TWI321361B - Array substrate for liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

1321361 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示裝置，特別係關於一種液晶顯示 襞置之陣列基板及其製造方法。 ' 【先前技術】 ， 液晶顯示裝置之驅動係基於液晶材料之光電特性，液晶材料 具有位於固態晶體與各向同性液體之間的一中間狀態。液晶材料 春為諸如各向同性液體之流體，並且液晶材料之分子如同固態晶體 一樣規則地排列。液晶分子之排列方向係取決於提供至液晶分子 之電場的強度或方向，光線沿著液晶分子之排列方向穿過液晶顯 示裝置。透過控制電場強度或方向，可以改變液晶分子之排列方 向’並顯示影像。 主動矩陣液晶顯示裝置（AMLCD)包含薄膜電晶體作為複數 個旦素之開關裝置’由於其具有高解析度以及顯示快速移動影像 • 之能力，因此被廣泛應用。 • —般而言’液晶顯示裝置包含兩個基板，兩基板互相間隔開 並相U ’並且之間置人有—液晶層。每個基板包含—電極， 亚且來自各個基板之電極互她對。透過提供電壓至每個電極， '則感應一電場於各電極之間。液晶分子之排列方向依照電場強度 或方向的變化而發生改變，電場方向垂直於兩基板。液晶顯示^ 置具有相對較高的透射率以及大的開口率。 、 然而，液晶顯示裝置具有㈣視角，為了增大視角目騎已提 6 1321361 出了各種類型之液晶顯示健。在這些類财，下面將結合圖式 對習術之平面内切換型㈣）液·示裝置作出說明。 「弟1圖」為習知技術之第—實施例之平面内切換型液晶顯 示裝置之橫斷面視圖。 在第1圖」中，習知技術第一實施例之平面内切換型液晶 -顯示裳置包含-下基板1()與—上基板4G，並且—液晶層“設置 於下基板10與上基板4〇之間。 薄膜電晶體T、共用電極30以及畫素電極32係形成於下基 板10之各個晝素區域p上，薄膜電晶體τ包含一間極、一^ 導體層Μ以及-源極20與汲極22。半導體層16係設置於閉極 12:上方’並且兩者之間具有一間極絕緣層μ。半導體層μ包 含-主動層16a與-歐姆接觸層16b，源極2()與祕22係形成於 半導體層16上，並且兩電極之間互相間隔分開。 雖然「第1圖」中未顯示，但是沿著畫素區域p之第一娜 :有-閘極線’沿著晝素區域P之第二側形成有—資料線。更形 斤有一共用線於下基板10上’共用線係提供給共用電極％以電 —黑色矩陣42以及-彩色濾光片層44形成於上基板4〇之内 '面上’黑色矩陣42係設置於閘極線、:資料線以及薄膜電晶體τ 的上方’彩色濾光片層44設置於晝素區域p處。 液晶層LC之液晶分子由-水平電場34驅動，其中水平電場 7

可以麥考為-p翔基板，包含黑色辦42以及彩色渡光片層 44之上基板40可參考為一彩色濾先片基板。 —陣列基板可透過5個光罩製程進行製造。也就是說，透過第 光罩製裎形成閘極與閘極線，透過第二光罩製程形成包含主動 ，及歐姆接觸層之半導體層，透過第三光罩製程形成源極與沒極 、及貝料線。透過第四鮮製程則形成被動層與接觸孔，透過第 五光罩製程形成共用電極與畫素電極。 “在平面内切換型液晶顯示裝置中，共用電極30與晝素電極32 =成於同-下基板1〇上。來自光源（「第^圖」中未顯示）之 光線由於制紐％以及晝素電極％而被阻播。因此，平 面内切換魏晶顯示裝置具有相對較低的亮度。 為了增加亮度’由-透明導電材料形成共㈣極3Q與畫素雷

，例如塗覆具有光阻的薄膜， ’以及移除光阻。因此，已提 丄 361 出用於平面内切換型液晶顯示裝置之4個光罩製程，以減少製造 成本及時間。透過使用半色或狹縫光罩，可透過相同光罩製程形 成主動層以及源極與汲極。 下面將結合圖式對包含陣列基板之平面内切換型液晶顯示裝 置進行說明，其中習知技術中陣列基板係透過4個光罩製程進行 製造。 第2圖」為習知技術之第二實施例之包含陣列基板之平面 内切換型液晶顯示裝置之橫斷面視圖。 在「第2圖」中，平面内切換型液晶顯示裝置包含一下基板 5〇與-上基板8〇’喊板互相間隔分開。平面内切換型液晶顯示 裝置更包含-液晶層LC設置於下基板5〇與上基板⑽之間。 薄膜電晶體τ、晝素電極70以及共用電極72係形成於下 基板50上的各個晝素區域p内。薄膜電晶體τ包含一間極^、 一半導體層56以及源極62與祕64。半導黯％設置於開極 52的上方’並且兩者之間具有一閘極絕緣層54。半導體層％包 含-主動層56a與-^^姆接觸層娜。源極62與及極料形成於半 ¥體層56上’並且兩電極互相分離。共用電極π與晝素電極 由透明導電材料形成，例如氧化銦錫（ιτ〇)。 有2圖」中未顯示，但沿著畫素之第一側形成 //⑽未顯示），以及沿轉直於第—歉畫素區域Ρ 之弟-側形成有-資料線66。更形成有—共用線（圖_未顯示） 9 1321361 另一半導體層58係 於下基板50上，以提供給共用電極72電壓 形成於資料線66的下方。 表面上黑以及一彩色遽光片層84形成於上基板8°之内 表面上。黑色矩陣82係設置於閘極線 料線66以及薄膜電晶體Τ的上方，彩色二？未顯示)、資 區域ρ +。 4麵84設置於畫素 逞裡

竹柳56及58在各個源極62與_64以及資料 線66的—嫩騎地暴露。#來自絲的光線細至具有上述結 構之平面_換型液晶顯示裝置時，轉_ %及对的氯原 子由於此光線峨激發，因此產生電流。電流依照統之變暗頻 率而改變愈由於資料線66與鄰近f料線的之共用電極η及 晝«極7G之間的訊號干涉可以形成合電容。此_合電容可 以導致一波狀雜訊於顯示影像中。 特別地，-背光設置於液晶顯示裝置之液晶面板的後部。依 據-變暗鮮驅動料，以獲得亮度與暗度之_清晰對比。背 光依照變賴率的高減態非常快地運作。據此，來自背光的光 線稍微不同地輻射至液晶面板，並且半導體層用作例如開關模 式。由於主動層的特性，在鄰近資料線與共用線之間存在電位差， 亚且—波狀雜訊出現於液晶面板之顯示影像中，波狀雜訊降低了 液晶顯示裝置之品質。波狀雜訊顯示於包含透過4個光罩製程製 造之陣列基板之液晶顯示裝置中。 【發明内容] 充分避免由於Hz要目的在於提供—碰晶顯示裝置，藉以 關本發明之其它優點何目之的==造成的一或多個問題。有 並且本領域财-般财峨财得到閣明， 解本發明邮分贿者可雜下文健之試驗顯然暸 明的目的及其它優二二f實踐本發明而學習之。有關本發 特別μ”過制書及申請補麵以及圖式 特則曰出的構架而實現和獲得。 液曰達上述目的’本發明首先揭露了-種平面内切換型 置之陣列基板，包含有基板、閉極線以及資料線，問 ^係第—方向設置於基板上，資料線沿第二方向設置於 二反上。綠線與閘極線交又限定—晝素區域，並且 體連接至線與資料線。晝钱赌置於晝倾射並: 電晶體。共用電極也設置於晝素區域中，並與畫素電極交 ρ、半‘體層①置於錄奸方，並包含寬度大於資料線寬度 勺％ ’以及包含不透明材制第-阻翻錢設置於半導體層 的下方。 另外本發明還提供了一種平面内切換型液晶顯示裝置之陣 板〇3有基板、&置於基板上的閘極線以及與閘極線交又 ^晝素區域之資料線。—薄膜電晶體連接至.線與資料線， 旦不電極設置於晝素區域巾並連接至雜電晶體，制電極設置 於晝素區财，並與晝素電極交替。—轉體層钱置於資料線 下方:並包含寬度大於㈣線寬度的部份，以及—第一阻撞圖案 位於貧料線的上方，並覆蓋半導體層。 Μ再者，本發明提供—種平面内切換型液晶顯示裝置，包含一 第-基板與-第二基板，兩基板互相分離獻㈣設置有一液晶 材料:-雜線設置於第—基板·表面上，以及—資料線與閉 極線又又·疋-晝素區域。—薄膜電晶體接觸極線與資料 線，晝素電極設置於晝素區域内，並連接至薄膜電㈣，共用電 極也設置於晝素_内’並與晝素f極交替。—半導體層設置於 資料線下方，並包含寬度大於㈣線寬度的部份，以及包含不透 明材料之-阻擋圖案係設置於半導體層下方。—黑色矩陣位於第 二基板之内表面上’並且—彩色濾光片層位於第二基板之内表面 第四，本發明提供了—鮮面㈣換型液晶齡裝置，係包 含有一第一基板與一第二基板，兩基板互相分離並且中間設 一液晶材料。一閘極線設置於第一基板之内表面上，以及—資料 線與閘極線交又以限定—畫素區域。—薄膜電晶體接觸閘極線與 貧料線，晝素電贿置於晝素區域内，並連接至薄膜電晶體，並 且共用電極也設置於此畫素區域内，並與晝素電極交替。一半導 體層設置於資料線下方，並包含寬度大於資料線寬度的部份。一 弟阻擒圖案包含不透明材料，並設置於半導體層下方。—^ 12 1321361 阻擋圖案係設置於資料線上方，並覆蓋半導體層。—黑色矩陣設 -置於第二基板之内表面上，並且—彩色濾、光片層設置於第二基板 之内表面上。 • 第五，本伽提供了—種平面㈣換魏㈣示裝置之陣列 •基板之製造方法，包含以下步驟：透過—第—鮮製程形成一問 極線、-閘極以及-第一阻擋圖案於一基板上；形成一間極絕緣 層、-本質石夕層、一摻雜石夕層以及一導電材料層於包含有閑極線、 閘極以及苐-阻擋圖案之基板上；藉由H罩製程透過圖案 化導電材料層、摻雜石夕層以及本質石夕層，以形成-第-半導體層、 -源極、-及極、—資料線以及—第二半導體層，資料線與問極 .線父又以限定—晝素電極並覆蓋第二半導體層，其中部份的第二 •半導體層寬度大於資料線的寬度，並設置於第一阻擔圖案之上 方；透過—第三光罩製程形成—被動層，被動層具有-第-接觸 •孔以暴露出汲H及透過—細光賴㈣成晝素電極與共用 電極，其中晝素電極透過第—接觸孔接驗極，並與制電極交 - 又設置。 ' 第’、’本發明又提供了-種平面内切換魏晶顯示裝置之陣 ，列基板之製造方法，係包含以下步驟：透過H罩製程形成 ’-閘極線以及-_於—基板上；形成—閘極絕緣層、一本質石夕 層、-#财層以及—導電材料層於包含有閘極線及閘極之基板 上’藉由-第―光罩製程透過圖案化導電材料層、摻财層以及 13 1321361 本質石夕層，以形成-第-半導體層、—源極一祕、一資料線 以及-第二半導體層，射_化包含部份地暴露位於資料線兩 側之第二半導體層；透過-第三光罩製程形成具有—第一接觸孔 =第二接觸孔之被動屬，第—接觸孔暴露沒極，第二接觸孔暴 露資魏；以及透過-第四光罩製姉縣㈣極、共用電極以 及第-阻擋圖案，其t晝素電極透過第—接觸孔接觸沒極，並 …、用②極父叉设置’以及第—阻擔随接觸資料線並覆蓋第二 半導體層。 【實施方式】 有關本發明的特徵與實作，兹配合圖式作最佳實施例詳細說 明如下。 第3圖」為本發明第一貫施例之平面内切換型液晶顯示裝 置之陣列基板之平面示意圖。在「第3圖」中，—閘極線1〇4與 -共用線106係沿著一透明絕緣的第一基板動之第一方向形 成閘極線104與共用線1〇6可以互相平行。一資料線⑷沿著 第基板100之第—方向开》成，資料線142與閘極線刚以及共 用線106交又，以限定一畫素區域p。一薄膜電晶體τ係形成於 閘極線104與貧料線142之交叉點附近，薄膜電晶體τ包含一閘 極102、一第—半導體層126、一源極138以及一汲極mo。部份 閘極線104用作閘極1〇2，第一半導體層126設置於閘極ι〇2上 方，並包含一主動層136。源極138與汲極140形成於第一半導體 14 1321361 層126上，並兩電極互相分離。 一弟二半導體層128形成於資料蛙 貝针線142的下方，第二半導體 層128自第一半導體層126延伸 乐一半V體層128係局部地暴 露於資料線142的兩側。 ，、用電極152與晝素電極⑼由—義導麵卿成於書素 區域P中’各個制電極152與絲電極⑼鱗狀。晝素電極

150連接至祕140，共用電極152與晝素電極15〇被彎曲。一丘 用圖案⑽沿著畫素區域P之周邊形成，共用圖案應自共用線 K)6延伸’並與共用線1〇6形成一封閉環。共用圖案應係連接至 共用電極丨52,制圖案1Q8用於防止資料線142之訊號影響晝素 區域P。 、汲極140於共用線106上方延伸，及極14〇覆蓋共用線ι〇6， 並且兩者之間具有-絕緣層（「第3圖」中未顯示），以组成一儲 存電容器Cst。 在第一實施例中，一阻檔圖案110形成於第二半導體層128 之下方。 「第4八圖」與「第4B圖」為本發明第一實施例之平面内切 換型液日日頻不裝置之橫斷面不意圖’並分別對應於「第3圖之 n-m線及ιν-ιν線。 在「第4A圖」與「第4B圖」中，平面内切換型液晶顯示穿 置包含一第一基板100 ' —第二基板300以及一液晶層Lc，其中 15 液晶層LC係置入第一基板loo與第二基板3〇〇之間，第一某板 1 〇〇與第二基板300可以是透明的。 -黑色矩陣302與-彩色濾光片層304係形成於第二基板· 之内表面上，黑色矩陣3〇2設置於閘極線1()4、資料線142以及薄 膜電晶體T上方，彩色濾光片層3G4設置於晝素區域p上方。 共用電極152、畫素電極150、共用圖案⑽以及薄膜電晶體 τ係形成於第一基板100之内表面，共用電極152與畫素電極 ^置於晝素區域p中’並大體上為透明的。各個共用電極152與 畫素電極15〇可以具有-桿狀’共用電極152與晝素電極15〇交 替設置。薄臈電晶體Τ設置於_開關區s，並包含—閘極搬、一 閉極，緣層112、-第-半導體層126、—源極138以及一汲極 140。第-半導體層126由一主動層134與一歐姆接觸層w組成， 用圖案108沿著晝素區域p之周邊形成。 貝料線142沿著畫素區域p 一側形成，一第二半導體層⑶ %成於貧料線142下方。第二半導體層128自第—半導體層以 延伸’亚包含-本質非晶料m與一摻雜非晶發層Μ。第二半 導體層128之本質非晶石夕層114係暴露於資料、線142之兩側。 —問極線104更形成於第—基板1〇〇上，部份的閘極線职 起到閘極1〇2的作用。雖然圖中未顯示，但閘極線刚與資料線 142父又’以限定畫素區域p。一共用線贏於第一基板剔上與 閘極線104間隔，並且共用線106覆蓋没極H0。 、 16 1JZIJ01 阻擋圖案iw形成於資料線142下方，阻擋圖案1W可以 由相同於閘極線W4、共用線106以及共用圖案W8之材料形成， 以及與其形成於相同層中。阻翻案liG防止自背光處發射之光 ^到，第二半導體層128，其中背光可設置於第—基板⑽之後 部。第二半導體層128不會受依據變暗頻率驅動之f光光線的影 響。因此，可防止出現波狀雜訊’並可以提供高品質之平面内切 換型液晶顯示裝置。

_ L裡’如上文所述’共用圖案108與阻撞圖案110係形成於 同一層中。為了防止共關案⑽與阻擔職iiq之間發生短路， v 10之見度可以小於弟二半導體層128。雖然阻擋圖案 =W地遮蔽第二半導體層128，但是也能論止波狀雜訊。 也就是說’假如大於4〇%的第二半導體層128被遮蔽，波狀雜訊 不會出現，則可以相應地設計阻擋圖案11〇。

下文Μ配合圖式對平面内切換型液晶顯示裝置之陣列基板 製造方法作出插述。 第5Α圖」、「第5Β圖」、「第5C圖」、「第圖」、「第犯 圖」第5F圖」、「第5G圖」及「第5H圖」，以及「第6A圖」、 ^6B圖」、「第6C圖」、「第6〇圖」、「第6£圖」、「第砟圖」、 第6G,圖」及「第6H圖」為平面内切換型液晶顯示裝置之陣列 基板之製裎橫斷面視圖，並且分別對應於「第3圖」之ΠΗΠ線及 iv-rv 線。 17 第5A圖」與「第6A圖」顯示了第一光罩製程之陣列基板。 一導電金屬材料係設置於第一基板丨⑻上，其中第一基板刚上 限疋有晝素區域p與開關區s。透過第—光罩製程圖案化導電金 屬材料，進而形成一閘極線刚、一閘極102、一共用線1〇6、共 用圖案108以及阻擔目案11〇。閘極線1〇4沿著畫素區域p之第一 側形成’亚且部份閘極線1〇4可用作閘極1〇2。共用線脳與間極 線104間隔並互相平行。共用圖案湖連接至共用線ι〇6，並形成 於畫素區域P之周邊’共用圖案⑽與共用線腿形成一封閉環。 阻擔圖案110沿著畫素區域p之第二側形成，其中第二側與第一 側垂直。 導電金屬材料可包含由链（AI)、]諸如敛化紹（八刪）之紹 合金、鶴（W)、銅（〇〇、鉻⑼及銦（施）組成之導電金屬 組中的一或多個材料。

「第5B圖」、「第5C圖」 5F圖」’「第6B圖」、「第6C 、「第5D圖」、「第5E圖」以及「第 圖」、「第6D圖」、「第6E圖」以及 第6F圖」喊示了弟二光罩製程之陣列基板。 在「第5B圖」與「第6B圖」中，透過自包含氮化石夕（SiNx) 與氧化碎（S⑹之無機絕緣材料組選擇—材料進行沉積，進而 形成-蘭極絕緣層112於包含閘極線服、共用線1〇6、共用圖案 108以及阻擔圖案11〇之第一基板·的幾乎整個表面上。 透過沉積非晶石夕（例如a_Si:H)以及摻雜非晶石夕（例如於 1321361 114與一摻雜非晶矽層 a-S1:H) ’進而依次地形成一本質非晶石夕層 116於閘極絕緣層112上。 透過况積-或多個選擇自上述導電金屬組的材料，進而大體 上形成一導電金屬層118於包含摻雜非晶怖16之第-基板100 的整個表面。透過_光阻塗覆第-基板⑽，進而形成一光阻芦 120於導電金屬層118上。 曰

一光罩Μ龄置於光阻層m上方，光罩M包含—光線透射 β B卜光線阻擋部Β2 α及—光線半透射部犯。光線半透射部 Β3對應於開關區s中的閘極1〇2，光線阻擔部Β2對應於阻撐圖 案no以及開關區s中的其他部份，光線透射部βι則對應於晝素 區域Ρ。 ' 透過光罩Μ暴露光阻層12〇至光線，位於閘極1〇2上方的部 份光阻層120被部份地曝光，同時部份的光阻層12〇被基本上完 全地曝光。 Β 然後，顯影曝光之光阻層12〇。 ' 在「第5C圖」與「第6C圖」中，形成一第一光阻圖案12如 - 以及一第二光阻圖案124b，並且部份曝光導電金屬層118。第一 光阻圖案124a係設置於開關區s中，並具有兩個不同厚度的部 ’份。第一光阻圖案124a於共用線106上方延伸，第二光阻圖案12扑 自第一光阻圖案124a沿著晝素區域P之第二側延伸。第二光阻圖 案124b係設置於阻擋圖案11〇上方。 19 在「第5D圖 按雜非晶碎層116 極絕緣層112。 」/、第6D圖」中，曝光之導電金屬層ί18、 以及本質非⑽層m被移除，並且暴露出間 U4^ < 矽層114 -起、由L 連同摻雜非晶石夕層出以及本質非晶 可^朗曲彳。或者，在縣料電金朗118之後， ^ 非㈣㈣及本編销114。 第半導體層126與-第_金屬贿 光阻圖案124a之下方，* 0 —人心狀弟 ^ Ρ7^ λ-， 、’一弟二半導體層128與-第二金屬圖 ” \ 成於第二光阻圖案咖之下方。每個第—半導體層 =與第二半導體層128包含摻雜非晶碎層m以及本質非晶石夕層 。第二+導體層U8自第一半導體層126延伸，第二金屬圖案 132自第一金屬圖案13〇延伸。 接著在第5E圖」及「第犯圖」中執行一灰化製程。第 一光阻圖案124a之cr邱八夕认 邛刀被f夕除，進而部份地暴露第一金屬 圖木m ’其t d部分係設置於lG2上方，並且比其他部 如車乂薄4 ¥光阻圖案12如的其他部分以及第二光阻圖案 124b也被部份地移除，並且第—光阻_ ma之其他部分以及第 二光阻圖案124b的厚度減少。此外，雖然圖中未顯示，但第一光 關案124a與第二光阻圖案⑽之頂面為弧狀。換言之，第一 光阻圖案論與第二光阻圖案哪的中心厚度大於其邊緣厚 20 501 度。因此，在灰化製程中’第一光阻圖案124a與第二光阻圖案㈣ 的邊緣也被移除，並且部份地暴露第一金屬圖案130與第二金屬 圖案132之邊緣。 在第5F圖」及「第6F圖」中，部份地移除「第圖」之 第-金屬圖案130 ’並在開關區s中形成源極138與汲極14〇。源 極13S與汲極140位於閉極1〇2上方，並互相分隔開。自源極⑶ «申之S 6E圖」之第二金屬圖案成為一資料線。 隨後，部份地移除位於源極138與汲極14〇之間的「第圖」 之摻雜非晶销116。第一半導體層126之被部份移除的摻雜非晶 石夕層參考為-歐姆接觸層136，並且第-轉體層126之本質非晶 矽層參考為一主動層134。 田位於閘極1〇2上方之「第5E圖」之第一金屬圖案13〇與「第 犯圖」之按雜非晶石夕層116被移除時，「第5E圖」及「第旺圖」 之第-金屬圖案13G與第二金屬圖案132之邊緣以及第一半導體 層U6與第二半導體層128，更特別地，「第則」及「第6£圖」 之每雜非晶销116也可能被部份地移除。因此，暴露第—半導 體層126之主動層134周邊以及第二半導體層128《本質非晶矽 層 114。 「第5£圖」及「第6E圖」之第一光關案I24a與第 圖案124b被移除。 第5G圖」與「第6GSj」顯示了第三光罩製程之陣列基板。 1321361 在「第5G圖」與「第6〇圖」中，一被動層146形成於包含源極 138與汲極140以及資料線142之第一基板1〇〇的幾乎整個表面 上。透過沉積一或多個選擇自包含氮化矽及氧化矽之無機絕緣材 料組的材料，或者透過利用一或多個選擇自包含苯環丁烯（BCB) 以及壓克力樹脂之有機絕緣材料組的材料塗覆第一基板1〇〇，進而 可以形成被㈣M6。然後，透過第三光罩製程_化被動層146, 並形成-祕接觸孔148與-共闕案接觸孔（圖中未顯示）。沒 極接觸孔148部份地暴露祕14Q，以及共案接觸孔部份地暴 露共用圖案108。 第5H圖」與「第6H圖」顯示了第四光罩製程之陣列基板。 在「第5H圖」與「第6H圖」中，沉積一透明導電層於包含被動 層M6之第基板1〇〇之幾乎整個表面上。透明導電層可以選自 包含氧化銦錫（IT0)與氧化銦辞⑽）之透明導電材料植。透 過第四光罩製簡案化此透明導電層，並職晝錢極15〇與共 用電極152於晝素區域ρ中。晝素電極15〇透過汲極接觸孔⑽ 及極_140接觸’並且晝素電極15()電性連接至沒極刚。雖然圖 未.員τ Ctc共用電極⑸透過制贿接觸孔與 接觸’並電性連接至共用圖案⑽木 與共用電極152㈣設L 及畫素電極15〇 》極M0於共用線1〇6上方延伸，一部份沒極⑽覆蓋 線106以形成一儲存電哭 幾〆、 ασ /、中共用線起到儲存電容哭 estHf極的作用， 之第二電極的作用。 在弟-實施例中’晴圖案⑽的寬度小於資料線M2下方 且半導體層128。阻案可以與資料線下方之第二半導體層 ”相同的寬度’或者相比其更寬的寬度。

第7圖」為本發明第二實關之平面内切換魏晶顯示裝 置之陣列基板之平面示意圖。 在第7圖」中，沿著一透明絕緣的第一基板2〇〇之第一方 ^形财_ P慨線2〇4，一資料線撕沿著透明絕緣基板第一基板 200之第二方向形成。閘極、線204與資料線242互相交叉，以限定 一畫素區❹。一第一共用線2〇6a與-第二共用線206b沿著第一 方向幵y成，並设置於晝素區域p之相反側。特別地，如「第7圖」 顯不’第一共用線2〇6a與第二共用線2〇6b分別設置於晝素區域p 之下部及上部。

以及此部份沒極140起到儲存電容器Cst 薄膜電晶體T形成靠近閘極線204與資料線242之交叉 點’並連接至閘極線204及資料線242。薄膜電晶體T包含一閘 極202、一第一半導體層226、一源極238以及一汲極240。部份 閘極線204用作閘極202’第一半導體層226設置於閘極202上， 並包含一主動層234。源極238與汲極240形成於第一半導體層 226上，並且互相間隔開。 一第二半導體層228形成於資料線242下方，第二半導體層 23 1321361 228自第-半導體層226延伸，並部份暴露於資料線的兩側。 共用電極252與晝素電極250係、形成於晝素區域p令。晝素 電極250連接至及極240，以及共用電極252連接至第二共用線 206b。共用電極252與晝素電極25〇是透明的，且為桿狀 電極252與晝素電極250被彎曲。 部份祕24〇於第—共祕驗上方延伸，域蓋第一共用 線=以形成i存電容器Cst，其中第一共用線孤用作儲存 電谷Cst之第電極，部份的汲極24〇用作儲存電容器^ -電;& 0 -阻擂圖案21〇形成於第二半導體層级的下方，並且可具 有與第二半導體層228相同的寬度或者更寬的寬度。這裡，為了、 .防止短路，沒有形成「第3圖」顯示之共用圖案刚。鄰近資料線 242之共用電極252相比第一實施例之共用電極具有更寬的寬 度，並且起到第一實施例之「第3圖」顯示之共用圖案1〇8的作 • 用。 • 「第8A圖」與「第8B圖」為本發明第二實施例之平面内切 .換型液晶顯示裝置之橫斷面示意圖，並分別對應於「第7圖」之 • w-w線以及vm-M線。 - 在「第8八圖」與「第8B圖」巾，第二實施例之平面内切換 型液晶顯示裝置包含—第—基板.—第二基板伽以及一液晶 層LC ’其中液晶層Lc係設置於第一基板2〇〇與第二基板柳之 24 1321361 間。第一基板200與第二基板400可以是透明的。 共用電極252、晝素電極250以及薄膜電晶體τ係形成於苐 一基板200上。共用電極252與晝素電極25〇設置於晝素區域p 中，並大體上為透明的。每個共用電極252與畫素電極25〇可、 具有-桿狀，共用電極252與晝素電極250交替設置。薄膜電晶 體T設置於一開關區S，並包含一閘極2〇2、一閘極絕緣層212、 一第一半導體層226、一源極238以及一汲極240。第一半導體層 226由一主動層234與一歐姆接觸層236組成。 一 >料線242沿者晝素區域p 一側形成，一第二半導體層2烈 形成於貧料線242下方。第二半導體層228自第一半導體層226 延伸，並包含一本質非晶矽層216與一掺雜非晶矽層21卜第二半 V體層228之本質非晶矽層216係暴露於資料線242之兩側。 -閘極線2〇4更沿著畫素區域P之另一側形成於第一基板2〇〇 上，部份的閘極線104起到閘極2〇2的作用。雖然圖中未顯示， 但閘極線204與資料線242交叉，以限定晝素區域p。「第7圖」 热頁不之一第一共用線2〇6a與一第二共用線2〇6b在第一基板200 上與閘極線204間隔開。 阻擋圖案210形成於資料線242下方，阻擋圖案21〇可以 由相同於閘極線204、閘極2〇2以及第-共用線2〇6a與第二共用 線206b之材料开^成，以及與其形成於相同層中。阻擋圖案防 止自背光處發射之光，_達第二半導體層228，射背光可設置於 1321361 土板200之後部^於親被崎酵2iq魏，因此可避 免第:丰導體層心出現電流。因此，可防止波狀雜訊的出心 一黑色矩陣搬與—彩色遽光片層彻係形成於第二基板彻 之内表面上，黑色矩陣搬設置於問極線谢、資料線淡以及薄 膜電，體T上方，彩色縣Μ 設置於畫素區域p上方。

弟-貫施例之_基板可透過與第—實麵之_基板相同 的製程進行製造，這湖於此製程不再詳細描述。 在第-及第二實施例中，阻播圖案形成於第二半導體廣下 方，、並防止光線進人第二半導體詹。在第三實施例中，阻撞圖案 心成於第_半導體層的上方。因此’雖然光線可以到達第二半導 體層’並且在第二半導體層巾會產生電流，但是透過鑛作用則 能夠防止波狀雜訊的出現。 第9A圖」與「第9B圖」為本發明第三實施例之平面内切 換型液晶顯示裝置之橫斷面示意圖。 在第9A圖」與「第9B圖」中，第三實施例之平面内切換 型液晶顯示裝置包含一第一基板2〇〇、一第二基板4〇〇以及一液晶 層LC ’其中液晶層LC係設置於第一基板200與第二基板4〇〇之 間。第一基板200與第二基板400可以是透明的。 共用電極252、晝素電極250、共用圖案208以及薄膜電晶體 T ‘形成於第一基板200上。共用電極252與晝素電極250設置 於畫素區域P中，並大體上為透明的。每個共用電極252與畫素 26 =250可以具有-桿狀’共用電極252與晝素電極25Q交替設 ^賴電晶體T設置於—開關區s，並包含—閘極搬、一問極 ^緣層2i2、-第-半導體層226 1、極挪以及一_ 。 μ半導把層226纟-主動層234與—歐姆接觸層Μ6組成，共 用圖案208係沿著晝素區域p之周邊形成。

,—資料、線242沿著畫素區域P 一側形成，一第二半導體層228 形成於資料線242的下方。第二半導體層228自第—半導體層挪 延伸，並包含-本質非晶石夕層216與一擦雜非晶石夕層21卜第二半 ‘體層228之本質非晶石夕層216係暴露於資料線242兩侧。 間極線204更沿著晝素區域p之另—側形成於第一基板細 上，部份的閘極線204起到閘極202的作用。雖然圖中未顯示， 但閘極線204與資料線242交叉以限定畫素區域p。一共用線2〇6 位於第一基板2〇〇上並與閘極線2〇4隔開。

一阻擋圖案256形成於資料線242上方，阻擋圖案256可以 由與共用電極252以及畫素電極250相同的材料形成，並與其形 成於相同層中。阻擋圖案256之寬度大於第二半導體層228，並且 覆蓋第二半導體層228。阻擋圖案256透過形成於被動層246之資 料接觸孔CH任意地接觸資料線242。 一黑色矩陣402與一彩色濾光片層404係形成於第二基板4〇〇 之内表面上，黑色矩陣402設置於閘極線2〇4、資料線242以及薄 膜電晶體T上方，彩色濾光片層404設置於晝素區域p上方。 27 雖然由於來自背光的姐可使得杂 228中，但纽_况魏了第半麵 第二半導體層228與畫素電極，以及曰8之_’並且 ^ΐίλ^ψ- I /μ η /、用毛極252之間的耦合 了以被瑕小化。因此，可以減少平面内切換型液㈣ 幕出現的波狀雜訊。 ，衣置之虫 如上文所述，阻擋圖案256接觸資 、、 啊貝料線242。雖然資料線242 可以被切斷，但是透過阻擋圖案25 〇 · 木0 了扣供訊號至所有的資料線 42。阻擋圖案256可以起到一備用線的作用。 除阻擔酵以及龍接觸孔之外，第三實關之陣列基板可 以透過與第-實施例之_基板相_製錢行製造。換言之， 肓料接觸孔係'透過與汲極接觸孔相同的製程形成，以及阻擔圖案 透過與畫素電極以及共用電極相同的製程形成。 阻擋圖案可以分別形成於第二半導體層的下方及下方。 「第10Α圖」與「第10Β圖」為本發明第四實施例之平面内 切換型液晶顯示裝置之橫斷面示意圖。 在「第10Λ圖」與「第10Β圖」中，平面内切換型液晶顯示 裝置包含一第一基板200、一第二基板400以及一液晶層lc，其 令液晶層LC係設置於第一基板200與第二基板400之間。第一基 板200與第二基板4⑻可以是透明的。 共用電極252、畫素電極250、共用圖案208以及薄膜電晶體 Τ係形成於第一基板200上。共用電極252與畫素電極250設置 28 丄321361 於重素區域P中’並大體上為透明的。每個共用電極252與晝素 包極250可以具有-桿狀，共用電極252與晝素電極25〇交替設 £。薄膜電晶體τ設置於一開關區s，共用圖案2 〇 8沿晝素區域p 之周邊形成。薄膜電晶體τ包含一問極202、一閘極絕緣層212、 第一半導體層226、—源極238以及-汲極240。第-半導體層 226由一主動層234與—歐姆接觸層236組成。 一貧料線242沿著晝素區域Ρ -側形成，-第二半導體層228 形成於資料線242的下方。第二半導體層228自第—半導體層從 言伸並包3本貝非晶矽層216與一摻雜非晶矽層218。第二半 —體層228之本質非晶硬層216係暴露於資料線％兩側。 -閘極線204更形成於第一基板細上，部份的_線撕 J閑極202的作用。雖朗中未顯示，但閘極線撕與資料線 祀交又以限定晝素區域ρ。_共用線规位於第一基板 200上並 與閘極線204隔開。 第阻擋圖案210形成於資料線施之下方，以及一第二 ^圖案胸嫩嶋242的上方。第—阻雜21〇可: :Γ線204、共用線206以及共用圖案遍相同的材料形成並與 及:於相同層中，第二阻擔圖案256可以由與共用電極议以 極⑽相同的材料形成，並與其形成於相同層中。第二 256透過形成於被動層246之膽觸孔CH任意地接 /’’’ 242’並且第二阻播圖案256的寬度大於第二半導體層 29 1321361 228並覆蓋第二半導體層228。第一阻擋圖案21〇可相比第二半導 體層228具有一較窄的寬度，或者與第二半導體層228具有相同 或更寬的寬度。 然而’由於第二阻擋圖案256形成於資料線242的上方，因 此較佳的是形成第一阻擋圖案210的寬度小於第二半導體層 228。特別地·，第一阻擋圖案21〇、第二半導體層228以及資料線 242可以是不重合的’並且第二半導體層228的一側可以偏離第一

阻擔圖案210多於其另一側。一麵合電容可產生於第二半導體層 228與共用電極252或者第二半導體層22δ與晝素電極25〇之間。 但是，此耦合電容可以透過第二阻擋圖案256所遮蔽，因此可以 防止波狀雜訊的出現。 同％，第二阻擋圖案256接觸資料線242。雖然資料線242 可以被斷開’但是透過第二阻擔圖案256可以提供訊號至資料線 242。第二阻擋圖案256可以用作一備用線。 一黑色矩陣402與-彩色濾光片層賴係形成於第二基板· 之内表面上’黑色矩陣4()2設置於閘極線綱 ' 資料線242以及薄 膜電晶體T上方’彩色濾光片層撕設置於晝素區域p上方。 除資料接觸孔以及第二阻姻案之外，第四實施例之陣列基 板可以透過與第—實施例之陣聽板相_製程進行製造。換言 之’部份暴露簡線242之龍躺孔CH係透领形成汲極接 觸孔相同的第三光罩製程形成，以及第二阻擋圖案攻透過與形 30 成共用電極252以及晝素電極25〇相同的第四 在本發明中，當—半導體層形成於:組_下方 於資料線的兩側時，形成—於此半導體層的下^= 阻=案用·光線進，體層，或者遮蔽: 質之_二。，防止波狀雜訊’並可以提供具有高品 形成於資料線上方之阻擔圖案可以連接至資料線，並且如果 f"線斷開時可用作一備用線。由此，這樣可減少缺陷產品的數 I，並增加產品產量。 A _本發邮前述之健實闕鑛如上，職麟用以限 定本發明’任何熟習姆技藝者，在不麟本糾之精神和範圍 内田可作些权更動與潤部，因此本發明之專利保護範圍須視 本說明書騎之申請專纖圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖為g知技術之第一實施例之平面内切換型液晶顯示裝 置之橫斷面示意圖； 第2圖為習知技術之第二實施例之平面内切換型液晶顯示裝 置之橫斷面示意圖； 第3圖為本發明第一貫施例之平面内切換型液晶顯示裝置之 陣列基板之平面示意圖； 第4A圖與第4B圖為本發明第一實施例之平面内切換型液晶 1321361 择員示裝置之橫斷面示意圖； 第5A圖至第5H圖以及第6A圖至第6H圖為平面内切換型 液晶顯示裝置之陣列基板之製程橫斷面示意圖； 第7圖為本發明第二實施例之平面内切換魏晶顯示裝置之 陣列基板之平面示意圖； 弟8A圖與第8B圖為本發明第二實施例之平面内切換型液晶 顯示裝置之橫斷面示意圖； 第9A圖與第9B圖為本發明第三實施例之平面内切換型液晶 顯示裝置之橫斷面示意圖；以及 第10A圖與第10B圖為本發明第四實施例之平面内切換型液 晶顯示裝置之橫斷面示意圖。 【主要元件符號說明】 10 下基板 12 閘極 14 閘極絕緣層 16 半導體層 16a 主動層 16b 歐姆接觸層 20 源極 22 >及極 30 共用電極 32 1321361

32 晝素電極 34 電場 40 上基板 42 黑色矩陣 44 彩色濾光片層 50 下基板 52 閘極 54 閘極絕緣層 56 半導體層 56a 主動層 56b 歐姆接觸層 58 半導體層 62 源極 64 汲極 66 資料線 70 晝素電極 72 共用電極 80 上基板 82 黑色矩陣 84 彩色滤光片層 100 第一基板 33 1321361

102 閘極 104 閘極線 106 共用線 108 共用圖案 110 阻擋圖案 126 第一半導體層 128 第二半導體層 136 主動層 138 源極 140 没極 142 資料線 150 晝素電極 152 共用電極 P 晝素區域 Cst 儲存電容器 T 薄膜電晶體 s 開關區 134 主動層 300 第二基板 302 黑色矩陣 304 彩色濾光片層 34 1321361

146 被動層 148 汲極接觸孔 116 摻雜非晶矽層 114 本質非晶矽層 LC 液晶層 Μ 光罩 B1 光線透射部 B2 光線阻擋部 B3 光線半透射部 120 光阻層 112 閘極絕緣層 124a 第一光阻圖案 130 第一金屬圖案 124b 第二光阻圖案 132 第二金屬圖案 200 第一基板 202 閘極 204 閘極線 206 共用線 206a 第一共用線 206b 第二共用線 35 1321361

208 共用圖案 210 第一阻擋圖案 212 閘極絕緣層 216 本質非晶矽層 218 摻雜非晶矽層 226 第一半導體層 228 第二半導體層 234 主動層 236 歐姆接觸層 238 源極 240 汲極 242 資料線 246 被動層 250 晝素電極 252 共用電極 256 阻擋圖案 400 第二基板 402 黑色矩陣 404 彩色濾、光片層 36

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： 1. 一種平面内切換型液晶顯示裝置之陣列基板，包含有： 一基板； 一閘極線，係沿著一第一方向設置於該基板上； -貧料線’係沿著_第二方向設置’並與該閘極線交叉以 限定一晝素區域； 一薄膜電晶體，係連接至該閘極線與該資料線； J素電極’ &1：於該晝素區域巾，並連接至該薄膜電晶體； /、用电極，设置於該晝素區域中，並與該晝素電極交替； 一半導體層，係設置於該資料線下方，並包含寬度大於該 資料線寬度的部份；以及 第一阻擋圖案，係包含一不透明材料並設置於該半導體 層之下方。 2·如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該第-阻擔圖案 與該閘極線係由相同材料形成，並形成於一相同層中。 3. 如申請專利範圍第丨項所述之陣列基板，更包含—共用線係 沿著該第一方向設置於該基板上。 4. 如申請專利軸第3項所述之陣列基板，更包含共關案沿著 該直素區域之周邊，並連接至該共用線以形成一封閉環。 5. 如申請專利範圍第4項所述之陣列基板，其中該第—阻撞圖案 之寬度小於該部份半導體層之寬度。 6·如申請專利範圍第5項所述之陣列基板，其中該第一阻擔圖案 37 1321361 遮蔽多於40%的該半導體層。 7·如申請專利範圍第4項所述之陣列基板，其中該共用電極接觸 該共用圖案。 8. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，更包含一第一共用線 與一第二共用線，係沿著該第一方向設置，並位於該晝素區域 之相對側。 9. 如申請專利範圍第8項所述之陣列基板，其中該第一阻擒圖案 之寬度等於或大於該部份半導體層之寬度。 10. 如申請專利範圍第8項所述之陣列基板，其中該共用電極接觸 該第二共用線。 11. 如申請專利範_ i項所述之陣·板，更包含—第二阻擔圖 案位於該資料線上方，其中該第二阻播圖案覆蓋該半導體層。 12. 如申請專觸圍第u項所述之陣列基板，射該第二阻播圖 案接觸該資料線。 13. 如申請專利範圍第u撕述之陣列基板，射該第二阻撞圖 案與該共用電極以及該晝素電極由相同的材料形成，並形成於 一相同層中。 14. 如申請專利範圍第丨項所述之陣列基板，射該半導體層包含 一本質非㈣層與-摻_晶㈣，並且該本質非一層為寬 度大於該資料線寬度的該部份。 15. 種平面内切換型液晶顯示裝置之陣列基板，包含有： 38 一基板； 一閘極線，係設置於該基板上； 一資料線，與該閘極線交叉以限定—晝素區域； 薄膜電晶體，係連接至該閘極線與該資料線； 晝素電極’設置於該晝·域巾，並連接至_膜電晶體; 共用電極，設置於該畫素區域中，並與該晝钱極交替； 一半W層’ m於該麵線下方，並包含寬度大於該 資料線寬度的部份；以及 弟阻播圖案’位於該資料線上方，並覆蓋該半導體層。 16·如申5月專利祀圍第15項所述之陣列基板，其中該第一阻擔圖 案接觸該資料線。 π.如申請專利範圍第15項所述之陣列基板，更包含—第二阻播 圖案位於該半導體層下方，其中該第二阻播圖案與該閉極線由 相同的材料形成’並形成於-相同層中。 1δ·—種平面内她碰晶齡裝置，係包含有： —第一基板與一第二基板，係相互分離； —液晶材料，係設置於該第一基板與該第二基板之間； —閘極線，係設置於該第-基板之内表面上； 資料線，與該閘極線交又以限定一畫素區域； 一薄膜電晶體，接觸.線與該資料線； 田素電極仏又置於該該畫素區域内，並連接至該薄膜電 39 晶體； 共用電極，係設置於該畫素區域内，並與該晝素電極交替； —半導體層，設置於該資料線下方，並包含寬度大於該資 料線寬度的部份； p擒圖木包含一不透明材料，並設置於該半導體層下 方； 黑色矩陣，位於該第二基板之内表面上；以及 彩色濾光片層，位於該第二基板之内表面上。 19·—種平面内切換型液晶顯示裝置，係包含有： 一第一基板與一第二基板，係相互分離； 一液晶材料，係設置於該第一基板與該第二基板之間； 一閘極線，係設置於該第一基板之内表面上； 一資料線，與該閘極線交叉以限定一晝素區域； 一薄膜電晶體，接觸該閘極線與該資料線； 一素電極，係设置於該該畫素區域内，並連接至該薄膜電 晶體； 共用電極，係設置於該畫素區域内，並與該畫素電極交替； 一半導體層，位於該資料線下方，並包含寬度大於該資料 線寬度的部份； 弟一阻擔圖案，包含一不透明材料，並設置於該半導體 層下方； 40 —第二阻擋圖案，係設置於該資料線上方，並覆蓋該半導 體層； —黑色矩陣，位於該第二基板之内表面上；以及 —衫色濾光片層，位於該第二基板之内表面上。 如申。月專利範圍第I9項所述之平面内切換型液晶顯示裝置， 其中該第二阻擋圖案接觸該資料線。 π -種平面㈣翻液晶顯示裝置之陣列基板之製造方法，係包 含以下步驟： 透過-第-光罩製程形成一間極線、一間極以及一第—阻 擋圖案於一基板上； 形成-閘極絕緣層、-本質石夕層、一掺雜石夕層以及一導電 材料層於包含有該閘極線、該閘極以及該第—阻擔圖案之該二 板上； ^ 藉由-第二光罩製程透過圖案化該導電材料層、該換雜石夕 層以及該本質石夕層’以形成一第一半導體層、一源極、一没極、 -資料線以及-第二半導體層’該資料線與該·線交又以限 定-晝素電極並覆蓋該第二半導體層’其中部份的該第二半導 體層見度大於該資料線的寬度，並設置於該第一阻擋圖案之上 方； 透過一第二光罩製程形成一被動層，該被動層具有—第— 接觸孔以暴露出該汲極；以及 41 1321361 透過-第四光罩製裎形成畫 並與該共用電極交叉設 辛曾;免極與共用電極，其中該畫 素包極透過財-接觸孔接觸紐極 = 圍第21項所述之方法，其中該第-阻擋， 見度小於該部份的第二半導體層之寬度。 23. 如申請專利範圍第22項所述之 奸夕 去’其中該第一阻撞圖案遮 敝多於40%的該第二半導體層。 24. 如申請專利範圍第21 忐其中該第—光罩製程更 .匕έ形成一共用線以及共用圖幸I 咖 〜之步驟’該制線平行於該閘 極線，該共用圖案與該共用線形成一封閉環。 25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該共用電極接觸該 共用圖案。 26.如申請專利範㈣21項所述之方法，其中該第—光罩製程更 包3形成-第一共用線與一第二共用線之步驟，該第一共用線 及該第二共科餅行於該閘極線並被設置於該晝素電極之 相對側。 27. 如申請專利範圍第26補述之方法，其中該第—阻播圖案之 寬度等於或大於該部份的第二半導體層之寬度。 28. 如申請專利顧第26項所述之方法，其中該翻電極接觸該 第二共用線。 29. 如申請專利範圍第21頊所述之方法，其中該第三光罩製裎更 42 1321361 包3形成一第二接觸孔以暴露該資料線 罩製程更包含形成—第一阻㈣安線之步驟’以及該弟四光 覆”第該㈣線上方並大體 復1这弟一+導體層之步驟。 30. 如申請專利範圍第29 〔 '岛蚱笙一^ 、〜之方法，其中該第二阻擋圖案透 k該弟一接觸孔接觸該資料線。 31. =:圍第21項所述之方法’其中該第二光罩製程更

   形成一光卩且層於該導電材料層上； 5又置一光罩於該光阻層上並暴露該光阻層於光線，其中該 光罩包含—雜騎部、—光線崎部以及-光線半透射部； 透，頒衫該光阻層形成—第—光賴案與—第二光阻圖 案’該第-光阻圖案具有一第一部與一第二部，該第二光阻圖 案'於該資料線，其憎第-㈣應於該_極及汲極，以 及該第二部對應於位於_極無祕之間的該雜，並且相 比該第一部較薄； 藉由該第-光阻圖案以及該第二光阻圖案作為光罩，透過 圖案化該導電材料層、輔1财相及該本f⑭相形成一金 屬圖案以及一半導體圖案； 私除。亥第光阻圖案的該第二部，進而曝光該半導體圖案 之一摻雜碎部； 移除該半導體圖案之該曝光摻雜矽部；以及 43 1321361 移除該第-光p且圖案的該第—部以及該第二光阻圖案。 32. -種平面内切換型液晶顯示裝置之陣列基板之製造方法，係包 含以下步驟： 透過一第一光罩製程形成一閘極線以及一閘極於一基板 上； 形成-閘極絕緣層、一本質石夕層、一摻雜石夕層以及一導電 材料層於包含有該閘極線及該閘極之該基板上； 藉由-第二光罩製程透過圖案化該導電材料層、該推雜石夕 層以及該本質石夕層’以形成一第一半導體層、一源極、一沒極、 -資料線以及-第二半導體層，其中該圖案化包含部份地暴露 位於該資料線兩側之該第二半導體層； 透過-第三光罩製程形成具有—第—接觸孔與一第二接 觸孔之被騎’該第-接觸孔暴露該汲極，該第二接觸孔暴露 該資料線；以及 透過-第四光罩製程形成晝素電極、共用電極以及一第一 阻擅圖案’其中該晝素電極透過該第一接觸孔接觸該汲極，並 與該共用電極交又設置’以及該第—阻細案接觸該資料線並 覆蓋該第二半導體層。 33. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該第一阻撞圖案大 * 體上覆蓋該第二半導體層。 34. 如申請專利範圍第32項所述之方法，盆啦 次具中該弟二半導體層包 44 1321361 含一圖案化本質矽層與一圖案化摻雜矽層位於該資料線下方。 35. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該第一光罩製程更 包含形成包含不透明材料之一第二阻擋圖案於該基板上之步 驟。 36. 如申請專利範圍第35項所述之方法，其中該第二阻擋圖案係 設置於該第二半導體層下方。

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