JPH06219973A - 新規なピレン誘導体 - Google Patents

新規なピレン誘導体

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JPH06219973A
JPH06219973A JP2858993A JP2858993A JPH06219973A JP H06219973 A JPH06219973 A JP H06219973A JP 2858993 A JP2858993 A JP 2858993A JP 2858993 A JP2858993 A JP 2858993A JP H06219973 A JPH06219973 A JP H06219973A
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JP
Japan
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formula
derivative
pyrenyl
benzene
chemical
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JP2858993A
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English (en)
Inventor
Kazukiyo Nagai
一清 永井
Hirota Sakon
洋太 左近
Chihaya Adachi
千波矢 安達
Masabumi Ota
正文 太田
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 製膜性に優れ、しかも発光機能或いは電子輸
送機能を有する有機電界発光素子用材料として有用な、
新規ピレン誘導体を提供する。 【構成】 下記一般式(I)(化1)で表わされる新規
ピレン誘導体。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機電界発光素子用材
料として有用な、新規なピレン誘導体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴って、CR
Tより低消費電力で空間占有容積が少ない平面表示素子
のニーズが高まっている。このような平面表示素子とし
ては、液晶、プラズマディスプレイ等があるが、特に最
近は、発光型で表示が鮮明な電界発光素子(EL素子)
が注目されている。ここで、上記EL素子は構成する材
料により、無機EL素子と有機EL素子とに大別される
ことができ、無機EL素子は既に実用化されている。し
かしながら、上記無機ELの駆動方式は、高電界の印加
によって加速された電子が、発光中心を衝突励起して発
光させるといういわゆる衝突励起型発光であるため、高
電圧で駆動する必要がある。このため、周辺機器の高コ
スト化を招来するという課題を有していた。
【0003】これに対し、上記有機EL素子は、有機発
光層を挟んで仕事関数の異なる対向電極が配置された構
造であり、陽極から注入されたホールと陰極から注入さ
れた電子とが発光層中で再結合して、発光層の蛍光と同
一波長の光を発するといういわゆる注入型発光である。
したがって、低電圧で駆動することができ、且つ発光層
の材料を変更することにより任意の発光色を得ることが
可能である。加えて、上記有機EL素子に用いる有機化
合物は、置換基を変える等によってその性質が異なるた
め、無機化合物よりも材料設計の自由度が大きい。した
がって、分子の電子状態を考慮しつつ有機化合物の分子
構造を変更することによって、任意の発光材料を得るこ
とができるものと考えられる。したがって、理論上は、
青色から赤色までの全ての色を発光させることが可能で
あり、実際に、緑色、黄色、橙色を発光させる安定な構
成材料は種々提案されている。
【0004】しかしながら、青色を安定且つ高輝度で発
光させるものは、無機EL素子、有機EL素子を問わ
ず、未だ開発されていない現状にある。例えば、有機E
L素子における青色の発光材料として、1,1,4,4
−テトラフェニル−1,3−ブタジエン誘導体やスチリ
ルベンゼン誘導体を用いる素子が提案されているが、何
れも製膜性に劣り、満足な輝度と安定性とを得られるに
は至らない。また、電子輸送材料として、2−(4−t
ert−ブチルフェニル)−5−(p−ビフェニリル)
−1,3,4−オキサジアゾールを用いた素子が提案さ
れているが結晶化しやすく満足な安定性が得られていな
い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、有機電界発
光素子用材料として、安定した製膜性を有し、発光材
料、電子輸送材料等有機電界発光素子用材料として有用
な材料を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討した結果、ある特定な構造を有
するピレン誘導体が有効であることを見い出した。すな
わち、本発明によれば、下記一般式(I)(化1)で表
わされる新規なピレン誘導体が提供される。
【化1】
【0007】本発明の前記一般式(I)で表わされるピ
レン誘導体の具体例を示すと以下の通りである。
【化2】
【化3】
【化4】
【0007】本発明のこれらピレン誘導体は、例えば下
記反応式(表1)に示すように対応するビニレン誘導体
を水素還元することにより合成することができる。
【表1】 また、上記ビニレン誘導体は、例えば下記反応式(表
2)に示すように変法Wittig反応により合成する
ことができる。
【表2】
【0008】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明をより具体
的に説明する。 実施例1(中間体の合成) 1−ピレニルメチルジエチルホスホネート3.52gと
テレフタル酸アルデヒド0.67gを乾燥N,N−ジメ
チルホルムアミド40ml中で水冷攪拌しながらカリウ
ム−tert−ブチラート1.68gを加え、その後室
温で3時間攪拌した。およそ100mlのメタノールで
反応液を希釈し、得られた沈澱物を濾過、水洗、メタノ
ール洗浄して下記構造式V(化5)で表わされる化合物
1,4−ジ{2−(1−ピレニル)ビニル}ベンゼンの
粗収物2.46gを得た。さらに、ジメチルアセトアミ
ドとN,N−ジメチルホルムアミドでそれぞれ再結晶精
製し、純品0.22gを得た。
【化5】
【0009】実施例2(中間体の合成) 1−ピレニルメチルジエチルホスホネート1.76gと
イソフタール酸アルデヒド0.34gを乾燥N,N−ジ
メチルホルムアミド20ml中で水冷攪拌しながらカリ
ウム−tert−ブチラート0.84gを加え、その後
室温で3時間攪拌した。およそ100mlのメタノール
で反応液を希釈し、得られた沈澱物を濾過、水洗、メタ
ノール洗浄して下記構造式VI(化6)で表わされる化
合物1,3−ジ{2−(1−ピレニル)ビニル}ベンゼ
ンの粗収物1.25gを得た。さらに、ジメチルアセト
アミドで2回とN,N−ジメチルホルムアミドとエタノ
ールの混合溶媒で再結晶精製し、純品0.26gを得
た。
【化6】
【0010】実施例3(中間体の合成) 1−ピレニルメチルジエチルホスホネート1.76gと
フタール酸アルデヒド0.34gを乾燥N,N−ジメチ
ルホルムアミド20ml中で水冷攪拌しながらカリウム
−tert−ブチラート0.84gを加え、その後室温
で3時間攪拌した。およそ100mlのメタノールで反
応液を希釈し、得られた沈澱物を濾過、水洗、メタノー
ル洗浄して下記構造式(VII)(化7)で表わされる
化合物1,2−ジ{2−(1−ピレニル)ビニル}ベン
ゼンの粗収物0.94gを得た。さらに、ジオキサンと
エタノールの混合溶媒とトルエンでそれぞれで再結晶精
製し、純品0.32gを得た。
【化7】
【0011】実施例4 実施例1で得られた1,4−ジ{2−(1−ピレニル)
ビニル}ベンゼン0.21gと5%パラジウムカーボン
粉末0.06gをテトラヒドロフラン150ml中に溶
解分散させ水素により室温で7時間接触還元した。その
後、不溶物を除き、反応液を蒸発乾固して前記構造式
(II)(化2)で表わされる化合物1,4−ジ{2−
(1−ピレニル)エチル}ベンゼン0.18gの粗収物
を得た。これをトルエンで再結晶し、純品品0.15g
(収率66.6%)を得た。融点は223.0〜22
4.0℃であった。赤外吸収スペクトル(KBr錠剤
法)を図1に、元素分析結果を表3に示す。
【表3】
【0012】実施例5 実施例2で得られた1,3−ジ{2−(1−ピレニル)
ビニル}ベンゼン0.14gと5%パラジウムカーボン
粉末0.03gをテトラヒドロフラン50ml中に溶解
分散させ水素により室温で7時間接触還元した。その
後、不溶物を除き、反応液を蒸発乾固して前記構造式
(III)(化3)で表わされる化合物1,3−ジ{2
−(1−ピレニル)エチル}ベンゼン0.10gの粗収
物を得た。これをトルエンで再結晶し、純品0.06g
(収率42.5%)を得た。融点は193.5〜19
4.5℃であった。赤外吸収スペクトル(KBr錠剤
法)を図2に、元素分析結果を表4に示す。
【表4】
【0013】実施例6 実施例3で得られた1,2−ジ{2−(1−ピレニル)
ビニル}ベンゼン0.18gと5%パラジウムカーボン
粉末0.04gをテトラヒドロフラン100ml中に溶
解分散させ水素により室温で7時間接触還元した。その
後、不溶物を除き、反応液を蒸発乾固して前記構造式
(IV)(化4)で表わされる化合物1,2−ジ{2−
(1−ピレニル)エチル}ベンゼン0.15gの粗収物
を得た。これをトルエンで再結晶し、純品0.10g
(収率52.9%)を得た。融点は155.0〜15
6.0℃であった。赤外吸収スペクトル(KBr錠剤
法)を図3に、元素分析結果を表5に示す。
【表5】
【0014】応用例1 表面抵抗20Ω/□のITO陽極を有するガラス基板上
に下記構造式(VIII)(化8)で表わされるアリー
ルアミン誘導体より成る厚さ50nmの正孔輸送層、前
記構造式(II)(化2)で表わされるピレン化合物よ
り成る厚さ50nmの発光層、原子比10:1のMgA
g合金より成る厚さ200nmの陰極を順次真空蒸着に
より積層して電界発光素子を作製した。このようにして
得られた素子は20V以下の駆動電圧において波長46
1nmの青色の発光を示し、経時的な劣化の少ない素子
であった。
【化8】
【0015】応用例2 応用例1において発光層に前記構造式(III)(化
3)で表わされるピレン化合物を使用する以外は同様に
して電界発光素子を作製した。このようにして得られた
素子は20V以下の駆動電圧において波長468nmの
青色の発光を示し、経時的な劣化の少ない素子であっ
た。
【0016】応用例3 応用例1において発光層に前記構造式(IV)(化4)
で表わされるピレン化合物を使用する以外は同様にして
電界発光素子を作製した。このようにして得られた素子
は20V以下の駆動電圧において波長474nmの青色
の発光を示し、経時的な劣化の少ない素子であった。
【0017】応用例4 表面抵抗20Ω/□のITO陽極を有するガラス基板上
に下記構造式(IX)(化9)で表わされるスチルベン
誘導体より成る厚さ50nmの発光層、前記構造式(I
I)(化2)で表わされるピレン化合物より成る厚さ5
0nmの電子輸送層、原子比10:1のMgAg合金よ
り成る厚さ200nmの陰極を順次真空蒸着により積層
して電界発光素子を作製した。このようにして得られた
素子は20V以下の駆動電圧において明瞭な青色の発光
を示し、経時的な劣化の少ない素子であった。
【化9】
【0018】応用例5 応用例4において電子輸送層に前記構造式(III)
(化3)で表わされるピレン化合物を使用する以外は同
様にして電界発光素子を作製した。このようにして得ら
れた素子は20V以下の駆動電圧において明瞭な青色の
発光を示し、経時的な劣化の少ない素子であった。
【0019】応用例6 応用例4において電子輸送層に前記構造式(IV)(化
4)で表わされるピレン化合物を使用する以外は同様に
して電界発光素子を作製した。このようにして得られた
素子は20V以下の駆動電圧において明瞭な青色の発光
を示し、経時的な劣化の少ない素子であった。
【0020】本発明に係わる前記一般式(I)(化1)
で表わされるピレン誘導体は、有機電界発光素子用の材
料として良好な製膜性と、発光材料あるいは電子輸送材
料としての機能を有し、有機電界発光素子の有効成分と
して有用な化合物である。
【図面の簡単な説明】
【図1】1,4−ジ{2−(1−ピレニル)エチル}ベ
ンゼンの赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)。
【図2】1,3−ジ{2−(1−ピレニル)エチル}ベ
ンゼンの赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)。
【図3】1,2−ジ{2−(1−ピレニル)エチル}ベ
ンゼンの赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 正文 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I)(化1)で表わされる
    ピレン誘導体。 【化1】
JP2858993A 1993-01-25 1993-01-25 新規なピレン誘導体 Pending JPH06219973A (ja)

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