TWI332932B - Work-piece treatment system having load lock and buffer - Google Patents
Work-piece treatment system having load lock and buffer Download PDFInfo
- Publication number
- TWI332932B TWI332932B TW093114228A TW93114228A TWI332932B TW I332932 B TWI332932 B TW I332932B TW 093114228 A TW093114228 A TW 093114228A TW 93114228 A TW93114228 A TW 93114228A TW I332932 B TWI332932 B TW I332932B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- workpiece
- load lock
- low pressure
- load
- housing
- Prior art date
Links
- 239000000872 buffer Substances 0.000 title claims description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 2
- 210000001061 forehead Anatomy 0.000 claims 1
- 230000008676 import Effects 0.000 claims 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 81
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 206010011469 Crying Diseases 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 210000000952 spleen Anatomy 0.000 description 1
- 239000012536 storage buffer Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
1332932 玟、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於移動一工件至/從一個在次大 氣麼力下處理工件之一工具的被抽空之次大氣區域的系統 【先前技術】 本發明之受讓人Axcelis Technologies係設計並銷售 在積體電路製造期間用於石夕晶圓之處理的產品。一種此等 產ρσ或工具係於MC-3的名稱下銷售^此一工具係產生有一 綠子束,其係修改被置放在離子束内之晶圓的物理性質。 此製程係可以被使用以例如是對被製作以生產一半導體 材料之未經處理晶圓的矽進行摻雜。在晶圓内施行離子植 入以及層積不同摻雜物圖樣之前以光阻材料施行遮罩的受 控使用係會產生一個使用在大量應用之一應用中的積體電 路0 許多不同的其他工具係被使用在積體電路製造期間。 這些工具係包括有在受控條件下對晶圓施行快速熱處理以 使晶圓退火。其他工具係被使用以將光阻以—受控圖樣塗 敷在晶圓i。諸卫具係被使用以於清灰製程期間將光阻材 料從晶圓處移除。其他工具係被使用以將已處理之晶圓切 割成個別的積體電路。 -個例如是型號M〇3植人器之離子束植人器的離子植 入容室係被維持在降低的壓力。在沿著一離子束線之加速 後’在離子束中的離子進入植入容室中並揸擊到晶圓。為 1332932 了將晶圓定位在離早始 子植入谷至内,其等係藉由一個 而從一個藉由運送李铽—、土#丄# 僻鐵考 圮系統或者错由其他傳送機構而被傳 植入器的卡匣或儲存 伟裝置處被移動進入一個載荷鎖定裝置 前方開口一體式交哭 ww ^ 一 Pening unified _s ’、 用於將矽晶圓從位在一積體電路(IC)製 造設備中的一個工作站虛孩私 處移動至另一工作站的普遍機構。 這=容器的不同_在商業上係可從列製造者處所取得 ’這些製造者係包括有Asyst Technologies以及Br〇〇ks A— 一個容納有許多堆疊晶圓之前方開口 容器(F0UP)係,藉由—個例如是—高架運輪器之自動傳送 裝置而從-個工具處被傳送至下一個工具處。高架運輸器 係將谷盗置放至一個方_她p辟-γ>艺,土 徊在機械臂可到達的位置處,如此一 個機械臂係可以將-或多㈣晶圓從容器處取出以施行處 理。 之美國專利第5, 486, 080號係相關於一種在 真空處理中用於工件之高速移動的系統。此系統係利用兩 個晶圓運送機械臂來使晶圓從兩個載荷鎖定裝置處移動通 過一個處理站。相關於序列式終端處理站的另外專利係為 美國專利第6, 350, 097號 '美國專利第6, 555, 825號、以 及美國專利第5, 003, 183號。 確切已知離子植入程序係需要工件經由不同離子束處 方或處理程式而以一所謂連鎖程序(chaining sequent) 被植入以離子數次。連鎖程序係藉由針對處理程式的整個 1332932 程序將卫件保持在真空容室中而被最有效地施行。本發明 係相關於一種傳送方法及設備,其係用於有效地移動工件 進入及離開-個用於工件處理的真空(次大氣)容室。 【發明内容】
-種系統係被揭示與一工具_起使用,此工具係例如 是-個在次大氣壓力下用於處理—工件的離子植入器。與 此-#使用的傳送設備係包括有一個工件隔絕载荷鎖 定裝置二用於一次傳送一或兩個工件從高壓處至低愿處並 且回到局壓處。在低壓處,一個緩衝裝置係儲存複數個工 件於低壓處而位在傳送進入及離開緩衝裝置可及的位置中 。-個機械㈣將m件㈣鎖定裝置處傳送至緩衝 裝置或者是-個被維持在低麼下的工件處理站。所揭示的 系統係具有與在一離子植入器十之植入的連鎖程序一起使 用的應用,此係由於緩衝裝置係容許被局部處理的晶圓能 夠被储存在處於低壓下的緩衝裝置中。 b ,一個示例㈣統係可以快速連續地處理多個工件於次
大氣昼力下。此-處理係藉由選擇性地對準一個未處理工 件於一工件對準站處,並接著 按者將未處理工件從對準站處移 動至:第一載荷鎖定裝置處,並且移動未處理工件進入第 一載荷鎖定裝置的内部之中而A 一 疋中而轭订。第一載荷鎖定裝置係 破抽氣以降低在載荷鎖定裝置内的壓力,並接 件係經由一個在真空中的耩妯 的機械臂而從第一載荷鎖定裝置内 部被移除。一個已藉由在真* ….. 具二中之機械臂的第二組臂部而 攸一處理站處所移去的已處 忏係破置放進入一個載荷 10 UJ29J2 鎖定裝.置之中。當第二載荷銷 戟仃頌疋裝置係被加壓時’未處理 的工件係接著藉由在真空中的 具工甲的機械臂而被移動至處理站。 已處理工件係從載荷鎖定裝 7蜎疋裝置處被移去以進行隨後的處理 。有效率之高水準生產能力 / 座力係藉由此一系統之使用而達成 〇 本發明的這些以及其他目的、優點、以及特點將從本 發明於下文中連同伴隨圖式所描述之可選擇式示例性實施 例的詳細描述的審閱而為吾人所了解。 參 【實施方式】 現在參考諸圖式,第一圖係描繪出-個與-個用於處 理一工件(例如是處在次大氣壓力下之—半導體晶圓工1 2)之一離子束處理工且一叔你田从4々、山士抑 舟起使用的終端處理站1 1 〇。 終端處理站係包括有第— 及第一工件隔絕載荷鎖定裝置1 一 1 1 6,每一個工件隔絕載荷鎖定裝置係能夠從一 尚壓區域1 1只Γ iHi Jtii . «〔典型地狀況為大氣壓力)處一次傳送一 或兩個工件至一彳厭P1 低壓£域1 2 0並且回到高壓區域1 1 8 。被描繪在第一圖由+ & ^ 、^端處理站的一項應用係為用於將 來自於進入一離子括λ 各至1 3 6之一離子束的離子連續 地一次植入半導體a菌 丄 守體阳圓。在此等半導體晶圓處理期間,用 於植入物之一處理栽4 么 ^ A係可能需要晶圓藉由具有不同能量 及強度之離子支炎考々 果處理夕次。當此等連鎖處理程式係被需 要之時,能夠將晶圓被 曰曰圓錯存在低壓區域1 2 〇中而在同時使 其他晶圓於植入容官1Qpi 丄3 6中接收經由第一處理程式之處 理係為有利者。 11 1332932 第一圖之終端處理站1 置1? 1 0係匕括有一個儲存緩衝裝 ,於儲存複數個工件於低壓區域;i 2 D & μ μ 低覆力下,而處在匕埤12〇内的較 傳送的位Μ置内可為一機械臂1 3 2所及而 儲疒综 亥機械臂1 3 2係將晶圓移動進入及離門 錯存緩衝區域i3〇。機械臂i32 及離開 域之時亦被定位以將工件從、 入低壓區 件載荷鎖定裝置1 1 4、或 16處傳送至緩衝裝置1 - -V· . ◦ 在不需要緩衝的處理程 裝置“m2亦可"將晶18從兩個工件載荷鎖定 工作二 4 具1 ^ μ P 13 U將aa®置放在一個晶圓夹 a 、、係吸引工件以將其固緊於夾具。夾且以;5 曰曰圓接著係被移動進入在離 ^ 三A圖中所看到的,夾且位置之中。如同在第 二 八135係被旋轉通過大略9Π麼 角而到達另-定向,並且如箭大略90度 描通過一個在虛理3 7所相不般地前後掃 ^個在處理工作站134處的離 掃描移動之-炅么上38。此一 之顯示在第三An根據本發明 :例性貫施例,離子束138係藉由電極而 。用於對晶圓進行植入二Π 掃福至另一側 直他機槿μΓ 於侧邊至側邊之掃描的 婦二 =為在習知技術中為吾人所知I側邊至側邊的 如二ΐ了一個扇形形狀的離子束。此-形狀結合工件 行1理並7所指不之上下掃描係會對工件的整個表面進 體晶圓。 τ此工件係為-薄平面半導 12 1332932 在藉由離子束所施行之離子束處理後,機械臂丄3 2 係取得工件並將已處理工件直接移動回到一個載荷鎖定裝 置之中以傳送回到較高壓力㈣。如果載荷 納有兩個工件,機械臂132係可以將第二工件移動至緩 衝裝置1 3 〇。-旦第-工件係被處理,其係可以被移動 至緩衝裝置’並且第二工件係被抓住並被置放在處理工作 站處,而在同時已處理工件係被移動回到載荷鎖定裝置工 1 4、1 1 6的其中一個之處。在所揭露的實施例之中, 機械臂1 3 2係包括有兩組工件抓取用臂部,並且在此一 貫幻之中’第一晶圓係可以藉由機械臂所保持住,而在 同% —個第一工件係被加以處理。 本發明之示例性實施例係與在一個積體電路製造設備 中用於半導體之離子束處理的離子植入器一起被使用。第 一圖係描繪顯示出四個前方開口一體式容器i 4 〇 —丄4 3,其等係被使用以將矽晶圓從在此一積體電路(〗◦). 製造設備中之一個工具處移動至另一個工具處。一個高架 輸送器(在圖式中並未被顯示出來)係以將此四容器分別 置放在相關於終端處理站11〇而為在空氣中之機械臂! 4 6、1 4 8之其中—個可到達的—個位置如此—個機 械臂係可以從容器處取得-個或多㈣晶圓以施行處理。 :住:個晶圓之在空氣中的機械臂係將其移動進入一個載 r >疋裝置之中,但在如此施行之前係可以將晶圓選擇性 地置放在一個對準器15〇上,對準器15〇係在將晶圓 插入載荷鎖定裝置中之前將晶圓定向於-適當定向之中。 13 1332932 第二圖至第四圖之側視圖係說明了用於將晶圓從載荷 鎖定裝置1 1 4、1 1 6處移動進入較低壓力區域丄2 〇 中之在真空中之機械臂1 3 2的細節。如同在第二圖十所 看幻的機械臂1 3 2係包括有兩個同心的驅動軸桿2 1 0 2 1 1,其係被耦接至兩個被支承在一機械臂外殼2 1 6内的可獨立啟動式馬達2丄4、2工5。該等軸桿係 藉由一個在外殼2 1 6的頂部處之含鐵流體密封件所支承 並通過其。驅動抽桿2 1 〇、2 1 1係繞著-個中央轴線 2 2 〇旋轉以將兩組機械臂部2 3 0、2 3 2選擇性地定 已,控位置。在第-圖的描繪圖之中,軸桿21〇、 動器irr皮旋轉以將二組臂部2 3 〇、2 3 2或端部受 、相對於彼此為大略9〇度角。由於臂部23〇 匕3 2係可獨立致動 臂部的任何定向将主組臂部所相對於另一組 於另_ έ # D可施包括有一種使一組臂部為直接位 乃組臂部上的定向。 如同在第一圖中所看 有兩個臂部2 3 0 a、=:第一組臂部2 3 0係包括 係包括有兩個臂部2” 〇b ’並且第二組臂部232 個氣動式致動器(在圖二2 3 2 b。在機械臂中的-邹2 3 〇 a、2 3 》並未被顯示出來)係會致使臂
(韁由-個控制】2二進行樞轉,並且可以被受控地啟動 之终端處理站i 〇的^系協調晶圓通過被描繪在第一圖中 例如是柩轉臂部2 “多動)’用以將一個晶圓抓住在-個 間。當抱轉臂部23Γ/與—個第二固定臂部23〇U a (或2 3 2 a )係移動成與一個 1332932 例如疋晶圓1 1 2之晶圓相接觸之時,被耦接至二臂部之 接觸塾子2 3 4係會在沿著晶圓之侧邊上的三個點處銜接 一個晶圓。一旦晶圓係被臂部所抓到之時,被耦接至該組 # 之一馬達的個別一個係可以使晶圓相對於旋轉中央轴 線2 2 0而旋轉至一個新的位置。 第三圖以及第四圖係說明了一個用於一次移動一個晶 圓1 1 2進入及離開以抽氣區域之載荷鎖定裝置丄工6的 截面圖。一個載荷鎖定裝置外殼2 5 0係包括有一個第一 通道252以及一個第二通道254,該第一通道 係用於將一載荷鎖定裝置外殼内部通氣至大氣,而第二通 道2 5 4係被耦接至真空源(在圖式中並未被顯示出來) ’用於降低在載荷鎖定裝置外殼内部之内的塵力。一個台 ,支承件2 6 0係支承著一個被置放在支承件2 6 〇上而 處在载荷鎖定裝置外殼内邮 内。P内的晶®。载荷鎖定裝置;[i 二具有—個側邊進口262,其係開啟及關閉以容二上 件(在示例性實施例中為晶圓)能 置外殼㈣之中,心置放在台座支承件=鎖1 被耦接至一壓力貯槽的$ 0上。一個 丁耗的乳動式驅動件2 6 4係 台座支承件260,並從 ,、冋及降低 6的内部之内。 ㈣移動工件於載荷鎖定裝置i i 載荷鎖定裝置外殼 係圍出一個可從侧邊進 72 (參見第四圓), 組臂部2 3 0、2 3 2 5 〇係包括有諸壁部2 7 〇 ,其 口 2 6 2所觸及的第-内部區域2 以及-個與植人器可為機械臂之二 所觸及之-較低虔力區域相互流體 15 1332932 連通的第二内部區域2 7 4 (參見第三圖)。台座的―個 =部表面276係形成-個周圍密封而環繞著該等壁部2 與台座之接觸區域’㈣維持介於制鎖定 之第一及第二内部區域2 7 2、2 7 4間的厂堅力隔絕。第P ;:係說明了一種構型’其中’台座係被升高至-個用於 而從機械臂148之較高(典型的狀況為 孔坚力區域處接收一晶圓的位置。在此—構型之中, :個被附接至載荷鎖定裝置壁部的門體2 7 6係被樞轉開 ’用以容許工件能夠被插入至載荷鎖定裝置之中。第四 圖係說明了門體2 7 6為被關閉並且台座被降低(在—適 H體減弱間隔後)之載荷鎖定裝置構型,如此工件 以為機械臂1 3 2之一組臂部所抓到。 在空氣中的機械臂1 48係為一種與機械臂丄3 2之 同的設計。空氣中的機械臂148係具有兩個端 又$ 2 8 0,其係可以致使被端部受動器所支承的工 2能夠相對於機械臂i 4 8之一中央2 8 2而經向地平移 =離開。這些端部受動器2 8〇亦可以栖轉環繞著機 中央2 8 2。當通往載荷鎖定裝置的門體2 7 6係被 開啟之時’端部受動器係將一晶圓移動進入載荷鎖定裝置 之中,並且將該晶圓置放在台座之上。機械臂1 4 8係為 ::在半導體處理工業為人所㈣SCARA(選擇式柔性組合 機械臂)類型之機械臂。 如同在第二圖中可以最清楚看到地,緩衝裝置丄3 〇 係儲存有複數個薄晶圓呈一大體上平行之構型以為該機械 16 9 Ο,发係置1 3 〇係包括有-個可移動式載具2 —可==:::的:槽’"大… 設至一個升降 U 9 0係被裝 之下進 2 ’用以在-離子植入控制器的控制 132係·τ '多動。藉由移動載具沿其行進路徑,機械臂 係晶圓置放進入-狹槽之中。載具… 抓到下㈣mb以—已佔據狹槽處 %的曰曰圓。如同在上文中所提及者,緩衝裝 有用者。對於離子植入器被使用於連續植人而言係為特別 在與晶圓緩衝裝置1 3 〇在直徑上相對的一個位 广處理站1 1 0係包括有-個區域3 1 〇,以供一個 ,於緩衝裂置1 3 0的第二緩衝裳置所置放。區域3 i 亦可以處於未佔據狀態中,如同在本發明於第二圖中所 ^述之示例性實施例所說明者。在所說明的實施例之中, 品,3 1 〇係被抽氣,並且提供一個區域供機械臂1 3 2 之臂。P能夠移動通過,巾不須倒轉方向或嘗試以移動通過 機械臂部行進路徑之不可觸及部分,例如是通過一個其台 座為處於一升高位置中的載荷鎖定裝置。 4第六圖係㈣出用於在植人器終端處理站1 1 0處在 大氣.壓力下連續處理多個工件之處理步驟的一程序。在 匕描,.會圖之中,一個第一機械臂1 4 8係從一個被置放 在車乂间(大氣)壓力區域丄丄8内之最右側F〇up丄4 3處 取得明圓。機械臂1 4 8係將晶圓從f〇UP 1 4 3處移動至 17 1332932 對準器150。在對準恶·] c;n 1 1 5 〇之正上方係為一緩衝處理 一 5 1。此一緩衝處理站(其係被定尺寸以容納一個單 一晶圓)係提供了一個虚所 1固處所予被返回至對準器150區域 :關F0UP 1 4 3的已處理晶圓。在第六圖之描繪圖 …一個第二機械臂1 4 6係取得未處理晶®,並且將 該晶圓從對準器 150處移動至-個第-載荷鎖定裝置L 3,並且將未處理晶圓置 二 吡弟載何鎖疋裝置内的一個 口座上。第六圖之載荷鎖定 後^ 疋裒置係為一種不同於第二圖至 第四圖之載荷鎖定裝置的今斗闽王 衣直的。又计。载荷鎖定裝置L 3係1右 兩個閥體V 1、V 2於截荇.# 置l j係具有 處右…η 2於載何鎖疋裝置L 3的相對側邊上而 ^大略相同的平面中’該等間體係開啟以接收來自兩個 機械臂146、148之曰圓接收I自兩個 赤二日日圓(並未有垂直移動式升降器 或。座卜-個亦處在相同平面中的第三閥體啟 以容許觸及被抽氣區域,尤i 3係開啟 。 场尤其疋在真空中之機械臂丄3 2, ..._ 3係藉由—個系體(在圖式中# 内的壓力…個在直1Γ ! 在第一載荷鎖定裝置 動器徑向地移動進入載荷鎖定裝置l3 2 :將-個端部受 理工件從第-載荷鎖定裝置之内==與用第以將未處 四圖中所描繪之機械臂丄3 、第-圖至第 m ^ ^ 所不同的是,第五圖呈笛> 圖之機械臂1 3 2’係為一個徑向…, 圖至第七 ,移動類型的SCARA機械臂 其係具有兩組臂部。在第六圖機械’ 件從載荷鎖處取出械曰中,—部係將工 機械臂1 3 2’係樞轉以面 18 件處理站134。在真空中之機械臂 内且^料在處理站134處將—個在離子植人容室13第: 將未2已處理工件從一夹具處移去。機械臂13 2,接著係 旋轉至置放在夹具上以施行離子束處理。機械.臂係 置放進入-ΓΓ並且將自夾具處取得之已處理工件 接著對第二:定裝置…中。一個控制器係 氣中之裝置L1進行加壓,並且第二個在空 L1處移去 6係將已處理工件從第二載荷鎖定裝置 回到_P“用3?施行隨後的傳送通過緩衝裝置…而 斜一 f:圖亦包括有-個額外的載荷鎖定裝置L 2。藓* ,此二:終端工作站工件移動之控制器進行適當心化 處二Π::::定裝置L2係可以增強在終端工二 -相當長時間是在第:圖:所描繪之步驟的程序之 每-個載荷鎖定枣置L 了載=疋裝置進行抽氣及通氣。 圓。在載荷鎖SI 2、L3係容納有一單-晶 8係可以取得—氣或通氣㈣,機械臂1 4 中。在同_,::Γ並將其插入至載荷鎖定裝置”之
Li處所獲得二132’係可以將一個從載荷鎖定裝置 剛剛描述之諸步:進入處理站之中。應注意的是, 頭。 省步驟的程序並未相應至第六圖中所顯示的箭 次大2 出用於在植入器終端處理站11 〇處在 運續處理多個工件之處理步驟的另一程序。 1332932
在第五圓中之傳送及操作程序的箭頭及製程步驟係為吾人 所省略其元件符號。在此—描繪圖式中,-個第-機械臂 1 48係從位在較高(大氣)壓力區域i丄8内之一最右 侧FOUP 1 4 3處取得晶圓。在第五圓之描繪圖中,工件移 動通過之行進區段係被標示以箭頭,其係相應於晶圓進入 及離開離子植入容室1 3 6時所遭遇到之路徑區段以及/ 或者處理步驟。機械臂丄4 8係將晶圓從_ρι 4 3處移 動至對準H 1 5 0,該對準ϋ χ 5 Q係被坐落在—個單一 晶圓緩衝裝置1 5 i的下方。在第五圖之描繪圖中,一個 第二機械臂1 4 6係取得未處理晶圓,並且將該晶圓從對 準器15Q處移動至-個載荷敎裝置Li,並將未處理 工件置放在第一載荷鎖定裝置内的一個台座上。
當一個晶圓係前往進入載荷鎖定裝置L i中之時,_ 個第二已處理晶圓係藉由機械臂1 4 6所移去。此一傳立 係可以經由兩種方式來施行。載荷鎖定裝置L 1係可以』 有兩個晶圓®體’如此在空氣中的機械臂1 4 6係可以;} ^固未處理晶圓置放在體上,並且從—第二£體處写 仟-個已處理晶圓。或者,使用包括有兩個端部受動器; S?A機械臂工4 8,例如是第三圖的機械臂,—個, 有一單一匠體的載荷鎖定裝置L 1係可以被使用。一個4 動窃係獲传已處理晶圓,並且第二受動器係將一未處理3 圓置放在現在可用的載荷較裝置匿體上。載荷鎖定^ L1係接著藉由—泵體(在圖式並未顯示出來)來進^ 氣’用以降低在第一載荷鎖定裝置内的壓力。 1 20 一個在真空中的機械臂 ^ ^^ d 2係將一組臂部移動進入 載何鎖疋裝置L 1之中,用以脾 ^ ^ w ^ ^ ^ 乂將未處理工件從第一載荷鎖 ^ ^ ^ ,·且# °卩係接著將來自於先前處 理擔環之一已處理工养署妨 〜〜 〜件置放進人載荷鎖定裝置之中,以進 行隨後的再加壓並返回至F〇丨〗ρ。户古 在真空$的機械臂U2 係接者紅轉以將未處理工件移動至處理站工3 4。在真空 中之機械臂⑴,的未被佔據第二組臂部係將一個已處理 工件從離子植入交官1 ^ β & 植入今至136内之處理站134處移去。在 真空中的機械臂1 ? P,往技土 J係將未處理工件(從載荷鎖定裝置 L 1處所獲得者)移動進人容室1 3 6之中以進行處理。 機械臂1 3 2’係接著旋轉至—個第二載荷鎖定裝置l 2或 L3 ’用以將已處理工件置放進入載荷鎖定裝置"或[ 3之中。-個控制器3 3 〇係接著使載荷鎖定裝置l 2或 L 3進行加麼’並且在空氣中之機械臂工4 8係將已處理 工件從載荷鎖定裝置L 2或L 3處移去,用以進行隨後的 傳送回到F0UP1 4 3,,。 第七圖係描繪出用於在植入器終端處理站丄^ 〇處於 次大氣壓力下連續地處理多個工件之處理步驟的另一程序 ,此終端處理站1 1 〇係相似於第五圖所描繪者。在第七 圖之中,一個第一機械臂i 4 8係聚集來自一最右側F〇卯 1 4 3而處在較高(大氣)s力區域1 1 8處的晶圓。機 械臂1 4 8係將晶圓從F0UP χ 43處移動至被坐落在一單 一晶圓緩衝裝置1 5 1下方處的對準器1 50。一個第二 機械I 1 4 6係取得未處理晶圓,並且將晶圓從對準器1 21 1332932 5 〇處移動至一個載荷鎖定裝置L 1處’並且將未處理工 件置放在載荷鎖定袭…内的一個台座上。 ★ S 一個晶圓係進人至載荷鎖定裝置L 1中之時, 第二已處理晶圓係被移去。此一傳送係可以經由兩種 來知行。載荷鎖定裝置L工係可以具有兩個晶圓匿體,: 此在空氣中的機械臂1 4 6係可以將-個未處理晶圓 在―匠體上,並且從—第二£體處取得一個已處理晶圓。 或,,使用包括有兩個端部受動器之一 scara機械臂 如疋第三圖的機赫劈, .^ „„ /叼機槭#,一個帶有一單一£體的載荷鎖定裝 1係可以被使用。-個受動器係獲得已處理晶圓1 且第二党動器係將一未處理晶圓置放在現在可用的( 二載荷敎裝置E體上。載荷骸裝置L1係接著藉:一 二體“(在圖式並未顯示出來)來進行抽氣,用以降低在 載何鎖疋裝置内的壓力。一個在真空中的機械臂U 2, ^使―組臂部旋轉進入載荷鎖定裝置“之中,用以將未 ί = = ΐ第一載荷鎖定裝置的内部中移出。一組臂部係 ^疋裝置L1處取得工件’並且在真空中的機械臂
定梦罢之—第二組臂部係將—已處理晶圓置放進入載荷鎖 、之中。機械臂係將未處理工件移動至處理站 =器係接著使載荷鎖U置Llit行加壓,並接著在* =:機械臂146係將已處理工件從載荷鎖定裝置J FOUP! ’用以進行隨後的傳送通過緩衝裝置151而回到 1 4 3。如同在上文中參照第六圖所討論者,在第五 担以及第七圖中所顯示的每一個終端處理站係具有多個裁 22 1332932 荷鎖定裝i,用以增強晶圓進入及離開處 效率的生產能力。 "4之有 續處第七圖係分別界定出用於在次大氣厂堅力下連 ’’夕個工件的終端處理站11〇。至少一個機械臂丄 係具有兩組端部受動器,其係繞這一個機械臂中央軸 ,而方疋轉,用以將工件移動至一處理站工3 4。在次大氣 區域外的—個第二機械臂1…1 4 8係將—個未處理 工件移動至―個第—載荷鎖定裝置LI、L2、或L3, 並且將未處理工件置放在第一載荷鎖定裝置之@。一個在 ::制器3 3 0之控制下的泵體3 2 2 (與被耦接至植入 合至3 6之泵體·3 2 〇相分離)係會對第一載荷鎖定裝 置進仃抽氣’用以降低在第一載荷鎖定裝置内的壓力。控 制盜3 3 Q係接著致使第-機械臂1 3 2,將未處理工件從 第。。載何鎖定裝置處經由第一機械臂1 3 2,的一組端部受 移去控制器3 3 0亦致使一個從處理站處所獲得 之=處理工件能夠為第一機械臂1 3 2,之一第二處端部受 斤取得’並且在對載荷鎖定裝置進行加壓前被移動進 入第一載荷鎖定裝置。 隹U本發明係以特定程度地被加以描述,吾人所意欲 者係為’本發明包括有來自於落入隨附申請專利範圍之精 神及範嘴内之已揭示示例性實施例的所有修改樣式及替換 樣式。 【圖式簡單說明】 (一)圖式部分 23 第一圖係為一個離子植入器線矬_ 态,,,、鸲處理站之俯視圖,該 離子植入器終端處理站係用於將工件承載進入一個離子植 入器之中,以及將已處理工件從一離子植入器處移去; 第二圖係為沿著第-圖中線2 - 2所截的截面圓; 第三圖係為沿著第一囷中線3 _ 3所截的截面圖; 曰第三A圖係為一個顯示出一晶圓夾具的描繪視圖,該 晶圓夹具係支承一工件於一離子束内以施行工件之離子 處理; 第四圖係為一個額外的截面視圖,其係顯示出一個用 於將工件遞送至終端處理站之一低壓區域處之載荷鎖定 置的操作; 、 第五圖係為顯示出用於處理一工件之處理步驟程序 描繪圖;以及 的 第六圖及第七圖係為顯示出用於處理一工件之另一 理步驟程序的描繪圖。 (二)元件代表符號
L L L V V V 载荷鎖定裝置 載荷鎖定裝置 載荷鎖定裝置 閥體 閥體 閥體 終端處理站 終端處理站 24 0 0 1332932 112 114 半導體晶圓 , 第一工件隔絕載荷鎖定裝置 116 118 第二工件隔絕載荷鎖定裝置 向陸區域 12 0 低壓區域 13 0 緩衝裝置 13 2 機械臂 13 25 機械臂 13 4 處理站 13 6 離子植入容室 13 8 離子束 14 0 前方開口一體式容器 14 1 前方開口一體式容器 14 2 前方開口一體式容器 14 3 前方開口一體式容器/ F0UP 14 3,, F0UP 14 6 機械臂 14 8 機械臂 15 0 對準器 15 1 晶圓緩衝裝置 2 1 0 2 11 驅動軸桿 驅動軸桿 2 14 馬達 2 1 5 馬達 25 1332932 2 1 6 機械臂 外 殼 2 2 0 中央軸線 2 3 0 機械臂 部 2 3 0 a 機械臂 部 2 3 Ob 機械臂 部 2 3 2 機械臂 部 2 3 2 a 機械臂 部 2 3 2 b 機械臂 部 2 3 4 接觸墊子 2 5 0 *12 -V务 ΛΦ 載何鎖 定 裝置 外殼 2 5 2 通道 2 5 4 通道 2 6 0 支承件 2 6 2 側邊進 D 2 6 4 氣動式 驅 動件 2 7 0 壁部 2 7 2 第一内 部 區域 2 7 4 第二内 部 區域 2 7 6 頂部表 面 /門 體 2 8 0 端部受 動 器 2 8 2 中央 2 9 0 可移動 式 載具 2 9 2 升降器 3 1 0 區域
26 1332932 3 2 0 泵體 3 2 2 泵體 3 3 0 控制器
27
Claims (1)
1332932 拾、申請專利範圍: 1、一種傳送設備,甘 —〜 〜 /、係與一個用於在次大氣壓力 處理工件之工具一起使用,^ ^ ^ ^ 及傳送設備係包括有: a ),冑夕個工件隔絕栽荷鎖定裝置,其係用於…— 高壓區域處一次傳送複數彳 ' ;攸一 号迓硬數個工件至一低壓區域並 高壓區域,其中各載荷鎖 丨該 ,以便將該等複數個工件傯 、循& 之間; 件傳送於该尚壓區域及該低壓區域 b ) —個緩衝梦署 4 、 ’、係於該載荷鎖定裝置之遠饞 加壓及抽真空循環期問, 續的· t , 被維持在低壓,該緩衝裝置用於 在低壓下將複數個工件戗 乂 自動值牛儲存在該緩衝裝置内可觸及而能被 自動傳达進入及離開該緩衝裝置的位置中;以及 C ) 一個機械臂,直俾句紅%虹y 一且η μ M k ,、係包括複數個可獨立操作之具有 定妒置處值,“ 用於將该專工件從該工件載荷鎖 疋裝置處傳迗至該緩衝 件處理站。 Μ置或-個破維持在該低壓下之工 2 '根據申請專利筋 外包括有-個工件對進。„第1項所述之傳送設備,其額 件隔絕載荷鎖定穿置广其係用於控制被移動通過該工 蜗疋裒置之工件的對準。 ,該緩衝裝=°:亡利範圍第1項所述之傳送設備’其* 圓,而使其可/ —大致上平行的構型儲存有複數個薄晶 '、可為该機械臂所觸及。 ,該==利範圍第1項所述之傳送設備,其中 戰何鎖定裝置係包括有: 28 1332932 —個載荷鎖定裝置外殼’其係包括有一個用於使一載 荷鎖定裝置外殻内部通氣至大氣的第一通道’以及—個用 於降低在該載荷鎖定裝置外殼内部内之壓力的第二通道. —個台座支承件,其係用於將一個晶圓支承為使其被 置放在該外殼内部内的支承件上; 一個側邊進口,其係開啟及關閉以容許工侔At 旰肊夠被插 入载荷鎖定裝置外殼内部之中,用以置放在台座支承件 ;以及 … .…u /王又不件, 從而移動該工件於該外殼内部之内。 5、根據申請專利範圍第4項所述之傳送設備,其 ,該載荷鎖定裝置外殼係包括有諸壁部,其等界定出二 二括有該側邊進口的第一内部區域以及一個與可為該: ’所觸及之一低屋區域相互流體連通的第二内部區域。 ,丄根據申請專利範圍第5項所述之傳送設備,龙 〜座之一表面係形成有一個、 的密封件,用+ 寸里4之接觸區j 及笛 在介於該載荷鎖定裝置内部之該第· 第一内部區域間的壓力隔絕。 Λ 7、根據申請專利範圍第1項 ,該隔絕載荷鎖定裝置係包括有:、“之傳送設備’其? 一個載荷鎖定裝置外殼,1 荷鎖定裝置外殼内部暴露至大的:括有-個用於將1 於將-載荷鎖定裝置外 -閥體’以及-個用 體;以及 暴路至—真空區域的第二間 29 1332932 一個工件支承件,其係在該工件已被移動通過該第一 或第二閥體而進入外殼内部之後,用於將一工件支承在該 外殼内部内。 、一種傳送設備,其係與一個用於在次大氣壓力下 處理工件之工具一起使用,該傳送設備係包括有: )個外威,其係界定出一個低壓區域,用於在低 壓區域内處理被置放在—工件處理站處之工件;' b )複數個工件隔絕載荷鎖定裝置,其係用於從—高 堅品域处-人傳送一或二個工件至一低壓區域以進行處理 並且在該處理後傳送回到該高壓區域,其中該等載荷鎖定 裝置經過一加壓及抽真空循環,以便將該等一或二個工件 傳送於該高壓及該低壓之間; )個第-機械臂,其包括複數個可獨立操作之具 有共同樞轉轴的傳送臂,用於將低壓區域内之工兮 載荷鎖定裝置處傳送至該低壓區域内之一處理站;以及^ 0 )複數個其他機械臂,其等係、被定位在該低壓區域 外,用於在工件處神今时 _ 則將工件從工件的一來源處傳送至複 數個工件隔絕載荷销定驻$ ,★疋裝置,並且在該處理後將工件從複 數個工件隔絕載荷鎖 心钹 瑕置傳运至该工件之一目的地;及 e ) 低壓緩衝梦罢 野裝置’其係於該载荷鎖定裝置之連續 的加壓及抽真空循環期 心埂頊 於在低壓下μ… 維持在低壓,該緩衝裝置用 於在低壓下將複數個工 站自t H隹入 件儲存在该緩衝裝置内可觸及而能 、 及離開該緩衝裝置的位置中。 9、根據申請專朱丨γ 範圍第8項所述之傳送設備,其中 30 丄J J厶7 ’ 5玄來源以n社 7 單一儲存裝〜目的地係為一個能夠保持住複數個工件的 ^置。 額外包括根據申請專利範圍第8項所述之傳送設備,其 工#眩 個工件對準器’其係用於控制被移動通過該 工件搞絕栽荷鎖宏#罢々 1 Τ蜎疋裝置之工件的對準。 根據申請專利範圍第8項所述之傳送設備,其 中,該緩衝步署 曰 、直係以一大致上平行的構型儲存有複數個薄 日日 而使其可為該機械臂所觸及。 2根據申請專利範圍第8項所述之傳送設備,其 中’该隔絕載荷鎖定裝置係包括有: — 個載荷鎖定裝置外殼,其係包括有一個用於使一載 7、貞弋裝置外殼内部通氣至大氣的第一通道,以及一個用 於降低在该載荷鎖定裝置外殼内㉝内之歷力的第二通道; 個台座支承件,其係用於將一個晶圓支承為使其被 置放在該外殼内部内的支承件上; 一個側邊進口’其係開啟及關閉以容許工件能夠被插 入栽荷鎖定裝置外殼内部之中,用以置放在台座支承件上 :以及 一個啟動器’其係用於抬高及降低該台座支承件,並 從而移動該工件於該外殼内部之内。 1 3、根據申請專利範圍第1 2項所述之傳送設備, 其中’該載荷鎖定裝置外殼係包括有諸壁部,其等界定出 —個包括有該側邊進口的第—内部區域以及一個與可為該 機械臂所觸及之一低壓區域相互流體連通的第二内部區域 31 1332932 其中 區域 第一 中, 荷鎖 於將 體; 或第 外殼 拾壹 14、根據申請專利範圍第i 3頊所述之傳送設備, ,邊台座之一表面係形成有一個沿著該等壁部之接觸 的密封件,用以維持在介於該載猗鎖定裝置内部之該 及第二内部區域間的壓力隔絕。 1 5、根據申請專利範圍第8項所述之傳送設備,其 該隔絕栽荷鎖定裝置係包括有: 一個載荷鎖定裝置外殼,其係包括有一個用於將一載 定裝置外殼内部暴露至大氣的第一閥體,以及一個用 一載荷鎖定裝置外殼内部暴露至一真空區域的第二閥 以及 一個工件支承件,其係在該工件已被移動通過該第一 二閥體而進入外殼内部之後,用於將一工件支承在該 内部内。 、圖式: :σ次頁 32
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/444,019 US7010388B2 (en) | 2003-05-22 | 2003-05-22 | Work-piece treatment system having load lock and buffer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200508129A TW200508129A (en) | 2005-03-01 |
TWI332932B true TWI332932B (en) | 2010-11-11 |
Family
ID=33450548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093114228A TWI332932B (en) | 2003-05-22 | 2004-05-20 | Work-piece treatment system having load lock and buffer |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7010388B2 (zh) |
EP (1) | EP1625609A2 (zh) |
JP (1) | JP4935987B2 (zh) |
KR (1) | KR101196914B1 (zh) |
CN (1) | CN100481314C (zh) |
TW (1) | TWI332932B (zh) |
WO (1) | WO2004107412A2 (zh) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3674864B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2005-07-27 | 忠素 玉井 | 真空処理装置 |
US7246985B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-07-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Work-piece processing system |
JP4907077B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-03-28 | 株式会社Sen | ウエハ処理装置及びウエハ処理方法並びにイオン注入装置 |
US7314808B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-01-01 | Applied Materials, Inc. | Method for sequencing substrates |
US7585141B2 (en) | 2005-02-01 | 2009-09-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Load lock system for ion beam processing |
US7534080B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-05-19 | Ascentool, Inc. | Vacuum processing and transfer system |
KR100729704B1 (ko) | 2005-12-01 | 2007-06-18 | 박영남 | 반도체 제조설비 |
JP2007242648A (ja) * | 2006-03-04 | 2007-09-20 | Masato Toshima | 基板の処理装置 |
US7381969B2 (en) * | 2006-04-24 | 2008-06-03 | Axcelis Technologies, Inc. | Load lock control |
US7949425B2 (en) * | 2006-12-06 | 2011-05-24 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput wafer notch aligner |
US20080138178A1 (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Axcelis Technologies,Inc. | High throughput serial wafer handling end station |
US20080206020A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Smith John M | Flat-panel display processing tool with storage bays and multi-axis robot arms |
CN101311284A (zh) * | 2007-05-24 | 2008-11-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镁合金及镁合金薄材 |
US20090208668A1 (en) * | 2008-02-19 | 2009-08-20 | Soo Young Choi | Formation of clean interfacial thin film solar cells |
US10916340B2 (en) | 2008-12-05 | 2021-02-09 | Remedi Technology Holdings, Llc | System and methodology for filling prescriptions |
US9611540B2 (en) * | 2008-12-22 | 2017-04-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic chuck shielding mechanism |
KR102027108B1 (ko) * | 2009-03-18 | 2019-10-01 | 에바텍 아크티엔게젤샤프트 | 진공처리 장치 |
JP5721132B2 (ja) | 2009-12-10 | 2015-05-20 | オルボテック エルティ ソラー,エルエルシー | 真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリ及び真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリを真空処理チャンバに締結する方法 |
DE102011015806A1 (de) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | Ident Technology Ag | Displayeinrichtung |
US20110300696A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method for damage-free junction formation |
CN103155133A (zh) * | 2010-08-06 | 2013-06-12 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理系统、搬送模块、基板处理方法和半导体元件的制造方法 |
TWI514089B (zh) | 2011-04-28 | 2015-12-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 在微影系統中用於轉移基板的設備 |
US8459276B2 (en) | 2011-05-24 | 2013-06-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
US9378992B2 (en) | 2014-06-27 | 2016-06-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput heated ion implantation system and method |
US9607803B2 (en) | 2015-08-04 | 2017-03-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput cooled ion implantation system and method |
US9564350B1 (en) * | 2015-09-18 | 2017-02-07 | Globalfoundries Inc. | Method and apparatus for storing and transporting semiconductor wafers in a vacuum pod |
US20230207331A1 (en) * | 2020-04-13 | 2023-06-29 | Tokyo Electron Limited | Bonding system |
US11581203B2 (en) * | 2020-09-02 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Systems for integrating load locks into a factory interface footprint space |
CN112289667B (zh) * | 2020-10-14 | 2024-06-04 | 北京烁科中科信电子装备有限公司 | 一种用于离子注入机大气端和真空端交互的二维开关门装置 |
JP2022155711A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0828412B2 (ja) * | 1986-06-23 | 1996-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハ搬送装置 |
JPS63204726A (ja) | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
US5019233A (en) * | 1988-10-31 | 1991-05-28 | Eaton Corporation | Sputtering system |
US5003183A (en) | 1989-05-15 | 1991-03-26 | Nissin Electric Company, Limited | Ion implantation apparatus and method of controlling the same |
US5002010A (en) * | 1989-10-18 | 1991-03-26 | Varian Associates, Inc. | Vacuum vessel |
US5685684A (en) * | 1990-11-26 | 1997-11-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing system |
JPH05275511A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の移載システム及び処理装置 |
JPH0555159A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-05 | Nec Corp | イオン注入装置 |
US5486080A (en) | 1994-06-30 | 1996-01-23 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High speed movement of workpieces in vacuum processing |
JP3288200B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2002-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
JPH0936198A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Hitachi Ltd | 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン |
US6481956B1 (en) * | 1995-10-27 | 2002-11-19 | Brooks Automation Inc. | Method of transferring substrates with two different substrate holding end effectors |
JP2937846B2 (ja) * | 1996-03-01 | 1999-08-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチチャンバウェハ処理システム |
JP3737570B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2006-01-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6034000A (en) * | 1997-07-28 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Multiple loadlock system |
US6530732B1 (en) * | 1997-08-12 | 2003-03-11 | Brooks Automation, Inc. | Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber |
JPH11330196A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Tadamoto Tamai | ウエハ搬送装置及び搬送方法 |
US6431807B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-08-13 | Novellus Systems, Inc. | Wafer processing architecture including single-wafer load lock with cooling unit |
JP2000174091A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Fujitsu Ltd | 搬送装置及び製造装置 |
US6350097B1 (en) | 1999-04-19 | 2002-02-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing wafers |
GB2349269A (en) | 1999-04-19 | 2000-10-25 | Applied Materials Inc | Ion implanter |
US6244811B1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Atmospheric wafer transfer module with nest for wafer transport robot |
US6428262B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-08-06 | Proteros, Llc | Compact load lock system for ion beam processing of foups |
US6429139B1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-08-06 | Eaton Corporation | Serial wafer handling mechanism |
JP2002261148A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム及び被処理体の予熱方法 |
US6663333B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-12-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer transport apparatus |
JP2002324829A (ja) * | 2001-07-13 | 2002-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
JP2003059999A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
US6719517B2 (en) * | 2001-12-04 | 2004-04-13 | Brooks Automation | Substrate processing apparatus with independently configurable integral load locks |
-
2003
- 2003-05-22 US US10/444,019 patent/US7010388B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-20 TW TW093114228A patent/TWI332932B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-21 CN CNB2004800140463A patent/CN100481314C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-21 KR KR1020057022057A patent/KR101196914B1/ko active IP Right Grant
- 2004-05-21 WO PCT/US2004/016074 patent/WO2004107412A2/en active Application Filing
- 2004-05-21 JP JP2006533305A patent/JP4935987B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-21 EP EP04752974A patent/EP1625609A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040234359A1 (en) | 2004-11-25 |
CN100481314C (zh) | 2009-04-22 |
US7010388B2 (en) | 2006-03-07 |
TW200508129A (en) | 2005-03-01 |
EP1625609A2 (en) | 2006-02-15 |
CN1795533A (zh) | 2006-06-28 |
JP2007511896A (ja) | 2007-05-10 |
KR20060013408A (ko) | 2006-02-09 |
JP4935987B2 (ja) | 2012-05-23 |
KR101196914B1 (ko) | 2012-11-05 |
WO2004107412A3 (en) | 2005-01-20 |
WO2004107412A2 (en) | 2004-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI332932B (en) | Work-piece treatment system having load lock and buffer | |
US7246985B2 (en) | Work-piece processing system | |
US10832926B2 (en) | High throughput serial wafer handling end station | |
JP4583461B2 (ja) | 基板の搬送方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP5273437B2 (ja) | イオンビーム注入装置用のワークピース移送システム及びその処理方法 | |
US7949425B2 (en) | High throughput wafer notch aligner | |
JP5268126B2 (ja) | デュアルロボット搬送システム | |
TWI308883B (en) | Atmospheric robot handling equipment | |
US5915957A (en) | Method of transferring target substrates in semiconductor processing system | |
JPH08288191A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH11219912A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JPH11307036A (ja) | イオン注入装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |