JPH05251421A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH05251421A JPH05251421A JP5022092A JP5022092A JPH05251421A JP H05251421 A JPH05251421 A JP H05251421A JP 5022092 A JP5022092 A JP 5022092A JP 5022092 A JP5022092 A JP 5022092A JP H05251421 A JPH05251421 A JP H05251421A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- semiconductor wafer
- wafer
- ozone
- tank
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】エッチング液中に混入させる界面活性剤の残留
分による信頼性低下を防止する。 【構成】オゾン槽５内に半導体ウェーハ１を搬送して低
圧水銀ランプにより発生させたオゾンで表面を親水性に
した後、エッチング槽６内に移して半導体ウェーハ１を
回転させながらノズル７よりエッチング液を噴出させて
ウェットエッチングを行なう。
分による信頼性低下を防止する。 【構成】オゾン槽５内に半導体ウェーハ１を搬送して低
圧水銀ランプにより発生させたオゾンで表面を親水性に
した後、エッチング槽６内に移して半導体ウェーハ１を
回転させながらノズル７よりエッチング液を噴出させて
ウェットエッチングを行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエッチング方法に関し、
特に半導体装置のエッチング方法に関する。
特に半導体装置のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のエッチング方法は、半導体基板上
に設けた金属膜をパターニングする際のエッチング液に
界面活性剤を混合することで微細なＩＣパターンの間に
エッチング液が浸透する様にしている。
に設けた金属膜をパターニングする際のエッチング液に
界面活性剤を混合することで微細なＩＣパターンの間に
エッチング液が浸透する様にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のエッチング
方法は、微細パターンの隅々までエッチング液を浸透さ
せる為に、エッチング液中に界面活性剤を混入させてい
るため、エッチング後の水洗が不充分な場合、乾燥工程
で界面活性剤が残り、ＩＣ素子が汚染されて信頼性が低
下するという問題点があった。
方法は、微細パターンの隅々までエッチング液を浸透さ
せる為に、エッチング液中に界面活性剤を混入させてい
るため、エッチング後の水洗が不充分な場合、乾燥工程
で界面活性剤が残り、ＩＣ素子が汚染されて信頼性が低
下するという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のエッチング方法
は、表面にエッチング用マスクを設けた半導体ウェーハ
をオゾン雰囲気中で前処理する工程と、前記半導体ウェ
ーハをエッチング液中に浸してウェットエッチングする
工程とを含んで構成される。
は、表面にエッチング用マスクを設けた半導体ウェーハ
をオゾン雰囲気中で前処理する工程と、前記半導体ウェ
ーハをエッチング液中に浸してウェットエッチングする
工程とを含んで構成される。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の一実施例を説明するための
エッチング装置の模式的断面図である。
エッチング装置の模式的断面図である。
【０００７】図１に示すように、シャッタ４Ａを開いて
低圧水銀ランプ３を点灯することにより、オゾン
（Ｏ3 ）を発生させるオゾン槽５の内部に設けたウェー
ハホルダ２の上に表面にエッチング用マスクを設けた半
導体ウェーハ１を搬送しシャッタ４ａを閉じる。オゾン
槽５内で半導体ウェーハ１の表面はＯ3 と反応し、被エ
ッチング領域には付着しているマスス材の残渣等の被膜
が除去され、その結果半導体ウェーハ１の表面は疏水性
から親水性となり、エッチング液に対する濡れ性が改善
される。
低圧水銀ランプ３を点灯することにより、オゾン
（Ｏ3 ）を発生させるオゾン槽５の内部に設けたウェー
ハホルダ２の上に表面にエッチング用マスクを設けた半
導体ウェーハ１を搬送しシャッタ４ａを閉じる。オゾン
槽５内で半導体ウェーハ１の表面はＯ3 と反応し、被エ
ッチング領域には付着しているマスス材の残渣等の被膜
が除去され、その結果半導体ウェーハ１の表面は疏水性
から親水性となり、エッチング液に対する濡れ性が改善
される。
【０００８】次に、オゾン槽５の中で一定時間処理した
半導体ウェーハ１をシャッター４ｂを開けエッチング槽
６内へ搬送し、回転チャック１２に吸着させシャッタ４
ｂを閉じる。
半導体ウェーハ１をシャッター４ｂを開けエッチング槽
６内へ搬送し、回転チャック１２に吸着させシャッタ４
ｂを閉じる。
【０００９】次に、モータ９により半導体ウェーハ１を
回転させた状態で半導体ウェーハ１上にノズル７よりエ
ッチング液を噴出させ、一定時間エッチング処理を施こ
す。エッチングが終了した時点でエッチング液を止め、
ノズル８からエッチング反応を停止させるリンス液を噴
出させる。リンス処理が終了したらリンス液を止め、モ
ータ９にて半導体ウェーハ１を高速で回転させ、遠心力
によって半導体ウェーハ１の表面のリンス液を放散さ
せ、乾燥させた後シャッタ４ｃを開いて外部へ取出す。
回転させた状態で半導体ウェーハ１上にノズル７よりエ
ッチング液を噴出させ、一定時間エッチング処理を施こ
す。エッチングが終了した時点でエッチング液を止め、
ノズル８からエッチング反応を停止させるリンス液を噴
出させる。リンス処理が終了したらリンス液を止め、モ
ータ９にて半導体ウェーハ１を高速で回転させ、遠心力
によって半導体ウェーハ１の表面のリンス液を放散さ
せ、乾燥させた後シャッタ４ｃを開いて外部へ取出す。
【００１０】なお、低圧水銀ランプ３の代わりに無声放
電によるオゾン発生器を用いても良い。
電によるオゾン発生器を用いても良い。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エッチン
グの前処理としてオゾン処理を施すことにより、半導体
ウェーハの表面を親水性にし、エッチング液の浸透を向
上させることができるため、エッチング液への界面活性
剤の混合を不用とし、界面活性剤の残留による信頼性の
低下を防止できるという効果を有する。
グの前処理としてオゾン処理を施すことにより、半導体
ウェーハの表面を親水性にし、エッチング液の浸透を向
上させることができるため、エッチング液への界面活性
剤の混合を不用とし、界面活性剤の残留による信頼性の
低下を防止できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのエッチング
装置の模式的断面図。
装置の模式的断面図。
１ 半導体ウェーハ ２ ウェーハホルダ ３ 低圧水銀ランプ ４ａ，４ｂ，４ｃ シャッタ ５ オゾン槽 ６ エッチング槽 ７，８ ノズル ９ モータ １２ 回転チャック
Claims (1)
- 【請求項１】 表面にエッチング用マスクを設けた半導
体ウェーハをオゾン雰囲気中で前処理する工程と、前記
半導体ウェーハをエッチング液中に浸してウェットエッ
チングする工程とを含むことを特徴とするエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5022092A JPH05251421A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5022092A JPH05251421A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251421A true JPH05251421A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12852971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5022092A Pending JPH05251421A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251421A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075278A1 (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 液相エッチング方法および液相エッチング装置 |
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63303082A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPH02201916A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板のレジスト除去洗浄方法及びその装置 |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP5022092A patent/JPH05251421A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63303082A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPH02201916A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板のレジスト除去洗浄方法及びその装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| WO2004075278A1 (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 液相エッチング方法および液相エッチング装置 |
| CN100370588C (zh) * | 2003-02-21 | 2008-02-20 | 松下电器产业株式会社 | 液相蚀刻方法及液相蚀刻装置 |
| US7378031B2 (en) | 2003-02-21 | 2008-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid phase etching method and liquid phase etching apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980721 |