃 胍又(<20〇C)大32〇C至60°C的溫度下將其拉伸。 人物膜乍為補償薄膜之來自加成型聚冰片烯式聚 中_“加成型聚冰片稀式薄膜,,)且 =:C或更大之高麵轉移溫度。因此,如在一般敎 :伸m設定至高於聚合物之玻璃轉移溫度時, 因此易破碎。因此,此外’薄膜較脆,且 充分乾燥之加成型二;稀式薄拉伸 遲之雙轴光學薄膜時,可㈣各種_八有千面内延 法:括製造雙轴光學聚冰片稀式薄以方 邊如二氯甲貌之高揮發性低沸點溶劍 14 1337187 ¥ 18644pif.doc 冰,式聚合物溶液;在-基板上洗鑄該 稀式聚合物麵;料喊賴溶液以 聚冰片 獲得經部分乾燥之
==力及低生產成本,僅使用高揮 = 的物方法是有_,料射町_ ••㈣在^^ 間恆定地控制經部分乾燥之薄膜中的剩餘溶劑量,且因容 ==:::難~制所獲得之_稀 【發明内容】 本發明提供一種雙轴光學補償薄膜,其具有 及均衡之平面内延遲值且用作負C板與A板兩者,藉此促 進薄液晶顯示器的生產及簡化之生產過程。 曰 本發明亦提供-種用於使用一單軸拉伸方法來製造雙
轴光學聚冰片烯式_的方法,其比雙轴拉伸方法更ς 且更具成本效益。 本發明亦提供一種整合光學補償偏光器,其在高濕度 條件下具有更好之敎性及絲率从均衡的平面内= 值’且用作-負c板…Α板以及—用於偏光器之透明保 護層’藉此促進薄液晶顯示器的生產。 本發明亦提供一種用於有效地製造整合光學補償偏光 器之方法。 本發明亦提供一種液晶顯示面板,其使用雙軸光學聚 18644pif.doc 冰片烯式薄膜或整合光學補償偏光器。 根據本發明之一態樣,提供一種由加成型聚冰片烯式 聚合物組成之雙軸光學聚冰片烯式薄膜,其中當nx為薄膜 平面内慢軸方向(X方向)中之折射率、ny為垂直於薄膜 平面内X方向之y方向中的折射率、112為薄膜厚度方向(z 方向)中之折射率、且Nz=(nx-nz)/(nx-ny)時,該薄膜滿足 nx> ny>nz 及 1$NZ$10 的兩需求。 雙軸光學聚冰片烯式薄膜可具有由等式1所定義之自 30 nm至500 nm範圍内的Rin值及由等式2所定義之自-50 nm至-500 nm範圍内的Rth值。
Rin=(nx-ny)xd ⑴
Rth=(nz-ny)xd (2) 其中nx為薄膜平面内慢軸方向(X方向)中的折射率, ny為垂直於薄膜平面内X方向之y方向中的折射率,112為 薄膜厚度方向(z方向)中之折射率,且d為薄膜之厚度。 根據本發明之另一態樣,提供一種製造雙軸光學聚冰 片烯式薄膜之方法,其包括:藉由將一聚冰片烯式聚合物 溶解於一包含高沸點溶劑及低沸點溶劑之混合溶劑中來製 備一組合物,其中該等兩溶劑之沸點相差20t或更大,且 該高沸點溶劑的量為以該聚冰片烯式聚合物之重量計0.1 至15重量%;澆鑄且部分地乾燥該組合物以獲得一聚冰片 18644pif,doc 烯式薄膜,其包含以該聚冰片烯式薄膜之總重量計1至6 重量%的混合溶劑;及於一比高沸點溶劑之沸點小+20°C或 等於該沸點的拉伸溫度下,在一與該薄膜之表面平行之方 向中單軸地拉伸該經部分乾燥之薄膜,且在一大於或等於 該高沸點溶劑之沸點的溫度下乾燥該經拉伸的薄膜。 根據本發明之另一態樣,提供一種製造雙軸光學聚冰 片烯式薄膜之方法,其包括:藉由將一聚冰片烯式聚合物 溶解於一包含高沸點溶劑及低沸點溶劑之混合溶劑中來製 備一包含聚冰片烯式聚合物的組合物,其中該等兩溶劑之 彿點相差20。(:或更大,且該高沸點溶劑的量為以該聚冰片 稀式聚合物之重量計0.1至15重量% ;洗鑄且部分地乾燥 該組合物以獲得一聚冰片烯式薄膜,其包含以該.聚冰片歸 式薄膜之總重量計1至6重量%的混合溶劑;及於—比高 彿點溶劑之沸點小+20°C或等於該沸點的拉伸溫度下,在 兩個與該薄膜之表面平行之方向中雙軸地拉伸該經部分乾 燥之薄膜,且在一大於或等於該高沸點溶劑之沸點的溫度 下乾燥該經拉伸的薄膜。 根據本發明之另一態樣’提供一種整合光學補償偏光 器,其包含:一雙軸光學補償薄膜,其是由一加成型聚冰 片歸式t合物組成,其中,g nx為薄膜平面内慢轴方向(X 方向)中之折射率、ny為垂直於薄膜平面内χ方向之y方 向中的折射率、nz為薄膜厚度方向(z方向)中之折射率、 且 Nz=(nx_nz)/(nx_ny)時’該薄膜滿足 ηχ>ι^>Πζ 及 的兩需求;及一偏光器,其是由聚乙烯醇(pvA)組成, ⑧ 17 I8644pif.doc 其與聚冰片稀雙軸光學補償薄膜疊層並包含峨及/或雙向 色染料(dichroic dye)。 根據本發明之另一態樣,提供一種製造整合光學補償 偏光器的方法,其包括:藉由將一聚冰片烯式聚合物溶解 於一包含高沸點溶劑及低沸點溶劑之混合溶劑中來製備一 包含聚冰片烯式聚合物的組合物,其中該等兩溶劑之沸點 相差20°C或更大’且該高沸點溶劑的量為以該聚冰片稀式 聚合物之重量計0.1至15重量°/。;澆鑄且部分地乾燥該組 合物以獲得一聚冰片烯式薄膜,其包含以該聚冰片烯式薄 膜之總重量計1至6重量%的混合溶劑;於一比高沸點溶 劑之沸點小+20°C或等於該沸點的拉伸溫度下,在一橫向 方向中單軸地拉伸該經部分乾燥之薄膜,且在一大於或等 於該高沸點溶劑之沸點的溫度下乾燥該經拉伸的薄膜;及 定位在橫向方向中具有光軸之聚冰片烯式薄膜及在加工方 向具有吸收軸之偏光薄膜,使得該光軸垂直於該吸收軸, 且使用一卷軸式(roll-to-roll)方法將其疊層。 根據本發明之另一態樣,提供一種製造整合光學補償 偏光器的方法,其包括:藉由將一聚冰片烯式聚合物溶解 於一包含高沸點溶劑及低沸點溶劑之混合溶劑中來製備一 包含聚冰片稀式聚合物的組合物’其中該等兩溶劑之沸點 相差20°C或更大’且該高沸點溶劑的量為以該聚冰片烯式 聚合物之重量計0.1至15重量% ;澆鑄且部分地乾燥該組 合物以獲得一聚冰片烯式薄骐’其包含以該聚冰片烯式薄 膜之總重量計1至6重量%的混合溶劑;於一比高沸點溶 1337187 lS644pif.doc 工 幻之/弗點小+20 C或等於該彿點的拉伸溫度下,在一加 方向中單軸地拉伸該經部分乾燥之_,且在―大於或等 ^該高沸點溶劑之沸點的溫度下乾燥該經拉伸的薄膜;及 丄在加工方向中具有光軸之聚冰片烯式薄膜旋轉%度,且 =位聚冰片稀式賴及在加X方向巾具有吸㈣之偏光薄 、使仔該光㈣直於舰收軸,並將其叠層。若加成型 ^冰片膜具有負雙折射率,意即,拉伸方向之折射 ^小於_之橫向方向的折射率,則其可被卷軸式疊層而 禾旋轉90度。 战、^製:4雙軸光學聚冰Μ朗膜之方法及製造整合光 貝偏光之方法中’混合溶劑可更包含以聚冰片稀式 之重量計〇.1至2〇〇重量%的溶劑,該溶劑具有一 ;丨於高彿點溶劑之沸點與低沸點溶劑之沸點之間的沸點。 勺八根據本發明之另一態樣,提供一種液晶顯示.面板,其 ^ 一液晶元件;一雙軸光學補償薄膜,其形成於該液 ^疋件之第—表面上;―第—保護薄膜,其形成於該補償 筮犋上;一第一偏光器,其形成於該第一保護薄膜上;一 弟二保護薄膜,其形成於該第一偏光器上;一第三保護薄 其形成於該液晶元件之第二表面上;—第二偏光, 成於該第三保護薄膜上;以及一第四保護薄膜,其形 碡第二偏光器上,其中該雙軸光學補償薄膜是由加成 1水片稀式聚合物組成,且其中當ηχ為薄膜平面内χ方 向中之折射率、ny為垂直於薄膜平面内χ方向之y方向中 的折射率、nz為薄膜厚度方向(z方向)中之折射率、且 ⑧ 19 1337187 Νζ=(ηχ-ηζ)/(ηχ·η>ί)時,該雙軸光學補償薄臈滿足ηχ>~>ηζ 及l$Nz$l〇的兩需求。在該液晶顯示面板中,薄膜及偏光 器可利用一黏接劑來疊層,且雙軸光學補償薄膜及第三保 。蒦4膜可藉由一壓敏黏接劑而附著至液晶元件。此亦矸應 用至以下態樣。
一第二保蠖薄膜, 根據本發明之另一態樣,提供一種液晶顯示面板,其 包含:一液晶元件;一整合光學補償偏光器,其形成於該 液晶元件之第一表面上,其是由—鄰近於該液晶元件之雙 軸光學補償薄膜及一形成於該雙軸光學補償薄膜上之第一 偏光器組成,該雙軸光學補償薄膜亦作為一第一保護薄 犋;一第二保護薄膜,其形成於該第一偏光器上;一第三 保邊薄膜’其形成於該液晶元件之第二表面上;一第二偏 光器,其形成於該第三保護薄膜上;以及一第四保護薄膜, 其形成於該第二偏光器上,其中該雙軸光學補償薄膜是由 加成型聚冰片稀式聚合物組成’當nx為薄膜平面内X方向 中之折射率、ny為垂直於薄膜平面内X方向之y方向中的 ^射率〜為涛膜厚度方向(z方向)中之折射率、且 Ζ=(ΐνηζ)/(ΐνη〇時,該雙軸光學補償薄膜滿足ηχ>η >n2 且該第一偏光器是由包含峨或雙向 另一態樣,提供一種液晶顯示面板,其 :一第一保護薄膜,其形成於該液晶元 —第一偏光器,其形成於該第一保護薄 薄膜’其形成於該第一偏光器上;一雙 20 1337187 18644pif.doc 噶
V 軸光學補償薄膜,其形成於該液晶元件之第二表面上;一 第三保護薄膜,其形成於該雙軸光學補償薄膜上;一第二 偏光器,其形成於該第三保護薄膜上;以及一第四保護薄 膜’其形成於該第二偏光器上,其中該雙轴光學補償薄膜 疋由加成型聚冰片豨式聚合物組成,且當ηχ為薄膜平面内 X方向中之折射率、ny為垂直於薄膜平面内χ方向之乂方 向中的折射率、〜為薄膜厚度方向(z方向)中之折射率、
且Nz=(rvnz)/(nx_ny)時’該雙軸光學補償薄膜滿足〜〉 及iSNjlo的兩需求。 恨佩不贫明之另 曰件;―第—雙軸光學補償薄膜,其形成於 。第-Ξ轴J第二ΐ面上;—第—保護薄膜,其形成於該 -保iC薄膜上;一第一偏光器,其形成於該第 上;二第1護薄膜’其形成於該第一偏光器 二#面卜—雙軸光學補償細’其形成於紐晶元件之第 ί薄膜上·’ —Ϊ三保護薄膜’其形成於該第二雙轴光學補 以及-第四形成於該第三保護薄膜上·’ 第-其形成於該第二偏光器上,其中該 合物組學償薄膜是由加成型聚冰片歸式聚 垂直於薄肢二χ為溥獏平面内χ方向中之折射率、為 厚度方向方向内)χ方向之y方向中的折射率、為薄臈 ^ ^ ^ ^ N^n;nz)/(n-y)^ ^ 匕似〇的兩1雙南仏薄膜滿足ηχΆ及
21 18644pif.doc 根據本發明之另-態樣,提供—種液晶齡面板,其 2楚二晶元件;-第-保護薄膜,其形成於該液晶元 肢卜.一:面上」7第一偏光器’其形成於該第-保護薄 人忠與h—h核,其形成於該第m上;-整 偏光器’其形成於該液晶元件之第二表面上, 二雙軸學補償薄膜及一形成 ^ . 、上之第一偏光器組成,該雙軸光學 ί二於:二為一第三保護薄臈;以及一第四保護薄膜, 偏光器上’其中該雙轴光學補償薄膜是由 力H水片烯式聚合物組成,且當ηχ為薄膜平面内X方 向中之折射率、〜為垂直於薄膜平面内X方向之y方向中 的折射率、ΠΖ為薄膜厚度方向(z方向)中之折射率 '且 Nz=(nx-nz)/(ivny)時’該雙轴光學補償薄膜滿足^〜 及跳训的兩需求’且該第二偏光ϋ是由包含碟或雙向 色染料的聚乙烯醇(pVA)組成。 根據本發明之另一態樣,提供一種液晶顯示面板,其 包含厂液晶元件;—整合光學補償偏光器,其形成於該 液晶兀件之第-表面上’其是由—鄰近於該液晶元件之第 一雙軸光學補償薄膜及一形成於該第一雙軸光學補償薄膜 上之第:偏光器組成,該第一雙軸光學補償薄膜亦作為一 第一保護濤臈;一第二保護薄膜,其形成於該第一偏光器 上,一整合光學補償偏光器,其形成於該液晶元件之第二 表面上’其是由一鄰近於該液晶元件之第二雙軸光學補償 溥膜及-*形成於該第二雙軸光學補償薄膜上之第二偏光器 1337187 *κ 18644pif.doc 組成,^二雙料學補償薄膜亦作n保嗖薄膜; 以及-第^轉薄膜’其形成於該第二偏 光學補償薄膜是由加成型聚冰片稀式聚 為薄膜平面内χ方向中之拆射率、~為垂 戶二方:、χ方向之"方向中的折射率、“薄膜厚 第 亥第—又軸光學補償薄膜滿足nx>ny>n及匕Ν$10
該苐—及該第二偏光器是由“碘靡色 木枓之聚乙烯醇(PVA)組成。 ^在根據本發明之遙樣的液晶顧示面板中,該.等保護薄 膜可為三乙酿基纖維素(TAC)薄膜、開環聚:聚;烯
式薄膜、肖自氫化開環聚合環狀稀烴聚合物而獲得之 HROMP聚合物、聚薄膜或加成聚合聚冰片烯式薄膜中 之任=物。聚冰㈣式賴可包含雙軸光學聚冰片稀式薄 膜、单轴光學聚冰片烯式賴或未經拉伸之聚冰片稀式薄 膜。此外,任何透明之聚合物薄膜可用作保護薄膜。因為 聚冰片烯式薄臈在高濕度下具有比TAC薄膜更好之耐久 性,所以當其用作保護薄膜時,其可疊層於pvA偏光器上 而未在其表面上進行酸或鹼處理,藉此簡化了偏光器之製 ie·製程。在根據本發明之態樣的液晶顯示面板中,偏光器、 保護薄膜以及補償薄膜之排列不限於如上文所述之結構, 且可使用此項技術中已知的所有組態。 在根據本發明之態樣的液晶顯示面板中,偏光器可為 一包含碘或雙向色染料之PVA薄膜。 23 1337187 18644pif.doc 在根據本發明之態樣的液晶顯示面板中,液晶元件 折射率在電壓之啓動(〇 η)或關閉(〇 ff)時可較佳滿足n X ^ ^ < nz的需求。此指示以下—液晶模式:其在負雙浙射X率= ,像中具有雙折射率,意即,聚冰片稀加成聚合物薄膜之 厚度方向的折射率值小於其平面方向的折射率值。、
加成型聚冰片稀式聚合物組成之第一及第二雔 =償薄膜可較佳用於—垂直排列(VA)模式之液“示 '面板中。在此情況下,補償歸因於液晶層之雙折 ' 學相位延遲的效率得以改良。 九 根據製造本發明之雙軸光學聚冰片烯式薄膜之方法 :具有平_㈣與厚度方向巾之_兩相雙風策 水單轴地拉伸在厚度方向中具有固有雙折射率= 造=式聚合物來製造。因此,可簡化雙轴光學薄膜j
=二Γ片烯式雙軸光學薄膜可替代兩個習 先于補侦溥膜,意即’Α板及負c板。當聚冰片烯 用作PVA偏光器之保護薄膜時,A板、負二二, 偏光器之㈣_可藉由根據本發明之 A 本發明顯著地促進了液晶 補r说!則化之生產雜。此外’ 0為#製造整合光成 補该偏光器時可使用與PVA 楚口先予 ,,所以在橫向方向中拉伸爾==層 此外,根據本發明之製造方法,在效的' 聚合物之_轉移溫度小很多之溫度下拉伸加成型== ⑧ 24 1 1337187 18644pif,doc 烯薄膜,藉此防止加成型聚冰片烯式拉伸薄膜變黃。 【實施方式】 現在將更詳細地描述根據本發明之一實施例製造雙軸 光學聚冰片烯式薄膜的方法。
根據本發明之當前實施例,一雙軸光學聚冰片烯式薄 膜僅是藉由單軸拉伸來製造。在此方法中’可藉由根據本 發明之當前實施例而製造的一個雙軸光學補償薄膜來取代 兩個單軸光學補償薄膜,意即,一 A板及一C板。 首先,將一聚冰片烯式聚合物溶解於一包含高沸點溶 劑及低沸點溶劑之混合溶劑中以製備一包含聚冰片烯式聚 合物的組合物。該混合溶劑可更包含少量之至少一溶劑, 該至少一溶劑具有一介於該高沸點溶劑之沸點與該低沸點 溶劑之沸點之間的沸點。
高沸點溶劑較佳具有100°C_180°C的沸點,且更佳具 ,100°C-160°C的沸點,但其並不特別限於此。高沸點溶 齊1減少歸因於拉伸而易於出現之補償薄膜之延遲值的不均 。高沸點溶劑之實例包含環己酮、二曱苯、茴香醚、 曱笨、乙基曱苯、均三曱苯、卜丁醇、二氣丙烧、 氟乙稀及其類似物,但其並不限於此。此等溶劑可單獨 地或以兩個或兩個以上之組合來使用。 p低沸點溶劑較佳具有35tMl5〇C的沸點且經添加以改 生產力°當―拉伸溫度類似於或大於低彿點溶劑 模數變:匕最因於溶劑之揮發之經部分乾燥之薄膜的 夂匕最小化,且因為經部分乾燥之薄膜中之低;弗點溶 1337187 I8644pif.doc 劑的含量減少,所以可獲得均衡之平 溶劑之實例包含二氣甲烧、甲笨、二異_κ弗點 四虱咳味、二賊、三氣甲院、_ 甲軋Ψ燒、 乙,、乙酸甲醋、乙酸乙I乙s_、=t、甲酸 但其並不限於此。此等溶劑可單獨地或以兩似物, 之組合來使用。馨於均衡之平面内延遲值的建=兩固以上 f擇具有35。〇至MC之彿點以及具有比的 彿點小至少2(TC (較佳為4(rc) :弗點〉谷劑之 沸,劑:猶圍與高彿點溶劑之彿點範園::劑兴低 而:,其意味諸如甲笨之溶劑可為根據與另牛= 的咼沸點溶劑或低沸點溶劑。 之〜且5 為ί在於薄膜中之高沸點溶劑即使為少量亦可顯荖 地影響延遲值’所以將其與低沸點溶劑— 點溶劑之含量難以聚冰㈣ y = ,量,,較佳為重量%,且更佳為2_4里量;^2 亦點洛劑之含量小於〇.!重量%時,包含 田= 性的效應是不顯著的。當高沸:= V因此當在高溫及高濕度條件下被附著至液 可發泡或姆,且難以製造。 件時 〇12Γ^Γ更包含以聚冰片稀式聚合物之重量計 兮5,丨、一一里/〇 (較佳為ο.1,100重量%)的至少一溶劑, 二有—介於高彿點溶劑之沸點與低彿點溶劑 弗點之㈣_。在此情況下,歸因於乾燥溫度之遞增, 26 1337187 , 18644pif.doc 在乾燥時將較小之熱應力施加至薄膜,藉此提供了具有較 好之熱穩定性 '濕氣穩定性及尺寸穩定性(dimensional stability)的最終乾燥薄膜。 必要時,為了改良薄膜之機械強度、熱穩定性、光穩 定性及可管理性,組合物可包含諸如此項技術中已知之填 充劑、增塑劑、抗氧化劑、光穩定劑及/或抗靜電劑的添加 劑。 • 聚冰片烯式聚合物未被特別地限制,但可為藉由對由 式(1)所表示之一或多個降冰片烯式單體進行加成聚合而 獲得的均聚物或共聚物。經由降冰片烯式單體之加成聚合 之聚冰片烯式聚合物的製備方法被詳細地描述於韓國專利 特許公開申請案第2004-0005594號、第2004-0045108號 以及第2004-0049946號中。
其中m為0-4之整數;且R,、R2、113及仏之每一者 可相同或不同,且為一氫原子、一鹵素原子、一具有1-20 個石炭原子之線性或分枝的烧基、烯基或乙稀基、一具有5-12 個碳原子之經烴取代或未經取代的環烷基、一具有6-40個 碳原子之經烴取代或未經取代的芳基' 一具有7-丨5個碳原 子之經烴取代或未經取代的芳烷基、一具有3-20個碳原子 之炔基、一具有個破原子之線性或分枝的鹵烧基、鹵 1337187 18644pif.doc 稀基或鹵乙稀基、一具有5-12個碳原子之經煙取代或未經 取代的鹵環烷基、一具有6-40個碳原子之經烴取代或未經 取代的il芳基、一具有7-15個碳原子之經煙取代或未經取 代的鹵芳烷基、一具有3-20個碳原子之鹵炔基、或一包含 至少一氧原子、氮原子、碟原子、硫原子、矽原子或硼原 子的極性基。 R〗及R2或尺3及!<4可互相連接以形成一具有M0個 碳原子的亞烧基,且Ri或化可連接至R3及R4之任一者 籲 以形成一具有4-12個碳原子的飽和或不飽和環基或一具 有6-24個碳原子的芳族環狀化合杨。 包含至少一氧原子、氮原子、填原子、硫原子、石夕原 子或删原子的極性基之特定實例包含-C(=0)0R6、 -R5C(=0)0R6、-OR6、-R5〇R6 w〇c(〇)〇R6、-R50C(=0)0R6、 -C(=0)R6、-R5C(0)R6、-〇C(=0)R6、-R5〇C(=〇)R6、 -(R50)p-0R6 、 -(0R5)P-0R6 、 -C(=0)-0-C(0)R6 、 -R5C(=0)-0-C(=0)R6、-SR6、-R5SR6、-SSR6、-R5SSR6、 馨 -S(=0)R6、-R5S(=0)R6、-R5C(=S)R6、-R5C(=S)SR6、 -R5S03R6、_S03R6、-R5N=C=S、-NCO、R5-NCO、-CN ' -R5CN、-NNC(=S)R6、-R5NNC(=S)R6、-N02、及_R5N02、 -C(=0)N(R6)(R7)、-R5C(=0)N(R6)(R7)、-Si(R6)(R7)(R8)、 -R5Si(R6)(R7)(R8) 、 -Si(OR6)(OR7)(OR8) 、 -R5Si(OR6)(OR7)(OR8)、-N(R6)(R7)、-R5N(R6)(R7)、 -0C(=0)N(R6)(R7) 、-B(R6)(R7) 、-b(or6)(or7)、 _R5B(OR6)(OR7)、-p(〇R6)(〇R7)、-R5P(OR6)(〇R7)、 28 1337187 18644pif.doc -P(=0)(0R6)(0R7) 、 -R5P(=0)(0R6)(0R7) 、 -op(=o)(or6)(or7)以及 _0R5P(=0)(0R6)(0R7),但其並不 限於此。 在上式中,R5為一具有卜20個碳原子之線性或分枝的 烷基、鹵烷基、烯基、_烯基或_乙烯基、一具有4-12個 碳原子之經烴取代或未經取代的環烷基或鹵環烷基、一具 有6-40個碳原子之經烴取代或未經取代的芳基及鹵芳 基、一具有7-15個碳原子之經烴取代或未經取代的芳烷基 鲁 及鹵芳烷基、或一具有3-20個碳原子之炔基及鹵炔基; R6、R7及Rs之每一者為一氫原子、一鹵素原子、一具有 1-20個碳原子之線性或分枝的烷基、齒烷基、烯基、鹵烯 基、鹵乙烯基、院氧基、鹵烷氧基、羰氧基或氟羰氧基、 一具有4-12個碳原子之經烴取代或未經取代的環烷基或 鹵環烷基、一具有6-40個碳原子之經烴取代或未經取代的 芳基、鹵芳基、芳氧基或鹵芳氧基、一具有7_15個碳原子 之經烴取代或未經取代的芳烷基或鹵芳烷基、或一具有 Φ 3-20個碳原子之快基或鹵炔基;且P為1-1〇之整數。 因為一龐大之烴環具有一伸展構形,所以本發明中所 使用之聚冰片婦式聚合物具有光學各向異性。由於將極性 基引入至具有伸展構形之聚冰片稀式聚合物中,所以分子 間的相互作用增加。因此,分子間填充(interm〇lecular packing)具有一定向次序,且因此光學各向異性進一步增 加。此外丄歸因^增加之表面張力,聚冰片烯式聚合物對 PVA偏光器具有向的黏接力,且因此適於整合光學補償偏 29 lS644pif.doc 光器之製造。 接著,將組合物洗鑄於一基板上以形成一聚冰片稀气 薄膜。該基板未被特別地限制,但可為一鏡面研磨金屬帶 (mirror polished metal belt)或一玻璃板。此基板之表面 溫度可小於或等於室溫。將薄膜在基板上部分地乾燥。'"此 部分乾燥製程包含:第一部分乾燥步驟,其中將薄膜在比 低沸點溶劑之沸點小+20〇C的溫度下乾燥;及第二部分乾 燥步驟,其中將薄膜在大於或等於低沸點溶劑之沸點且^ 於或等於冑咖溶劑之雜的溫度下錢。冑在大於或 於低漭點_之_的溫度下執行第—部分賴步驟時, 歸因於低軸溶劑之蒸發,凹坑可軸於薄膜上。當 劑之沸點的溫度下執行第二部分乾燥步ς時,、 由餘高含量之溶劑,所以均衡拉伸是困難的。 此外,备在大於高沸點溶劑之沸點的溫度下執行第八 分==上且均衡拉伸是,的: 時,二::二=溶劑之含量小於1重量% 於6重量%時,薄2 =難的’且當混合溶劑之含量大 拉伸是困難的。儘管較二7 =程中1於起皺且均衡 二部分乾燥步驟,2 —基板上之_之後執行第 可在剝落該_之前執研磨基板之長度充分長時, 隨後,在比二部分乾燥步驟。 的拉伸溫度下H Λ劑之沸點小+贼或等於該沸點 罕又佳疋在-10〇t之高沸點溶劑之沸點至 1337187 18644pif.doc 货◦之高'弗點溶劑之沸點範圍内的拉伸溫度下,在一與 j膜表面平行之方向中使用一拉幅機(tenter)來單轴地拉 分乾燥之薄膜。所使用之拉幅機為一般的橫向方向 巾田機,其中一銷型(P丨n-type)或夾型(dip_type) 二^在執道上運行,但其並不限於此。必要時,可使用 壓达捲筒型(ni]>IOlltype)加工方向拉引拉幅機 伸比率調整至約1G1_2倍。因為聚冰片稀式聚合物具 所以其可用作一在厚度樹具有負雙 奸料的負C板。因此,當將聚冰片烯式薄膜在一平行於 - 薄膜平面之方向中拉伸以引起平面内延遲時,可僅藉由單 軸拉伸來獲得雙軸光學薄膜。然而,必要時,可藉^執行 諸如雙步驟拉伸方法的雙軸拉伸來製造雙軸光學薄膜,= 方法諸如在加工方向(MD)拉伸之後進行橫向方向、(TDX) 拉伸、或在TD拉伸之後進行MD拉伸,或為了改良該 膜之機械純,可II由執行共雙純伸(⑺_bia^ stretching)來製造。此雙軸光學薄膜可用作貞c板與a板 • ❺者。赛於藉由將薄膜疊層於偏光器上來製造整合光學 償偏,器的簡易性,較佳的是在薄膜之橫向方向中單二地 拉伸薄膜。參看圖2,將對其進行更詳細地描述。 —圖2示意性地說明以下一情況:其中根據本發明之一 實施例而製造的聚冰片烯式補償薄膜3"及偏光器7”被叠 層。在-用於VA液晶顯示面板之整合光學補償偏光器加 中,補償薄膜3"之光軸與偏光器7"之吸收軸應互相垂直。 田藉使用本發明之製造方法而使用一夾型TD拉幅機來製 31 1337187 18644pif.doc 造聚冰片稀式f#膜3"時’將其在橫向方向(與加工方向交 又)中拉伸以在相同方向中具有光軸。在此情況下,當將 經TD拉伸之雙軸光學聚冰片烯薄膜疊層於具有吸收 ,之P VA偏光器’7”上作為該偏光器之保護薄膜時,若兩個 薄膜均以卷軸式狀態位於加工方向中,則補償薄膜3,,之光 轴,偏光w之賴軸互祕直。因此,使用連續的卷軸 式疊層製程將來自獨立捲筒之聚冰片烯式薄膜3"與pVA 偏光器7"直接地疊層以製造一整合光學補償偏光器。 .在一製造根據本發明之另一實施例之整合光學補償偏 光器的方法中,與先前方法相反,將經MD單軸拉伸之雙 軸光學聚冰片烯式薄骐旋轉90度,且接著將其疊層於一具 有MD吸收軸之偏光薄膜上以製造一用於VA液晶顯示面 板之整合光學補償偏光器。 ” 在以此方式而製造之整合光學補償偏光器中,聚冰片 烯式薄膜可用作一負C板、一 A板及一用於該偏光器之保 護薄膜,藉此促進薄液晶顯示面板的生產及簡化之製造 程。 、 可藉由利用碘或雙向色染料對PVA薄膜進行染色來 製造本發明中所使用之偏光器,且並不特別限制其製造方 法。可使用黏接劑將偏光器疊層。即,首先藉由使^滾塗 機(r〇Ucoater)'凹板式塗佈機(gravure coater)、到棒塗 佈機(bar coater)、刮刀塗佈機(knife coater)或毛細管塗 佈機(capillary coater)而利用黏接劑來塗佈聚冰片烯式薄 膜或PVA薄膜。在黏接劑完全乾燥之前,將聚冰片烯式薄 32 1337187 18644pif.doc 膜與偏光器藉由利用疊層捲筒進行熱壓或冷愿來 而’當使用熱溶性黏接劑時,應使用熱壓捲筒。可^ ^ 接劑可為PVA黏接劑、聚胺基甲酸轉接劑、U 劑j乙稀丁二烯橡膠(SBR)黏接劑或熱炫性點^接 但”並不限於此。當使用聚胺基甲酸醋黏接劑時, 佳為-使用未被光變黃之脂族異氛酸醋化合物而製 接,。當使用-用於乾燥疊層之單組份或雙組份黏接^ 異氰酸醋與經基之反應性相對較低時,可使用 纖維素、㈣、贼芳族溶劑而稀釋之溶液黏接劑。點= 之黏度較佳小於50〇〇cps。亦可使用SBR黏接劑、兩邛1 型(two-parttype)環氧黏接劑等等。此等黏接劑可具^二 好之儲存穩定性及在400-800 nm處90%或更大之透光率= 若壓敏黏接劑可展示充分之黏接強度,則其亦可被使 用。較佳地,將壓敏黏接劑在疊層之後藉由熱輻射或紫外 輻射充分地固化以將其機械強度增加至黏接劑之水平,'使 得其黏接強度太高以致於不能將其剝落,而不損壞壓敏黏 接Μ所附著至之薄膜的一個或兩個側。可用之壓敏黏接劑 之特疋貫例包含天然橡膠、合成橡膠或彈性體'乙稀基氣/ 乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯烷基醚、聚丙烯酸酯、及具有 良好之光學透明性的改質聚烯烴壓敏黏接劑、以及藉由將 硬化劑添加至彼處而產生的硬化壓敏黏接劑。 為了改良聚冰片烯式薄膜之黏接強度,可將其表面利 用底塗層來塗佈或使用電暈放電、電漿放電、離子束照射 等等進行預處理。 ^ ⑧ 33 1337187 18644pif.doc 如上文所述之當前廣泛使用之作為偏光器之保護薄膜 的TAC為偏光器的良好保護器,但其具有相對較高之吸谭 特性,從而導致在高溫及高濕度條件下之光浪漏及偏光度 減少以及耐久性降低。然而,如在本發明中,當聚冰片稀 式補償薄膜用作偏光器之保護薄膜時,高溫及高濕度條件 下之光:¾漏及偏光度減少被防止,且與# TAC用作 膜時相比,财久性被改良。 ' 如上文所述,在製造根據本發明之一實施例之 稀式薄膜的方法中’在比高沸點溶劑之彿點小+2代或 自.t之高沸點溶劑之彿點 至C之间/弗點洛劑之滞點之範圍内的溫度下 仔了:透光率及均衡的平面内延遲值。 胃此獲 在大於或等於高滞點溶劑之海點的溫度下n 經拉伸的賴,直至剩餘之;下* 以獲得雙轴光學聚冰㈣式薄膜。於重董%, ^為薄膜平面内x方向( =二薄膜平面内x方向之y方向中的折Ί 旱又方向(Z方向)中之折射 2為 式補償输, KNZSH)的兩需求。 χ η^η2及 18644pif.doc 聚冰片稀式補㈣膜之平面喊遲值&可藉由改變 拉伸條件來調整。,當拉伸比率增加時,&傾向於增加, 且當溶劑之含量增加時,Rin傾向於減少。 马度方向中聚冰片烯式補償薄膜之延遲值R可获由 改變聚冰片婦式聚合物之分子結構及拉== 先關於聚冰片稀式聚合物之分子結構對之影響,當 將包含酯*、乙_、烷氧基、胺基、羥基1、羰基:鹵; 原子的極性基引入至由式(1)所表示之降冰片烯式單體中 時,Rth之絕對值傾向於增加。此外,當此極性基之含量增 加時,Rth之絕對值進一步增加。此外,當使用具有高值m 之由式(1)所表示的降冰片烯式單體、藉由減少測定取代 基之長度之Ri ' I、R3、&及Rs之碳原子的數目來減少 取代基之長度、或心及I或化及R4可互相連接以形成 一具有M0個碳原子之亞烷基、且Ri或&可連接至R3 及^之任一者以形成一具有4·12個碳原子之飽和或不飽 和%基或一具有6-24個碳原子之芳族環狀化合物時, 傾向於增加。關於聚冰片烯式聚合物之拉伸條件對心匕之 影響,當拉伸比率、在拉伸時之溶劑的含量、拉伸溫度及 軋燥溫度在拉伸及乾燥時間之後增加時,Rt卜之絕對值傾向 於增加。 當所獲得之雙軸光學聚冰片烯式補償薄膜具有1〇〇 μΐΏ的厚度時,由等式3所定義之Nz值在1-50、較佳為 1、1〇、且更佳為1-6之範圍内。Rin值為300-500 nm,較^ 為50-200 nm。Rth值在自-50 nm至·5〇〇 nm之範圍内,且 18644pif.doc 較佳在自-50 nm至-300 nm之範圍内。
Nz = (nx - nz)/(nx - ny) = 1 - (Rth/Rin) (3) 其中nx為薄膜平面内x方向(拉伸方向)中之折射率, ny為垂直於薄膜平面内拉伸方向之方向(y方向)中的折 射率,且nz為厚度方向(z方向)中之折射率。 根據本發明之一實施例的液晶顯示面板包括根據此項 技術中熟知之結構安置於液晶層之一上表面、一下表面或 兩個表面上的雙軸光學聚冰片烯式薄膜及/或整合光學補 償偏光器,且圖3至圖8中說明其詳細結構,但其並不限 於此。 在下文中’將參考以下實例及比較實例來詳細地描述 製造根據本發明之一實施例之雙軸光學聚冰片烯式薄膜的 方法。然而’此等實例僅是為說明性目的而被提供,且並 不將其理解為限制本發明之範疇。 實例1 將丁基降冰片稀/5-降冰月稀-2-缓酸丁酷(莫耳比: 5_/5)共聚物(PBu5-Be5NB)溶解於由以重量比98 : 2之 二氣甲燒(b.P.39.8_4(rc)及環己酮(b_p. 155.6。〇 組成 2劑系統中以獲得18重量%的聚合物溶液。將此溶液洗 心鏡面研《磨鋼板上且在3Gt下將其部分地乾燥1 hr (小 將所彳$相自該鋼板剝落且再次在1GG°C下將其部分 1337187 18644pif.doc 因Π: _ (分鐘)。量測薄膜之厚度及固體之含量。 因此2膜之厚度約為105 μη1且固體之含量約為95 8%。
^下使用夾型夾具以Μ倍之拉伸比率來單轴 =伸?膜。將薄膜在内加熱至航,同時維持 拉伸比率且在相同溫度下將其乾燥1()娜。緊接著,將薄 Μ冷部至7(TC,且在相同溫度下將其_ 2 _,且接著 移除張力。所;f于之經單轴拉伸之pBu5_Be5 NB薄膜沒有諸 如折皺及凹坑的缺陷,且因此其外觀為無暇的。 實例2 將丁基降冰片烯/5_降冰片烯_2_羧酸丁酯(莫耳比: 5/5 )共聚物(PBU5-Be5 NB )溶解於由以重量比97 : 3之
曱苯(b.p. 11〇.6。〇及環己酮(b.p. 155 6t:)組成之溶劑 系統中以獲得20重量%的聚合物溶液。將此溶液洗鑄於鏡 面研磨鋼板上且在室溫下將其部分地乾燥15 hr。將所得 薄膜自該鋼板剝落且再次在1〇〇〇c下將其部分地乾燥4 min。量測薄膜之厚度及固體之含量。因此,薄膜之厚度 約為108 μΐΏ且固體之含量約為95.5%。 在70°C下使用如在實例1中所使用之夾型夾具以i 4 倍之拉伸比率來單軸地拉伸薄膜。將薄膜在10min内加熱 至160°C,同時維持拉伸比率且在相同溫度下將其乾燥1〇 min。緊接著,將薄膜冷卻至70°c,且在相同溫度下將其 維持2 min ’且接著移除張力。所得之經單軸拉伸之 PBu5-Be5NB薄膜沒有諸如折皺或凹坑的缺陷,且因此其 外觀為無暇的。 37 I8644pif.doc 實例3 將5_降冰片烯-2-乙酸烯丙酯/5_降冰片烯_2_羧酸曱酯 (莫耳比:7/3)共聚物(PAa7-Me3 NB)溶解於由以重量 比 97 : 3 之曱苯(b.p. 11〇.6。〇 及環己酮(b.p. 155.6。〇 組成之溶劑系統中以獲得2 〇重量%的聚合物溶液。將此溶 液澆鑄於鏡面研磨鋼板上且在室溫下將其部分地乾燥15 hr。將所得薄膜自該鋼板剝落且再次在1〇〇〇c下將其部分 地乾燥8 min。量測薄膜之厚度及固體之含量。因此,薄 膜之厚度約為110 μηι且固體之含量約為96.0%。 在90°C下使用如在實例!中所使用之夾型夾具以12 倍之拉伸比率來單軸地拉伸薄膜。將薄膜在1〇min内加熱 至190°C,同時維持拉伸比率且在相同溫度下將其乾燥1〇 min。緊接著,將薄膜冷卻至7〇。〇,且在相同溫度下將其 維持2 min,且接著移除張力。所得之經單軸拉伸之 PAa7-Me3NB薄獏沒有諸如折皺或凹坑的缺陷,且因此复 外觀為無暇的。 〜 實例4 將5-降冰片烯-2-乙酸烯丙酯/丁基降冰片烯/5_降冰 烯-2-羧酸甲酯(莫耳比:7/1.5/1.5 )丘职a (PAa7-Bul.5-Mel.5 NB)溶解於由以重量比97 : 3之甲— (b.p. 110.6C)及環己酮(bp i55.6°C)組成之溶劑系, 中以獲得20重量%的聚合物溶液。將此溶液洗鱗於鏡面、“先 磨鋼板上且在室溫將其部分地乾燥丨.5 hr。將所得=研 自該鋼板剝落且再次在10〇ac下將其部分地乾燥 '犋 ,s m 1 η _ 1337187 18644pif.doc 厚度及固體之含量。因此,薄膜之厚度約為1〇6 阿且固體之含量約為% 2%。 ^ % 在 C下使用如在實例1中所使用之夾型夾I以 :::比ί ί單軸地拉伸薄膜。將_在10 ΜΗ内加熱 • 日彿持拉伸比率且在相同溫度下將其乾燥10 H 2、者’將_冷卻至90t,且在相同溫度下將其 PA 7 B ITV且接著移除張力。所得之經單軸拉伸之 =薄膜沒有諸如折皺或凹坑的缺陷, 實例5 烯:二〜:-(PAa7-BuM_MeU NB )轉於㈣重 苯(b.P.uoec)及環己_ (bp l55 6〇r、匕九98.土之甲 統:以獲得2°重量%的聚合物溶液。將此溶二澆 =鋼板上且在3叱下將其部分地乾燥 膜自_板剝落且再次在赋下 , -。量測薄膜之厚度及固體之含量。因此,薄= 約為丨〇1 μηι且固體之含量約為% 8%。 又 在1HTC下使用如在實例丨中所使用 :.=Γ率來單轴地拉伸薄膜。將薄膜在1上 燥1〇_。緊接著,將薄膜冷卻至9〇。。 將其維持2 _,且接著移除張力。所得之經單轴^之
39 18644pif.doc PAa7-Bul.5-Mel.5 NB 薄膜沒古心, 且因此其外觀為無暇的有私折贼凹坑的缺陷, 比較實例1 將丁基降冰片稀/5-降冰片歸相酸丁醋(莫耳比· 5^)共聚物(PBu5初NB )溶解於二氣甲烧从· ^獲得18重量%的聚合物溶液。將此溶錢鑄於鏡面研) 2板上且在坑下將其部分地乾燥30 min。將所得薄: 、自/亥鋼板剝洛,且量測薄膜之厚度及固體之含量。、 薄膜之厚度約為115μηι且固體之含量約為95 8%。 在70°C下以1.3肖之拉伸比率來單轴地拉伸薄 間,該薄膜被部分地破壞。薄膜在拉伸方向中具继', j將其置放於正交尼科耳(en)ssed Ni⑶丨)狀態中 光态之間時,歸因於延遲值之不均衡性而觀察到污點。 比較實例2 ‘” 將丁基降冰片烯/5-降冰片烯_2_羧酸丁酯(莫耳比. 5/5)共聚物(PBu5-Be5NB)溶解於甲笨(bp 11〇6^) 中以獲得18重量%的聚合物溶液。將此溶液鱗於鏡面研 磨鋼板上且在室溫下將其部分地乾燥1.5 hr。將所得薄祺 自該鋼板剝落且再次在丨0 0艺下將其部分地乾燥2 m丨η。量 測溥膜之厚度及固體之含量。因此,薄膜之厚度約為⑺1 μιη且固體之含量約為95.2%。 在70°C下使用如實例丨中所使用之夾型失具以丨2仵 之拉伸比率來單軸地拉伸薄膜。將薄膜在1 〇 min内加熱至 16〇c,同時維持拉伸比率且在相同溫度下將其乾燥 18644pif.doc =。,著’=膜冷卻至7〇1且 L日二二著移除張力。薄膜在拉伸方向 歸因於延遲值之不均衡性而觀察至偏心之間時, 比較實例3 將丁基降冰片稀/5·降冰片稀倾酸 5/5)共聚物WBe5NB)溶解於由以 ,甲烧(b.pim:)及環己酮(bp l55 6t)8^之 岭劑系統巾W獲得18重量%的聚合物溶液 2 於鏡面研磨鋼板上且在卿下將其部分地乾燥1 f薄膜自該鋼板以次在下將其部分地乾= h二議膜之厚度及固體之含量。因此,薄膜二1 為115μηι且固體之含量約為99 2%。 又、,勺 在一 160C下α 1.2倍之拉伸比率來單軸地拉伸薄 間,該薄膜被部分地破壞。㈣在拉伸方向中具 ^ 且當將其置放於正交尼科耳狀態中之偏光器n =因 於延遲值之不均衡性而觀察到污點。 f因 比較實例4 將丁基降冰片稀/5-降冰片稀_2•賴丁⑽(莫 5/5)共聚物(PBu5-Be5NB)溶解於由以重量比97 甲苯(仏應。〇及環己酮(b.p.155 6t:)組成之溶= 糸統中以獲付2G重量%的聚合物溶液。將此溶液洗鱗於二 面研磨鋼板上且在3Gt下將其部分地顏丨^ 膜自該鋼板剝落且再次纟1〇(rcT將其部分地乾^ 1337187 18644pif.doc mm。罝測薄膜之厚度及固體之含量。因此,薄膜之厚度 約為108μηι且固體之含量約為93 〇%。 在70 C下使用如實例1中所使用之夾型夾具以13倍 之拉伸比率來單軸地㈣_。將_在1Qmin内加熱至 160C ’同日}維持拉伸比率且在相同溫度下將其乾燥 min。緊接著’將薄财卻至抓,且在相同溫度下將盆 維持2 min,且接著移除張力。薄膜在拉伸方向中具有折
,’且#將其置放於正交尼科耳狀態中之偏光ϋ之間時, 歸因於延遲值之不均衡性而觀察到污點。 比較實例5 將5-降冰片稀乙酸烯丙醋/丁基降冰片烯/5·降 烯-2-綾酸甲醋(莫耳比:7/1.5/1.5 )共聚1 (PAa7-Bu 1.5-Mel.5 ΝΒ )溶解於由以重量比97 : 3之 ,P^l〇.6°C)及環己酮(b.p l55 6t)組成之溶劑 ^獲得20重量%的聚合物溶液嘯此溶 _
;鋼板上从室溫下將其部分地乾燥1.5 hr。將所 ==板,且再次在⑽。c下將其部分地乾燥㈣。量 曰固體之含量。,薄膜之厚度約為115 μηι且固體之含量約為95〇/〇。 在85 C下使用如實例’丨中所使用之夾型夾具以 _。緊接且在相同溫度下將其乾燥1〇 維持相同溫度下將其 42 1337187 18644pif.doc 薄膜在拉伸方向中具有折敏 科耳狀態中之偏光器之間時n从田將其置放於正父尼 觀察到污點。。。之間時一於延遲值之不均衡性而 比較實例6 ' 水:歸·2_乙酸烯丙醋/丁基降冰斷降冰片 稀冬竣酸甲酷(莫耳比:7/1 二水: (Ma7-Bul.5-Mel.5 ΝΒ )溶解於由 ;、-% • ( b-P. i H).6t:)及環己酮(b ρ 15二比97 · 3之甲装 中以獲得20重量%的聚合物溶液。將此溶===蛛 磨鋼板上且在室溫下將其部分地乾燥i 5 h ^ = 再次辦下將其部分地乾燥9= Ϊ m八曰固體之含量。因此,薄膜之厚度約為μ μηι且固體之含;g約為93.2%。 在85°C下使用如實例i中所使用之夹型失且以 :申比率來單軸地拉伸薄膜。將薄膜在1〇_、内加‘ - 持拉伸比率且在相同溫度下將其乾燥10 ,在乾城程顧,薄難部分地破壞。即 :例:之薄膜與比較實例5之薄膜比較,當固體含量較‘ 日’ .¾即’虽洛劑含量較高時,在乾燥薄膜同時唯持拉伸 =率期間觀察到部分破壞。經部分破壞之_在拉伸方向 中具有折敏’且當將其置放於正交尼科耳狀態 哭 之間時,歸因於延遲值之不均衡性而觀察到污點。〇〇 如下就外觀及效能來評估在實例1_5及比較實例卜6 中所製造之經單軸拉伸的薄膜。 ⑧ 43 1337187 18644pif.doc 評估實例1:外觀之評估 利用肉眼就外觀來評估在實例1·5及比 所製造之經單軸拉伸的薄膜。χ表示觀察/貫例1-6中 皺及發泡之至少一者的情況,且〇表示未=分破壞、折 缺陷之情況。當由於溶劑之蒸發而在薄膜蜆察到所有該等 泡時,出現凹坑。 '、之表面上產生起 部分破壞 實例1 0 厂實例2 0 實例3 r ~0 ~~ ΎϊΗ 4 ^ 0 ~~ 實例5 比較實例Ί~ ~~Χ^~Ί _ 比較實例_ i較實例 比較實例5 "^較實—例 參看表1,本發明之實 生部分破壞、折缺稀 的情況下’儘管未弓,起相反’在比較實例M之: 汗估貫例2··平面
Rth及乂值的評估 值、、厚度方向中之延遲值 18644pif.doc 對於實例卜5之薄膜’計算平面内延遲值心、厚度方 向中之延遲值Rth及仏值。平面内延遲值心及厚度方向 中之延遲值Rth可利用一自動折射器(可蹲自〇ji sdemific Lment ; KOBRAd繩)來量測。結果被展示於表2 中〇 表2 薄膜厚度 (nm) ------ Rin (nm) , ·—— Rth ( nm ) Nz 實例1 92 353 -56 1.16 實例2 94 326 -62 1.19 實例3 100 240 -205 1.85 實例4 101 270 -176 1.65 ' 實例5 100 51 -216 5.24 ~ 參看表2,根據本發明之聚冰片烯式薄膜具有一指示 其可用作負C板之負Rth值。此外,Rin及Rth之絕對值大 於0且相互類似’其指示薄膜具有雙軸光學各向異性。 評估實例3:作為色彩不均衡性之指數之延遲之均衡 性的評估 如下就平面内延遲之均衡性來評估實例1-5以及比較 實例2、4及5的薄膜。 自薄膜之中心部分獲取樣本(寬度:l〇〇mm,長度: 200 mm )’且以寬度方向中mm及加工方向中20 mm之 間隔來昼'則對於550 nm之單色光的平面内延遲值Rin。在 表3中’ X表示兩個鄰近點之間之平面内延遲值的差值比 1337187 18644pif.doc 其平均延遲值大2%的情況’且〇表示差值小於2°/。的情況。 表3
實例 比較實例 1 2 3 4 5 2 4 5 Kin 0 0 0 0 0 X X X
參看表3,本發明之實例1-5的聚冰片烯式薄膜具有 均衡之平面内延遲值。相反,比較實例2、4及5的薄膜具 有不均衡之平面内延遲值。 評估實例4 :視角之評估 就視角特徵經由模擬對如圖9中所說明之僅在液晶元 件之一個表面上具有聚冰片烯(ΡΝΒ)補償薄膜的不對稱 液晶顯示面板進行研究。 圖10說明使用圖9之液晶顯示面板而模擬之對比率 圖。當分別將ΡΝΒ補償薄膜之Rin與Rth調整至55 nm與
21 〇 nrn時,液晶顯示面板具有1〇〇: 1或更大之寬視角。 評估實例5 :視角之評估 就視角特徵經由模擬對如圖丨丨中所說明之在液晶元 件之兩個表面上具有聚冰片稀(pNB)補償薄膜的對稱液 晶顯不面板進行研究。 问明㈣圖u之液晶顯示面板而模擬之對比率 :备刀^將PNB補償薄膜之^與^調整至“⑽與 _ Γ上文顯示面板具有_:1錢大之寬視角。 文所迷,根據製造本發明之雙轴光學聚冰片稀式 ⑧ 46 1337187 18644pif.doc 薄膜的方法,一具有平面内延遲值及厚度方向中之延遲值 兩者的雙轴光學薄膜可藉由單軸地拉伸在厚度方向中具有 固有雙折射率的聚冰片烯式聚合物來製造。因此,根據本 發明而製造之-贿冰片烯式細可替代兩個習知的單轴 光學補償賴,意即,A板及負C板^ #聚冰片烯式薄膜 用作PVA偏光器之保護薄膜時,一八板、一負c板以及 1於PVA偏光器之保護薄膜可藉由一個聚冰片稀式薄 膜來替代。 因此,本發明可減少液晶顯示面板之厚度並簡化生產 ,程。此外’當在寬度方向中拉伸聚冰片烯式薄膜時,可 製造整合光學補償偏光糾㈣連續料軸式疊層製程 :該薄膜疊狀PVA偏光器上。此外,因為在比加成^聚 /片烯式聚合物之玻璃轉移溫度小很多的溫度下拉 媒變^以可在製造經拉伸之聚冰料式薄__止該薄 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,秋 限定本發明,任付孰羽Λ & . ’、、”、立非用以 和/ 技藝者,在*脫離本發明之精神 【圖式簡單說明】 來ιΠ狀上述及其它特徵及優勢將藉由參看隨附圖式 地描述其例示性實施例而變得更顯而易見,在= 圖1為習知液晶顯示裝置之示意性橫截面圖。 1337187 18644pif.doc 圖2示意性地說明以下一情況:其中根據本發明之實 施例的雙軸光學聚冰片烯式薄膜與偏光器在製造整合光學 補償偏光器之連續製程期間被疊層。 圖3為根據本發明之一實施例之液晶顯示面板的示意 性橫載面圖。 圖4為根據本發明之另一實施例之液晶顯示面板的示 意性橫截面圖。 圖5為根據本發明之另一實施例之液晶顯示面板的示 • 意性橫截面圖。 _ 圖6為根據本發明之另一實施例之液晶顯示面板的示 ' 意性橫截面圖。 圖7為根據本發明之另一實施例之液晶顯示面板的示 意性橫截面圖。 圖8為根據本發明之另一實施例之液晶顯示面板的示 意性橫戴面圖。 圖9為根據本發明之一實施例之僅在液晶元件之一表 • 面上具有PNB補償薄膜之不對稱液晶顯示面板的示意性 橫戴面圖。 圖105兒明使用圖9之液晶顯示面板而模擬之對比率圖 (contrast ratio map )。 圖11為根據本發明之另一實施例之在液晶元件之兩 個表面上具有PNB補償薄膜讀齡晶顯示面板的示意 性橫戴面圖。 圖12說明使用圖η之液晶顯示面板而模擬之對比率 48 1337187 18644pif.doc 圖。 【主要元件符號說明】 1 ·液晶元件 3":聚冰片烯式補償薄膜 3 . A板 3':負C板 5、5'、9、9':透明保護薄膜 7、7丨、7” :偏光器 10 .液晶顯不裔 20 :整合光學補償偏光器

Claims (1)

18644pif.doc 修正日期:99年4月1日 加成型聚冰片 爲第94140029號中文專利&圍無劃線修正本 申請專利範圍: 你正 .一種雙轴光學聚冰外 浠式聚合物組成, 其中,當nx為薄膜平面内一慢軸方向(X方向)中之 一折射率、ny為垂直於薄膜平面内X方向之y方向中的一 折射率、nz為薄膜厚度方向(z方向)中之折射率,且 Nz=(nx-nz)/(nx-ny)時,該雙軸光學聚冰片烯式薄膜滿足 nx>ny>nz及匕Nz5l〇的需求。 2. 如申請專利範圍第1項所述之雙轴光學聚冰片烯式 薄膜,該雙軸光學聚冰片烯式薄膜具有如由等式1所定義 之自30 nm至500 nm範圍内的一 Rin值及由等式2所定義 之自-50 nm至-500 nm範圍内的一 Rth值: Rin = (nx-ny) xd ⑴ Rth= (nz-ny) xd (2) 其中Πχ為薄膜平面内一慢抽方向(x方向)中之折射 率,%為垂直於薄膜平面内X方向之y方向中的折射率, nz為薄膜厚度方向(z方向)中之折射率,且d為薄膜之 厚度。 3. —種雙轴光學聚冰片烯式薄膜之製造方法,包括: 藉由將一聚冰片烯式聚合物溶解於包含一高沸點溶劑 及一低沸點溶劑之一混合溶劑中來製備包含聚冰片烯式聚 合物的一組合物,其中該高沸點溶劑與該低沸點溶劑之沸 點相差20°C或更大,且該高沸點溶劑之量為以該聚冰片烯 式聚合物之重量計0,1至15重量% ; 50 Γ537187 18644pif.doc 澆鑄且部分地乾燥該組合物以獲得一聚冰片烯式薄 膜,該聚冰片稀式薄膜包含以該聚冰片稀式 >專膜之總重量 計1至6重量%的該混合溶劑;以及 於比該高沸點溶劑之沸點小+2〇 C或荨於該高沸點溶 劑之沸點的拉伸溫度下,在與該聚冰片烯式薄膜之表面平 行之方向中單轴地拉伸經部分乾燥之該聚冰片稀式薄膜, 且在大於或等於該高沸點溶劑之沸.點的溫度下乾燥經拉伸 的該聚冰片稀式薄膜。 4. 如申請專利範圍第3頊所述之雙轴光學聚冰片烯式 薄膜之製造方法,其中該混合溶劑更包括以該聚冰片烯式 聚合物之重量計(X卜20〇重量%的至少一溶劑,該至少一溶 劑的沸點介於該高沸點溶劑之沸點與該低沸點溶劑之沸點 之間。 5. 如申請專利範圍第3項所述之雙軸光學聚冰片稀式 薄膜之製造方法,其中部分乾燥該組合物包括:在比該低 沸點溶劑之沸點小+20°C的温度下部分地乾燥該I冰片稀 式薄膜;以及在大於或等於該低沸點溶劑之沸點及比該高 沸點溶劑之沸點小+ 2 0。(:或等於該高沸點溶劑之彿點的溫 度下部分地乾燥該聚冰片烯式薄膜。 6. 如申請專利範圍第3或4項所述之雙軸光學聚冰片 烯式薄膜之製造方法,其中將該聚冰片烯式薄膜在一橫向 方向(TD)中拉伸。 7. —種雙軸光學聚冰片烯式薄膜之製造方法’包括: 藉由將一聚冰片烯式聚合物溶解於包含一高沸點溶劑 51 1337187 18644pif.doc 及一低沸點溶劑之一混合溶劑 合物的-組合物’其中該高彿點溶;=冰片烯式聚 點相差2〇t或更大,且該高沸點、々二點溶劑之沸 式聚合物之重量計G.1至15重量^之量為以1^聚冰片埽 洗鎊且部分地乾賴組合物 膜,該聚冰片烯式薄膜包含_ = Λ冰片晞式薄
計1至6重量%的該混合溶劑;㈣㈣之總重量 於比該高沸點溶劑之沸點小+ 2 〇 劑之彿點的拉伸溫度下,在與該聚冰片點溶 :之::向中雙軸地拉伸經部分乾燥之該聚冰4;; 膜且在大於或等於該高彿點溶劑 $厚 拉伸的該聚冰片烯式薄膜。 ’’…皿又下乾燥經 薄膜=專法利範光學聚;_式 聚合物之»計⑴
劑的濟點介於該高沸點溶劑之彿點與該低彿點溶劑之彿點 之間。 ”‘ 9. 如申凊專利範圍第3、4、7及8項中任一項所述之 雙軸光學聚冰片烯式薄膜之製造方法,其中’當nx為薄膜 平面内一慢軸方向(x方向)中之折射率、ny為垂直於薄 膜平面内X方向之y方向中的折射率、且Νζ=(ηχ_ηζ)/(ιν%) 時’該聚冰片烯式薄膜滿足nx>ny>nz& ι$Νζ$10的需求。 10. 如申請專利範圍第9項所述之雙軸光學聚冰片烯 式薄膜之製造方法’其十該聚冰片烯式薄膜是由一加成型 52 1337187 18644pif.doc 聚冰片烯式聚合物組成。 —11.如申凊專利範圍第9項所述之雙軸光學聚冰片烯式 ^之製造方法’其中該聚冰片烯式薄膜具有如由等式i 所f義之自30nm至500 nm範圍内的一 Rin值及由等式2 所疋義之自-50 nm至-500 nm 圍内的一 Rth值: Rin = (nx-ny) xd ⑴ Rth=(nz-ny) xd (2)
八中〜為薄骐平面内一慢軸方向(χ方向)中之折射 率’ ^為垂直於薄獏平面内χ方向之y方向中的折射率, Z為/專膜厚度方向(z方向)中之折射率,且d為薄膜之 12.一種整合光學補償偏光器,包括: 一雙軸光學補償薄膜’由—加成型聚冰片稀式聚 、、且成,其中,當nx為薄膜平面内一慢軸方向(χ方^ 2射率、ny為垂直於薄膜平面内χ方向之^方 、〜且Νζ=(ηχ-ηζ)/(ηχ_%)時,該雙軸光學補償薄省 ηχ>ιν>ηζ及匕Νζ^ι〇的需求;以及 、’ 田聚乙烯醇組成
賞薄膜疊層,且該偏光器包括碘及一雙向色染::軸夫 13.如申請專利範圍第12項所述之整合學丄 器,其中該雙軸光學補償薄膜具有如由等式福 3〇mn至500 nm範圍内的一 Rin值及由等式2所=義之 -50 nm至-500 nm範圍内的一 Rth值: 弋義之 Rin = (nx-ny) xd ⑴ 53 18644pif.doc Rth=(nz-ny) xd (2) 其:nx為薄膜平面内一慢轴方向(χ方向)中之折射 於⑽平面内X方向之y方向㈣折射率, ^涛膜厚度方向(Z方向)中之折射率,且d為薄膜之 厚度。 一種整合光學補償偏光器之製造方法,包括: 错^將一聚冰片稀式聚合物溶解於包含一高沸點溶劑 劑之—混合溶劑中來製備包含聚冰片烯式聚 i、二Ϊ合物’其中該高沸點溶劑與該低沸點溶劑溶劑 之ΙΜ目差20 c或更大,且該高彿點溶 片稀式聚合物之$量計(U至15重量^之里為以^水 洗鑄且部分地乾賴組合物崎得 膜,該聚冰片烯式薄膜包含以該聚冰式 計1至6重量%的該混合溶劑; 邱飞桃之w重里 於比該高_點溶劑之彿點小,。 劑之沸點的拉伸溫度下,在—橫二寺於該w弗點分 分乾燥之該聚冰片烯式薄^ 轴地拉伸經部 劑之;!=溫度下乾燥經拉伸的該聚冰片 及-= = = :=,_ 光軸垂直於該吸收軸,且使用H=膜’使付該 與該吸收軸疊層。 且9方法將該光軸 15.如申請專利範圍第14項所述之敕人 器之製造方法,其巾該混合溶劑更包=光學補償偏光 文括以該聚冰片式聚合 m?187 18644pif.doc 物之重量計⑴⑻重量%之至少 Γ介於該高彿點溶劑之沸點與該 16·-種整合光學補償偏光器之製造 藉由將-聚冰片稀式聚合物溶解於包含 及一低沸點溶劑之一混合溶劑中來f 问沸^/合绡 合物的-組合物,其中該高式聚 _ 或更大,且該高彿點溶劑之量為 式聚合物之重量計〇.i至15重量% ; 該聚冰片烯 洗鱗且部分地乾燥該組合物以獲得 $;=水片烯式薄膜包含以該聚冰薄膜:2 汁1至6重量%的該混合溶劑; 德U里 於比該高_溶劑之彿則、+2() 劑之沸點的拉伸溫度下,在-加工方向4軸:::點〉谷 :、欠軸之偏光細’使仔該光軸垂直於該吸二、 該光軸與該吸收軸疊層。 並將 。。二,請專利範圍第16項所述之整合光學補償 态之製la方法,其中該混合溶劑 的濟點介於該高沸點溶狀_與該㈣點溶劑之沸g 55 1337187 i
18644pif.doc 間。 18.—種液晶顯不面板,包括: 一液晶元件; 一雙袖光學補償薄膜,形成於該液晶元件之一第一表 面上; 一第一保護薄膜,形成於該雙軸光學補償薄膜上; 一第一偏光器,形成於該第一保護薄膜上; 一第二保護薄膜,形成於該第一偏光器上; 一第二保5蔓薄膜’形成於該液晶元件之一第二表面上; 一第一偏光益’形成於該第三保護薄膜上;以及 一第四保護薄膜’形成於該第二偏光器上, 其中該雙轴光學補償薄膜是由一加成型聚冰片烯式聚 合物組成;且當nx為薄膜平面内χ方向中之折射率、n為 垂直於薄膜平面内X方向之y方向中的折射率、7且 Νζ=(ηχ-ηζ)/(ηχ-%)時,該雙軸光學補償薄膜滿 及bNdlO的需求。 y Πζ 19.一種液晶顯示面板,包括: —液晶元件; -整合絲補觀絲,形成於紐晶元件之一第一 -雙ί光學補償偏光器是由鄰近於該液晶元件之 第-偏光成於該雙軸光學補償薄膜上之-薄膜偏先1讀,該錄光學補償_亦作為—第一保護 第二保護薄膜,形成於該第—偏光器上; 56 1337187 18644pif.doc 一第三保護薄膜,形成於該液晶元件之一第二表面上; 一第二偏光器,形成於該第三保護薄膜上;以及 一第四保護薄膜,形成於該第二偏光器上,其中該雙 軸光學補償薄膜是由一加成型聚冰片烯式聚合物組成;當 nx為薄膜平面内X方向中之折射率、%為垂直於薄膜平面 内X方向之y方向中的折射率、且Nz=(nx-nz)/(nx-ny)時,該 雙軸光學補償薄膜滿足nx>ny>nz及1SN<10的需求;且該 第一偏光器是由包含碘及一雙向色染料之聚乙烯醇組成。 20. —種液晶顯示面板,包括: —液晶元件, 一第一保護薄膜,形成於該液晶元件之一第一表面上; 一第一偏光器,形成於該第一保護薄膜上; 一第二保護薄膜,形成於該第一偏光器上; 一雙軸光學補償薄膜,形成於該液晶元件之一第二表 面上; 一第三保護薄膜,形成於該雙軸光學補償薄膜上; 一第二偏光器,形成於該第三保護薄膜上;以及 一第四保護薄膜,形成於該第二偏光器上, 其中該雙軸光學補償薄膜是由一加成型聚冰片烯式聚 合物組成;且當nx為薄膜平面内X方向中之折射率、%為 垂直於薄膜平面内X軸之y方向中的折射率、且 Nz=(nx-nz)/(nx-ny)時,該雙轴光學補償薄膜滿足nx>ny>nz 及1SNZS10的需求。 21. —種液晶顯示面板,包括: 57 1337187 18644pif.doc 一液晶元件; 一表^了㈣光學補償薄*,形成於魏晶元件之_第 一第一保護薄膜,π A uw第—雙軸光學補償薄膜上; i
-第二保護薄膜,保護薄膜上; -第二雙軸光學補偏光器上; 二表面上; r·,形成於魏晶元件之-第 mi:,’形成於該第二雙軸光學補償薄膜上; 一ΐ一偏先益’形成於該第三保護薄膜上;以及 -第四保護_,形成於該第二偏光器上, 其中該第d光學補償薄膜及二 薄膜是由—加成型聚冰㈣式聚合物組成4當 平面内X方向中之折射率、%為垂直於薄膜平面内χ方向 之y方=的折射率、且Nz=:(:n⑷咖㈣時該第一雙轴 光學補償薄膜及該第二雙轴絲補㈣膜滿 1SNS10的需求。 22.—種液晶顯示面板,包括·· 一液晶元件; 一第一保護薄膜,形成於液晶元件之一第一表面上; 一第一偏光器,形成於該第一保護薄膜上; 一第二保護薄膜,形成於該第一偏光器上; 一整合光學補償偏光器,形成於該液晶元件之一第二 表面上,該整合光學補償偏光器是由鄰近於該液晶元件之 58 m?187 18644pif.doc Γ雙轴光f補償薄膜及形成於該雙轴光學補償薄膜上之- 第一偏光益組成,該雙軸光學補償薄膜亦作為一 薄膜;以及 一 7 一第四保護薄膜,形成於該第二偏光器上, 其中垓雙轴光學補償薄膜是由一加成型聚冰片稀式聚 合物組成,且當ηχ為薄膜平面内χ方向中之折射率、^為 垂直於薄膜平面内X方向之y方向中的折射率、且 Nz=(nx-nz)/(nx-ny)時,該雙軸光學補償薄膜滿足 及1SNS10的需求;且該第一偏光器是由包含碘及X一^向 色染料之聚乙烯醇組成。 23.—種液晶顯示面板,包括: 一液晶元件; 一整合光學補償偏光器,形成於該液晶元件之一第一 表面上,該整合光學補償偏光器是由鄰近於該液晶元件之 一第一雙轴光學補4k >專膜及形成於該第一雙軸光學補償薄 膜上之一第一偏光器組成,該第一雙轴光學補償薄膜亦作 為一第一保護薄膜; ' 一弟一保護薄膜,形成於該第一偏光器上; 一整合光學補償偏光器,形成於該液晶元件之一第二 表面上,該整合光學補償偏光器是由鄰近於該液晶元件之 -第二雙軸^學補償薄膜及形成於該第二雙軸光學補償薄 膜上之-第二偏光II組成,該第二錄光學補償薄膜亦作 為一第三保護薄膜;以及 一第四保護薄膜,形成於該第二偏光器上, 18644pif.doc 每胺:、I該第—雙軸光學補償薄膜及該第二雙軸光學補償 面內疋古:加成型聚冰片烯式聚合物組成;當ηχ為薄膜平 ν方w °中之折射率、ny為垂直於薄膜平面内χ方向之 風補二瑞的折射率ί、且Nz==(nx-nz)/(nx-ny)時,該第一雙軸光 i:n<:膜及該第二雙軸光學補償薄膜滿足nx>ny>nz及 求;且科—偏絲及該第二偏光器是由包 峨及—雙向色染料之聚乙鱗組成。 顧-^如υ職圍第18至23項中任—項所述之液晶 中由該加成型聚冰片烯式聚合物組成之該雙 轴t學補償薄膜具有如由等式^所定義之自3〇nm至500 nm,圍内的一心值及由等式2所定義之自,⑽至·· nm乾圍内的一 Rth值: R;n = (nx-ny) xd ⑴ Rth = (nz-ny) xd (2) -中1^為4膜平面内一慢輛方向&方向)中之折射 “二:為垂直於薄膜平面内χ方向之y方向中的折射率, j涛膜厚度方向(z方向)巾之折料,且d為薄膜之 厚度。 、 _ 25,如申請專利範園第18至23項令任一項所述之液晶 ’其中該第―保護薄膜、該第二保護薄獏、該第 ^保護薄難該第四保護賴為三乙11基麟素薄膜、開 %聚合聚冰片稀式薄膜、藉由氫化開環聚合環狀稀煙聚合 物而獲得之HROMP、聚g旨薄膜、如申請專利範圍第i或〇2 項所述之雙軸光學聚冰㈣式薄膜、單軸光學聚冰片稀式 Ϊ337187 18644pif.doc 薄膜、或未經拉伸之聚冰片烯式薄膜,且該偏光器為包含 蛾或一雙向色染料之聚乙稀醇薄膜。 26. 如申請專利範圍第25項所述之液晶顯示面板,其 中該液晶元件之折射率在電壓之啓動或關閉狀態中滿足 nx4ny < nz的需求。 27. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示面板,該 液晶顯示面板具有垂直排列模式。
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