TWI328833B - Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process - Google Patents
Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process Download PDFInfo
- Publication number
- TWI328833B TWI328833B TW095123752A TW95123752A TWI328833B TW I328833 B TWI328833 B TW I328833B TW 095123752 A TW095123752 A TW 095123752A TW 95123752 A TW95123752 A TW 95123752A TW I328833 B TWI328833 B TW I328833B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- photoresist
- pattern
- contact hole
- film
- coating
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 11
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 131
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 63
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 49
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims description 6
- -1 methacrylate compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 claims 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- DVUVKWLUHXXIHK-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;tetrahydroxide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-] DVUVKWLUHXXIHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical group CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
1328833 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、、本發明之揭示一般係有關於一種製造半導體裝置的方 法’其包括i)形成-光阻劑圖案、然後u)在其上方 阻劑流動製程（以下均稱為「RFP」）以及塗佈處理製程， 藉此獲得"'均句縮小的光阻劑圖t，不論光阻劑的圖案密 Φ 【先前技術】 相關技術的簡單敘述 隨著半導體裝置應用的領域逐漸擴展，開始有需要製 造具有經改良之完整性的高容量記憶裝置。半導體製程有 必要地包括了一種用來形成線形圖案（諸如閘門線與點 線），或者是接觸孔洞圖案（諸如點線接觸）的微影製程。 為了要形成小於Ο.ΐμπι之臨界尺寸（CD)，該微影製 程運用了短波長之深紫外光（DUV )光源的曝光器，諸如 鲁ArF ( 193nm)或VUV ( 157nm)，來取代長波長光源，諸 如 i - line 或 KrF ( 248nm)。
此外’為了要獲得具有在曝光器上之解析度的精細接 觸孔洞圖案，已經研發出一種（i ) rFP ( 心以⑽V
Applied Physics. Vol. 37 ( 1998) PP.6863 - 6868)、或者 是（ii ) 一種塗佈處理製程’其係利用由Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ( Advances in Resist Technology and Processing ’ 由 Sturtevant，John L.所編著，sp/五， 1328833 即· 533-5扣，其所有教示及揭示内 容全部均於此併入作為參考資料）所製成之safiertm (Shrink Assist Film f〇r Enhanced Re 溶液）材料。 (i )根據該RFP，係在玻璃轉換溫度（Tg)以上，， 將熱能施加到由光微影製程所獲得之光阻劑圖案上，歷時 -段預先決定的時間，使得光阻劑能以熱的方式流動。因 此，得以縮小該光阻劑接觸孔洞圖案的尺寸。
甚至在該RFP期間’ #均勻熱能傳送至該光阻劑之整 個表面上時，1¾光阻劑從下部位置流出t比從上部或令間 位置流出的速度更快，使得當該圖案之上部位置變得比該 圖案之下部位置還要寬的時候，會產生溢& (㈣一 flowing)現象。更進一步而言， 一個都具有不同密度之光阻劑圖 光阻劑之熱流數量的不同。因此 縮小的圖案是很困難的。 因為在該裝置上形成了每 案’而使得該密度差導致 ’要獲得具有均勻尺寸且 孔洞圖案尺寸變化的圖解 參照圖u，在底層i上之該光阻劑薄⑲3上方進行 曝光和顯影製程’藉此獲得13〇_之光阻劑接觸孔洞圖案 5。之後，再於該光阻劑接觸孔洞圖
系 上進仃一般的RFP 製程，歷時一分鐘。因此，如圖lb中所 D〒所顯不，因為可以 流動至具有較高接觸孔洞密度之區域 玛I a )中的阻劑數量很 小，而形成縮小到l〇〇nm之該接觸孔洞 ^ ^ 1 ，同時也 因為可以流動至具有較低接觸孔洞密度之區域⑴中的 6 丄⑽833 阻^數里很A ’而形成縮小到7Gnm之該接觸孔洞圖案5 一 2時the接觸孔洞圖案5_2。 據該塗佈處理製程’在由光-微影製程所獲 于’“阻劑圖案上塗佈一層塗層材料，諸如SAFIErtm 材料H將該最終的結構加熱超過該光阻劑聚合物之 玻璃轉換溫度’來縮小該光阻#!接觸孔洞圖案。 而田層塗層薄膜形成於該光阻劑圖案上時，將 一層塗層材料填充至具有高接觸孔洞圖案密度之區域裡的 夕數接觸孔洞巾’使得形成一層低厚度的塗層薄膜。另— 方面，有-些接觸孔洞是以具有低接觸孔洞圖案密度之區 龍的塗料料加以填充，使得㈣高厚度之塗層 :此：甚至是在之後的加熱處理製程當中，當把相同的能 里，送至β亥塗層薄膜的整個表面上時，也難以藉由塗層薄 膜厚度差來縮小該光阻劑接觸孔洞圖案至均勻尺寸。 圖22至2c係為說明當利用傳統safiertm材料來進疒 塗佈處理製&時，光阻劑接觸孔洞圖案尺寸變化的圖解。 參照圖2a，在底層21上之該光阻劑薄膜23上方進行 曝光與顯影製程’藉此獲得13〇nm之光阻劑接觸孔洞圖案 乃。之後，再將SAFIERTM材料塗佈至該光阻劑接觸孔洞圖 案25上以形成塗層薄膜27，並且在最終的結構上進^ 加熱處理製程29,超過該光阻劑之玻璃轉換溫度，歷時= 過三分鐘。然後，將該塗層薄膜移除。因此，縮小1〇如坩 之該光阻劑接觸孔洞圖案25—2形成於區域（b)當/坊 同時7〇nm之接觸孔洞圖案乃―i形成於該區域中’， 7 因為塗層薄膜而使在且有 你，、虿间接觸孔洞圖案密度之區域（a) 菖中的熱傳送效應比且有低技雜^団也 八虿低接觸孔洞圖案密度之區域（b) 還高。 a虽:由以上所敘述之現象而形成非均勾圖案時，就不 可能獲得足夠的银刻由pq成h v 阁…間來執行之後的穩定钱刻製程，而 圖本Ss界尺寸的精確度就 曰丁I 月碩厪就會下降而造成最終半導體裝置產 1下降。
【發明内容】 發明揭示概要 不S兄明書所揭示的是一 包半導體裝置的方法，其 均自始, I程使件光阻劑接觸孔洞圖案能夠 勺鈿小，不論光阻劑的圖案密度為何。 詳細敘述 本發明所揭示之光微影盤
法，儆〜氣耘來製造半導體裝置的方 進杆 形成第—光阻劑圖案；以及（b ) 仃阻劑流動製程（RFp ) 高於寸M 変佈處理製程，以獲得具有 %邊第一光阻劑圖案 斛祈度的第二光阻劑圖案。 較佳的情形下，該製造主道规# 下步驟： 忒表化丰導體裝置的方法包括了以 a)在一底層上形成光阻劑薄臈； (b )在該光阻劑簿胺卜；隹< 第一#膜進仃曝光與顯影製程，以形成 先阻劑接觸孔洞圖案； (c )在該第一光阻劑接觸 J % /Ν圆案上進行RFP ;以及 8 (d )在該最終結構之整 以獲得第二光阻劑圖案。 自上進行塗佈處理製程， 步驟⑷中之塗佈處 最終的結構上形成一層塗層薄 程；並且將該塗層薄膜移除，，進行加熱處理製 ▲步驟“）t RFP製程較佳是在破璃轉 局於該玻璃轉換溫度下進行，歷時一段預先二：：者是 更佳的執行條件是&預先决疋的時間， 先的製程所獲得的最小光阻香,丨扭 觸孔洞圖案，縮小大約跑大約㈣。並且劑接 之塗佈處理製程的加埶處理 步驟（d) 先前的製程所碑得㈣^ 行條件較佳為將由 …至大約卿光阻劑接觸孔洞圖案，縮小大約 在較佳的情形下’該塗層薄膜具有不同於光阻劑之溶 :二特性。因此，該光阻劑薄膜的溶解度不同於溶劑（用 1示该塗層薄膜）中的塗層薄膜溶解度。舉例而言，去 作為移除該塗層薄膜的溶劑時’該光阻劑薄膜二 ,、有較&之對水的溶解度，而該塗層薄膜就具有較高之 水的的溶解度。 二杈而&該光阻劑薄膜具有較低之對水的溶解度。該 塗層薄膜包括一種可溶於水的聚合物化合物，其分子量範 圍從大約200至大約5〇，_，具有較高之對水的溶解度軏 並且可以有效地填充至該接觸孔洞圖案之中，更佳地，勹 括一種聚（N，N一二曱基丙稀醯胺）化合物，其具有15〇〇〇 的分子量，或者是可以使用一般的SAFIERm材料來作為塗 1328833 層材料。 ^以上所敘述之方法所獲得的第二光阻劑圖幸比 曰由使用曝光器而獲得之光阻劑圖案還要高。 - 在該步驟（C)肖（d)十所 ； 用兮PPD u ^圔案尺寸，可以利 用違RFP的處理時間和溫度、以及該 時間與溫度來加以調節。 製程之加熱 本發明所揭示的方法將參昭 敘述。 U 斤附加之圖式進行詳細的 圖I在底層1〇1上之該光阻劑薄膜103上方進 仃曝光與顯影製程，藉此獲得u 洞圖案H)5(參見圖3#4a) /之第—光阻劑接觸孔 該底層並未特別加以限制。舉例而言，該底層可包括 聚石夕、_、_、或者是金屬薄膜，諸如（例如）。 任何適當之化學增幅型光阻劑都可以被用來作為該光 阻劑缚膜。在較佳的情形下’該光阻劑具有一結構，立包 括甲基丙料自旨化合物、或料烴化合物作為其主鍵。 在此，較佳是在該曝光製程之前進行軟烤製程（⑽ bakingPr_SS)’並且在該曝光製程之後進行後烤製程（pew bakingpr。⑽）。該烘烤製程較佳是在溫度範圍大約默 至大約200°C下進行。 該曝光製㈣執行較佳是使用選自於由以下所構成之 群組中的光源：KrF( 248nm )、ArF( i 93nm )、νυν( ι $7謂）、 EUV(13nm)、電子束（e—beam)、χ—光以及離子束， 而該曝光製程的執行則較佳是在暴露能量範g從大約 10 1328833 0.1mJ/cm2 至大約 l〇〇mj/ cm2 〇 在圖3a之第一光阻劑接觸孔洞圖案1 〇5上進行RFp， 在,β亥光阻劑之玻璃轉換溫度下或者是高於該玻璃轉換溫度 下歷時 #又預先決疋的時間，以縮小該第一光阻劑接觸 孔洞圖案105的尺寸5〜20%。因此，如圖3b中所顯示， 因為能夠流進具有高接觸孔洞圖案密度之區域（a，）令的 阻劑數量很少，而形成縮至比第一圖案還小之丨〇〇nm光阻 劑接觸孔洞圖案105 — 1 ;而因為能夠流進具有低接觸孔洞 圖案密度之區域（V)中的阻劑數量很大，而形成縮至比 第一圖案還小之90nm光阻劑接觸孔洞圖案1 〇5 _ 2 (參見 圖3b與4b)。 參照 Japanese Journal of Applied Physics ( vol. 37 ( 1998 ) ρρ· 6863 — 6868 )，可以將特定RFP條件進行適 當地調整，其所有教示及揭示内容全部均於此併入作為參 考資料。在較佳的情形下’該RFP是在溫度範圍從大約 140 C至大約170oC下進行，歷時從大約2〇秒至大約5〇 秒。 然後，如圖3c中所顯示，在該最終的結構的整個表面 上，以相同於該光阻劑薄膜的厚度形成一層塗層薄膜1〇7， 以用於填充不同尺寸之接觸孔洞圖案Ι〇5— 1和1〇5—2， 其係取決於以上所敘述之圖3b的圖案密度。 將該塗層材料填充至具有高接觸孔洞圖案密度之區域 中的許多接觸孔洞裡，使得該塗層薄膜會以低厚度形成。 另一方面，有少數接觸孔洞是以具有高接觸孔洞圖案密度 11 1328833 之區域中的塗層材料加以填奋蚀 具兄使付該塗層薄膜會以高厚 度形成。 109以後，將 120秒，以移 在該塗層薄膜107上進行加熱處理製程 該最終的結構浸入至水中大約1 〇秒至大約 除該塗層薄膜107 ^ 就該塗層薄膜而言’較佳為具有分子量為大約15〇〇〇 之聚（N，N-二甲基丙稀酿胺）或者是一般的⑽⑽加材 料。 該加熱處理的進行較佳是在光阻劑之玻璃轉換溫度 下、或者是高於該玻璃轉換溫度下，M時_段預先決定的 時間’例如從大約140。(：至大約17〇〇c，歷時大約3〇秒 至大約120秒，如此得以將由先前RFp製程所獲得之最小 的光阻劑接觸孔洞圖案，例如9〇nm光阻劑接觸孔洞圖案 1 05 — 2，縮小大約5%至大約20%。 在區域（b')中將該9〇nm之光阻劑圖案縮小至8〇nm， 同時在區域（a，）中將10〇11111之該光阻劑圓案縮小至 因為塗層薄膜而使在具有高接觸孔洞圖案密度之區域（〆） 當中的熱傳送效應比具有低接觸孔洞圖案密度之區域（b,) 還尚，如圖3d中所顯示。因此，藉由所揭示之方法來形 成縮小至8〇nm之第二光阻劑接觸孔洞圖案i丨丨，不論圖案 密度為何。（參見圖3d與4c)。 同樣地，提供了一種製造半導體裝置的方法，其包括 了以下的步驟： ^ (a)在一底層上形成一層光阻劑薄膜； 12 1328833 (b )在该先阻劑溥膜上 第— 琨仃曝先與顯影製程，以形成 昂 先阻劑圖案； (c )在該第一光阻劑圖牵 蜊闯茶上進仃塗佈處理製程；以及 (d )在該最終的結構上谁许 ^ . 進仃RFP，以獲得具有高於該 光阻劑圖案之解析度的第二光阻劑圖案。 步驟（c)之該塗佈處理塑 1耘包括了在步驟（b )之最 〜的、.·〇構上形成一層塗声簿 曰垩層潯膜，在其上進行加熱處理製 柱，並且將該塗層薄臈移除。 省RFP執灯較佳是在光阻劑之玻璃轉換溫度下、戋者 ^高於該玻璃轉換溫度下。該塗佈處理製程之加熱處理製 :的執行是在該光阻劑之玻璃轉換溫度下、或者是高於該 玻璃轉換溫度下。 第二個揭示的方法會參考伴隨的圖式進行詳細的敘 述。 /圖5a，在底層201上之該光阻劑薄膜2〇3上方進 订曝光與顯影製程，藉此獲得丄ι〇細之光阻劑接觸孔洞圖 案205。（參見圖5a與⑷ 如圖5b中所顯示，在該最終的結構的整個表面上以 相同於5玄光阻劑薄臈的厚度形成一層塗層薄膜205，以用 於填充該第一光阻劑接觸孔洞圖案203。在光阻劑的玻璃 轉換溫度下，將該塗層薄膜207上進行加熱處理製程2〇9以 後，再將該最終的結構浸入至水中歷時一段預先決定的時 間，以移除該塗層薄膜2〇7，如圖5c中所顯示。 菖。玄塗層材料係為一種分子量為15,〇〇〇之聚（n，N — 13 1328833 二甲基丙稀醢胺）化合物時，較佳是在光阻劑之玻璃轉換 溫度下、或者疋尚於该玻璃轉換溫度下進行加熱處理製 程’歷時一段預先決定的時間，以縮小該第一光阻劑接觸 孔洞圖案203大約5%至大約20%。舉例來說，當該加熱 處理製程是在從大約140°C至大約170。(：的溫度下進行大 約30秒至大約1 20秒時，在具有高接觸孔洞圖案密度之 區域（a，）中會形成縮小至小於該第一圖案之9〇nm的接 觸孔洞圖案205 — 1，而在具有高接觸孔洞圖案密度之區域 (b')中會形成縮小至小於該第一圖案之丨〇〇ηηι的接觸孔 洞圖案205 — 2 (參見圖5c與6b)。 之後’係取決於該圖案密度，在光阻劑之玻璃轉換溫 度下’於不同尺寸之接觸孔洞圖案205 - 1與205 — 2上進 行 RFP。 §玄RFP製程的進行較佳是在光阻劑之玻璃轉換溫度 下、或者是高於該玻璃轉換溫度下，歷時_段預先決定的 時間’例如從大約140。(：至大約170°C，歷時大約30秒 至大約120秒，如此得以將由先前RFp製程所獲得之最小 的光阻劑接觸孔洞圖案，例如9〇nm光阻劑接觸孔洞圖案 205 — 1 ’縮小大約5%至大約2〇%。 如圖5d中所顯示，在具有低接觸孔洞圖案密度之區 域（b )中所形成之該1〇〇nm之接觸孔洞圖案縮小至， 並且將在具有高接觸孔洞圖案密度之區域中將 之該圖案以相對少的程度縮小至8〇nm。因此，形成了縮小 至8〇nm之第二光阻劑接觸孔洞圖案213，不論圖案密度為 14 丄 何（參見圖5d與6c)。 此外，提供了 一種由以上所敘述之 導體裝置，以用於製造半導體裝置。 / 、而成的半 所揭示之圖案將會參照以下之實施例進行詳 述，但是其並非用來侷限本發明之揭示。 —、” 【實施方式】 I. 所揭示之塗層材料的製備 • 製備實施例1 聚（N，N—二甲基丙稀酿胺）（由Aldrich.Co.所製程， 玻璃轉換溫度為157γ)具有15,〇〇〇(1〇g)之分子量，將 其溶解於蒸館水（12Gg)中’以獲得所揭示之塗層材料。 II. 所揭示之圖案的形成 貫施例1 在一個經過HMDS處理過之矽晶圓上形成一層氧化物 薄膜來作為底層，並且將一種甲基丙烯酸醋型式之光阻劑 (由TOK Co.所製成之Tarf_ 7a_ 39，玻璃轉換溫度為 154°C)旋轉塗佈於其上’再將其於大約13〇〇c下進行軟 烤大約90秒’以形成一層厚度為3,50〇A之光阻劑薄膜。 在供烤過後’利用ArF曝光器，將該光阻劑薄膜暴露於光 之下’並於大約13〇〇c下進行後烤處理大約90秒。當完 成後烤處理之後，將其於2 38wt %之氫氧化四曱銨 (TMAH)溶液中進行顯影，歷時大約3〇秒，以獲得丨1〇nm 之第一光阻劑接觸孔洞圖案（參見圖4a )。 15 ^^833 之後’將該第一光阻劑接觸孔洞圖案於154〇c下進行 烘烤大約30秒，以將該光阻劑流動。因此，在具有高接 觸孔'同圖案役度之區域（a，）中形成了 1 〇〇ηπι之光阻劑接 觸孔洞圖案’在具有低接觸孔洞圖案密度之區域（b中 形成了 90nm之光阻劑接觸孔洞圖案（參見圖4b )。 其··人’將由製備實施例1所獲得之塗層材料在該光阻 兒丨接觸孔’同圖案之整個表面上，於3,50〇Λ下進行旋轉塗 佈。然後，將該最終的結構在157〇c下進行加熱大約一分 知，並且將其浸入至水中大約4〇秒，以移除該塗層薄膜。 因此在具有咼接觸孔洞圖案密度和低接觸孔洞圖案密度 之一種區域中’形成了縮小至80nm的第二光阻劑接觸孔 洞圖案（參見圖4c)。 實施例2 在一個經過HMDS處理過之矽晶圓上形成一層氧化物 薄膜來作為底層，並且將實施例丨中所使用之甲基丙烯酸 酯型式之光阻劑旋轉塗佈於其上，再將其於大約13〇<>c下 進行軟烤大約9〇秒，以形成一層厚度為3,5〇〇A之光阻劑 薄膜。在烘烤過後，利用ArF曝光器，將該光阻劑薄膜暴 露於光之下，並於大約13〇〇c下進行後烤處理大約9〇秒。 當完成後烤處理之後，將其於2.38wt%之氫氧化四甲銨 (TMAH )溶液中進行顯影，歷時大約3〇秒，以獲得1 之第一光阻劑接觸孔洞圖案（參見圖6a)。 其-人’將由製備實施例1所獲得之塗層材料在該光阻 劑接觸孔洞圖案之整個表面上，於3,5〇〇A T進行旋轉塗 16 1328833 佛。然後，將該最終的結射157γ τ進行加熱大約一分 鐘’並且將其浸人至水中大約4G秒，以移除該塗層薄膜。 因此，在具有高接觸孔洞圖案密度之區域（a')中形成了 9〇nm之光阻劑接觸孔洞圖案，在具有低接觸孔洞圖案密度 之區域（b')令形成了 1〇〇nm之光阻劑接觸孔洞圖案（參 見圖 6b)。
至80nm之第二接觸孔洞圖案（參見圖6c )。 實施例3 後，於154°C下在該接觸孔洞圖案之整個表面上進 行阻劑流動製程，歷時大約 圖案密度和低接觸孔洞圖案 30秒’以在具有高接觸孔洞 密度之二種區域中，獲得縮小 —在一個經過HMDS處理過之矽晶圓上形成一層氧化物 薄膜來作為底層’並且將一種環烯烴型式之光阻劑（由 Dongin Semichem Co.所製成之GX〇2，玻璃轉換溫度為 M2 C)奴轉塗佈於其上，再將其於大約13〇。匚下進行軟 烤大約90秒，以形成一層厚度為3,5〇〇A之光阻劑薄膜。 在烘烤過後’利用ArF曝光器，將該光阻劑薄膜暴露於光 之下，並於大約130。(：下進行後烤處理大約9〇秒。當完 成後烤處理之後，將其於2 38wt %之氫氧化四曱銨 (TMAH )溶液中進行顯影，歷時大約3〇秒以獲得1丨 之第一光阻劑接觸孔洞圖案。 之後’將s亥第一光阻劑接觸孔洞圖案於丨62〇c下進行 供烤大約30秒、’以將該光阻劑、流動。因此，在具有高接 觸孔洞圖案密度之區域中形成了 1〇〇nm之光阻劑接觸孔洞 17 圖案’在具有低接觸孔洞圖案密度之區域中形成了 9〇nm 之光阻劑接觸孔洞圖案。 其次，將由製備實施例1所獲得之塗層材料在該光阻 Μ接觸孔洞圖案之整個表面上，於3,5〇〇a下進行旋轉塗 佈。然後，將該最終的結構在157。(：下進行加熱大約一分 鐘，並且將其浸入至水中大約4〇秒，以移除該塗層薄膜。 因此，在具有咼接觸孔洞圖案密度和低接觸孔洞圖案密度 之二種區域中，形成了縮小至8〇nm的第二光阻劑接觸孔 洞圖案。 實施例4 一在一個經過HMDS處理過之矽晶圓上形成一層氧化物 溥獏來作為底層，並且將實施例3中所使用之環烯烴型式 之光阻劑旋轉塗佈於其上，再將其於大約13〇<χ下進行軟 烤大’力90秒，以形成一層厚度為3,5〇〇α之光阻劑薄膜。 在供烤過後’利用ArF曝光器，將該光阻劑薄膜暴露於光 之下’並於大約130°C下進行後烤處理大約90秒。當完 成後烤處理之後’將其於2.38wt %之氫氧化四曱銨 (TMAH) >谷液中進行顯影，歷時大約3〇秒，以獲得丨1〇nm 之第一光阻劑接觸孔洞圖案。 其次’將由製備實施例1所獲得之塗層材料在該光阻 劑接觸孔洞圖案之整個表面上，於3,500A 了進行旋轉塗 佈°然後’將該最終的結構在157°C下進行加熱大約一分 鐘，並且將盆、夺 咬入至水中大約40秒，以移除該塗層薄膜。 因此，在且右古4* to 问接觸孔洞圖案密度之區域中形成了 90nm 丄以8833 之光阻劑接觸孔洞圖案，在具有低接觸孔洞圖案密度之區 域中形成了 l〇〇nm之光阻劑接觸孔洞圖案。 然後’於162°C下在該接觸孔洞圖案之整個表面上進 行阻劑流動製程，歷時大約3〇秒，以在具有高接觸孔洞 圖案密度和低接觸孔洞圖案密度之二種區域中，獲得縮小 至8〇nm之第二接觸孔洞圖案。 如以上所敘述’形成一層光阻劑圖案，並且在其上進 仃RFP與塗佈處理製程，藉此獲得縮小至相同尺寸之具 有不/、有曝光器解析度的光阻劑圖案，不論圖案密度為 何。 【圖式簡單說明】 為了更完整了解本發明之揭示，應該要參考以下詳細 說明和伴隨的圖式，其中： 圖1 a和lb係為說明一種利用阻劑流動製程來製造半 導體裝置之傳統方法的圖解； 圖2a至2c係為說明一種利用sAFIERTM材料來製造半 導體裝置之傳統方法的圖解； 圖3a至3d係為說明一種根據實施例丨來製造半導體 裝置之揭示方法的圖解； 圖4a係為說明實施例}之光阻劑圖案的sem照片； 圖4b係為說明在實施例丨之阻劑流動製程後，該光阻 劑圖案的SEM照片； 圖4c係為說明在實施例1之塗佈處理製程後，該光阻 19 1328833 劑圖案的SEM照片； 圖5a至5d係為說日卜種根據實施例2來製造 裝置之揭示方法的圖解； 圖6a係為說明實施例2之光阻劑圖案的sem照片 圖6b係為說明在實施例2之塗佈處理製程^該’ 劑圖案的SEM照片；以及 圖6c係為說明在實施例2之阻劑流動製程後，該光 劑圖案的SEM照片。 ^雖然所揭示之組成物及方法可以具有各種形式的具體 態樣，但是在圖式中已說明（並且將會在以下進行敘述） 本發明的特定具體態樣，應該要了解到的是，該揭示係為 說明目的’並非用來將本發明侷限在本說明書中所敘述和 說明之該些特定具體態樣裡。 【主要元件符號說明】 I 21，101, 201 :底層 3, 23，103, 203 :光阻劑薄膜 5, 25, 105, 205 :接觸孔洞（C/H)圖案 ‘ 5—1，105— 1 ··在RFP之後從具有高圖案密度的區域 獲得的C/H圖案 5—2，105—2 :在RFP之後從具有低圖案密度的區域 獲得的C/ Η圖案 25— 1，205 — 1:在加熱塗層薄膜厚從具有高圖案密度 的區域獲得的C/ Η圖案 20 1328833 25 — 2，205 — 2 :在加熱塗層薄膜厚從具有低圖案密度 的區域獲得的C/H圖案 27, 107, 207 :塗層薄膜 29, 109, 209 :加熱處理製程 1 1 1，2 11 :縮小到相同尺寸之最終的C/Η圖案 a，a':具有高圖案密度的區域 b，b':具有低圖案密度的區域
21
Claims (1)
- 〆體裝置的方法，其包 、申請專利範圍： 括： 種使用光微影製程製造半導 a)形成第一光阻劑圖案；以及 -二二：：，程(RFP)與塗佈處理製程到第 析度的第二光阻劑圖^具有高於該第—光阻劑圖案之解 其中該塗佈處理製程包括： 使用種SAFIERTM材料或是具有分子| r 5〇,〇〇〇之可溶於水的聚合物化合物在 ：200至 之光阻劑圖案上形成一層塗層薄膜：…步驟所得 在該塗層薄膜上進行加熱處理製程；以及 移除§亥塗層薄膜。 2.根據申請專利範圍第1項之方法，其包括： (1)在一底層上形成光阻劑薄膜； 。在該光阻劑薄膜上進行曝光與顯影製程，以形成 弟一先阻劑接觸孔洞圖案； 成 程；以及乂第光阻劑接觸孔洞圖案上進行阻劑流動製 ()在忒取終結構之整個表面上進行塗佈處製 以獲得第二光阻劑圖案。 k H L根據申請專利範圍第2項之方法，其中該光 '匕了甲基丙烯酸酯化合物或環烯烴化合物。 4.根據申請專利範圍第1項之方法，其包括： 22 κ 、1 )在一底層上形成光阻劑薄膜； 第 (1丨）在該光阻劑薄膜彳佳> d /寻膜上進仃曝光與顯影製程，以 先阻劑接觸孔洞圖案； 形成 程 二丨)在該第一光阻劑接觸孔洞圖案上進行塗佈處理製 程 (· V )在6亥最終的結構的整個矣ι¥ι f·> 以〜笛丄 構的“固表面上進行阻劑流動製 獲传第一光阻劑圖案。 5·根據申請專利範圍第4項之方法其中 棋包括了甲美而按於^ Μ溥 土丙婦自夂g日化合物或環烯烴化合物。 6.根據申請專利範圍第丨項 劑平人札 v石丹巴枯在§亥光阻 物之玻璃轉換溫度㈤以上進行阻劑流動製程。 根據申請專利範圍第6項之方法其包括了進行該 知Ά製程’其條件為以使該光阻劑圖t，從先前步驟 所獲得之該光阻劑圖案的最小尺寸，降低大約5%至= 20%。 u 土八、.勺 六8.根據申請專利範圍第1項之方法，其中該塗層薄膜 /合解特丨生不同於該光阻劑聚合物之溶解特性。 9_根據申凊專利範圍第1項之方法，其中該可溶於水 的聚。物化合物係為聚（N，N 一二曱基丙烯醢胺）化合物， 其分子量為15,〇00。 根據申凊專利範圍第1項之方法，其包括在該光阻 齊I水〇物之玻璃轉換溫度以上，進行塗佈處理製程之加埶 處理製程。 … 23 該塗体處理！J請專利範圍第！0項之方法，其包括7. 圖案,、备之加熱處理製程，里條伴a 了進行 …從先前步驟所獲得 二牛為以使該光随劑 低大約W至大約2〇%。先阻劑圖案的最小尺寸，降 12·根據申請專利範圍第丨項之 執行該移除步驟。 ’’其包括利用水來 13.根據申請專利範圍第丨項之方 劑圖案之解析度高於利用曝光器所 f中忒第二光阻 解析度。 X传之該光阻劑圖案的 •、圖式： 如次頁 。24
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050085255A KR100811410B1 (ko) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 레지스트 플로우 공정 및 코팅막 형성 공정을 포함하는반도체 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200710942A TW200710942A (en) | 2007-03-16 |
| TWI328833B true TWI328833B (en) | 2010-08-11 |
Family
ID=37855750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095123752A TWI328833B (en) | 2005-09-13 | 2006-06-30 | Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20070059926A1 (zh) |
| JP (1) | JP5007084B2 (zh) |
| KR (1) | KR100811410B1 (zh) |
| CN (1) | CN1932645B (zh) |
| TW (1) | TWI328833B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8531836B2 (en) | 2010-12-20 | 2013-09-10 | Panasonic Corporation | Electronic apparatus |
| US10517179B2 (en) * | 2016-12-15 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Material composition and methods thereof |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010005154A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 레지스트 플로우 공정을 이용한 미세패턴 형성방법 |
| KR100533364B1 (ko) * | 1999-11-02 | 2005-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레지스트 플로우 공정용 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 콘택홀의 형성방법 |
| KR100533362B1 (ko) * | 2000-04-19 | 2005-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레지스트 플로우 공정용 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 콘택홀의 형성방법 |
| KR100557615B1 (ko) * | 2000-10-23 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레지스트 플로우 공정용 포토레지스트 조성물 |
| US20030008968A1 (en) * | 2001-07-05 | 2003-01-09 | Yoshiki Sugeta | Method for reducing pattern dimension in photoresist layer |
| KR100489660B1 (ko) * | 2003-03-17 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 |
| US7361447B2 (en) * | 2003-07-30 | 2008-04-22 | Hynix Semiconductor Inc. | Photoresist polymer and photoresist composition containing the same |
| JP3774713B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2006-05-17 | 株式会社東芝 | コンタクトホールの形成方法 |
| US7033735B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
| JP2005229014A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP4512979B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-07-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7371509B2 (en) * | 2004-05-07 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Resist pattern and reflow technology |
| KR100709442B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2007-04-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 패턴 코팅용 조성물 및 이를 이용한 미세패턴형성 방법 |
-
2005
- 2005-09-13 KR KR1020050085255A patent/KR100811410B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-06-30 US US11/479,502 patent/US20070059926A1/en not_active Abandoned
- 2006-06-30 TW TW095123752A patent/TWI328833B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-07-17 CN CN2006101056423A patent/CN1932645B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-08 US US11/500,671 patent/US20070059927A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-11 JP JP2006219907A patent/JP5007084B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007079559A (ja) | 2007-03-29 |
| US20070059926A1 (en) | 2007-03-15 |
| KR100811410B1 (ko) | 2008-03-07 |
| JP5007084B2 (ja) | 2012-08-22 |
| CN1932645A (zh) | 2007-03-21 |
| KR20070030524A (ko) | 2007-03-16 |
| CN1932645B (zh) | 2010-09-08 |
| US20070059927A1 (en) | 2007-03-15 |
| TW200710942A (en) | 2007-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6284925B2 (ja) | 誘導自己組織化用のケイ素系ハードマスク層 | |
| TWI303448B (en) | Method for foring a finely patterned resist | |
| TWI478211B (zh) | 包含線內化學臨界尺寸縮窄之微影－凍結－微影－蝕刻雙重圖案形成 | |
| TWI585822B (zh) | 基板上之接觸窗開口的圖案化方法 | |
| US6486058B1 (en) | Method of forming a photoresist pattern using WASOOM | |
| JP4852360B2 (ja) | 多層リソグラフィプロセスにおいて用いられる複素環芳香族構造物を含む基層組成物、リソグラフィ構造物、材料層または材料要素を基板上に形成させる方法 | |
| JP2021508071A (ja) | 極紫外線（ｅｕｖ）リソグラフィにおいて感度を向上させるための金属含有トップ・コートを用いるパターニング材料積層膜 | |
| JP2011504606A (ja) | フォトレジスト組成物および多層フォトレジスト系を用いて多重露光する方法 | |
| TW201110196A (en) | Methods of forming electronic devices | |
| TW201118923A (en) | Methods of forming electronic devices | |
| TWI701711B (zh) | 半導體裝置的製作方法 | |
| CN104698746B (zh) | 抗蚀剂图案的形成方法 | |
| TW200813661A (en) | Method of forming fine patterns | |
| TWI596148B (zh) | 化學增幅光阻材料、共聚物及微影方法 | |
| TW201030835A (en) | Conformal etch material and process | |
| JP2012519959A (ja) | パターンを形成する方法 | |
| TWI328833B (en) | Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process | |
| JP2005091415A (ja) | レジストパターン形成方法とデバイス製造方法 | |
| TW594417B (en) | Method of manufacturing semiconductor device and method of forming pattern | |
| JPH01129417A (ja) | 半導体素子における微細パターンの形成方法 | |
| JPS6147641A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| TW473817B (en) | Method for eliminating development related defects in photoresist masks | |
| TWI223127B (en) | Method of forming a pattern using a photoresist without exposing the photoresist and silicidation method incorporating the same | |
| TW535215B (en) | Method for planarizing photo-resist | |
| JP2001092152A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |