TWI336511B - Packaged microchip with premolded-type package - Google Patents

Description

發明說明： 【發明所屬之技術領域】 一般而言，本發明係有關於微晶片，且更特別的是， 本發明有關用於微晶片的封裝技術。 【先前技術】 有愈來愈多應用系統使用微機電系統（“MEMS”）。例 如，MEMS目前被實作成可偵測飛機俯仰角（pitch angle ) 的迴轉儀（gyroscope)，且被實作成可選擇性張開汽車中 之氣囊的加速度計。簡言之，此類MEMS裝置通常有懸掛 於基板上方的結構，且有相關電子裝置感測該懸掛結構的 移動且將感測到的移動資料傳送至一或更多外部裝置（例 如，外部電腦）。該外部裝置處理感測到的資料以計算被測 量的性質（例如，俯仰角或加速度）。 通常將該等相關的電子裝置、基板、以及可移動結構 形成於固定於一封裝内之一或更多晶粒上（本文簡稱為“晶 粒’’(die))。該封裝包含互連，其係可讓電子裝置傳送移動 資料至外部裝置。為了固定晶粒於封裝内部18，通常將晶 粒的底面黏合（例如，用黏著劑或焊料）至封裝的内表面。 因此，在此情況下，大體將晶粒底面的所有面積黏合於封 裝的内表面。 MEMS慣性感應器/晶粒對環境因素極敏感，例如晶粒 與其封裝有不同的材料膨脹性。具體言之，不同的膨脹性 係因形成晶片底面的材料與固定晶粒的封裝内表面兩者的 熱膨脹係數（“CTE”）未匹配。事實上，CTE未匹配可能 造成感應器傳送錯誤的運動測量值。例如，當實作成汽車 氣囊系統内的加速度计或自動循跡控制系統中之迴轉儀 時’CTE未匹配可能產生造成汽車異常操作的結果。因此， 此類錯誤的測量值可能導致駕駛人、乘客、或正在移動中 的汽車附近的他者（例如，其他汽車中的人們）身體受傷 或死亡。 為了減少這種問題’通常將MEMS慣性感應器固定於 陶瓷封裝内’而非在其他兩種習知、較便宜、廣泛使用的 封裝類型内；亦即，“轉移模製，，封裝與“預模製，，封裝。具 體言之，轉移模製封裝（transfer molded package)與預模 製封裝（premolded package)均有固定晶粒的銅導線架 (copper leadframe )。不過，銅與矽（即，形成晶粒的材料） 之間的CTE差異运大於陶瓷與石夕之間的cte差異。 此外，轉移模製與麵製的封裝通常也無法提供氣密 性（hennetidty )。目此，如果此類封装和某些廳⑽感應 器-起使㈣，需魏顿_確保水料會影 器 本身。 因者ϋ些及其他的原因，促使本技藝使用陶 MEMS慣性歧“非其他_贱。令人料意的是， 陶究封裝=常tb其他兩、貴。料，岐細刚感應 裝内需要較多的製程步驟(相較於其他習 1 ，因此更増加其製造成本。事實上， 使用陶韻裝的Μ麵感應器應用系統中，封裝成本= 過製造MEMS感應器本身的成本。 【發明内容】 根據本發明之-方面，將MEMS慣性感應器固定於一 預模製封裝内，該預模製封裝至少一部份由一水分滲透性 低的模製材料（molding materiai)形成。結果，該運動偵 測器的製造成本應能夠比使用陶瓷封裝的低。為達此等目 的，該封裝有：至少一牆（具有低水分滲透性），該至少一 牆係由導線架延伸以形成一空腔；以及一在該空腔内的隔 離器（有上表面）。該MEMS慣性感應器有一懸掛於基板 上方的可移動結構’該基板有一底面。將該基板底面^定 於該隔離器上表面而有一接觸面積。在示範具體實施例 中’該接觸面積小於基板底面的表面積。因此，該隔離器 在至少一部份基板底面與封裝之間形成一空間。因此，^ 空間沒有隔離器。此外，由於該封裝的水分滲透性低j故 可避免其他製造步驟同時綠保水分對空腔内的Mems 性感應器不會有不利的影響。 該牆可由任何水分滲透性低的材料形成，例如 只 合物。為確保氣密性，該運動偵測器也有一固定於之:聚 牆的水分滲透性低的蓋子) 一 可使用不同類型之隔離器。例如，隔離器可由導口 形成。附加或替換地，該隔離器有多個延伸自空腔:架 突出物。在一些具體實施例中，該隔離器係由水分滲 低的模製材料形成。在其他具體實施例中，該隔離器 1336511 部份由矽樹脂材料形成。這種柔軟可模製材料應可緩和應 力。在其他具體實施例中，該隔離器至少部份由一或更多 不同的可模製材料形成。 5 根據本發明另一方面’運動偵測器有一包含慣性感應 器晶片的預模製封裝β該封裝有一隔離器、一導線架、以 及至少一至少部份由導線架延伸以形成一空腔之牆。該空 腔包含隔離器且由至少一水分滲透性低的材料形成。將晶 的底面H定於該隔離器上表面而有—接觸面積，該接觸 0 面積小於晶粒的底面積。以類似於其他方面的方式，該隔 離器在至少一部份晶粒底面與封裝之間形成一空間。此空 間没有隔離器。 二 【實施方式】 5 由以下參考附圖的詳細說明可更加明白本發明的前试 内容及優點。 鲁 本發明示範具體實施例大幅減少與習知預模製封裝有 關的晶片應力（chip stress)使得彼等可用來封裝應力敏感 曰片因此，由於預模製封裝的成本較低（相較於陶^ 扣封，=此等具體實施例可顯著減少製造成本同時維持所欲 =效能。此外，示範具體實施例進一步使得預模製封I能 ，供氣密式密封的環境，從而能用於各種需要氣密性的^ 曰曰片°以下描述示範具體實施例的細節。 第1圖的部份剖開的等尺寸視圖係示意性圖示可實作 發明各種具體實施例的經封裝之微晶片1〇β在示範具體 -9· 實施例中，經封裝之微晶片10為實作為角速度感應器的 MEMS裝置。因此，為了圖解說明，本文各種具體實施例 均以MEMS角速度感應器說明。因此，在此通常將第1圖 至第4圖的MEMS裝置視為角速度感應器1〇或運動偵測 器。不過，應注意’以MEMS角速度感應器說明各種具體 實施例只是範例，故而不是要用來限定本發明所有的具體 實施例。因此，有些具體實施例可應用於其他類型的微晶 片裝置，例如積體電路。此外，可將本發明具體實施例應 用於其他類型的MEMS裝置，例如基於MEMS的光學開 關裝置與基於MEMS的加速度計。 第1圖角速度感應器10包含一習知預模製封裳12, 其係具有數面由一基部21延伸之牆13 ; —蓋子μ，其係 固定於該等牆13用以密封該封裝12;以及—習知角^度 感應器晶粒16 (本文稱作“晶粒16”，也稱作“微晶片，，）， 其係固定於該氣密式密封的内部18 ^該晶粒16包含測量 對一給定軸的角運動的習知機械結構與電子震置（以^將 予以描述）。多個延伸自封裝Π的接脚（pin)\〇係與晶粒 16電氣性連接以使角速度感應器電子裝置與外部裝置（例 如，電腦）有電氣性通訊。 义 根據本發明示範具體實施例，將晶粒16黏合於一應力 ，少隔離器22 (圖示於第2圖至第4圖），其係由封裝内 部18的基部21向内延伸。圖示隔離器22有一上表面25， ί „晶片底面％的面積。因此’由於整個晶片底 福&於封裝12的面積較少，來自封裝12的應力應可 1336511 被最小化。此外，在示範具體實施例中，該封襄12係由一 水分渗透性低的可模製材料形成（即’能提供氣密^的 模製材料）。結合此等特性應使得預模製封裴12可用於二 ^氣密性的應力敏感晶粒^以下為各種具體實施例的^ Μ:離：22由使得封裝12的其餘部份與感應器晶粒 間的應力大幅進-步最小化的材料較佳。在 一具體實施例中，該隔_22係與組成 ^ ίο 模製材料整體形成。至於其他的方法，可== 的可 ，成形法或點/塗膠法（dispensing pro—形成^二 2°在另-個具體實施例中，該隔離器22可 2:的晶,Uie p_e) %部份形成。在另一具體=例 中，遠隔離器22可為不可模製材料（ 八 15 成封裝;2其餘之大部份 风曰日η ιυ具體實施例。特別 示本發明第一具體實 ⑽疋m忍性圖 24 (未圖示於第^ 中—可模製材料與一導線架 " 圖）大體整體配對以形成提及之 模製材：水尤?，一與銅導線架24 == =1。尤其-，該可模製材料可包含提供氣密性的液

當封裝12符合習知的‘‘M 密性，，。具體言之，當封^人標準時被認為是有“氣 1_，標題L ^符/ iIL；STD嶋，方法 吁被⑽為疋有氣密性”，從而其全部 20 内谷併入本文作為參考資料。 如上述，該晶粒16包含可機械感測角旋轉的習知矽 MEMS結構28與伴隨之電子裝置。一絕緣層上覆矽 (siliCon-on_insulat〇r )晶圓上形成於圖系的結構28與電子 裝置30 (兩者均示意圖示於第2圖至第4圖），其係在一 對矽層之間有氧化物層。替換地，可用習知的表面沈積技 術或本技藝所習知的方法形成結構28與電子裝置3(^例 如，除了別的以外，該MEMS結構28巧"包含一或更多用 撓性構件（flexure )懸掛於一矽基板上方的振動塊體 (vibrating mass)。該結構28也可包含梳狀致動器（comb drive )與感測裝置以驅動該等振動塊贌及感測彼等之運 動。 因此’電子裝置30可包含，除了别的以外，一驅動及 感測電子裝置，其係耦合梳狀致動器與感測裝置以及訊號 傳輸電路。導線23係電氣性連接該捧隨之電子裝置30與 接脚20。示範MEMS慣性感應器/運動偵測器在美國專利 第5,939,633號與第6,505,511號中有更詳細的描述，專利 權人為位於美國Massachusetts州Norwood之Analog

Devices公司。這兩件專利的全部内容併入本文作為參考資 料。 在替代性具體實施例中，MEMS結構28與伴隨之電子 裝置30疋在不同的晶粒16上。例如，有MEMS結構28 的晶粒16可安裝至封裝12的第一隔離器22,而有伴隨之 電子裝置30的晶粒16可安裝至封裝12的第二隔離器22。 •12· 替換地，兩個晶粒16可安裝至同一隔離器22。在某些情 形中，該等晶粒16中之一個（例如，應力敏感晶粒16) 可安裝至一具有降低應力性能的的隔離器22,而另一晶粒 16 (例如，非應力敏感晶粒16)可直接安裝至封裝12 ° 晶粒16係微晶片/積體電路，對線性應力與扭轉應力 (torsional stress)均有敏感性。在此背景下，“敏感”一5司 通常意謂晶粒16上的結構28及/或電子裝置30的操作在 經受應力時會被連累。例如，如以上所建議的，作用於晶 粒16的應力可能造成懸掛塊體的撓曲構件有某程度的彎 曲或壓縮。結果，塊體無法以規定的速率及角度振動’從 而產生90度相位差問題（quadrature problem )。就另一實 例而言，可能使梳狀致動器不重合，或者是可能損壞電子 裝置30。任何這些不合意的示範問題可能使MEMS晶粒 16所產生的所得資料走樣。因此，基於這些理由，可稱該 晶粒16或其他微晶片為“應力敏感”。 為解決與應力有關的問題，如上述，例如，形成圖示 隔離器22使其上表面25的面積小於晶粒16底面。換言 之，隔離器22的上表面25與晶粒16底面接觸於一接觸面 積。此接觸面積小於晶片底面26面積。結果，隔離器22 在晶片底面26與封裝12的基部21之間形成一空間。小於 整個晶片底面26的接觸應可減少由封裝12傳輸至晶粒16 的應力（當相較於接觸整個晶片底面26的情形）。 儘管此具體實施例中的隔離器22圖示為延伸成高於 基部21的所有其他部份’在替代性具體實施例中，其上表 •13· 面25可齊平或低於基部21的某些其 形中，隔離器22的接觸面積仍小一於晶片底νί= ::點因此’圖―離器的上表面25不是封裴基部21的 為進-步使應力最小化，隔離器2 16的CTE更匹配的材料形成⑽交於形成: 大部份的模製材料的CTE，接觸曰成封们2其餘 比較接近晶…CTE接為觸= 離器I它的CTE可_基_ CTE二由3成該隔 決於基板類型而使用其他材料。 自然，可取 而不讀晶粒16與隔離器2 實施例中，封裝12至少由兩種材二在=具體 Π之大部份的第 ζ成’料，組成封裝 之其餘部份（即，上述稱作封裝12 材料。在示^伤），以及組成隔離器22的第二（可模製） 如果第二材LI實施例中’第二材料遠比第一材料柔軟。 對於第響晶片效能。為達此目的，選定第二材料（相 確保只有^ 形成隔離^接觸晶粒16的部份，以 了％、略的熱應力被傳輸到晶粒16»換+ ==得只有可忽略數量之應力由封以 (輕由隔離器22)。例如’第一材料可為液晶聚 1336511 合物，而第二材料，其係與晶粒16接觸，可為矽樹脂。可 忽略數量的應力對晶片效能的影響應可忽略。 對晶片效能的影響應可忽略的意思是晶粒16產生對 預期目的而言是滿意的訊號。例如，可忽略誤差可認為在 輸出結果可使用（對於預期目的）時已發生而無需額外的 修正電路以修正應力引起的誤差。如熟諳此藝者所習知 的，此類結果係取決於晶粒16的應用系統。J果晶粒^ ίο 為翻滾式角速度感應器’例如’如果晶片的結果是在大、 處於完全無應力情況下的結果的百分之15 ;則$視， =應力不:果在其他㈣統中’可忽略誤差二 應力敏感微晶片”。 W為用預棋製封裝之 15

在在第2时所示之具體實施例中，導線架 支撐基板的晶墊38。反而，可模製材料 /有供 第-與第jl材料兩者，此係取決於實 =或者是 16。不過，可能有用晶塾38支^Μ ^ 此等目的，第3圖示意性圖示本發明另— 為達 中隔離器22係由晶墊38形成。在 二實施例，其 隔離器22形成於晶塾38的上方 ' 产形^施例中’將 也可包含,除了別的以外，使晶粒16= 晶隔離心 電性質。此外，隔離器22也可包含導熱性、墊38的導 第2圖與第3圖隔離器22的上表面V大體為平坦的 •15· 20 5 10 長方形。不過，在其他具體實施例中’可形成隔離器22 為使表面接觸最小化的各種形狀。例如，在第4圖中之隔 離器22 ’其係由晶墊38形成’有被多個溝槽40阻斷的上 表面25。該等溝槽40有效形成多個由封裝12基部21延 伸的突出物。該等突出物上表面25的累計表面積仍應小於 曰曰粒底面26面積。替換地，蚀刻晶塾3 8以便以預定形狀 (例如十字形或長方形）形成有效的單一突出物。至於其 他的方法，可模製（例如，如果隔離器22為可模製材料） 或飯刻（例如，如果隔離器22為晶墊38的部份，例如如 第3圖與第4圖所示）此等形狀。 15

第5圖係圖示形成第1圖至第4圖所示封裝感應器1〇 的製程。此製程開始於步驟500，其中根據習知製程進行 習知製程圖樣化及其他方式於一銅片以形成導線架24。在 第3圖與第4圖所示之具體實施例中’蝕刻導線架24的晶 墊38以具有所欲之形狀/樣式。特別是’關於第3圖所示 之具體實施例’蝕刻晶墊38以便在其中央部份四周形成一 溝槽/空間40。此溝槽40有效減少固定於晶粒底面26的塾 表面表面積。以同樣方式’習知姓刻製程形成多個溝槽4〇 於第4圖具體實施例的晶墊38以有效形成提及之多個^出 物。 在大致形成導線架24之後，添加可模製材料 502)。在示範具體實施例中，該可模製材料為右八’^ 於導線架24的水分滲透性低的塑膠材料 为黏著 材料可為液晶聚合物。因此，用此—聚合物广該可模製 •16· 20 丄JJUJi i 應可提供氣密性。 由可=:==，習知注射成形_ 施例的方式，可模製隔離器22 乂：似於第3與4圖具體實 觸面積的所欲形狀。也如上述，^有效減少與晶粒16接 同日併^ 製該隔離1122。細節描述於已提及之 冋曰一併申請的專利申請案中。 10 封Λ可料固化之後，導線架24帶有-陣列之無頂 (:驟5(uC、土 °P 21中可固定〜晶粒16於該隔離器22 其他的方法，可用習知方法固定各晶粒 W，例如用黏著劑。 曰 15 二==:Γ;將1子14固定至各封裝 入於一翁6、甘Κ⑪中可將讀等封裝12與晶粒16插 固定其係魏體充滿㈣18。以致在氣室内時可 二最後，將導線架24與蓋子M>K步驟5〇8) 以衣成多個已予封裝的微晶片。 20 可大因旦了其他優點以外’切各種具體實施例使得 成本 ==的低成本優勢同時避心二= 此外’示範預模製封裝提供氣密環境，從而 使仔私製㈣内可使用加蓋與未加蓋晶粒16。 -17- 1336511 儘管上述說明揭示了本發明的各種示範具體實施例， 顯然對熟諳此藝者而言，仍可做成各種修改實現本發明之 某些優點而不脫離本發明的法定範疇。 5 【圖式簡單說明】 由以下參考附圖的詳細說明可更加明白本發明的前述 内容及優點。 Φ 第1圖示意性圖示根據本發明示範具體實施例製成的 經封裝之微晶片的剖視圖。 10 第2圖示意性圖示本發明一具體實施例之第1圖沿直 線A-A的橫截面圖。 第3圖示意性圖示本發明一具體實施例之第1圖沿直 線A_A的橫截面圖。 第4圖示意性圖示本發明一具體實施例之第1圖沿直 15 線A-A的橫截面圖。 I 第5圖圖示製造第1圖經封裝之微晶片的示範製程。 【主要元件符號說明】 10 經封裝之微晶片、角速度感應器 12 預模製封裝 13 牆 14 蓋子 16 晶粒 18 内部 1336511 20 接脚 21 基部 22 隔離器 23 導線 24 導線架 25 上表面 26 晶粒底面 28 MEMS結構 30 電子裝置 38 晶墊 40 溝槽

Claims (1)

1336511 十、申請專利範圍： 1. 一種運動偵測器，其係包含： 一預模製封裝，其係具有一導線架與至少一 延伸自該導線架以形成一空腔的牆，該至少一牆 5 具有低水分滲透性，該封裝更具有一有上表面之 φ 隔離器，該隔離器是在該空腔内；以及 一 MEMS慣性感應器，其係具有一懸掛於一 基板上方的可移動結構，該基板有一有底面面積 10 之底面，該基板底面係固定於該隔離器上表面而 有一接觸面積，該接觸面積小於該基板之底面面 2. 積，該隔離器在該基板底面之至少一部份與該封 裝之間形成一空間，該空間沒有該隔離器。 如申請專利範圍第1項之運動偵測器，其中該至 少一牆係由一液晶聚合物形成。 15 3. 如申請專利範圍第1項之運動偵測器，其係更包 • 4. 含一水分滲透性低的蓋子，該蓋子係固定至該至 少一牆以氣密性密封該空腔。 如申請專利範圍第1項之運動偵測器，其中該隔 20 5. 離器係由該導線架形成。 如申請專利範圍第1項之運動偵測器，其中該空 6. 腔包含一基部，該隔離器包含多個延伸自該空腔 之基部的突出物。 如申請專利範圍第1項之運動偵測器，其中該隔 離器係由一水分滲透性低的可模製材料形成。 •20· 1336511 7. 如申請專利範圍第1項之運動偵測器，其中該隔 離器至少部份由一矽樹脂材料形成。 8. 如申請專利範圍第1項之運動偵測器，其中該隔 離器至少部份由至少一可模製材料形成。 9. 一種運動偵測器，.其係包含：

10 一預模製封裝，其係具有一導線架與至少一 牆，該至少一牆係由該導線架延伸以至少部份形 成一空腔，該空腔係由至少一水分滲透性低的材 料形成，該封裝更具有一有一上表面的隔離器， 該隔離器是在該空腔内；以及 15

一慣性感應器晶片，其係具有一有底面面積 的底面，該晶片底面係固定於該隔離器上表面而 有一接觸面積，該接觸面積小於該晶片之底面面 積，該隔離器在該晶片底面之至少一部份與該封 裝之間形成一空間，該空間沒有該隔離器。 10. 如申請專利範圍第9項之運動偵測器，其中該至 少一牆係由一水分滲透性低的材料形成。 11. 如申請專利範圍第9項之運動偵測器，其中該至 少一牆係由一液晶聚合物形成。 20 12. 如申請專利範圍第9項之運動偵測器，其係更包 含一水分滲透性低的蓋子，該蓋子係固定至該至 少一牆以氣密性密封該空腔。 13. 如申請專利範圍第9項之運動偵測器，其中該隔 離器係由該導線架形成。 -21 · 1336511 14. 如申請專利範圍第9項之運動偵測器，其中該空 腔包含一基部，該隔離器包含多個延伸自該空腔 之基部的突出物。 15. 如申請專利範圍第9項之運動偵測器，其中該隔 5 離器至少部份由一矽樹脂材料形成。 16. 如申請專利範圍第9項之運動偵測器，其中該隔 離器至少部份由至少一可模製材料形成。 φ 17. —種經封裝之微晶片，其係包含： 一預模製封裝，其係具有一導線架與至少一 ίο 牆，該至少一牆係由該導線架延伸以形成一空 腔，該至少一牆有低水分滲透性，該封裝更具有 一有上表面的隔離器，該隔離器是在該空腔内； 以及 一微晶片，其係具有一有底面面積的底面， 15 該底面係固定於該隔離器上表面而有一接觸面 積，該接觸面積小於該微晶片之底面面積，該隔 I 離器在該微晶片之至少一部份與該封裝之間形成 一空間，該空間沒有該隔離器。 .18.如申請專利範圍第17項之經封裝之微晶片，其中 20 該至少一牆係由一液晶聚合物形成。 19. 如申請專利範圍第17項之經封裝之微晶片，其係 更包含一水分滲透性低的蓋子，該蓋子係固定至 該至少一牆以氣密性密封該空腔。 20. 如申請專利範圍第17項之經封裝之微晶片，其中 -22· 1336511

該隔離器係由該導線架與一矽樹脂材料中之至少 一種形成。 21.如申請專利範圍第π項之經封裝之微晶片，其中 該隔離器至少部份由至少一可模製材料形成。 •23·