TWM616420U - 液晶高分子薄膜電氣圖樣構造 - Google Patents

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TWM616420U
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張有諒
柳國富
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張有諒
柳國富
蔡 約瑟
大陸商深圳市光鼎智能精密科技有限公司
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Abstract

一種液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，包括有液晶高分子薄膜以及金屬分子鍵合層，液晶高分子薄膜由液晶高分子聚合物所製成，液晶高分子薄膜在表面上依據預定圖樣形狀製成粗糙部分；金屬分子鍵合層係利用金屬熔射噴覆固著成型於液晶高分子薄膜表面之粗糙部分上，金屬分子鍵合層附著於粗糙部分上之附著力為9kgf/cm2~11kgf/cm2，而金屬分子鍵合層之孔隙率為1~5%，以構成電氣圖樣構造，並且能夠達到優異的導電性與電氣特性。

Description

液晶高分子薄膜電氣圖樣構造
本創作有關於軟性電路板領域，特別是在液晶高分子薄膜上形成電氣圖樣構造。
為因應電子及通訊工作頻率朝向高頻化，軟性電路板的基板材質發展趨向低介電(DK)值，而液晶高分子薄膜即為首選材料。但是習知的軟性電路板導電圖樣製程有以下缺失：一、覆銅液晶高分子薄膜軟板經由遮蔽治具形成圖樣形狀，再利用蝕刻及剝除遮蔽材形成導電圖樣，而此製程中必須使用大量的蝕刻液。二、液晶高分子薄膜經印刷導電塗料形成導電圖樣，而導電塗料的中介質，諸如樹脂和助劑等降低了導電性，並且影響電氣特性。因此要如何解決上述問題，即為此行業相關業者所亟欲研究之課題所在。
本創作之主要目的在於，不必利用中介質的輔助，而直接在液晶高分子薄膜形成金屬分子鍵合層的電氣圖樣，以用於電氣訊號的傳遞與接收、防電磁波干擾(anti-electromagnetic disturbance)、電磁干擾遮蔽(Electromagnetic shielding)，並且能夠達到優異 的導電性與電氣特性。
為達上述目的，本創作液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，包括有液晶高分子薄膜以及金屬分子鍵合層，其中：該液晶高分子薄膜由液晶高分子聚合物所製成，該液晶高分子薄膜在表面上依據預定圖樣形狀製成粗糙部分；該金屬分子鍵合層係利用金屬熔射噴覆固著成型於該液晶高分子薄膜表面之該粗糙部分上，該金屬分子鍵合層附著於該粗糙部分上之附著力為9kgf/cm2~11kgf/cm2，並且該金屬分子鍵合層之孔隙率為1~5%，以構成電氣圖樣構造。
前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，其中該金屬分子鍵合層選自於鋅、銅、鎳、鋅銅合金及銅鎳合金所組成之群組之其中之一者。
前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，其中該金屬分子鍵合層係利用常溫氣壓熔射法噴覆固著於該液晶高分子薄膜表面之該粗糙部分上。
前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，其中該電氣圖樣為線寬小於或等於0.15mm之電性傳導線路構造。
前述之液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，其中該電氣圖樣為防電磁波干擾構造或電磁干擾遮蔽構造。
1:液晶高分子薄膜
2:遮蔽層
3:鏤空圖案
4:粗糙部分
5:金屬分子鍵合層
6:電氣圖樣
第一圖係本創作液晶高分子薄膜電氣圖樣構造之立體剖面圖。
第二圖係本創作在液晶高分子薄膜表面形成遮蔽層之立體剖面圖。
第三圖係本創作在遮蔽層上依據預定圖樣形狀製成鏤空圖案之立體剖面圖。
第四圖係本創作在液晶高分子薄膜表面沿著鏤空圖案加工成粗糙部分之立體剖面圖。
第五圖係本創作在液晶高分子薄膜粗糙部分上形成金屬分子鍵合層之立體剖面圖。
有關本創作為達成上述目的，所採用之技術手段及其功效，茲舉出可行實施例，並且配合圖式說明如下：
首先，請參閱第一圖至第五圖所示，本創作包括有液晶高分子薄膜1以及金屬分子鍵合層5，以在液晶高分子薄膜1表面直接形成電氣圖樣6構造，其中：
該液晶高分子薄膜1由液晶高分子聚合物(LCP)所製成，該液晶高分子薄膜1在表面上依據預定圖樣形狀製成粗糙部分4。
該金屬分子鍵合層5係利用金屬熔射噴覆固著成型於該液晶高分子薄膜1表面之該粗糙部分4上，該金屬分子鍵合層5選自於鋅、銅、鎳、鋅銅合金及銅鎳合金所組成之群組之其中之一者，該金屬分子鍵合層5附著於該粗糙部分4上之附著力為9kgf/cm2~11kgf/cm2，而該金屬分子鍵合層5之孔隙率為1~5%，以構成該電氣圖樣6構造，並且能夠達到優異的導電性與電氣特性。
本創作在製造過程中，首先在該液晶高分子薄膜1之表面形成遮蔽層2(參閱第二圖)，且遮蔽層2可利用選自於膠帶、印刷、塗佈及遮蔽治具之其中之一種方式形成，然後在該遮蔽層2上依據預定圖樣形狀，以雷射光束雕刻製成鏤空圖案3(參閱第三圖)，並且利用雷射光束通過該鏤空圖案3，以將該液晶高分子薄膜1對應表面加工成粗糙部分4(參閱第四圖)。
然後利用常溫氣壓熔射法，以加壓氣體吹送熔融金屬形成之金屬粒子，將該金屬粒子通過該遮蔽層2之該鏤空圖案3，以噴覆固著於該液晶高分子薄膜1對應表面之粗糙部分4上，而形成金屬分子鍵合層5(參閱第五圖)，並且該金屬分子鍵合層5瞬間降溫成該電氣圖樣6。
最後移除該液晶高分子薄膜1上之遮蔽層2，再取出具有該電氣圖樣6之該液晶高分子薄膜1(參閱第一圖)。
本創作在常溫氣壓熔射法所使用之噴塗氣壓為3~12大氣壓(Bars)；使用之熔射機器能依據不同之導電性材料而調整熔融溫度，熔射機器使用之電壓為20~50V，使用之電流為185~295安培，以利用電弧方式熔融金屬，再利用加壓氣體吹送形成金屬粒子，使該金屬粒子噴覆固著於該粗糙部分4上，而形成該金屬分子鍵合層5，並且該金屬粒子溫度瞬間降低為常溫，也就是攝氏約24~40度。本創作之金屬分子鍵合層5附著於該粗糙部分4上之附著力為9kgf/cm2~11kgf/cm2，並且該金屬分子鍵合層5之孔隙率為1~5%，以提高鍵合力及細緻度。而且該液晶高分子 薄膜1與該電氣圖樣6應用在軟性電路板時，該電氣圖樣6可設為線寬小於或等於0.15mm之電性傳導線路構造，以用於電性傳導，並符合電子及通訊工作頻率之高頻化需求。再者，該電氣圖樣6亦可用於防電磁波干擾構造或電磁干擾遮蔽構造。
以上所舉實施例僅用為方便說明本創作，而並非加以限制，在不離本創作精神範疇，熟悉此一行業技藝人士所可作之各種簡易變化與修飾，均仍應含括於以下申請專利範圍中。
1:液晶高分子薄膜
4:粗糙部分
5:金屬分子鍵合層
6:電氣圖樣

Claims (5)

  1. 一種液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，包括有液晶高分子薄膜以及金屬分子鍵合層，其中：該液晶高分子薄膜由液晶高分子聚合物所製成，該液晶高分子薄膜在表面上依據預定圖樣形狀製成粗糙部分；該金屬分子鍵合層係利用金屬熔射噴覆固著成型於該液晶高分子薄膜表面之該粗糙部分上，該金屬分子鍵合層附著於該粗糙部分上之附著力為9kgf/cm2~11kgf/cm2，並且該金屬分子鍵合層之孔隙率為1~5%，以構成電氣圖樣構造。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，其中該金屬分子鍵合層選自於鋅、銅、鎳、鋅銅合金及銅鎳合金所組成之群組之其中之一者。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，其中該金屬分子鍵合層係利用常溫氣壓熔射法噴覆固著於該液晶高分子薄膜表面之該粗糙部分上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，其中該電氣圖樣為線寬小於或等於0.15mm之電性傳導線路構造。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶高分子薄膜電氣圖樣構造，其中該電氣圖樣為防電磁波干擾構造或電磁干擾遮蔽構造。
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