JP6623349B1 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 107
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 38
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 22
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 16
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- -1 cyclohexane Chemical class 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- CNDHHGUSRIZDSL-UHFFFAOYSA-N 1-chlorooctane Chemical compound CCCCCCCCCl CNDHHGUSRIZDSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFERIJCSHDJMSA-UHFFFAOYSA-N 1-fluorohexane Chemical compound CCCCCCF OFERIJCSHDJMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073608 benzyl chloride Drugs 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000010804 inert waste Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
【課題】現行のウェットエッチングでは製造できない微細配線を製造する。【解決手段】電子部品の基板に積層された材料に対してレジストでマスクを施して前記レジストで被覆されていない間隙をエッチングする方法であって、前記材料をエッチングするためのエッチング液を噴霧するエレクトロスプレーのノズルと前記材料との間に電位差を設けることにより、前記ノズルと、前記レジストで被覆されていない間隙との間に形成された電場に沿って前記エッチング液の液滴を移動させる、ことを特徴とする。【選択図】図２
Description
本発明は、プリント基板等のウェットエッチングによる電子部品の製造方法に関する。
プリント基板（電子回路基板）は、絶縁体の上に導体で配線が施され、電子部品が配置されるが、硬いリジッド基板（例えば、厚銅基板など）と、柔軟なフレキシブル基板とがある。フレキシブル基板については、ポリイミド等の薄いフィルム状の基材上に、銅箔などの金属材料で配線パターンが形成され、表面が絶縁フィルムなどで被覆されている。
フレキシブル基板の製造方法としては、銅箔が積層された基材に対し、レジストを塗布することで配線パターンとして残す部分をマスクしておき、エッチングによって不要な銅箔を除去した上で、レジストを剥離することにより配線パターンを形成する。その後、パターン間の絶縁や露出部の表面処理などを行って完成させる。
近年のプリント基板は、電子部品の高密度実装化に伴って配線パターンのファインピッチ化が進んでおり、エッチングで微細な配線を製造することが困難となっている。エッチングマシーンは、ノズルからエッチング液を噴霧するスプレー式が一般的である。微細配線を製造するためにエッチング液に気体を混合してスプレーする方法が特許文献１に開示されている。また、エッチング液をミスト化して微細なレジストパターンの間隙に入り込ませるようにした発明も特許文献２に開示されている。
なお、エッチング液である塩化第二鉄溶液は微細配線を製造するために効果があるが、レジスト間隙の疎密によって製造結果が極端にばらつくため、一時的にインヒビター（防錆材）を銅箔側面に発生させてエッチングを抑制しながら微細配線を製造する方法もある。
しかしながら、特許文献１に記載の発明は、エッチング液の微小液滴の粒径を１５〜１００μｍにすることで、１００μｍ以下に微細化されたパターンのエッチングにおいてサイドエッチングの進行を抑制するものであるが、基板配線がより微細化しており、現行のウェットエッチングでは製造することが困難となっている。
また、引用文献２に記載の発明は、エッチング液を超音波振動によってミスト化して粒子径を１０μｍ以下にしているが、レジスト間隙が狭くなると液滴の表面張力などによって入り込みづらくなる。風などを用いてエッチング液を対流させることでレジスト間隙に入り込ませているが、液滴が効率良く入り込む訳ではない。
そこで、本発明は、現行のウェットエッチングでは製造できない微細配線を製造することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明である電子部品の製造方法は、電子部品の基板に積層された材料に対してレジストでマスクを施して前記レジストで被覆されていない間隙をエッチングする方法であって、前記材料をエッチングするためのエッチング液を噴霧するエレクトロスプレーのノズルと前記材料との間に電位差を設けることにより、前記ノズルと、前記レジストで被覆されていない間隙との間に形成された電場に沿って前記エッチング液の液滴を移動させる、ことを特徴とする。
また、前記電子部品の製造方法において、前記基板及び前記エレクトロスプレーのノズルを低誘電率の液体媒体に浸漬させることにより、前記エッチング液の液滴を微細化させて前記材料に噴霧する、ことを特徴とする。
また、前記電子部品の製造方法において、前記エレクトロスプレーは、ノズルを複数配置して噴霧する範囲を拡げたマルチスプレーノズルである、ことを特徴とする。
また、前記電子部品の製造方法において、前記エレクトロスプレーは、噴霧を間欠的にし、前記材料をエッチングする時間と、当該エッチングによる反応生成物を除去する時間とが、交互に繰り返される、ことを特徴とする。
また、前記電子部品の製造方法において、前記エレクトロスプレーを噴霧して前記材料をエッチングする工程と、当該エッチングによる反応生成物を除去する工程とを、交互に繰り返し設ける、ことを特徴とする。
また、前記電子部品の製造方法において、両面がレジストでマスクされた材料の両側にそれぞれエレクトロスプレーのノズルを配置し、当該材料の両面にエッチング液を噴霧する、ことを特徴とする。
本発明によれば、現行のウェットエッチングでは製造できない微細配線を製造することができる。エレクトロスプレーによって微細化されたエッチング液滴を電気力線に沿ってレジスト間隙に強制的に送り込むことで効率的にエッチング加工することができる。また、エッチング工程と洗浄工程を繰り返すことで、狭い間隙において反応生成物が材料表面に被膜してエッチングを阻害するのを防止することができる。メッキ方式で製造するのと同等の微細配線をウェットエッチングで製造することができ、メッキ方式に比べて製造時間が圧倒的に短く、製造原価を低く抑えることができる。
以下に、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
［第１の実施形態］
図１を用いて、気中におけるエレクトロスプレーによるエッチング装置について説明する。本発明は、電子部品の製造方法において、電子部品の基板に積層された材料に対してレジストでマスクを施して当該マスクで被覆されていない間隙をエッチングする方法であり、エレクトロスプレーを用いて材料をエッチングする。
図１を用いて、気中におけるエレクトロスプレーによるエッチング装置について説明する。本発明は、電子部品の製造方法において、電子部品の基板に積層された材料に対してレジストでマスクを施して当該マスクで被覆されていない間隙をエッチングする方法であり、エレクトロスプレーを用いて材料をエッチングする。
図１（ａ）に示すように、本発明において使用するエッチング装置１００は、基板２００の表面から所定の距離を空けてエレクトロスプレーのノズル３１０を配置し、例えば、基板２００に積層された材料２２０側を負電位、ノズル３１０側を正電位として対向させる。
なお、ノズル負電位：材料正電位、ノズル正電位：材料接地（０Ｖ）、ノズル負電位：材料接地（０Ｖ）等のようにしても良い。ノズル３１０と材料２２０の間の電位差は、好ましくは２ｋＶ以上、さらに好ましくは４ｋＶ以上、特に好ましくは６ｋＶ以上、また、好ましくは２０ｋＶ以下、さらに好ましくは１５ｋＶ以下、特に好ましくは１０ｋＶ以下である。
基板２００とノズル３１０は、気中に存在させる場合、空気、窒素、二酸化炭素などの雰囲気中であれば良く、適宜選択可能である。
基板２００は、表面に電子回路の配線パターンが形成されるプリント基板であり、基材２１０に配線するための材料２２０が積層され、その上に材料２２０を加工するためのマスクとしてレジスト２３０が塗布される。なお、基板２００は、リジッド基板又はフレキシブル基板のどちらでも良いが、以下フレキシブル基板で説明する。
基材２１０は、絶縁体であり、フレキシブル基板の場合、ポリイミドやポリエステルなどの薄いフィルム状の樹脂が用いられる。材料２２０は、導体であり、フレキシブル基板の場合、圧延銅箔などの薄い金属が用いられる。レジスト２３０は、感光性の組成物であり、配線として残したい部分に塗布することにより、エッチング液３２０が接触しないように被覆する。
エレクトロスプレーは、ノズルに高電圧を加えることで液体が帯電液滴として噴霧される現象であり、例えば質量分析計におけるサンプルのイオン化などに用いられている。
エッチング液３２０を噴霧するノズル３１０と、対向電極である材料２２０との間に高電圧を印加して電位差を設けることにより、送液ポンプ３００内のエッチング液３２０が帯電した微細な液滴３２０ａとなって材料２２０に噴霧される。
液滴３２０ａのサイズは、電位差、ノズル３１０と材料２２０の距離、エッチング液３２０の送液量などによって変化する。エッチングに適した液滴３２０ａのサイズは、好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上、また、好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。
図１（ｂ）に示すように、ノズル３１０の先端と、レジスト２３０で被覆されていない材料２２０が露出している部分の間に、電場が形成され、帯電した液滴３２０ａは電気力線３２０ｂに沿って材料２２０が露出している部分に向かって移動する。また、露出している部分の隙間が狭いとエッチング液３２０が入り込みづらくなるが、微細化した液滴３２０ａが強制的に押し込まれる。
ノズル３１０は、材料２２０との間に電場を形成できれば良く、例えば、ステンレスチューブ、表面を金などでメッキしたキャピラリーチューブ、炭素キャピラリーチューブ等の極細管が用いられる。
エッチング液３２０は、エッチングする金属により適宜選択すれば良い。例えば、銅をエッチングする場合は、塩化鉄（ＩＩＩ）等を用いれば良い。（式１）のように鉄が３価から２価になり、塩化銅（ＩＩ）が生成されることにより銅が腐食される。
（式１） ２ＦｅＣｌ３＋Ｃｕ→２ＦｅＣｌ２＋ＣｕＣｌ２
（式１） ２ＦｅＣｌ３＋Ｃｕ→２ＦｅＣｌ２＋ＣｕＣｌ２
ノズル１本当たりの送液量は、好ましくは０．００１ｍＬ／ｍｉｎ以上、さらに好ましくは０．０１ｍＬ／ｍｉｎ以上、また、好ましくは１０ｍＬ／ｍｉｎ以下、さらに好ましくは５ｍＬ／ｍｉｎ以下、特に好ましくは２ｍＬ／ｍｉｎ以下である。
エッチング液３２０をレジスト２３０で被覆されている部分を含めて全体へ均等に散布するのではなく、電場に沿って帯電した液滴３２０ａを移動させることにより、レジスト２３０で被覆されていない部分へ選択的に噴射する。すなわち、エッチングしたい部分を狙い撃ちするように、材料２２０をエッチングすることができる。
［第２の実施形態］
図２、３を用いて、液体媒体（低誘電率液体）中におけるエレクトロスプレーによるエッチング装置について説明する。図２に示すように、本発明において使用するエッチング装置１００ａでは、基板２００とノズル３１０は、液体媒体４００中に存在させる。エッチング装置１００ａは、エレクトロスプレーを液体媒体４００で行う以外は、エッチング装置１００と同様であっても良い。
図２、３を用いて、液体媒体（低誘電率液体）中におけるエレクトロスプレーによるエッチング装置について説明する。図２に示すように、本発明において使用するエッチング装置１００ａでは、基板２００とノズル３１０は、液体媒体４００中に存在させる。エッチング装置１００ａは、エレクトロスプレーを液体媒体４００で行う以外は、エッチング装置１００と同様であっても良い。
液体媒体４００としては、レジスト２３０と不活性な低誘電率の液体を用いる。例えば、
（１）ｎ−ヘキサン・ペンタン・デカン等のアルカン、
（２）シクロヘキサン等のシクロアルカン、
（３）ベンゼン・トルエン・キシレン等の環式の不飽和炭化水素、
（４）シクロペンチルメチルエーテル（比誘電率４．７６）・ジイソプロピルエーテル（比誘電率３．８１）・メチル−ｔ−ブチルエーテル（比誘電率２．６）等のエーテル、
（５）塩化ベンジル（比誘電率７．０）・クロロホルム（比誘電率６．１５）・１−クロロオクタン（比誘電率５．０５）・四塩化炭素（比誘電率２．２３８）・パーフルオロヘキサン等のハロゲン化炭化水素、
（６）エタノール（比誘電率２４．５５）・１−ブタノール（比誘電率１７．５１）・１−ペンタノール（比誘電率１３．９）・１−オクタノール（比誘電率１０．３）等のアルコール、
等が挙げられる。これらの液体媒体４００は、１種類を単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いても良い。
（１）ｎ−ヘキサン・ペンタン・デカン等のアルカン、
（２）シクロヘキサン等のシクロアルカン、
（３）ベンゼン・トルエン・キシレン等の環式の不飽和炭化水素、
（４）シクロペンチルメチルエーテル（比誘電率４．７６）・ジイソプロピルエーテル（比誘電率３．８１）・メチル−ｔ−ブチルエーテル（比誘電率２．６）等のエーテル、
（５）塩化ベンジル（比誘電率７．０）・クロロホルム（比誘電率６．１５）・１−クロロオクタン（比誘電率５．０５）・四塩化炭素（比誘電率２．２３８）・パーフルオロヘキサン等のハロゲン化炭化水素、
（６）エタノール（比誘電率２４．５５）・１−ブタノール（比誘電率１７．５１）・１−ペンタノール（比誘電率１３．９）・１−オクタノール（比誘電率１０．３）等のアルコール、
等が挙げられる。これらの液体媒体４００は、１種類を単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いても良い。
イオンを大量に含んだ溶液をエレクトロスプレーする場合、溶液内の反対電荷のイオンによる打消しの効果のため、ノズル３１０の先端で過剰電荷を有する液滴３２０ａが生成され難くなる。エレクトロスプレーを形成するためには、より高電圧を与えて過剰電荷を液滴３２０ａの表面に生成する必要があるが、窒素や酸素のイオン化により気中では高電圧を与えることができない。すなわち、空気中の場合、エッチング液３２０の周りに窒素や酸素が存在している影響で、液滴３２０ａのサイズを微細化してスプレーすることが困難である。
液中では、窒素及び酸素の影響を排除することで、ノズル３１０の先端に強電場を形成することができるので、高濃度のイオンを含む溶液でもエレクトロスプレーが可能となる。すなわち、液中の場合、エッチング液３２０の周りの窒素や酸素が遮断されるので、液滴３２０ａのサイズは１マイクロメートル程度に微細化される。
図３（ａ）に示すように、レジスト２３０が塗布されていない間隙２４０にエッチング液３２０が入り込み、被覆のない材料２２０にエッチング液３２０が接触する。なお、エッチング液３２０は、エレクトロスプレーから噴霧されることで、間隙２４０を通過するように微細化される。例えば、間隙２４０が１０マイクロメートルであれば、液中でエレクトロスプレーを行い、エッチング液３２０の液滴のサイズを１マイクロメートルにすれば良い。
［第３の実施形態］
図４を用いて、液体媒体中において複数のノズルを設置したマルチノズルスプレーについて説明する。図４に示すように、エレクトロスプレーは、ノズル３１０を複数配置して噴霧する範囲を拡げたマルチスプレーノズルにしても良い。
図４を用いて、液体媒体中において複数のノズルを設置したマルチノズルスプレーについて説明する。図４に示すように、エレクトロスプレーは、ノズル３１０を複数配置して噴霧する範囲を拡げたマルチスプレーノズルにしても良い。
ノズル３１０の配置は、エッチング範囲に均等に噴霧されるように、例えば、直線状、格子状又は三角格子状などにすれば良い。また、ノズル３１０の間隔は、好ましくは７ｍｍ以上、さらに好ましくは１０ｍｍ以上、特に好ましくは１２ｍｍ以上、また、好ましくは１００ｍｍ以下、さらに好ましくは５０ｍｍ以下、特に好ましくは３０ｍｍ以下である。
なお、エレクトロスプレーのノズル３１０と材料２２０の間に形成される電気力線３２０ｂの分布が安定するように、ノズル３１０を配置すれば良い。図４においては、ノズル３１０の間隔を約１５ｍｍにすれば、隣接するエレクトロスプレーと干渉することなく噴射することができる。
［第４の実施形態］
［第４の実施形態］
図３（ｂ）に示す拡大図のように、材料２２０がエッチングされることに伴い、反応生成物２５０が生成される。塩化鉄（ＩＩＩ）で銅をエッチングした場合は、反応生成物２５０は塩化銅（ＩＩ）となる。液中でエッチングした場合は、イオンとなって銅が溶け出すが、エレクトロスプレーによって吹き付けられているため、反応生成物２５０を含む廃液が間隙２４０に残留する。
また、銅の表面にインヒビターを生成させ、エッチングを抑制しながら微細パターンを加工する場合がある。インヒビターを利用すると特定の方向へのエッチングを抑制して断面が直角に仕上がる異方性エッチングが可能である。しかし、インヒビターが固体化して除去しきれなくなると、材料のトップ面よりもボトム面が広くなるアンダーエッチングの状態になる。
微細な配線パターンで間隙２４０が狭いと、反応生成物２５０が材料２２０の表面に被膜されて、インヒビターの場合と同様に、エッチングが進まなくなる場合がある。反応生成物２５０は、クーロン力によりエッチング界面に残留し、エッチングの進行を阻害する。例えば、エッチングが奥まで進まずアンダーエッチングになったり、マスクの下側に入り込むように側壁が削られるサイドエッチング（アンダーカット）になったりする。そのため、反応生成物２５０を効率良く除去する必要がある。
図５を用いて、間欠スプレーについて説明する。図５（ａ）に示すように、所定の時間、高電圧を印加してエレクトロスプレーからエッチング液３２０を噴霧して材料２２０をエッチングする。
その後、図５（ｂ）に示すように、電圧印加を停止する。エッチング液３２０が材料２２０に押し付けられる効果が無くなるので、反応生成物２５０を含む廃液が間隙２４０から出て行く。例えば、比重により反応生成物２５０を浮かせて除去しても良いし、電位差を利用して強制的に反応生成物２５０を除去しても良い。微細基板ではエッチング液３２０をレジスト２３０の間隙２４０に入れることが困難なこともあり、反応生成物２５０の除去には洗浄などが必要となる。
図５（ｃ）に示すように、エレクトロスプレーを噴霧する時間を間欠的にし、材料２２０をエッチングする時間と、反応生成物２５０を除去する時間とを、適当な回数、交互に繰り返すことにより異方性エッチングが実現される。
［第５の実施形態］
図６を用いて、洗浄工程を設ける場合について説明する。図６のエッチング装置１００ｂに示すように、エレクトロスプレーを噴霧して材料２２０をエッチングする区間（工程）と、洗浄手段５００により反応生成物２５０を除去する区間（工程）とを、交互に繰り返し設けて基板２００ａを通過させても良い。洗浄手段５００では、例えば、液体媒体４００中で液体媒体４００をスプレーする等して、反応生成物２５０を洗い流せば良い。
図６を用いて、洗浄工程を設ける場合について説明する。図６のエッチング装置１００ｂに示すように、エレクトロスプレーを噴霧して材料２２０をエッチングする区間（工程）と、洗浄手段５００により反応生成物２５０を除去する区間（工程）とを、交互に繰り返し設けて基板２００ａを通過させても良い。洗浄手段５００では、例えば、液体媒体４００中で液体媒体４００をスプレーする等して、反応生成物２５０を洗い流せば良い。
なお、基板２００ａがフレキシブル基板のように柔軟に変形可能な場合は、エッチング区間と洗浄区間とを交互に連続させて、コンベアやローラー等の移送手段５１０で基板２００ａを移送させても良い。基板２００ａを移動させながら、材料２２０のエッチングと反応生成物２５０の除去を交互に繰り返すことにより、異方性エッチングが実現される。ただし、基板２００ａは、水平方向又は同じ角度で搬送した方が、材料２２０と基材２１０の間のストレスが少なく、密着性や製造結果の信頼性が高くなる。
［第６の実施形態］
図７を用いて、両面エッチングについて説明する。図７のエッチング装置１００ｃに示すように、材料２２０の表面をレジスト２３０でマスクし、材料２２０の裏面をレジスト２３０ａでマスクし、材料２２０の表側にエレクトロスプレーのノズル３１０を配置し、材料２２０の裏側にノズル３１０ａを配置する。
図７を用いて、両面エッチングについて説明する。図７のエッチング装置１００ｃに示すように、材料２２０の表面をレジスト２３０でマスクし、材料２２０の裏面をレジスト２３０ａでマスクし、材料２２０の表側にエレクトロスプレーのノズル３１０を配置し、材料２２０の裏側にノズル３１０ａを配置する。
材料２２０側をアースとし、材料２２０とノズル３１０の間、及び材料２２０とノズル３１０ａの間に、高電圧を印加して電位差を設けることにより、材料２２０の両側からエッチング液３２０を噴霧し、材料２２０の両面をエッチングしても良い。なお、ノズル３１０、３１０ａにかける電位の極性は、両ノズルとも正電位、両ノズルとも負電位、又は一方のノズルが正電位で他方のノズルが負電位のいずれかであっても良い。
液体媒体中でウェットエッチングしたときの実験条件を説明するとともに、図８を用いて、本発明に係る方法の優れた効果について説明する。図８は、短冊形状の設計パターンに従ってレジストでマスクし、液中でエレクトロスプレーによりウェットエッチングした後の顕微鏡写真である。
エッチング液が電気力線に沿って材料の表面に到達し、そこで材料を腐食させるため、マスクの疎密による近接場効果の影響は少ない。図中Ａに示す部分と図中Ｂに示す部分のマスク幅（約１０μｍ）は同じであるが、Ａでは、下側の空間が広く上側の空間が狭い。Ｂでは、上下とも空間が広い。通常であれば、Ａでは下側のエッチング量が小さく上側のエッチング量が大きいため、下側に偏った製造仕上がりになる。また、Ｂでは均等に削られるが、Ａに比べて細く仕上がるはずである。しかし、Ａには製造偏りがなく、ＡＢとも同等の製造結果になっている。
微細パターン（例えば、千鳥パターン）の先端が周囲のパターンの状態に影響されず同等に仕上がる。図中Ｃに示す部分は、上下を別のパターンで囲まれており、図中Ｄに示す部分は、周囲に何もない状態である。従来においては、Ｄでは強く削られ、場合によっては材料が完全に消失してしまう。しかし、パターンが細ることは確認されるが、ＣもＤもほとんど同等に仕上がっている。これは、エッチング加工に近接場効果の影響がなく、微細領域でエッチング反応が行われていることを示す。
ウェットエッチングでは、エッチング液が流動するため、短冊形状の凸部は大きく削られる。エッチング状態は、周囲のパターンの状態によっても変わる。しかし、図中Ｅに示す部分では、矩形のマスク形状から矩形に近い製造結果が得られている。これは、エッチング加工が近接場効果の影響を受けない微小領域で行われているためである。なお、凹部でも同様の効果が得られる。
エッチング液は電気力線によって材料の表面に誘導され、そこで材料を腐食させた後、不活性の廃液が残る。従来においては、エッチング液の流動ばらつきが激しく、エッチング仕上がりが場所によってばらつくため、歩留まりが低下する。エッチング液を狭いマスク間隙に入れる際の打圧ばらつきもあると、さらに歩留まりを劣化させる。しかし、電気力線の分布が安定するようにエレクトロスプレーのノズルを配置することにより、流動によるエッチング加工の面ばらつきが抑制される。
基板は５００ｍｍ×６００ｍｍくらいの大きさで一気に製造されるが、基板の搬送速度に比べて電気力は遙かに高速なため、エッチング加工の面ばらつきや、搬送方向によるエッチング打圧に起因した製造ばらつきが極限まで抑制される。また、同じ大きさの液滴でも、打圧より遙かに強いクーロン力で液滴を狭いレジスト空間を通過させることができる。そして、電場設計でエッチング製造結果のばらつきを抑制することができる。
本発明によれば、現行のウェットエッチングでは製造できない微細配線を製造することができる。エレクトロスプレーによって微細化されたエッチング液滴を電気力線に沿ってレジスト間隙に強制的に送り込むことで効率的にエッチング加工することができる。また、エッチング工程と洗浄工程を繰り返すことで、狭い間隙において反応生成物が材料表面に被膜してエッチングを阻害するのを防止することができる。メッキ方式で製造するのと同等の微細配線をウェットエッチングで製造することができ、メッキ方式に比べて製造時間が圧倒的に短く、製造原価を低く抑えることができる。
以上、本発明の実施例を述べたが、これらに限定されるものではない。例えば、フレキシブル基板だけでなく、リジッド基板に適用しても良い。厚銅基板（リジッド基板）の場合、間隙に溜まった反応生成物を除去しながら異方性エッチングを実現することで、サイドエッチング等を防止することができる。また、銅以外の金属をエッチングする場合に適用しても良い。
１００：エッチング装置（気中スプレー）
１００ａ：エッチング装置（液中スプレー）
１００ｂ：エッチング装置（洗浄工程）
１００ｃ：エッチング装置（両面スプレー）
２００：基板
２００ａ：基板
２１０：基材
２２０：材料
２３０：レジスト
２３０ａ：レジスト
２４０：間隙
２５０：反応生成物
３００：送液ポンプ
３１０：ノズル
３１０ａ：ノズル
３２０：エッチング液
３２０ａ：液滴
３２０ｂ：電気力線
４００：液体媒体
５００：洗浄手段
５１０：移送手段
１００ａ：エッチング装置（液中スプレー）
１００ｂ：エッチング装置（洗浄工程）
１００ｃ：エッチング装置（両面スプレー）
２００：基板
２００ａ：基板
２１０：基材
２２０：材料
２３０：レジスト
２３０ａ：レジスト
２４０：間隙
２５０：反応生成物
３００：送液ポンプ
３１０：ノズル
３１０ａ：ノズル
３２０：エッチング液
３２０ａ：液滴
３２０ｂ：電気力線
４００：液体媒体
５００：洗浄手段
５１０：移送手段
Claims (5)
- 電子部品の基板に積層された材料に対してレジストでマスクを施して前記レジストで被覆されていない間隙をエッチングする方法であって、
前記基板と、前記材料をエッチングするためのエッチング液を噴霧するエレクトロスプレーのノズルとを、低誘電率の液体媒体に浸漬させ、
前記エレクトロスプレーのノズルと前記材料との間に電位差を設けることにより、
前記エッチング液の液滴を微細化させて前記材料に噴霧し、
前記ノズルと、前記レジストで被覆されていない間隙との間に形成された電場に沿って前記エッチング液の液滴を移動させる、
ことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記エレクトロスプレーは、ノズルを複数配置して噴霧する範囲を拡げたマルチスプレーノズルである、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。 - 前記エレクトロスプレーは、噴霧を間欠的にし、前記材料をエッチングする時間と、当該エッチングによる反応生成物を除去する時間とが、交互に繰り返される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。 - 前記エレクトロスプレーを噴霧して前記材料をエッチングする工程と、当該エッチングによる反応生成物を除去する工程とを、交互に繰り返し設ける、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の電子部品の製造方法。 - 両面がレジストでマスクされた材料の両側にそれぞれエレクトロスプレーのノズルを配置し、当該材料の両面にエッチング液を噴霧する、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019065268A JP6623349B1 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 電子部品の製造方法 |
| TW109109739A TW202037240A (zh) | 2019-03-29 | 2020-03-24 | 電子零件製造方法 |
| PCT/JP2020/013218 WO2020203521A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-03-25 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019065268A JP6623349B1 (ja) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6623349B1 true JP6623349B1 (ja) | 2019-12-25 |
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Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6623349B1 (ja) |
| TW (1) | TW202037240A (ja) |
| WO (1) | WO2020203521A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW200425327A (en) * | 2003-02-21 | 2004-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for liquid etching |
-
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-
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- 2020-03-24 TW TW109109739A patent/TW202037240A/zh unknown
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| JP2020167247A (ja) | 2020-10-08 |
| WO2020203521A1 (ja) | 2020-10-08 |
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