TWI336763B - Apparatus and method of efficient fluid delivery for cooling a heat producing device - Google Patents

Apparatus and method of efficient fluid delivery for cooling a heat producing device Download PDF

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Description

1336763 a五、發明說明（1) 本專利申請主張於2004年6月4曰提出申請並以”多重冷卻 私術"為標題的共同待決美國暫時性專利申請案序號1 2 3 60/577，262中的 35 U.S.C. 119(e)下的優先權'。該於 2004 年6月4日提出申請並以"多重冷卻技術"為標題的^時性專 利申案序號60/577,262’亦藉此包含在參照内β 本發明與冷卻一般熱產生裝置的方法及裝置及，特別是， 與伴隨著該熱交換器内最小壓力下降，有效率傳送流體以 冷卻一電子裝置的方法及裝置有關。 n 由於他們在1 980年代早期的介紹，微通道熱水槽已顯示出 許多高熱流冷卻應用的潛力及已用於企業上。然而·，包含 傳統上的平行官道排列的已存在微通道，其並不非常適合 於具有空間上變化熱負荷的冷卻熱產生裝置。這類的熱產 生，有會產生比其他裝置更多熱的區域。因此稱這些較熱 :區域為"熱點” ’反之不產生如此多熱的熱源區域則因此 稱為"暖點Μ。
第8頁 1 及第1 β圖説明一連結至一電子儀器9 9之先前技術熱 2 面、器1 〇的側視圖及俯视圓，例如一微處理器透過一熱介 3 單^料（TIM) 98。如第1Α圖及第1Β圖所示，流體一般從 入口 1 2流入’沿著底部表面丨丨流通過平行的微通道 ιΐ 336763 a五、發明說明（2) 14，如箭頭所示，及由通過出口接口 16離開。該熱交換器 1 0冷卻該電子儀器9 9，該流體以一均勻方式從進口接口 12 流向出口接口 16。換句話說，該流體基本上沿著熱交換器 1 0的整個底部表面11均勻地流動，且不供給更多流體至與 儀器99中熱點一致的底部表面11的區域。另外，由進口流 入的流體溫度一般會增加，當它沿著該熱交換器的底部表 面1 1流動時。因此，下游熱源9 9的部位或接近出口接口 1 6 處無法以冷卻的液體供給，但實際上較溫暖的流體或二相 流已在上游處被加熱。在功效上，該被加熱的流體實際上 傳播熱度橫遍熱交換器的整個底部表面1 1及熱源9 9的區 域，因此靠近出口接口 1 6的熱流變成在冷卻該熱源9 9上無 效率。在熱度的增加會導致二相流不穩定，其中沿著底部 表面11流體的沸騰迫使流體離開最多熱產生的區域。另 外，對於熱交換器10的整個長度，該具有僅有一個進口 12 及一出口 1 6的熱交換器1 0迫使流體在底部表面11沿著該長 的、平行的微通道14移動，因此製造出一導因於該流體必 需移動的距離的巨大壓力降。該熱交換器10内形成的巨大 壓力降使得將流體打入熱交換器10變得困難及增加不穩定 性。 第1 C圖說明一先前技術多層次熱交換器2 0圖解的側視圖。 流體通過接口 22進入多層次熱交換器20，且向下移動通過 在卡間層26的並聯喷嘴28( multiple jets)至底部表面 2 7及離開接口 2 4。另外，該沿著喷嘴2 8移動的流體並不均
第9頁 1336763 •主、發明說明（3) 勻地流向底部表面2 7。另外，該在第1 C圖的熱交換器顯示 &上述討論中關於在第1 A圖及第1B圖内熱交換器10的同樣 問題。 當有效率地冷卻熱源，所需要的是裝配以達到進口及出口 流體接口間一小壓力降的一個熱交換器。亦所需要的是按 照熱源中的熱點，一裝配以達到適當溫度穩定度的熱交換 器。 依照本發明的一實施例，公開一熱交換器。該熱交換器包 括一介面層（interface layer)，介面層内熱從具有表 面的一熱源傳向一流艘。該熱交換器亦包含一連結至介面 層的歧管層（manifold layer)。該歧管層包括基本上為 垂直於表面的第一組流體路徑以將流體導向介面層；以及 基本上平行於表面及垂直於第一組流體路徑的第二組流體 路徑，來將流體從介面層移除。 該熱交換器最好包含一上層（upper 1 ay er)來循環流體 進入及離開該歧管層。該上層可包含增進流體控制以及在 流體冷凍情況下亦控制熱交換器内冷凍方向的許多突出特 性（protruding features)或一多孔媒介。該上層最好 包含一中央貯水槽，在裡面流體從該熱交換器的一個或多 數的入口傳入。該熱交換器最好包含一沿著該介面層配置
第10頁 1336763 4五、發明說明（4) 的多孔銅質泡沫結構。該熱交換器可包含微通道及/或微 針（micropins)以輸送流體流動及促進熱傳遞。 該流體最好是在單相流狀態。或者是，至少一部分的流體 可為二相流狀態。該介面層最好連結至該熱源。或者是， 介面層整合性地構成一熱源。該熱源可是一積體電路。 本發明的另一實施例中，公開一熱交換器。該熱交換器包 含一介面層，介面層内，熱從具有表面的一熱源傳向一流 體。該熱交換器亦包含一連結至介面層的歧管層。該歧管 層更包括基本上為垂直於表面的第一組流體路徑以將流體 導向介面層，以及基本上平行於表面及垂直於第一組流體 路徑的第二組流體路徑，來將流體從介面層移除。該熱交 •換器更包括一上層來循環流體進入及離開該歧管層。該上 層可包含許多改進熱交換器内流動控制的突出特性。 本發明的另一實施例中，裝配一歧管層以導向流體進入及 離開一熱交換器的介面層。該歧管層包括基本上為垂直於 介面層的第一組流體路徑以將流體導向介面層，以及基本 上平行於介面層及垂直於第一組流體路徑的第二組流體路 徑，來將流體從介面層移除。 本發明的另一實施例中，公開冷卻一連結至熱交換器介面 層的熱源的方法。該方法包括步驟有：循環流體進入一中
第11頁 133^6763 4五，發明說明（5) 央貯水槽；導向流體通過基本上為垂直介面層的第一組流 k路徑；及從通過基本上平行於介面層及垂直於第一組流 體路徑的第二組流體路徑來移除流體。該方法可亦包含提 供一上層以循環流體進入及離開每一流體路徑的步驟。該 方法更可包含連結許多突出特性至該上層以改進熱交換器 内流體控制的步驟。 在重新審查下面提出的較佳及替代實施例詳細說明後，其 他本發明的特色及優點將變得明顯。 大體而言，該熱交換器透過傳遞流體通過介面層的選擇區 域，所產生的熱源來獲得熱能，該介面層最好與該熱源連 結。特別是，當维持該熱交換器的一微量壓力降時，導向 流體至介面層的特定區域以冷卻熱點及熱點周圍的區域來 普遍地產生橫越熱源的溫度穩定度。如同接下來討論的不 同實施例，該熱交換器利用許多隙縫、管道及/或歧管層 内的指狀物（fingers)及中介層内的導管來導向及循環 流體進入及離開介面層内的熱點區域。或者是，為了有效 地冷卻熱源，該熱交換器包含幾個特別配置在已先決定位 置的接口，以直接傳送流體進入及從熱點移除流體。 應注意到的是，儘管本發明偏好地形容成一微通道熱交換 器，本發明可用於其他應用及不被限制在文中所討論的。
第12頁 1336763 y_ <五、發明說明（6) " -- 發明，第2圖說明一包含可彎曲微通道熱交換器100 的封，迴路冷卻系統30概要圖。如第2圖所示，該流體接 =^2、109連結至與幫浦32及熱抑制器36相連結的液壓管 =或=狀構件38。該幫浦32在封閉迴路3〇内抽吸及猶環流 選擇性為，利用一流體接口 i 〇 8來供給流體至熱 交，器100。s —實施例巾，一均自、定量的流體流動分 別透過流體接口 108、109進入及離開熱交換器100。或者 是’流體流通進口及出口接口 108、1〇9的量可隨時間改 如第2圖所示，該熱交換器100連結至一熱源99,例如一電 子儀器，包含，但不限制於微晶片和積體電路，藉以一熱 介面材料98最好配置於熱源99及熱交換器1 〇〇間。或者 疋’該熱交換器10 0直接連結至熱源9 9的表面。熱交換器 1 0 0交替地整合性地構成一熱源9 9的技術亦顯然是熟稔於 相關領域’藉此熱交換器1 0 0及熱源9 9構成一件。 本發明的該熱交換器10 0最好裝配成直接或間接地與矩形 熱源9 9相接觸’如同圖例所示。然而，熱交換器1 〇 〇可擁 有任何遵照熱源9 9型狀的其他型狀，顯然熟稔於相關領 域。例如，本發明的熱交換器1〇0可裝配具有一允許熱交 換器1 0 0直接或間接地與相對應半圓型熱源（未呈現）相 接觸的外部半圓型（未呈現）。另外，熱交換器1〇〇最好 是在包含0.5-10.0公釐的範圍内，稍微地在尺寸上大於熱
第13頁 1336763 *·五、發明說明（7) 源9 9。 ‘， 依照本發明，第3圖說明一熱交換器i 00 (第2圖）的上層 2 0 0透視圖。該上層2 0 0循環流體進入及離開連結至上層 20 0的貯水槽225(第5圖）的歧管層350(第5圖至第7 圖）。該上層200存放（houses) —進口接口 210及一出t 接口 230。該進口接口 210從一系統3〇(第2圖）的管狀構 件（第2圖）的進口端傳送流體通過上層20 0。該出口接£ 2 3 0傳送流禮離開一介面層400(第5圖）及一銅質泡朱材 料（foam)(第5圓）至管狀構件38 (第2圖）的一出口 端。 依照本發明的一實施例，第4圖說明上層2〇〇的底視圖，該 上層循環流體進入及離開歧管層350 (第5圖至第7圖）且 其中包含許多突出特性220來控制熱交換器ι〇〇 (第2圖.） 内的冷卻。如所示，該進口接口 210可包含許多進口 來傳送流體從系統30 (第2圖）的管狀構件（ ' 端通過上層200。同樣地，該出口接口 23〇可包含)進口 開口來傳送流體從上層200至管狀構件（第2圖3讦多出口 開。該流體環繞著特性220循環及在其下傳 ^出口端離 並不作為流體導向管道。 、該特性220 在一實施例中，該上層200可包含分離的結構。、 可以部分地或全部地是一流體流過的多子丨 該分離結 少札~構。或者是'
1336763 >五、發明說明（8) 該蓋子可為中空的。 *·; 依照本發明，第5圖說明包括一上述提到.的上層2 0 〇、一歧 管層及一介面層4 0 0的熱交換器3 0 0橫斷面側視圖。該上層 200包含許多非必需的突出特性220及一貯水槽225。該歧 管層350包括許多進口水流管道36 0及出口水流管道37〇。 該介面層4 0 0最好配置在熱源9 9 (第2圖）及歧管層3 5 〇之 間。該熱源9 9最妤是一積體電路。該介面層40 0最好包括 一沿著介面層40 0底部表面配置的多孔銅質構造410。該上 層200、歧管層35 0及介面層40 0最好利用一結合技巧結合 在一起（例如，以環氧膠粘著 '以銅鋅合金焊接、熔接及 以焊錫焊接）。 同樣參考第5圖，該流體透過進口接口 210進入上層200， 透過包含許多通道及管造的進口水流管道36 0進入歧管層 350，及進入介面層400。該流體然後流通多孔銅質構造 4 1 0的多孔（未呈現）以及自介面層4 〇 0離開以及進入和通 過亦包含許多通道及管道的出口水流管道370，其具有垂 直進口水流管道3 6 0水流方向的水流方向。該流體然後自 出口水流管道3 7 0流出且回到上層2 0 0至出口接口 2 3 0 (第3 圖及第4圖）。可利用進口水流管道36 0的許多進入通道及 水流通路來減低該流體通過多孔鋼質構造4 1 0的流速，其 中通過多孔銅質構造4 1 0時，發生減少全部水流的壓力降 以及提供機體電路有效率的冷卻〇該進口水流管道36 0本
第15頁 1336763 (_______________ 2、發明說明（9) . ，上是垂直於積體電路的表面，然而出口水流管道 本上是平行於積體電路的表面。 ’ 依照本發明’第6圖說明包括一上述提到的上層2 〇 〇、一歧 管層35 0及一介面層4〇〇的熱交換器30 0另一横斷面側視 圖。該上層20 0包含許多的突出特性220。該第6圖的橫斷 面側視圖呈現非必需（〇ptional)突出特性220的二分之 一末端。如同上述提到的，該流體環繞著非必需突出特性 220及在其下流動。該歧管層350包含許多進口水流管道 (進口槽）36 0及出口水流管道（出口槽）370。該進口水 流管道36 0基本上為垂直於熱交換器99(第2圖）的流體路 徑來導向流體至介面層4〇〇t>該出口水流管道370基本上為 平行於熱交換器99(第2圖）及垂直於進口水流管道36 0的 视體路輕5在另一替代實施例中，可預期到流體可以相反 流動路徑流動。該介面層40 0最好配置於熱交換器99(第2 圖）及歧管層350間。該介面層4〇〇最好包含一沿著介面層 400底部表面配置的多孔銅質結構410。該進口槽360允許 的流體進入泡珠材料41〇。該出口槽37〇允許流體自多 -質結構離開。該上層2〇〇、歧管層35〇及介面層4〇〇最 铜鋅I人結合技巧結合在一起（例如，以環氧膠粘著、以 銅鋅合金焊接、溶接、焊锡焊接或擴散接合）。 中呈^發明’第7圖說明熱交換器300的縱斷面側視圖，其 平至現一從進口接口 21〇至出口接口 23〇的水流路徑。該熱 1336763 "»五、發明說明（10) p展？ί1η、一歧管層350及一介面層400。 交換器20 0包含-上/的2:0出特；；該流體可在非必需 k上層包含許多必需的：出特二層呈現許多允許 的特性酬及其下流二【:圖内。一多孔銅質構造沿著 兩下流體進入介面唐槽 介面層400的底部配置。或者疋 道s . c来呈現）以輸送流體流動及 熱傳導。外， 撖通道（未呈現」）以輸送流體流動 該介面層400可包含許多微針1禾主 及加強熱傳導。 H實施例中，該流體可為任一單相流（例如，液 上述的貫施例肀^ 體混合物）、或一單相及 栌）、二相流（例如，液體/孔骽庇，β p< 0 A間的過渡。單相流是較佳的。Μ用上述的設计’可 一相'爪 & # ★和1U古产量傳送至介面層4 0 〇的熱 設計該系統讓較m:; :合·， 机该城。對於二相流，例如氣骽及夜 ^ 執點冷卻；m在熱點引起）·弗騰以有效率地冷卻ΐ點。二 相、流的溫度及沸點直接與流體的壓力成正比是大=所熟知 的!>特別是，當流體内的壓力值增加時’流體的皿度及沸 杜#加。#反地，當流體内的壓力值減少肖’流體的溫度 及^點減少。在單或二相流情況下，該熱交換器300利用 此/流體的壓力/溫度現象來有效率地冷卻熱點及達到熱 源99 (第2圖）内的溫度穩定度。 對〆單相流，該熱交換器30 0裝配以傳送相對於介面層400 内許多相對溫度較高部分較低溫度的流艘。該遭遇熱點的
第17頁 1336763 4五、發明說明（11) f低流體將有效率地冷卻該熱點至一要求的溫度，而 該較:恤度流體將冷卻暖或冷點（cold 至相同要 求的二度。效果上’藉由引導適合温度流體至介面層400 内要’的區域來有效率地冷卻該區域至一要求的溫度使單 相流達到熱源99(第2圖）内的溫度穩定度。 f 一 一相流’本發明中的熱交換器3 0 0裝配以利用上述討 袖的相似方法來傳送流體。特別是’本發明的該熱交換器 3 0 0供、較低壓力流體至介面層4 〇 〇的熱點區域以故意地引 起熱點區域的濟騰。由於基本上二相流加速度的增加，二 相流的席騰導致一明顯的壓力降是大家所熟知的。如同上 述提到的關於廢力—溫度關係，一明顯的流體壓力降將自 然，導致溫度上明顯的降低至與減少的壓力一致的溫度。 於疋’綠熱交換器3〇〇可裝配來傳送已在相對較低壓力的 一相流至熱點區域介面β另外，該熱交換器3〇〇可裝配來 傳送相對較咼壓力的流體至介面層4 〇 〇的較低溫度區域。 該較低壓力流體，在開始與熱點區域介面接觸後，將明顯 地加熱並在一極低沸點開使沸騰，因此引起一壓力降。由 ，壓力的減少，該二相流沸騰的溫度有效地降低。結果 是’該二相流變為較冷且能夠更有效地冷卻熱點。應用相 同的理論在顛倒二相流至單相流來達到熱交換器99(第2 圖）内的溫度穩定度是明顯的。 本發明的熱交換器300利用許多流體狀態來有效地達到熱
第18頁 ¢336763 —五、發明說明（】2) i交換器99 (第2圖、咖 用一絮浦32 (第9的溫度穩定度。利用在要求區域内 力，該熱交換器3 ，）來操作流體流量及/或流體的壓 體冷卻效率。或者〇 Y可裝配來控制在每一要求區域内的流 流體流量及/或流疋’在要求區域内使用許多幫浦來操作 制在每一要求區诂，的厘力’該熱交換器30 0可裝配來控 1 巧内的流體冷卻效率。 |本發明在包含細節 造的原理及該發明的Ϊ:實描寫來幫助了解構 其細節並不意圖去限例於此的參照及 本領域那些熟稔的人而t，選擇作U例範圍的範圍。對 離本發明的精神及領域的修改是明顯^明的實施例而不背
第19胃 1336763 1圊式簡單說明 ，1A圖說明一傳統熱交換器的側視圖。 第1B圖說明一傳統熱交換器的俯視圖。 第1C圖說明一先前技術多層次熱交換器的側視圖。 第2圖說明包含本發明一熱交換器實施例的封閉循環冷卻 系統概要圖。 第3圖說明一用以循環流體進入及離開該歧管層的上層的 透視圖，且該上層包含許多突出特性以控制熱交換器内的 冷;東。 第4圖說明一用以循環流體進入及離開該歧管層的上層的 底視圖，且該上層包含許多突出特性以控制熱交換器内的 冷凍。 第5圖說明一包含上層、歧管層及介面層的該熱交換器橫 斷面側視圖。 第6圖說明一包含上層、歧管層及介面層的該熱交換器另 一橫斷面側視圖。 第7圖說明該熱交換器的縱斷面側視圖，其呈現從入口至 出口接口的流徑。 元件符號說明 10、 20、 30 0 熱 交 換 器 11 底 部 表 面 12 入 〇 14 微 通 道 26 中 間 層 27 底 部 表 面 28 並 聯 喷 嘴 30 冷 卻 系 統 38 管 狀 構 件 98 熱 介 面 材料（TIM)
第20頁 1336763 圊式簡單說明 99 220 350 360' 370 16、 22、 24 電子儀器 突出特性 歧管層 流管道 [08' 109, 210 2 0 0上層 2 2 5貯水槽 4 0 0介面層 410多孔鋼質構造 23 0 接口
第21頁

Claims (1)

1336763 『六'申請專利範圍 丄一種熱交換器，包括： a. —介面層，其1f7熱由一具有一表面的熱、源轉移至一 流體；以及 b. —與該介面層相連結的歧管層，該歧管層更包括： (i )一第一組流體路徑，實質上垂直於該表面，用以 將流體導向該介面層；以及 (i i )一第二組流體路徑，實質上與該表面平行且垂 直於該第一組流體路徑，用以將流體從介面層移 除。 2. 如申請專利範圍第1項之熱交換器，其中更包含一上 層，用以將該流體循環進入及離開該歧管層。 3. 如申請專利範圍第2項之熱交換器，其t該上層包含複 數突出特性。 4 .如申請專利範圍第2項之熱交換器，其中該上層包含一 多孔結構。 5.如申請專利範圍第2項之熱交換器，其_該上層包含一 中央貯水槽，其中該流體從該熱交換器的一入口傳入。 6 .如申請專利範圍第1項之熱交換器，其令該流體為單相 流狀態。 7.如申請專利範圍第6項之熱交換器，其中至少一部分的 該流體為二相流狀態。 8 .如申請專利範圍第7項之熱交換器，其中至少一部分該 流體於該熱交換器中經歷一單相及二相流狀態間的轉變。 9 .如申請專利範圍第1項之熱交換器，其中每一流體路徑
第22頁 1336763 六、申請專利範圍 是設置以冷卻於該熱源中的至少一介面熱點區域。 1 0 .如申請專利範圍第1項之熱交換器，其中該介面層與該 熱源連結。 11·如申請專利範圍第1項之熱交換器，其中該介面層與該 熱源是整合性地形成。 12.如申請專利範圍第1項之熱交換器，其中該熱源是一積 體電路。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之熱交換器，更包含一沿著該介 面層配置的多孔結構。 1 4.如申請專利範圍第1項之熱交換器，更包含構成複數微 通道以輸送流體流動及促進熱傳遞。 1 5 .如申請專利範圍第1項之熱交換器，更包含沿著該介面 層配置的複數微針。 16.—種熱交換器，包括： a. —介面層，其中熱從一具有一表面的熱源傳送至一 流體， b. —連結至介面層的歧管層，該歧管層更包括： (i)一第一組流體路徑，實質上垂直於該表面，用 以將流體導向該介面層；以及 (i i)一第二組流體路徑，實質上與該表面平行且垂 直於該第一組流體路徑，用以將流體從介面層移 除。以及 c. 一上層，用以將該流體循環進入及離開該歧管層。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之熱交換器，其中該上層包含
第23頁 1336763 _六、申請專利範圍 .複數突出特性。 18.如申請專利範圍第16項之熱交換器，其中該上層包含 一多孔結構。 1 9.如申請專利範圍第1 6項之熱交換器，其中該上層包含 一中央貯水槽，其中該流體從該熱交換器的一入口傳入。 2 0.如申請專利範圍第1 6項之熱交換器，其中該流體為單 相流狀態。 2 1.如申請專利範圍第20項之熱交換器，其中至少一部分 的該流體為二相流狀態。. 22.如申請專利範圍第21項之熱交換器，其中至少一部分 該流體於該熱交換器中經歷一單相及二相流狀態間的轉 變 0 2 3.如申請專利範圍第1 6項之熱交換器，其中每一流體路 徑是設置以冷钾於該熱源中的至少一介面熱點區域。 2 4.如申請專利範圍第16項之熱交換器，其中該介面層與 該熱源連結。 25.如申請專利範圍第16項之熱交換器，其中該介面層與 該熱源是整合性地形成。 2 6.如申請專利範圍第1 6項之熱交換器，其中該熱源是一 積體電路。 27.如申請專利範圍第1 6項之熱交換器，更包含一沿著該 介面層配置的多孔結構。 2 8.如申請專利範圍第1 6項之熱交換器，更包含構成複數 微通道以輸送流體流動及促進熱傳遞。
第24頁 1336763 ‘六、申請專利範圍 μ 2 9 .如申請專利範圍第1 6項之熱交換器，更包含沿著該介 面層配置的複數微針。 3 0. —種配置以將流體引導進入及離開一熱交換器内之介 面層的歧管層，該歧管層包括： a. —第一組流體路徑，實質上垂直於該介面層，用以 將流體導向該介面層；以及 b. —第二組流體路徑，實質上與該介面層平行且垂直 於該第一組流體路徑，用以將流體從介面層移除。 31. 如申請專利範圍第3 0項之歧管層，其中該歧管層與一 將該流體循環進入及離開該歧管層的上層相連結，該上層 包含一中央貯水槽，其中該流體從該熱交換器的一入口傳 入0 32. 如申請專利範圍第3 0項之歧管層，其中該介面層與該 熱源連結。 33. 如申請專利範圍第3 0項之歧管層，其中該流體為單相 流狀態。 3 4.如申請專利範圍第3 3項之歧管層，其中至少一部分的 該流體為二相流狀態。 3 5.如申請專利範圍第3 4項之歧管層，其中至少一部分該 流體於該熱交換器中經歷一單相及二相流狀態間的轉變。 3 6.如申請專利範圍第3 2項之歧管層，其中每一流體路徑 是設置以冷卻於該熱源中的至少一介面熱點區域。 37.如申請專利範圍第3 2項之歧管層，其中該介面層與該 熱源是整合性地形成。
第25頁 1336763 六、申請專利範圍 ,3 8.如申請專利範圍第3 2項之歧管層，其中該熱源是一積 體電路》 3 9 .如申請專利範圍第3 0項之歧管層，其中更包含一沿著 該介面層配置的多孔結構。 4 0.如申請專利範圍第3 0項之歧管層，更包含構成複數微 通道以輸送流體流動及促進熱傳遞。 41. 一種冷卻與一熱交換器介面層連結的熱源的i方法，該 方法包括步驟： a. 將一流體循環進入一中央貯水槽； b. 引導該流體通過實質垂直於該介面層的一第一組流 體路徑；以及 c. 透過一實質平行於該介面層及垂直於該第一組流體 路徑的第二組流體路徑來將流體從該介面層移除。 4 2.如申請專利範圍第4 1項之方法，更包含提供一上層以 將該流體循環進入及離開每一流體路徑的歩驟。 43. 如申請專利範圍第4 2項之方法，更包含將複數突出特 性連結至該上層的步驟。 44. 如申請專利範圍第42項之方法，更包含將一多孔結構 連結至該上層的步驟。 45. 如申請專利範圍第43項之方法，其中該上層包含一中 央貯水槽，其中該流體從該熱交換器的一入口傳入。 4 6 .如申請專利範圍第41項之方法，其中該流體為單相流 狀態。 47.如申請專利範圍第46項之方法，其中至少一部分的該
第26頁 1336763 六、夺請專利範圍 .流體為二相流狀態。 48.如申請專利範圍第47項之方法，其中至少一部分該流 體於該熱交換器中經歷一單相及二相流狀態間的轉變。 4 9.如申請專利範圍第41項之方法，其中每一流體路徑是 設置以冷卻於該熱源中的至少一介面熱點區域。 50. 如申請專利範圍第41項之方法，其中該介面層與該熱 源是整合性地形成。 51. 如申請專利範圍第41項之方法，其中該熱源是一積體 電路。 5 2.如申請專利範圍第41項之方法，其中該介面層包含一 沿著該介面層配置的多孔銅質泡朱材料。 5 3.如申請專利範圍第41項之方法，其中該介面層包含構 成複數微通道以輸送流體流動及促進熱傳遞。 5 4.如申請專利範圍第4 1項之方法，其中該介面層包含沿 著介面層配置的複數微針。
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