CN115394895A - 一种倒装发光二极管及照明装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种倒装发光二极管及照明装置，该发光二极管位于第一绝缘层上的第一连接电极或第二连接电极具有电极通孔，且该电极通孔被第二绝缘层填充。在用顶针作用于发光二极管正中心时，顶针作用于电极通孔的所在区域，会直接作用于第二绝缘层。由于该电极通孔中去除了金属，从而避免了顶针作用至金属电极时对第二绝缘层形成拉扯造成破坏，进一步避免绝缘层破裂造成的芯片失效问题。同时本发明还对电极布置做了进一步改进，从而实现更好的扩展电流，使电流扩散分布分散，使发光二极管芯片发光均匀，进一步提高了发光二极管芯片的发光亮度和可靠性。

Description

一种倒装发光二极管及照明装置

技术领域

本发明涉及半导体发光器件领域，特别是涉及一种倒装发光二极管及照明装置。

背景技术

倒装芯片具有免打线、高光效、散热性好等优点，作为未来的发展趋势而被广泛关注和开发。倒装芯片的出光面为蓝宝石衬底，目前的倒装发光二极管芯片，需要在外延层上形成Ag反射镜或DBR反射镜作为反射层，其中DBR反射镜相对于Ag反射镜的反射率虽然低一点，但是其材料为氧化物的绝缘性材料，化学性质稳定，长期使用可靠性高。

以DBR反射镜作为反射层的倒装发光二极管，又可以细分为两种，一种是适用于小尺寸的芯片，DBR反射层作为绝缘保护层，第一焊盘和第二焊盘直接形成在DBR的表面上；另外一种是适用于大尺寸的芯片，DBR反射层上形成有电性相反的电极层(如第一电极和第二电极)，电极层上还有一层绝缘层，例如氧化硅层作为绝缘层，同时起到保护作用，然后氧化硅层上设置第一焊盘和第二焊盘，分别与第一电极和第二电极电连接。第二种大尺寸芯片在大功率照明、背光、车用等领域运用更加合适。

针对第二种芯片，在对芯片进行转移过程中，需要用顶针去作用于芯片的第一焊盘与第二焊盘之间的绝缘层上，以实现转移。由于绝缘层的脆性，若顶针顶的位置存在绝缘层厚度不足，容易导致绝缘层破裂。即使设置了应力缓冲层，如金属层，金属层容易将绝缘层拉扯破裂，从而导致芯片在使用过程中失效。如图1所示，顶针30顶在发光二极管的中间区域时，由于顶针30作用区域的下方有第一电极11，第一电极11在其压力作用下会产生弯曲形变，进而拉扯第二绝缘层104，尤其会对第二绝缘层产生形变甚至裂隙，如图2所示，该裂隙会使密封失效，进入的水汽会引起短路等故障，最终导致发光二极管损坏。

需要说明的是，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种倒装发光二极管，用于解决现有技术中顶针作用时电极对绝缘层造成破坏的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种倒装发光二极管，所述发光二极管包括：

发光外延层；

第一绝缘层，覆盖在所述发光外延层上方以及侧壁周围，所述第一绝缘层具有多个通孔；

电性相反的第一连接电极和第二连接电极，位于所述第一绝缘层上，并填入所述第一绝缘层的通孔以电连接至所述发光外延层；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述发光外延层上方及侧壁周围，并且覆盖住所述第一连接电极、第二连接电极以及第一绝缘层；

其中，所述第一连接电极或者第二连接电极具有一个电极通孔，所述的电极通孔的底部为所述第一绝缘层，所述第二绝缘层还填充至所述电极通孔；并且从上往下俯视所述发光二极管，所述电极通孔位于所述发光二极管正中心。

可选地，所述电极通孔为圆形，其半径大小为10-100微米。

可选地，所述第二绝缘层的厚度为0.1～1.5微米。

可选地，所述第一绝缘层的厚度为2微米以上。

可选地，还包括第一焊盘和第二焊盘，位于所述第二绝缘层上，并填入所述第二绝缘层的多个通孔以分别电连接所述第一连接电极和第二连接电极。

可选地，还包括第一接触电极和第二接触电极；多个所述第一接触电极、多个所述第二接触电极位于所述第一绝缘层下，所述第一连接电极填入所述第一绝缘层的通孔连接多个所述第一接触电极，所述第二连接电极填入所述第一绝缘层的通孔连接多个所述第二接触电极。

可选地，从所述发光二极管的上方俯视所述发光二极管，所述第一连接电极环绕所述第二连接电极设置。

可选地，所述第二连接电极的形状为两个相对宽的区域以及处于两个相对宽的区域之间的相对窄的区域，相对窄的区域连接两个相对宽的区域。

可选地，所述第二连接电极的相对窄的区域位于所述发光二极管的中心位置并形成有所述电极通孔用于顶针作用区域。

可选地，所述第一连接电极及第二连接电极均为呈一条中心轴线的对称分布。

可选地，所述第一焊盘的垂直投影面积的至少50％落入所述第二连接电极的所述的一个相对宽的区域，所述第二焊盘的垂直投影面积的至少50％落入所述第二连接电极的另外一个相对宽的区域。

可选地，所述发光外延层包括依次叠置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。

可选地，所述第一接触电极和第二接触电极均分散到多处；所述第一接触电极包括位于所述发光外延层的外围的第一导电类型半导体层的多处以及位于所述发光外延层内部的孔内的多处的第一导电类型半导体层的表面；所述第二接触电极为多处，位于所述第二导电类型半导体层的上面。

本发明还提供一种照明装置，所述照明装置包括如上所述的发光二极管。

如上所述，本发明提供一种倒装发光二极管及照明装置，该发光二极管位于第一绝缘层上的第一连接电极或第二连接电极具有电极通孔，且该电极通孔被第二绝缘层填充。在用顶针作用于发光二极管正中心时，顶针作用于电极通孔的所在区域，会直接作用于第二绝缘层。由于该电极通孔中去除了金属，从而避免了顶针作用至金属电极时对第二绝缘层形成拉扯造成破坏，进一步避免绝缘层破裂造成的芯片失效问题。同时本发明还对电极布置做了进一步改进，从而实现更好的扩展电流，使电流扩散分布分散，使发光二极管芯片发光均匀，进一步提高了发光二极管芯片的发光亮度和可靠性。

附图说明

图1显示为现有技术中发光二极管结构示意图。

图2显示为现有技术中顶针作用下发生裂隙的电镜照片。

图3显示为本发明中发光二极管的结构示意图。

图4显示为本发明中发光二极管划分第一区及第二区的俯视示意图。

图5显示为在第二区形成透明导电层的俯视示意图。

图6显示为形成第一接触电极及第二接触电极的俯视示意图。

图7显示为形成第一互连电极及第二互连电极的俯视示意图。

图8显示为形成第一焊盘及第二焊盘的俯视示意图。

元件标号说明

11 第一电极

12 第一焊盘

21 第二电极

22 第二焊盘

23 透明导电层

24 阻挡层

30 电极通孔

50 顶针

101 衬底

102 发光外延层

103 第一绝缘层

104 第二绝缘层

110 第一台面

111 第一接触电极

112 第一连接电极

211 第二接触电极

212 第二连接电极

100 第一区

200 第二区

1001 第一外分区

1002 第一内分区

2001 第二子分区

2002 中心区

1021 第一导电类型半导体层

1023 有源层

1022 第二导电类型半导体层

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一

如图3所示，本发明提供一种倒装发光二极管，具体包括：

发光外延层102；

第一绝缘层103，覆盖在所述发光外延层102上方以及侧壁周围，所述第一绝缘层103的厚度为1微米以上，具有多个通孔；

电性相反的第一连接电极112和第二连接电极212，位于所述第一绝缘层103上，并填入所述第一绝缘层103的通孔以电连接至所述发光外延层102；

第二绝缘层104，所述第二绝缘层104覆盖在所述发光外延层102上方及侧壁周围，并且覆盖住所述第一连接电极112、第二连接电极212以及第一绝缘层103，所述第二绝缘层具有多个通孔，所述第二绝缘层104的厚度为0.1～1.5微米之间；

第一焊盘12和第二焊盘22，位于所述第二绝缘层104上，并填入所述第二绝缘层104的多个通孔以分别电连接所述第一连接电极112和第二连接电极212；

其中，所述连接电极112或者第二连接电极212具有一个电极通孔30，所述的电极通孔30的底部为第一绝缘层103，所述第二绝缘层104还填充至所述电极通孔30；并且从上往下俯视所述发光二极管，所述电极通孔30位于所述发光二极管正中心。

具体地，所述发光外延层102包括依次叠置的第一导电类型半导体层1021、有源层1023和第二导电类型半导体层1022，第一电极11与所述第一导电类型半导体层1021电连接，第二电极21与第二导电类型半导体层1022电连接，第一电极11包括第一连接电极112及第一接触电极111，第二电极21包括第二连接电极212及第二接触电极211。所述发光外延层102形成于衬底101上，所述衬底可以是透明材料或者半透明材料或者非透明材料所制成。例如，可以是碳化硅、硅、镁铝氧化物、氧化镁、氮化镓、蓝宝石中的任一种。在本实施例中，衬底101优选为蓝宝石衬底。衬底101的上表面可以具有图形化结构(即图中示出的凸起)，该图形化结构可以提高构成所述发光外延层102的外部光提取效率和外延层晶体质量。作为示例，衬底101上表面的图形化结构可以形成为各种形状，例如圆锥、三角锥、六角锥、类圆锥等。

作为示例，所述第一导电类型半导体层1021与第二导电类型半导体层1022的导电类型不同，可以是n型或p型，例如，所述第一导电类型半导体层1021为n型、第二导电类型半导体层1022为p型。所述有源层1023为发生辐射复合的发光层，可以是单量子阱层或多量子阱层。所述有源层1023的发光波长可以是可见光范围，如红光、绿光、蓝光，也可以是不可见光范围，如红外光，此处不作限制。本实施例所述第一导电类型半导体层1021为n型、第二导电类型半导体层1022为p型。自然的，第一电极11为n电极，第二电极21为p电极。

所述第一电极11电连接于所述第一导电类型半导体层1021表面的第一台面110，所述第一台面110也被称为MESA，是发光二极管中较为常见的结构，其通常是在外延完成后，通过刻蚀所述有源层1023及第二导电类型半导体层1022的部分区域后获得。该第一台面110使部分的第二导电类型半导体层1022及有源层1023被移除，露出部分第一导电类型半导体层1021的上表面。该第一台面110可以是多个，且所述第一台面110可以位于所述发光外延层102的内部，或者位于所述发光外延层102的边缘区域，或者同时位于发光外延层102的的内部和边缘区域以用作电极连接。

进一步地，所述第一电极11包括第一接触电极111及第一连接电极112，所述第二电极21包括第二接触电极211和第二连接电极212。作为示例，所述第一接触电极111和第二接触电极211可以是金属电极，例如，镍、金、铬、钛、铂、钯、铬、依、铝、锡、铟、但、铜、钻、铁、钉、错、钨、钼中的一种或任意种的组合；也可以是透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃(AZO)等。作为优选方案，所述第一接触电极111和第二接触电极211均包括底层(例如为Cr)、底层上的反射层(例如Al)和反射层上的保护层(如Ti、Pt或者Ni等)。所述的底层可保证接触电极与发光外延层102的欧姆接触效果，并且所述底层的厚度为10nm以内，由此避免对反射率的影响。所述第一接触电极111和第二接触电极211均可以是多个，通过所述第一连接电极112及第二连接电极212实现各个接触电极的供电。

所述第一连接电极112及第二连接电极212可以为由钛、铜、铬、镍、金、铂、铝、氮化钛、氮化钽或者钽等中的至少一种材料所制成的单层或者多层。多个所述第一接触电极111、多个所述第二接触电极211位于所述第一绝缘层103下，所述第一连接电极112填入所述第一绝缘层103的通孔连接多个所述第一接触电极111，所述第二连接电极212填入所述第一绝缘层103的通孔连接多个所述第二接触电极211，所述电极通孔30则位于所述第一连接电极112或第二连接电极212的位于所述第一绝缘层上表面的部分。优选的，所述第一连接电极112和第二连接电极212具有反射金属层，能够对有源层1023辐射的光进行有效反射，反射金属层，如铝层。

具体地，所述第一连接电极112或者第二连接电极212具有一个电极通孔，所述的电极通孔的底部为第一绝缘层103，且所述第二绝缘层104填充所述电极通孔；并且从上往下俯视所述的发光二极管，所述电极通孔位于所述的发光二极管正中心，所述电极通孔优选为圆形、或者方形，其半径大小为10-100μm，例如半径大小为10-50半径，优选为半径大小35μm。在用顶针作用于所述的发光二极管正中心时，所述顶针作用于所述电极通孔的所在区域，会直接作用于第二绝缘层。由于该电极通孔中去除了金属，从而避免了顶针作用至金属电极(第一电极11或第二电极21)时对第二绝缘层104形成拉扯造成破坏，进一步避免绝缘层破裂造成的芯片失效问题。

同时，第一连接电极112和第二连接电极212组合几乎整面的位于发光外延层102上方，结合所述第一连接电极112和第一连接电极212具有反射金属层的设计，能够对有源层1023辐射的光进行有效反射。通过在第一连接电极112或者第二连接电极212上开孔的方式，可以实现因为顶针作用区域牺牲的在第一绝缘层103上方的金属电极的面积最小化，从而提升亮度。

进一步地，所述第二电极21与所述发光外延层102(第二导电类型半导体层1022)之间还设有阻挡层24及透明导电层23，所述阻挡层24夹设于所述发光外延层102与所述透明导电层21之间。所述第二接触电极211与所述阻挡层24(又称CB，即current block)上下对应，即所述第二接触电极在所述阻挡层24上的投影位于所述阻挡层24内部；所述阻挡层用作阻挡电流，避免电流拥挤在所述第二电极21的正下方，使电流四散开来；所述透明导电层23则作为电流流经的通道，通过这样的设计使电流通过所述透明导电层23流经整个所述第二导电类型半导体层1022的表面，避免出现电流拥挤，保证电流在所述第二导电类型半导体层1022的表面尽可能的扩展开来，以提高发光效率。作为示例，所述阻挡层24可以是SiO₂、Si₃N₄、SiON或者它们的复合结构。所述透明导电层23可包括铟锡氧化物(ITO)、掺锌铟锡氧化物(ZITO)、锌铟氧化物(ZIO)、镓铟氧化物(GIO)、锌锡氧化物(ZTO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)中的至少一种。本实施例中所述透明导电层2340优选为采用蒸镀或溅镀工艺形成的ITO(铟锡氧化物半导体透明导电膜)层。

进一步地，所述第一绝缘层103具有反射功能，用于对所述有源层1023发出的光线进行反射，使光线从所述衬底表面出射。所述第一绝缘层103可以是DBR或ODR(Ag反射镜)两种结构。作为示例，所述第一绝缘层103包括SiO₂、SiN、SiOxNy、TiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiN、AlN中的至少一种。本实施例中以DBR结构为例，DBR(distributed Bragg reflection)又叫分布式布拉格反射镜，是由两种不同折射率的材料以ABAB的方式交替排列组成的周期结构，例如可以是TiO₂、SiO₂两种材料的交替排列。所述第一绝缘层103选择DBR层时，厚度优选是1微米以上。与所述第一绝缘层103类似，所述第二绝缘层104同样具有反射功能，可以是DBR或ODR(Ag反射镜)两种结构。此外，所述第一绝缘层103及第二绝缘层104还需确保具有较好的绝缘性能，以阻隔发光二极管中不同的导电材料，如P金属、N金属。

进一步地，所述第一焊盘12和第二焊盘22自下至上可包括黏附层、反射层、应力缓冲层、共晶层以及表层，其中，黏附层优选为铬或者钛层，其用于第一焊盘12和第二焊盘22与第二绝缘层104的黏附；反射层优选为铝层，应力缓冲层可以是钛/铝/钛/铝/钛/铝的重复叠层。共晶层可以为镍层与铂层的组合，或者更优选的共晶层为镍层，镍层能够保证足够的共晶能力，但其应力较大，因此需要前述中的应力缓冲层，此外，镍层能够在焊盘与电路板焊接时起到阻隔作用，防止焊接时焊接材料破坏下层的反射层及应力缓冲层；表层可以是锡层或者金锡层或者金层，以防止表面氧化。

实施例二

本实施例同样提供一种倒装发光二极管，在实施例一的结构基础上，本实施例主要针对电极设置做出改进，所述发光二极管的具体结构包括：

参阅图4并结合图3，为便于理解将所述发光二极管进行划区，从所述发光二极管的上方俯视所述发光二极管，所述发光二极管包括第一区100和第二区200，所述第一区100包括第一外分区1001和第一内分区1002，所述第一外分区1001环绕于所述第二区200的外围，所述第二区200包括2个沿第一方向排布的第二子分区2001及连接相邻所述第二子分区2001的中心区2002。所述第一内分区1002沿第二方向排布于所述中心区2002的两侧，所述第一方向与第二方向垂直。所述第一区100用于形成所述第一连接电极112，所述第二区200用于形成所述第二连接电极212，所述第一连接电极112环绕所述第二连接电极212设置。

参阅图6、图7并结合图3，所述第一区100的第一导电类型半导体层1021形成有第一台面110，所述第一接触电极111包括位于所述发光外延层的外围(即第一外分区1001)的第一导电类型半导体层的多处以及位于所述发光外延层内部的孔内(即第一内分区1002)的多处的第一导电类型半导体层的表面。所述第一接触电极111和第二接触电极211均分散到多处；所述第二接触电极211为多处，呈现圆形或者椭圆形，位于所述第二导电类型半导体层的上面。多个所述第一接触电极111位于第二接触电极211的周围，并且大部分数量的第一接触电极111位于边缘。

所述第二连接电极212的形状为两个相对宽的区域(即两个第二子分区2001)以及中间的相对窄的区域(即中心区2002)连接而成；相对窄的区域位于所述发光二极管的中心位置并形成有所述电极通孔30用于顶针作用区域。所述第一连接电极112及第二连接电极212均为呈一条中心轴线的对称分布，对应于图7中所示的左右对称分布，有利于电流分散的均匀性。

所述第二子分区2001形成有若干个呈阵列排布的第二接触电极211，所述第二连接电极212覆盖除去所述第二支部1122以外的第二区200以电连接各所述第二接触电极211。位于所述中心区2002的第二连接电极212形成有所述电极通孔30，所述电极通孔30优选为圆形。

进一步地，参阅图5并结合图3，所述第二区200的第二导电类型半导体层1022上形成有所述阻挡层24，所述第二接触电极211与所述阻挡层24上下对应，即所述第二接触电极在所述阻挡层24上的投影位于所述阻挡层24内部；所述第二区200的第二导电类型半导体层1022及所述阻挡层24上形成有透明导电层23；所述透明导电层23位于所述第二导电类型半导体层1022与所述第二接触电极211之间。

具体地，作为优选方案，第一接触电极111的大部分数量为椭圆形。

具体地，作为优选方案，所述第二接触电极211均为圆形，且均等分布，以使电流均匀扩展。优选的，发光二极管为正方形的芯片，每四个第二接触电极211组合呈一个正方形的图形。

应当理解的是，所述第一接触电极111与所述第二接触电极211互不接触，所述第一连接电极112与第二连接电极212互不接触，

进一步地，参阅图8并结合图3，所述第一焊盘12的垂直投影面积的至少50％及第二焊盘22的垂直投影面积的至少50％分别落入所述第二连接电极212的两个相对宽的区域(即第二子分区2001)。所述第一焊盘及第二焊盘也具有对称性，保证焊盘焊接至应用端的电路基板上时的稳固性，避免因两个焊盘的表面高度不均一而发生歪斜。自然地，所述第一焊盘12与所述第一连接电极112电连接，所述第二焊盘22与所述第二连接电极212电连接。

具体地，所述发光二极管的制备步骤包括：

首先刻蚀位于所述第一区100的有源层1023及第二导电类型半导体层1022，形成显露所述第一导电类型半导体层1021的第一台面110，然后于所述第二区200的第二导电类型半导体层1022上形成多个所述阻挡层24，所述阻挡层24优选为圆形，并呈阵列排布，如图4所示；

接着，于所述第二区200的第二导电类型半导体层1022及所述阻挡层24上形成透明导电层23，如图5所示；

接着，于所述第一区100的第一台面110上形成若干个第一接触电极111，于所述透明导电层23上形成第二接触电极211，所述第二接触电极211与所述阻挡层24上下对应，如图6所示；

接着，形成所述第一绝缘层103，于所述第一绝缘层103上形成第一连接电极112及第二连接电极212，且所述第一连接电极112及第二连接电极212填入所述第一绝缘层103的通孔，以分别对多个所述第一接触电极111及多个所述第二接触电极211形成互连，如图7所示；

接着，形成第二绝缘层104，于所述第二绝缘层104上形成第一焊盘12及第二焊盘22，且所述第一焊盘12及第二焊盘22填入所述第二绝缘层104的通孔，以分别对所述第一连接电极112及第二连接电极212形成电连接，如图8所示。

通过本实施例中对多个所述第一接触电极111位于第二接触电极211的周围，并且大部分的第一接触电极111位于边缘，多个所述第二接触电极211位于相对中心的区域，第一连接电极112围绕第二连接电极212设置，第一电极和第二电极的合理布置能够实现更好的扩展电流，使电流扩散分布分散，使发光二极管芯片发光均匀，进一步提高了发光二极管芯片的发光亮度。

需要说明的是，本实施例中的电极设计仅作为一种优选方案，对于本发明中发光二极管的电极设计并不局限本实施例中的结构，也可以是其他设置方式。

综上所述，本发明提供一种倒装发光二极管及照明装置，该发光二极管位于第一绝缘层上的第一连接电极或第二连接电极具有电极通孔，且该电极通孔被第二绝缘层填充。在用顶针作用于发光二极管正中心时，顶针作用于电极通孔的所在区域，会直接作用于第二绝缘层。由于该电极通孔中去除了金属，从而避免了顶针作用至金属电极时对第二绝缘层形成拉扯造成破坏，进一步避免绝缘层破裂造成的芯片失效问题。同时本发明还对电极布置做了进一步改进，从而实现更好的扩展电流，使电流扩散分布分散，使发光二极管芯片发光均匀，进一步提高了发光二极管芯片的发光亮度和可靠性。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (14)

1.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

发光外延层；

第一绝缘层，覆盖在所述发光外延层上方以及侧壁周围，所述第一绝缘层具有多个通孔；

电性相反的第一连接电极和第二连接电极，位于所述第一绝缘层上，并填入所述第一绝缘层的通孔以电连接至所述发光外延层；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述发光外延层上方及侧壁周围，并且覆盖住所述第一连接电极、第二连接电极以及第一绝缘层；

其中，所述第一连接电极或者第二连接电极具有一个电极通孔，所述的电极通孔的底部为所述第一绝缘层，所述第二绝缘层还填充至所述电极通孔；并且从上往下俯视所述发光二极管，所述电极通孔位于所述发光二极管正中心。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述电极通孔为圆形，其半径大小为10-100微米。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二绝缘层的厚度为0.1～1.5微米。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层的厚度为2微米以上。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

第一焊盘和第二焊盘，位于所述第二绝缘层上，并填入所述第二绝缘层的多个通孔以分别电连接所述第一连接电极和第二连接电极。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括第一接触电极和第二接触电极；多个所述第一接触电极、多个所述第二接触电极位于所述第一绝缘层下，所述第一连接电极填入所述第一绝缘层的通孔连接多个所述第一接触电极，所述第二连接电极填入所述第一绝缘层的通孔连接多个所述第二接触电极。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方俯视所述发光二极管，所述第一连接电极环绕所述第二连接电极设置。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第二连接电极的形状为两个相对宽的区域以及处于两个相对宽的区域之间的相对窄的区域，相对窄的区域连接两个相对宽的区域。

9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第二连接电极的相对窄的区域位于所述发光二极管的中心位置并形成有所述电极通孔用于顶针作用区域。

10.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第一连接电极及第二连接电极均为呈一条中心轴线的对称分布。

11.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，还包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘位于所述第二绝缘层上，并填入所述第二绝缘层的多个通孔以分别电连接所述第一连接电极和第二连接电极；所述第一焊盘的垂直投影面积的至少50％落入所述第二连接电极的所述的一个相对宽的区域，所述第二焊盘的垂直投影面积的至少50％落入所述第二连接电极的另外一个相对宽的区域。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延层包括依次叠置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。

13.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一接触电极和第二接触电极均分散到多处；所述第一接触电极包括位于所述发光外延层的外围的第一导电类型半导体层的多处以及位于所述发光外延层内部的孔内的多处的第一导电类型半导体层的表面；所述第二接触电极为多处，位于所述第二导电类型半导体层的上面。

14.一种照明装置，其特征在于：包括如权利要求1-13任一所述的发光二极管。

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