TWI314367B - Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor - Google Patents

Description

1314367 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一 訊傳輸設備之一光 法0 種用作（例如）照明、資訊顯示設備及資 源的半導體發光裝置及關於其製造方 【先前技術】 傳統上，對於發光二極體（下文稱為led)而言，重要的 係增強揭取内部產生的光之效率，即外部發射效率。 為了增強⑽之外部發射效率，—般使用對發射波長透 明的LED基板。 在將對發射波長不透明之-基板用於一 LED時，該基板 吸收發射的光而因此實質上僅將光發射至除相對於一發射 層之基板側以外之一側上之一面（下文稱為上部面）。 另-方面，在將對發射波長透明之一基板用於一㈣ 時，不僅可以從該上部面而且可以從其他面發光。此外， 在該LED之基板側面（下文稱為一下部面）係焊接之情況 下，可藉由該下部面反射從該發射層行至該基板側的光以 便從該上部面及橫面及類似面發射該光。 傳統上將具有此一透明基板之LED應用於··紅外線 LED，使用以InGaAsP為主的半導體材料；紅外線及紅色 led，使用以A1GaAs為主的半導體材料；黃色LED，使用 以GaAsP為主的半導體材料；綠色lED，使用以Gap為主 的半導體材料；以及類似應用。 近年來’在利用以AlGalnP為主的半導體材料來開發 112323.doc 1314367 色、黃色及綠色LED時’用於將複數個基板直接互相焊接 之一晶圓烊接技術迅速得到實際應用。採用該晶圓焊接技 術’對發射波長透明的基板係焊接至LED基板，以便提高 該等LED之外部發射效率。 JP No· 3230638 B中揭示一第一此類先前技術。在該第 一先前技術中’透過加壓及高溫處理，將一以Gap(鎵磷） 為主的透明基板直接焊接至形成於一 GaAs(砷化鎵）基板上 之一以AlGalnP(鋁鎵銦磷）為主的半導體層之表面。 JP No· 3 5 32953 B中揭示一第二先前技術。在該第二先 前技術中’經由一含In(銦）的焊接層對一 LED發射層與一 透明層實行晶圓焊接。 JP 2001-53056 A中揭示一第三先前技術。在該第三先前 技術中，首先在生長於一第一基板上之一第一磊晶層上， 經由一遮罩生長一第二磊晶層，而在該第二磊晶層上形成 一到達該遮罩之溝渠。接下來，在將一第二基板晶圓焊接 到s亥第一磊晶層上後，將一蝕刻劑放入該溝渠以便蝕刻掉 該遮罩。藉此，將該第二磊晶層及該第二基板與該第—基 板及該第一磊晶層分離。 。在該第 半導體基 二半導體 此外，JP 2001-57441 A中揭示一第四先前技術 四先前技術中，在將該第一半導體基板與該第二 板焊接在一起之前，在一第一半導體基板與一第 基板之焊接面中的至少一面上形成一溝準。 但疋’该荨個別先前技術有以下問題。 即，在該第一先前技術中，難以在產生極佳良率之同時 112323.doc 1314367 將一透明基板之整個表面均勻地焊接至一直徑為2英吋或3 英叫·之晶圓，該晶圓一般係用於led之製造。 在本申請者所實施的測試中，利用如圖丨丨A之示意性正 視圖及圖11B之示意性平面圖所示之一夾具5〇，對一第二 晶圓123(其係一 GaP透明基板）加壓使其與一第一晶圓 122(其係由一GaAs基板組成與—形成於該GaAs*板上以 AlGalnP為主的半導體層）緊密接觸，並讓其一加熱爐中接 文咼溫處理。在此，該等第一與第二晶圓122、皆係直 徑為2英吋之晶圓。 當在该尚溫處理後從該加熱爐取出該等第一及第二晶圓 122、123時，該第一及第二晶圓122、123有裂縫，而因此 不能採取接下來的製造步驟。 圖12A係顯不焊接前的第一晶圓122之一示意性平面圖， 而圖12B係從圖12A中直線ΧΙΙΒ_ΧΙΙΒ觀看之一示意性斷面 圖。 圖13 Α係顯示焊接後的第一及第二晶圓122、123之一示 思性平面圖’而圖13B係從圖13A中直線又111心：^111]8觀看 之一不意性斷面圖。應注意，圖13A中以陰影表示焊接部 分。 如圖13A及136所示’在該等第一及第二晶圓122、123 中產生一裂縫112，而在該晶圓之中心及放射狀外部部分 產生類似孤島狀態的焊接部分11 〇，而因此不會焊接除該 等蚌接部分以外的該些部分。因此，產生一焊接故障。 因此’該第—先前技術<有一問題係其難以應用於LED之 112323.doc 1314367 質量生產。 在該第二先前技術中，在將該LED層形成於所生長的基 板上之後而在對該透明基板作晶圓焊接之前，移除所生長 的基板。已移除所生長基板之後的LED層較薄且易於破 碎’而此會引起良率下降。 進一步，在S亥第二先前技術中，為了抑制該晶圓在晶圓 焊接期間的破碎及破裂，需要一用於在該晶圓到達一晶圓 軟化溫度後隨即藉由一氣動活塞來對該晶圓加壓之單元。 此點使得製造設備變複雜並使得製造設備之控制變複雜。 第二先刚技術未提供該晶圓焊接步驟之細節。 在第四先如技術中’依據本申請者所實施之一測試，利 用一夾具50，藉由以280 μηι為間隔在由一 GaAs基板與一 形成於該基板上以AlGalnP為主的半導體層組成之一 27〇 μιη厚的第一晶圓122之表面上進行切割，來形成寬度為3〇 μιη而深度為30 μηι之溝渠，而對一第二晶圓123(其係一透 明基板）加壓而使其與該第一晶圓122緊密接觸並讓其在一 加熱爐中接受高溫處理。在此情況下，該等第一及第二晶 圓122、123皆係直徑為2英吋之晶圓。 當在該高溫處理後從該加熱爐取出該等第一及第二晶圓 122、123時，該等晶圓122、123有時沿溝渠形成方向會有 裂缝。例如，若在該第一晶圓122之表面上形成延伸於一 與<110>方向平行的方向上之一溝渠以及延伸於一與該 <110〉方向垂直的方向上之一溝渠，則該等第一及第二 122、123晶圓會破碎成約1 0塊碎片而變成無用產品。 112323.doc 1314367 【發明内容】 、本發明之一目的係提供一種半導體發光裝置之製造方 法’其使付可以容易而高良率地製造具有較高外部發射效 率之半v體發光裝置而不會產生焊接故障及晶圓裂縫。 本么月之另一目的係提供一種可藉由此一製造方法來製 造的半導體發光裝置。 、 為了實現以上目的，提供—種半導體發光裝置， 含： ά

複數個半導體層 其包括至少一發射層；以及 、明層，其透射來自該發射層的光，該個別層係層壓 在一起，其中 曰 :亥等半導體層與該透明層之晶軸一般係彼此對齊，以及 該透明層的橫面之-方向在相對於叫方向_15。至 + 15°範圍内。 f此’術語「橫面方向」表示該等橫面之正交方向。

若在—晶圓上形成上述構造的半導體發光裝置，則還作 一配f使得該透明層之橫面方向相對於該[i 0 0 ]方向落 在-15。至+15。範圍内，以便減小分裂該晶圓所需要的應力 而防止出現晶圓裂縫。 W因此，便可以容易而高良率地製造具有較高外部發射效 率之半導體發光裝置而不會產生焊接故障及晶圓裂縫。 在本發明之—項具體實施例中，該透明層具有—多層结 構0 依據此項具體實施例中 的半導體發光裝置’即使在該透 112323.doc 1314367 明層具有:多層結構之情況下，亦可以容易而高良率地製 &八有較呵外部發射效率之半導體發光裝置。 在本么明之_項具體實施例中，該透明層之橫面係粗縫 面。 ° 依據此項且體音& ,,, 八髖實私例中的半導體發光裝置，該 橫面係粗輪面而因此增加光擷取效率。 日之 成：：：：之項具體實施例中’在該透明層之橫面上形 成大出邛分與凹陷部分。 依據此項且體杳& ,丨丄 、體實施例中的半導體發光裝置，在該透明層 之橫面上形成突ψ Λ t 率。 °刀〃凹陷部分，而由此提高光擷取效 《月之1員具體實施例中，修整該半導體層之四 角。 :據此項具體實施例中的半導體 經修整為圓形的弁置糾# ”四角 形成包括該發射；之$一第一晶圓表面，在該表面上 圓㈣η 少一半導體層’而然後將該第一晶 固姓刻成讓該第—a 7A)。特〜士 日日圓上半導體層的各角變圓（參見圖 體声t蛀人 田該半導體層之表面為方形時，該半導 體層在接合該等第—盥 產生缺陷。但曰，/ 曰曰圓後由於強度不夠而更易於 半導體層μ①接合該等第—與第二晶圓之前修整該 午导體層之各肖彳φ彡里 ,. 防止該半導體層之缺陷。 此外，該修整之—畤罢 至在後續處置程序… 該半導體層出現缺陷（甚 此外’還提供—種半導體發光裝置之製造方法，其包含 132323.doc 1314367 以下步 之Ϊ至少一第一晶圓之一表面(其上面形成包括-發❹ 之至少一半導體層）或一曰 耵層 之一 #一曰曰圓之-表面(其對該發射岸 1射波長透明)上形成-焊接故障防止溝渠； θ 曰曰 於=方式將該第二晶圓放置於該第一晶圓之表面上以至 圓=第一晶圓表面與該第二晶圓表面互相接觸而該第 圓之—晶㈣該第二晶圓之—晶軸實f上互相對齊. =第-晶圓與該第二晶圓之間的一接觸面施加壓縮力 而同時加熱該接觸面；以及 以—方式從該第一晶圓及哕坌一曰面你人 部八' 日日圓及該第—晶圓移除該第一晶圓之 刀，以至於至少該發射層保留於第二晶圓上， 其中該焊接故障防止溝渠延伸為相對於—⑴W平面（其 '、日日圓分裂平面）形成一從30度至6〇之角度。 依據半導體發光裝置之製造方法，在至少該第—晶圓表 面或該第二晶圓表面上形成一焊接故障防止溝渠。該焊接 故=防止溝渠以—方式延伸以至於相對於叫平面（其 係曰曰圓分裂平面）形成一從30度至60的角度。在此等情 ^下’向該第-晶圓與該第二晶圓之間的—接觸面施加^ 縮力而同時加熱該接觸面。此刻，若該第一晶圓之—熱膨 脹係數不同於該第二晶圓之熱膨脹係數，貝]向該焊接故障 防亡溝渠之部分施加膨脹與收縮應力。但是，由於該焊接 故障防止溝渠之延伸方向相對於該{ i i g }平面（其係最易破 碎之:曰圓分裂平面)形成—從3〇度至6〇的肖度，故而減小 为裂,亥等弟一與第二晶圓之應力而因此可防止晶圓破碎。 112323.doc -12· 1314367 在至^、s亥弟一晶圓表面或§亥第一晶圓表面上形成_ 焊接故障防止溝渠，該溝渠以相對於該{11 0 }平面（其係一 晶圓分裂平面）形成一（例如）45度角之方式延伸，以至於由 膨脹與收縮產生的應力可從該分裂方向分散，而此點使得 可以均勻地焊接該第一晶圓與該第二晶圓而不會產生晶^

^因此’便可以容易而高良率地製造具有較高外部發射效 率之半導體發光裝置而不會產生焊接故障及晶圓裂縫。 該焊接故障防止溝渠之延伸方式較佳的係應相對於該 ⑴平面（其係-晶圓分裂平面）形成—45度角，因為此= 置能最大程度上分散由膨脹與收縮產生的應力。 、，此外，忒知接故障防止溝渠之延伸方向較佳的係—般應 平行於至少該第一晶圓表面或該第二晶圓表面中的至=: 表面。 甚至在該等第一及第二晶圓係廣泛用於汽相磊晶的傾斜

角基板之情況下’亦可以容易而高良率地製造具有較高外 部發射效率之半導體發光裝置。 半導體發光裳置之製造方法可適用於形成接合型半導體 發光裝置之情況。 在加熱該接觸面之步驟中： (例如）700°c至1000。(：範圍内的 加熱處理後的第一及第二晶圓 在本發明之一項具體實施例 結構。 S玄等第一及第二晶圓接受 加熱處理。此外，將接受該 冷卻到（例如）室溫。 中’ s玄第二晶圓具有—多層 H2323.doc -13 - 1314367 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，即 使在4第一晶圓具有一多層結構之情況下，亦可以容易而 高良率地製造具有較冑外部發射效率之半導體發光裝置。 在本i明之一項具體實施例中，將一應力鬆弛膜放置於 至乂該第一晶圓或該第二晶圓之接觸面之一相對面上。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，在 一應力鬆弛膜係放置於至少該第一晶圓或該第二晶圓之接 觸面的相對面上之狀態了，在加熱該接觸面的同時向該接 觸面上施加壓縮力。此點允許進-步減小該接觸面上應力 分佈之偏差。 因此，便可以獲得從該等第一及第二晶圓之晶圓分裂平 面均勻分散應力之一效果，此效果係由於該等第一與第二 曰曰圓之間因熱處理期間溫度的升降所致膨脹係數之差而產 生而且還可以防止該等第一與第二晶圓之間在其接觸面 上的焊接故障。 在本Is明之一項具體貫施例中，該應力鬆弛膜之應力鬆 他率在！_5%至3.0%範圍内而表面壓緊壓力在5kg/cm2至 5〇〇 kg/cm2範圍内。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，應 力fe弛率在1.5%至3.0%範圍内而表面壓緊壓力在5 kg/cm2 至5 00 kg/cm範圍内之應力鬆弛膜故而允許有效地減小該 第一晶圓與該第二晶圓之間在該焊接面上的應力偏差。 更佳的係，該應力鬆他率在“。/。至以純圍内而表面產 緊Μ力在5kg/cm2至2〇kg/cm2範圍内。 I12323.doc 14 1314367 /本發明之—項具體實施例中，該應力鬆_之厚度係 攸 0.2 mm至 2.0 mm。 依據此項具體實施例中半導體發光農置之製造方法，從 0.2賴至2.〇 mm厚度之應力鬆他膜允許有效地減小該第一 與該第二晶圓之間在該焊接面上的應力偏差。 在由本申請者實施之-實驗中，厚度小於〇2醒之應力 鬆弛膜未能實現充分的應力鬆弛，而厚度大於2醜之應力 鬆他膜難以將應力傳送給該等第一及第二晶圓。 —但是’依據該應力鬆他膜之材料，超出〇 2麵至2 〇麵 I&圍之疋厚度對於该應力鬆弛膜而言可能係最佳的。 在本發明之-項具體實施例中，複數個焊接故障防止溝 渠係以指定間隔形成為面對該接觸面。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，在 存在以指定間隔形成於面對該接觸面的狀態之複數個應力 鬆弛膜之情況下，在加熱該接觸面時在接觸面上施加壓缩 力。此舉減小該接觸面上應力分佈之偏差，而因此可防止 該等第一與第二晶圓在該接觸面上的谭接故障。 在本气月之項具體貫施例中，所指定的間隔實質上等 於藉由刀割忒等第一與第二晶圓而獲得的晶片寬度。 方依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，該 等;^接故P早防止溝渠係以與藉由分割該等第一與第二晶圓 而獲得之晶片寬度幾乎相等的間隔置放’而因此藉由沿該 等知接故障防止溝渠分割該等第一與第二晶圓使得可以容 易地獲得半導體發光裝置晶片。 I12323.doc • J5- 1314367 在本發明之—項呈體每奸^丨丄 故障防止溝渠。^例中’藉由切割來形成該焊接 依據此項具體實施例中 法 ，夢由μ丨 +導體發光裝置之製造方 =切割而形成該焊接故障防止溝渠，而 干k點使得容易將該等 右 圓或該第二晶圓之表面，P早溝㈣成於至少該第-晶 PN# . Γ ^ "，並使得可將該第一晶圓内之一 ΡΝ接面區段分割與該晶片尺 〈 f ^ ^ ,™, , .. . $同之尺寸而因此容易在該 寻表&步驟中途實施測試。 此外’由於該焊接故障防止溝 万止溝渠係糟由切割而形成，因 減小S亥焊接故障防止溝 Ε 限，同日Φ * '、溝木寬度並可減小切割容 Π時可精確地調整相對於該分裂平面之一角度。 在本發明之一項且#眘 故陸,… 例中，藉由蝕刻來形成該焊接 故障防止溝渠。 …女 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，夢 由㈣而形成該焊接故障防止溝渠，而此舉生若干優點，曰 I ·容㈣料焊接轉溝渠形成於至少該第— 弟二晶圓之表面上；以及，在㈣程序之前藉由施加=阻 來以一覆蓋層塗布該晶圓韻刻面’以便藉由在該光阻上預 =定一所需發射層圖案來允許一形成該溝渠同時形成各種 U圖案；以及’可將該第一晶圓内之—PN接面區段分割 與該晶片尺寸相同之尺寸而因此容易在該等製 實施測試。 述 在本么明之一項具體實施例中，該焊接故障防止溝渠之 深度係從5 μηι至80 μηι。 112323.doc • J6- 1314367 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，該 焊接故障防止溝渠之深度係從5 μηΊ至8 〇 μη1，而此點使得 可以有效減小該接觸面上應力分佈之偏差。 若該焊接故障防止溝渠過淺，即該焊接故障防止溝渠之 深度小於5 μηι，則該黏合表面變得不平坦，而在該接觸面 上產生不接合的部分。 若泫焊接故障防止溝渠過深，即該焊接故障防止溝渠之 深度大於80 μπι，則至少該第一晶圓或該第二晶圓不再能 抵抗應力而導致出現晶圓裂縫。 應注意，該第一晶圓或該第二晶圓（其上面形成該焊接 故障防止溝渠）中的焊接故障防止溝渠之深度較佳的係從 該烊接故障防止溝渠底部至該接觸面的相對側之深度不小 於 1 00 μηι 〇 在本發明之-項具體實施例中，至少該第—晶圓或該第 二晶圓之厚度係從100 0„!至300 μιη。 依據此項具體實施例中用於一半導體發光裝置之製造方 法，至少該第一晶圓或該第二晶圓之厚度係從100 至 3〇〇 pm厚度，而因此能可靠地確保一防止產生晶圓裂縫之 效果。 即’該等第-及第二晶圓之較小厚度帶來更多靈活性並 能更有效地減少焊接故障’但是該等第一及第二晶圓變得 更易出現破裂。藉由在該接觸面上形成該焊接故障防止溝 渠，可減小該接觸面上的應力，而此點使得可以在該等第 一及第二晶圓較薄時防止其出現裂縫。 112323.doc 17 1314367 在本發明之一項具體實施例中，該第一晶圓之熱膨脹係 數與該第二晶圓不同。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，即 使該第一晶圓之熱膨脹係數不接近該第二晶圓之熱膨脹係 數’亦可以防止該等第一及第二晶圓因焊合該第一晶圓與 S玄苐二晶圓時的應力而受損。 該第一晶圓之熱膨脹係數不接近該第二晶圓之熱膨脹係 數之情況之典型代表係：將包括一以AlGalnP為主的磊晶 層之一 GaAs基板用作該第一晶圓之一範例而將一 GaP基板 用作該第二晶圓之一範例之情況。 圖MA係顯示焊接前之一第一實驗性晶圓222之一示意性 平面圖’而圖14B係從圖14A中直線XIVB-XIVB觀看之一 示意性斷面圖。 如圖14A及14B所示，當具有一形成於該表面上而延伸 於<110>方向的焊接故障防止溝渠226之第一實驗性晶圓 222係接合至一第二實驗晶圓223時，如圖15所示該等第一 及第一貫驗性晶圓2 2 2、2 2 3由於膨脹與收縮應力而破裂。 當具有一相對於<11 0>方向以一 45。角形成於其表面上的 焊接故障防止溝渠之一第一實驗性晶圓係接合至一第二實 驗性晶圓時’該等第一及第二實驗性晶圓皆無裂縫。 在本發明之一項具體實施例中，在移除該第一晶圓之部 分後’利用一粒子尺寸範圍從#7000至#2000的切割刀片將 其餘第一晶圓與該第二晶圓分割複數個晶片，而在該等晶 片之橫面上形成突出部分與凹陷部分。 Π 2323.doc -18- 1314367 依據此項具體貫施例中半導體發光裝置之製造方法，在 該等曰曰片之棱面上形成突出部分與凹陷部分，而此舉提高 光擷取效率。 依據一實驗，在該等晶片之橫面上形成突出部分與凹陷 部分之情況下的光擷取效率比該等晶片之橫面上不形成突 出部分與凹陷部分之情況下的光擷取效率大13倍。 此外’該切割刀片之粒子尺寸最好應為#7〇〇〇至 #2000(4/6 μπι) 〇 在本發明之一項具體實施例中，在使用該切割刀片進行 分割後，蝕刻該等晶片之橫面。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，確 認藉由在該晶片之橫面上形成該等突出部分與凹陷部分後 執行蝕刻處理來移除該橫面的表面層上之受損部分，可將 原先由該受損層吸收而不能擷取的發射光發射到外面，而 此點進一步提高該擷取效率。 • 依據一實驗，在應用該蝕刻處理的情況下該裝置之總光 通量增加到未經處理的裝置之總光通量的二倍大。在此情 況下，將一 GaP基板用作該第二晶圓之一範例，而將該 GaP基板浸泡於混合溶液中以移除該Gap基板之受損層， 該混合溶液之體積比為濃縮硫酸3 :過氧化氫水溶液水i : 水1。應注思，當該等橫面上不形成該等突出部分與凹陷 部分時同樣獲得該受損層移除效果。 在本發明之一項具體實施例中’藉由蝕刻來修整該焊接 故障防止溝渠所包圍的該半導體層之一方形區域之四角。 112323.doc -19- I314367 、依據此項具體實施例中用於一半導體發光裝置之製造方 法’藉由則來修整該方形區域之四角並讓該等四角變 圓，而此舉防止四角區域出現缺陷。 、-在本發明之一項具體實施例中，至少該第一晶圓或該第 二晶圓上形成一電流阻擋層。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，在 至少該第一晶圓或該第二晶圓上形成一電流阻擋層，而因 • $藉由在該第-晶圓或該第二晶圓上將-電極形成與該電 流阻擋層重疊以使得可以提高從該電極側擷取光之效率。 在本發明之一項具體實施例中，在移除該第一晶圓之部 刀後，在其餘第一晶圓上形成一尺寸實質上與該電流阻播 層相同的導線焊接側電極以與該電流阻擋層重疊。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，在 八餘第一晶圓上形成一尺寸一般與該電流阻擋層相同之導 線焊接側電極以與該電流阻擋層重疊，而因此可以提高從 _ 该導線焊接侧電極之側擷取光之效率。 在本發明之一項具體實施例中，該電流阻擋層係形成於 至"亥弟—晶圓或該第二晶圓上之一凹陷部分。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，該 電流阻擒層係形成於至少該第一晶圓或該第二晶圓上之一 凹陷邮八 σ刀’而因此可藉由（例如）ι虫刻來形成該凹陷部分。 因此’可容易地在至少該第一晶圓或該第二晶圓上形成 該凹陷部分。 在本發明之一項具體實施例甲，存在複數個四陷部分。 112323.doc -20- 1314367 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，存 在複數個凹陷部分而因此可以留下非凹陷部分。 此點使得可以防止其餘第一晶圓抵抗一經由該導線焊接 側電極而施加的導線焊接負載之機械強度減小。 在本發明之一項具體實施例中，在其餘第一晶圓上形成 尺寸a質上與一其中形成複數個凹陷部分的區域相同之 導’束坏接側電極，以至於該電極與該複數個凹陷部分重 疊。

依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，在 ，餘第B曰曰圓上形成尺寸一般與一其上面形成複數個凹陷 邠分的區域相同之一導線焊接側電極，以至於該電極與複 數個凹陷部分重疊，而因此可以提高從該導線焊接側電極 之側上之面擷取光之效率。 本發月之項具體貫施例中，該複數個凹陷部分係形 成為局限於一與該電流阻擋層重疊之區域内。 依據此項具體實施例中半導體發光裝置之製造方法，複 π,凹陷^卩刀係形成為局限於一與該電流阻擋層重疊之區 ^ 而因此可以可罪地提高從該導線焊接側電極之側上 之面擷取光之效率。 右在-晶圓上形成本發明之半導體發光裝置，則藉由該 曰之杈面之配置相對於一 {1〇〇}平面在七。至…。之範 内’而使得可以減小向該晶圓之分裂施加的應力並防止 士見曰曰圓裂縫。因此，便可以容易而高良率地製造具有較 尚外部發射效率之半導體發光裝置而不會產生焊接故障及 1 i2323.doc 1314367 晶圓裂縫。 —依據本發明之—半導體發光展置之製造方法，在至少該 2晶圓表面或該第二晶圓表面上形成該焊接故障防止溝 ::該溝渠之延伸方式使其相對於一⑴〇}平面(其係一晶 ::裂平面)形成一從30度至6。度之角度，以至於由膨脹 鈿產生的應力可從該分裂方向分散。此點使得可以將 該第-晶圓與該第二晶圓均勾蟬接而不會產生晶圓裂縫。 因此’便可以容易而高良率地製造具有較高外部發射效 。之半導體發光裝置而不會產生焊接故障及晶圓裂縫。 【實施方式】 下面將參考附圖結合具體實施例來說明本發明。 一發光二極 導體發光裝 在下面本發明之一項具體實施例中，製造 體，其作為一以AlGalnP(鋁鎵銦磷）為主的半 置具有一包括一四元量子井的發射層。 圖1顯示本發明之—項具體實施例中發光二極體之一製 造方法中之一焊接步驟。 此焊接步驟係-用於焊接-第-晶圓22與一第二晶圓23 Y驟八中釔由一鬆弛膜29(作為一應力鬆弛膜之一範 例）向該第-晶圓22與該第二晶圓23之間的—接觸面施加 壓縮力，而同時加熱該接觸面。 ，该弟-日曰曰圓22具有—— GaAs(神化録）基板與形成於該n 3L GaAs基板上且包括—發射層的複數個半導體層。 該第二晶圓23係由對來自該發射層的光透明之一 p型GaP 基板組成。即，該pSGaP基板例示該第二晶圓23之一透明 II2323.doc -22- 1314367 層。 下面參考圖2A至2F對該發光二極體之製造方法加以說 明。應注意圖2A至2E顯示將要分割成多個晶片的第一晶 圓22與第二晶圓23之部分。 首先，如圖2A所示，在—!^GaAs基板又上，形成一打型

GaAs緩衝層2、一n型AiGaAs蝕刻停止層3、一n型 電流擴散層4、一nSA1GaInP緩衝層5、一nsA1Inp包覆層 6作為發射層之一範例的一 AlGalnP主動層7(具有四個 井的MQW(夕里子井）結構）、一間隔物層μ、一 p型Αΐιηρ 包覆層17、一中間層18、一卩型GaInp第一接合接觸層ι9、 P型GaP第二接合接觸層2〇及一 GaAs覆蓋層21。該等個 別層係藉由MOCVD(金屬有機化學汽相沉積）程序而生長。 隨後，如圖2B所示，移除該覆蓋層21，並將因移除該覆 蓋層21而曝露的該第二接合接觸層2〇之一約2 厚部分 (圖2B中二點鏈線所示部分）移除。接著，藉由化學機 械拋光）將已移除該2 μηι厚部分的第二接合接觸層2〇之一 表面20a拋光成一鏡面光滑狀態。從而獲得一第—晶圓 22 〇 應藉由削刮該基板來處理該第一晶圓22，以預先防止焊 接故障。在此項具體實施例中，該〇型GaAs基板係创光成 270 μιη之基板厚度。該基板厚度若過小，則會引起該第 一晶圓22破裂，而因此依據該第一晶圓22之材料及向該第 一晶圓22施加的應力而決定其一適當值。 接下來，在該第一晶圓22之磊晶表面（即，該第二接合 112323.doc •23· 1314367

接觸層20之表面20a)上，藉由切割或利用一光罩與蝕刻來 形成如圖3A、3B及4所示之複數個焊接故障防止溝渠26。 該等焊接故障防止溝渠26中的每一溝渠皆相對於一（04 平面形成一約45。之角度。更特定言之，該等個別焊接故 障防止溝渠26相對於該晶圓分裂方向形成一約45。之角 度。換言之，該等個別焊接故障防止溝渠26以一方式延伸 以至於相對於一晶圓分裂平面形成一約45。之角度。在 此，分別以<>、[]及（）、{丨括弧中的數字來表示晶格定向 及2袼表面。在該等數字（索引）中，在結晶學中必須在該 數字上添加-「_」（槓）來表示負數。但是，不可以藉由軟 體（微軟公司的「W0RD」）在一數字上添加一積，而因此 本說明書中在一數字前添加—負號來表示。 然後，如圖2C所示’將一第二晶圓23放置於該第二接合 接觸層20之表面2〇a(其係該第—晶圓22之表面）上。因此， 該第二晶圓23之-表面23a接觸到該第二接合接觸層別之 表面20a。 此外，該第二晶圓23係以—方式放置於該接合接觸層2 ^ 上以至於該第—日日日圓22之定向平坦平面-… 及第一晶圓23之定向平坦平面對齊。更特定言 晶圓23係以一方矛_ 方式放置於5亥接合接觸層20之表面20山 至於該第-晶圓22之定向平坦平上' -曰圓π β + 忐線變侍一般與該負 —曰』23之疋向平坦平面之法線平行。因此，該第一曰s 之一晶軸幾乎盥該第-θ m + a ± 弟日日6 ”曰ββ圓之一晶軸對齊。在此情況下, Μ弟一日日0 22之定向平坦平面與該 日日W 23之定向平坦 112323.doc -24- Ϊ314367 平面係該（0-11)平面。 接下來，執行該第一晶圓22與該第二晶圓+ 驟。在該焊接步驟中，利用^所示之—失具50來焊接二 第一晶圓22與該第二晶圓23。 =具5。係由石英製成且具有：一下部基底51，用以支 撐㈣一晶圓22;-加壓器板52,用以覆蓋圖^第二曰 圓23之上部面，以及_按壓區㈣，用以在接 位準的力後隨即按壓該加壓器板5 2。 該按壓區段53係配置成藉由一從前側觀看一般為口形之 框架54來加以垂直導引。該框㈣與該下部基底η接合， 以將力正確地傳輸至定位於該下部基底51與該按壓部分Μ 之間的加壓器板52。 將PBN(熱解氮化爛如放置於該下部基底$玉與該第一 晶圓2 2之間。 對該第二晶圓23之表面23a Λπ α. 衣甶2以加以鏡面拋光並令其接觸到 以第一晶圓22之經過鏡面拋光的表面2〇&。 令該第二晶圓23之表面23a接觸到該第—晶圓22之表面 二，以至於該第一晶圓22之表面2〇a之—生長軸與該第二 日日圓23之表面23a之一生長軸對齊。 ，鬆他膜29放置於一面1，該面係該第二晶圓23之上 ^面而且與該第-晶圓22與該第二晶圓以間的接觸面相 卜更特定言之，讓該鬆弛膜29接觸到該第二晶圓以 面，该面與該第一晶圓22之側相對。 該鬆弛膜29係由一應力鬆他率為至3.0%之材料形 J12323.doc -25- 1314367 成，其一表面壓緊壓力在5 kg/cm2至500 kg/cm2範圍内， 而厚度為1 mm。 此外’將該PBN 25放置於該鬆弛膜29之上部面（與該第 二晶圓23的側面相對之面）上，而令該夾具之加壓器板52 接觸到該PBN 25之上部面（與該鬆弛膜29的側面相對之 面）。然後，向該夾具之按壓區段5 3施加適當的力，以便 經由該加壓器板52與該鬆弛膜29向該第一晶圓22與該第二 晶圓23之間的接觸面施加壓縮力，在此狀態中，將該等第 及第一曰日圓22、23以及該夹具50設定於一加熱爐内且在 75 0°C之溫度下加熱一小時。在此情況下，在應力偏差因 該鬆弛膜29而減小之狀態下向該等第一與第二晶圓22、23 之間的接觸面施加壓縮力。結果，如圖2d所示，一般在整 個接觸面上形成一充分焊接介面4〇。 此外，該焊接故障防止溝渠26不僅能減小該分裂方向上 往往引起破裂的應力從而防止晶圓破裂，而且還能在整個 第一及第二晶圓22、23上提供一充分焊接的狀態。 經過加熱與冷卻後，從該加熱爐取出已焊接的第一與第 二晶圓22、23。接受此類晶圓焊接（直接焊接）的該等第一 及第二晶圓22、23之一焊接體不會出現如圖13八所示之裂 缝、焊接故障及類似缺陷。 乂 然後，藉由ΝΑ 0H-H202混合物溶液钮刻掉包括於該第 一晶圓22内的— GaAs基板w_GaAs緩衝層2。 隨後，如圖職示，钮刻掉包括於該第_晶圓22内^ 型AlGaAs蝕刻停止層3。 112323.doc -26- !314367 然後，在藉由移除如圖2]7所 Ψ ± 蝕刻知止層3而曝露的該 ::擴散層4之表面上形成-導線谭接側電極45。與該第 :圓22之側相對的第：晶圓23之面接受背部研磨而使得 :弟—晶圓23形成m厚度。在進行背部研磨後 與該第—晶圓22之側相對的該第二_之面上形成—曰 粒焊接側電極46。 ~& aa 隨後，為讓該晶圓與該電極之間的一連接部分形成人 金，在約450。0：之溫度下進行約15分鐘的熱處理。 ，接著，藉由切割將該等第一及第二晶圓22、23(其上面 形成有電極)分割晶片，從而完全形成發光二極體。 從而，在該第一晶圓22之表面2〇a(其將係一焊接面)上形 成該焊接故障防止溝渠26(其相對於該晶圓分裂方向形成 約45。角），而因此便可以防止該等第一及第二晶圓u、u 之焊接體出現裂縫、焊接故障及類似缺陷。 因此，便可以藉由一相對較簡單的方法沿整個面將該等 第一晶圓與第二晶圓22、23均勻焊接而不會產生晶圓裂 縫。因此，可以比傳統情況中更高之一良率來製造具有較 高發射強度之發光二極體。 此外，該等焊接故障防止溝渠26之間的間隔係對應於一 晶片尺寸而形成’因此可相對較容易地沿該等焊接故障防 止溝渠2 6將該等第一及第二晶圓2 2、2 3之焊接體分割成晶 片0 此外’分割成晶片時所用的切割粒子尺寸較佳的係應在 #7000至 #2000(Ν〇· 7000至 No· 2000)範圍内。 112323.doc -27- 1314367 此外，藉由㈣形成該等焊接故障防止溝渠⑽產生之 一優點使得能利用一 旱來令易地在该弟一晶圓22之表面 20a上形成一電流阻擋層。 儘管此項具體實施例中已製造具有—MQw結構發射層 之發光二極體，作所觉、止 曰 體仁所1w的發光二極體亦可具有結構並非 里子井結構的發射層。 此外’本發明還可廣泛應用於組成物不同於此項且體實 施例中的該些組成物之發光二極體。更特定言之，本發明 可適用於任何發光：極體而不限於該等組成物及諸如紅色 ⑷GaAs等）、藍色（GaN、InGaN、训等）、黃色⑷ 等）及綠色（AlGalnP等）之類發射色彩 儘管在此項具體實施例中，在該第一晶圓22之表面 施（其將係一焊接面）上形成該焊接故障防止溝渠叫其相 對於該晶圓分裂方向形成約45。角），但該焊接故障防止溝 渠26相對於該晶圓分裂方向而形成的角度並不限於45。。 更特定言之，延伸為相對於該{1_1〇}平面（其係該晶圓分裂 平面）形成一 30至60度角之焊接故障防止溝渠可以係形成 於該第一晶圓22之表面20a(其將係一焊接面）上。 在此焊接故障防止溝渠係形成於該第一晶圓22之表面 2〇a(其將係一焊接面）上之情況下，獲得如圖5所示之一發 光二極體。在此發光二極體中，該第二晶圓23之一橫面 (陰影面）之方向相對於<100>方向在_15。至+15。範圍内。更 特定言之，該第二晶圓23之橫面之法線與相對於 < 丨〇〇>方 向在-15。至+15。範圍内之方向平行。在此情況下，該第二 112323.doc -28- 1314367 a曰 圓23之橫面之範例包 面、OM0)平面二 (。°)平面、_)平 該第-日 ）平面及（隊1)平面。更特定言之， / -日日®23之橫面之—範例係—{ι 二極體中，、、土 & τ 在5亥發光 所示。線平行於該<11〇>方向之面如圖中二點鏈線 中另：:：:在藉由傳統製造方法而製造之-發光二極體 示。線千仃於該<UG>方向之面如_中：點鏈線所 下圖5中的參考數字3。表示一蟲晶層，其係由以 ^且成· 1型㈣仏電流擴散層4、—-仙讀緩 =、-一包覆層6、一AlGaInp主動層7、一間隔 第一接人_AUnP包覆層17、一中間層H —_GaInP 第接δ接觸層19及一 P型GaP第二接合接觸層2〇。此外， 圖6中’採用與圖5所示組件部件的參考數字相同之參考數 字來表示與圖5所示組件部件對應之組件部件。 儘管此項具體實施例中制由Q製成之第二晶圓23， 但逛可使用由一非GaP材料製成之—第二晶圓。 、，此外’本發明之第二晶圓還可以係由對來自—發射層的 光不透月t |板與形成於該基板上而對光透明之一透明 層組叙晶圓，而且在此情況下，應將該透明層接合至該 第一晶圓之表面。 除發光二極體外’本發明還可應用於半導體雷射及類似 物。 儘管此項具體實施例中該鬆他膜29在5 kgW至5〇〇 112323.doc *29- 1314367 kg/cm2範圍内之一表面壓緊壓力下的應力鬆弛率在1.5%至 3.0%範圍内，但該鬆弛膜29在5 kg/cm2至500 kg/cm2範圍 内之一表面麈緊壓力下的鬆弛率僅須在1,5%至5.0%範圍 内。更佳的係’在5 kg/cm2至20 kg/cm2範圍内的表面壓緊 壓力下’該應力鬆弛率應為1.8%至2.5%。 此外，δ亥鬆弛膜29之厚度並不限於1 mm而可適當地設 定於0.2 mm至2·0 mm範圍内。

此外，可將該鬆弛膜29放置於該第一晶圓22之下部面 (該下部基底51側上的面）上而非該第二晶圓23之上部面（該 按壓區段53侧上的面）上。 此外，在此項具體實施例中的發光二極體中，該第二晶 圓23之橫面可以係粗糙面，或可如圖6所示在該第二晶圓 23之橫面（包括陰影面在内的橫面）上形成突出部分與凹陷 部分。 此外，如圖7A及7B所示’可藉由修整來讓該磊晶層3〇 之四角變圓。 此外，如圖8A及⑽所示，可在該第二晶圓23之表面… 上形成與該導線焊接側電極45重疊之一電流阻播層η。在 此情況下，該電流阻播層27之形狀一般與該導線焊接側電 極45相同。即’該電流阻措層之尺寸_般與該導線焊接側 電極45之尺寸相同。此外，在不與該焊接側電極45重疊的 =中不形成該電流阻播層27。即，該電流阻播層27係形 成為局限於與該焊接側電極45重疊的區域中。 該電流阻播層27可由（例如）一絕緣材料形成。 他23.也 •30· 1314367 旁通該電流阻擋層27之一電流流向該A1Gainp主動層7。 結果’在該導線焊接電極45下方之—區域中由於不能從該 導線焊接侧擷取發射光，因而不發光，但在可#貞取該發射 ，的導線焊接側電極45周圍之—區域巾發光。此點允許提 面《 5亥導線焊接側榻取光的效率。 此外，如圖9A、9BA9C所示，可在該第二晶圓23之表 面23a上形成與該導線焊接側電極45重疊之一凹陷部分 28 °在此情況下’在不與該焊接側電極45重疊之-區域中 不形成該凹陷部分28。#，該凹陷部分28係形成為侷限於 與該焊接側電極45重疊的區域中。此外，該凹陷部分28一 般係形成於該第二晶圓23之表面…的中心。 可藉由-諸如蝕刻之類的技術來容易地形成該凹陷部分 28田然’ β亥凹陷28之形成係在接合該第-晶圓22與該第 二晶圓23之前執行。 在形成該凹陷部分28夕，)·主、w π 分 刀《之k況下’獲得與形成該電流阻擋 層27之情況中相同的效果。 八卜可如圖1〇A、1〇Bai〇C所示而形成複數個凹陷部 同樣纟此情況下所有該等凹陷部分28係形成為局 tr與該桿接側電極45重4的區域中。此外，該複數個凹 :4刀28係形成為一般聚集於該第二晶圓之表面2 中心。 :^ 1GC中的二點鏈線圓圈表示與該焊接側電極 之一區域。在此區域中，有—區域中不形成凹陷部 刀 即，5玄區域包括非凹陷部分。 H2323.doc -31 - 1314367 圖9A、9B、9C及圖10A、10B、l〇c中的凹陷部分28之 深度之设疋使得該第二晶圓23能抵抗來自該上部側之—導 線焊接負載。 至此已說明本發明之具體實施例，但是應明白可採用許 多方式改變本發明。此類更改將不會視為背離本發明之精 、申及範嘴而且4習此項技術者將會明白，希望將所有此 類修改包括於以下申請專利範圍之範脅内。

【圖式簡單說明】 從上面提供的詳細說明及以說明方式提供而並不希望限 制本發明的附圖，可更全面地瞭解本發明，其中： 、 圖1係顯示本發明之一項具體實施例中一半導體發光裝 置之一製造方法中一焊接步驟之一圖式； °係在基板上开〉成包括一發射層的複數個半導體声 之一示意圖； 曰 一晶圓的形成之一示意圖； 晶圓放置於該第一晶圓表面上之 圖2B係用於說明一第 圖2C係顯示將一第二 狀態之一示意崮； 圖D係顯示從已與該第二晶圓焊接的 板及—緩衝層之一狀態之一示意圖； 係顯示_掉該f晶圓上之—㈣停止層之一狀 悲之一示意圖； 圖2?係顯示一發光二極體之一完成σ 一 圖-顯示焊接前的第一晶圓之；=;圖； 圖3Β係從圖3 Α中直細謂β觀看之_示意性斷面圖， I12323.doc -32- 1314367 圖4係顯示焊接後的第一及第二晶圓之一示意性平面 圖； 圖5係顯示在本發明之一項具體實施例中一發光二極體 “ 之一示意性透視圖； ，圖6係顯示在本發明之另一項具體實施例中一發光二極 體之一示意性透視圖； 圖7 A係顯示在本發明之另一項具體實施例中一發光二極 體之一示意性平面圖； • 圖7B係顯示圖7A所示發光二極體之一示意性正視圖； 圖8 A係顯示在本發明之另一項具體實施例中一發光二極 體之一示意性平面圖； 圖8B係顯示圖8A所示發光二極體之一示意性正視圖； 圖9 A係顯示在本發明之另一項具體實施例中一發光二極 體之一示意性平面圖； 圖9B係顯示圖9A所示發光二極體之一示意性正視圖； 圖9C係顯示圖9A所示發光二極體之一第二晶圓之一示 I意性平面圖； 圖1 Ο A係顯示在本發明之另一項具體實施例中一發光二 極體之一示意性平面圖； •圖1 0B係顯示圖1 0A所示發光二極體之一示意性正視 圖， 圖10C係顯示圖10A所示發光二極體之一第二晶圓之一 示意性平面圖； 圖11A係顯示在用於一半導體發光裝置之一傳統製造方 112323.doc -33 - 1314367 法中知接步驟之一狀態之一示意性正視圖； 圖11B係顯示在詩—半導體發光裝置之—傳統製造方 法中一焊接步驟之一狀態之一示意性平面圖； 圖12A係顯示坪接前之一傳統的第一晶圓之一示意性平 面圖； 圖12B係從圖12A中直線χιΙΒ_χιΙΒ觀看之一示意性斷面 圖； 圖13A係顯示焊接後的傳統第一及第二晶圓之一示意性 平面圖； ~ 圖13B係從圖13A中直線χπΙΒ_χΙΙΙΒ觀看之一示意性斷 面圖； 圖14Α係顯示焊接前之一第一實驗性晶圓之一示意性平 面圖； 圖14Β係從圖14Α中直線XIVB-XIVB觀看之一示意性斷 面圖； 圖1 5係顯示焊接後的第一及第二實驗性晶圓之一示咅性 平面圖；以及 圖16係顯示一傳統的半導體發光裝置之一示意性透視 圖。 【主要元件符號說明】 1 η型GaAs基板 2 η型GaAs緩衝層 3 η型AlGaAs蝕刻停止層 4 η型AlGaAs電流擴散層 112323.doc -34 · 1314367 5 η型AlGalnP緩衝層 6 n型AllnP包覆層 7 AlGalnP主動層 16 間隔物層 17 p型AllnP包覆層 18 中間層 19 p型GalnP第一接合接觸層 20 p型GaP第二接合接觸層

20a 表面 21 GaAs覆蓋層 22 第一晶圓 23 弟·一晶圓 23a 表面

24 PBN

25 PBN 26 焊接故障防止溝渠 27 電流阻擋層 28 凹陷部分 29 鬆弛膜 3 0 蟲晶層 40 焊接介面 45 導線焊接側電極 46 晶粒焊接側電極 50 夾具 112323.doc -35 - 1314367 51 52 53 54 110 112 122 123 # 222 226 下部基底 加壓器板 按壓區段 框架 焊接部分 裂縫 第一晶圓 第二晶圓 第一實驗性晶圓 焊接故障防止溝渠 112323.doc •36-

Claims (1)

1314367 、申請專利範圍： 一種半導體發光裝置，其包含. 複數個半導體層’其包括至少—發射層；以及 自㈣射層的光，該等 層壓在一起，其中 w货' 該等半導體層與料明層之㈣—般係 以及 』y

S亥透明層的橫面之一 +15°之一範圍内。 方向相對於一 [100]方向在_15。至 2·如請求項1之半導體發光裝置，其中 該透明層具有一多層結構。 3. 如請求項1之半導體發光裝置，其中 該透明層之該等橫面係粗糙面。 4. 如請求項1之半導體發光裝置，其中 在該透明層之該等橫面上形成突出部分與凹陷部分。

5. 如請求項1之半導體發光裝置， 其中’該半導體層之四角經過修整。 6. —種半導體發光裝置之製造方法，其包含以下步驟： 在至少以下任一表面上形成一焊接故障防止溝渠：一 第SB圓之一表面，其上面形成包括一發射層的至少一 半導體層；或者，—第二晶圓之—表面，其對該發射層 之一發射波長透明； 以一方式將該第二晶圓放置於該第一晶圓之該表面上 以至於該第一晶圓之該表面與該第二晶圓之該表面互相 112323.doc 1314367 接觸而該第一晶圓之一晶軸與該第二晶圓之一晶軸實質 上互相對齊； 向忒第一晶圓與該第二晶圓之間的—接觸面施加壓縮 力而同時加熱該接觸面；以及 以方式從s亥第一晶圓及該第二晶圓移除該第一晶圓 之部分’以至於至少該發射層保留於第二晶圓上， 其中該焊接故障防止溝渠延伸為相對於作為一晶圓分 裂平面之一 {110}平面形成一從30度至6〇度的角度。 7. 如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中δ玄第一晶圓具有一多層結構。 8. 如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中將一應力鬆弛膜放置於至少該第一晶圓或該第二 晶圓之該接觸面之一相對面上。 9. 如請求項8之半導體發光裝置之製造方法， 其中在一5 kg/cm2至500 kg/cm2範圍内之一表面壓緊壓 力下该應力鬆弛膜之一應力鬆弛率在一 1 ·5%至3 ·〇%範圍 内。 1〇·如請求項8之半導體發光裝置之製造方法， 其中該應力鬆弛膜之一厚度係從〇·2 mm至2.0 mm。 11.如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中複數個該等焊接故障防止溝渠係以指定間隔形成 為面對該接觸面。 12·如請求項11之半導體發光裝置之製造方法， 其中該指定間隔實質上等於藉由分割該等第一與第二 H2323.doc 1314367 晶圓而獲得的晶片之一寬度。 13.如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中藉由切割來形成該焊接故障防止溝渠。 14·如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中藉由蝕刻來形成該焊接故障防止溝渠。 15.如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中該焊接故障防止溝渠之一深度係從5 μηι至8〇 μιη 〇 16·如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中至少該第一晶圓或該第二晶圓之一厚度係從100 μιη至 300 μπι 〇 17. 如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中該第一晶圓之熱膨脹係數與該第二晶圓不同。 18. 如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中在移除該第一晶圓之部分後，利用一粒子尺寸範 圍從#7000至#2000的切割刀片將該其餘第一晶圓與該第 二晶圓分割成複數個晶片，而在該等晶片之橫面上形成 突出部分與凹陷部分。 19. 如請求項18之半導體發光裝置之製造方法， 其中在利用該切割刀片來分割後，蝕刻該等晶片之該 等橫面。 20_如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中藉由餘刻來修整該焊接故障防止溝渠所包圍的該 半導體層之一方形區域之四角。 112323.doc !314367 21·如請求項6之半導體發光裝置之製造方法， 其中在至少§亥第一晶圓或該第二晶圓上形成一電济阻 擋層。 ^ 22. 如請求項21之半導體發光裝置之製造方法， 其中，在移除該第一晶圓之部分後，在該其餘曰 I曰 B 圓上形成一尺寸實質上與該電流阻擋層相同的導線焊接 側電極以至於該電極與該電流阻擋層重疊。 23. 如請求項21之半導體發光裝置之製造方法， 其中該電流阻擋層係形成於至少該第一晶圓或該第二 晶圓上之一凹陷部分。 24. 如請求項21之半導體發光裝置之製造方法， 其中存在複數個該等凹陷部分。 25·如請求項24之半導體發光裝置之製造方法， 中在°亥其餘第一晶圓上形成尺寸實質上與一其中 成亥複數個EJ陷部分的區域相同t 一導線焊接側電 極，以至於該電極與該複數個凹陷部分重疊。 26·如請求項24或25之半導體發光|置之製造方法， 其中該複數個凹陷部合孫相+ & #相 丨白口I刀係形成為倚限於一與、該電流阻 播層重疊之區域内。 ' 112323.doc