JP2681988B2 - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JP2681988B2 JP2681988B2 JP63088789A JP8878988A JP2681988B2 JP 2681988 B2 JP2681988 B2 JP 2681988B2 JP 63088789 A JP63088789 A JP 63088789A JP 8878988 A JP8878988 A JP 8878988A JP 2681988 B2 JP2681988 B2 JP 2681988B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- water
- nozzle
- flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体，主としてシリコン（Si）基板及びSi系薄膜の
エッチング方法に関し， エッチング工程を単純化し，薬品の残存しない且つ直
接描画の可能なエッチング方法を提供することを目的と
し， 真空エッチング室内にノズルより吹き出す水分子の分
圧を調節して，該ノズルより吹き出す分子流を，エッチ
ングしようとする半導体基板に吹きつけて該基板のエッ
チングを行うように構成する。
エッチング方法に関し， エッチング工程を単純化し，薬品の残存しない且つ直
接描画の可能なエッチング方法を提供することを目的と
し， 真空エッチング室内にノズルより吹き出す水分子の分
圧を調節して，該ノズルより吹き出す分子流を，エッチ
ングしようとする半導体基板に吹きつけて該基板のエッ
チングを行うように構成する。
前記分圧は，水分子流の分子の平均自由行程を大きく
してその活性度を高めるために実用上10-4 Torr以下で
あることが必要である。
してその活性度を高めるために実用上10-4 Torr以下で
あることが必要である。
本発明は半導体，主としてシリコン（Si）基板及びSi
系薄膜のエッチング方法に関する。
系薄膜のエッチング方法に関する。
Si基板及びSiO2,Si3N4,SiC,ポリSi等の薄膜のエッチ
ングは，半導体素子の製造工程において不可欠の重要な
工程である。
ングは，半導体素子の製造工程において不可欠の重要な
工程である。
従来，半導体素子の製造工程において半導体基板及び
薄膜をエッチングする場合は主として酸，アルカリ溶液
を用いる方法が採られている。
薄膜をエッチングする場合は主として酸，アルカリ溶液
を用いる方法が採られている。
しかしながら，従来のエッチング方法では，エッチン
グ工程後，必ず超純水による洗浄及びリンス工程が必要
であり，それに用いられる超純水は多量であるにもかか
わらず加工表面に付着した酸，アルカリはとりきれない
ことが屡あり，製造歩留及び素子の信頼性を低下させて
いた。
グ工程後，必ず超純水による洗浄及びリンス工程が必要
であり，それに用いられる超純水は多量であるにもかか
わらず加工表面に付着した酸，アルカリはとりきれない
ことが屡あり，製造歩留及び素子の信頼性を低下させて
いた。
本発明はエッチング工程を単純化し，薬品の残存しな
い且つ直接描画の可能なエッチング方法を提供すること
を目的とする。
い且つ直接描画の可能なエッチング方法を提供すること
を目的とする。
上記課題の解決は，真空エッチング室内にノズルより
吹き出す水分子の分圧を調節して，該ノズルより吹き出
す水分子流をエッチングしようとする半導体基板に吹き
つけて該基板のエッチングを行うことを特徴とするエッ
チング方法により達成される。
吹き出す水分子の分圧を調節して，該ノズルより吹き出
す水分子流をエッチングしようとする半導体基板に吹き
つけて該基板のエッチングを行うことを特徴とするエッ
チング方法により達成される。
前記分圧は，水分子流の分子の平均自由行程を大きく
してその活性度を高めるために実用上10-4 Torr以下で
あることが必要である。
してその活性度を高めるために実用上10-4 Torr以下で
あることが必要である。
本発明は差動排気系を用い，超高真空エッチング室内
にノズルより吹き出す水分子の分圧を調整することによ
り，ノズルより吹き出す水分子流は各分子の平均自由行
程を大きくし，活性化された状態にできることを利用し
て，この状態の水分子流をノズルよりエッチングしよう
とする基板表面に吹きつけることによりエッチングを進
行させるものである。
にノズルより吹き出す水分子の分圧を調整することによ
り，ノズルより吹き出す水分子流は各分子の平均自由行
程を大きくし，活性化された状態にできることを利用し
て，この状態の水分子流をノズルよりエッチングしよう
とする基板表面に吹きつけることによりエッチングを進
行させるものである。
又，ノズル又は基板を走査することにより直接描画エ
ッチングが可能となる。
ッチングが可能となる。
第１図は本発明の原理図である。
図中に，分子及びその挙動が模式的に画かれている。
図において，高真空エッチング室内に設けられたノズ
ル１より吹き出す水の分子流は同じエッチング室内に置
かれたSi基板２に当たり，高速で吹きつけられた水分子
はSi基板表面で分解する。
ル１より吹き出す水の分子流は同じエッチング室内に置
かれたSi基板２に当たり，高速で吹きつけられた水分子
はSi基板表面で分解する。
この分解したフラグメントはSiと容易に反応し，SiO,
SiH2等の不飽和の分子を生成する。
SiH2等の不飽和の分子を生成する。
反応系内は高真空に保たれているので，生成された分
子は気化して除去される。
子は気化して除去される。
以上のようにして，分子流エッチングは進行する。
第２図は本発明の一実施例を説明する水分子流エッチ
ング装置の断面図である。
ング装置の断面図である。
図において,1は水の分子流を吹き出すノズル,2はエッ
チングしようとするSi基板,3はエッチング室,4は基板を
保持するサセプタ,5はエッチング水を入れる容器,6は水
を入れる容器を０℃に冷却するコールドラップ,7は微小
流量弁,8はターボモレキュラポンプ（TMP）,9は回転ポ
ンプ（RP）である。
チングしようとするSi基板,3はエッチング室,4は基板を
保持するサセプタ,5はエッチング水を入れる容器,6は水
を入れる容器を０℃に冷却するコールドラップ,7は微小
流量弁,8はターボモレキュラポンプ（TMP）,9は回転ポ
ンプ（RP）である。
容器５に入れる水は，イオン交換，紫外線照射，逆浸
透膜，分子フィルタ等の過程を経た超純水を用いる。
透膜，分子フィルタ等の過程を経た超純水を用いる。
又，コールドラップ６は，超純水の圧力上昇を防止す
るために用いる。
るために用いる。
この装置を用いて,Siの直接描画によるパターニング
を説明する。
を説明する。
Si基板２が置かれたエッチング室３内は排気系（図番
8,9）により10-10 Torr程度の超高真空に保たれる。
8,9）により10-10 Torr程度の超高真空に保たれる。
Si基板２のエッチングされる部分にノズル１を近づけ
る。このときノズル先端と基板間の距離は1mm以内に
し，ノズル径は１μｍ以内にする。
る。このときノズル先端と基板間の距離は1mm以内に
し，ノズル径は１μｍ以内にする。
次いで，微小流量弁７を開け，水分子流をSi基板２に
吹きつけてエッチングを行う。
吹きつけてエッチングを行う。
このときの水分子の分圧を排気能力及びノズル径によ
り調節し，エッチング室３の内部を10-4 Torr程度に保
つ。この際水の分圧は （10-4-10-10）Torr≒10-4 Torr. となり，この室内圧力が略水の分圧に相当することにな
る。
り調節し，エッチング室３の内部を10-4 Torr程度に保
つ。この際水の分圧は （10-4-10-10）Torr≒10-4 Torr. となり，この室内圧力が略水の分圧に相当することにな
る。
上記のようにして,Si基板は１μm/min程度の速度でエ
ッチングされる。
ッチングされる。
このようにして得られたエッチング面は薬品を用いて
いないため非常に清浄である。
いないため非常に清浄である。
実施例では直接描画によるパターニングについて説明
したが，本発明は拡散や気相成長（CVD）工程等におけ
る基板の全面もしくは部分的な前洗浄としても応用でき
る。
したが，本発明は拡散や気相成長（CVD）工程等におけ
る基板の全面もしくは部分的な前洗浄としても応用でき
る。
又，実施例においては比較的活性なSiのエッチングに
ついて説明したが，水分子流との間に反応生成物をつく
るその他の半導体，例えばGaAs,InP等の化合物半導体に
ついても本発明を適用することができる。
ついて説明したが，水分子流との間に反応生成物をつく
るその他の半導体，例えばGaAs,InP等の化合物半導体に
ついても本発明を適用することができる。
以上説明したように本発明によれば，エッチング工程
を単純化し，薬品の残存しない且つ直接描画の可能なエ
ッチング方法が得られた。
を単純化し，薬品の残存しない且つ直接描画の可能なエ
ッチング方法が得られた。
例えば,Si基板に100nmのパターンがマスクレスで描画
でき，さらにエッチングされた部分は清浄な自然酸化膜
を表面に持つSi面が得られた。
でき，さらにエッチングされた部分は清浄な自然酸化膜
を表面に持つSi面が得られた。
第１図は本発明の原理図， 第２図は本発明の一実施例を説明する水分子流エッチン
グ装置の断面図である。 図において， １は水の分子流を吹き出すノズル,2はエッチングしよう
とするSi基板,3はエッチング室,4は基板を保持するサセ
プタ,5はエッチング水を入れる容器,6はコールドラッ
プ,7は微小流量弁,8はターボモレキュラポンプ（TMP）,
9は回転ポンプ（RP） である。
グ装置の断面図である。 図において， １は水の分子流を吹き出すノズル,2はエッチングしよう
とするSi基板,3はエッチング室,4は基板を保持するサセ
プタ,5はエッチング水を入れる容器,6はコールドラッ
プ,7は微小流量弁,8はターボモレキュラポンプ（TMP）,
9は回転ポンプ（RP） である。
Claims (2)
- 【請求項１】真空エッチング室内にノズルより吹き出す
水分子の分圧を調節して，該ノズルより吹き出す水分子
流をエッチングしようとする半導体基板に吹きつけて該
基板のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項２】前記分圧が10-4 Torr以下であることを特
徴とする請求項１記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088789A JP2681988B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088789A JP2681988B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01260830A JPH01260830A (ja) | 1989-10-18 |
| JP2681988B2 true JP2681988B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=13952607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63088789A Expired - Lifetime JP2681988B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681988B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200425327A (en) * | 2003-02-21 | 2004-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for liquid etching |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546418Y1 (ja) * | 1970-07-17 | 1979-03-26 | ||
| JPS5019804Y1 (ja) * | 1970-10-29 | 1975-06-16 | ||
| JPS54157017U (ja) * | 1978-04-24 | 1979-11-01 | ||
| JPH0614880Y2 (ja) * | 1988-07-26 | 1994-04-20 | 忠助 浦田 | 汚水処理装置 |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63088789A patent/JP2681988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01260830A (ja) | 1989-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100256453B1 (ko) | 반도체 웨이퍼상에 텅스텐을 선택적으로 증착시키는 방법 | |
| JPH1116866A (ja) | シリコンの洗浄方法および洗浄装置 | |
| WO2002050883A1 (fr) | Procede de nettoyage et procede d'attaque | |
| US5567332A (en) | Micro-machine manufacturing process | |
| WO2020093928A1 (zh) | 清洗方法及清洗设备 | |
| JP2681988B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP3602443B2 (ja) | 半導体素子の製法 | |
| JP3331957B2 (ja) | 被処理構造体の表面処理方法 | |
| JP2001044429A (ja) | ゲート絶縁膜形成前処理方法及びその前処理装置 | |
| JP3080860B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3401585B2 (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JP2995794B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体基板のエッチング方法 | |
| JP3893939B2 (ja) | レジスト剥離装置、レジスト剥離方法、半導体装置の製造方法 | |
| JPH02106927A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0845904A (ja) | ドライエッチング方法および装置 | |
| JPH05109702A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06244184A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JP2624366B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08115895A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JP2500421Y2 (ja) | 低圧化学気相生成装置 | |
| JPH01100272A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JP2985294B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH0816040B2 (ja) | シリコンの分子線成長方法 | |
| KR100189801B1 (ko) | 포토레지스트를 도포하는 방법 | |
| JPH07249617A (ja) | 化学気相成長方法及びそれに用いる化学気相成長装置 |