TWI320801B - Liquid-crystal medium, and electro-optical display containing same - Google Patents

Liquid-crystal medium, and electro-optical display containing same Download PDF

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TWI320801B
TWI320801B TW092108134A TW92108134A TWI320801B TW I320801 B TWI320801 B TW I320801B TW 092108134 A TW092108134 A TW 092108134A TW 92108134 A TW92108134 A TW 92108134A TW I320801 B TWI320801 B TW I320801B
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Melanie Klasen-Memmer
Matthias Bremer
Malgorzata Rillich
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Merck Patent Gmbh
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Description

1320801 明說 明e發 域 領 術 技 之 屬 所 明 ' 發 狄 [ 本發明係關於液晶顯示器,特別是主動矩陣液晶顯示 器(AMDs或AMLCDs),特別地關於那些使用內含薄膜電 晶體(TFT)或壓敏電阻器的主動矩陣者。此外,本發明係 關於用於此類型顯示器的液晶介質。此類型的AMD能使 用各種主動式電子開關元件。最普遍者爲使用三極開關元 件的顯示器。此類也是在本發明中較佳者。此類型三極開 關元件之實施例爲MOS (金屬氧化物矽)電晶體或上述的 TFT或壓敏電阻器。在TFT中,各種半導體材料,主要 使用矽或供選擇地使用硒化鎘。尤其,使用多晶矽或非結 晶形矽。對照於三極電子開關元件,2極開關元件的矩 陣,例如MIM(金屬絕緣體金屬)二極體、環二極體或"背 對背"二極體,也可使用於AMD。然而,亦如以下詳細說 明者,此類一般爲不佳的,因爲經由 AMD將達到較差的 電光性質。 在此類型顯示器中用作爲介電體的液晶,爲那些於施 加電壓之下彼光學性質能可逆地改變者。使用液晶作爲介 質的電光顯示器其已知於熟悉此技藝的專業人士》此類液 晶顯示器係使用各種電光效應◊ 【先前技術】 最普遍的慣常顯示器係使用TN效應(扭轉向列,其具 有可扭轉約90°的向列結構),STN效應(超扭轉向列)或 (2) (2)1320801 SBE效應(超扭轉雙折射效應)。在此類相似的電光效應 中,係使用正性介電異向性(△ ε)的液晶介質。 一般而言,包含使用此類效應的顯示器,因爲顯示器 中的操作電壓,應達到儘可能的低,故使用大介電異向性 的液晶介質,其一般主要包含介電正性液晶化合物,且最 多包含相對地小/低比例之介電中性化合物。 對照於慣常的利用該電光效應而須要液晶介質正性介 電異向性的顯示器,也有其它電光效應,其係利用負性介 電異向性的液晶介質,例如ECB效應(電氣控制雙折射)及 其次要形式DAP(排列相的變形),VAN(垂直排列向列)及 CSH(色彩超類似型(super homeotropic))。此類即爲本發 明的應用物質。 至於PS (平面開關)效應,最近已有增高程度的應用, 可使用介電正性與介電負性液晶介質兩者,相同於”賓/主 型"顯示器,取決於使用的顯示器模式,其可使用介電正 性或介電負性介質的染料。針對在本章節提及的液晶顯示 器,那些使用介電負性液晶介質者亦爲本發明的目標物 質。 有更高程度希望類型的液晶顯示器是所謂的"軸向對 稱的微結構區’’(縮寫爲 ASM)顯示器,其可較佳地經由電 漿排列而顯示(電漿液晶顯示器,或PA LCDs)。此類顯示 器亦爲本發明的目標物質。 於上述中的液晶顯示器與所有利用相似效應之液晶顯 示器中所使用的液晶介質,一般主要包含(且在大部分案 (3) 1320801 例中甚至包含),非常大量的其具有 液晶化合物,即當在介電正性介質中 合物,且當在介電負性介質中爲負性 在依據本發明所使用的介質中, 量的介電中性液晶化合物,且一般僅 介電正性化合物,因爲一般液晶顯示 定址電壓(addressing voltage)。爲此 或完全不使用具有介質相反介電異向 先前技藝中的液晶介質帶有相對 須要高操作電壓(開端電壓(VQ)經常 例中高於2.2 V),且相對地須要較長 不充分的,尤其是針對可錄影的顯示 適合作高溫操作及/或具有不充分的 此向列的相經常僅延伸至低到-20 °C 至僅低到-l〇°C。 針對大部分而言,先前技藝的液 相對不適合的値,其經常顯著的小於 中爲小於0.10。然而’該項小的△ VAN顯示器,因爲彼須要使用其具有 或更厚的小室,且如此造成針對 的長反應時間。如此’例如將大約0 使用於未扭轉指示器定向’或將大約 使用於90°扭轉 然而,使用具有非常小層厚的小 對應的介電異向性的 爲正性介電異向性化 介電異向性化合物。 典型地使用最顯著用 有非常小量甚至沒有 器應具有最低可能的 緣故,一般極少使用 性的液晶化合物。 低雙折射値,相對地 相對高的,在一些案 反應時間,其經常是 器。此外,其通常不 低溫穩定性。如此, ,且在一些案例中甚 晶介質針對△ η帶有 • 0.11且在一些案例 η値不特別地有利於 相對大的層厚在4 許多用途有不可接受 • 30"m 的(1·Δη 在 0.40//m 的 d· Δη 室將頻繁地造成顯示 -8 (4) (4)1320801 器的低產率。 在大部分案例中,使用於快開關顯示器的液晶介質中 最適合Δη値在介於0.105至0.15。此亦適用於IPS顯示 器。 此外,先前技藝顯示器的反應時間經常太長。如此, 必須改良,即降低液晶介質的黏度。此尤其適用於旋轉黏 度,且非常特別適用於其在低溫下的値。降低流動黏度一 般將會造成,尤其是當顯示器具有類似型(homeotropic)邊 緣液晶配向(例如在ECB及VAN顯示器中),將會造成於 顯示器製作期間非常須要的塡充時間之縮短。 例如,EP 1 146 104揭示針對包含如下式化合物的 VAN顯示器液晶介質
然而,此類介質帶有相對低的雙折射値,且同時有相 對高的旋轉黏度値。如此將導致在顯示器中相對長的反應 時間。 GB 2,300,642揭示含有聯三苯且帶有極性末端取代基 的負性介電異向性之液晶介質。然而,此類介質僅有低絕 對値的介電異向性。且雖然彼涵蓋寬廣範圍的雙折射値, 其所有均帶有相對高的黏度,尤其是高旋轉黏度,且如此 造成會不利的反應時間。 -9 - (5) ^20801 如此,已有連續的高需求,須要不帶有先前技 缺點的液晶介質,或至少可顯著降低先前技藝介質 程度。 【發明內容】 出人意外地,據發現經由依據本發明的液晶介 成此目標。此類介質包含 a)—種介電負性的液晶成分(成分A),其包含 多式I之介電負性化合物 藝介質 缺點的 質可達 一或更
其中 R11爲帶有1至7個碳原子的烷基,較佳者 基,特別較佳者爲帶有1至5個碳原子的正烷基, 至7個碳原子的烷氧基,較佳者爲正烷氧基,特別 爲帶有1至5個碳原子的正烷氧基,或帶有2至7 子的烷氧基烷基、烯基或烯氧基,較佳者爲帶有2 碳原子者,較佳者爲烯氧基, R12爲帶有1至7個碳原子的烷基或烷氧基, 爲烷氧基,較佳者爲正烷氧基且特別較佳者爲帶有 個碳原子的正烷氧基’或帶有2至7個碳原子的烷 基、烯基或烯氧基,較佳者爲帶有2至4個碳原子 爲正院 帶有1 較佳者 個碳原 至4個 較佳者 2至5 氧基院 者,較 -10 - (6) 1320801 佳者爲烯氧基, —者爲
Z11 與 Z12 各自獨立爲-^-(:]^2-、-(:112-€尸2-、- CF2-CH2-、-OCH2-、-CH20--0CF2-' -CF20-或單鍵,宜至 少一項爲單鍵且特別較佳者兩者均爲單鍵,且 η 爲0或1,較佳者在1 其中在第三苯基環中的一或更多Η原子可視需要以F 原子取代,若
-11 - (7) (7)1320801 且 b)—種介電負性液晶成分(成分B),其宜包含一或更 多介電負性化合物),其係選自由式II與III化合物所組 成的類群 r21 r22
F F 其中 R21爲帶有1至7個碳原子的烷基,較佳者爲正烷基 且特別較佳者爲帶有1至5個碳原子的正烷基,帶有1至 7個碳原子的烷氧基,較佳者爲正烷氧基且特別較佳者爲 帶有2至5個碳原子的正烷氧基,或帶有2至7個碳原子 的烷氧基烷基、烯基或烯氧基,較佳者爲帶有2至4個碳 原子者,較佳者爲烯氧基, R22爲帶有1至7個碳原子的烷基,較佳者爲正烷 基,特別較佳者爲帶有1至3個碳原子的正烷基,帶有1 至7個碳原子的烷氧基,較佳者爲正烷氧基,特別較佳者 爲帶有2至5個碳原子的正烷氧基,或帶有2至7個碳原 子的烷氧基烷基、烯基或烯氧基,較佳者爲烯氧基,較佳 者爲帶有2至4個碳原子者, Z21 與 Z22 各自獨立爲·<:Η2-(:Η2-、-CH = CH-、 -CF = CF-、-CF = CH-、-CH = CF-、-Ce C-、-COO-、-CF2- -12- (8)1320801 cf2-0-、 佳者 -c三 別較 基, 的正 氧基 帶有 原子
' -CF2-CH2- ' -CH2-CF2- ' -CH2-O- ' -O-CH2- ' -CF2--〇_cf2·或單鍵,較佳者爲_ch2-ch2-或單鍵且特別較 爲單鍵, m 爲0或1Z"-^-R32 F F Z31 與 Z32 各自獨立爲-CH2-CH2-、-CH = CH-、 C-、-COO-或單鍵,較佳者爲-CH2-CH2-或單鍵且特 佳者爲單鍵, R31及R32 各自獨立爲帶有1 至7個碳原子的烷 較佳者爲正烷基且特別較佳者爲帶有1至5個碳原子 烷基,帶有1至7個碳原子的烷氧基,較佳者爲正烷 且特別較佳者爲帶有1至7個碳原子的正烷氧基,或 2至7個碳原子的烯氧基,較佳者爲帶有2至4個碳 者,且 爲 F F F I
-13- 1320801 ⑼
較佳者
Z31 與 Z32 各自獨立爲-CH2-CH2、-CH = CH-、 -CF = CF-、-CF = CH- ' -CH = CF-、-Ce C-、-COO-、-CF2-CF2- ' -CF2-CH2- ' -CH2-CF2- ' -CH2-O- ' -O-CH2* ' -CF2-〇-、-o-cf2-或單鍵,較佳者爲-ch2-ch2-或單鍵且特別較 佳者爲單鍵,且視需要 C) 一種介電中性的成分(成分C),其中包含一或更多 式IV之介電中性的化合物
-14- (10) 1320801 其中 R41及R42 各自獨立如以上於式II中針對R21的 定義, Z41、Z42 與 Z43 各自獨立爲-CH2CH2-、-CH = CH- ' - - COO-或單鍵,
〇與P, 各自獨立爲〇或1,但較佳者 - R41與R42 各自獨立爲帶有1-5個碳原子的烷基或 烷氧基或帶有2-5個碳原子的烯基, -15- (11) 1320801 势,
且非常特別宜在此類環中至少有二個爲
其中二個相鄰的環非常特別宜直接地聯結且較佳者爲
或 且視需要 d)—或更多式V的介電正性化合物(成分D) -16 - (12) 1320801
其中 R5 爲帶有1至7個碳原子的烷基或烷氧基,或帶有 2至7個碳原子的烷氧基烷基、烯基或烯氧基,
Z51、Z52 與 Z53 各自獨立爲-CH2-CH2-、-CH = CH-、-C 三C- ' -COO-或單鍵,
I 及
办 Ο . 各自獨立爲
X5 爲 F、OCF2H 或 OCF3,且 γ5ΐ與γ52 各自獨立爲Η或F,Υ51宜爲F,且尤 其是當其中X5 = F或OCF2H,Υ52宜爲F,且 q與r 各自獨立爲〇或1。 在本發明另一較佳的具體實施例中,此介質包含一或 -17 - (13) 1320801 更多式VI的介電負性化合物
其中 R61與R62 各自獨立地同如上於式II中針對R21 之定義, · z61、Z62 與 Z63 各自獨立爲-CH2CH2-、-CH = CH-、-COO-或單鍵’ 如下各者中至少一者 势, 势,
及 · 展現爲 ,其中 . L61及L62 至少一者爲N且另一者爲N或C-F, 且其它 -18 - (14) 1320801 备势,
各自獨立爲
〇、
q與r 各自獨立爲0或1 但較佳者 R61與R62各自獨立爲帶有1-5個碳原子的烷基或烷 氧基或帶有2-5個碳原子的烯基, 及
除了至少一者爲 -19- (15)1320801 ο 各自獨立爲,
且非常特別宜在此類環中至少有二個爲 及/或
Z61、Z62與Z63 各自獨立爲-(:η2(:η2-或單鍵,較 佳者爲單鍵。 在本發明另一較佳的具體實施例中,此介質包含一或 更多式VII的介電負性化合物
VII
其中 R71與R72 爲帶有1至7個碳原子的烷基,較佳 者爲正烷基且特別較佳者爲帶有1至5個碳原子的正烷 基,帶有1至7個碳原子的烷氧基,較佳者爲正烷氧基且 特別較佳者爲帶有2至5個碳原子的正烷氧基,或帶有2 至7個碳原子的烯氧基,較佳者爲帶有2至4個碳原子 -20- (16) (16)1320801 者,非常特別地較佳者兩者均爲帶有1至5個碳原子的正 烷氧基,且 X7 爲F、Cl、CN或NCS,較佳者爲F或CN,特別 較佳者爲CN。
或. 較佳者爲
Z71與Z72 如於以上式III中Z31與Z32之定義, s 爲0或1。 成分A宜主要含有,特別較佳者實質上完全地含 有,且非常特別較佳者事實上完全地含有,一或更多式I 之化合物。此類式I之化合物宜選自由式1-1至1-5之化 合物所組成的類群,特別宜爲由式1-1至1-3所組成的類 群: -21 - (17) 1320801
其中 R11 、 R]2 、 Z11 、 Z12 、 及 具有相應的以上在式I中所給 予的意義,但z12在式1-4及1-5中不是單鍵。 式I之化合物特別宜選自由式I-la、I-lb、I-2a至I-2f及I-3a至I-3e之化合物所組成的類群,且非常特別宜 爲選自式 I-la、 I-2a、 I-2b、 I-2c、 I-3a, I-3b 及 I-3c 之 化合物所組成的類群,且特別宜爲選自由式I-2a、I-2c、 卜3a及I-3c之化合物所組成的類群。 -22 - (18)1320801
F F
-23 (19)1320801
l-2d
F F F F l-2e
l-2f
l-3a l-3b
F F
l-3c
l-3d
F F l-3e 其中 -24 - (20) (20)1320801 R11及R12 同如上在式I中之定義,且R11宜爲帶 有1至7個碳原子的烷基或帶有2至7個碳原子的烯基, 且R12宜爲帶有1至7個碳原子的烷基,帶有1至7個碳 原子的烷氧基或帶有2至7個碳原子的烯氧基。 在本發明中,配合引用各組成物的組分: •"包含"意指在組成物中相應組分之濃度宜在5%或更 多,特別宜爲10%或更多,且非常特別宜爲20%或更多, -"主要包含"意指在組成物中相應組分之濃度宜在 50%或更多,特別宜爲55 %或更多,且非常特別宜爲60% 或更多, 實質上完全地包含"意指在組成物中相應組分之濃 度宜在80 %或更多,特別宜爲90%或更多,且非常特別宜 爲95 %或更多,及 -”事實上完全地包含意指在組成物中相應組分之濃度 宜在98 %或更多,特別宜爲99 %或更多,且非常特別宜爲 100.0%。 此適用於下列兩者:帶有其組分而作爲組成物之介質 者(其可爲各種成分與各種化合物),與帶有其組分的成分 (那些化合物)。 依據本發明的液晶介質宜包含一或更多各個選自至少 二種不同式化合物,而該式係選自由式1-1、1-2及1-3之 化合物所組成的類群,特別宜至少爲一種選自各個此三式 的化合物。 成分B宜主要含有,特別較佳者爲實質上完全地含 -25- (21) (21)1320801 有,且非常特別較佳者事實上完全地含有,一或更多由式 II及ΠΙ之化合物所組成的類群中化合物》 式Π之化合物宜選自由式π-1至II-5之化合物所組 成的類群,較佳者爲II-1至Π-3之化合物所組成的類 群,
其中 R21及R22同如上於式II中之定義,且 R21較佳者帶有1至7個碳原子的正烷基,帶有1至 7個碳原子的正烷氧基或帶有2至7個碳原子的烯氧基, 且 -26- (22) 1320801 R22較佳者爲帶有1至7個碳原子的正烷氧基或帶有 2至7個碳原子的烯基氧基,且在式1-1中及1-2中亦爲 帶有1至7個碳原子的正烷基, m 爲〇或1。 式ΙΠ之化合物宜選自由式III-1至III-6b之化合物 所組成的類群,較佳者爲111 -1至111 -4之化合物所組成的 類群,特別較佳者爲111 -1、111 -4 a及111 -4 b之化合物所組
成的類群
111-1 III-2
III-3
lll-4a
lll-4b -27- (23)1320801
lll-5a lll-5b lll-6a lll-6b 其中 R31、R32、Z31與z32同如上於式in中之定義,且較 佳者 R31爲帶有1至7個碳原子的正烷基,帶有1至7個 碳原子的正烷氧基,或帶有2至7個碳原子的烯氧基, R32爲帶有1至7個碳原子的正烷氧基或帶有2至7 個碳原子的烯氧基, 且在式12與13中,供選擇地爲帶有1至7個碳原子 的正烷基,且 Z3】與 Z32 各自獨立爲-Ch2_Ch2 -、-ch2-〇-、-cf2-〇-或-o-cf2-。 式VII之化合物宜選自由式VII-1及VII-2之化合物 所組成的類群 -28 - (24)1320801
CN
VII-1 VII-2 其中 R11與R12 同如上在式VII中之定義,且較佳者爲 正烷基。 此液晶介質特別地宜包含一或更多選自由式n — la至 II -1 C之化合物所組成的類群’特別較佳者爲式Π -1 a及 II-lc之化合物所組成的類群
ll-1a ll-1b
ll-1c 其中R21與R22同如上於式II中之定義,且較佳者同 如上於式II-1中之定義。 此液晶介質特別地宜包含一或更多式ΠΙ之化合物, 其係選自由式in-la、ln-3a、111-43及ni6a之化合物所 -29- (25) 1320801 組成的類群,較佳者爲ΠΙ-la及m-4a之化合物所組成的 類群,特別較佳者爲ΙΠ-la。
lll-3a lll-4a
lll-6a 其中R31及R32同如上於式III中之定義,且較佳者 如同以上於式III-1中至III-6中對應的定義。 此液晶介質特別地宜包含一或更多選自由式II-6與 II-7之化合物所組成的類群
11-6 11-7 -30- (26) (26)1320801 其中R21及R22同如上於式Π中之定義,且較佳者同 如上於式ΙΙ-1中之定義。 此液晶介質特別地宜包含一或更多式III-2a之化合物
其中R31及R32同如上於式III中之定義,且較佳者 同如上於式III-2中之定義。 成分C宜主要含有,特別較佳者爲實質上完全地含有 且非常特別較佳者事實上完全地含有一或更多式IV之化 合物。此類式IV之化合物宜選自由式IV-1至IV-3之化 合物所組成的類群
其中R41、R42、、Z42、 W 及 U 係各自 如以上在式IV中對應的定義。 此液晶介質特別地宜包含一或更多選自由式IV-la至 -31 - (27) 1320801 IV-ld、 IV-le- IV-2a 至 IV-2e 及 IV-3a 至 IV-3c 之化合物 所組成的類群 n-CnH2 丨
〇-n-CmH2m+1 IV-1a ^~^n^2n+1
n-C„H IV-1b 2m+1 n-CnH 2n+1
(CH2)0-CH=CH2 IV-1c n-C H 2n+1
(CH2)m-CH=CH-(CH2)〇-CpH2p+1 IV-1d CH?=CH-(CH2)(
(CH2)p-CH=CH2 IV-1e 其中n及m各自獨立爲1至5,且o與p係各自相互 地獨立爲0至3, -32- 1320801 (28) IV-1e r41~~(^y~ r42
IV-2a IV-2b IV-2c
-33- (29)1320801
IV-2e IV-2e
IV-2f IV-3a IV-3b
IV-3c IV-3d
其中R41與R42係各自如上在式IV1中所定義者,且 苯環可視需要經氟化,但並非使此化合物相同於那些式11 及其取代式。宜爲帶有1至5個碳原子的正烷基’特 別較佳者爲帶有1至3個碳原子’且R42宜爲正院基或帶 有1至5個碳原子的正烷氧基或帶有2至5個碳原子的稀 基。在此類之中,特別優先者爲式IV la至IVld之化合 -34- (30)1320801 物。 成分D宜主要含有,特別較佳者爲, 有且非常特別較佳者事實上完全地含有— 化合物。此類式V之化合物宜選自由式v 合物所組成的類群
其中R5、Z52、Z53及 同 定義,但較佳者 R5 爲有1-7個碳原子的烷基或帶有: 烯基,較佳者爲乙烯基或1E-烯基, Z52與Z53中的一個 爲單鍵且另一 霞質上完全地含 或更多式V之 -1至V - 4之化 V-1 V-2 V-3 V-4 ]上針對式I的 2-7個碳原子的 者爲·<:Η2(:Η2· -35- (31) (31)1320801 、-COO-或單鍵,且 is 或 在一項較佳的具體實施例之中,此介質包含一或更多 ‘ 其精確地含有二個苯基環的化合物(其可經取代),係選自 由式I及VI所組成的類群,較佳者爲選自由式I-la、I-1 a - i至I · 1 a - i i i之化合物所組成的類群 φ
其中R11及R12同如上在式I中之定義,較佳者如在 式I-1中之定義。 式I-VII之個別化合物與可使用於依據本發明的液晶 顯示器的其它化合物,係已知的或可類似於由已知的方法 本身而製備的已知的化合物,如那些敘述於 Houben- -36- (32) (32)1320801
Weyl ’ Methoden d e r organischen Chemie , Thieme-Verlag,Stuttgart,德國。 在一項較佳的具體實施例之中,依據本發明的液晶介 質總共包含(此係基於混合物整體) 5%至85% ’較佳者在1〇%至55%,且特別宜爲1〇% 至30%的成分A ’較佳者爲式I之化合物,5 %至85%,較 佳者1 0 %至8 5 % ’特別宜爲2 0 %至8 0 %,且非常特別宜爲 4〇 %至75 %的成分B,較佳者爲式Π及Hi之化合物, 0 %至5 0 % ’較佳者爲〇 %至4 0 %,特別宜爲1 〇 %至 4〇%,且非常特別宜爲5 %至25 %的成分C,較佳者爲式 IV之化合物,及 〇 %至4 0 % ’較佳者爲〇 %至3 0 %,特別宜爲〇 %至 20%,且非常特別宜爲1 %至10%的成分D,較佳者爲式 IV之化合物。 在此,如遍佈本發明’除非明確地另有說明,術語化 合物(亦書寫爲複數的化合物),意指一個化合物與複數的 化合物兩者。 在此使用的各個化合物各自的濃度在1 %至25%,較 佳者在2%至20%,且特別宜爲4%至16%。在此的一項例 外,爲具有三個苯基環的化合物及具有四個六員環的化合 物。此類化合物使用的濃度各自在0.5 %至15%,較佳者 在1 %至10 %,且特別宜爲1 %至8 %,以個別化合物計。 當式I之化合物中η =0,針對在介質中個別化合物之比例 的較佳濃度限制爲1%至20%,較佳者在2%至15%,且特 -37- (33) (33)1320801 別宜爲5 %至1 2 %。當式I之化合物中η = 1,針對在介質 中個別化合物之比例的較佳濃度限制爲1%至30%,較佳 者在2%至20%,且特別宜爲8%至12%。 在一項較佳的具體實施例之中,此液晶介質特別地宜 總共包含 1 0 %至3 5 %的式I之化合物, 5〇 %至90 %的式II及III之化合物, 〇 %至4 0 %的式I V之化合物, 及0%至20 %的式V之化合物。 在此具體實施例中,液晶介質非常特別地宜總共包含 1 5 %至3 0 %的式I之化合物, 60%至80%的式II及III之化合物, 0%至20%的式IV之化合物及 0 %至5 %的式V之化合物。 在一項將別較佳的具體實施例之中,其可相同於且較 佳者相同於上述本發明針對較佳的濃度範圍之較佳的具體 實施例,此液晶介質包含: •一或更多式I之化合物,較佳者其係選自由式I-2a 至I-2c及I-3a至I-3c之化合物所組成的類群,及/或較佳 者,與 •—或更多式Π-1之化合物,及/或較佳者,與 •—或更多選自由式IV-1與IV-2之化合物所組成的 類群,較佳者爲 -一或更多選自由式IV-la至IV-le'IV-2c及iv-2e -38- (34) (34)1320801 之化合物所組成的類群,非常特別較佳者,係選自式IV-lc、IV-2C及IV-1 d所組成的類群,且尤其是選自式IV-2c,及/或較佳者,與 •一或更多選自由式V至VII之化合物所組成的類 群。 在此特別優先者爲液晶介質,其中包含 -一或更多式I之化合物,較佳者其係選自由式1-2a、I-2c、I-3a及I-3c之化合物所組成的類群,較佳者其 中R11爲正烷基且R12爲烷氧基或烷基,且尤其是在各案 例中每種化合物的濃度在6 %至15%,及/或 -一或更多式Π-la及/或II-lc之化合物,尤其是在各 案例中每種化合物的濃度在4%至20%,較佳者在各案例 中一或更多化合物其中 R21爲有 1-5個碳原子的烷基且 R22帶有I-4個碳原子,及/或 或更多式ΙΙ-la之化合物,尤其是在各案例中濃度 在3 %至15 %的每種化合物,較佳者在各案例中一或更多 化合物其中R31爲帶有1至3個碳原子的烷基,且R3 2爲 帶有1至4個碳原子的烷氧基,及/或 ·—或更多式IV-1 a至IV-lc及/或IV-2C之化合物, 較佳者爲式IV-lc及/或IV-2c之化合物。 若有需求,此類介質可包含一或更多選自由式V之 化合物所組成的類群。 在各案例中依據本發明的液晶介質宜帶有向列的相, 其溫度在-20°C至70°C,特別宜爲-30°C至8CTC,且非常 -39- (35) (35)1320801 特別宜爲-40°C至90°C,且最佳在-40°C至105°C。 在此術語"帶有向列的相"意指在低溫下,在對應的溫 度下觀察’首先沒有脂狀液晶相且沒有結晶,且其次在由 向列的相加熱中也沒有澄淸發生。於低溫下在流動黏度計 之中採用對應的溫度執彳了此硏究,且經由在測試小室貯存 至少100小時而檢查’該小室中具有對應於電光應用的層 厚。在高溫下’採用慣常的方法於毛細管測量淸澈點。 此外’依據本發明的液晶介質之特色在於相對高的光 學異向性數値。雙折射値較佳者在介於0.090至0.080, 特別較佳者在介於0.105至0.160,且非常特別較佳者在 介於 0.110 至 0.150。 此外’依據本發明的液晶介質具有低値的開端電壓 (ν〇)’較佳者爲低於或等於2 2 V,較佳者爲少於或等於 2.0 V,特別較佳者在低於或等於ι·9ν且非常特別較佳者 在低於或等於1.85V。 針對個別地物理性質,在各案例中也相互合倂地觀察 到此類較佳的値。 如此’依據本發明的液晶介質,例如帶有9(TC或更 低的淸澈點,且介電異向性(|Δ£|)之値在5或更 低' -針對0.15或更低的雙折射,旋轉黏度在26〇 mPa · s 或更低, -針對0.12或更低的雙折射,旋轉黏度在223 mPa · s 或更低,且 -40- 1320801 -針對0.10或更低的雙折射,旋轉黏度在211 mPa· s 或更低。 當70 °C或更低的淸澈點,且介電異向性之値(| △ ε 丨)在3.5或更低,依據本發明的液晶介質具有 -針對0.15或更低的雙折射,旋轉黏度在155 mPa · s 或更低, -針對0.12或更低的雙折射,旋轉黏度在12〇 mPa · s 或更低, -針對0.11或更低的雙折射,旋轉黏度在118 mPa· s 或更低,且 -針對0.10或更低的雙折射,旋轉黏度在115 mPa· s 或更低。 上述的尺寸限制獨立地適用於式I、II及III之化合 物’使用於依據本發明的液晶介質的式I及II之化合物 針對每項個別物質的濃度至高達約2 5 %,且式111之化合 物使用濃度至高達約2〇%,較佳者爲至高達16%,以每項 個別物質計。式I之化合物,較佳者爲式1-1至1-3,其 使用濃度宜至高達約15%,較佳者爲至高達1〇%,以每項 個別物質計。 在本發明中’ "S "意指少於或等於,較佳者爲少於, 且”2"意指大於或等於,較佳者爲大於。 在本發明中,
-41 - (37) (37)1320801 代表反-1,4 -伸環己基。 在本發明中,術語介電正性化合物意指△ ε >1.5的化 合物,介電中性的化合物意指那些其中_;L.5 ^ Δ ε ^ 1 ·5,且介電負性化合物意指那些其△ ε < -1.5。在此各項 化合物的介電異向性之測定,係經由在一液晶主體之中溶 解10%的該項化合物,且以1 kHz測定此混合物之電容, 此係在在至少一厚 20//m且帶有類似型(homeotropic)表 面排列的測試小室中,且在至少一厚20 // m且帶有均質 的表面排列的測試小室中。測量的電壓典型地爲0.5 V至 1.0V,但總是低於相應的液晶混合物之電容開端。 用於介電正性及介電中性的化合物的主體混合物爲 ZLI-4792,且用於介電負性化合物的主體混合物爲ZLI· 2 85 7,兩者均產自德國默克 KgaA公司。於加入待硏究 化合物之後,主體混合物的介電常數改變,且外插至所用 化合物的100%含量,而得到相應的待硏究化合物之値。 術語開端電壓通常係關於針對10%相對對比的光學開 端 (V1G),除非明確地另有說明。 然而,關於負性介電異向性之液晶混合物,術語開端 電壓在本發明中係用於電容開端電壓(V〇),也已知爲費德 瑞克(Freedericksz)開端,除非明確地另有說明。 在此申請案中,除非明確地另有說明,所有濃度爲重 量份,且係相對於對應的混合物或混合物成分。所有物理 性質係依據如下標準測定:"默克液晶,液晶之物理性質 ",1997年十一月,德國默克KGaA公司,且使用20°C之 -42- (38) 1320801 溫度,除非明確地另有說明。△ η是在589 nm測定, 及△ ε是在1 kHz測定。 針對負性介電異向性液晶介質,開端電壓測定爲電 開端 VQ(也已知爲費德瑞克(Freedericksz)開端),此係 由德國默克KGaA公司製作的測試小室中,帶有類似 (homeotropic)液晶配向,採用產自 Nissan Chemicals 的 歹IJ 層 S Ε 1 2 11。 此介電體也可包含已知於熟悉此技藝的專業人士且 述於文獻中之其它添加劑。 例如,可加入0 -1 5 %重量計的多色染料,此外,也 用以改進傳導度導電性鹽類,較佳者爲乙基二甲基十二 銨4 -己基-氧基苯甲酸鹽、四丁銨四苯基硼酸鹽或絡合 醚鹽類(例如 Haller 等人,Mol. Cryst.Liq. Cryst. 24 249-25 8(1973)),或用以改良介電異向性、黏度及/或向 相排列的物質。此類型的物質例如記述於DE-A 22 127 、 22 40 864 、 23 21 632 、 23 38 281 、 24 50 088 ' 37 430 及 28 53 728 〇 若須要,依據本發明的液晶介質亦可包含其它的添 劑且採用慣常量的對掌性摻雜物。此類摻雜物的使用量 共在0%至10%,此係基於整體混合物用量,較佳者爲C %至6%。個別化合物之使用濃度宜在〇.:[至3%。當在 出液晶介質中液晶化合物的濃度及濃度範圍,此類及相 的添加劑之濃度並不列入考量。 可加入依據本發明混合物中的摻雜物,係如下指 且 容 在 型 排 敘 有 碳 冠 列 09 26 加 總 1.1 指 似 出 -43 - (39)1320801
c2h5-ch-ch2o
CN ch3 C 15 c2h5-ch-ch
CN ch3 CB 15
R/S-811
CM 45 (40)1320801 c8h17〇
F F
F R/S-2011
-45- (41) (41)1320801 由複數的化合物所組成的組成物,較佳者佔3至 30,特別宜佔6至20,且非常特別宜佔10至16百分此 的化合物,其混合係採用習用的方法。一般而言,將所欲 求含量的成分,以較小的量溶於構成主要組分的成分中, 有利地此係在高溫下溶解。若選擇的溫度高於主要組分的 淸澈點,將特別易於觀察溶解程序的完成。然而,也可能 以其它慣常的方式製備液晶混合物,例如使用預混合或採 用所謂的’’多瓶系統”。 藉由適合的添加劑,可改良依據本發明的液晶相,以 使其可應用於任何類型的迄今已揭示之之ECB、VAN、 IPS、GH 或 ASM-PA LCD 顯示器。 如下實施例係用以闡明本發明,而並非代表限制。在 各實施例中,液晶物質的熔點T(C,N)、由脂狀(S)相轉移 至向列(N)相T(S,N)及淸澈點T(N,I)係以攝氏度表示。 除非明確地另有說明,以上與以下的百分比爲百分重 量,且物理性質係於20 °C之値,除非明確地另有說明。 除非另外說明,所有以上與以下的百分比爲百分重 量’且物理性質係於20°C之値,除非明確地另有說明。 在本申請案中所有指出的溫度値爲。c,且所有溫度差 異係對應的微差溫度,除非明確地另有說明。 在本發明中及在如下的實施例中,液晶化合物之結構 係經由首字母縮略字表示,化學式的轉化係依據如下表A 與B而發生。所有基團CnH2n + 1與CmH2m + 1爲直鏈烷基基 -46 · (42) (42)1320801 團,而其分別地帶有η個與m個碳原子。在表B中的編 碼係本身明顯的。在表 A中,僅指出母結構的首字母縮 略字。在個別案例中,接著爲針對母結構首字母縮略字, 由聯字符號隔開取代基R1、R2、L]及L2的編碼:
-47 - (43)1320801
針對1^、¥· L' - LJ Ri R2 U L2 L·' nm ^π^2η+1 CmH2m+1 H H H nOm CnHgn+l OCmH2m+l H H H nO.m OCnH2n+1 CmH2m+1 H H H nmFF CnH2n+l H F F nOmFF C〇H2n+1 OCmH2m+l H F F 门 ^η^2η+1 CN H H H nN.F CnH2n+1 CN F H H nN.F.F CnH2n+1 CN F F H nF CnH2n+1 F H H H nF.F CnH2n+1 F F H H nF.F.F CnH2n+1 F F F H nOF OCnH2n+1 F H H H nCI CnH2n+1 Cl H H H nCl.F Cl F H H nCl.F.F CnH2n+1 Cl F F H nCF3 CnH2n+1 cf3 H H H nCF3.F CnH2n+1 cf3 F H H nCF3.F.F Cr»H2n+1 cf3 F F H nOCFa ^n^2n+1 ocf3 H H H nOCF3.F CnH2n+1 ocf3 F H H nOCF3.F.F CnH2n+1 〇cf3 F F H n〇CF2 CnH2n+1 ochf2 H H H nOCF2.F CnH2n+1 ochf2 F H H nOCF2.F.F CnH2n、+l ochf2 F F H NS C〇H2n+1 NCS H H H nS.F CnH2n+1 NCS F H H nS.F.F CnH2n+1 NCS F F H RVsN CrH2r+1-CH=CH-CsH2s- CN H H H REsN CrH2r+*r〇-CsH2S- CN H H H
_ 48 _ (44)1320801
表A
ECCP CHCP R1
R2 R1
PTP
CPTP -49 - (45)1320801
CEPTP
CCH
R2
HP CP
R1 ~^y~ ch2ch2— coo
EHP -50- (46)1320801
R
CH,CH
ET
(47) 1320801 表B :
CDU-n-X (X = F, Cl or OCF3)
T3n
CCZU-n-X (X=F, CI or OCF3) cnH2n,厂 K3-n
CnH^ CH2CH2--(7y CN G3.n
CnH2n*1~{ ^~C2H4
C|nH2m,i
Inm
BCH-n.FX CGU-n-X (X = F, Cl or OCF3) (X = F, Cl or OCF3)
〇CC-CmH2m+1 C-nm -52- (48) 1320801
CN CN ch3
CN ^η^2η+1
CCN-nm
CjHs-CH^CH^O —^7)~ C15 CN
CCEPC-nm 丨 CmH2m,*i
Ή^νκι CCPC-nm
Cn"㈣ CH-nm 〇ηΗ2η·Ί HD-nm coo· COO—(尸 CmH加·, 〇〇C—(
CnH2rwn CmH2m+1 HH-nm
2m+1 训州一(3-COO- -C_H, OS-nm -53- (49) 1320801
CN c2Hs~-(^y^c〇0
CHE
2m+l
(F) CBC-nm(F)
CnHZn.l C2H4— ECBC-nm
CH,0-C„H 2γτ)τ1
CnH2n+1 C2H4—CnH^ ECCH-nm
CCH-n1Em
CnH糾0-〇>-x
F
B-nO.FX (X = F, Cl or OCF3)
CnH2n+l~^^( 0 )~( 〇 >~x
F F GGP-n-X (X = F, Cl orOCF3) -54- (50)1320801
CmH2
CmH2
H,C = CH
CP-V-N h2c = c
CCG-V-F
H2C = CH
0 >-CnH2„ CCP-V-n CH2=CH-(CH2)n-^)k~H(^~^)- CmH2 CCP-Vn-m
H2C = CH
:η·ι CPP-V-m -55- (51)1320801 C„H21
CPP-nV-m
CPP-Vn-m
ch=ch2 CC-n-V
CnH2n+1 ^QK3~CH=CH'CmH2m+1 CC-n-Vm
CnH2n+1 H^h3^-(CH^CH=CH2
CC-n*mV h2c=ch
ch=ch2
cc-v-v
(CH2)—ch=ch2 CC-V-Vn
CC-nV-Vm -56- (52) 1320801
CC-Vn-mV
CnH2n+r〇H=CH (CH2)m-CH=CH2 CC-nV-Vm
F F
CCY-nO*Om
F F
CCY-Vn0-(0)m -57- (53)1320801
F F CPY-n0-(0)m
F F CPY-V0-(0)m
F F CPY-Vn0-(0)m -58- (54) 1320801
CnH2n+1
CLY-n-(0)m
CLY-n0-(0)m
CnH2n+1 (〇)C^H2m+1
F F F CFY-n-(0)m ^η^2η+Γ®
2m+1 CFY_n0-(0)m
CnH2n+1 —(^y-CfI 〇 (〇)-CmH2m+1
F F CQY-n-(0)m
CnH2n+i CCQY-n-(0)m 2m+1
F F CPQIY-n-(0)m -59- (55) (55)1320801 °πΗ2π-ΐ·^θ"〇Ρ2_(°) ~CmH2m+1
F F CQPY-n-(0)m
PQPY-n-(0)m
PY-n-(0)m cnH2n+1-^〇)-(〇 >-(〇)-cmH2m+1
F F F GY-n-(b)m
CnH2n+1 —泛(0)_CmH2ni+1
F F F GIY-(0)m cnH2n+1 (〇)-CmH2m+1 F F p f YY-n-(0)m
CnH2n+r° 〇_CmH2m+1 F^F p^p YY-nO-Om -60- (56) 1320801
CnH2n+1 CmH2m+1-CH=CH2
PP-n-mV m+1
CkH2M1 —( 〇 M CnH2n+1-CH=CH-CmH2 PP-k-nVm
T-n.Fm
PYP-n-(0)m
PYG-n-(0)m
PPY-n-(0)m
PGY-n-(0)m -61 - (57) (57)1320801 H (〇)-CmH2m+1
F' F F PGIY-n-(0)m 依據本發明的液晶介質宜包含五或更多個,特別較佳者爲 六或更多個,且非常特別較佳者七或更多個化合物,而此 化合物係選自表六及B中之式。 依據本發明的液晶介質宜包含二或更多個,特別較佳 者爲二或更多個,且非常特別較佳者四或更多個化合物, 而此化合物係選自表A之式。 依據本發明的液晶介質宜包含三或更多個,特別較佳 者爲四或更多個,且非常特別較佳者五或更多個化合物, 而此化合物係選自表B之式。 此類化合物宜爲不同於上列各表中之式的化合物。 【實施方式】 · 實施例 以下實施例係用以闡明本發明而,並非代表限制。在 . 上文與下文中,百分比係指重量百分比。所有溫度指出係 以攝氏度表示。Δη意指光學異向性(5 89 nm,20 °C),△ ε意指介電異向性(1 kHz,20 °C ),H. R.意指電壓維持比 例(於10(TC,在烤箱中於5分鐘之後,IV),且開端電壓 V〇係於2(TC測定。 -62- (58) 1320801 比較例1 製備在GB 2300642中實施例3之液晶混合物。此混 合物之組成與物理性質展示於下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理件質 CCN-47 19.0 Τ(Ν,Ι) = 90.0 °C CCN-55 20.0 n e ( 2 0 °C,5 89 nm) = 1.5 793 PCH-301 5.0 Δ n(20°C,5 89 nm) =0.0912 PCH-304 6.0 ε 11(20 °C 1 1 kHz) =3.5 PCH-53 6.0 △ ε (20°C,1 kHz) = -2.9 CH-33 4.0 r 1(20°C ) = 286 mPa · s CH-35 4.0 V〇(20°C ) = 2.43 V CH-43 4.0 CH-45 4.0 CBC-33F 3.0 CBC-53F 4.0 CBC-55F 4.0 PGIGI-3-C1 6.0 PGIGI-5-CI 6.0 PG IG I-3-F 5.0 Σ 100.0
將此液晶介質引入帶有TFT定址的VA顯示器中。此 顯示器具有相對高的定址電壓與相對長的反應時間。 -63 - (59) (59)1320801 實施例1 製備具有與比較例1相似組成的液晶混合物。此混合 物包含如同比較例事實上相同的化合物與事實上相同的濃 度。主要的改變係使用依據本發明式I的氟化聯三苯,取 代比較混合物中帶有末端極性取代基的側向氟化之聯三 苯。此實施例混合物的淸澈點及雙折射係設定爲對應於比 較例之値。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。
-64 - (60) 1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 CCN-47 19.0 Τ(Ν,Ι) = 90.5 °C CCN-55 18.0 n e ( 2 0 °C 5 5 89 nm) = 1.5694 PCH-304 6.0 Δ n(20°C 5 8 9 nm) =0.0899 PCH-53 5.0 ε II (20°C ,1 kHz) =3.6 CH-33 4.0 Δ ε (20°C ,1 kHz) = -3.4 CH-35 4.0 7 1(20°C ) = 220 mPa · s CH-43 4.0 V〇(20°C ) = 2.17 V CH-45 4.0 CC-3-VI 11.0 CBC-33F 3.0 CBC-53F 3.0 P YG-2-1 7.00 PGIY-2-04 6.0 PGIY-2-1 6.0 Σ 100.0
如見於比較例1,將液晶介質引入帶有TFT定址的顯 示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上須要低 定址電壓且開關可快於內含比較例1之混合物。 作爲三個最後提及化合物的代替物,其係有利的可能 使用於三個PYG-n-m、PGIY-n-Om或PGIY-n-n類型的相 -65- (61) 1320801 同物之各案例中或其組合物的案例中。 比較例2 製備在GB2300642中實施例5之液晶混合物。此混 合物之組成與物理性質展示於下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 D-302FF 9.0 T(N,I) =75.0 °C D-402FF 9.0 ne(200C > 589 nm) =1.6209 D-502FF 9.0 Δ n(20°C,5 89 nm) =0.1281 PCH-30 1 16.0 ε II (20°C,1 kHz) =3.6 PCH-302 13.0 Δ ε (20°C 1 kHz) =-1.9 PCH-304 11.0 7 1(2 0°C ) =152 mPa · s PGIGI-3-CI 9.0 V〇(20°C ) =3.06 V PGIGI-5-CI 9.0 CBC-33F 5.0 CBC-53F 5.0 CBC-55F 5.0 Σ 100.0
如見於比較例1中,將液晶介質引入帶有TFT定址 的顯示器中。此顯示器具有相對高的定址電壓與相對長的 反應時間。 -66 - (62) 1320801 實施例2 製備具有與比較實施例1相似組成的液晶混合物。此 混合物包含如在較例中相同濃度的相同化合物。惟一改變 係使用依據本發明式I的氟化聯三苯,取代比較混合物中 帶有末端極性取代基的側向氟化之聯三苯。此混合物之組 成與物理性質展示於下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 D-302FF 9.0 Τ(Ν,Ι) = 76.5 °C D-402FF 9.0 n e (20°C, 589 n m ) =1.6336 D-502FF 9.0 Δ η ( 2 0 °C 589 nm) =0.1294 PCH-301 16.0 ε II (20°C ,1 kHz) = 3.5 PCH-302 13.0 Δ ε (20°C ,1 kHz) = -2.5 PCH-304 11.0 7 1(20°C ) = 134 mPa · s PGIY-2-1 9.0 V〇(20°C ) = 2.81 V PGIY-3-1 9.0 CBC-33F 5.0 CBC-53F 5.0 CBC-55F 5.0 Σ 100.0
如見於比較例1,將液晶介質引入帶有TFT定址的顯 示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上須要較 低的定址電壓且開關可快於內含比較例2之混合物。 -67- (63) 1320801 實施例3 製備具有如在實施例2中相似的淸澈點及相似的雙折 射之液晶混合物。如在實施2例中,再一次使用依據本發 明的式I之聯三苯化合物,但此次有完全地不同之共成 分。依據本發明的此混合物組成物優於實施例2。此混合 物之組成與物理性質展示於下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-502FF 5.0 Τ(Ν,Ι) = 74.5 °C PCH-504FF 10.0 ne(200C,5 8 9 nm) =1.6165 PY-5-04 5.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1292 CC-3-VI 12.0 ε II (20 °C,1 kHz) = 3.4 CC-5 - V 12.0 △ ε (20 °C,1 kHz) = -2.9 PCH-53 7.0 Ύ 1(20°C ) = 10 8 mPa · s PP-1-2V1 7.0 V〇(20°C ) =2.35 V BCH-32 5.0 CPY-2-02 11.0 CPY-3-02 12.0 PGIY-2-1 7.0 PGIY-3-1 7.0 Σ 100.0
如見於比較例1,將液晶介質引入帶有TFT定址的顯 -68- (65) 1320801 實施例4 製備具有與比較例3有相似組成的液晶混合物。± ^ 的改變包含使用依據本發明式I的氟化聯三苯,取 混合物中帶有末端極性取代基的側向氟化之聯三苯。& ^ 合物之組成與物理性質展示於下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PY-3-02 8.0 T(N,I) = 88.0 〇c PY-5-02 8.0 ne(200C , 589 nm) =1-7080 PGIGI-3-F 8.0 Δ η(20°C,5 89 nm) =0.2050 PP-1-2V 4.0 PP-1-2V1 6.0 Δ ε (20°C,1 kHz) = -3.2 BCH-32 6.0 r i(2〇°c ) = 147 mPa · CPY-2-02 9.0 V〇(2(TC ) = 2.30 γ C PY-3-02 9.0 PYP-2-3 10.0 PG IY-2-1 8.0 PGI Y-3-1 8.0 PGIY-2-04 8.0 PGIY-3-04 8.0 Σ 100.0 如見於比較例1, 將此液晶介質引入帶有TFT定址的
VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 -70- (66) (66)1320801 須要較低的定址電壓且開關可快於內含比較例3之混合 物。然而’此混合物的雙折射不是依據本發明的最佳範圍 中,但替代爲顯著較高的且如此須要使用具有特別薄層的 小室。 比較例4 製備在EP 1 146 1〇4中實施例1〇之液晶混合物。此 混合物之組成與物理性質展示於下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 18.0 Τ(Ν,Ι) = 80.5 °C PCH-502FF 10.0 ne(20°C ,5 89 nm) = 1.6073 PCH-504FF 15.0 Δ n(20°C ,589 nm) =0.1192 CCP-302FF 10.0 ε 丨丨(2〇t,1 kHz) = 4.0 BCH-32 8.0 △ ε (20°C,1 kHz) = -5.1 CCP-V-1 10.0 r i(2〇°c ) -225 m p a · s PCH-302 3.0 t 貯存(-40〇C ) > 1000 h PGIGI-3-F 2.0 V〇(2(TC ) = 1.84 V CPY-2-02 12.0 CPY-3-02 12.0 Σ 100.0 如見於比較例1 ’將液晶介質引入帶有TFT定址的顯 示器中。此顯示器具有相對長的反應時間。 -71 - (67) (67)1320801 實施例5 製備具有與比較例4有相似組成的液晶混合物。此混 合物包含如同比較例事實上相同化合物且事實上相同之濃 度。主要的改變係使用依據本發明式I的氟化聯三苯。將 此實施例之混合物的淸澈點、雙折射及介電異向性設定爲 對應於比較例4之値。此混合物之組成與物理性質展示於 下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 15.0 Τ(Ν,Ι) = 80.5 °C PCH-502FF 10.0 n e (2 0 °C,589 n m ) =1.6079 PCH-504FF 15.0 Δ η (2 0 0 C > 5 8 9 η m) =0.1195 PGIY-2-04 5.0 ε II (20°C,1 kHz) = 3.9 PGIY-3-04 5.0 Δ ε (20 °C,1 kHz) = -4.9 CCP-V-1 5.0 7 1(20°C ) = 201 m P a - s CCP-V2-1 8.0 t 貯存(-401 ) % 1 0 0 0 h CC-3-V1 11.0 V〇(20°C ) = 1.82 V CH-33 2.0 C PY-2-02 12.0 C PY-3-02 12.0 Σ 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 -72- (68)1320801 VA顯示器 相同定址電 者。 比較例5 製備在 此混合 化合物/縮寫 PCH-304FF PCH-504FF CCP-302FF BCH-32 CCH-35 CC-3-V1 CCP-5-V CPY-2-02 CPY-2-02 Σ 如見於 示器中。此 中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上,於 壓下其開關顯著地快於內含比較例4之混合物 EP 1146104 中實施例2之液晶混合物 〇 物之組成與物理性質展示於下表中。 濃度/%重量比 物理性質 19.0 Τ(Ν,Ι) = 71.0 °C 20.0 ne(20°C ,589 nm) = 1.5829 6.0 Δ n(20°C ,589 nm) =0.1020 7.0 ε II (20°C ,1 kHz) = 3.7 5.0 Δ ε (20°C ,1 kHz) = -3.9 5.0 r 1(20°C ) = 142 mPa 8.0 t 貯存(-4〇r) > 400 h 12.0 VHR(5 分鐘,l〇(TC ) =90 % 12.0 V〇(20°C ) = 1.92 V 100.0
比較例1,將液晶介質引入帶有TFT定址的顯 顯示具有高定址電壓與相對長的反應時間。 實施例6 -73- (69) 1320801 製備與比較例5有相似組成的液晶混合物。此混合物 包含如同比較例事實上相同的化合物且事實上相同之濃 度。主要的改變係使用依據本發明式I的氟化聯三苯。將 此實施例之混合物的淸澈點、雙折射及介電異向性設定對 應於比較例5之値。此混合物之組成與物理性質展示於下 表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 10.0 Τ(Ν,Ι) = 70.5 °C PCH-502FF 12.0 ne(20°C,589 n m ) = 1.5883 PCH-504FF 18.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1025 CCP-302FF 4.0 ε II (20°C,1 kHz) = 3.7 PGIY-2-1 7.0 △ ε (20°C,1 kHz) = -3.9 CCH-34 8.0 r i(2〇°c ) = 136 CCH-35 6.0 t 貯存(-4 0 t:) > 1000 h CC-3-VI 10.0 VHR(5min。100。。) =92 CCP-V2-1 6.0 V〇(20°C ) = 1.89 V C PY-2-02 9.0 C PY-3-02 10.0 Σ 100.0
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上,其 開關可快於內含比較例5之混合物者。 -74- (70) 1320801 實施例7 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 理性質展示於下表中。
化合物/縮寫濃度/%重量比物理性質 PCH-304FF 20.0 Τ(Ν,Ι) = 75.5 °C PCH-502FF 8.0 ne(20°C ,589 nm) =1.6072 PCH-504FP 6.0 Δ n(20°C ,589 nm) =0.1192 BCH-32 8.0 ε II (20°C ,1 kHz) =3.7 CCP-V-1 4.0 Δ ε (20°C ,1 kHz) = -3.6 CC-3-V1 8.0 r 1(20°C ) = 142 mPa · s CC-5-V 8.0 Μ20Τ:) = 14.2 pN CCH-35 5.0 ki/k3(20°C ) =0.98 CPY-2-02 12.0 t 貯存(-30°C ) > 1000 h CPY-3-02 11.0 t 貯存(-40〇C ) > 400 h PYP-2-3 10.0 VHR(5 分鐘,l〇〇t:) =90 % Σ 100.0 V〇(20°C ) = 2.09 V
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 迅速地開關。 實施例8 -75· (71) 1320801 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 理性質展示於下表中。
化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 17.0 Τ(Ν,Ι) = 70.3 °C PCH-502FF 8.0 ne(20〇C ’ 589 nm) = 1.5933 PCH-504FF 8.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1093 CCP-V2-1 6.0 ε II (20°C ’ 1 kHz) = 3.7 CC-3-VI 8.0 Δ ε (20°C,1 kHz) CC-5-V 20.0 r 1(20°C ) = 118 mpa · s CPY-2-02 11.0 k!(20°C ) = 13.0 pN CPY-3-02 12.0 ki/k3(20°C ) = 1.03 P YP-2-3 10.0 t 貯存(_3〇〇C ) >1000 h Σ 100.0 t » # (- 4 0 °C ) >500 h VHR(5 分鐘,100°C )=91 V〇(20°C ) = 2.07 V
如見於比較例1 ’將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 迅速地開關。 實施例9 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 理性質展示於下表中。 -76- (72) (72)1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 18.0 Τ(Ν,Ι) = 78.0 °C PCH-502FF 8.0 ne(20°C,589 nm) = 1.6484 PCH-504FF 4.0 △ n(200C,589 nm) =0.1517 BCH-32 8.0 ε II (20°c,1 kHz) = 4.0 PGIGI-3-F 8.0 △ ε (20°C,1 kHz) = -3.9 CC-3-V 10.0 r i(2〇°c ) = 202 mPa · s CPY-2-02 12.0 ka(20〇C ) = 13.3 pN CPY-3-02 12.0 k!/k3(200C) = 1.14 PYP-2-3 10.0 t 貯存(-4(TG ) > 1000 h PYP-3-3 10.0 V〇(20°C ) = 2.07 V Σ 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 迅速地開關。 實施例1 〇 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 理性質展示於下表中。 -77 - (73) 1320801 (73)
化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 7.0 Τ(Ν,Ι) = 81.0 °C PCH-502FF 7.0 ne(20°C,589 nm) = 1.6017 PCH-504FF 19.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1176 CCP-302FF 11.0 ε II (20°C > 1 kHz) = 4.0 CCP-31 FF 5.0 △ ε (20〇C, 1 kHz) = -4.9 CC-3-V 9.0 T l(2〇°C ) = 192 mpa · s CC-5-V 3.0 k1(20°C ) = 15.6 pN CCH-35 5.0 k]/k3(20°C ) = 1.00 CPY-2-02 12.0 t 貯存(·40°〇>) > 1000 h CPY-3-02 12.0 VHR(5分鐘 > 100°C) =85 PYP-2-3 5.0 V〇(20°C ) = 1.89 V PYP-3-3 5.0 Σ 100.0
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要相對低的定址電壓且可相對迅速地開關。 實施例11 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 理性質展示於下表中。 -78 - (74) (74)1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 10.0 Τ(Ν,Ι) = 73.0 °c PCH-502FF 10.0 ne(20°C,589 nm) =1.6275 PCH-504FF 9.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1349 BCH-32 6.0 ε II (20 °c,1 kHz) =3.8 PCH-53 4.0 Δ ε (20°C,1 kHz) =-3.6 CC-3-V 11.0 7 1(20°C ) = 156 mPa · s CC-5-V 5.0 hpot:) = 13.1 pN CPY-2-02 13.0 k"k3(20〇C ) = 1.06 CPY-3-02 12.0 t 貯存 〇40t:) > 1000 h PYP-2-3 10.0 V〇(20°C ) = 2.06 V P YP-3-3 10.0 Σ 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要相對低的定址電壓且可相對迅速地開關。 實施例12 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 理性質展示於下表中。 -79 - 1320801
化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 16.0 Τ(Ν,Ι) = 68.5 °C PCH-502FF 8.0 ne(20〇C,589 nm) = 1.6505 BCH-32 8.0 Δ n(200C 5 589 nm) =0.1507 CC-3-V 10.0 ε II (20°C > 1 kHz) =4.1 CPY-2-02 12.0 △ ε (20°C,1 kHz) = -3.8 CPY-3-02 12.0 r 1(2(TC ) = 155 mPa · s PYP-2-3 12.0 Κ!(20°〇 ) = 13.3 pN PYP-3-3 11.0 k1/k3(20°C) = 1.12 PY-1-1 11.0 t 貯存(-40°C ) >1000 h Σ 100.0 V〇(20°C ) = 1.97 V
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要相對低的定址電壓,且可非常迅速地開關。 實施例13 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 _ 理性質展示於下表中。 -80- (76) 1320801
化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 16.0 Τ(Ν,Ι) =70.5 °C PCH-502FF 8.0 ne(20°C 1 589 nm) =1.6056 PCH-504FF 16.0 An(20°C 1 589 nm) =0.1190 BCH-32 8.0 ε II (20°C > 1 kHz) =3.9 CC-3-VI 8.0 Δ ε (20°C > 1 kHz) =-4.1 CC-5-V 10.0 r 1(2(TC) =147 mPa · s CP Y-2-02 12.0 ^(20°〇 =13.7 pN CPY-3-02 12.0 ^^3(20°〇 =0.91 PPY-5-2 10.0 t 貯存(-40°C) > 1000 h Σ '100.0 V〇(20°C) =1.85 V
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要低的定址電壓且迅速地開關。 實施例14 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 理性質展示於下表中。 -81 - (77) (77)1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 20.0 Τ(Ν,Ι) = 75.0 °c PCH-502FF 8.0 ne(20°C,589 nm) = 1.6076 PCH-504FF 6.0 Δ n(20°C,589 nm) = 0.1202 BCH-32 9.0 ε |丨(20°C,1 kHz) = 3.8 CC-3-V1 8.0 △ ε (20°C,1 kHz) = -3.7 CC-5-V 14.0 7 1(20°C) = 140 mPa · s CPY-2-02 12.0 k](20〇C ) = 14.4 pN CPY-3-02 12.0 k!/k3(20°C ) = 0.92 PPY-5-2 6.0 t 貯存(-40°C ) > 1000 h PPY-5-5 5.0 V〇(20°C ) = 2.01 V Σ 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要相對低的定址電壓且迅速地開關。 實施例15 製備依據一項本發明較佳具體實施例的液晶混合 物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。 -82- (78) (78)1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 16.0 Τ(Ν,Ι) = 72.0 °C PCH-502FF 8.0 n e (2 0 °C,589 n m ) =1.6017 PCH-504FF 8.0 △ n(200C, 5 8 9 nm) = 0.1159 BCH-32 8.0 ε 丨丨(20〇C, 1 kHz) = 3.8 CC-3-VI 8.0 △ ε (20oC, 1 kHz) = -3.8 CC-5-V 18.0 r 1(20°C ) = 133 mPa · s CP Y-2-02 10.0 1^(2(Γ(:) = 13.1 pN CP Y-3-02 10.0 k1/k3(20°C ) = 1.01 PGIY-2-02 10.0 V〇(20°C ) = 1.98 V PGIY-3-02 4.0 Σ 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要相對低的定址電壓,且可非常迅速地開關。 實施例16 製備依據本發明的具有與實施例1 5相似組成之液晶 混合物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。 -83- (79) 1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 5.0 Τ(Ν,Ι) =90.0 °C PCH-502FF 12.0 ne(2(TC,589 nm) = 1.6037 PCH-504FF 11.0 Δ n(20°C > 589 nm) =0.1204 CCP-302FF 8.0 ε |丨(2(TC,1 kHz) =4.0 CCP-502FF 7.0 △ ε (20°C,1 kHz) =-5.0 CCH-35 6.0 T 1(20°C) =223 mPa-s CC-3-V1 7.0 k!(20°C) = 15.9 pN CC-5-V 8.0 k!/k3(20〇C ) = 1.05 PGIGI-3-F 2.0 t 貯存(-30°C) > 1000 h CPY-2-02 12.0 t 貯存(·4(Τ〇 > 600 h CPY-3-02 12.0 VHR(5 分鐘,100°C) =85 % PGIY-2-04 5.0 V〇(20°C ) = 1.93 V PGIY-3-04 5.0 Σ 100.0
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上,其 可在高溫下操作,須要相對低的定址電壓且然而相對迅速 地開關。 實施例1 7 製備依據本發明之液晶混合物。此混合物之組成與物 -84 - (80) 1320801 理性質展示於下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 13.0 T(N,I) =74.0 °c PCH-502FF 9.0 ne(20°C 5 589 nm) = 1.6051 PCH-504FF 7.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1175 PCH-53 3.0 ε II (20°C 5 1 kHz) =3.7 CCP-V2-1 10.0 △ ε (20°C,1 kHz) =-3.5 CC-3-V1 8.0 T 1(20°C) = 143 mPa · s CC-5-V 9.0 k1(20°C) = 13.8 pN CCH-35 5.0 k1/k3(20°C) = 1.07 CPY-2-02 11.0 t 貯存(-3(TC) >1000 h CPY-3-02 11.0 t 貯存(-40°C) >500 h PGIY-2-1 7.0 VHR(5 分鐘,100。。) =85 % PGIY-3-1 7.0 V〇(20°C ) =2.16 V Σ 100.0
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要相對低的定址電壓,且可非常迅速地開關。 實施例18 製備依據本發明具有先前實施例(實施例1 7)相似的化 合物及相似的組成之液晶混合物。此混合物之組成與物理 -85- (81) (81)1320801 性質展示於下表中°
化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 12.0 T(N,I) = 68.0 °C PCH-502FF 12.0 ne(20°C,589 nm) = 1.5916 PCH-504FF 12.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1108 CCP-302FF 10.0 ε || (20°C,1 kHz) = 3.9 CCH-35 5.0 △ ε (20°C,1 kHz) = -4.2 CC-3-VI 16.0 r 1(20°C ) =144 mPa · s CC-5-V 5.0 kj(20°C ) =1 2 .6 pN CPY-2-02 7.0 k!/k3(20〇C ) =1.14 CPY-3-02 7.0 t 貯存(,30〇C ) >1000 h PGIY-2-1 7.0 t 貯存(·4〇1 ) >400 h PGIY-3-1 7.0 VHR(5 分鐘,10CTC) =82 % Σ 100.0 V〇(20°C ) = 1.96 V 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要比先前的實施例(實施例17)低的定址電壓,且同時事 實上儘可能迅速地開關。 實施例19 製備另一依據本發明其具有與二個先前實施例(實施 例17及18)相似的化合物及相似的組成之液晶混合物 (82) 1320801 此混合物之組成與物理性質展示於下表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量 比 物理性質 PCH-304FF 7.0 Τ(Ν,Ι) =88.5 °C PCH-502FF 8.0 ne(200C,589 nm) = 1.6035 PCH-504FF 8.0 △ n(20°C, 589 nm) =0.1193 CCP-302FF 10.0 ε II (20°C 1 kHz) =3.7 CCP-502FF 4.0 Δ ε (20°C 1 kHz) =-4.3 CC-3-V1 10.0 7 1(20°C) = 189 mPa · s CC-5-V 11.0 1^(2(Τ〇 = 16.4 pN CCH-35 6.0 k】/k3(20〇C) = 1.05 CPY-2-02 12.0 t 貯存(-30°C)>1000 h CPY-3-02 12.0 t 貯存(-40°C) > 300 h PGIY-2-1 6.0 VHR(15 分鐘,100°C ) =85 % PGIY-3-1 6.0 V〇(20°C ) =2.12 V Σ 100.0
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其須 要相較於實施例17稍微較低的定址電壓,且可在非常高 溫下操作,且同時仍可相對迅速地開關。 實施例20 -87- (83) 1320801 製備另一依據本發明其具有與三個先前實施例(實施 例17至19)相似的化合物及相似組成之液晶混合物。在 此另可提高混合物的淸澈點,尤其是經由加入四個六員環 (CBC-33)的化合物。此混合物之組成與物理性質展示於下 表中。 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 6.0 Τ(Ν,Ι) =91.5 °C PCH-502FF 10.0 ne(200C,589 nm) = 1.6171 PCH-504FF 9.0 Δ n(200C,589 nm) =0.1296 CCP-302FF 9.0 ε II (20°C,1 kHz) =3.7 BCH-32 5.0 △ £ (20°C,1 kHz) =-4.1 CC-3-V1 9.0 r 1(20°C) =204 mPa · s CC-5-V 7.0 k!(20°C ) =16.6 pN CCH-35 6.0 k!/k3(20〇C ) = 1.06 CPY-2-02 11.0 t 貯存(-30〇C ) > 1000 h CPY-3-02 12.0 t 貯存(-40°C) >350 h PGIY-2-1 7.0 VHR(5 分鐘,100°C ) =86 % PG IY-3-1 7.0 V〇(20°C ) = 2.20 V CBC-33 2.0 Σ 100.0
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 -88- (84) 1320801 須要如同實施例17事實上相同的定址電壓’且可在比先 前實施例(實施例19)更高的溫度下操作,且同時仍可相對 迅速地開關。 實施例2 1 製備依據本發明另一項較佳具體實施例之液晶混合 物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。
化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理件質 PCH-304FF 14.0 Τ(Ν,Ι) = 73.0 °C PCH-502FF 8.0 n e (2 0 °C,5 8 9 n m) =1.6048 PCH-504FF 10.0 Δ n(20°C,5 89 nm) =0.1184 BCH-32 8.0 ε II (20。。,1 kHz) = 3.9 CC-3-VI 10.0 △ ε (20°C,1 kHz) = -3.6 CC-5 - V 16.0 7 1(20°C ) = 149 mPa · s CPY-2-02 10.0 ki(20°C ) = 13.2 pN CPY-3-02 10.0 k1/k3(20°C ) = 1.23 PGY-2-02 7.0 t 貯存(-3〇r ) >800 h PGY-3-02 7.0 t sff # (-40°C ) >350 h Σ 100.0 V〇(20°C ) = 2.02 V
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其是基於其事實上 須要相對低的定址電壓,且可非常迅速地開關。 -89- (85) 1320801 實施例22 製備依據本發明另一項較佳具體實施例之液晶混合 物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。
化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-502FF 12.0 Τ(Ν,Ι) =93.0 °C PCH-504FF 9.0 ne(20°C,589 nm) = 1.6157 CCP-302FF 10.0 △ n(20°C,589 nm) =0.1291 CCP-502FF 9.0 ε || (20°C,1 kHz) =3.7 CC-3-V1 7.0 Δ £ (20°C ' 1 kHz) = -4.1 CC-5-V 8.0 r 1(20°C) =215 mPa · s CCH-35 8.0 k!(20°C) = 17.1 pN CPY-2-02 9.0 k】/k3(2(TC) =0.99 CPY-3-02 8.0 t 貯存(-30。〇 > 1000 h PYG-2-1 10.0 t 貯存(-40。〇 > 300 h PYG-3-1 10.0 VHR(5 分鐘,100°C) =83 % Σ 100.0 0(20°C ) =2.15 V
如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 在非常高溫下操作且須要相對低的定址電壓,且可迅速地 開關。 -90 - (86) (86)1320801 實施例23 製備依據本發明另一項較佳具體實施例之液晶混合 物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。
化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 19.0 T(N,I) =80.0 °c PCH-504FF 13.0 n e ( 2 0 °C,5 89 nm) = 1.65 74 CPY-2-02 11.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1585 CPY-3-02 8.0 ε || (20°C,1 kHz) =3.9 BCH-32 10.0 Δ £ (20°C > 1 kHz) =-3.9 CC-3-V1 5.0 7 1(20°C ) =232 mPa.s P YP-2-3 16.0 k i (2 0 °C ) =13.5 pN P YP-2-4 18.0 ki/k3(20°C ) =1.04 Σ 100.0 V〇(20cC) =1.99 V 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 在非常高溫下操作且須要相對低的定址電壓,且可迅速丈也 開關。 實施例2 4 製備依據本發明另一項較佳具體實施例之、液^ '混$ 物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中° -91 · (87) (87)1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 15.0 T(N,1) =70.0 °C PCH-502FF 14.0 ne(20°C ,5 89 nm) = 1.6072 CP Y-2-02 12.0 Δ n(20°C,5 89 nm) =0.1187 CP Y-3-02 12.0 E II (20 °c ,1 kHz) =3.8 BCH-32 10.0 △ ε (20〇C,1 kHz) =-3.5 CCH-301 12.0 γ 1(20°C ) =139 mpa · s CCH-303 6.0 k“20。。) =12.4 pN CCH-35 6.0 ki/k3(20°C ) =0.99 P YP-2-3 6.0 V〇(20°C ) =1.97 V P YP-2-4 7.0 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 在非常高溫下操作且須要相對低的定址電壓,且可迅速地 開關。 實施例25 製備依據本發明另一項較佳具體實施例之液晶混合 物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。 -92- (88) (88)1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-502FF 12.0 Τ(Ν,Ι) = 80.5 °C PCH-302FF 11.0 ne(200C , 589 n m ) =1.6142 CCP-303FF 5.0 Δ η (2 0 °C 5 8 9 η m) =0.1271 CP Y-2-02 12.0 ε II (20°C,1 kHz) =3.6 CP Y-3-02 12.0 Δ ε (20°C > 1 kHz) = -3.6 CC-5-V 15.0 r i(2〇°c ) = 145 mPa · s CC-3-VI 13.0 kj(20°C ) = 14.4 pN P YP-2-3 10.0 k!/k3(20°C ) =1.0 1 P YP-2-4 10.0 V〇(20°C ) = 2.14 V Σ 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 在非常高溫下操作且須要相對低的定址電壓,且可迅速地 開關。 實施例26 取基於攙添混合物總重0.80%之對掌性的摻雜物S-4011 ’加入實施例25之液晶混合物中。所生成的對掌性 的混合物的淸澈點爲80.5°C,與在20°C時12.1/zm的膽 固醇瀝青。如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT 定址的VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實 -93- (89) (89)1320801 上其可在非常高溫下操作且須要相對低的定址電壓’且可 迅速地開關。 實施例27 取基於攙添混合物總重0·85%之對掌性的摻雜物摻雜 物S - 2 Ο 11,加入實施例2 5之液晶混合物中。所生成的對 掌性的混合物的淸澈點爲80.5°C ’與在20°C時11.6 a m 的膽固醇瀝青。如見於比較例1,將此液晶介質引入具有 TFT定址的VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於 事實上其可在非常高溫下操作且須要相對低的定址電壓, 且可迅速地開關。 實施例2 8 製備依據本發明另一項較佳具體實施例之液晶混合 物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。
-94- (90) (90)1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 17.0 T(N,I) =81.5 °C PCH-502FF 13.0 n e ( 2 0 °C ,589 nm) =1.6161 CPY-2-02 12.0 △ n(200C,589 nm) =0.1272 CPY-3-02 12.0 ε II (20°c,1 kHz) =3.7 BCH-32 3.0 Δ ε (20°C > 1 kHz) =-3.7 CCP-V-1 6.0 7 1 (2 0 °C ) =14 9 mPa · s CCH-35 6.0 k“20〇C) =17.1 pN CC-3-VI 7.0 k!/k3(2〇°C ) =0.82 CC-5· V 8.0 P PY-3-2 8.0 P PY-5-2 8.0 Σ 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 在非常高溫下操作且須要相對低的定址電壓,且可迅速地 開關。 實施例29 製備依據本發明另一項較佳具體實施例之液晶混合 物。此混合物之組成與物理性質展示於下表中。 -95- (91) (91)1320801 化合物/縮寫 濃度/%重量比 物理性質 PCH-304FF 16.0 Τ(Ν,Ι) = 81.0 °C PCH-502FF 12.0 ne(20°C,589 nm) =1.6137 CCP-302FF 5.0 Δ n(20°C,589 nm) =0.1259 CPY-2-02 12.0 ε II (20°c,1 kHz) = 3.7 CPY-3-02 12.0 △ ε (20°C,1 kHz) = •3.8 BCH-32 4.0 r i(2〇°c ) = 166 mPa · s CCH-35 5.0 k!(20°C ) = 14.9 pN CC-3-VI 6.0 k"k3(20〇C ) = 1.01 CC-5-V 12.0 P YP-2-3 12.0 P YP-3-5 4.0 Σ 100.0 如見於比較例1,將此液晶介質引入具有TFT定址的 VA顯示器中。此顯示器爲卓越的,尤其基於事實上其可 在非常高溫下操作且須要相對低的定址電壓,且可迅速地 開關。 實施例3 0 將實施例28中之混合物與如在實施例26中之對掌性 摻雜物相混合,且使用在一 VA顯示器之中。 -96- (92)1320801 實施例3 1 將實施例29中之混合物與如在實施例26中之對掌性 摻雜物相混合,且使用在一 VA顯示器之中。
-97-

Claims (1)

1320801 拾、申請專利範圍 附件4A : 第92 1 08 1 34號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 1.—種向列液晶介質,其包^------—---- a)—種介電負性的液晶成分(成分A),其包含一或更
其中
R11及R12 各自獨立爲帶有1至7個碳原子的烷 基、帶有1至7個碳原子的烷氧基或帶有2至7個碳原子 的烷氧基烷基、烯基或烯氧基, η 爲1 ’ 爲
兩者之一爲
且另一者 F F F 或 F Ζ11 與 Ζ12 各自獨立爲-ch2-ch2-,-ch2-cf2-、
1320801 -cf2-ch2- 且 若 -0 C Η 2 -、- C Η 2 0 -、- 0 C F 2 -、 ^ •CF2〇·或單鍵
則其中在第三苯環 中的一或更多Η原子可視需要以F原子取#
及 b)另一介電負性液晶成分(成分Β),其包含選自式π 與III之化合物的一或更多種化合物 R 21 F F
其中 R21、R22、R31及R32 各自獨立爲帶有丨至7個碳 原子的烷基或烷氧基或帶有2至7個碳原子的烷氧基烷 基、烯基或烯氧基., Z2 1、Z22、1 與 Z32 各自獨立爲- CH2-CH2-、 -CH = CH-' -CsC-、-COO-、或單鍵, 爲〇或1,且 -2- 1320801
2.如申請專利範圍第1項之液晶介質,其包含一或 多種式II化合物。 3 .如申請專利範圍第1項之液晶介質,其包含一或 多種式ΙΠ化合物。 4.如申請專利範圍第1項之液晶介質,其包含一種 介電中性液晶成分(成分C)。 5 .如申請專利範圍第1項之液晶介質,其包含一種 介電正性液晶成分(成分D)。 6. —種電光顯示器,其內含申請專利範圍第1項至 第5項中至少一項之液晶介質。 7. 如申請專利範圍第6項之顯示器,其爲主動矩陣 顯示器。 8. 如申請專利範圍第6項或第7項之顯示器,其爲 ECB或IPS顯示器。 9. 如申請專利範圍第1項之液晶介質,其係用於電 光顯示器 -3-
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