TWI315085B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI315085B
TWI315085B TW093103973A TW93103973A TWI315085B TW I315085 B TWI315085 B TW I315085B TW 093103973 A TW093103973 A TW 093103973A TW 93103973 A TW93103973 A TW 93103973A TW I315085 B TWI315085 B TW I315085B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
liquid phase
spraying
processed
phase etching
Prior art date
Application number
TW093103973A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200425327A (en
Inventor
Bunji Mizuno
Yuichiro Sasaki
Ichiro Nakayama
Hisataka Kanada
Original Assignee
Panasonic Corporatio
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corporatio filed Critical Panasonic Corporatio
Publication of TW200425327A publication Critical patent/TW200425327A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI315085B publication Critical patent/TWI315085B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Description

1315085 玖、發明說明： c發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關加工固體等被處理物表面之技術領域， 5且係有關於一種如半導體裝置製造、 MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)裝置等形成精密 形狀之領域的液相姓刻方法及液相银刻裝置。 發明背景 10 在精德加工典型例之半導體加工(钱刻）程序中，係將反 應性氣體在電漿狀態下照射至半導體表面，並將半導體加 工成預期的形狀。 參照第9圖簡單地說明，真空室丨連接用以製作真空之 真空泵2。在真空室1内載置如;^晶圓3之被處理物並導入所 15 需氣體後，可產生㈣4，並與被處理物表面產生相互作用 以處理被處理物。在第9圖中係進行被處理物之敍刻。 又’如日本公開公報9_27654號所示，以往的钱刻大多 係以將固體試料浸潰於㈣中進行處理。然而，在液體中 的侧’ __速度㈣快，但_具料方向進行之 缺點，故不適合精密加工。 X 、里由，是為了因應在精密化加: 時南翁㈣要求，⑽可作成異方祕_。 然而，當使用電漿 果，在半導體產業領域中，，會降低加工速度。1 次中即使僅處理1枚典型晶圓也要才 20 1315085 分鐘左右的時間。 【發明内容】 發明概要 5 * 一本發明之餘刻方法’係對作為被處理物之固體或固體 聚口體或者膠狀之物體，以預定速度喷塗化學反應性液體 來進行敍刻。 本發明之蝕刻方法，更可使用喷嘴構件，對設置於真 空槽之被處理物喷塗前述化學反應性液體；又，加工前述 被處理物時之前述真空度，係可防止在喷射前述液體時， °因超過音速而產生脈衝波等之充分真空度。 本發明之蝕刻方法，更可對業已噴出之液體粒子賦予 電何，使對作為加工對象物之前述固體或固體聚合體，或 者膠狀物體表面帶有電荷之液體粒子，以電場或磁場加速 誘導或使其減速碰撞。 15 本發明之蝕刻方法，更可以樹脂材料等包覆前述固體 或固體聚合體之一部份表面作為遮罩，從遮罩露出之部 分，噴塗化學反應性液體，並選擇性地加工前述固體或固 體聚合體。 本發明之蝕刻裝置具有固定被處理物之機構，與用以 20將化學反應性液體喷塗至業已固定之前述被處理物之喷嘴 構造。 由於使用本發明之液相姓刻方法與液相银刻裝置，故 可大幅提面钱刻速度。 圖式簡單說明 1315085 第1圖係本發明實施型態之液相蝕刻裝置之概念截面 圖。 第2A-2D圖，顯示本發明實施型態之另一處理程序之 程序圖。 5 第3A-3C圖，顯示本發明實施型態之另一處理程序之程 序圖。 第4圖係本發明實施型態之液相蝕刻裝置之概念截面 圖。 第5圖係本發明實施型態另一液相蝕刻裝置之概念截 10 面圖。 第6圖係本發明實施型態另一液相蝕刻裝置之概念截 面圖。 第7圖係本發明實施型態另一液相蝕刻裝置之概念截 面圖。 15 第8圖係本發明之實施型態另一液相蝕刻裝置之概念 截面圖。 第9圖係習知電漿蝕刻裝置之構造截面圖。 【實施方式3 較佳實施例之詳細說明 20 本發明係利用以非常高的速度將液體喷塗至被處理物 之技術為主體，以同時實現：（1)藉由使用液體得到高速蝕 刻性，及(2)藉由使用電漿得到異方向蝕刻性等2種特徵；並 且提供一種可高速處理，且保有非常精確之異方向性之加 工技術。 7 1315085 在可以超高速使液滴碰撞的系統中，當前述液滴碰撞 時’也會具有在前述被處理物的極表面產生電漿之效果， 可更顯著地發揮本發明之特徵。 本發明係可將現行所使用電漿之「勤m程」，轉換成 處理能力高之《處理’結果’生產性會從數倍提高至十 幾倍。半導體產業，必須對製造設備投人巨㈣金，要使 晶片單價與其投資達到平衡歧_的，且係所謂梦循環 的對應非常困難的產業。因此’若敍刻的處理時間可以大 幅縮短，則可提昇生產性，以改變產業結構。 10 以下，參照圖示並對本發明之實施型態加以說明。又， 在各圖中，將基本的機能為相同之處，附加相同符號。 (實施型態） 以下利用實施例1說明本發明之一實施型態。第i圖係 况明在實施型態中所使用之液相蝕刻裝置的圖。以下，參 15照第1圖概略說明實施例1之蝕刻裝置。在真空室10上連接 用以製造出真空之真空泵20，且在真空室1〇内設置有定位 台4〇與複數喷嘴50。定位台40可固定被處理物3〇，且該被 處理物30為固體或固體聚合體或者為膠狀物體等。喷嘴5〇 連接於用以供給所需液體之液體供給裝置6〇，並可使化學 20反應性液體70形成粒子狀，再噴塗至被處理物30。接著， 從可餘刻被處理物30之各種液體70内，分別選擇適合前述 被處理物之溶劑來使用。 將真空槽大約保持較lE-3Torr更高之高真空度（即，低 壓狀態），並從喷嘴50，以時速大於i〇〇〇km的速度喷塗液體 Ϊ315085 所喷出的液體7〇會附著於被處理物表面31，並同時進 行蚀刻。 虽被處理物表面31的濕潤性差時，則會從界面活性劑 供給裝置80的噴出部81將界面活性劑喷塗至非處理物表 面。界面活性劑的噴塗作業，可在噴塗液體70之前，也可 同日寸進行，或者亦可在噴塗液體7〇後進行。由於有界面活 性劑，液體70可佈滿被處理物表面31，均一地進行蝕刻。 其中一例係將液體70加速至時速1萬公里以上的速 度，噴出到被處理物30上，—部份的液體成分會獲得高能 1〇量而離子化。所產生之電漿具有使被處理物表面31活化， 更具有加速蝕刻處理速度之效果。 另外，說明噴嘴50的耐腐蝕性加工。 用以製作前述噴嘴之材料，並不限於耐腐蝕性優異之 物質。使用耐腐蝕性並非十分優異的材料製作前述喷嘴 15時，必須使用適合喷嘴加工之物質，形成前述喷嘴本體形 狀，並以耐腐蝕性物質包覆會直接接觸蝕刻用液體之前述 噴嘴表面。其包覆處理，係直接以預定之耐腐蝕性物質作 為主體，並將電漿照射至前述噴嘴表面，或者，將與主體 物質反應而生成耐腐蝕性物質之電漿，照射至前述喷嘴表 20面。藉由在前述喷嘴表面包覆耐腐蝕性物質，可大幅提升 對於所使用之蝕刻液的耐腐蝕性。 接著，以實施例2說明本發明實施型態之另一處理程 序。第2A-2D、第3A-3D圖及第4圖，係說明實施例2。第2A_2D 圖顯示’將實施例2之光阻劑作為遮罩，並使用半導體為被 1315085 處理物時進行處理之程序的圖；第3人_31)圖顯示，將實施例 2之包覆物質作為遮罩，並使用半導體時進行處理之程序的 圖；第4圖係說明使用半導體作為實施例2之被處理物時之 钱刻裝置的圖。 5 以下係對被處理物30進行精密加工之一例，該例說明 在精密加工中最先進之半導體裝置的加工程序。 直至2002年，半導體加工較0.25微米更精密的超精密 加工已經是一般加工。因此，這些欲進行蝕刻處理之液體 70的微粒子大小，必須小於〇·2微米。又，前述微粒子大小， 10由於必須小於決定成為加工對象之尺寸的主要原因（臨界 尺寸），因而當所需之加工精密度大時，可選擇符合這樣的 粒子大小。在實施例2中所使用的钱刻裝置係具有可形成微 粒子小於0.2微米之喷嘴50，及可形成更高速之液體微粒子 的超音速喷嘴51(Supersonic Nozzle)。又’本發明之超音速 15波喷嘴，係以時速⑺嫩喊上的速度喷塗前述液體微粒 子更理想地，係以加速至時速3〇〇〇km以上的速度喷塗前 述液體微粒子。 接著，參照第2圖說明作為加工對象之半導體基板。半 導體的-例係使用石夕晶圓9〇，且該石夕晶圓9〇形成有用以形 20成半導體元件所需之物質薄膜1〇〇。作為加工對象之半導體 基板係石夕基板及形成有石夕氧化膜、石夕氮化膜、稀土族氧化 膜、銘及銅等金屬膜之石夕基板等。 用以蝕刻被處理材料薄膜100之液體，可多方面考量， 選擇適合成為加工對象之半導體基板材料之溶劑來使用。 1315085 在真空室1G内的真空度，大約保持較1Ε_3τ〇π更高之高 真空度，並從喷嘴5G ’叫速l_knux上的速度喷塗液體 70。所喷出的液體7G會附著於被處理物表面31，並同時進 行蚀刻。利用被處理物表面31與液體7G的關係使用界面活 性劑’使液體佈滿被處理物表面31以發揮均質賴别致 果。當被處理物表面31的液體7〇㈣性差時，可藉由將界 面活性劑喷塗於前述非處理物表面，液體％會全面地佈滿 .地進行蝕刻。 10 另-例係使液體70以時速大約超過丨萬^之高逮 前述被處理物，則-部份液體成分會獲得高能量 化。如此所產生的電漿具有使前述被處理物表面活子 且加速钱刻速度之效果。 ’ 15 被處理物表面31，並均 π衣攻卞守肢3又侑富中，也有必須以較〇25微米 选之0.1微米的尺寸進行加工的情況。此時，如第2、 示，可在4膜1〇〇上形成光阻劑以作為遮罩使用，並以戶斤 微影成像方法，可實現以狀圖樣及尺寸的處理、。此戶^胃 為了賦予則述光阻劑對液相之耐腐n最好是女* :圖所示，預先以電漿12。進行光阻劑110表面之電:::: 以電聚處理以有機物所構成之光阻劑表面，會在其 面產生有機物聚合反應等。如第2C圖所示，藉由因該、表 而進行有機辣面的《反鱗，可得到耐腐純2應 111。電漿120係可考量稀有氣體產生之電漿的情形迤剞 成光阻細之物質的相互作用；與可使用之_:酸輿構 11 工315085 々U液7G的相互作用等，來決定最適當之電衆。 要以有由:Γ吏用之溶劑、酸、驗等崎70之組合，在主 =有機細構成之絲船1G中，會產生不論如何也無法 熳侍充力耐腐蝕性的情形。 5 15 ，此時，如第3圖所示，將由具有充分耐腐錄物質所構 成:包覆物質13G黏附於被處理物⑽表面，独該被包覆 勿貝130作為遮罩進行液祕刻。又，在實施例2中，被處 物相^於形成於⑦基板9〇表面之薄膜⑽。
首先，使用光阻劑110作為遮罩，並使用可個包覆物 質130之溶劑 '酸、驗等姓刻液7〇，钱刻包覆物質別。 接著，如第4圖所示，將業已圖樣化之包覆物質130作 為遮罩，在真空室10内，從超音速喷嘴51，噴塗用以蝕刻 被處理物100之由溶劑及酸、鹼等蝕刻液7〇，進行被處理物 100的液相钮刻之預定加工。又，真空室1〇内的真空槽係保 持在較lE-3Torr更高之高真空（即，低壓力），以時速l〇〇〇km
以上的速度從噴嘴50喷塗液體70。保持如上述真空度之目 的’係為了防止上述化學反應性液體噴射出時，因超過音 速而產生脈衝波等情形。 藉由如上述說明之方法，可依照遮罩圖樣對於半導體 2〇 基板及加工對象等進行非常精密地加工。 此外，再利用實施例3 ’說明本發明實施型態另外的處 理程序。在要求精密加工之半導體設備的製造等中’蝕刻 溝槽的懸垂物及錐角的形成，會使加工精密度惡化。因此， 極需使用從平面固體表面凹入垂直方向的蝕刻方法。 12 1315〇85 在實施例3中，以第5圖及第6圖說明在蝕刻處理時，利 用電場或磁場凹入垂直方向之蝕刻方法。 第5圖係說明本發明實施例3，對被處理物施加電場， 以加速液體70之蝕刻裝置的圖。第6圖係說明本發明實施例 5 3,對真空室賦予磁場，以在旋轉方向加速液體7〇之蝕刻裝 置的圖。 如第5圖所示，在噴嘴5〇的出口或其出口附近，設置電 荷賦予機構140，以對所射出之微粒子化之液體川(即，液 體粒子)賦予電荷。利用該電荷，可自由地賦予所射出之微 粒子化的液體70方向性。因此，在固定半導體固體之定位 台具有可施加電壓之電壓施加機構150。 從喷嘴5G所喷出的液體7G，首先，以電荷賦予機構14〇 賦予電何，並藉由電壓施加裝置150加速到達被處理物30。 、裝置的構及可使用之液體的電氣特性，並藉由放電及 漏電等來限制可施加之電磨。有關該問題，會在稍後的實 加以說明’而11由與促使㈣所使用之雜氣化之系 進行間歇地電壓施加，可防止漏電等影響。 160，u第6圖所不’藉由使用施加磁場之磁場施加機構
㈣^在旋轉方向加速液體71，並可改變運行執道，可自 20由地控制方命 D 。且，71係旋轉通過軌道之液體。 另外’利用實施例4說明本發明實施型態另外的處理程 但由於^體之嘴嘴5G，即使—個也可以使用於侧處理， 喷嘴日=述被處理物之固體等具有—定面積，在僅使用1個 了會因所處理位置不同，而改變朝業已微粒化之液 13 1315085 體微粒子的表面的入射角度。這是與以點光源所照射之平 面’因位置而顯示不同的亮度是同樣現象。因此，為了在 被處理物表面全體進行均一的處理，使用複數喷嘴是有效 的。另外’在實施例4中說明具有複數喷嘴之例子。 5 第7圖係說明本發明實施例4之蝕刻裝置，並在每一半 導體晶片設置一噴嘴之構造的圖。第8圖係說明本發明實施 例4利用MEMS設置無數精密喷嘴之蝕刻裝置的圖。 例如’在矽半導體的製造程序中，約以lcm左右的間 隔，开^成複數晶片170。如第7圖所示，由於分別在位於每 10 一晶片170正上方設置喷嘴50,因而可將液體70的角度變化 降低到最小。又，由於在每一晶片設置複數前述喷嘴，更 可降低角度變化的影響。 又，例如，亦可如第8圖所示，使用應用有MEMS及微 米機構之微噴嘴52,以數微米的間隔並列前述噴嘴。此時， 15可在對應被處理物的表面全面之面積上，舖滿喷嘴來進行 蝕刻，且亦可藉由設置一定面積之前述噴嘴，使喷嘴本身 或被處理物移動，來蝕刻被處理物表面的全面。又，在第8 圖中，為說明而放大畫出各喷嘴。 此外，利用實施例5說明本發明實施型態另一處理程 2〇序。由於液相蝕刻所使用之溶劑、酸、鹼等蝕刻液等特性， 前述钱刻中所使用之液體在真空室1〇内至氣化為止的時間 會改變。 當氣化速度非常快時，由於所噴出的液體，必須經過 預定餘刻所需的時間，故不會產生立即氣化之問題。然而， 14 1315085 當氣化速度慢時，超過蝕刻所需之預定時間而殘留，反而 會造成蝕刻處理的缺點。因此，當氣化速度慢時，必須藉 由控制蝕刻用液體的喷出量，來防止過量地供給前述液 體。為了解決該問題，可藉由具有液體供給裝置60為間歇 5 喷出迴路或間歇喷出裝置（未圖示），並且間歇地進行從前述 喷嘴的液體喷出程序，來設置當前述液體一旦喷出，則立 即蒸發供給至蝕刻之液體所需的時間帶。 在上述實施型態中，喷塗化學反應性液體宜以超音速 進行，亦可以一部份的液體成分或大部分的液體成分電漿 10 化之速度來進行。 產業上的可利用性 如上述所說明之本發明，係提供一種液相蝕刻裝置， 並可以高速將蝕刻所使用之液體喷塗於被處理物，又，可 維持具有乾式蝕刻之異方向性等精密加工性能，並可同時 15 大幅提升蝕刻速度。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明實施型態之液相蝕刻裝置之概念截面 圖。 第2A-2D圖，顯示本發明實施型態之另一處理程序之 20 程序圖。 第3A-3C圖，顯示本發明實施型態之另一處理程序之程 序圖。 第4圖係本發明實施型態之液相蝕刻裝置之概念截面 圖。 15 1315085 第5圖係本發明實施型態另一液相蝕刻裝置之概念截 面圖。 第6圖係本發明實施型態另一液相蝕刻裝置之概念截 面圖。 5 第7圖係本發明實施型態另一液相蝕刻裝置之概念截 面圖。
第8圖係本發明之實施型態另一液相蝕刻裝置之概念 截面圖。 第9圖係習知電漿蝕刻裝置之構造截面圖。 10 【圖式之主要元件代表符號表】 10.. .真空室 20.. .真空泵 30.. .被處理物 31.. .被處理物表面 40.. .定位台 50…喷嘴 51.. .超音速喷嘴 52.. .微米喷嘴 60.. .液體供給裝置 70.. .液體 71.. .旋轉執道之液體 80.. .界面活性劑供給裝置 81.. .喷出部 90.. .石夕晶圓 16 1315085 100.. .薄膜 101.. .業經蝕刻處理之薄膜 110.. .光阻劑 111.. .耐腐蝕性光阻劑 120.. .電漿 130.. .包覆物質 131.業已圖樣化之包覆物質 140.. .電荷賦予機構 150.. .電壓施加裝置 160.. .磁場施加裝置 170.. .晶片
17

Claims (1)

1315085 沙年4月曰修(更)正本 第93103973號申請案申請專利範圍修正本 98.4.16 拾 、申請專利範圍： 1. 一種液相银刻方法，包含有以下程序： 對被處理物，以預定速度喷塗化學反應性液體；及 藉由業已喷塗之前述液體，蝕刻前述被處理物； 5 又，前述喷塗程序係在預定之真空氣體環境下進 行，且前述氣體環境之真空度係一足以防止在喷射前述 液體時，因超過音速而產生脈衝波之真空度。
2. 如申請專利範圍第1項之液相蝕刻方法，其中前述喷塗 程序係使用喷嘴構件，將前述液體喷塗於前述被處理 10 物。 3. 如申請專利範圍第1項之液相蝕刻方法，其中前述真空 度為較lE-3Torr更高之高真空。 15 20 4. 如申請專利範圍第1項之液相蝕刻方法，其中前述喷塗 程序係將前述液體作成小於臨界尺寸之液體粒子而噴 塗於前述被處理物。 5. 如申請專利範圍第1項之液相蝕刻方法，其中前述喷塗 程序係包含對前述液體之粒子賦予電荷之程序，及使電 場或磁場作用於前述帶有電荷之液體粒子之程序，藉此 在前述對象物之表面，加速誘導前述液體之粒子或使其 減速碰撞。 6. 如申請專利範圍第5項之液相蝕刻方法，其中對於與定 位機構保持電氣絕緣之前述被處理物，供給所需電子至 前述被處理物表面。 7. 如申請專利範圍第1項之液相蝕刻方法，其係在前述喷 18 1315085
10 15
20 塗程序之前，具有以包覆材料包覆前述被處理物的一部 分之程序，且，在前述银刻程序中，前述液體僅钮刻前 述被處理物未被包覆之部分。 8. 如申請專利範圍第1項之液相蝕刻方法，係在前述喷塗 程序之前，依序包含有以下程序： 在前述被處理物之表面製作不與前述液體反應之 物質之薄膜； 以包覆材料包覆前述薄膜的一部份；及 以前述包覆材料作為遮罩，银刻前述薄膜， 又，前述蚀刻程序係以業經蝕刻之前述薄膜作為遮 罩，14刻前述被處理物。 9. 如申請專利範圍第1項之液相蝕刻方法，其中前述喷塗 程序係在噴塗前述液體的同時或前後，喷塗界面活性材 料於前述加工對象物之表面。 10. 如申請專利範圍第2項之液相蝕刻方法，其中前述喷塗 程序係使用喷嘴構件，間歇地喷塗前述液體。 11. 如申請專利範圍第10項之液相蝕刻方法，其中前述噴 塗程序中，其間歇喷塗前述液體之時間間隔，係取決於 前述液體蝕刻前述被處理物之速度，及含有蝕刻結束後 業經蝕刻之物質之前述液體在前述真空氣體環境下的 氣化速度或排除速度。 12. —種液相蝕刻方法，包含有以下程序： 在真空氣體環境下，使用喷嘴構件對被處理物噴塗 化學反應性液體；及
19 I虫刻前述被處理物， 前述喷塗程序，係包含對前述液體之粒子賦予電荷 之程序，及使電場或磁場作用於前述帶有電荷之液體之 粒子之程序，藉此在前述對象物之表面，加速誘導前述 液體粒子或使其減速， 又，前述蝕刻程序係藉由業已喷塗之前述液體，蝕 刻前述被處理物。 13. 如申請專利範圍第12項之液相蝕刻方法，其中前述喷 塗程序係使用前述喷嘴構件，間歇地喷塗前述液體。 14. 一種液相钱刻裝置，包含有： 真空室；及 設置於前述真空室内之喷嘴構件， 又，前述喷嘴構件係在真空氣體環境下喷塗化學反 應性液體至被處理物， 且，該液相蝕刻裝置更包含有： 前述被處理物之定位台； 電荷機構，係設置於前述喷嘴構件之出口；及 電壓施加機構，係施加電壓至前述定位台者， 前述電荷機構可對已喷出之前述液體之粒子賦予 電荷； 且，前述電壓施加機構可將已賦予電荷之前述液體 粒子加速。 15. 如申請專利範圍第14項之液相蝕刻裝置，其中至少前 述噴嘴構件經耐腐蝕性處理，又，前述耐腐蝕性處理係 1315085 在前述喷嘴構件之露出部，形成對前述液體具有耐腐蝕 性之物質之薄膜，又，前述處理係使用電漿進行。 16. 如申請專利範圍第14項之液相蝕刻裝置，其中更具有 磁場施加機構，且，前述磁場施加機構可控制前述液體 5 粒子之軌道。 17. 如申請專利範圍第14項之液相蝕刻裝置，其中更具有 液體供給裝置，且，前述液體供給裝置對前述喷嘴構件 # 連續或間歇地供給前述液體。 18. 如申請專利範圍第14項之液相蝕刻裝置，其中更具有 10 界面活性劑供給機構，又，前述界面活性劑供給機構包 含有將界面活性劑噴塗至前述被處理物之喷出部，及將 前述界面活性劑供給至前述喷出部之供給裝置。 21 1315085 柒、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 10.. .真空室 20.. .真空泵 30.. .被處理物 31.. .被處理物表面 40.. .定位台 50.. .喷嘴 60.. .液體供給裝置 70.. .液體 80.. .界面活性劑供給裝置 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式
TW093103973A 2003-02-21 2004-02-18 Method and apparatus for liquid etching TW200425327A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003044550 2003-02-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200425327A TW200425327A (en) 2004-11-16
TWI315085B true TWI315085B (zh) 2009-09-21

Family

ID=32905455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093103973A TW200425327A (en) 2003-02-21 2004-02-18 Method and apparatus for liquid etching

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7378031B2 (zh)
JP (2) JP4680058B2 (zh)
CN (1) CN100370588C (zh)
TW (1) TW200425327A (zh)
WO (1) WO2004075278A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8177993B2 (en) * 2006-11-05 2012-05-15 Globalfoundries Singapore Pte Ltd Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers
JP5592083B2 (ja) * 2009-06-12 2014-09-17 アイメック 基板処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法
US8860424B1 (en) * 2011-03-10 2014-10-14 Solar Junction Corporation Apparatus and method for highly accelerated life testing of solar cells
CN104064638B (zh) * 2014-06-26 2017-12-15 圆融光电科技有限公司 Led透明导电层的粗化方法及真空设备
CN105063922B (zh) * 2015-07-15 2017-03-29 苏州市丹纺纺织研发有限公司 一种紊流式整烫装置
JP2017059654A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 富士通株式会社 回路基板、回路基板の製造方法及び電子デバイス実装装置の製造方法
JP2020155614A (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、および、半導体製造方法
JP6623349B1 (ja) * 2019-03-29 2019-12-25 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電子部品の製造方法
KR102619877B1 (ko) 2019-09-11 2024-01-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
CN111031691B (zh) * 2019-12-24 2022-11-22 前海益科电子(深圳)有限公司 一种利用真空现象进行蚀刻电路板的装置
CN111704364B (zh) * 2020-06-30 2022-11-25 福建省卓成环保科技有限公司 用于化学法生产局部磨砂玻璃的腐蚀装置及其腐蚀方法
CN115724591A (zh) * 2021-08-31 2023-03-03 广东艾檬电子科技有限公司 基于电场控制的微孔加工方法
CN114574862B (zh) * 2022-03-03 2022-09-02 东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司 一种风力辅助非等深结构蚀刻加工装置及加工方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA919529A (en) * 1969-03-19 1973-01-23 R. P. J. F. M. C. Schoumaker Henry Installation de plasma
JPS57143477A (en) * 1981-02-27 1982-09-04 Sony Corp Treating device
JP2681988B2 (ja) * 1988-04-11 1997-11-26 富士通株式会社 エッチング方法
US5041229A (en) * 1988-12-21 1991-08-20 Board Of Regents, The University Of Texas System Aerosol jet etching
US4973379A (en) * 1988-12-21 1990-11-27 Board Of Regents, The University Of Texas System Method of aerosol jet etching
JP2926946B2 (ja) * 1990-09-20 1999-07-28 日立電線株式会社 エッチング用スプレーノズル
JPH05251421A (ja) * 1992-03-09 1993-09-28 Nec Kyushu Ltd エッチング方法
JPH0729871A (ja) * 1993-06-25 1995-01-31 Toshiba Corp 表面処理方法および表面処理装置
JP3558372B2 (ja) * 1994-06-30 2004-08-25 株式会社荏原製作所 排ガスへの液体噴霧装置
KR0148610B1 (ko) * 1994-07-28 1998-12-01 김주용 반도체 소자의 패턴 형성방법
KR0141057B1 (ko) 1994-11-19 1998-07-15 이헌조 반도체 레이저 제조방법
EP0727504A3 (en) * 1995-02-14 1996-10-23 Gen Electric Plasma coating process for improved adhesive properties of coatings on objects
JP3378774B2 (ja) * 1997-07-01 2003-02-17 三洋電機株式会社 膜パターニング方法，半導体素子の製造方法並びに薄膜太陽電池及びその製造方法
TW516113B (en) * 1999-04-14 2003-01-01 Hitachi Ltd Plasma processing device and plasma processing method
JP2001015477A (ja) 1999-06-28 2001-01-19 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
US6676757B2 (en) * 1999-12-17 2004-01-13 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus and coating unit
JP2002016031A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 基板処理方法
JP2003037096A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置のブラスト処理方法
US7393385B1 (en) * 2007-02-28 2008-07-01 Corning Incorporated Apparatus and method for electrostatically depositing aerosol particles

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004075278A1 (ja) 2004-09-02
CN1751383A (zh) 2006-03-22
TW200425327A (en) 2004-11-16
JP2008294461A (ja) 2008-12-04
JP4845936B2 (ja) 2011-12-28
CN100370588C (zh) 2008-02-20
WO2004075278A9 (ja) 2005-05-26
US20060049140A1 (en) 2006-03-09
US20080196834A1 (en) 2008-08-21
US7378031B2 (en) 2008-05-27
JPWO2004075278A1 (ja) 2006-06-01
JP4680058B2 (ja) 2011-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4845936B2 (ja) 液相エッチング装置
EP1979101B1 (en) Method and apparatus for low-temperature plasma sintering
US6780491B1 (en) Microstructures including hydrophilic particles
CN108472676B (zh) 雾滴涂布成膜装置及雾滴涂布成膜方法
US6538323B1 (en) Semiconductor device having an electrode structure comprising a conductive fine particle film
KR102540865B1 (ko) 패터닝된 금속 박막을 기판 상에 형성하는 방법과 시스템
JP2007110063A (ja) フォトレジスト溶液を効率的に用いた噴射式フォトレジストコーティング装置および方法
TW201628045A (zh) 使用離子束蝕刻以產生環繞式閘極結構
KR20140104395A (ko) 쓰루 레지스트 금속 도금을 위한 웨팅 사전 처리용 장치 및 방법
WO2007114314A1 (ja) 微細金属バンプの形成方法
CN108885402A (zh) 选择性SiARC去除
Song et al. Deposition of Al2O3 powders using nano-particle deposition system
US20060045988A1 (en) Pretreatment process of a substrate in micro/nano imprinting technology
Mun et al. Plasma functional polymerization of dopamine using atmospheric pressure plasma and a dopamine solution mist
KR101702869B1 (ko) 원자층 식각장치
WO2000070659A1 (en) Plasma processing methods and apparatus
JPH04111313A (ja) 微細加工装置及び方法
KR20180101670A (ko) 에어로졸 증착 장치 및 에어로졸 증착 방법
JP2006269482A (ja) レジスト塗布装置およびレジスト塗布方法
JP2003051499A (ja) 薄膜形成方法及び装置
CN112366127B (zh) 固态掩膜聚焦的大气压低温等离子体射流加工方法及应用
JPH10251833A (ja) 成膜方法ならびに成膜装置
CN111370330B (zh) 晶圆级封装方法
EP0768708A2 (en) Method for forming bumps on substrates for electronic components
JP2002012971A (ja) イオン注入装置および成膜並びに洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees