TWI316954B - Organic el element and organic el display - Google Patents

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TWI316954B
TWI316954B TW091124739A TW91124739A TWI316954B TW I316954 B TWI316954 B TW I316954B TW 091124739 A TW091124739 A TW 091124739A TW 91124739 A TW91124739 A TW 91124739A TW I316954 B TWI316954 B TW I316954B
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organic
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light
emitting
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TW091124739A
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Kinoshita Masaru
Sotoyama Wataru
Kodama Jun
Okamoto Yasuo
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Fujifilm Corp
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Description

1124739號專利申請案說明書修正頁 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圈 ^ηη η 式簡單說明）
,A b替換頁 L發明所屬之技術領域3 相互參照至相關的申請案 此申請案基於且主張先前2002年2月6日所主張的日本 專利申請案號2002-29335之優先權利，其全部内容以參考 之方式併於本文。 發明範圍 本發明係關於一種有機EL元件及一種使用該有機El 元件的有機EL顯示器。 10 【先前技術3 相關技藝之描述 15 有機EL元件具有諸如自發發光、高速反應性及其類似 的特徵，且它們預期可應用至平板顯示器。已報導出具有 正電洞傳輸性質（正電洞傳輸層）的二層（已積層）有機薄膜 與具有電子傳輸性質（電子傳輸層）的有機薄膜（c w.湯 (Tang)及S.A.凡斯萊克（VanSlyke)，應用物理通訊（却沖& 尸妙幻以1以你〇乂〇1.5卜及913(1987))，且由於其大面積 發光元件（其可在低電壓10V或較低下發光），最近已引起 注意。該積層型式的有機EL元件具有下列基本架構，正電 極/正電洞傳輪層/發光層/電子傳輸層/負電極，其中該正電 洞傳輸層或電子傳輸層的功能可以二層型式加入至該發光 層。 已預期有機EL元件將很快應用至全彩顯示器上。在此 全彩顯示器中，需要在面板上安排可發射三原色光（藍色 20 1316954 玖、發明說明 已有三種方法可達成此 (B)、綠色（G)及紅色（R))的圖素 安排： 藍色（B)、綠色（g)、 (a)提供三種型式的有機EL元件， 紅色（R〇 : ⑻利用濾色片來分離該從發射白光（其為藍色⑻、綠 色（G)及紅色（R)光的混合物）的有機el元件所發射出來之 光， ⑷將從發射藍光的有機EL元件上所發射之光，利用 一顏色轉換層使用螢制其轉換成綠色⑹及紅色（r)的發 1〇 射光。 在全部這些系統中，發射藍（B)光為不可缺少的，因 此想要提供一種可發射藍光且其亮度高、功率高及顏色純 度高之有機EL元件。 至於發射藍光的有機EL元件之實例，例如已在曰本專 15利申請公開公報（Jp_A)案號〇9_241629中揭示出一種使用祐 (其為一種芳香族稠和環化合物、或其烷基衍生物或環烷 基衍生物的型式，其可作為發光材料）之有機EL元件。但 疋，當在此有機EL元件中該發光材料的螢光量子產率小時 ，則會有發射出的藍光之純度不足的問題。Jp_A案號 2〇 2〇〇M 18682提出一種可顯現出高顏色純度的發藍色螢光 之有機EL元件，特別是其具有大的螢光量子產率，而其使 用1，3,6,8-四苯基芘及其衍生物類（13,6,8_四苯基芘的螢光 i子產率如0.9—樣高，如與未經取代的芘之螢光量子產 率（其為0.3)比較）。但是，在此有機EL元件的EL性質中， 1¾.« 1316954 正替換頁 顏色純度及其類似性質不足 I 玖、發明說明 亦會有發光亮度、發光功率 的問題’而想要進一步改良 為了獲得高發光功率的有機EL元件，在cw湯，s A 凡斯萊克，及C.H.陳，應用物理通訊ν〇ι.65，及36i〇(i989) 中已建議種具有此*顯現出向發光功率的發光層之有機el το件，其將小量具有高螢光發光性質的顏料分子作為客宿 材料（guest material)摻入一作為主要組分的宿主材料（h〇st material)中。在JP-A案號n_312588的實例9中揭示出在先 前提及的發光層中將四笨基芘作為客宿材料而摻入作為宿 10主材料的9，10_二（3'，5'-〇-甲苯基）苯基蒽中。但是，於此實 例中，摻雜四苯基芘幾乎無影響，且發射光的亮度及顏色 純度亦不足。 C發明内容3 發明概述 15 因此，本發明之目標為提供一種具有優良的發光功率 、發光亮度及顏色純度之藍色光的有機EL元件，及_種使 用此有機EL元件之高效率有機EL顯示器。 本發明之有機EL元件包括一有機薄膜層，其在正電極 與負電極間包含一發光層。此有機薄膜層包含一由下列社 2〇 構式（1)表示之1，3,6,8-四笨基祐化合物及一由下列纟士構1 (2)表示之B卡吐衍生物。 9 1316954 玖、發明說明
結構式（1)
在結構式（1)中，Ri_R4可相同或不同，且可為氫原子 或一取代基。
結構式（2) 在結構式（2)中，Ar為一芳香基團或雜環基團’其中r1 及R2可相同或不同，而可為氫原子或—取代基；及〇為一 整數。 在本發明之有機EL元件中’該有機薄膜層包含一特定 的1，3，6，8 -四本基比化合物及·一特定的吟唾衍生物，因此盆 藍光具有優良的發光功率、發光亮度及顏色純度。 當將本發明之有機EL元件使用在本發明之有機el顯 示器時，該顯示器亦具有優良的藍光發光功率、發光亮度 15 及顏色純度。 10 1316954 玖、發明說明 圖式簡單說明 第1圖為一圖式解釋圖，其描述在根據本 EL元件中的層組成實例。 月之有機 第2圖為一圖式解釋圖，其描述在根據本發明之 EL元件中的另一個層組成實例。 機 第3圖為一圖式解釋圖，其描述一被動陣列方法的 機EL顯不器（被動陣列面板）架構之實例。 、有 第4圖為-圖式解釋圖，其描述—顯示在第的被動 陣列方法之有機EL顯示器（被動陣列面板）中的電路實例。 10 15
第5圖為一圖式解釋圖，其描述一主動陣列方法的有 機EL顯示器（主動陣列面板）之架構實例。 第6圖為一圖式解釋圖’其描述一顯示在第5圖的主動 陣歹J方法之有機EL顯示器（主動陣列面板）中的電路實例。 第7圖為一圖式解釋圖，其根據將正電洞注入層與正
電洞傳輸層分擔在每種顏色之有機E L元件間的觀點來描述 一有機E L顯不器的實例。 第8圖為貫例1之有機EL元件的發光光譜圖實例。 第9圖為比較例丨之有機E L元件的發光光譜圖實例。 第10圖為比較例2之有機EL元件的發光光譜圖實例。 2〇 【實施方式】 較佳具體實施例之描述 <有機EL元件> 本發明之有機EL元件具有一有機薄膜層，其在正電極 與負電極間包含一發光層，此有機薄膜層包含至少一種由 11 131695^ υ 玖、發明說明 卞列結構式⑴表示之；!,3,Μ_四笨*祐化合物，及一種由 下列結構式（2)表示之咔唑衍生物。
結構式（1) 在、、。構式⑴中’ RjR4可相同或不同’且可為氫原子 或取代基。至於該取代基，合適提及的有烧基、環烧基 或芳基’且這些亦可進—步由-取代基置換。
1〇 環 團 #禾在結構式（2)中’ Ar為—多官能基的芳香基團或雜 «基團’而下列表示之雙官能基或三官能基的芳香烏 或雜環芳香基團特別合適。 " 12 1316954 玫、發明說明
一般式（1) 疋些可經非共軛的基團取代。R為一連結基團，例如 下列： ?Η' —C— I ch3 c— cf3 ο IIs—11ο 化學式（l) 10 在先前提及的結構式（2)中，R1及R2可相同或不同，且 可為氫原子或一取代基。此取代基合適的實例有鹵素原子 、烷基、烷基颯基、芳烷基、烯基、羥基、氰基、胺基、 醯胺基、酿基、敌基、烧氧基、絲基幾基、芳基、芳氧 基、芳香烴或芳香雜環基團及其類似物。這些基團可進一 步由取代基取代，n為一整數（2或3特別合適）。 在結構式（2)中，Ar為二個苯環經由—單鍵連結 香基團，R1及V為氫原子An=2。*下列結構式⑺表示之 雙（9十坐基）-聯苯（CBP)㈣其優良的藍光發光功率 、發光亮度、顏色純度及其類似的性質而較佳。 13 15 1316954 玖、發明說明
雖然上述的13,6,8_四笨基祐化合物與先前提及的㈣ 衍生物包含在先前提及的有機薄膜層中，最佳的是它們包 含在此有機薄膜層的電子傳輸層、正電洞傳輸層及發光層 的至少-層中，但是更佳的是它們包含在發光層中。 10 15
在先前提及的有機薄膜層或先前提及的發光層中，上 述的1,3,6,8-四本基比化合物之功能為客宿材料’而先前提 及的叶。坐衍生物之功能為宿主材料。…細笨基祐化合 物的光學吸收波長為33〇奈米至奈米，而在先前提及的 叶坐衍生物類中’ 4,4’-雙（9-。卡嗤基聯苯（CBp)的主要光
毛射波長為380奈米。此4,4’_雙（9_味唾基）_聯苯（CBp)的光 學吸收波長比1，3,6,8-四笨基祐化合物短，且其光發射波長 接近並與1，3,6,8-四笨基芘化合物的光學吸收波長重疊。因 此激％此里可從座激發之先前提及的宿主材料（4,4，_雙（9_ 咔唑基）-聯笨（CBP))有效地移至先前提及的客宿材料 (1，3,6,8-四笨基芘化合物）’而該宿主材料會返回至其基態 而沒有發射光’僅有經激發的客宿材料（1,3,6,8-四苯基芘 化合物）會發射出為藍光的激發能量。因此，此材料具有 優良的藍光發光功率、發光亮度及顏色純度。再者，在先 14 20 1316954玖、發明說明 舸提及的有機薄膜層或先前提及的發光層中，1,3,6,8_四苯 基芘化合物以相當低的濃度分散在先前提及的宿主材料 (4,4’-雙（9+坐基）_聯苯（CBp))中，因此可有效地抑制上述 的“濃度驟減（concentratinquenching)，，效應，且發光功率優 5 良。 Μ雙（9十坐基）_聯苯（CBp)亦具有優良的薄膜形成 性質，因此能夠形成有機薄膜層或發光層，而與^心四 笨基比化合物其自身的薄膜形成性質無關。 10 15 該有機薄膜層或先前提及的發光層可包含二種或多種 型式的宿主材料，除非其會干涉本發明之效應。 在包含1，3,6,8-四苯基芘化合物之層中，由（丨）表示之 1，3,6,8-四本基比化合物的量（有機薄膜層或發光層）較佳為 0.1%至5〇質量％，更佳為5%至3〇質量％。 若此含量少於0·1質量％’則呈色功率、呈色光度及顏 色純度會不^ ^含量超過5()質量％，則顏色純度會下降 另方面右含I在上述的較佳範圍中，則呈色功率、
20 王巴尤度及願色純度優良 又八 rp ^ τ 丨口 H 里 時，會趨向於容易私咮"、-g电 x生'辰度驟減”’但是根據本發明， 由與特定的宿主材料一刼击 十I使用’即使客宿材料含量增力 不會發生“濃度驟減，，。 在先前提及的本發明之有機EL元件的發光層中，, 加電場時，正電洞可從正電極、T +、门3人厣十χ干 兒從、正電洞注入層或正電、;丨 輪層引進’或電子可從負電極、電子佈植層或電子傳! 引進在私洞與電子間可提供—再結合用之區域，而1 15 1316954 玖、發明說明 在此時會產生再結合能量，而使得丨，^^四苯基芘化合物 (光發射分子）放射藍光。除了 u，6,8_四苯基芘化合物外， 可加入其匕叙光材料至它們不會干擾藍光發射的程度。 先前提及的發光層可根據熟知的方法形成，例如，氣 5相沉積m薄膜形成法、MBE(分子束蟲晶）法、分子 團離子束（chmer ion beam^、分子積層法、⑶法、印刷 法、轉移法及其類似方法。 在這些當中，從不使用有機溶劑的觀點來看氣相沉積 較佳，因其並無廢液處理問題，且製造成本低、簡單而有 10效率。在將該發光層設計成單層結構中，例如當此發光層 形成為正電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層時，則溼式薄膜 形成法較佳。 15 20
在氣相沉積法上並無特別限制，可根據其目的合適糾 選擇熟知的方法’例如真空氣相沉積、熱阻絲氣相沉積、 化學氣相沉積、物理氣相沉積及其類似的方法。化學氣书 沉積的實例有電漿CVD、雷射CVD、熱CVD及氣源^孔' 1，3,6,8-四苯基祐化合物可合適地利用真空氣相沉積沒 形成，或在此發光層除了上述⑽四苯基祐化合峨 包含先前提及的宿主材料之實例中，u，6,8,M^^ 物與此宿主材料可利用真空氣相沉積法同步形成。 在先前提及的渔式薄膜形成法上並無特別限制，可相 據其目的合適地選擇熟知的方法，例如嗜墨法、旋轉塗令 法、葉片塗佈（kneader coat)法、棒式涂仕 、踅佈法、編織塗令 (braui 法、_法、浸潰法、幕塗法及其類似的方法。 16 1316954 玖、發明說明 在先前提及的溼式薄膜形成法中，可使用（塗佈）將發 光層材料與樹脂組分一起溶解或分散的溶液。此樹脂組分 的實例有聚乙烯咔唑、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚笨乙烯、 聚甲基丙烯酸曱酯、聚酯、聚颯、聚苯醚、聚丁二烯、烴 5類樹脂、酮樹脂、苯氧基樹脂、聚醯胺、乙基纖維素、醋 酸乙烯酯、ABS樹脂、聚胺基曱酸酯、馬來胺樹脂、不飽 和的聚酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂及其類似 物。 矛J用屢式：4膜开> 成法獲得的發光層可例如使用（塗佈 10及乾燥）將丨，3,6,8-四苯基芘化合物與樹脂材料（若需要的話 )溶解在溶劑中的溶液（塗佈液體）來形成；或若此發光層除 了 U，6,8-四笨基芘化合物外還包括先前提及的宿主材料， 則可使用（塗佈及乾燥）將此^…’卜四笨基芘化合物、宿主 材料及樹脂材料（若需要的話）溶解在溶劑中的溶液（塗佈液 15 體）來形成。 先前提及的發光層厚度較佳為丨奈米至5〇奈米，但是 更佳為3奈米至20奈米。 若該發光層的厚度在上述較佳的數值範圍中，則由此 有機EL元件發射的藍光發光功率、發光亮度及顏色純度足 2〇夠，且若在更佳的數值範圍中，則這些效應更明顯。 本發明之有機EL元件包含一有機薄膜層，其包括一插 在正電極與負電極間之發光層’但是其可根據目的而具有 其它層，諸如保護層。 該有機薄膜層至少包含先前提及的發光層’且亦可如 17 1316954 玖、發明說明 需要具有一正電洞注入層、_正電洞、 卿丨―yer)或—電子傳輪層。——正電洞阻 -正電極- 在正電極上並無特別限， 擇。特別是，♦此有機 1 ，、可根據目的而合適地選 田有機溥膜層僅包含該發光屏日士 是將正電峨峨供至此發紗 ^ ’較佳的 步包含-正電洞傳輸層時，好為二有機薄膜層進- 此正電洞傳輸層；且當此有機薄膜層 =至 注入層時，較佳為蔣τ + / ^^一正電洞 10 15 20 。 較“將正電洞(載體)提供至此正電洞注入層 :正電極材料上並無特別限制。其可根據目的 地…例如金屬、合金、金屬氧化物、導電化合物、盆 混合物及其類似物。具有功函數㈣或更大的材料較佳。八 遠正電極材料的特定實例有導電金屬氧化物（諸如氧 化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫（ιτο)及其類似物）、金 屬（諸如黃金、銀、鉻、鎳及其類似物）、這些金屬及” 金屬乳化物的混合物或層壓板、無機導電物質（諸如峨化 銅' 硫化鋼及其類似物）、有機導電材料（諸如聚苯胺、聚 嗔为及其類似物）' 這些與ιτ〇的層壓板及其類似 物k二可單獨使用或以二種或多種組合著使用。在這些 當中’導電金屬氧化物較佳’且從產率、高導電度及透明 度的觀點來看，ITO特別佳。 在正電極厚度上並無特別限制，其可根據材料而選擇 ，但是1奈米至5000奈米較佳且20奈米至200奈米更佳。 18 1316954 玖、發明說明 該正電極通常會在一諸如玻璃狀的蘇打石灰坡璃、或 無驗玻璃、或透明樹脂的基板上形成。 當使用上述提及的玻璃作為基板時，從它們可減輕從 玻璃來的沖提離子（eluti〇n i〇n)之觀點來看，含有二氧化矽 或其類似物之屏障塗佈物（barrier _)的無驗破璃^蘇^ 石灰玻璃較佳。 在基板厚度上並無特別限制，其限制條件為需足以維 持機械強度，但是當使用玻璃作為基板時，其正常為Μ 毛米或更厚，且〇_7毫米或更厚較佳。 ι〇 15 20 >該正電極可合適地利用任何上述提及的方法來形成， 。者如可利用氣相沉積法、澄式薄膜形成法、電子束法“賤 鍍法、反應物賤、则Ε(分子束遙晶）法、分子團離子 ^ 離子电鍍法、電漿聚合法（高頻激發離子電鍍法）、 分子積層法、LB法、印刷法、轉移法、化學反應法(例如 ，溶膠凝膠製程）及其類似方法來塗佈— Ιτ〇分散物。 藉由洗㈣正電極錢行其^理可減低此有機肛元 的驅動電屢，且亦可增加發光功率。至於其它處理的實 :’當該正電極材料為肋時，可提及的處理有υν臭氧化 電漿處理及其類似的處理。 -負電極- 在負電極上並無特別限制，其可根據目的而合適地選 將^別是’當此有機薄膜層僅包含該發光層時，較佳為 傳二子提供至此發光層；當此有機薄膜層進一步包含電子 4 較佳為將電子提供至此電子傳輸層，·及當在此 19 ί316954 玫、發明說明 2機薄膜層與負電極間有—電子佈植 提供至此電子佈植層。 竿乂佳為將电子 在負電極材料上並無特別限制，其可 鄰接的層或分子（諸 H此負1極 5 10 15 傳輪層及發光層）之附著性質、 人J 位及穩定性而合適地選擇。其實例有金屬' 。…屬乳化物、導電化合物、其混合物及其類似物。 该負電極材料的實例有驗金屬類（例如’Li、Na、K、 .主r貞似物)、鹼土金屬類(例如’ Mg、Ca及其類似物） ’汽、…銀、錯、铭、鈉-鉀合金類或其混合物、經-銘合 金類或其混合物、鎂-銀合金類或其混合物、稀土金屬(諸 如銦、镱及其類似物)及其合金類、及其類似物。 可早獨使用這些之一，或可以組合方式使用二種或多 種。這些當中’具有功函數㈣或較小的材料較佳。紹、 链-紹合金類或其混合物、或鎂_銀合金類或其混合物及豆 類似物更佳。 八 在負電極的厚度上並無特別限制，其可根據負電極材 料而選擇，但是i奈米至⑽⑻奈米較佳，而2q奈米至· 奈米更佳。 該負電極可利用上述提及的任何方法合適地形成，諸 如氣相沉積法、渔式薄膜形成法、電子束法、滅鑛法、反 應物濺鑛法、MBE(分子束遙晶）法、分子團離子東法、離 子電鍍法、電裝聚合法（高頻激發離子電鍍法）、分子積層 法、LB法、印刷法、轉移法及其類似方法。 當使用這些的二種或多種一起作為負電極材料時，可 20 20 1316954 玖、發明說明 同時氣相沉積二種或多種材料 5 氣相沉積用之預先製備的合金，以可製得 及1電極的電_為低，最好它們為數個百 -正電洞注入層_ 在正電洞注入層上並無特別限制，其 擇，但是最佳的β且古 κ康目的而選 <的疋具有例如當施加電 來的正電洞之功能。 予-佈植從正電極 10 在正電洞注人層材料上並無特別限制 而合適地選擇，例如由下列結構、_Τ根據目的 (4 4, 4，,- = η 飞（4)表不之星芒胺 5 — _甲基苯基（苯基）胺基]三笨其p 叫鋼狀青、聚苯胺及其類似物、
結構式（4) ’其可根據目的 而5奈米至5〇奈 電洞庄入層厚度上並無特別限制 而遥擇。例如，約1奈米至1〇〇奈米較佳， 米更佳。 該正電 洞注入層可利用上述提及的任何方法合適地形 21 15 1316954 玖、發明說明 成=il相"匕積法、渔式薄膜形成法、電子束法、滅鍵 法、反應物>_法、MBE(分子束蟲晶）法、分子團離子束 法、離子電鎮法、電漿聚合法（高頻激發離子電鑛法）、分 子積a法LB法、印刷法、轉移法及其類似方法。 -正電洞傳輪層_ 在，電洞傳輸層上並無特別限制，其可根據目的而選 擇’但是例如具有當施加電場時可輸送從正電極來的正電 洞功能之層較佳。 10 15 20 鲁 、在正電洞傳輪層材料上並無特別限制，其可根據目的 合適地選擇。其實例有芳香族的胺化合物類、㈣、味嗅 一坐可唑、气二唑、聚芳基烷、吡唑啉、吡唑啉_、 伸苯基二胺、芳基胺、經胺取代的茜素藍黑㈣⑽e)、笨 乙稀基蔥、_ m氮燒、笨乙稀基胺、芳香埃 二次曱基化合物類'紫菜鹼化合物類、聚矽烷化合物類、 聚（N-乙稀基十坐）、笨胺共聚物、導電寡聚物及聚合物類（ 諸如噻吩寡聚物及聚合物類）、聚噻吩及碳膜。 這些可單獨使用，或可以二種或多種組合著使用。在 廷些當中’芳香族的胺化合物較佳。特別是，由下列結構 式（5)表示之TPD(N，N|_二苯基_N，N，.雙（3_甲基苯基HU，_ %苯]-4,4 -一胺），及由下列結構式（6)表示之Νρ〇(Ν，Ν，_二 秦基-Ν，Ν，-·Τ_苯基-[U，_聯苯]_4,4，_二胺）更佳。 22 1316954 玖、發明說明
TPD
結構式（5)
NPD
結構式（6) 在電洞傳輸層厚度上並無特別限制，其可根據目的 而選擇，但是正常來說丨奈米至5〇〇奈米較佳，而奈米至 100奈米更佳。 10 、該正電洞傳輸層可利用任何上述提及的方法合適地形 成，諸如氣相沉積法、溼式薄膜形成法、電子束法、濺鍍 法、，應物濺鑛法、_(分子束蟲晶）法、分子團離子束 +子電鍍法、電漿聚合法（高頻激發離子電鍍法）、八 子積層法、LB法、印刷法、轉移法及其類似物。 -正電洞阻斷層_ a在正電洞阻斷層上並無特別限制，其可根據目的選擇， 但是例如具有可阻礙從正電極來佈植的正電洞之功能層較佳。 ^正電洞阻斷層材料上並無特別限制，其可根據目的 …也選擇’例如’由下列結構式⑺表示之2,9-二甲基· 23 15 1316954 玖、發明說明 ^ ，1 〇 非琳（銅靈（bathocuproin) ; BCP)及其来員{乂
結構式（7) 從正 且從i 若先前提及的有機EL元件包含—正電洞阻斷展， 電極邊輸送來的正電洞會由此正電洞阻斷層阻擋 電極輸送來的電子會傳 提及的發光層1此、Γ 洞精層而到達先前 声中有’ ％子與正電敎料合可在此發光 層中有效率地發生，而可防止正電 10 薄膜層的發光層外再結合。因此， Ή有機 發光材料^6,8-四W仆人你 > 率地獲得從標的 度方面優良。基比化合物來之發光，而此在顏色純 間 。該正電洞阻斷層較佳地配置在發光層與電子傳輸層 之 15 在正電洞阻斷層厚度上並無特別限制，並 而合適地選擇，例如其 ，、乂據目的 米至财米較佳。㈡奈米，但是_ 該正電洞阻斷層可為單層結構，或可為積層結構。 該正電洞阻斷層可利用任 曰 成，諸如述提及的方法合適地形 成者如乳相沉積法、渔式薄膜开 ^ 电子束法、濺鍍 24 20 1316954 玖、發明說明 法、反應物_法、MBE(分子束蟲晶）法、分子團離子束 法、離子電鑛法、電漿聚合法（高頻激發離子電鍍法）、分 子積層法、LB法、印刷法、轉移法及其類似方法。 -電子傳輸層- *在電子傳輸層上並無特別限制，其可根據目的而合i 地選擇’但是例如具有從負電極輸送電子的功能，或引 用為阻礙從正電極佈植的正電洞之功能層較佳。 10
電子傳輪層材料的實财十林衍生物類，例如具有8 嗜琳作為配位基的有機金屬錯合物類，諸 唾何生物、三飾生物、啡琳衍生物、二萘嵌苯街 =生Π:生物’衍生物、靖衍生物、二苯基 、㈣基取代的I吩（flu_Phenem生物及其類 似物。鋁喳啉錯合物（Alq)
在雷；彿^ 、、、σ才冓式（8) 合適地==度上並無特別限制，其可根據目的而 、例如其通㈣奈米编奈米，但是較佳為 25 1316954 玖、發明說明 10奈米至50奈米。 5亥電子傳輸層可為單層結構，或可為積層結構。 邊電子傳輸層可利用任何上述提及的方法合適地形成 ，諸如氣相沉積法、溼式薄膜形成法、電子束法、濺鍍法 、反應物濺鍍法、MBE(分子束磊晶）法、分子團離子束法 離子電鍍法、電漿聚合法（高頻激發離子電鍍法）、分子 、^法 L B法、印刷法、轉移法及其類似物。 -其它層- 本發明之有機EL元件可具有根據目的而合適選擇的其 1〇它層’例如，保護層及其類似層。 在先兩提及的保護層上並無特別限制，其可根據目的 而合適地選擇，但是例如可防止會促進有機EL元件損壞的 分子或物質（諸如濕氣及氧）滲透該有機EL元件之層較佳。 先則提及的保護層材料實例有金屬，諸如In、Sri、Pb 15 、Au、Cu、Ag、A卜Ti、Ni及其類似物；金屬氡化物類 ’諸如 MgO、SiO、Si02、Al2〇3、GeO、NiO、CaO、BaO 、Fe203、Y203、Ti〇2及其類似物；氮化物類，諸如SiN、 SiNxOv及其類似物；金屬氟化物類，諸如MgF2、LiF、 AIF3、CaFj ’聚乙烯；聚丙烯；聚甲基丙烯酸曱酯；聚醯 20亞胺；聚脲；聚四氟乙烯；聚氣三氟乙烯；聚二氯二氟乙 烯；氣三氟乙烯及二氯二氟乙烯的共聚物；藉由共聚合一 包含四氟乙烯與至少一種共單體的單體混合物而獲得之共 聚物；在共聚物主鏈中具有環結構之含氟共聚物；具有吸 水比例為1 %或更多之吸水物質；及具有吸水比例為〇 j % 26 1316954 玖、發明說明 或較少的防潮物質。 …先前提及的保護層可利用任何上述提及的方法合適地 物 電 形成’诸如IU目沉積法、渔式薄膜形成法、舰法、反應 物魏法、MBE(分子束為晶）法、分子團離子束法、離子 鑛法、電浆聚合法（高頻激發離子電鍵法）、印刷法 '轉 移法及其類似方法。 β根據目的而選擇之本發明的有機仙元件結構上並 無特別限制’即’下列層組成(1)-(13): (1) 正電極/正電洞 10 15 20 入層/正電洞傳輸層/發光層/電子 傳輸層/電子佈植層/負電極， (2) 正電極/正電洞、、拿人s τ # /主入層/正電洞傳輸層/發光層/電子 傳輸層/負電極， ()電極/正電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子佈 植層/負電極， (4)正電極/正電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/負電極， )%極/正兒洞注入層/正電洞傳輸層/發光層_電子 傳輸層/電子佈植層/負電極， (6) 正電極/正雷 洞主入層/正電洞傳輸層/發光層-電子 傳輸層/負電極， (7) 正電極/正電洞彳I ρ @ /π , θ U1寻輸層/發光層及電子傳輸層/電子佈 植層/負電極， (8) 正電極/正電 寻輸層/發先層及電子傳輸層/負電極， (9) 正電極/正雷 冤洞注入層/正電洞傳輸及發光層/電子傳 輸層/電子佈植層/負電極， 27 1316954 玖、發明說明 (10) 正電極/正電洞注入層/正電洞傳輪及發光層/電子 傳輸層/負電極， (11) 正電極/正電洞傳輸及發光層/電子傳輸層/電子佈 植層/負電極， (12) 正電極/正電洞傳輸及發光層/電子傳輸層/負電極， (13) 正電極/正電洞傳輸及光發射及電子傳輸層/負電 極’及其類似物。 &當該有機EL元件具有一正電洞阻斷層時’該正電洞阻 10 15 20 斷曰插入存在於上迷的結構⑴至（13)中之發光層與電子傳 輸層間的層結構亦合適。 —層.、且成中’觀點（4)(正電極/正電洞傳輸層/發光層 /電子傳輸層/負電極）則顯示在㈣。有機EL元件10巧 一層組成，A句人—士 ，、有 ’、3在玻璃基板12上形成的正電極14(例 如’ I丁Ο雷搞、、 -r ^ 電極）—正電洞傳輸層16、—發光層18、— 傳輸層20及—負電極2 ^ U ^ A1 Ll電極），以此順序積層 。電極14(例如，ITO電極）及負 H电極）及負$極22(例如，A1-U電極 )可透過電源供應器互 ,τ φ 連接奂監光的有機薄膜層24可 由正電洞傳輸層16、笋氺 ^ 毛先層18及電子傳輪層20形成。 該包含正電洞阻斷層 士“卜 研層的層組成圖則顯示在第2圖中。 此有機EL元件具有一岸 的ITO電桎…曰.·'成、、中-在破璃基板12上形成 u电極（正電極）14、一正 輸層16、一發光>18 〜 一正電润傳 20及—…、—正電洞阻斷層19、-電子傳輪層 山电極(負電極)22， 與仙電極可m你 、斤積層。该ιτο電極 电汗J透過毛源供應器 祁逆接發藍光的有機 28 1316954 玖、發明說明 薄膜層可由正電洞注入層、正電洞傳輸層、發光層、正電 洞阻斷層及電子傳輸層形成。 至於本發明之有機EL元件的彩色發射波長，4〇〇奈来 至500奈米較佳。 5 至於在本發明之有機EL元件中EL發光的CIE彩色座標 ，當y值減低時，顏色純度變好，而y較佳地滿足y<〇 i2的 條件。 10 20 攸本叙明之有機EL元件的光發射功率觀點來看，較佳 的是在電壓10V或較低下發射藍光，更佳的是在電壓^或 1乂低下發射藍光，仍然更佳的是在電壓5V或較低下發射藍 光。 7L 500 15 大。
較佳的是，在lov的施加電壓下，本發明之有機虹 件的光發射亮度為⑽燭光/平方公尺或更大更佳為… 燭光/平方公尺或更大，特別佳為咖燭光/平方公尺或更
本發明之有機EL元件在多種領域中特別有用，諸如電 '二車载顯示裝置、野外顯示裝置、家庭裝置、工業裝置 、豕用電器、交通顯示裝置、時鐘g 一 τ里”'貝不戒置、排程顯示單 凡、發光螢幕及音響裝置，特 ^ a〇 , ^ 行” α適於在此之後描述的本 兔明之有機EL顯示器。 <有機EL·顯示器> 顯示本發明一 广泠別限制’而可選自於熟知的組成。 忒有機EL顯示器可放射出 |邑的早色光、多顏色光或 29 1316954 玖、發明說明 為全彩型式。 該有機EL顯示器可形成為全彩型式，如在2〇〇〇年9月 的日本顯示器月刊〇/印训z>咖/ay从⑽⑻少），33至37頁中 所揭示，即，在一基板上配置可發射三顏色光的方法，其 5中該發光有機EL元件各別與三原色（藍色（B)、綠色（G)、 紅色（R))相符合；白光方法，其中將從發射白光的有機el 兀件來之白光利用濾色片分成三原色；及顏色轉換方法’ 其中將由發藍光的有機E L元件所發射之藍光藉由螢光顏料 層轉換成紅色（R)及綠色（G)。在本發明中，當本發明之有 10機ELtl件發射藍光時，可使用發射三顏色光方法及顏色轉 換方法，而發射三顏色光方法特別合適。 在利用先前提及的發射三顏色光方法來製造全彩有機 EL顯示器中’除了發射藍光之本發明的有機队元件外， 尚需要發射紅光的有機EL元件與發射綠光的有機eL元件 15 ° 在發射紅光的有機EL元件上並無特別限制，其可選自 於在技藝中熟知的那些，及例如由IT〇.(正電極）/Npd/由下 列結構式（9)表示的DCJTB ’ 1%鋁4琳錯合物（Alq)/Alq/Al-Li(負電極）表示之層組成。DCJTB為4-二氰基亞甲基_6-Cp-20 久洛尼定基笨乙烯基_2_三級丁基-4H-吡喃。 30 1316954 玖、發明說明
在發射綠光的有機EL元件上並無特別限制，其可選自 於在技藝中熟知的那些，例如可由IT〇(正電極二甲 基之喳丁鋼1 % A1q/Alq/A1_Li(負電極）表示之層組成。 在有機EL顯示器上並無特別限制，其可根據目的而選 擇，但是由2_年3月13日尼奇電子學（細⑽㈣ ，案號765，55至62頁中所揭示的被動陣列面板及主” 列面板合適。 10 6例如’先前提及的被動陣列面㈣在玻璃基扣上具 有安排成彼此平行的帶狀正電極14(例如，IT㈣極在 正電極14上，以相繼平行且有效垂直於正電極14的方式排 ^帶狀發藍光的有機薄膜層24、發綠光㈣機薄膜_ ^紅光的有機薄膜層28,如顯示在第3圖。在該發藍光 的有機~膜層24、發綠光的有機薄膜層％及發q 薄膜層28上則具有形狀相同的負電極〜 機 以正 正=及的被動陣列面板_，將包含多個正電㈣ 的正電極線30與包含多個負電極22的負電極線32例如 31 15 1316954 玖、發明說明 二角又有放地父又’以形成電路，如顯示在第4圖。位 於母個交又點處之發藍光、發綠光及發紅光的有機薄膜層 24 — 26 28的母層則可作為圖素，而有數個有機EL元件34
’、母個圖素相付合。在此被動陣列面板中’當利用定電流 來源36將電流施加至在正電極、_巾的—個正電極1績在 負電極線32中的—個負電極22時’電流將施加至位於交叉 處㈣機EL薄膜層’而在此位置處的錢肛薄膜層將發 光藉由k制此圖素單元的光發射，可容易形成全彩圖像
士在主動陣列面板中，例如，會將掃描線、資料線及電 *供應線安排在玻璃基板丨2的網柵圖案中，如顯示在第$ 圖。由形成網栅圖案的掃描線連接之TFT電路侧配置在 母個方形十，及配置在每個方形中的正電極14(例如，IT〇 電極）可由TFT電路4〇驅動。相繼平行地安排帶狀發藍光的 15有機薄膜層24、發綠光的有機薄膜層26及發紅光的有機薄 膜層28。亦安排負電極22，以便覆蓋該發藍光之有機薄膜 層發綠光之有機薄膜層％及發紅光之有機薄膜層^。' 發藍光之有機薄膜層24、發綠光之有機薄膜層城射紅光 之有機薄膜層28各別形成一正電洞傳輸層16、-發光層18 20 及—電子傳輸層20。 在先前提及的主動陣列面板中’彼此平行的多條掃描 線46、彼此平行的多條f料線42與電流供應線在正確角 度有政地父叉以形成方形（如顯示在第6圖），且將『FT開 關裝置48與TFT驅動裝置5〇連接至每個方形以形成一電^ 32 1316954 玖、發明說明 。若從驅動電路38施加電流時，料驅動每個方形的㈣ 開關裝置48及TFT驅動裝置5Q。在每個方形中，發藍光、 發綠光及發紅光之有機薄膜元件24、26、巧則作為圖素。 在此主動陣列面板中，若從驅動電路38施加電流至安排在 5水平方向中的掃描祕之-及安排在垂直方向中的 應線44之一時，位於交叉處的TF 丁開關裝置48會被驅動’ 忒TFT驅動裝置5〇驅動的結果為在此位4處# 52發光。藉由控制此圖素單元的光發射，可容易形成全彩 圖像。 1〇 在本發明中，在第3及5圖中的正電洞傳輸層16(和正 電洞注入層15)無圖案，且為發藍光的有機薄膜層24、發 綠光的有機薄膜層26及發紅光的有機薄膜層28共有之結構 較佳’如顯示在第7圖。在此結構實例中，並不需要圖形 化正電洞傳輸層16(和正電洞注入層15)，此製造容易且可 15 防止正電極及負電極短路。 本發明之有機EL顯示器可合適地使用在不同種類的領 域，諸如電腦、車載顯示裝置、野外顯示裝置、家庭裝置 、工業裝置、家用電器、交通顯示裝置、時鐘顯示裝置、 排程顯示單元、發光螢幕及音響裝置。 2〇 於此之後，將詳細地描述本發明之特定實例，但是應 該了解的是本發明不限制於這些實例。 (實例1) 如下製造使用1，3,6,8-四笨基芘與4,4，_雙（9_咔嗅基）_聯 苯（CBP)之發光層的積層型式之有機EL元件。將在上面已 33 1316954 玖、發明說明 '極的1和電極之玻璃基板使用水、丙s同及異 / 3曰波地清潔。在uv臭氧化後’使 裝置（真空程度小的t4(13xl〇 '匕積 形成作為正電洞基板-溫度，) 与而復蓋此IT〇電極的m-MTDATA至 曰又丁米人，將NPD(其為正電洞傳輸層)塗佈在該 m-MTDATA正電洞注人層上至厚度㈣米。其次，在上述 10 的卿正電洞傳輸層上利用氣相沉積同步塗佈上鱗米厚 的毛光層’如此U 四笨基祐與4,4，·雙（9十坐基）聯笨 (⑽）可形成9〇分子的CBp(9G莫耳，，量％)(相對於咐 子的1，3,6,8-四笨基祐（1〇莫耳，1〇質量％))。’然後在此發光 層上形成作為正電洞阻斷層的BCp至厚度1〇奈米。然後在 此正電洞阻斷層上塗佈作為電子傳輸層的AIq至厚度20奈 米，且在此Alq電子傳輸層上氣相沉積作為負電極的A丨_u 15 當在已製造的有機EL元件中將電壓施加至IT〇電極（正 弘極）及Al-Li合金（負電極）時，可在電壓4ν或較高下觀察 到此有機EL元件發射藍光’且在施加電壓1〇v時，可觀察 到所發射的高純度藍光之發光亮度為2100燭光/平方公尺 20 (EL發光的CIE彩色座標：x=〇.i62，y=〇.〇82)。從此有機 EL元件來的發光光譜與原始的^^四笨基祐（其為客宿 材料）之發光光5兽具有相同的發光光譜’如顯示在第8圖。 (貫例2 ) 如在實例1中般製造一有機EL元件，除了將^卜四 合金（Li含量=0,5質量％)至厚度8〇奈米。該有機虹元件可 由上述方法製造。 34 1316954 玖、發明說明 苯基芘與4,4’-雙（9-咔唑基）_聯苯（CBp)之氣相沉積比率改 為99分子的CBP(99莫耳，99質量％)(相對於i分子的 1，3,6,8-四苯基芘（1莫耳，1質量％))。 當在已製造的有機EL元件中施加一電壓至IT〇電極（正 5電極）及ANLl合金（負電極）時，可在電壓5V或較高下觀察 到此有機EL元件發射藍光，且在施加電壓丨〇v時，可觀察 到所發射的高純度藍光之發光亮度為85〇燭光/平方公尺 (EL發光的 CIE彩色座標：χ=〇161，y=〇 〇72)。 (實例3) 10 如在貫例1中般製造一有機EL元件，除了將丨丄匕^四 笨基芘與4,4’-雙（9-咔唑基）_聯苯（CBp)的氣相沉積比率改 為95分子的CBP(95莫耳，95質量％)(相對於5分子的 1,3,6,8 -四笨基芘（5莫耳，5質量％))。 當在已製造的有機EL元件中施加一電壓至IT〇電極（正 15電極）及Al-Li合金（負電極）時，可在電壓4V或較高下觀察 到此有機EL元件發射藍光，且在施加電壓丨〇v下，可觀察 到所發射的高純度藍光之發光亮度為丨58〇燭光/平方公尺 (EL發光的 CIE彩色座標：：^=0^59，y=〇.〇7(^。 (實例4) 20 如在實例1中般製造一有機EL元件，除了將丨，3,6,8_四 苯基芘與4,4’-雙（9-咔唑基）_聯苯（CBP)的氣相沉積比率改 為80分子的CBP(80莫耳，80質量％)(相對於2〇分子的 1,3,6,8-四苯基芘（20莫耳，2〇質量％))。 當在已製造的有機EL元件中施加一電壓至IT〇電極（正 35 1316954 玖、發明說明 電極）及Al-Li合金（負電極）時，可在電壓4V或較高下觀察 到此有機EL兀件發射藍光，且在施加電壓丨〇v下，可觀察 到所發射的高純度藍光之發光亮度為263〇濁光/平方公尺 (EL發光的CIE彩色座標：x=0丨63，y=;〇 〇98)。 5 於此之後舉列出比較例，以較好地支持本發明之特徵 〇 (比較例1) 如在實例2中般製造一有機£1^元件，除了將44，_雙（9_ 咔唑基）-聯苯（CBP)由上述置換，且不提供正電洞傳 10輪層，而使用該發光層作為正電洞傳輸及發光層。 當在已製造的有機EL元件中施加一電壓至IT〇電極（正 电極）及Al-Li合金（負電極）時，可在電壓5V或較高下觀察 到此有機EL元件發射藍光，且在施加電壓1〇v下，可觀察 到所發射的南純度藍光之發光亮度為65〇燭光/平方公尺 15 (EL發光的CIE彩色座標：χ=〇.168，y=〇 152)。從此有機 EL元件來的發光光譜與原始的丨’^卜四苯基祐（其為客宿 材料）之發光光譜不同（如顯示在第9圖中），而具有寬的光 阳▼見。同樣地，至於此有機EL元件的光發射，發光亮声 及顏色純度已經降低（與實例1至4的實例比較）。 2〇 (比較例2) 在實例2中，如在實例2中般製造該有機£^元件，除了 將1，3,6,8-四苯基芘由下列結構式（1〇)表示之二萘嵌笨置換 36 1316954 玖、發明說明
結構式（10) 當在所製造的有機EL元件中施加一電壓至IT〇電極（正 電極）及Al-Li合金（負電極）時，可在電壓6V或較高下觀察 5到此有機£^元件發射藍光，且在施加電壓10V下，可觀察 到所發射的高純度藍光之發光亮度為U5燭光/平方公尺 (EL發光的CIE彩色座標：x==2〇1，y=〇 293)。從此有機此 元件來的發光光譜與原始的•四苯基祐（其為客宿材 料）之發光光譜不同，如顯示在第1〇圖。除了45〇奈米至 1〇 530奈米（其為二萘嵌苯的原始光發射波長）外，從二萘嵌苯 組分來的低功率發光組分亦在較長的波長處顯現。在此有 機EL元件中，會觀察到“濃度驟減，，現象且發光亮度與顏色 純度會陡峭地下降（與實例丨_ 4的實例比較）。 根據本發明，已解決相關技藝固有的問題，且可提供 15具有優良的發光功率、發光亮度及顏色純度之藍光的有機 EL元件’及一種使用此有機队元件的高性能有機π顯示 器。 ’ 【圖式簡單說明】 第1圖為一圖式解釋圖’其描述在根據本發明之有機 20 EL元件中的層組成實例。 第2圖為一圖式解釋圖，其描述在根據本發明之有機 EL元件中的另一個層組成實例。 37 1316954 玖、發明說明 第3圖為一圖式解釋圖，其描述一被動陣列方法的有 機EL顯示器（被動陣列面板）架構之實例。 第4圖為-圖式解釋圖’其描述一顯示在第3圖的被動 陣列方法之有機EL顯示器（被動陣歹,^面板）中的電路實例。 第5圖為一圖式解釋圖，其描述一主動陣列方法的有 機EL顯示器（主動陣列面板）之架構實例。 第6圖為一圖式解釋圖，其描述—顯示在第5圖的主動 陣列方法之有機EL顯示器（主動陣列面板）中的電路實例。 10 15 ^第7圖為一圖式解釋圖，其根據將正電洞注入層與正 :而傳輸層分擔在每種顏色之有機扯元件間的觀點來描述 有機EL顯示器的實例。 第8圖為實例1之有機EL元件的發光光譜圖實例。 第9圖為比較例1之有機EL元件的發光光譜圖實例。 第10圖為比較例2之有機EL元件的發光光譜圖實例。 ••有機EL元件 30.. 正電極線 •.坡璃基板 32.. 負電極線 •-JE電極 34.. 有機EL元件 ..正電洞注入層 36·· 定電流來源 正電洞傳輸層 38·. 驅動電路 ·-發光層 40·. TFT電路 •正電洞阻斷層 42.. 資料線 ·.電子傳輪層 44.· 電流供應線 •負電極 46.· 掃描線 •發藍光的有機薄膜層 48·· • TFT開關裝置 .·發綠光的有機薄膜層 50._ • TFT驅動裝置 ，發紅光的有機薄膜層 52.. .有機EL元件 10 12 14 15 16 18 19 2〇 22 24 26 38

Claims (1)

1316954+八 + 拾、申請專利範圍 第91124739號專利申請案申請專利範圍修正 1. 一種有機EL元件，其包括： 一有機薄膜層，其在一正電極與一負電極之間包 含一發光層， 其中在s亥有機薄膜層中的一層包含一由下列結構 式（1)表示之1，3,6,8-四苯基芘化合物，及一由下列結構 式（2)表示之n卡唑衍生物，
結構式（1) 在結構式（1)中，R1至R4可相同或不同，且各為氯 原子 '烷基、環烷基、以及芳基中之—者，
η 結構式（2) 在結構式（2)中，Ar為多功能基芳香基團或雜環芳香基 圑，R1及R2可相同或不同，且各為氫原 、 国素原子 39 1316954 拾、申請專利範圍 、烷基、烷基楓基、芳烷基、烯基、羥基、氰基、胺 基、醯胺基、醯基、羧基、烷氧基、烷氧基羰基、芳 基、芳氧基及芳香烴基與芳香雜環基中之一者，及 一整數。 5 2.如申請專利範圍第1項之有機EL元件，其中在該有機 EL元件的發光層中包含一由結構式（1)表示之丨,3,6,8-四 苯基芘化合物’及一由結構式（2)表示之咔唑衍生物。 3·如申請專利範圍第1項之有機£1^元件，其中由該結構式 (2)表示的B卡唑衍生物為一種由下列結構式（3)表示之 4,4’-雙（9-咔唑基）_聯苯（CBp)及其衍生物，
結構式（3)。 4.如申請專利範圍第1項之有機el元件，其中在包含 1，3,6,8-四苯基芘化合物的層中，該由結構式（1)表示之 1，3,6,8-四苯基芘化合物的含量為〇1質量％至5〇質量％ 〇 5_如申請專利範圍第1項之有機EL元件，其中在包含 1，3,6,8-四苯基芘化合物的層中，該由結構式（1)表示的 1，3,6,8-四笨基芘化合物之含量為5質量％至3〇質量％。 6.如申請專利範圍第1項之有機el元件，更包含一正電洞 40 1316954 拾、申請專利範圍 阻斷層，其係位在該含有由結構式（1)表示之1，3,6,8__四 苯基逆化合物的層與該負電極之間。 7.如申請專利範圍第6項之有機£1^元件其中在該有機 EL元件的該正電洞阻斷層中包含一由下列結構式（？）表 示之2,9 一甲基-4,7-二苯基_1，1〇__啉（浴鋼靈，Bcp)，
結構式（7)β 8.如申請專利範圍第！項之有機EL元件，其中在該有機 EL元件中的EL發光之CIE彩色座標為y<〇 12。 1〇 9.如申請專利範圍第1項之有機EL元件，其中在該有機 ELtg件中的該發光層之厚度為5奈米至5〇奈米。 10. 如申請專利範圍第i項之有機EL元件，其中該有機EL 元件係被使用來發射藍光。 11. 一種有機EL顯示器，其包括一有機£1^元件， 15 其中該有機EL元件包括： —有機薄膜層，其在一正電極與一負電極之間包 含一發光層， 其中在該有機薄膜層中的一層包含一由下列結構 式（1)表示之1，3,6,8-四苯基祐化合物’及—由下列結構 41 1316954^ ^ 拾、申請專利範圍 式（2)表示之If卡吐衍生物， 5
在結構式（1)中，R1至R4可相同或不同 、烷基、環烷基、以及芳基中之一者 結構式（1) 且各為氫原子
η 結構式（2) 10 在結構式（2)中，Ar為多功能基芳香基團或雜環芳香基 團，R1及R2可相同或不同，且各為氫原子、鹵素原子 、烧基、烧基楓基、芳院基、烯基、羥基、氰美、胺 基、醯胺基、醯基、羧基、烷氧基、烷氧基羰基、芳 基、芳氧基及芳香烴基與芳香雜環基中之一，及11為__ 整數。 12.如申請專利範圍第11項之有機el顯示器，其包括： 一發藍色顏色的有機EL元件； 42 15 1316954 拾、申請專利範圍 一發綠色顏色的有機EL元件；及 一發紅色顏色的有機EL元件；
其中該發藍色顏色的有機EL元件、發綠色顏色的 有機EL元件及發紅色顏色的有機EL元件包含相同之正 電洞注入層及正電洞傳輸層中之一者；及該發藍色顏 色的有機EL元件包含一有機薄膜層，而該薄膜層在一 正電極與一負電極間包含一發光層，且在此有機薄骐 層中的一層包含一由結構式⑴表示的1,3,6,8-四苯基祐 化合物，及—由結構式（2)表示的咔唑衍生物。 13·如申請專利範圍第U項之有機此顯示器，其中 肛顯示器為被動陣列面板及主動陣列面板之—種。
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