TWI316770B - Ac light emitting diode and method for fabricating the same - Google Patents
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Description
' 1316770 21534pif 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關於-種包括多個以矩陣形式配置之發光單元 之交流(alternating贈賊AC)發光二極體以及其製造方 法。 Λ 【先前技術】 - 發光二極體’一種具有將Ν-型半導體與ρ_型丰導體扯 • …之結構的光電轉換裝置,經由電子與電 而發光。此類發光二極體已廣泛用作顯示裝置以及背光。 此外,由於發光二極體與習知電燈泡或螢光燈相比具有較 少電力消耗量以及較長壽命,故發光二極體取代了習知白 熾燈泡或螢光燈且已被廣泛用於全面照明目的。 發光二極體視AC電源下之電流方向而重複開啟/關 閉。因此,在將發光二極體直接連接至Α(:電源之而進行 使用之情況中,存在發光二極體不連續發光且可能易於被 -反向電流損壞之問題。 為解决發光一極體之此問題,No W02004/023568(A1)中 SAKAI 等人之題目為 LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS”中已揭露-種可藉由直接將發光二極體連接 至高壓AC電源而使用之發光二極體。 根據所揭露之PCTNo. W02004/023568(A1),發光單 元經由金屬線二維串接於絕緣基板(諸如藍寶石基板)上 以形成LED陣列。该兩個led陣列在基板上逆向平行。 1316770 21534pif 炒 AC電源父替地重複開啟/關閉陣列以便發光。 ::二由於所揭露之習知技術經由一元化方法來實 摘令屬、綠μ 士由金屬線連接相鄰發光單元之電極時僅有一 線=於—個電極加以使,,故限制了用於增強 計。又 力閃爍或其類似之AC發光二極體的各種設 力口用單元配置成組成一矩陣且添 部分的情況中使;習:::力:構件作為矩陣元件之一 繞之㈣诚Γί 匕線連接方法,則在連接金屬 難。即使可能為轉元件可財在許多困 得極長。仍了此存在如下問題:金屬線之總長度變 ㈣m揭露之習知技術態以使得啊重複開啟/ ”此出現_。在長時間使用d r小化,且發現相對於一個; =嶋方法在實施最小化_的技術中屬已 【發明内容】 技術問題 本發明之目標為提供一種Ac發光二極體, 進行用於增強光強度、防正光閃爍或其類似的適:二 7 1316770 21534pif ” r "又J牡理由今 總是相對於一個電極僅你屬線連接相鄰發光單元之電極時 本發明之另一目一個金屬線的習知方法。 易於使用諸如光導部=提供—種Ac發光二極體,其中 破了在經由金屬線連接P構件用於改良光之強度,同時打 單元中之相鄰發光單元:配置為矩陣元件(element)之發光 用一個金屬線的習知方法電極時總是相對於一個電極僅使 本發明之又一目_兔# 解決習知技術之缺陷(Γ諸3供—種Ac發光二極體,其可 對陣列組態有經配置為°光_),同時打破了在至少- 一個電極僅使用—個金屬單元時總是相對於 技術解決方案 7白夫方法。 根據本發明之—態樣, 上之結合_ =陣; 發光單元的電極連接。 μ者的其他 較佳地,多個發光單元中之每一 ρ 型之第-電細及第二電極,與多贿光、中Ν-
鄰之發光單元具有:第一電極,其經由—金固J 相鄰發光單元中-者之第二電極;以及2 -者之第屬線連接至該兩個相鄰發光單元令另 者之第電極。其中,若第一電極為?_型,則第二電極 8 1316770 2l534pif 两丄\|_型 屯他為N-型,則筮_ $ , 較佳地,多個發光單元 一土 一電極為P-型。 型之第一電極以及第二 母一者具有h型以及N_ 單元相鄰之發光單元具有第二^個發光單元中三個發光 接至該三個相鄰發光單 f極,其經由-金屬線連 電極,其經由其他兩::屬中==二電極;,^ 中其他者之第一電極。、”接5亥二個相鄰發光單元 ^佳地’多個發光單元中之每—者 里之第一電極以及第二電極,斑多個^ '型以及N_ 單元相鄰之發光單元且有.二 卷先早兀中四個發光 連接至該四個相鄰發i單元中兩個金屬線 二電極,其經由苴从二加 考勺第電極;以及第 元中其他者之第I電極。金屬線連接至該四個相鄰發光單 較佳地,根據本發明之能 光導構件,其進-步形成為二ί之元二 更包含 少所述光導部分相鄰之多 ϋ便將發射自與至 至外界。更佳地,減搂批先光聚焦且將光放射 光導部分組成。件由以預定間隔規則配置之多個 =接之配線構件,其中配線構件至少包括將發光單元中 發光單元中該者的其他發光單元的電 極連接的兩個金屬線,且多個發光單元包括第—陣列以及 ,據=明之另—態樣,提供―種Ac發光二極體, 1=:!光單元;以及將結合襯整與多二= 9
1316770 21534pif ί陣一對陣列,且兩個金屬線包含:將相同第 類型的ίίϊΓ巾所提供之發絲元中柳兩者的相同 別提供之發光單元中相鄰兩者 4 極連接之一金屬線。 /、弟一電 有利影響 根據本發明存在—優點,其在於:可能設計出多種从 =極體用於增強光強度或最小化光關,此經由如下 :二經由兩個金屬線將為矩陣元件之發光單元的-連接=光單元相鄰的其他發光單元的電極或 【實施方式】 最佳模式 圖1至圖4為說明金屬配線之配置的圖,其可適用於 根據本發明之AC發光二極體巾之發光單元的電極之間的 連接中。如圖1至圖4中所示,發光單元細巾每— Ν-型以及Ρ-型電極50a以及5〇b形成,此等電極分別 金屬線400連接至與發光單元20〇相鄰之其他發光單元之 電極(未圖示)。在對圖丨至圖4之描述中,為說明方便起 見、,士型電極50a被稱為第一電極5〇a且p_型電極5此被 稱為第二電極50b。此外,說明書全文中使用之術語“相鄰 元件”僅指示相鄰的左側以及右側或上方以及 件’而非對角相鄰之元件。 ^ 參看圖1,一金屬線400連接至發光單元2〇〇中一者 1316770 21534pif 之—弟一電極5〇a,且另一金屬線400亦連接至其一第二 電極50b。該種金屬線4〇〇以及4〇〇之配置被有用地用於 將發光單元200中-者之第一電極5〇a以及第二電極5% 連接至相鄰發光單元的電極,其中此兩個電極5〇a及5% 與組成-矩陣之多個發光單元中之兩個發光單元相鄰。此 時,在矩陣元件中存在結合襯墊3〇〇a或3〇% (見圖5以 及圖6)之情況中(將在下文詳細描述),分別連接至第— 電極50a以及第二電極501)之金屬線4〇〇以及4⑻中之— 者可連接至與發光單元200相鄰的結合襯墊。 參看圖2, -金屬線400連接至發光單元2〇〇中之— 者的-第二電極猶,同時兩個金屬、線4〇及 -電極5°a。兩個金屬線以及彻分别= 發:ί早:201之一者中所提供之第一電極5〇&連接至與 巾之該者相鄰的其他兩個發料元的電極, 中發光單元中之該者相鄰的該兩個發光單元 屮—者之電極以及結合襯墊。 f u 參^圖3 ’-金屬線4⑻連接至發光單元2 = ’同時兩個金屬線以及_連接 將發光單元:二:及_分別用於 ,。”之該者相鄰:其:與 „與發光單謂中之該者相 單元
中—者之電極以及結合襯墊。 知尤早7L 由於圖2以及圖3中所干夕 r厅不之金屬配線之配置為將兩個 1316770 2l534pif f屬線400以及400連接自發光單元2〇〇中之一者的一電 =第—或第二電極)且—金屬線伽連接自另—電極的 ^置从故當將發光單元配置為矩陣元件且其與三個矩 =件(發光單元,或發光單元以及結合缝)相鄰時, 述配置可較佳使用於金屬配線之連接中。 —與圖2以及圖3中所示之配置類似,在圖4中,亦展 不金屬配線之配置,其中將兩個金屬線4〇〇以及4㈧連接 光單元之每—電極。在圖4中所示之金屬配線 乏配置中’兩個金屬線連接至發光單元2〇〇中 的每一電極,意即,第一電極50a以及第二= 中之每一者。有兩個金屬線連接至第-電極50a以及 第二電極50b中之每一者的金屬線,意即, 線分別連減與發光單元巾之—者在上方、下1方^ 侧^及右側相鄰之矩陣元件。此外,在相鄰矩陣元件為^ 光單元之情況中,金屬線400連接至發光單元之一電極: 且在相鄰矩陣元件為結合襯墊之情況中,金屬線榻連接 至結合概墊自身。 根據本發明之第一實施例之AC發光二極體(其可經 由圖1至圖4所示之金屬配線之配置來獲得)在圖5以及 圖6中分別展*為電路圖以及平面圖。在圖6中,圖ϋ至 圖4中所示之金屬線之配置分別形成於圓圈C”、D”、E” 以及F”中。 換言之’在圖6之圓圈C"中展示此配置:其中一金屬 線400連接至發光單元200中一者之第一電極50a以及第 12 1316770 21534pif 了電極50b的每一者,且個別金屬線4〇〇連接至與發光單 =0?中之該者相鄰之其他發光單元的第二電極働以及 弟一電極50a。在圖6之圓圈D”中展示此 至發光單元200中一者之一第/、中連接 有之弟一電極50a的兩個金屬線 _ t 分別連接至與發光單元巾之該者相鄰的 兩個發光單元的第二電極鄕以及s〇b,且連接至發^ :〇之„亥者中的一第二電極5〇b的一金屬線伽 與發光單元中之該者相鄰的另—發光單元的—第一電 ΪΓ^οο在圖E,,中展示此配置:其料接至發光 月編之一者中的一第二電極鄕的兩個金屬線働以 光⑽-3連接至與發光單元細中之該者相鄰的兩個發 電極5Ga以及術,且連接至發光單元綱 „„ 的一第一電極50a的一金屬線400連接至盥發光 5早元2,亥者相鄰的另一發編〇〇的一第= 在圖6之圓圈F”中展示此配置:其 兀200之一去φ的 ^ _ L 奴尤早 5餘L 弟二電極5%的兩個金屬線分別連接 心η 獅中之該者相鄰的兩個發光單元的第一電 —雷;^及5Qa ’且連接至發光單元200之該者中的一第 =50a的兩個金屬線分別連接至與發光單元中之 ^相鄰的其細個發光單元的第二電極5Gb以及50b。 個日二在圖6之圓圈F,,中似乎展示為兩 ―心庄忍苐一電極5〇a實際上為同—個電極。 心Ϊ圖5以及圖6中所示’根據該實施例之AC發光二 °豆匕含基板100、發光單元2〇〇、第—結合概塾鳥以 13 1316770 2l534pif 及第二結合襯墊300b、金屬線400以及光導部分5〇〇。 基板100可由藍寶石或具有大於藍寶石之導熱性之材 料(諸如SiC)製造,且基板1〇〇上形成多個經圖案化之 發光單元200。 圖7為/σ圖6中之線a_A截取之剖視圖。參看圖7, 發光單元200中之每一者形成一結構,其中連續層壓n_ 型半導體層3卜作用層32以及p_型半導體層33。作用層
32形成於N-型半導體層31之一部分上,且p_型半導體層 %形成於作用層32上。因此,N_型半導體層31之頂部丄 面之該部分與個層32接合,且頂部表面之另—部 於外凡。 ^ 回頭參看圖5以及圖6,發光單元2〇〇以矩陣形式(例 如,正方矩陣)配置於第一結合襯墊3〇〇a與第二結合襯墊 300b之間。 第一結合襯墊300a以及第二結合襯墊3〇〇b用以經由 金屬線400將發光二極體}連接至外界電源。帛一結合概 墊300a以及第二結合襯墊3〇〇b可經由接線(未圖示 接至外界電源。 < 金屬線400電連接發光單元2〇〇。金屬線4〇〇中之每 一者將發光單元200中-者之一第一電極術連接至與該 相應發光單元200才目鄰的另一發光單元2〇〇之一第二電極 通,以使得該相鄰發光單元2〇〇白勺p_型半導體層%以及 N型半導體層31彼此電連接。同樣,金屬線彻中之每 一者將發光單元2GG中-者的第一電極遍或第二電極 14 1316770 . 21534pif 50b電連接至與該相應發光單元2〇〇相鄰的第一結合襯墊 300a或第一結合襯塾3〇〇b,因此向發光二極體1供電。 某些金屬線400將處於列與行彼此交匯處之交點上的 發光單元200中一者之第一電極5〇a以及第二電極5〇b分 別連接至與發光單元200中之該者相鄰的發光單元的第二 電極5〇b以及第一電極50a。同樣,某些金屬線4〇〇將處 於列與行彼此交匯處之交點上的結合襯墊3〇〇a或3〇〇b電
連接至與發光單元200中之該者相鄰的發光單元的第一電 極50a以及第二電極5〇b。 特定言之,與發光單元2〇〇中之兩個矩陣元件相鄰定 位之發光單元200中的一者具有一第一電極5〇a,其電連 接至與發光單元200 t之該者相鄰之發光單元的一第 一電極50b,或結合襯墊3〇〇a或3〇〇b ;以及一第二電極 ,,其電連接至與發光單元200中之該者相鄰之另一發光 單元200的一第一電極5〇a,或結合襯墊3〇〇a或 在矩陣配置中’在與發光單元2〇〇中之一者相鄰定位 之矩陣元件(光導部分除外)的數目為兩個的情況中 要兩個金屬線_。發光單元之—者巾的—第一電極 連接至电光單70 200另一者中之一第二電極5%,以 加讀一極體。因此,僅存在與圖1中所示之金屬配線 相同之配置。 隍陣配置中’在與發光單元中之—者相鄰定位之矩 除外)的數目為三個的情況中,該相應 早兀 之一第—電極50a可經由一金屬線4〇〇連接 15 1316770 21534pif 至與該相應發光單元200相鄰之_發光單元2〇〇的一第二 電極50b以及結合襯墊300a或3〇〇b中的任一者,且兮相 應發光單凡之-第二電極5〇b可經由兩個金屬線_ 以及400連接至與該相應發光單元2〇〇相鄰之兩個發光單 • 元200白勺第一電極50a,或與該相應發光單元200相鄰的 . 一發光單元的一第一電極5〇a以及結合襯墊300a或3〇〇b。 此外,如上文所述的在與發光單元中之一者相鄰定位 ⑩ 之矩陣元件(光導部分除外)的數目為三個的情況中,兮 相應發光單元200之-第-電極伽可經由兩個金屬= 400以及400電連接至與該相應發光單元2〇〇相鄰之兩個 發光單元200的第二電極50b,或與該相應發光單元2〇〇 相鄰的-發光單元的-第二電極5Gb以及結合襯墊島 或300b,且該相應發光單元200之一第二電極5%可經由 一個金屬線400電連接至與發光單元2〇〇中 另-發光單元2〇〇的-第-電極50a以及結合H -或300b中的任^一者。 _ 換言之,在矩陣配置中,在與一發光單元相鄰定位之 矩陣元件(光導部分除外)的數目為三個的情況中,需要 用於該相應發光單元之前述三個金屬線4⑽,用於操作二 極體(見圖2以及圖3)。 ’、 同樣,與發光單元200中之四者相鄰定位之一發光單 元200中之一第一電極5〇a電連接至與該相應發光單元 200相鄰的四個發光單元2〇〇中兩者的第二電極5〇b,且該 相應發光單元之一第二電極5〇b電連接至與其相鄰之其他 16 1316770 21534pif n::::之第—電極5〇a。此外’與發光單元2〇〇 以及 元相鄰的三個發光單元細中之兩者的^^
墊300a或3_;或者’該相應發光單元2()()之該^^ 極50a電連接至與該相應發光單元相鄰之三個發光 二20。中-者的—第二電極5%以及結合槪墊扇 3〇〇b,且^目應發光單元之該第二電極赐電連接至與該 相應發光早το 2GG相鄰之其細贿光單元的第 極50a。 电 在矩陣配置t,在與發光單元中之—者相鄰定位之矩 陣兀件(光導部分除外)賴目為四個㈣況巾,需 對金屬線用於該相應發光單元細之每—電極,意即 總共四個金屬線400 ’且該相應發光單元細之—第二電 極50a應連接至其他發光單元200之第二電極5〇b , 操作二極體(見圖4)。 、 形成光導部分500以使其以矩陣形式與發光單元2〇〇 以及結合襯墊300a以及300b配置在一起,且用以導引自 多個發光單元200 (其與光導部分500相鄰地定位)發射 之待聚焦且放射至外界的光。特定言之,較佳地,光導部 分500經規則地配置以便以預定間距彼此間隔開,且因L 可簡化發光二極體丨之製造過程以及可減少製造成本。 17 1316770 2l534pif 立顯然’雖然在圖6中展示為圓形,但自上方觀察光導 :广形狀可具有一有角形狀(諸如四邊形或五邊 回頭參看圖7,彼此間隔開之發光單元2〇〇位於基板 0上發光單元200中之每一者包含凡型半導體層31、 位於Ν-ϋ半導體層31之-部分上之型半導體声% =播入於N_型半導體層3#p型半導體層33之卩〗的作用 ^ 32 °此處’ N-型半導體層31充當第-電極5Ga。同時, ίΐ電鳥形成於P-型半導體層33上。第二電極50b ^可傳輸光之透明電極層4〇。可藉由在基板觸上形成 ^^體層%以及翻電極層4G且隨後光處理以 虫,程將其圖案化而形成發光單元獅。電極觀塾 八e ectro epad) 6〇b可形成於队型半導體層”之其他部 61以ί _可形成於第二電極4〇上。電極襯墊 (step-cover) 圖8為沿圖6中之始 ;〇〇f^ 〇 八CM A 兀*早兀200位於基板10Θ上,且井導部 分中之一者位於發光單元20 組態=成 一。。曝二層導 經使得—分相對於基板1〇。具有== 1316770 21534pif 9中所示),或變得與基板⑽垂直(如目⑺中所示)。在 收集自與光導部分500相鄰之發光單元·發射之光後, 部分·用以沿預定方向(例如,垂直於基板之方向) 導引經收集之光。
在發光單元200以列以及行配置之情況中(例如,二 維方形形狀),只要將發光單元配置為益光導部分 5〇〇,則自發光單元200發射之光中,相對於基板1〇〇沿水 平方向行進之光的亮賴著光㈣與其相鄰的發光單元 200而降低,因而發光二極體丨之整體發光效率下降。因 此’光導部分500以預定間距配置以便自與光導部分谓 相鄰之發光單元200收集沿水平方向入射之光且沿垂直方 向放射光(如圖5以及圖6中所示),因此增強發光二極體 1之發光效率。 此外,可藉由為光導部分500塗覆抗光反射物質來使 抗光反射層70形成於光導部分5〇〇中,以用於增強光導部 分500之光透射率。較佳地,抗光反射層之厚度為λ/4η。 此處,λ為入射自與光導部分相鄰之發光單元之光的波 長,且η為抗光反射物質之折射率。較佳地,抗光反射物 質具有1.3至1.7之折射率。舉例而言,抗光反射物質可 為Si〇2、Al2〇3或S“N4。可藉由將抗光反射物質濺錢在 光導部分500上而形成抗光反射層70。 下文將參看圖11至圖14描述製造前述AC發光二極 體之方法。 參看圖11,緩衝層20形成於基板1〇〇上,且隨後N_ 19 1316770 2l534pif 型半導體層31、作用層32、Ρ·型半導體層33以及透明電 極40連續層壓於緩衝層20上。可使用金屬有機化學蒸氣 沈積(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD )、 分子束蠢晶法(molecular beam epitaxy,MBE )或氫化物氣 相蠢晶法(hydride vapor phase epitaxy,HVPE )技術形成緩 衝層20以及半導體層3〇。此外,半導體層3〇可連續形成 於相同處理腔室中。雖然缓衝層20可由絕緣物質薄膜(諸 .如A1N)或半絕緣GaN層形成,但若需要,其亦可由諸如 N-型GaN層之導電物質薄膜製成。透明電極層4〇可為由 Ni/Au或氧化鋼錫(indium tin oxide, rpo)製成之透明電 極層。 參看圖12,在形成透明電極層4〇之後,使用光處理 以及姓刻製程將半導體層30以及透明電極層4〇圖案化, 因此形成以矩陣形式配置且彼此間隔開之半導體圖案2〇〇 以及500。 ’、 參看圖13 ’在形成半導體圖案2〇〇以及5〇〇之後,使 用光處理以及蝕刻製程,將P_型半導體層33以及作用層 32圖案化成待製造為半導體圖案200以 ^ 元之半導體圖案的形式,以使得曝& 31的頂部的一部分。其後,II由對待製造為半導體圖案· 以及·巾之光導部分之半導體随執行圖案化處 理’形成光導部分500,其具有一外圓周部分,光自與該 光導部分5GG相鄰之發光單元人射於該外圓周部= 上;以及一内圓周部分’用於導引入射光以使其沿預定方 20 1316770 • 21534pif 向放射。隨後,電極襯墊6〇b (見圖7)形成於經曝光之 N-型半導體層31上。可使用起離方法形成電極襯墊60b。 其後,經由金屬線400連接彼此相鄰之發光單元之電極襯 墊60b以及60a (見圖7)。可經由空橋製程或階梯覆蓋製 程形成金屬線400。 參看圖14 ’在形成光導部分5〇〇之後,藉由將抗光反 射物質濺鍍在光導部分500上而形成抗光反射層70 (其覆 蓋除外圓周部分之外的光導部分表面),以便增加入射於光 導部分500上的光的光透射率。抗光反射物質可為Si〇2、 A1203或Si3N4 ’且抗光反射層7〇之厚度可為λ/4η。此 處,λ為入射自與光導部分相鄰之發光單元2〇〇之光的波 長,且η為抗光反射物質之折射率。 雖然如在前述實施例中已描述的,在形成透明電極層 40之後形成光導部分500,但顯然可在形成半導體層3〇 之後形成光導部分500。 θ 發明模式 在下文中,將參看圖15以及圖16描述本發明之第二 實施例之AC發光聚置。與本發明之前述第一實施例相同 之組件(意即’基板、第-以及第二電極,以及第一以及 第二結合婦)將使賴本發明的前_—實施例中相同 的參考k號。然而,根據與萷述實施例相反之用法,夢由 將金屬線之參考標號劃分為“400a”、“4〇〇b”、“4〇〇e,,、load,, 以及“她’’而加以使用。將藉由使用以下組態完成本發明 之第二實施例:其中發光單元之—者中的―電極經由如圖 21 1316770 21534pif 2 ^及圖3中所示的兩個金屬線連接至與發光單元200中 的该者相鄰的其他兩個發光單元的電極。 具右f看圖15以及圖16 ’該實施例之AC發光二極體1 n發光單元200之至少一對第一陣列11以及第二陣列 此處,展示兩對陣列u以及13。該對陣列經對 彼此相鄰。 —圖16中所示之金屬線400a以及400b電連接配置於每 陣列兩端處的發光單元之間的發光單元2〇〇。此時,金 以以及4嶋將發光單元之一者中的第一電極50a 苐二電極50b電連接至與發光單元2⑻中的該者相鄰 兮發光ΐ元中一者的一第—電極5如以及與其相鄰的 =士固發光單元t另-者的一第二電極通,因而每一陣 4中之發光單元彼此連接。 於、j於連接第—陣列11之第二電極之金屬線4_與用 於、車3二陣列13的第—電極的金屬線4GQa相鄰,且用 一陣列11之第一電極之金屬線_a與用於連接 弟一陣列13的第二電極的金屬線4〇〇b相鄰。 如”中展示的,發光單元2〇〇經配置以使相同陣列 或13中所提供之發林元中之相鄰兩者的對】 m—電極伽或第:電極娜的類型,且第—陣 2以及第二_ 13中分別提供之發光單元中之:鄰: 者的對向電極為與第—電極他以及 同的類型。該類配置使得能读,入遥“二屬彼此不 易 于此減小金屬線之總長度且金屬線 22 •1316770 . 21534pif
舉例而言’在發光單元200中之一者具有沿第一陣列 11連續形成之第二電極50b以及第一電極50a的情況中, 與相同陣列11中之發光單元2〇〇中之該者相鄰的兩個發光 單元分別具有沿第一陣列11連續形成之第一電極5 〇 a以及 第一電極50b。因此,可減小用於連接相同陣列中之發光 單元200之金屬線4〇〇a以及4〇〇b的長度。此外,與第一 陣列11相鄰之第二陣列13之發光單元沿與第一陣列u 的發光單元相反之方向進行配置。換言之,第二陣列13 之一發光單元200 (其與第一陣列u之一發光單元2〇〇相 鄰,所述發光單元200沿第一陣列n依次具有第一電極 50a以及第二電極5〇b)經配置以沿第二陣列13依次具有 第二電極5〇b以及第一電極5〇a。 同時’金屬線400c以及400d分別將第一陣列丨丨之第 一,極50a與50a之間的配線連接電連接至第二陣列13 的苐一電極5〇b與50b之間的相鄰配線連接,且分別將第 一陣列〗1之第二電極50b與50b之間的配線連接電連接至 第二Ϊ列13的第一電極50a與他之間的相鄰配線連接。 對於别述配線連接之_電連接而言,金屬線條以及 4〇〇d分別將第一陣列u之發光單元2〇〇中每一者的 及第二電極5%連接至第二陣列13的發光單元 中母-者的相鄰第二電極5〇b以及第—電極5〇a U —陣列U之一發光單元中的第一電極5〇a以及第 與該發光單元相鄰的發光單元之第二電極观 、.生由孟屬線她彼此連接,且與第—㈣^中之該發光 23 1316770 21534pif 單TO相鄰的發光單元的第二電 該等發光單元相鄰的發光單元㈣陣列Μ與 400d彼此連接。料早凡的弟一電極池經由金屬線 可藉由將兩個金屬線連接至相應發光單元細之一個 電極50a或50b以及藉由將而初么屬括 #嚴开相n ,由將兩個金屬線連接至與該相應發 in 光料的電極而執行金屬線·、 在對Η 2 ^ 的前述配置。該等金屬線之連接已 在對圖2以及圖3之前述說明中進行了詳細描述。 在陳Π’結合襯墊300a以及3_可配置於基板⑽上, t Zu 13兩端附近。結合概塾3〇〇a以及3_將 體1連接至外界電源。結合觀塾30加以及 可經由接線(未圖示)連接至外界電源,或可覆晶接 合至待連接至外界電源之子基板。 、金^線400e可將結合襯墊3〇〇a以及3〇〇b與第一陣列 、及苐一陣列13兩端處之發光單元相連接。因此,一 ^列11以及13巾之發光單元彼此以曲折方式(zigzag) 運接以便在AC電源下驅動。 &一 ^據該實施例,由於第一陣列11以及第二陣列13之 發光單Ϊ彼此以曲折方式操作,故與先前技術中在基板上 於陣列單元中進行操作相比,該實施例之發光單元可發射 大致均勾之光。 同時’雖然該實施例_已描述陣列η以及13中之每 者兩端處的發光單元均經由金屬線4〇〇e連接至結合襯 塾 300 . a以及300b,但其不限於此,陣列兩端處的發光單 24 1316770 • 21534pif —而疋了在經由金屬線連接多個陣列之後連接至结合襯 塾。 、、’口 工業適用性
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並祚用以 限定本發明,任何熟習此技藝者’在不脫離本發明之精神 和範圍内,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ,'D 【圖式簡单說明】 圖1至圖4為說明可適用於根據本發明之AC發光二 極體之金屬配線配置的圖。 一 圖5為根據本發明之第一實施例之Ac發光二極體 電路圖。 圖6為根據本發明之第一實施例之Ac發光二極體 平面圖。 圖7為沿圖6中之線A_A截取之剖視圖。 圖8為沿圖6中之線B_B截取之剖視圖。 圖9以及圖1〇為說明可用於本發明之第一實施例中之 各種形式的光導部分的剖視圖。 圖11至圖14為說明用於製造圖5至圖10中所示之 AC發光一極體之方法的剖視圖。 圖15為根據本發明之第二實施例之AC發光二極體的 電路圖。 圖16為根據本發明之第二實施例之AC發光二極體的 平面圖。 25 1316770 21534pif 【主要元件符號說明】 I :發光二極體 II :第一陣列 13 :第二陣列 20 :缓衝層 30 :半導體層 31 : N-型半導體層 32 :作用層 33 : P-型半導體層 40 :透明電極層 50a :第一電極 50b :第二電極 60a、60b :電極概塾 70 :抗光反射層 100 :基板 200 :發光單元 300a :第一結合襯墊 300b :第二結合襯墊 400 :金屬線 400a :金屬線 400b :金屬線 400c :金屬線 400d :金屬線 400e :金屬線 26 1316770 21534pif 500 :光導部分
Cn、Dn、Επ、F” :圓圈 27
Claims (1)
13167¾ 4pif 爲第95129177號中文專利範圍無: /硌修(更)正替換 剷~~----- 頁 ~4正日期:98年5月14日 十、申請專利範圍: L 一種交流(AC)發光二極體,其包含: 基板; 結合襯墊,其位於所述基板上; 多個發光單元,其以矩陣形$配置在所述基板上;以 配線構件,其將所述結合襯墊與所述多個發光單元電 連接, 一其中所述配線構件包括多個金屬線,其將所述發光單 70中-者之-個電極與⑽於所述發群元中所述該者的 其他發光單元的多個電極連接。 2.如申請專利範圍第1項所述之交流(AC)發光二極 體,其中所述夕個金屬線將所述發光單元中一者之p_型電 極與相鄰於所述發光單元中所述該者的其他發光單元的電 極連接。 3·如申请專利範圍第丨項所述之交流(AC)發光二極 體,其中所述多個金屬線將所述發光單元中一者之N_型電 極與相鄰於所述發光單元中所述該者的其他發光單元的電 極連接。 4·如申請專利範圍第1項所述之交流(Ac)發光二極 體,其中所述結合襯墊與所述多個發光單元一起配置為所 述矩陣之元件。 5.如申請專利範圍第1項所述之交流(AC)發光二極 體,其中所述多個發光單元中之每一者具有p_型以及N_ 28 I316772Q 丨 34pif 僻^ 月,Vq修(更)正替換頁 二極且:所述多個發光單元中之兩 ί第1 :相鄰發光單元中-者之第二電極;以 單元中另=金屬線連接至所述兩個相鄰發光 體,4項所述之交流⑽發光二極 多個發光單元中之每一者具有p,以及n_ 一 ^以及第一電極,與具有為發光單元或結合襯 -件ξγϊ矩陣中兩個元件相鄰的發光單元具有:第 極金屬線連接至一相鄰發光單元之第二電 極或所述、'.„合襯墊;以及第二電極,其經由另一 接至另一相鄰發光單元之第—電極或所述結合襯墊/ .如冑請專利範目第丨項 ==:nr之每-者具有二 電極’與所述多個發光單元中之三 元相鄰之發光料具有:第—電極,其經由 2連接至所述三個相鄰發光單元中—者之第二電極;以 =電=其經由其他兩個金屬線連接至所述三 發先早7L中其他者之第一電極。 钟 髀申请專利範圍第4項所述之交流(AC)發光二極 體,其中所述多個發光單元中之每一 t第:電極以及第二電極,與結合襯Ϊ以及所述多個發 ^二中兩錄鮮元補之發林元具有:第-電極, 其及由-金屬線連接至所述兩個相鄰發光單元中一者之第 29 I3167HPif / 9¾修(更)正替換頁 二電極;以及第二電極,其經由其他兩個金屬線連接至所 述兩個鴻發光單元中另—者之第—電細及所述相鄰结 合襯墊。 9. 如申請專利範圍$丨項所述之交流(AC)發光二極 體,其中所述多個發光單元中之每—者具有p_型以及n_ 型之第-電極以及第二電極,與所述多個發光單元中四個 ,光單元相鄰之發光單元具有:第—電極,其經由兩個金 屬線連接至所述四個相鄰發光單元中兩者之第一電極;以 及第二電極’其經由其他兩個金屬線連接至所述四個相鄰 發光單元中其他者之第二電極。 10. 如申請專利範圍第4項所述之交流(AC)發光二極 體,其中所述多個發光單元中之每一者具s p_型以及N_ 型=第I極以及第二電極,與結合襯塾以及所述多個發 光單元中三個發光單元相鄰之發光單元具有:第一電極, 其經由兩個金屬線連接至所述三個相鄰發光單元中兩者之 第二電極;以及第二,其經由其他兩個金屬線連接至 所述三個相鄰發光單元中另—者之第—電極以及所述結合 襯墊。 η·如申請專利範圍帛丨韻述之交流(AC)發光二極 體,其更包含光導構件’所述光導構件形成為所述矩陣之 元件以便將發射自與所述絲構件相鄰之所述多個發光單 元的光聚焦且將所述光放射至外界。 12.如申請專利範㈣n項所述之交流(ac)發光二極 體,其中所述光導構件由㈣定間隔酬配置之多個光導 30 I3167^Q34pif 噙年:Plf#修(更)正替換頁 部分組成。 n.如申請專利範圍第1項所述之交流(AQ發光二極 體,其中所述多個金屬線經由空橋製程或階梯覆蓋製程形 成。 14.如帽專利範圍第1項所述之交流(AC)發光二極 體’其中所述多個發光單元包括第一陣列以及第二陣列之 至』-對陣列’且所述多個金屬線包含:將相同第一陣列 或第二陣射所提供之所述發光單元巾轉兩者的相同類 型的電極連接之金屬線,以及將所述第一陣列以及第二陣 列中分別提供之所述發群財轉兩者的第-電極 二電極連接的金屬線。 〃 15·如申請專利範圍第14項所述之交流(AC)發光二極 體,其中所述結合襯墊分別配置於所述對陣列之兩端附 近,且經由所述多個金屬線中之某些電連接至所述對陣列 之所述兩端處所提供的所述發光單元。 16. 如申請專利範圍第15項所述之交流(Ac)發光二極 體,其中所述相同陣列中之所述發光單元中相鄰兩者的兩 個對向電極相同為所述第一電極或第二電極。 17. 如申請專利範圍第π項所述之交流(Ac)發光二極 體三其中所述第一陣列以及第二陣列中分別提供之所述發 光單元中相鄰兩者的兩個對向電極為彼此不同的第一電極 以及第二電極。 18· 一種製造AC發光二極體之方法’其包含如下步 準備基板·, 31 I3167lPif 在所述基板上形成結合襯墊以及多個發光單元,所述 多個發光單元以矩陣形式配置;以及 經由多個金屬線將所述結合襯墊與所述多個發光單元 電連接,所述多個金屬線包含至少兩個金屬線,其將所述 發光單元中一者之一個電極與相鄰於所述發光單元中所述 該者的其他所述發光單元的多個電極連接。 19.如申請專利範圍第18項所述之製造發光二極 體之方法,其更包含至少一個光導部分,所述光導部分進 一步形成為所述矩陣之元件,以便將發射自與所述至少〆 個光導部分相鄰之所述多個發光單元的光聚焦且將所述光 放射至外界。 2〇.如申請專利範圍第19項所述之製造AC發光二極 體之方法’其衫佩導部分形成為以歡咖規則配置。 .、如申請專利範圍第18項所述之製造ac發光二極 製’其中所述多個金屬線經由空橋製程或階梯覆蓋 夕2申請專利範圍第18項所述之製造ac發光二極 及第其中形賴述多個發光單元输成第—陣列以 及第-陣列之至少-對陣列,且所述多個單 =陣列以及第二陣列每-者中所提供之所述;: 電 連Π兩ί的相同類型的電極連接的第-金屬線進行 ί政由將所述第—陣列以及第二陣列中分別接L 屬線4=鄰兩者的第一電極與第二電極連接的金 32 I3l6772Q34pif T年0修(更)正替換胃 23·如申請專利範圍第22項所述之製造AC發光二極 體之方法,其中所述結合襯墊形成為分別犯置於所述對陣 列之兩端附近,且在所述對陣列之所述兩端處提供之所述 結合襯墊以及所述發光單元經由不同金屬線連接。 24. 如申請專利範圍第22項所述之製造AC發光二極 體之方法,其中所述相同陣列中提供之所述發光單元中相 鄰兩者經配置以使得相同.類型的電極面向彼此。 25. 如申請專利範圍第24項所述之製造Ac發光二極 體之方法i其巾所述第-陣列以及第K巾分別提供之 光單元巾相鄰兩者經配置减料_型的電^面 33
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