TWI316723B - - Google Patents

Description

1316723 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關在以晶片型所構成之絕緣基板的表面 形成阻抗膜所成的晶片阻抗器。 -> 【先前技術】 先前，此種類型之晶片阻抗器，係例如專利文獻1中 所記載，在以晶片型所構成之絕緣基板的兩端，設置有一 對之端子電極。於絕緣基板之上面，係以向絕緣基板之兩 端方向延伸的方式，形成有阻抗膜。 〔專利文獻1〕日本特開平8-213202號公報 端子電極，係經由：在絕緣基板之上面，以與阻抗膜 電性導通的方式所形成之上面電極；和形成於絕緣基板之 下面的下面電極；和在絕緣基板之端面，以和上面電極與 下面電極重疊一部份的方式所形成之側面電極來構成。在 上面電極、下面電極及側面電極的表面，係形成有銲錫電 鍍層。晶片阻抗器，係藉由將此一對之端子電極相對於印 刷基板而以銲錫接著來安裝。 於此晶片阻抗器中，在阻抗膜中之長度方向的一部份 ，係設置有修整（trimming)溝又或是切入溝。晶片阻抗 器，係經由修整溝等來將其阻抗値設定爲落在特定之容許 範圍之內。在阻抗膜之形成有修整溝的部分’寬幅尺寸係 變爲較其他部分更爲狹窄。 當此晶片阻抗器被通電時，雖然阻抗膜會發熱，但在 -4- (2) 1316723 通電時，於該阻抗膜中，主要會發熱的部分係爲因修整溝 而使寬幅尺寸變爲狹窄的部分。於此部分所產生的熱’會 被傳達至絕緣基板中兩端之端子電極，更具體而言，會被 傳達至上面電極，而後，經由側面電極及下面電極，傳達 至印刷基板。 亦即是，於此晶片阻抗器中，其阻抗膜所產生之熱的 向印刷基板之傳達，主要係依存於絕緣基板中長度方向的 熱傳導。因此，此晶片阻抗器，係具有以下問題：主要在 阻抗膜中之由於修整溝而使前述阻抗膜之寬幅尺寸變窄的 部分所產生的熱，其向印刷基板等之傳導性低，而使阻抗 膜之溫度變高。 【發明內容】 本發明，係鑑於此而考案所得，並以提供提高了熱傳 導性的晶片阻抗器爲課題。 藉由本發明之第1側面所提供的晶片阻抗器，其特徵 爲，具備有： 一對的端子電極’係被設置於被構成爲晶片型的絕緣 基板之兩端部；和 阻抗膜’其係在前述絕緣基板之上面，以與前述一對 之端子電極導通的方式被形成，且於其一部份，形成有用 以設定阻抗値之切入溝， 前述一對之端子電極，係包含有形成於前述絕緣基板 之下面的下面電極’前述下面電極之其中一方，係被延伸 -5- (3) 1316723 設置，直到前述阻抗膜的寬幅尺寸由於前述切入溝而變爲 狹窄之部分的正下方部位。 藉由本發明之第2側面所提供的晶片阻抗器，其特徵 爲，具備有： 一對的端子電極，係被設置於被構成爲晶片型的絕緣 基板之兩細部，和 阻抗膜，其係在前述絕緣基板之下面，以與前述一對 • 之端子電極導通的方式被形成，且於其一部份，形成有用 ' 以設定阻抗値之切入溝， • 前述一對之端子電極，係包含有形成於覆蓋前述阻抗 膜的覆蓋塗佈之表面的下面電極，前述下面電極之其中一 方，係被延伸設置，直到前述阻抗膜的寬幅尺寸由於前述 切入溝而變爲狹窄之部分的正下方部位。 較理想係爲藉由將前述下面電極以銲錫付著於安裝基 板，來安裝於前述安裝基板。 • 較理想係爲將前述切入溝，以接近於在前述阻抗膜之 長度方向之前述一對的端子電極的任一方而形成。 較理想，係爲將前述切入溝，在前述阻抗膜之長度方 向形成2個，將前述其中一方之端子電極的下面電極，延 伸設置至直到前述阻抗膜之寬幅尺寸由於前述2個的切入 溝之其中一方的切入溝而變爲狹窄的部分之正下方部位， 將前述另外一方之端子電極的下面電極，延伸設置至直到 前述阻抗膜之寬幅尺寸由於前述2個的切入溝中之另外一 方的切入溝而變爲狹窄的部分之正下方部位。 (4) 1316723 【實施方式】 以下，針對本發明之實施例，參考圖面而作具體說明 。另外，於此些圖面中相同又或是類似的構件，係以相同 之參考符號來表示。 圖1及圖2，係展示本發明之第1實施例的晶片阻抗 器1之圖。 此晶片阻抗器1，係在以晶片型（俯視時具有長方形 形狀的薄板）所構成之絕緣基板2的兩端，設置有一對的 端子電極4、5。一對之端子電極4、5，係經由形成於絕 緣基板2之上面的上面電極4a、5a，和形成於絕緣基板2 之下面的下面電極4b、5b;和在絕緣基板2之左右兩端面 2a、2b上’以導通上面電極4a、5a及下面電極4b' 5b的 方式，所形成的側面電極4 c、5 c所構成。 於絕緣基板2之上面’係以向絕緣基板2之長度方向 延伸的方式’形成有阻抗膜3。阻抗膜3，其兩端係與上 面電極4a、5a導通。於絕緣基板2之上面，係形成有覆 蓋塗布6，其係由玻璃等所形成，並被覆阻抗膜3之全體 。另外，雖未圖示’但在上面電極4a、5a，下面電極4b 、5b，以及側面電極4c、5c的表面，形成有銲錫電鍍層 於阻抗膜3’係在其長度方向之一部分，形成有修整 溝3 a (又或是切入溝）。阻抗膜3，係經由修整溝3 a來 將其阻抗値設疋爲洛在特定之容許範圍之內。在阻抗膜3 之形成有修整溝3 a的部分，寬幅尺寸係變爲較其他部分 (5) 1316723 更爲狹窄。以下，將阻抗膜3之寬幅尺寸較爲狹窄的部分 ’稱爲「狹小部分8」。另外，修整溝3 a，係在阻抗膜3 形成後’藉由刻入設置而形成。或是，修整溝3 a，係藉由 在將阻抗膜3以網版印刷形成時同時設置而形成。 其中一方的下面電極5b，係以與阻抗膜3之上面電極 5a幾乎相同的長度而被形成。另外一方的下面電極4b， 係較上面電極5 a更長，而被延伸設置至阻抗膜3之狹小 部分8的正下方爲止。亦即是，下面電極4b，其朝向阻抗 膜3之長度方向的(長度尺寸L，係形成爲較下面電極5b 更長。 晶片阻抗器1，係如圖2所示，藉由將於其兩端之端 子電極4，5的側面電極4c、5c與下面電極4b、5b，焊接 於印刷基板7之電極墊片7a、7b，而安裝於印刷基板7。 於此焊接安裝的狀態下，若是將晶片阻抗器1通電， 則阻抗膜3之狹小部分8會發熱。於狹小部分8所產生的 熱，會於絕緣基板2之長度方向朝向兩端之上面電極4a、 5a傳導，並從此些之上面電極4a、5a，經由側面電極4c 、5c及下面電極4b、5b，傳導至印刷基板7。又，在狹小 部分8所產生的熱，會透過絕緣基板2而於其厚度方向朝 向位置於正下方之下面電極4b而傳導，並從此下面電極 4b而傳導至印刷基板7。因此，主要於阻抗膜3之狹小部 分8所產生的熱’其朝向印刷基板7的傳導性，相較於未 將下面電極4b延伸設置的情況，亦即是，將下面電極4b 之長度方向的長度設爲和上面電極4a之長度幾乎相同的 -8- (6) 1316723 構成之晶片阻抗器，係大幅提昇。 另外，相對於下面電極4b之印刷基板7的電極墊片 7a，係如圖2所示，只要以能與下面電極4b之全體接觸 的大小來形成即可。藉由此，能更加提高對印刷基板7之 熱傳導性。 圖3，係展示本發明之第2實施例的晶片阻抗器1 A 之立體圖。 晶片阻抗器1 A，其阻抗膜3之修整溝3 a係被設置於 端子電極4的附近。藉由此，狹小部分8，係成爲位於端 子電極4的附近。下面電極4b，係延伸出至狹小部分8之 正下方部位爲止。其他之構成，係和第1實施例相同。 若藉由此晶片阻抗器1A，則可將上面電極4b之於阻 抗膜3的長度方向之長度尺寸，從第1實施例的晶片阻抗 器1中之長度L縮短至長度L1。亦即是，能夠縮短將狹 小部分8位置於端子電極4的附近所減短的距離。因此， 能減少構件所需材料，能達成構件之輕量化與低價化。另 外’不用說’亦可將阻抗膜3之修整溝3a設置於端子電 極5附近之部粒，而將下面電極5b之朝向阻抗膜3的長 度方向之長度尺寸，延伸至狹小部分8的正下方的部位爲 止。

圖4’係展示本發明之第3實施例的晶片阻抗器1B 之圖。 此第3實施例的晶片阻抗器丨b，係在阻抗膜3之2 個場所設置有修整溝3a。藉由此，狹小部分8，係成爲形 -9- (7) 1316723 成在阻抗膜3之長度方向的2個場所。 端子電極4之下面電極4b，係延伸設置至2個場 狹小部分8之中其中一方的狹小部分8之正下方部位 。端子電極5之下面電極5b，係延伸設置至2個場所 小部分8之中另外一方的狹小部分8之正下方部位爲 其他之構成，係和第1實施例相同。 若藉由此晶片阻抗器1B，則能將阻抗膜3之發 散至兩處的狹小部分8，將所產生的熱，經由位於挾 緣基板2的狹小部分8之正下方的下面電極4b、5b， 速的傳導至印刷基板7。故而，能將阻抗膜3之溫度 降低。 另外，於此第3實施例之晶片阻抗器1B中，亦 第2實施例之晶片阻抗器1B —般，將狹小部分設置 端子電極4、5之附近的部位。 圖5及圖6，係展示本發明之第4實施例的晶片 器1C之圖。 於此晶片阻抗器1C中，設置於絕緣基板2之兩 —對之端子電極4、5，係經由形成於絕緣基板2之下 下面電極4b、5b;和在絕緣基板2之左右兩端面2a 上，以導通下面電極4b、5b的方式，所形成的側面 4c、5c所構成。晶片阻抗器1C，係和第1實施例的 阻抗器1不同’並未形成有上面電極4a、5a° 於絕緣基板2之下面，係以向絕緣基板2之長度 延伸的方式，形成有阻抗膜3。阻抗膜3，其兩端係 所的 爲止 的狹 止。 熱分 持絕 而迅 更爲 可如 於兩 阻抗 端的 面的 ' 2b 電極 晶片 方向 與下 -10- (8) 1316723 面電極4b、5b導通。於阻抗膜3之表面，係形成有將其 被覆的覆蓋塗布9，其係由玻璃等所形成。 於端子電極4，係以覆蓋下面電極4b及覆蓋塗布9之 表面的方式，設置有補助電極10。於端子電極5，係以覆 蓋下面電極5b及覆蓋塗布9之表面的方式，設置有補助 電極1 1。 其中一方的補助電極11’係以與阻抗膜3之下面電極 5b幾乎相同的長度而被形成。另外一方的補助電極1〇， 係較下面電極4b更長，而被延伸設置至與阻抗膜3之狹 小部分8對向的位置爲止。亦即是，補助電極i 〇 ,其朝向 阻抗膜3之長度方向的長度尺寸L2，係形成爲較補助電 極1 1更長。 另外，於補助電極1〇，11的表面，雖未圖示，但形 成有用以使銲錫焊接更爲容易的銲錫等之金屬電鍍層。故 而，補助電極1 〇，1 1，係作爲用以將晶片阻抗器1 c銲錫 於印刷基板7的電極而起功用。 晶片阻抗器1C，係如圖5所示，在將其阻抗膜3朝 向下方的狀態下，藉由將兩端之端子電極4’ 5的側面電 極4c、5 c與補助電極1 〇、1 1，焊接於印刷基板7之電極 墊片7a、7b，而安裝於印刷基板7。此時，兩補助電極10 ，11之中的至少覆蓋在覆蓋塗布9之表面的部分’係與印 刷基板7中之電極7a' 7b接觸。 若將晶片阻抗器1 C通電，則在阻抗膜3之狹小部分 8會產生熱。於狹小部分8所產生的熱’會箱由補助電極 -11 - (9) 1316723 10之與覆蓋塗布9的表面重疊之部分相對於印刷基板7有 接觸又或是接近一事，經由補助電極10之延伸設置至狹 小部分8爲止的部分，迅速的傳導至印刷基板7。因此， 主要於阻抗膜3之狹小部分8所產生的熱之向印刷基板7 的傳導性，和採用先前之構成的晶片阻抗器相較，能大幅 的提高。 圖7及圖8，係展示本發明之第5實施例的晶片阻抗 器1D之圖。 此晶片阻抗器1D，其阻抗膜3之修整溝3a係被設置 於端子電極4的附近。藉由此，狹小部分8，係成爲位於 端子電極4的附近。補助電極1 0，係被延伸設置至阻抗膜 3之狹小部分8爲止。其他之構成，係和第4實施例相同 〇 若藉由此晶片阻抗器1D，則可將補助電極10之於阻 抗膜3的長度方向之長度尺寸，從第4實施例的晶片阻抗 器1C中之長度L2縮短至長度L3。亦即是，能夠縮短將 狹小部分8位置於端子電極4的附近所減短的距離。因此 ，能減少構件所需材料，能達成輕量化與低價化。另外， 不用說，亦可將阻抗膜3之修整溝3a設置於端子電極5 附近之部位，而將補助電極11之朝向阻抗膜3的長度方 向之長度尺寸，延伸至狹小部分8爲止。 圖9及圖1 〇，係展示本發明之第6實施例的晶片阻抗 器1E之圖。 此第6實施例的晶片阻抗器1E，係在阻抗膜3之2 -12- (10) 1316723 個場所設置有修整溝3 a。藉由此，狹小部分8，係成爲形 成在阻抗膜3之長度方向的2個場所。 補助電極1 〇 ’係被延伸設置至兩個場所的狹小部分8 中之其中一方的狹小部分8爲止。補助電極11，係被延伸 設置至兩個場所的狹小部分8中之另外一方的狹小部分8 爲止。其他之構成，係和第4實施例相同。 若藉由此晶片阻抗器1 E，則能將阻抗膜3之發熱分 散至兩處的狹小部分8，將所產生的熱，經由挾持覆蓋塗 布9而位於與印刷基板7之間的兩補助電極10、11，而迅 速的放熱至印刷基板7。故而，能將阻抗膜3之溫度更爲 降低。 另外，於此第6實施例之晶片阻抗器1 E中，亦可如 第5實施例之晶片阻抗器1D —般，將狹小部分8設置於 兩端子電極4、5之附近的部位。 本發明，係不被上述之實施形態的內容所限定。舉例 而言，對於在1個的絕緣基板上形成複數個的阻抗膜，和 對於此些各阻抗膜之兩端形成有一對之端子電極所成的多 連晶片阻抗器，亦同樣可適用本發明。 有關於本發明之晶片阻抗器的各部之具體構成，只要 在不從發明之思想脫離的範圍內，則可自由作各種的設計 變更。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕展示本發明之第1實施例的晶片阻抗器之立 -13- 1316723 (11) 體圖。 〔圖2〕圖1之11 - π的剖面圖。 〔圖3〕展示本發明之第2實施例的晶片阻抗器之立 體圖。 〔圖4〕展示本發明之第3實施例的晶片阻抗器之立 體圖。 〔圖5〕展示本發明之第4實施例的晶片阻抗器之縱 斷正面圖。 〔圖6〕圖5所展示之晶片阻抗器的一部份切口底面 圖。 〔圖7〕展示本發明之第5實施例的晶片阻抗器之縱 斷正面圖。 〔圖8〕圖7所展示之晶片阻抗器的一部份切口底面 圖。 _ 〔圖9〕展示本發明之第6實施例的晶片阻抗器之縱 斷正面圖。 〔圖10〕圖9所展示之晶片阻抗器的一部份切口底面 圖。 【主要元件符號說明】 1 :晶片阻抗器 2 :絕緣基板 2a' 2b:左右兩端面 3 :阻抗膜 -14- (12) (12)1316723 3 a :修整溝 4、5 :端子電極 4a、5a:上面電極 4b、5b :下面電極 4 c、5 c :側面電極 6 :覆蓋塗佈 7 :印刷基板 7a、7b:電極塾片 8 :狹小部分 9 :覆蓋塗佈 1 〇 :補助電極 1 1 :補助電極 1 A :晶片阻抗器 1 B =晶片阻抗器 1 C :晶片阻抗器 1 D :晶片阻抗器 1 E :晶片阻抗器 L :長度 L1 :長度 L2 :長度 L3 :長度 -15-

Claims (1)

1316723 十、申請專利範圍 第95 1 28 720號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國98年7月7曰修正 1. 一種晶片阻抗器，其特徵爲，具備有： 一對的β子電極，係被設置在被構成爲晶片型之絕緣 基板的兩端部；和 阻抗膜’其係在前述絕緣基板之上面，以與前述—對 之端子電極導通的方式被形成，且於其一部份，形成有用 以設定阻抗値之切入溝， 前述一對之端子電極，係包含有形成於前述絕緣基板 之下面的下面電極， 前述下面電極之其中一方，係被延伸設置，直到前述 阻抗膜的寬幅尺寸由於前述切入溝而變爲狹窄之部分的正 下方部位。 2.—種晶片阻抗器，其特徵爲，具備有： 一對的端子電極’係被設置在被構成爲晶片型之絕緣 基板的端部；和 阻抗膜’其係在前述絕緣基板之下面，以與前述一對 之端子電極導通的方式被形成，且於其一部份，形成有用 以設定阻抗値之切入溝， 前述一對之端子電極’係包含有形成於覆蓋前述阻抗 膜之覆蓋膜之表面的下面電極， 1316723 ，年3月，修(声it替換頁I ·' ί---------—_____J _ 前述下面電極之其中一方，係被延伸設置，直到前述 . is抗膜的寬幅尺寸由於前述切入溝而變爲狹窄之部分的正 ‘ 下方部位。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之晶片阻抗 器’其中，前述下面電極係藉由被銲錫於安裝基板，而安 裝於前述安裝基板。 4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之晶片阻抗 器’其中，前述切入溝，係接近於在前述阻抗膜之長度方 向之前述一對的端子電極的任一方而被形成。 5 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之晶片阻抗 器，其中， 前述切入溝，係在前述阻抗膜之長度方向被形成2個 前述其中一方之端子電極的下面電極，係被延伸設置 ’直到前述阻抗膜之寬幅尺寸由於前述2個的切入溝中之 其中一方的切入溝而變爲狹窄的部分之正下方部位；前述 另外一方之端子電極的下面電極，係被延伸設置，直到前 述阻抗膜之寬幅尺寸由於前述2個的切入溝中之另外一方 的切入溝而變爲狹窄的部分之正下方部位。 -2-